JP5025197B2 - 配向膜及びこれを含む液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、配向膜及びこれを含む液晶表示装置に関する。

液晶表示装置（ＬＣＤ）は現在最も広く使用されている平板表示装置（フラットパネルディスプレイ）の一種である。液晶表示装置は、電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、これらの表示板に挟持された液晶層とを備え、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成することによって、液晶層の液晶分子の配向方向を決定し、液晶層を通過する光の透過率を調節する。

液晶表示装置の中でも現在主に用いられるものは、電場生成電極が二つの表示板にそれぞれ備えられている構造である。この中でも、一方の表示板には複数の画素電極が列を形成するように配置されており、他方の表示板には一つの共通電極が表示板前面を覆っている構造が主流である。

このような液晶表示装置において、映像の表示は各画素電極に別途の電圧を印加することによって行われる。このために、画素電極に印加される電圧をスイッチングするための三端子素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を各画素電極に接続し、この薄膜トランジスタを制御するための信号を伝達するゲート線と、画素電極に印加される電圧を伝達するデータ線とを形成する。薄膜トランジスタは、ゲート線を通じて伝達される走査信号によってデータ線を通じて伝達されるデータ信号を画素電極に伝達または遮断するスイッチング素子としての役割を有する。

一方、各表示板には液晶層の液晶分子を配向するための配向膜が形成されている。

配向膜としては、耐薬品性及び液晶配向性に優れたポリイミドが主に用いられる。

ポリイミドは溶解性が低く、塗布することは難しい。このため、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を溶媒に溶解させて塗布し、後処理して一部をポリイミドに転換する。その結果、配向膜にはポリイミドとポリアミック酸が共存する。

配向膜を形成する際には、布などを用いて膜の表面を一方向にこすり筋を付ける「ラビング」と呼ばれる処理を行う。しかしながら、ポリイミドとポリアミック酸とは非相溶性であるため配向膜内で分離しており、ポリイミドとポリアミック酸との間には、ファンデルワールス力といった弱い分子間相互作用のみが存在するため、ラビングのような機械的な力によって配向膜の一部が剥離される可能性がある。

剥離された配向膜の一部はラビングする際に、ラビング布に付着して配向膜を損傷したり、液晶層中に不純物として存在して液晶配向を乱したり、ムラとして視認されたりする問題点がある。

本発明は、前記問題点を解決するためになされたものであって、損傷が抑制された配向膜を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態による配向膜は、二無水物構造を含むポリアミック酸部及び二無水物構造を含むポリイミド部を含み、前記ポリアミック酸部とポリイミド部とは、ブロック共重合体を形成する。

また、前記ブロック共重合体は、

（Ｒ、Ｒ^Ｉ、Ｒ^ＩＩ、Ｒ^ＩＩＩ及びＲ^ＩＶは、互いに独立に脂肪族基または芳香族基であり、ａ及びｂは各々１０〜５００の整数である）で表されることが好ましい。

前記脂肪族基としては、アルキレン基などが好ましい。前記芳香族基としては、炭素数１〜５００の環状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数６〜５００のフェニル基である。

ａは上述したように１０〜５００の整数であるが、好ましくは１０〜２００の整数である。ｂは上述したように１０〜５００の整数であるが、好ましくは１０〜２００の整数である。

また、前記配向膜は、ポリイミド部が密集している第１領域と、ポリアミック酸部が密集している第２領域と、を含むことが好ましい。

また、前記第１領域と前記第２領域とは、ポリイミド部とポリアミック酸部との共有結合により結合していることが好ましい。

また、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１表示板と、前記第１表示板と対向する第２表示板と、前記第１表示板及び前記第２表示板のうちの少なくとも一方の上に形成されてポリアミック酸部とポリイミド部とが結合されたブロック共重合体を含有する配向膜と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に挟持された液晶層とを備える。第１表示板または第２表示板としては、薄膜トランジスタ表示板または共通電極表示板などが挙げられる。

また、前記ポリアミック酸と前記ポリイミドは、二無水物構造を有することが好ましい。

また、前記ブロック共重合体は、

（Ｒ、Ｒ^Ｉ、Ｒ^ＩＩ、Ｒ^ＩＩＩ、Ｒ^ＩＶ、ａ及びｂについては上述したとおりである）で表される。

また、前記ポリアミック酸部と前記ポリイミド部とは共有結合していることが好ましい。

また、前記ポリアミック酸部と前記ポリイミド部とは芳香族基を含む結合基で結合されていることが好ましい。

また、前記配向膜は、前記ポリイミドが密集している第１領域と、前記ポリアミック酸が密集している第２領域とを含むことが好ましい。

また、前記第１領域と前記第２領域とは、ポリイミドとポリアミック酸との共有結合で結合していることが好ましい。

また、前記第１表示板は、基板上に形成されているゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極とをさらに含むことが好ましい。

また、前記配向膜は、前記液晶層に含まれる前記液晶分子を、前記第１表示板及び第２表示板の表面と平行となるように配向させることが好ましい。言い換えると、前記配向膜は水平配向膜であることが好ましい。

ポリイミドとポリアミック酸とのブロック共重合体を含有する配向膜を含むことにより、配向膜の一部が剥離するのを防止することができる。

添付した図面を用いながら、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。

図面は、各層及び各領域を明確に表現するために、誇張されて描かれている部分もある。明細書全体を通じて類似した部分については同一の符号を付けている。層、膜、領域、または板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について図１〜図３を用いて詳細に説明する。

図１は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図２及び図３は各々図１に示す液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線断面図またはＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。

図２に示すように、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。

まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。

ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は下方に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に配置されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合は、ゲート線１２１が延びてこれと直接接続される。

維持電極線１３１は、所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ並走している幹線と、これから分かれた複数対の第１維持電極１３３ａ及び第２維持電極１３３ｂとを含む。維持電極線１３１のそれぞれは、隣接した二つのゲート線１２１の同士の間に位置し、幹線は二つのゲート線１２１のうちの図１手前側に近い。維持電極１３３ａ、１３３ｂは、幹線と連結された固定端と、その反対方向の自由端を有している。第１維持電極１３３ａの固定端は面積が広く、自由端は直線部分と折れ曲がった部分との二つに分かれる。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は図１に限定されず他の形状または配置に変更することができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀もしくは銀合金などの銀系金属、銅もしくは銅合金などの銅系金属、モリブデンもしくはモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム、タンタルまたはチタニウムなどで形成することができる。一方、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なって、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、または電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、またはチタニウムなどからなる。これらを用いた好適な組み合わせの例としては、クロム下部膜とアルミニウム（またはアルミニウム合金）上部膜との組み合わせ、またはアルミニウム（またはアルミニウム合金）下部膜とモリブデン（またはモリブデン合金）上部膜との組み合わせが挙げられる。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、これ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜〜８０゜であることが好ましい。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、ゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜の材質としては、窒化ケイ素または酸化ケイ素などが挙げられる。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは、ａ−Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に縦方向に延びており、ゲート電極１２４に向かって延び出た複数の突出部１５４を含む。

半導体１５１上には、複数の線状オーミック接触部材１６１及び島状オーミック接触部材１６５が形成されている。オーミック接触部材は、例えばリンなどのｎ型不純物が高濃度にドープされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、またはシリサイドからなることが好ましい。線状オーミック接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５は、対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。

半導体１５１、線状オーミック接触部材１６１または島状オーミック接触部材１６５の側面も、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜〜８０゜であることが好ましい。

オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が形成されている。

データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。また、各データ線１７１は、維持電極線１３１と交差して隣接した維持電極１３３ａ、１３３ｂ群の間を走る。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積される場合には、データ線１７１が延びてこれと直接接続される。

ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。

一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。

データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなど耐火性金属、またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロム、モリブデンもしくはモリブデン合金からなる下部膜とアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる上部膜の二重膜、またはモリブデンもしくはモリブデン合金からなる下部膜とアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる中間膜とモリブデンもしくはモリブデン合金からなる上部膜との三重膜が挙げられる。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５は、上述したもの以外にも様々な金属または導電体からなりうる。

データ線１７１及びドレイン電極１７５もまた、その側面が基板１１０面に対して３０゜〜８０゜の傾斜角で傾斜していることが好ましい。

データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した半導体１５１部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化することができる。無機絶縁物の例としては、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）がある。有機絶縁物は、感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出した半導体１５４部分に害を及ぼさないように、下部無機膜と上部無機膜の二重膜構造を有することができる。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５とをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１、第１維持電極１３３ａの固定端近傍の維持電極線１３１の一部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ａ、並びに第１維持電極１３３ａの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ｂが形成されている。

保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ（ｏｖｅｒｐａｓｓ）８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯもしくはＩＺＯなどの透明な導電物質、または、アルミニウム、銀、クロム、もしくはこれらの合金などの反射性金属からなりうる。

画素電極１９１はコンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける他の表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極１９１、２７０間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０は、キャパシタ（以下、液晶キャパシタという）を構成して、薄膜トランジスタが非導通状態になった後にも印加された電圧を維持する。

画素電極１９１は、維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする維持電極線１３１と重畳している。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重なって構成するキャパシタをストレージキャパシタといい、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。

接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補い、これらを保護する。

接続ブリッジ８３は、ゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を間に置いて反対側に位置するコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出した部分と、維持電極１３３ｂの自由端の露出した端部に接続されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする維持電極線１３１は、接続ブリッジ８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１、または薄膜トランジスタの欠陥修理に用いることができる。

次に、薄膜トランジスタ表示板１００と対向する共通電極表示板２００について説明する。

透明ガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、ブラックマトリックスとも言われる遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し画素電極１９１とほぼ同一の形状を有する複数の開口部を有しており、画素電極１９１間の光漏れを防ぐ。遮光部材２２０は、ゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する部分と、薄膜トランジスタに対応する部分とからなることができる。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２２０で覆われた領域内に存在しており、ある一方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色などの基本色で着色されている。

カラーフィルタ２３０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体からなる共通電極２７０が形成されている。

表示板１００、２００の内側面には、配向膜１１、２１が塗布されており、これらは液晶分子を表示板１００、２００の表面に並んで配向することができる。

表示板１００、２００の外側面には、偏光子（図示せず）が備えられているが、二つの偏光子の偏光軸は平行または直交する。反射型液晶表示装置の場合、二つの偏光子のうちの一つが省略可能である。

液晶層３は正の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態で、その長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対してほぼ平行するように配向されている。

以下、本発明の一実施形態に係る配向膜１１、２１について図４Ａ及び図４Ｂを参照して詳細に説明する。

図４Ａは図２の液晶表示装置のＡ部分を拡大示した断面図であり、図４Ｂは図４Ａの一部分を拡大示した模式図である。

図４Ａ及び図２に示すように、本発明の一実施形態に係る配向膜１１は、液晶層３側に所定領域を占めている第１領域１１ａと、その他の第２領域１１ｂを含む。第１領域１１ａと第２領域１１ｂは、配向膜１１をなす化合物の構造によって分離されるものであって、第１領域１１ａは複数のイミド基を含むポリイミド部、第２領域１１ｂは複数のアミック酸基を含むポリアミック酸部である。

下記の化学式は本発明の一実施形態に係る配向膜をなす化合物の構造である。Ｒ、Ｒ^Ｉ、Ｒ^ＩＩ、Ｒ^ＩＩＩ、Ｒ^ＩＶ、ａ及びｂについては上述したとおりである。

前記化合物は、ブロック共重合体である。ブロック共重合体は、２種以上の複数の単量体が区域を分けて配列している重合体であり、本発明の一実施形態に係るブロック共重合体は、イミド単量体が複数個（ａ）結合しているポリイミド部とアミック酸単量体が複数個（ｂ）結合しているポリアミック酸部を含み、これらは共有結合している。また、ポリイミドを構成する各イミド単量体の間、並びにポリアミック酸を構成する各アミック酸単量体の間は、脂肪族または芳香族化合物を含む結合基（Ｒ^ＩＶ）で結合される。

このようなブロック共重合体は、一つの重合体鎖に性質が異なる二つ以上の重合体を含有し、二つ以上の重合体が互いに結合されていない場合は、同一種類の重合体どうしが集まり、異なる種類の重合体どうしが集まる。そのために、図４Ａのように、重合体の種類によってポリイミドを含む第１領域１１ａとポリアミック酸を含む第２領域１１ｂに分離される。

図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、第１領域１１ａには複数のイミド単量体（□）が密集しており、第２領域１１ｂには複数のアミック酸単量体（△）が密集している。

図４Ｂには、説明上△○□からなる数本のポリマー鎖を記載したが、ポリマー鎖の本数は特に限定されない。

また、上述したようにイミド単量体（□）と、アミック酸単量体（△）とは、脂肪族または芳香族化合物のような結合基（○）で結合される。結合基（○）と、イミド単量体（□）及びアミック酸単量体（△）とは共有結合している。共有結合は、強い結合であって、ラビングのような外部の物理的力によって容易に破壊されない。その結果、配向膜１１の一部が剥離したりすることを防止できるので、配向膜破片による配向膜表面の損傷、及び液晶層内に存在する不純物による液晶配向の不良を防止することができる。

この場合、イミド単量体（□）を含む第１領域１１ａは液晶層３側に位置して液晶を配向し、アミック酸単量体（△）を含む第２領域１１ｂは配向膜１１の基礎を形成することで、配向膜１１の塗布性を向上させる。また、第２領域１１ｂが配向膜１１の基礎を形成することで、密着性を改善し、且つ液晶層内に存在する不純物を吸着することもできる。

次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、これらの実施例は何ら本発明を制限するものではない。

（実施例）
本発明のブロック共重合体を、溶媒に溶解したものを、基材上に塗布、乾燥させた。次に、これをラビングした。結果を図５Ａに示す。図５Ａは光学顕微鏡写真である。

（比較例）
ポリアミック酸と、ポリイミドとを、溶媒に溶解して単に混合したものを、基材上に塗布、乾燥させた。次に、これをラビングした。結果を図５Ｂに示す。図５Ｂは光学顕微鏡写真である。

図５Ａからは、本発明の一実施形態に係る配向膜は、ラビングを行った後も配向膜表面に破片が発生しないことが確認できた。

これに対して、図５Ｂからは、ポリイミドとポリアミック酸が単に混合されている場合は、ラビングによって配向膜の一部が剥離したりして破片が発生することが確認された。このような破片は、液晶表示装置の製造過程中もしくは完成後に、配向膜表面に存在するか、液晶層内に流入して液晶配向に深刻な影響を与えるおそれがある。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。 図１に示す液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面概略図である。 図１に示す液晶表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面概略図である。 図２に示す液晶表示装置のＡ部分を拡大した断面図である。 図４Ａの液晶表示装置の一部分を拡大した模式図である。 本発明の一実施形態によりポリイミドとポリアミック酸がブロック共重合体を構成する配向膜をラビングした後の光学顕微鏡写真である。 ポリイミドとポリアミック酸が単に混合されている配向膜をラビングした後の光学顕微鏡写真である。

符号の説明

３ 液晶層、
１１ 配向膜、
１１ａ 第１領域、
１１ｂ 第２領域、
２１ 配向膜
８１ 接触補助部材、
８２ 接触補助部材、
８３ 接続ブリッジ、
１００ 薄膜トランジスタ表示板、
１１０ 絶縁基板、
１２１ ゲート線、
１２４ ゲート電極、
１２９ 端部、
１３１ 維持電極線、
１３３ａ 維持電極、
１３３ｂ 維持電極、
１４０ ゲート絶縁膜、
１５１ 半導体、
１５４ 突出部、
１６１ 線状オーミック接触部材、
１６３ 突出部、
１６５ 島状オーミック接触部材、
１７１ データ線、
１７３ ソース電極、
１７５ ドレイン電極、
１７９ 端部、
１８０ 保護膜、
１８１ コンタクトホール、
１８２ コンタクトホール、
１８３ａ コンタクトホール、
１８３ｂ コンタクトホール、
１８４ コンタクトホール、
１８５ コンタクトホール、
１９１ 画素電極、
２００ 共通電極表示板、
２１０ 絶縁基板、
２２０ 遮光部材、
２３０ カラーフィルタ、
２７０ 共通電極、
３００ 液晶。

Claims (6)

1. 互いに対向する第１表示板及び第２表示板と、
   前記第１表示板及び前記第２表示板のうちの少なくとも一方の上に形成され、ポリアミック酸部とポリイミド部とが結合されたブロック共重合体を含む配向膜と、
   前記第１表示板及び前記第２表示板により挟持され、液晶分子を含む液晶層と、を備える液晶表示装置であって、
   前記配向膜は、前記ポリイミド部が密集している第１領域と、前記ポリアミック酸部が密集している第２領域と、を含み、
   前記第１領域は前記液晶層側に位置し、前記第２の領域は前記配向膜の基礎を形成する、液晶表示装置。
2. 前記ポリアミック酸部と前記ポリイミド部とは、二無水物構造を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記ブロック共重合体は、
   （Ｒ、Ｒ^Ｉ、Ｒ^ＩＩ、Ｒ^ＩＩＩ及びＲ^ＩＶは、互いに独立に脂肪族基または芳香族基であり、ａ及びｂは互いに独立に１０〜５００の整数である）で表されることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記ポリアミック酸部と前記ポリイミド部とは、共有結合していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記ポリアミック酸部と前記ポリイミド部とは、芳香族基を含む結合基で結合されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記液晶層の液晶分子は前記第１の表示板および前記第２の表示板の表面に並んで配向していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。