JP2019053105A - 表示パネル用基板の製造方法 - Google Patents
表示パネル用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019053105A JP2019053105A JP2017175371A JP2017175371A JP2019053105A JP 2019053105 A JP2019053105 A JP 2019053105A JP 2017175371 A JP2017175371 A JP 2017175371A JP 2017175371 A JP2017175371 A JP 2017175371A JP 2019053105 A JP2019053105 A JP 2019053105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pixel electrode
- semiconductor film
- electrode
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 113
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/477—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】半導体膜及び透明電極膜のうち一方の膜に行ったエッチング処理やアニール処理が他方の膜に悪影響を与える事態を抑制する。
【解決手段】ゲート電極34を覆うゲート絶縁膜38上に透明電極膜からなる画素電極33を形成する画素電極形成工程と、画素電極形成工程の後に行われ、ゲート絶縁膜38上に、一部が画素電極33を覆う形で半導体膜42を形成する半導体膜形成工程と、半導体膜形成工程の後に行われ、半導体膜42に対してアニール処理を行うアニール処理工程と、アニール処理工程の後に行われ、半導体膜42をエッチングすることで、ゲート電極34と重畳するチャネル部37を画素電極33と同じ層に形成するエッチング工程と、を備えることに特徴を有する。
【選択図】図6
【解決手段】ゲート電極34を覆うゲート絶縁膜38上に透明電極膜からなる画素電極33を形成する画素電極形成工程と、画素電極形成工程の後に行われ、ゲート絶縁膜38上に、一部が画素電極33を覆う形で半導体膜42を形成する半導体膜形成工程と、半導体膜形成工程の後に行われ、半導体膜42に対してアニール処理を行うアニール処理工程と、アニール処理工程の後に行われ、半導体膜42をエッチングすることで、ゲート電極34と重畳するチャネル部37を画素電極33と同じ層に形成するエッチング工程と、を備えることに特徴を有する。
【選択図】図6
Description
本発明は、表示パネル用基板の製造方法に関する。
従来、表示装置に用いられる表示パネル用基板の一例として下記特許文献1に記載されたものが知られている。特許文献1に記載された表示パネル用基板は、透明基板上にゲート配線、ゲート絶縁膜、半導体膜(チャネル部)、ソース用導電膜(及びドレイン用導電膜)、絶縁膜、透明電極膜(画素電極)の順番で積層されている。
上記構成では、半導体膜はドレイン用導電膜を介して透明電極膜と接続されている。透明電極膜とドレイン用導電膜の間には絶縁膜が介在されている。このため、透明電極膜とドレイン用導電膜とを接続するためには、絶縁膜にコンタクトホールを形成する必要がある。透明電極膜と半導体膜とを同じ層に配置すれば、上述のコンタクトホールを形成する必要がないため、工数を削減することができる。しかしながら、透明電極膜と半導体膜とが同じ層に配される構成では、一方の膜に施したエッチング処理やアニール処理が他方の膜に悪影響を与えてしまう事態が懸念される。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、半導体膜と透明電極膜とを同じ層に配した場合において、半導体膜及び透明電極膜のうち一方の膜に行ったエッチング処理やアニール処理が他方の膜に悪影響を与える事態を抑制することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の表示パネル用基板の製造方法は、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜上に透明電極膜からなる画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記画素電極形成工程の後に行われ、前記ゲート絶縁膜上に、一部が前記画素電極を覆う形で半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、前記半導体膜形成工程の後に行われ、前記半導体膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程と、前記アニール処理工程の後に行われ、前記半導体膜をエッチングすることで、前記ゲート電極と重畳するチャネル部を前記画素電極と同じ層に形成するエッチング工程と、を備えることに特徴を有する。
チャネル部(半導体膜)と画素電極(透明電極膜)とを同じ層に配することで、コンタクトホールを用いることなく、チャネル部と画素電極とを接続することができ、コンタクトホールの形成に係る工数を削減することができる。アニール処理工程では、半導体膜にアニール処理を行うことで半導体膜の安定化を図ることができる。ここで、アニール処理工程では、画素電極が半導体膜によって覆われている。これにより、画素電極に酸素が供給される事態を抑制でき、画素電極の白濁化や粉化を抑制することができる。また、アニール処理工程では、半導体膜と共に画素電極が加熱され、画素電極のみが結晶化する。このため、エッチング工程において、半導体膜をエッチングする際に画素電極がエッチングされる事態を抑制することができる。また、アニール処理工程において画素電極を加熱することができるので、画素電極を結晶化させるための加熱処理を別に行う必要がなく工数を削減することができる。以上のことから、半導体膜(チャネル部)と透明電極膜(画素電極)とを同じ層に配した場合において、半導体膜及び透明電極膜のうち一方に行った処理が他方に悪影響を与える事態を抑制することができる。
本発明によれば、半導体膜と透明電極膜とを同じ層に配した場合において、半導体膜及び透明電極膜のうち一方の膜に行ったエッチング処理やアニール処理が他方の膜に悪影響を与える事態を抑制することができる。
本発明の一実施形態を図1から図6によって説明する。液晶表示装置10は、図1に示すように、液晶パネル11(表示パネル)と、液晶パネル11を駆動するドライバ17(パネル駆動部)と、ドライバ17に対して各種入力信号を供給する制御回路基板12(外部の信号供給源)と、液晶パネル11と外部の制御回路基板12とを電気的に接続するフレキシブル基板13(外部接続部品)と、液晶パネル11に光を供給する外部光源であるバックライト装置14(照明装置)と、を備える。バックライト装置14は、図1に示すように、表側(液晶パネル11側)に向けて開口した略箱形をなすシャーシ18と、シャーシ18内に配された図示しない光源(例えば冷陰極管、LED、有機ELなど)と、シャーシ18の開口部を覆う形で配される図示しない光学部材と、を備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。
また、液晶表示装置10は、図1に示すように、相互に組み付けられた液晶パネル11及びバックライト装置14を収容及び保持するための表裏一対の外装部材15,16を備えており、このうち表側の外装部材15には、液晶パネル11の表示領域A1に表示された画像を外部から視認させるための開口部19が形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置10は、例えば、携帯電話(スマートフォンなどを含む)、ノートパソコン(タブレット型ノートパソコンなどを含む)、ウェアラブル端末(スマートウォッチなどを含む)、携帯型情報端末(電子ブックやPDAなどを含む)、携帯型ゲーム機、デジタルフォトフレームなどの各種電子機器(図示せず)に用いられるものである。
液晶パネル11は、図1に示すように、対向状に配される一対の基板21,30と、一対の基板21,30間に配され、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層23(媒質層)と、一対の基板21,30の間に配されると共に液晶層23を囲むことで液晶層23を封止するシール部材24と、を備える。一対の基板21,30のうち表側(正面側、図1の上側)の基板がCF基板21(対向基板)とされ、裏側(背面側)の基板がアレイ基板30(アクティブマトリクス基板、素子側基板)とされる。なお、液晶層23に含まれる液晶分子は、例えば水平配向とされるが、これに限定されない。また、両基板21,30の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。
CF基板21は、ガラス基板(図示せず)の内面側(液晶層23側)に、カラーフィルタ、オーバーコート膜、配向膜(いずれも図示せず)が積層されることで構成されている。カラーフィルタは、マトリクス状に配列されるR(赤色),G(緑色),B(青色)の三色の着色部(図示せず)を備えている。各着色部は、アレイ基板30の各画素と対向配置されている。
アレイ基板30(表示パネル用基板)は、図2に示すように、ガラス基板31の内面側にフォトリソグラフィ法によって各種の膜が積層形成されてなるものとされる。表示領域A1においてアレイ基板30の内面側(液晶層23側、図2の上側)には、スイッチング素子であるTFT32(Thin Film Transistor:表示素子)及び画素電極33が多数個マトリクス状(行列状)に並んで設けられている。TFT32及び画素電極33の周りには、図示しないゲート配線及びソース配線が格子状をなす形で配されている。
TFT32は、ゲート電極34と、ソース電極35と、ドレイン電極36と、チャネル部37と、を有している。ゲート電極34はゲート配線と接続され、ソース電極35はソース配線と接続されている。チャネル部37は、ゲート電極34と重畳する形で配され、チャネル部37とゲート電極34の間にはゲート絶縁膜38が介在されている。チャネル部37は、ソース電極35とドレイン電極36とを繋ぐ形で配されており、画素電極33は、チャネル部37と同じ層(ゲート絶縁膜38上)に配されている。TFT32は、ゲート配線及びソース配線にそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極33への電位の供給が制御されるようになっている。なお、ゲート電極34、ソース電極35及びドレイン電極36は、例えば、チタン(Ti)及び銅(Cu)の積層膜によって構成されているが、これに限定されない。
アレイ基板30において、画素電極33の表側には、共通電極39が設けられている。画素電極33と共通電極39の間には層間絶縁膜40が介在されている。ゲート絶縁膜38や層間絶縁膜40は、例えば、二酸化珪素(SiO2)及び窒化シリコン(SiNx)の積層膜によって構成されているが、これに限定されない。また、共通電極39には、例えば複数本のスリット(図示せず)が形成されている。画素電極33が充電されるのに伴って互いに重畳する画素電極33と共通電極39との間に電位差が生じると、共通電極39のスリット開口縁と画素電極33との間には、アレイ基板30の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板30の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界(斜め電界)が生じるので、そのフリンジ電界を利用して液晶層23に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル11は、動作モードがFFS(Fringe Field Switching)モードとされている。
次に、液晶パネル11の製造方法を説明する。液晶パネル11は、CF基板21及びアレイ基板30をそれぞれ製造した後、CF基板21及びアレイ基板30を貼り合わせることで製造される。アレイ基板30の製造方法は、ゲート電極34及びゲート配線を形成するゲート用導電膜形成工程と、ゲート絶縁膜38を形成するゲート絶縁膜形成工程と、画素電極33を形成する画素電極形成工程と、チャネル部37を形成するチャネル部形成工程と、ソース電極35、ソース配線、ドレイン電極36、ドレイン配線41を形成するソースドレイン形成工程と、層間絶縁膜40を形成する層間絶縁膜形成工程と、共通電極39を形成する共通電極形成工程と、を少なくとも備える。
上述した各工程においては、フォトリソグラフィ法によって、それぞれ薄膜パターンが形成される。具体的には、上述した各工程は、薄膜パターンの基になる薄膜を成膜する成膜工程と、レジストに対して露光処理及び現像処理などを行うことで薄膜パターンに対応する形状のレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、レジストパターンをマスクとしたエッチングを行うことで薄膜パターンを形成するエッチング工程と、を備える。なお、成膜工程では、薄膜の種類に応じて、プラズマCVD法、スパッタリング法、真空蒸着法などが適宜用いられる。また、エッチング工程では、エッチングする薄膜の種類に応じて、ウェットエッチングやドライエッチングが適宜用いられる。
本実施形態のアレイ基板30では、ゲート、画素電極33、チャネル部37、ソース及びドレイン、層間絶縁膜40、共通電極39の各薄膜パターンを形成するために、それぞれフォトマスクが用いられる。また、本実施形態のアレイ基板30は、平坦化膜を備えておらず、その分だけフォトマスクの枚数を削減することができる。なお、平坦化膜を備えていないため、共通電極39とソース(及びドレイン)の距離が近くなり、寄生容量が大きくなり易い。このため、層間絶縁膜40の厚さを通常の2〜3倍(例えば400nm〜800nm)にすることで、共通電極39とソース(及びドレイン)間の寄生容量を小さくすることができ、シャドーイングの発生を抑制することができる。
以下の説明では、上記各工程のうち、画素電極形成工程及びチャネル部形成工程について主に説明する。画素電極形成工程では、ゲート絶縁膜38上に透明電極膜を形成した後、その上層にレジスト(フォトレジスト)を塗布し、そのレジストを所定のフォトマスクを介して露光し、その後露光されたレジストを現像することで、パターニングされたレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、透明電極膜をエッチングすることで、図3に示すように、画素電極33が形成される。その後、画素電極33上のレジストパターンを除去する。画素電極33を構成する透明電極膜としては、例えばITO(Indium Tin Oxide)が用いられ、その場合には、エッチングとして、例えば、シュウ酸を用いたウェットエッチングが実行される。
チャネル部形成工程は、半導体膜形成工程と、アニール処理工程と、レジスト形成工程と、エッチング工程と、を備える。半導体膜形成工程では、図4に示すように、ゲート絶縁膜38上にチャネル部37の基となる半導体膜42を形成する。半導体膜42は、その一部が画素電極33を覆う形で形成される。アニール処理工程では、半導体膜42に対して加熱によるアニール処理を行う。アニール処理は、例えば、O2雰囲気下(DRYエアー)において、350℃〜450℃の温度で所定時間(例えば20〜60分)実行される。なお、ここで言う「アニール処理」とは、移動度の向上(低抵抗化)や特性の安定化を目的とした加熱処理のことである。なお、アニール処理工程では、画素電極33が半導体膜42によって覆われた状態で加熱され、結晶化される。
レジスト形成工程では、半導体膜42の上層にレジスト(フォトレジスト)を塗布し、そのレジストを所定のフォトマスクを介して露光し、その後露光されたレジストを現像することで、図5に示すように、パターニングされたレジストパターン43を形成する。そして、エッチング工程では、レジストパターン43をマスクとして、半導体膜42をエッチングすることで、図6に示すように、画素電極33と同じ層にチャネル部37が形成される。その後、レジストパターン43を除去する。半導体膜42としては、例えば、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)を含む酸化物半導体(In−Ga−Zn−O系半導体)が用いられ、その場合には、エッチングとして、例えば、リン酸、硝酸、酢酸を混合したPAN系と呼ばれるエッチング液を用いたウェットエッチングが実行される。
そして、チャネル部形成工程の後に実行されるソースドレイン形成工程(ドレイン形成工程)では、ソース及びドレインを構成する導電膜を形成し、レジストパターンをマスクとして、その導電膜をエッチングすることでソース及びドレインに係る薄膜パターンが形成される。なお、ソースドレイン形成工程では、図2に示すように、ドレイン電極36及びドレイン配線41(ドレイン用導電膜)が、チャネル部37と画素電極33とを接続する形で配される。また、ソース及びドレインを構成する導電膜が、チタン(Ti)及び銅(Cu)の積層膜である場合には、例えば、銅の薄膜パターンは、ウェットエッチングによって形成され、チタンの薄膜パターンは、ドライエッチングによって形成される。
ここで、In−Ga−Zn−O系半導体は、In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Zn(亜鉛)の三元系酸化物であって、In、Ga及びZnの割合(組成比)は特に限定されず、例えばIn:Ga:Zn=2:2:1、In:Ga:Zn=1:1:1、In:Ga:Zn=1:1:2等を含む。本実施形態では、In、GaおよびZnを1:1:1の割合で含むIn−Ga−Zn−O系半導体を用いる。このような酸化物半導体(In−Ga−Zn−O系半導体)は、アモルファスでもよいが、好ましくは結晶質部分を含む結晶性を有するものとされる。結晶性を有する酸化物半導体としては、例えば、c軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質In−Ga−Zn−O系半導体が好ましい。このような酸化物半導体(In−Ga−Zn−O系半導体)の結晶構造は、例えば、特開2012−134475号公報に開示されている。参考のために、特開2012−134475号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。
次に、本実施形態の効果について説明する。本実施形態では、チャネル部37(半導体膜)と画素電極33(透明電極膜)とを同じ層に配することで、コンタクトホールを用いることなく、チャネル部37と画素電極33とを接続することができ、コンタクトホールの形成に係る工数を削減することができる。アニール処理工程では、半導体膜42にアニール処理を行うことで半導体膜42の低抵抗化を図ることができる。ここで、アニール処理工程では、画素電極33が半導体膜42によって覆われている。これにより、画素電極33に酸素が供給される事態を抑制でき、画素電極33の白濁化や粉化を抑制することができる。また、アニール処理工程では、半導体膜42と共に画素電極33が加熱され、結晶化する。このため、エッチング工程において、半導体膜42をエッチングする際に画素電極33がエッチングされる事態を抑制することができる。また、アニール処理工程において画素電極33を加熱することができるので、画素電極33を結晶化させるための加熱処理を別に行う必要がなく工数を削減することができる。
また、画素電極33を構成する透明電極膜は、ITOであり、半導体膜42は、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)を含む酸化物半導体である。ITOとインジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)を含む酸化物半導体とは、互いに組成が似ている。このため、半導体膜42のエッチングに用いられるエッチング手段は、画素電極33をエッチングし易い手段である場合が多い。例えばPAN系のエッチング液は、半導体膜42及び画素電極33をエッチング可能な性質を有している。本実施形態では、画素電極33が結晶化された後に半導体膜42をエッチングするため、画素電極33と半導体膜42の組成が似ている場合であっても画素電極33がエッチングによる影響を受け難く、好適である。
また、アニール処理工程では、350℃〜450℃の温度でアニール処理を行う。上記温度範囲内でアニール処理を行うことで、半導体膜42の安定化をより一層促進することができ、TFT32の信頼性向上(TFT特性の安定化)を図ることができる。
また、エッチング工程の後に行われ、チャネル部37と画素電極33とを接続するドレイン電極36及びドレイン配線41を形成するドレイン形成工程を備える。チャネル部37と画素電極33が同じ層に配されているため、ドレイン配線41と画素電極33とをコンタクトホールを用いることなく接続することができる。
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施形態において、共通電極39が複数の電極によって分割構成され、各電極がタッチセンサとして機能する構成(インセル方式)であってもよい。なお、インセル方式の場合には、ソース及びドレイン用の導電膜を用いて、ソース及びドレインと同時にタッチセンサ用の配線を形成することができ、フォトマスクの枚数を増やすことなく、タッチセンサ用の配線を形成することができる。
(2)半導体膜42の材質は上記実施形態で例示したものに限定されず、適宜変更可能である。半導体膜42として、例えば、アモルファスシリコンを用いてもよい。しかしながら、In−Ga−Zn−O系半導体を備えるTFTは、アモルファスシリコンを用いたTFTに比べて、高い移動度を有するため、小型化を図ることができ、好適である。
(3)画素電極33の材質は上記実施形態で例示したものに限定されず、適宜変更可能である。画素電極33として、例えば、ZnO(Zinc Oxide)を用いてもよい。
(4)アニール処理を行う各条件(雰囲気、温度、時間)は上記実施形態で例示したものに限定されず、半導体膜42の材質に応じて適宜変更可能である。
(5)上記実施形態において、層間絶縁膜40上に、これとは別の層間絶縁膜を設けてもよい。これにより、共通電極39とソース(及びドレイン)間の寄生容量を調整することができる。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施形態において、共通電極39が複数の電極によって分割構成され、各電極がタッチセンサとして機能する構成(インセル方式)であってもよい。なお、インセル方式の場合には、ソース及びドレイン用の導電膜を用いて、ソース及びドレインと同時にタッチセンサ用の配線を形成することができ、フォトマスクの枚数を増やすことなく、タッチセンサ用の配線を形成することができる。
(2)半導体膜42の材質は上記実施形態で例示したものに限定されず、適宜変更可能である。半導体膜42として、例えば、アモルファスシリコンを用いてもよい。しかしながら、In−Ga−Zn−O系半導体を備えるTFTは、アモルファスシリコンを用いたTFTに比べて、高い移動度を有するため、小型化を図ることができ、好適である。
(3)画素電極33の材質は上記実施形態で例示したものに限定されず、適宜変更可能である。画素電極33として、例えば、ZnO(Zinc Oxide)を用いてもよい。
(4)アニール処理を行う各条件(雰囲気、温度、時間)は上記実施形態で例示したものに限定されず、半導体膜42の材質に応じて適宜変更可能である。
(5)上記実施形態において、層間絶縁膜40上に、これとは別の層間絶縁膜を設けてもよい。これにより、共通電極39とソース(及びドレイン)間の寄生容量を調整することができる。
30…アレイ基板(表示パネル用基板)、33…画素電極、34…ゲート電極、36…ドレイン電極、37…チャネル部、38…ゲート絶縁膜、41…ドレイン配線、42…半導体膜
Claims (4)
- ゲート電極を覆うゲート絶縁膜上に透明電極膜からなる画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記画素電極形成工程の後に行われ、前記ゲート絶縁膜上に、一部が前記画素電極を覆う形で半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜形成工程の後に行われ、前記半導体膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程と、
前記アニール処理工程の後に行われ、前記半導体膜をエッチングすることで、前記ゲート電極と重畳するチャネル部を前記画素電極と同じ層に形成するエッチング工程と、を備える表示パネル用基板の製造方法。 - 前記透明電極膜は、ITOであり、
前記半導体膜は、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)を含む酸化物半導体である請求項1に記載の表示パネル用基板の製造方法。 - 前記アニール処理工程では、350℃〜450℃の温度で前記アニール処理を行う請求項2に記載の表示パネル用基板の製造方法。
- 前記エッチング工程の後に行われ、前記チャネル部と前記画素電極とを接続するドレイン電極及びドレイン配線を形成するドレイン形成工程を備える請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の表示パネル用基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017175371A JP2019053105A (ja) | 2017-09-13 | 2017-09-13 | 表示パネル用基板の製造方法 |
US16/124,223 US10481453B2 (en) | 2017-09-13 | 2018-09-07 | Method of producing display panel board |
CN201811057904.2A CN109491157B (zh) | 2017-09-13 | 2018-09-11 | 显示面板用基板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017175371A JP2019053105A (ja) | 2017-09-13 | 2017-09-13 | 表示パネル用基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019053105A true JP2019053105A (ja) | 2019-04-04 |
Family
ID=65630999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017175371A Pending JP2019053105A (ja) | 2017-09-13 | 2017-09-13 | 表示パネル用基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10481453B2 (ja) |
JP (1) | JP2019053105A (ja) |
CN (1) | CN109491157B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113311961A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-27 | 上海天马微电子有限公司 | 触控显示装置、触控显示面板、触控模组及其制作方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004004529A (ja) * | 1995-09-28 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
KR100776505B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 화소전극 제조 방법 |
JP4002410B2 (ja) * | 2001-06-22 | 2007-10-31 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法 |
JP2003017707A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 表示装置用のアレイ基板の製造方法 |
US7247529B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
JP5142831B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2013-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2009010052A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Kobe Steel Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2009020199A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 表示パネル及びその製造方法 |
US8441007B2 (en) * | 2008-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
CN101957530B (zh) * | 2009-07-17 | 2013-07-24 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
JP2011151194A (ja) | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
EP2562738A4 (en) * | 2010-04-19 | 2014-01-01 | Sharp Kk | DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE |
CN103022055A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-04-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及制备方法、显示装置 |
US9985055B2 (en) * | 2013-10-09 | 2018-05-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
CN105845626A (zh) * | 2015-01-14 | 2016-08-10 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 半导体装置及其制造方法 |
CN104934448B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN105204252A (zh) * | 2015-09-23 | 2015-12-30 | 深超光电(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板 |
CN105742292B (zh) * | 2016-03-01 | 2019-02-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板的制作方法及制得的阵列基板 |
CN106024706B (zh) * | 2016-06-22 | 2019-02-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
CN106298809B (zh) * | 2016-09-22 | 2019-04-05 | 昆山龙腾光电有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置 |
-
2017
- 2017-09-13 JP JP2017175371A patent/JP2019053105A/ja active Pending
-
2018
- 2018-09-07 US US16/124,223 patent/US10481453B2/en active Active
- 2018-09-11 CN CN201811057904.2A patent/CN109491157B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109491157A (zh) | 2019-03-19 |
US20190079364A1 (en) | 2019-03-14 |
US10481453B2 (en) | 2019-11-19 |
CN109491157B (zh) | 2022-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10120247B2 (en) | Manufacturing method for TFT substrate and TFT substrate manufactured by the manufacturing method thereof | |
US20170153519A1 (en) | Manufacture method of color filter on array liquid crystal display panel and structure thereof | |
US9711542B2 (en) | Method for fabricating display panel | |
WO2015186619A1 (ja) | 半導体装置、表示装置及び半導体装置の製造方法 | |
US10101620B2 (en) | Manufacture method of low temperature poly-silicon array substrate | |
TWI514055B (zh) | 顯示面板與其製造方法 | |
WO2020021938A1 (ja) | 表示装置 | |
JP4967631B2 (ja) | 表示装置 | |
US20140091331A1 (en) | Display device, thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof | |
JP2018049919A (ja) | 表示装置 | |
WO2013080516A1 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
JP5437895B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP5424544B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板、それの製造方法及びそれを有する表示パネル | |
JP5324758B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、表示装置、およびその製造方法 | |
US20150255616A1 (en) | Semiconductor device and display device | |
US20150279865A1 (en) | Semiconductor device and display device | |
US10481453B2 (en) | Method of producing display panel board | |
JP2020096095A (ja) | 薄膜トランジスタ基板、表示装置および液晶表示装置 | |
JP5604559B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2008218626A (ja) | Tftアレイ基板及びその製造方法 | |
WO2018225645A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2012005198A1 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
JP4994491B2 (ja) | プロジェクタ | |
JP2009210681A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP5961294B2 (ja) | 液晶表示装置 |