JP2016157144A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
た透過型の表示装置に関する。
した発光装置の研究が活発化している。この発光装置は有機EL、又は有機発光ダイオー
ドとも呼ばれている。これらの発光装置は、動画表示に適した速い応答速度、低電圧、低
消費電力駆動などの特徴を有しているため、携帯電話や携帯情報端末(PDA)をはじめ
、次世代表示装置として大きく注目されている。
ゆるシースルー機能を持たせた表示装置が脚光を浴びている。このようなシースルー機能
を有する表示装置は、車両のフロントガラス、家屋やビルなどの建築物の窓ガラス、店舗
のショーウィンドウのガラスやケース、または携帯電話やタブレット端末などの情報端末
機器やヘッドマウントディスプレイなどのウェアラブルディスプレイ、または航空機など
に用いられるヘッドアップディスプレイなど、様々な用途への応用が期待されている。
対象に関する情報を表示しながら対象を見る、または表示装置に映像を表示して表示装置
の向こう側の対象に装飾を施すことができる。さらに、ガラスのように表示装置の向こう
側が見えるモードと、表示装置に映像が表示されるモードを適宜切り替えて用いることも
できる(例えば特許文献1参照)。
可能な表示装置を、シースルー機能を有する表示装置と定義する。例えば、表示領域の全
体において表示装置の向こう側が視認可能な表示装置はシースルー機能を有する表示装置
の一態様であり、また、表示領域の一部のみにおいて表示装置の向こう側が視認可能な表
示装置もシースルー機能を有する表示装置の一態様である。このような、シースルー機能
を有する表示装置には、表示装置の向こう側の景色が映像に写り込んで表示装置の映像が
見にくくなってしまうという問題があった。観測者とは反対側の背面側から入射する光に
より、表示装置の映像のコントラストが低下して、視認性が低下するからである。
様は、シースルー機能を有する表示装置において、一方の観察面から表示部の視認性を高
めることができる表示装置を提供することを課題とする。
数の発光素子を有する発光領域および表示装置の向こう側の光(外光ともいう)に対し透
光性を有する非発光領域を備える第1ユニットと、表示装置の他方の面から一方の面に外
光の透過量を制御する領域を備える第2ユニットと、を有し、第1ユニットの透光性非発
光領域が、第2ユニットの外光の透過量を制御する領域と重なる表示装置の構成に想到し
、課題の解決に至った。
光素子を有する発光領域および透光性非発光領域を備える第1ユニットと、他方の面から
一方の面に外光の透過量を制御する複数の光学素子を有する領域を備える第2ユニットと
、を有し、第1ユニットの透光性非発光領域が、第2ユニットの光学素子と重なること特
徴とする表示装置である。
領域の表示と共に表示部の向こう側が視認可能な、いわゆるシースルー機能を備えた表示
装置を得ることが出来る。
御する光学素子を有する。そのため、外光の透過量を制御する光学素子を備える領域にお
いて、外光の透過量を制御すれば、表示装置の表示コントラストを高くすることができる
。表示装置の観測者と反対の背面側から入射する、表示コントラストを低下させる光を、
光学素子が減少させるからである。
制御する複数の光学素子が、液晶素子である表示装置である。
低い。そのため、表示素子の消費電力を低くすることができる。
置の一方の面から光を射出する複数の発光素子を有する発光領域および透光性非発光領域
を備える基板と、表示装置の他方の面から一方の面に外光の透過量を制御する複数の光学
素子を備える基板と、を挟持し、透光性非発光領域が、光学素子と重なり、他方の面から
一方の面に外光の透過量を制御する複数の光学素子が、液晶素子であることを特徴とする
表示装置である。
ら入射した外光の反射を防止するので、表示装置の表示コントラストを高くすることがで
きる。
L素子であることを特徴とする表示装置である。
出来る。また、EL素子を構成している発光層を変えることにより、所望の発光色を呈す
る表示装置を得ることが出来る。
EL素子、青色の発光を呈する発光層を備えるEL素子を一画素として、発光領域に画素
を複数個形成することにより、表示装置はカラー表示を行うことができる。また、複数の
発光素子を白色の発光を呈する同一の発光層で形成して、当該発光素子からの白色発光を
カラーフィルターにより分光して、カラー表示を行うこともできる。この場合、カラーフ
ィルターは、EL素子が形成されている基板、または、対向基板に形成してもよい。
制御する複数の光学素子が、ブルー相を示す液晶材料を有する液晶素子であることを特徴
とする表示装置である。
子、MVA(Multi−domain Vertical Alignment)型液
晶素子及びIPS(In−Plane Switching)型液晶素子より速い。また
、ブルー相を示す液晶(ブルー相液晶)を用いるモードは、高速で応答することができる
液晶モードである。そのため、外光の透過量を制御する複数の光学素子に、応答速度の速
いブルー相液晶を用いた液晶素子を用いれば、発光の応答速度の速いEL素子の表示に光
の透過量を制御する光学素子が追随することができる。よって、表示装置の向こう側の景
色が見えた状態で、動画部分は表示コントラストを高くすることができる。
制御する複数の光学素子が、MEMSを用いたシャッターであることを特徴とする表示装
置である。
から入射する、表示コントラストを低下させる光を、より減少させることができるため、
表示装置の表示コントラストを高くすることができる。物理的に外光の透過量を制御する
MEMSを用いたシャッターは、明状態と暗状態の明るさの比を高くすることができるか
らである。
発明の一態様によれば、シースルー機能を備えた表示装置において、コントラストの高い
表示装置を提供することができる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
<表示装置の構成>
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について、図1から図3を用いて
説明する。
。図1(B)は、本発明の一態様の表示装置300の構成を模式的に示した斜投影図であ
る。表示装置300は、少なくとも表示装置の一方の面から光を射出する複数の発光素子
100を備える発光領域701aおよび透光性非発光領域701bを備える第1ユニット
11と、表示装置の他方の面から一方の面に透過する外光の透過量を制御する複数の光学
素子500を備える領域(以下、外光調整領域702とよぶ)を有する第2ユニット12
と、を有し、第1ユニット11の透光性非発光領域701bが、第2ユニット12の光学
素子500と重なること特徴とする表示装置である。発光素子100と、光学素子500
の一対を、画素301と呼ぶことにする。画素301の詳細は後述する。透光性非発光領
域701bとは、可視光を透過する領域である。
。第2ユニット12の光学素子500は、背面から入射する光の透過量を調整することが
できる。当該表示装置は、第1ユニット11の透光性非発光領域701bが、第2ユニッ
ト12の光学素子500と重なっている。そのため、発光領域の表示と共に表示部の向こ
う側が視認可能な、いわゆるシースルー機能を備えた表示装置となる。また、透光性非発
光領域701bと重なるように外光の透過量を制御する光学素子500を有する。そのた
め、外光の透過量を制御する光学素子500を備える領域において、外光の透過量を制御
すれば、表示装置の表示コントラストを高くすることができる。表示装置の観測者と反対
の背面側から入射する、表示コントラストを低下させる光を、光学素子が減少させるから
である。
である。図2(A)に示すように、第2ユニット12の外光調整領域702を、発光素子
100が複数含むように分割して形成してもよい。また、図2(B)に示すように、第2
ユニット12の外光調整領域702は、第1ユニット11の発光領域すべてと重なるよう
に形成してもよい。
1に設けられた発光素子100と、第1の支持体601に対向して設けられた透光性を有
する第2の支持体602と、第1の支持体601と第3の支持体603の間に光学素子5
00とを有する。発光素子100が設けられていない透光性非発光領域に重なるように、
光学素子500を設ける。
基板を用いることができる。例えば、ガラス基板、セラミックス基板などを用いることが
できる。また、第1の支持体601、第2の支持体602および第3の支持体603とし
て、プラスチック基板などの、透光性と可撓性を有する基板を用いることができる。
は実施の形態4で詳細を説明する。
発光領域701aにおける発光素子は、パッシブマトリクス型としてもよいし、TFTな
どのトランジスタによって発光素子の駆動が制御されるアクティブマトリクス型としても
よい。
ジスタの構造は特に限定されない。例えばスタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆ス
タガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のトラン
ジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタに用いる半導体材
料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いても良いし、インジ
ウム、ガリウム、及び亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体材料を用いても良
い。また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非結晶半導
体、または結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または
一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いても良い。結晶性を有する半導体を用い
るとトランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。
次に、本発明の一態様の表示装置を用いた表示について、図4と図5を用いて説明する。
ここでは、発光素子100と、光学素子500とが隣接している場合について説明する。
る。図5は、画素301を9個用いた表示装置の上面図である。画素301とは、発光素
子100と、光学素子500の一対を示す。
外光600の透過量を減じた表示モード(Aモード)を示している。ここでAモードの表
示状態の画素を、画素301aとする。図4(B)は発光素子100を発光させ、光学素
子500が観察面の背面から入射する外光600を透過させた表示モード(Bモード)を
示している。ここでBモードの表示状態の画素を、画素301bとする。図4(C)は発
光素子100を発光させず、光学素子500が観察面の背面から入射する外光600の透
過量を減じた表示モード(Cモード)を示している。ここでCモードの表示状態の画素を
、画素301cとする。図4(D)は発光素子100を発光させず、光学素子500が観
察面の背面から入射する外光600を透過させた表示モード(Dモード)を示している。
ここでDモードの表示状態の画素を、画素301dとする。なお、図4では発光素子から
の発光を発光888と表記している。
一態様の表示装置の表示を説明する。ここで、画素301は、図4で説明したいずれかの
表示モードを表示する。図5の画素301は、右側が発光素子100、左側は光学素子5
00を有する。
モード)。その他の画素は発光せず、背面からの外光も取り込まれている(Dモード)。
そのため、中心画素の表示コントラストは高く、周辺の画素領域は背面を見ることができ
る。
モード)。その他の画素は発光させず、背面からの外光を減じている(Cモード)。その
ため、この表示では、発光させた中心画素の表示コントラストを高くすることができる。
モード)。そのため、この表示では背面を見ることができる。
る(Aモード)。そのため、発光のみを見ることができる。
を見るができる表示状態や、一部の領域にコントラストの高い表示状態にすることができ
る。
<発光素子>
本実施の形態に用いることができる発光素子の一態様について、図6(A)を用いて説明
する。
、EL層200と、第2の電極102とから構成されている。透光性導電層103は、第
1の電極101と接している。なお、本実施の形態では、第1の電極101と透光性導電
層103は、陽極として機能し、第2の電極102は陰極として機能するものとして、以
下、説明をする。つまり、第1の電極101の方が第2の電極102よりも電位が高くな
るように、第1の電極101と第2の電極102に電圧を印加したときに、発光が得られ
るものとして、以下説明をする。
体602側に発光させる、いわゆるトップエミッション方式である。しかし、この方式に
とらわれることなく、第2の支持体602上に発光素子100を形成し、第2の支持体6
02側に発光させるいわゆるボトムエミッション方式、さらに、第2の支持体602側と
第1の支持体601側に、発光を射出させる両面射出方式でもよい。
第1の電極101は、陽極として機能する電極である。第1の電極101の膜厚は、50
nmから300nmが好ましい。第1の電極101は可視光領域全体にわたって反射率が
高い電極を用いることが好ましい。なぜなら、光取り出し効率の高い発光素子を得ること
が出来るからである。
ビスマス等の添加を行った銀合金を使用することが好ましい。なぜならば、反射率が高く
、熱処理を行っても化学的、物理的に安定だからである。
る。
透光性導電層103は、第1の電極101上に接して設けられる。透光性導電層103は
、光学的距離を調整する機能を有する。透光性導電層103を調整することにより、所望
の波長領域の光取り出しを極大にすることができる。
ウム、酸化インジウム酸化スズ混合酸化物、酸化インジウム酸化亜鉛混合酸化物、酸化亜
鉛混合酸化物等の金属酸化物の何れかの材料を用いることができる。とくに透光性導電層
103の材料としてチタンを含む層が好ましく、代表的には酸化チタンが好ましい。酸化
チタンは、化学的に安定であり、形成が容易だからである。
Beam Epitaxy)法、パルスレーザ堆積(Pulse Laser Depo
sition)法、原子層堆積(Atomic Layer Deposition)法
等を適宜用いて形成することができる。また、透光性導電層103は、スパッタリングタ
ーゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行うスパッ
タ装置、いわゆるCPスパッタ装置(Columner Plasma Sputter
ing system)を用いても形成することができる。
形成することもできる。たとえば、第1の電極101上にスパッタリング法でチタンを膜
厚6nm成膜し、大気雰囲気下、300℃で1時間の熱処理を行えば、第1の電極101
上に酸化チタンを形成することができる。上記の方法を用いると、薄膜の酸化チタンを基
板に均一に形成することができる。
第2の電極102は、EL層200に電子を注入できる電極で、かつ、透光性を有する電
極であればよい。EL層に電子を注入し、EL層からの発光を第2の電極102から外部
に取り出すためである。第2の電極102の材料として、金属または導電性金属酸化物を
用いることができる。金属としては、銀とマグネシウムの合金もしくはアルミニウムを用
いることができる。導電性金属酸化物としては、酸化インジウム酸化スズ混合酸化物、酸
化インジウム酸化亜鉛混合酸化物、それらの金属酸化物材料にシリコンもしくは酸化シリ
コンを含ませたもの用いることができる。金属を用いた場合は、透光性を有するように膜
厚は1nm以上10nm以下が好ましい。また、第2の電極102の電子注入性を改善す
るため、リチウムやセシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカ
リ土類金属、またはマグネシウムを含む電子注入層を、第2の電極102とEL層200
の間に設けることが好ましい。
グ法等を適宜用いて形成することができる。
グ法を用いて形成することができる。導電性金属酸化物は、アルゴン及び酸素を含む雰囲
気下で成膜することができる。
1の導電性金属酸化物と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜した第2の導電性金属
酸化物との積層膜とすることが好ましい。なぜならば、EL層200への成膜ダメージを
低減させることができるためである。ここで第1の導電性金属酸化物を成膜する際のアル
ゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−70℃以下、好ましくは−100
℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。
EL層200に適用可能なEL層について、図6(B)を用いて説明する。本実施の形態
2で示すEL層200は、正孔注入層211、正孔輸送層212、発光層213、電子輸
送層214等を有している。正孔注入層211は、正孔注入性の高い物質を含む層である
。また、正孔輸送層212とは正孔輸送性の高い物質を含む層である。また、発光層21
3は、発光材料を含む層である。また、電子輸送層214は電子輸送性の高い物質を含む
層である。
。例えば、正孔注入層211、正孔輸送層212、発光層213、電子輸送層214等を
適宜組み合わせて構成することができる。図6(B)においては、EL層200として、
正孔注入層211、正孔輸送層212、発光層213、電子輸送層214が順に積層され
た構造を示している。
発光領域に近い方に接するキャリア(電子または正孔)輸送層は、発光層213で生成し
た励起子からのエネルギー移動を抑制するため、発光層を構成する発光材料、または発光
層に含まれる発光中心物質よりも大きなエネルギーギャップを有する物質で構成すること
が好ましい。
212へ正孔の注入を補助する機能を有する。正孔注入層211には、透光性導電層10
3と正孔輸送層212との間のイオン化ポテンシャルの差を緩和し、正孔が注入され易く
なるものを選ぶ。具体的には、正孔注入層211は、イオン化ポテンシャルを正孔輸送層
212よりも小さく、透光性導電層103よりも大きいものとするか、正孔輸送層212
と透光性導電層103との間に1〜2nmの薄膜として設けたときにエネルギーバンドを
曲げるものを用いて形成することが好ましい。正孔注入性の高い物質には、銅フタロシア
ニン(CuPc)等のフタロシアニン系の化合物がある。
移動度が電子のそれよりも高いものを指し、電子の移動度に対する正孔の移動度の比(=
正孔移動度/電子移動度)が100よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、正
孔輸送層212の正孔移動度は、1×10−6cm2/Vs以上とするのが好ましい。具
体的には、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(
略称:NPB)、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅フタロシアニン(略称:CuP
c)を利用できる。また、正孔輸送層212は、単層構造または、積層構造としてもよい
。
移動度が正孔のそれよりも高いものを指し、正孔の移動度に対する電子の移動度の比(=
電子移動度/正孔移動度)が100よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、電
子輸送層214の電子移動度は、1×10−6cm2/Vs以上とするのが好ましい。具
体的には、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキ
サゾール系配位子を有する金属錯体、チアゾール系配位子を有する金属錯体を利用できる
。キノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、トリス(8−キノリノラト)アルミ
ニウム(略称:Alq)が挙げられる。また、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体の具
体例としては、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:B
eBq2)が挙げられる。また、オキサゾール系配位子を有する金属錯体の具体例として
は、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(B
OX)2)が挙げられる。また、チアゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては
、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ
)2)が挙げられる。また、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−
tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、バソフ
ェナントロリン(略称:BPhen)も用いることができる。具体例を挙げた上述の物質
は、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも
電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を電子輸送層214として用いても
よい。また、電子輸送層214は、単層構造、または積層構造としてもよい。
てもよい。電子キャリアの移動を制御する層は、上述したような電子輸送性の高い材料に
対して、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層である。電子キャリアの移動を制御
する層を設けることにより、電子キャリアの移動を抑制し、キャリアバランスを調節する
ことが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生
する問題(例えば素子寿命の低下)の抑制に大きな効果を発揮する。
入層を設けてもよい。電子注入層としては、電子輸送性を有する物質からなる層中に、ア
ルカリ金属もしくはアルカリ土類金属、またはアルカリ金属のハロゲン化物もしくはアル
カリ土類金属のハロゲン化物を含有させたものを用いればよい。アルカリ金属、アルカリ
土類金属としては、リチウム、マグネシウム、セシウム、カルシウムを用いることができ
る。アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、フッ化リ
チウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウムを用いることができる。具体例としては、A
lq中にマグネシウムを含有させたものを用いることができる。電子注入層を設けること
により、第2の電極102からの電子注入を効率良く行うことができる。
ば、真空蒸着法、インクジェット法、またはスピンコート法を用いることができる。また
、EL層200を積層構造とする場合、各層毎に異なる方法を用いて形成してもよいし、
各層全てを同一の方法で形成してもよい。
赤色の発光を呈する発光層を備えるEL素子、緑色の発光を呈する発光層を備えるEL素
子、青色の発光を呈する発光層を備えるEL素子を一画素として、発光領域に画素を複数
個形成することにより、表示装置はカラー表示を行うことができる。
発光をカラーフィルターにより分光して、カラー表示を行うこともできる。この場合、カ
ラーフィルターは、EL素子が形成されている第1の支持体601、または、第2の支持
体602に形成してもよい。
本実施の形態は、実施の形態2で示したEL層200の代わりに用いることが出来るタン
デム型のEL層400について、図6(C)を用いて説明する。
下、「タンデム型のEL層」という)である。
の発光ユニット411と第2の発光ユニット412は同じ構成であっても異なる構成であ
ってもよく、各ユニットの構成は、それぞれ実施の形態2に示したものと同様なものを適
用することができる。
設けられている。電荷発生層413は、第1の電極101と第2の電極102に電圧を印
加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔
を注入する機能を有する。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャ
リア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を可能にする。
ることが好ましい。具体的には、芳香族アミン誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族炭化
水素誘導体、またはそれらの誘導体を有するデンドリマー、オリゴマー、ポリマーなどを
利用できる。また、それらと混合する金属酸化物には、元素周期表における第4族ないし
第8族に属する金属の酸化物を用いればよく、具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ
、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化
レニウムが挙げられる。これらの金属酸化物は電子受容性が高いため、好ましい。特に、
酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、且つ扱いやすいため、特に好ま
しい。
この構成に限定されるものではない。すなわち、タンデム型の発光素子は、3つ以上の発
光ユニットを有していてもよい。この場合も、各発光ユニットの間には電荷発生層を設け
る。例えば、第1ユニットと、それよりも長波長の発光(例えば、赤色の発光)を呈する
第1の発光材料を用いて作製される第2ユニットと、第1ユニットよりも長波長、かつ第
1の発光材料よりも短波長の発光(例えば、緑色の発光)を呈する第2の発光材料を用い
て作製される第3ユニットとを有する発光素子を構成してもよい。これらの発光素子を用
いることにより、白色の発光装置を得ることができる。
物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物、及
び電子輸送性の高い化合物を含む層とを積層した構造としてもよいし、有機化合物と金属
酸化物の複合材料を含む層と、透明導電層とを積層した構造としてもよい。
の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置するため、電流密度を低く保ったまま高輝度
の発光を可能にする。電流密度を低くできるため、高輝度でも長寿命な発光素子とするこ
とができる。
ことができる。
<光学素子>
本実施の形態では、本発明に用いることができる光学素子の一態様について、図7(A)
を用いて説明する。
と、液晶層555と、第4の電極504と、第5の支持体605と、で構成されている。
きる。例えば、ガラス基板、セラミックス基板などを用いることができる。
反射防止膜などの光学フィルムなどが適宜設けられている。状況に応じては、偏光板及び
位相差板による円偏光を用いてもよい。
、液晶層に用いる液晶を含む混合物をさす。
最大透過率を100%として規格化した規格化透過率と時間の図である。図7(B)はブ
ルー相を示す液晶を用いた場合、図7(C)は垂直配向(VA)モードの液晶を用いた場
合である。図7(B)に示すように、ブルー相を示す液晶(ブルー相液晶)を用いること
で、立ち上がり時間901(規格化透過率10%から規格化透過率90%に達するまでに
要する時間)及び、立ち下がり時間902(規格化透過率90%から規格化透過率10%
に達するまでに要する時間)を、従来例である垂直配向(VA)モードの液晶の立ち上が
り時間903および立ち下がり時間904より短くすることができる。具体的には、ブル
ー相を示す液晶の立ち上がり時間は、200マイクロ秒以下とすることができる。一方、
垂直配向(VA)モードの液晶の立ち上がり時間は、ブルー相を示す液晶よりも長く、1
〜2ミリ秒を要する。
め、外光の透過量を制御する複数の光学素子に、応答速度の速いブルー相液晶を用いた液
晶素子を用いれば、発光の応答速度の速いEL素子の表示に光の透過量を制御する光学素
子が追随することができる。よって、表示装置の向こう側の景色が見えた状態で、動画部
分は表示コントラストを高くすることができる。
<表示装置の構成>
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について、図8から図9を用いて
説明する。
る。図8(B)は、本発明の一態様の表示装置の画素302の断面図である。図8(B)
に示される画素302の構成について説明する。図8(B)に示される画素302は、透
光性を有する第1の支持体601と、第1の支持体601に設けられた発光素子100と
、第1の支持体601に対向して設けられた透光性を有する第2の支持体602と、光学
素子500と、第3の支持体603を有する。第1の偏光板501と第2の偏光板502
が、発光素子100と光学素子500aと、を挟持している。
きる。例えば、ガラス基板、セラミックス基板などを用いることができる。また、第1の
支持体601および第2の支持体602として、プラスチック基板などの、透光性と可撓
性を有する基板を用いることができる。
持し、第1の偏光板501が、観察者と発光領域の光射出面の間に存在する。そのため、
当該射出面から入射した外光の反射を防止するので、表示装置の表示コントラストを高く
することができる。
である。図9(A)に示すように、光学素子500は領域で分割して形成してもよい。ま
た、図9(B)に示すように、光学素子500は、発光領域すべてと重なるように形成し
てもよい。
<光学素子>
本実施の形態では、光学素子として用いることができるMEMSを用いたシャッターにつ
いて、図10を用いて説明する。
部1106aと、MEMS駆動素子部1106bを有する。
造体であるシャッター1110を複数個有する。シャッター1110は開口部1110c
が設けられた遮光層1110aと、開口部1110cを遮光することができる可動遮光層
1110bとを有する。
Systems)を用いて形成することができる。
動させるトランジスタを複数個有する。当該トランジスタは透光性を有する材料で形成さ
れることが好ましい。光学素子500aの開口率を高めるためである。
ロム、モリブデン、ニッケル、チタン、銅、タングステン、タンタル、ネオジム、アルミ
ニウム、シリコンなどの金属、合金または酸化物などを用いることができる。
することができる。遮光する場合、可動遮光層1110bを開口部1110cと重畳させ
る。光を通過させる場合、可動遮光層1110bを開口部1110cと重畳させないよう
に移動させる。図11に示す平面図にマトリクス状に設けられたシャッター1110の例
を示す。
aの各開口部1110cに一つずつ行方向にスライドできる可動遮光層1110bを設け
る。
一部のシャッター1110が開き、残りのシャッター1110が閉まっている状態を示す
。図11(A−1)および図11(A−2)のように各開口部1110cに可動遮光層1
110bを設けることにより、開口部1110cごとにシャッター1110の開閉を設定
することができる。なお、図11(A−2)では、一部のシャッター1110を開くよう
にしたが、もちろん全てのシャッター1110を開いてもよい。
部1110cの形状を矩形状としたがこれに限られることなく、円形、楕円形、多角形等
にしてもよい。
11(A−1)および図11(A−2)に示すシャッター1110の可動遮光層1110
bおよび開口部1110cをスリット状にしたものを図11(B−1)および図11(B
−2)に示す。ここで、可動遮光層1110bの可動領域は開口部1110cにおける可
動遮光層1110bのスライド方向(行方向)の幅に応じて設定される。よって、図11
(B−1)および図11(B−2)に示すように、開口部1110cの行方向の幅を狭く
することにより、可動遮光層1110bの可動領域を狭く設定することができる。これに
より、シャッター1110一つあたりの占有面積を狭くすることができるので、MEMS
構造体部1106aの開口率を高めることができる。
向(列方向)に並んだ複数の開口部1110cを遮光できるようにしてもよい。図11(
A−1)および図11(A−2)に示すシャッター1110の可動遮光層1110bを列
方向に伸長したものを図11(C−1)および図11(C−2)に示す。
に並んだ複数の開口部1110cを遮光できるようにしてもよい。図11(A−1)およ
び図11(A−2)に示すシャッター1110の可動遮光層1110bを行方向に伸長し
たものを図11(D−1)および図11(D−2)に示す。
宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態6で説明したシャッター1110の構造の一態様について
図12を用いて説明する。
1311に結合された可動遮光層1302を有する。アクチュエータ1311は開口部1
304を有する遮光層(図面が煩雑となるため図示せず)上に設けられており、2つの柔
軟性を有するアクチュエータ1315を有する。可動遮光層1302の一方の辺は、アク
チュエータ1315に接続されている。アクチュエータ1315は、可動遮光層1302
を、開口部1304を有する遮光層表面に平行な横方向に移動させる機能を有する。なお
、シャッター1300は実施の形態6に示すシャッター1110に対応し、開口部130
4を有する遮光層は先の実施の形態に示す遮光層1110aに対応し、開口部1304は
実施の形態6に示す開口部1110cに対応し、可動遮光層1302は実施の形態6に示
す可動遮光層1110bに対応する。
1321と、構造体1323に接続する可動電極1325とを有する。可動電極1325
は、可動電極1321に隣接しており、可動電極1325の一端は構造体1323に接続
し、他端は自由に動くことができる。また、可動電極1325の自由に動くことが可能な
端部は、可動電極1321及び構造体1319の接続部で最も近くなるように、湾曲して
いる。
する復元力を有するスプリング1317に接続されている。スプリング1317は構造体
1327に接続されている。
表面の近傍において、可動遮光層1302、アクチュエータ1315、及びスプリング1
317を、浮遊させる機械的支持体として機能する。
当該トランジスタは、先の実施の形態においてMEMS駆動素子部1106bに設けられ
ていた、可動遮光層を駆動するためのトランジスタである。これにより、構造体1323
に接続される可動電極1325に、トランジスタを介して任意の電圧を印加することがで
きる。また、構造体1319、構造体1327は、それぞれ接地電極(GND)と接続す
る。このため、構造体1319に接続する可動電極1321及び構造体1327に接続す
るスプリング1317の電位は、GNDとなっている。なお、構造体1319、構造体1
327は、任意の電圧を印加できる共通電極に電気的に接続されてもよい。
電位差により、可動電極1321及び可動電極1325が電気的に引き寄せあう。この結
果、可動電極1321に接続する可動遮光層1302が、構造体1323の方へ引きよせ
られ、構造体1323の方へ横方向に移動する。可動電極1321はスプリングとして働
くため、可動電極1321と可動電極1325との間の電位差が除去されると、可動電極
1321は、可動電極1321に蓄積された応力を解放しながら、可動遮光層1302を
その初期位置に押し戻す。なお、可動電極1321が可動電極1325に引き寄せられて
いる状態で、開口部1304が可動遮光層1302に塞がれるように設定してもよいし、
逆に開口部1304上に可動遮光層1302が重ならないように設定してもよい。
層上にフォトリソグラフィ工程により所定の形状を有する犠牲層を形成する。犠牲層とし
ては、ポリイミド、アクリル等の有機樹脂、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリ
コン、窒化酸化シリコン等の無機絶縁膜等で形成することができる。
した後、選択的にエッチングをしてシャッター1300を形成する。遮光性を有する材料
としては例えば、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、銅、タングステン、タンタル
、ネオジム、アルミニウム、シリコンなどの金属、合金または酸化物などを用いることが
できる。または、インクジェット法によりシャッター1300を形成する。シャッター1
300は、厚さ100nm以上5μm以下で形成することが好ましい。
ことができる。
支持体に設けられた発光素子を有する第1の表示部と、透光性を有する支持体に設けられ
た光散乱性の液晶層を有する第2表示部との間に設けることにより、容易に用途や状況に
応じた多様な表示モードを可能とする表示装置を提供することができる。
て用いることができる。
12 第2ユニット
100 発光素子
101 第1の電極
102 第2の電極
103 透光性導電層
200 EL層
211 正孔注入層
212 正孔輸送層
213 発光層
214 電子輸送層
300 表示装置
301 画素
301a 画素
301b 画素
301c 画素
301d 画素
302 画素
310 表示装置
400 EL層
411 第1の発光ユニット
412 第2の発光ユニット
413 電荷発生層
500 光学素子
500a 光学素子
500b 光学素子
501 第1の偏光板
502 第2の偏光板
503 第3の電極
504 第4の電極
555 液晶層
600 外光
601 第1の支持体
602 第2の支持体
603 第3の支持体
604 第4の支持体
605 第5の支持体
606 第6の支持体
607 第7の支持体
701a 発光領域
701b 透光性非発光領域
702 外光調整領域
888 発光
901 立ち上がり時間
902 立ち下がり時間
903 立ち上がり時間
904 立ち下がり時間
1106a MEMS構造体部
1106b MEMS駆動素子部
1110 シャッター
1110a 遮光層
1110b 可動遮光層
1110c 開口部
1300 シャッター
1302 可動遮光層
1304 開口部
1311 アクチュエータ
1315 アクチュエータ
1317 スプリング
1319 構造体
1321 可動電極
1323 構造体
1325 可動電極
1327 構造体
Claims (7)
- 第1ユニットと、第2ユニットとを有し、
前記第1ユニットは、発光素子が設けられた第1の領域と、前記発光素子が設けられていない第2の領域と、を有し、
前記第2ユニットは、光学素子を有し、
前記光学素子は、前記第1の領域と重なる領域と、前記第2の領域と重なる領域と、有し、
前記発光素子は、第1の電極と、透光性導電層と、発光層と、第2の電極と、を有し、
前記第1の電極は、銀を有し、
前記透光性導電層は、前記第1の電極に接し、
前記第2の電極は、銀とマグネシウムの合金、またはアルミニウムを有する表示装置。 - 第2の支持体と第3の支持体との間に、第1の支持体を有し、
前記第1の支持体の一方の面と、前記第2の支持体との間に、発光素子を有し、
前記第1の支持体の他方の面と、前記第3の支持体との間に、光学素子を有し、
前記第1の支持体は、前記発光素子が設けられた第1の領域と、前記発光素子が設けられていない第2の領域と、を有し、
前記光学素子は、前記第1の領域と重なる領域と、前記第2の領域と重なる領域と、有し、
前記発光素子は、第1の電極と、透光性導電層と、発光層と、第2の電極と、を有し、
前記第1の電極は、銀を有し、
前記透光性導電層は、前記第1の電極に接し、
前記第2の電極は、銀とマグネシウムの合金、またはアルミニウムを有する表示装置。 - 請求項2において、
前記第1の支持体にカラーフィルタが設けられている表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記発光素子の駆動はトランジスタによって制御され、
前記トランジスタは、酸化物半導体材料を有する表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記光学素子の駆動はトランジスタによって制御され、
前記トランジスタは、透光性を有する材料を有する表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記発光素子の光射出面と、視認する側との間に偏光板を有する表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記光学素子は、MEMSを用いたシャッター、又は液晶素子を有する表示装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018023573A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社三共 | 遊技機 |
JP2018023574A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社三共 | 遊技機 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004192890A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
JP2005070074A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Pioneer Electronic Corp | 表示装置及び該表示装置を含んでなる電子機器 |
JP2006128241A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 表示装置、及び電子機器 |
JP2009020199A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 表示パネル及びその製造方法 |
JP2009070640A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Sony Corp | 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法、ならびに表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2009520245A (ja) * | 2005-12-19 | 2009-05-21 | ピクストロニクス,インコーポレイテッド | 直視型memsディスプレイ装置およびその上に画像を生成する方法 |
JP2010056303A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Epson Imaging Devices Corp | 光センサ及びこの光センサを使用した液晶表示装置 |
JP2011014496A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Panasonic Corp | 発光素子および表示装置 |
WO2011081125A1 (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | 住友化学株式会社 | 有機el素子および有機elパネル |
US20110249211A1 (en) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | Hyung-Jun Song | Organic light emitting display device |
-
2016
- 2016-05-03 JP JP2016092847A patent/JP2016157144A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004192890A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
JP2005070074A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Pioneer Electronic Corp | 表示装置及び該表示装置を含んでなる電子機器 |
JP2006128241A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 表示装置、及び電子機器 |
JP2009520245A (ja) * | 2005-12-19 | 2009-05-21 | ピクストロニクス,インコーポレイテッド | 直視型memsディスプレイ装置およびその上に画像を生成する方法 |
JP2009020199A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 表示パネル及びその製造方法 |
JP2009070640A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Sony Corp | 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法、ならびに表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2010056303A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Epson Imaging Devices Corp | 光センサ及びこの光センサを使用した液晶表示装置 |
JP2011014496A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Panasonic Corp | 発光素子および表示装置 |
WO2011081125A1 (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | 住友化学株式会社 | 有機el素子および有機elパネル |
US20110249211A1 (en) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | Hyung-Jun Song | Organic light emitting display device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018023573A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社三共 | 遊技機 |
JP2018023574A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社三共 | 遊技機 |
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