WO2020111251A1 - 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器 - Google Patents

化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器 Download PDF

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裕勝 伊藤
匡 羽毛田
裕 工藤
佑典 高橋
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Definitions

  • the present invention relates to a compound, a material for an organic electroluminescence device using the compound, an organic electroluminescence device, and an electronic device.
  • an organic electroluminescence element (organic EL element) is composed of an anode, a cathode, and an organic layer sandwiched between the anode and the cathode.
  • organic EL element When a voltage is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side and holes are injected from the anode side into the light emitting region, and the injected electrons and holes are recombined in the light emitting region to generate an excited state, and excited. It emits light when the state returns to the ground state. Therefore, development of a compound that efficiently transports electrons or holes to the light emitting region and promotes recombination of electrons and holes is important for obtaining a high-performance organic EL device. Further, in recent years, in further popularization of smart phones, organic EL televisions, organic EL lighting, and the like using organic EL elements, there is a demand for compounds having high efficiency and sufficient element life.
  • Patent Documents 1 to 6 disclose aromatic amine compounds used in organic EL devices.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and has a high performance organic EL element, more specifically, an organic EL element that realizes a long life and high efficiency, and
  • An object of the present invention is to provide a novel compound that realizes a simple organic EL device.
  • the present inventors have found that the compound represented by the following formula (1) can realize a high-performance organic EL device, and more specifically, The present invention has been completed by finding that it is possible to realize an organic EL device having a long life and high efficiency.
  • the present invention provides a compound represented by formula (1) (hereinafter, also referred to as compound (1)).
  • X represents an oxygen atom or a sulfur atom.
  • Ar 1 to Ar 5 each independently represent a hydrogen atom; a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms. Each of Ar 1 to Ar 5 does not form a ring by combining with other groups.
  • R 1 to R 20 are each independently a hydrogen atom; a cyano group; a nitro group; a halogen atom; a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; a substituted or unsubstituted ring forming carbon atom having 3 to 30 carbon atoms.
  • Each of R 1 to R 20 does not form a ring by combining with other groups.
  • *A and *b represent the bonding position on the benzene ring.
  • One of R 13 to R 16 represents a single bond bonded to *a.
  • One of R 8 to R 12 represents a single bond bonded to *b. ]
  • the present invention provides a material for an organic electroluminescence device containing the compound (1).
  • the present invention is an organic electroluminescent device having a cathode, an anode, and an organic layer disposed between the cathode and the anode, the organic layer including a light emitting layer, and the organic layer to provide an organic electroluminescence device in which at least one layer of the above contains the compound (1).
  • the present invention provides an electronic device including the organic electroluminescent element.
  • Compound (1) realizes a high performance organic EL device. More specifically, it realizes an organic EL element capable of achieving a long life and high efficiency.
  • the “carbon number XX to YY” in the expression “substituted or unsubstituted ZZ group having XX to YY carbon atoms” means the number of carbon atoms when the ZZ group is unsubstituted. If present, the carbon number of the substituent is not included.
  • atom number XX to YY in the expression “substituted or unsubstituted ZZ group having XX to YY atoms” means the number of atoms when the ZZ group is unsubstituted. The number of atoms of the substituent when it is included is not included.
  • the “unsubstituted ZZ group” in the case of “substituted or unsubstituted ZZ group” means that the hydrogen atom of the ZZ group is not substituted with a substituent.
  • the “hydrogen atom” includes isotopes having different neutron numbers, that is, light hydrogen (protium), deuterium (deuterium), and tritium (tritium).
  • the “number of carbon atoms forming a ring” refers to the ring itself of a compound having a structure in which atoms are bonded in a ring (for example, a monocyclic compound, a condensed ring compound, a bridging compound, a carbocyclic compound, a heterocyclic compound). It represents the number of carbon atoms among the constituent atoms.
  • the carbon included in the substituent is not included in the ring-forming carbon. The same applies to the “ring carbon number” described below unless otherwise specified.
  • a benzene ring has 6 ring carbon atoms
  • a naphthalene ring has 10 ring carbon atoms
  • a pyridine ring has 5 ring carbon atoms
  • a furan ring has 4 ring carbon atoms.
  • the carbon number of the alkyl group is not included in the number of ring-forming carbon atoms.
  • the carbon number of the fluorene ring as a substituent is not included in the ring-forming carbon number.
  • the “number of ring-forming atoms” means a compound having a structure in which atoms are bonded in a ring (for example, a monocyclic ring, a condensed ring, a ring assembly) (for example, a monocyclic compound, a condensed ring compound, a bridging compound, a carbocyclic compound).
  • Heterocyclic compound represents the number of atoms constituting the ring itself.
  • An atom that does not form a ring for example, a hydrogen atom that terminates a bond of an atom that forms a ring
  • an atom included in a substituent when the ring is substituted with a substituent is not included in the number of ring-forming atoms.
  • the pyridine ring has 6 ring-forming atoms
  • the quinazoline ring has 10 ring-forming atoms
  • the furan ring has 5 ring-forming atoms.
  • Hydrogen atoms bonded to the ring-forming carbon atoms of the pyridine ring or quinazoline ring or atoms constituting the substituent are not included in the number of ring-forming atoms.
  • a fluorene ring is bonded to the fluorene ring as a substituent (including a spirobifluorene ring)
  • the number of atoms of the fluorene ring as a substituent is not included in the number of ring-forming atoms.
  • aryl group refers to a residue formed by removing one hydrogen atom bonded to an aromatic hydrocarbon ring, and a cyclic aromatic group having one or more atoms other than carbon in the ring. (Heteroaryl group) is not included.
  • the preferred embodiments eg, compounds, various groups, numerical ranges, etc.
  • all other embodiments eg, compounds, various groups, numerical ranges, etc.
  • the combination of the modes including the more preferable mode, the more preferable mode, and the particularly preferable mode is more preferable.
  • the compound (1) according to one embodiment of the present invention is represented by the formula (1).
  • the compound (1) is preferably represented by the following formula (1-1).
  • the compound (1) is more preferably represented by the following formula (1-2a) or the following formula (1-2b).
  • X represents an oxygen atom or a sulfur atom.
  • Ar 1 to Ar 5 each independently represent a hydrogen atom; a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms. Ar 1 to Ar 5 do not bond to each other to form a ring. Further, each of Ar 1 to Ar 5 does not form a ring by bonding with R 1 to R 20 described below.
  • R 1 to R 20 are each independently a hydrogen atom; a cyano group; a nitro group; a halogen atom; a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; a substituted or unsubstituted ring forming carbon atom having 3 to 30 carbon atoms.
  • Cycloalkyl group substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 36 carbon atoms; substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms; substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 ring carbon atoms; Or, a mono-, di- or tri-substituted silyl group having a substituent selected from an unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring forming carbon atoms; substituted or unsubstituted carbon A haloalkyl group having 1 to 30; and a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms.
  • Each of R 1 to R 20 does not bond with each other to form a ring.
  • *A and *b represent the bonding position on the benzene ring.
  • One of R 13 to R 16 represents a single bond bonded to *a.
  • One of R 8 to R 12 represents a single bond bonded to *b.
  • R 13 to R 16 in formula (1-1) that do not bond to *a represent a hydrogen atom.
  • R 14 to R 20 in the formula (1-2a) represent a hydrogen atom.
  • R 13 and R 15 to R 20 in formula (1-2b) represent hydrogen atoms.
  • R 8 to R 12 which are not bonded to *b represent a hydrogen atom. Further, in one embodiment of the present invention, in the formulas (1) to (1-2b), R 8 , R 9 , R 11 , and R 12 each represent a hydrogen atom.
  • R 1 to R 7 in formulas (1) to (1-2b) represent hydrogen atoms.
  • the aryl group having 6 to 30 ring-forming carbon atoms is, for example, a phenyl group, a biphenylyl group, a terphenylyl group, a biphenylenyl group.
  • a phenyl group, a biphenylyl group, a terphenylyl group, a naphthyl group, a phenanthryl group, a benzophenanthryl group, a triphenylenyl group, a pyrenyl group, or a benzotriphenylenyl group more preferably a phenyl group, a biphenylyl group, A terphenylyl group, a naphthyl group, or a phenanthryl group.
  • the terphenylyl group is a 1,1′:4′,1′′-terphenyl group, a 1,1′:3′,1′′-terphenyl group, or a 1,1′:2′,1′′-terphenyl group.
  • the naphthyl group includes a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group.
  • the phenanthryl group is a 1-, 2-, 3-, 4-, or 9-phenanthryl group, preferably a 2- or 9-phenanthryl group.
  • the triphenylenyl group is preferably a 2-triphenylenyl group.
  • the substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms includes an isomer group when present.
  • At least one of Ar 1 to Ar 5 preferably represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms.
  • Ar one or two of 1 ⁇ Ar 5 is a substituted or unsubstituted ring aryl group having 6 to 30, more preferably all other represents a hydrogen atom, the Ar 1 ⁇ Ar 5 It is more preferred that one of them represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, and all the other represent hydrogen atoms.
  • the benzene ring moiety containing Ar 1 to Ar 5 of the compound (1) has the following formula (2a), formula (2b), formula (2c), formula (2d), formula (2e), It is represented by Formula (2f), Formula (2g), Formula (2h), or Formula (2i).
  • Ar 1 to Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms.
  • *C represents a single bond bonded to a nitrogen atom.
  • the benzene ring moiety containing Ar 1 to Ar 5 of compound (1) has the structure of any of the above formulas (2a) to (2g).
  • Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 preferably have 10 to 10 ring carbon atoms.
  • aryl groups more preferably selected from a phenyl group, a biphenylyl group, a terphenylyl group, a naphthyl group, and a phenanthryl group.
  • Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 are ring-forming groups having a substituent.
  • An aryl group having 6 to 30 carbon atoms more preferably an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 ring carbon atoms as a substituent and having 6 to 30 ring carbon atoms. It is an aryl group.
  • two of Ar 1 to Ar 4 are aryl groups having 6 to 30 ring carbon atoms.
  • two of Ar 1 to Ar 4 are the same.
  • two or more of Ar 1 to Ar 5 are substituted or unsubstituted aryl groups having 6 to 30 ring carbon atoms. In some cases, they have the same or different structures as each other.
  • Examples of the halogen atom which can be R 1 to R 20 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which can be R 1 to R 20 include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group.
  • a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group, or a dodecyl group preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, Isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group or pentyl group, more preferably methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, Alternatively, it is a t-butyl group, more preferably a methyl group or a t-butyl group.
  • the alkyl group having 1 to 30 carbon atoms includes an isomer group when present.
  • the cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms which can be R 1 to R 20 is, for example, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or a cycloheptyl group, preferably a cyclopentyl group or a cyclohexyl group.
  • the cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms includes an isomer group when present.
  • the aryl moiety of the aralkyl group having 7 to 36 carbon atoms has 6 to 30 ring-forming carbon atoms, preferably 6 to 25, more preferably 6 to It is selected from 18 aryl groups, and the alkyl moiety is selected from alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 18 carbon atoms, and more preferably 1 to 8 carbon atoms.
  • the aralkyl group having 7 to 36 carbon atoms is, for example, a benzyl group, a phenethyl group or a phenylpropyl group, and a benzyl group is preferable.
  • the aralkyl group having 7 to 36 carbon atoms includes an isomer group when present.
  • the alkyl moiety of the alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms is the above substituted or unsubstituted 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 18 carbon atoms, more preferably Are selected from 1 to 8 alkyl groups.
  • the alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms is, for example, a t-butoxy group, a propoxy group, an ethoxy group or a methoxy group, preferably an ethoxy group or a methoxy group, and more preferably a methoxy group.
  • the alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms includes an isomer group when present.
  • the aryloxy group having 6 to 30 ring carbon atoms which can be R 1 to R 20
  • the aryl moiety of the aryloxy group having 6 to 30 ring carbon atoms has 6 to 30, preferably 6 to 25 ring carbon atoms. It is preferably selected from 6 to 18 aryl groups.
  • the aryloxy group having 6 to 30 ring carbon atoms is, for example, a terphenyloxy group, a biphenyloxy group, or a phenoxy group, preferably a biphenyloxy group or a phenoxy group, and more preferably a phenoxy group. is there.
  • the aryloxy group having 6 to 30 ring carbon atoms includes an isomer group when present.
  • the substituent of the mono-, di- or tri-substituted silyl group which can be R 1 to R 20 is an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 18 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and the number of carbon atoms forming the ring described above. It is selected from 6 to 30, preferably 6 to 25, more preferably 6 to 18 aryl groups.
  • a tri-substituted silyl group is preferable, and examples thereof include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, isopropyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldimethylsilyl group, t-butyldiphenylsilyl group, Or a tritolylsilyl group is more preferable.
  • the mono-, di-, or tri-substituted silyl groups, if present, include isomeric groups.
  • the haloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms which can be R 1 to R 20 is at least one hydrogen atom of the alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 18 and more preferably 1 to 8 carbon atoms, preferably 1 to It is a group obtained by substituting 7 hydrogen atoms or all hydrogen atoms with halogen atoms.
  • the halogen atom is selected from a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and is preferably a fluorine atom.
  • the haloalkyl group is preferably a fluoroalkyl group having 1 to 30, preferably 1 to 18, and more preferably 1 to 8 carbon atoms, such as a heptafluoropropyl group, a pentafluoroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, Or, a trifluoromethyl group is more preferable, a pentafluoroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, or a trifluoromethyl group is further preferable, and a trifluoromethyl group is particularly preferable.
  • the haloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms includes an isomer group when present.
  • the aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms which can be R 1 to R 20 is, for example, a phenyl group, a biphenylyl group, a terphenylyl group, a biphenylenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a benzoanthryl group, a phenanthryl group, a benzophenane group.
  • a phenyl group, a biphenylyl group, a terphenylyl group, or a naphthyl group is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable.
  • the term “substituted or unsubstituted” means any substituent.
  • aryloxy groups mono-, di- or tri-substituted silyl groups having substituents selected from C1 to C30 aryl groups, C1 to C30 haloalkyl groups, and ring forming C6 to C30
  • the same groups as those described for R 1 to R 20 can be mentioned.
  • the substituent of the boryl group which can be the substituent A is selected from aryl groups having 6 to 30, preferably 6 to 25, and more preferably 6 to 18 ring carbon atoms.
  • the boryl group substituted with an aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms is, for example, a diphenylboryl group.
  • the alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms which can be the substituent A the alkyl group portion of the alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 18 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms. Selected from alkyl groups.
  • the alkylthio group is, for example, a methylthio group, an ethylthio group, a propylthio group or a butylthio group.
  • the aryl moiety of the arylthio group having 6 to 30 ring carbon atoms has 6 to 30, preferably 6 to 25 ring carbon atoms, and more preferably Are selected from 6 to 18 aryl groups.
  • the arylthio group is, for example, a phenylthio group or a tolylthio group.
  • one dibenzofuranyl skeleton and a phenyl group are directly linked to the amine skeleton in a form having steric hindrance, and another dibenzofuranyl skeleton or dibenzothienyl skeleton is a phenylene group. It is presumed that the compound is very stable against electrons and excitons while being connected to the amine skeleton via the, while increasing the barrier ability to confine excitons in the light emitting layer.
  • R 1 to R 7 , R 8 to R 12 which are not a single bond that binds to *b, and R 13 to R 16 which are a single bond to *a, None, and R 17 to R 20 are all hydrogen atoms.
  • the "hydrogen atom" used in the present specification includes a light hydrogen atom, a deuterium atom, and a tritium atom. Therefore, the compound (1) may contain a naturally occurring deuterium atom. In addition, a deuterium atom may be intentionally introduced into the compound (1) by using a deuterated compound as a part or all of the raw material compounds. Therefore, in one aspect of the present invention, compound (1) contains at least one deuterium atom. That is, the compound (1) may be a compound represented by the formula (1) or a formula of a preferred embodiment thereof, in which at least one hydrogen atom contained in the compound is a deuterium atom.
  • R 1 to R 7 not a single bond bonded to *b, R 8 to R 12 , and R 13 not a single bond bonded to *a.
  • R 16 and hydrogen atoms represented by R 17 to R 20 (ii) R 1 to R 7 , not a single bond bonded to *b R 8 to R 12 , not a single bond bonded to *a Hydrogen atoms contained in the alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group, alkoxy group, aryloxy group, di- or tri-substituted silyl group, haloalkyl group, and aryl group represented by 13 to R 16 and R 17 to R 20 ; At least one hydrogen atom selected from (iii) the hydrogen atom represented by Ar 1 to Ar 5 and (iv) the hydrogen atom contained in the aryl group represented by Ar 1 to Ar 5 is a deuterium atom.
  • the compound (1) contains deuterium, and the deuteration rate (ratio of the number of deuterium atoms to the total number of hydrogen atoms in the compound (1)) in that case is the raw material used.
  • the deuteration rate of the compound (1) is less than 100%, preferably 95% or less, more preferably 90% or less. , And more preferably 80% or less.
  • the deuteration rate (ratio of the number of deuterium atoms to the total number of hydrogen atoms in the compound (1)) is 1% or more, preferably 3% or more, more preferably It is 5% or more, more preferably 10% or more.
  • the compound (1) may be a mixture containing a deuterated compound and a non-deuterated compound, or a mixture of two or more compounds having different deuteration rates.
  • the deuteration rate of such a mixture (the ratio of the number of deuterium atoms to the total number of hydrogen atoms in the compound (1) contained in the mixture) is 1% or more, preferably 3% or more, more preferably 5% or more. It is more preferably 10% or more and less than 100%, preferably 95% or less, more preferably 90% or less.
  • a deuterium compound (1) includes a deuterium compound (1), a hydrogen atom of the hydrogen atoms R 1 ⁇ R 7 represents, and the alkyl group represented by R 1 ⁇ R 7, cycloalkyl group, At least one hydrogen atom selected from the hydrogen atoms contained in the aralkyl group, alkoxy group, aryloxy group, di- or tri-substituted silyl group, haloalkyl group, and aryl group is a deuterium atom.
  • Deuteration ratio (all hydrogen atoms represented by R 1 to R 7 , and alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group, alkoxy group, aryloxy group, di- or tri-substituted silyl group represented by R 1 to R 7 , haloalkyl
  • the ratio of the number of deuterium atoms to the total number of hydrogen atoms contained in the group and the aryl group) is 1% or more, preferably 3% or more, more preferably 5% or more, further preferably 10% or more, and 100. %, preferably 95% or less, more preferably 90% or less.
  • the compound (1) contains deuterium, is not a single bond that bonds to *b, a hydrogen atom represented by R 8 to R 12 , and a single bond that bonds to *b.
  • a hydrogen atom represented by R 8 to R 12 At least one selected from the hydrogen atom contained in the alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group, alkoxy group, aryloxy group, di- or tri-substituted silyl group, haloalkyl group, and aryl group represented by R 8 to R 12
  • the hydrogen atom is a deuterium atom.
  • Deuteration ratio (all hydrogen atoms represented by R 8 to R 12 which are not a single bond bonded to *b and alkyl groups, cycloalkyl groups, aralkyl groups represented by R 8 to R 12 which are not a single bond bonded to *b ,
  • An alkoxy group, an aryloxy group, a di- or tri-substituted silyl group, a haloalkyl group, and the ratio of the number of deuterium atoms to the total number of hydrogen atoms of the aryl group) is 1% or more, preferably 3% or more, It is preferably 5% or more, more preferably 10% or more and less than 100%, preferably 95% or less, more preferably 90% or less.
  • the compound (1) contains deuterium, and is a hydrogen atom represented by R 13 to R 16 and R 17 to R 20 which is not a single bond that binds to *a, and * an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a di- or tri-substituted silyl group, a haloalkyl group, which is represented by R 13 to R 16 and R 17 to R 20 which is not a single bond bonded to a, and At least one hydrogen atom selected from the hydrogen atoms contained in the aryl group is a deuterium atom.
  • Deuteration ratio (all hydrogen atoms represented by R 13 to R 16 and R 17 to R 20 which are not single bonds bonded to *a, and R 13 to R 16 which are not single bonds bonded to *a Deuterium atom represented by R 17 to R 20 with respect to the total number of hydrogen atoms contained in the alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group, alkoxy group, aryloxy group, di- or tri-substituted silyl group, haloalkyl group, and aryl group.
  • Numberer ratio is 1% or more, preferably 3% or more, more preferably 5% or more, still more preferably 10% or more and less than 100%, preferably 95% or less, more preferably 90% or less. ..
  • Ar 1 ⁇ Ar 5 represents a hydrogen atom, and at least one selected from a hydrogen atom of the aryl group represented by Ar 1 ⁇ Ar 5
  • Two hydrogen atoms are deuterium atoms.
  • Deuteration ratio (Ar 1 ⁇ Ar 5 represents the total hydrogen atom, and the proportion of the number of deuterium atoms to the number of the total hydrogen atom of the aryl group represented by Ar 1 ⁇ Ar 5) 1% or more, preferably It is 3% or more, more preferably 5% or more, still more preferably 10% or more and less than 100%, preferably 95% or less, more preferably 90% or less.
  • compound (1) is selected from the following compound group.
  • the method for producing the compound (1) is not particularly limited, and those skilled in the art can easily produce it by the method described in the following examples or by a method in which the method is modified with reference to a known synthetic method. You can
  • the material for an organic EL element of the present invention contains the compound (1).
  • the content of the compound (1) in the material for an organic EL device of the present invention is not particularly limited, and is, for example, 1% by mass or more (including 100%) based on the total mass of the layer containing the compound (1). And preferably 10% by mass or more (including 100%), more preferably 50% by mass or more (including 100%), and more preferably 80% by mass or more (including 100%). More preferably, 90% by mass or more (including 100%) is particularly preferable.
  • the material for organic EL devices of the present invention is useful for manufacturing organic EL devices.
  • the organic EL device includes a cathode, an anode, and an organic layer between the cathode and the anode.
  • the organic layer includes a light emitting layer, and at least one of the organic layers contains the compound (1).
  • the organic layer containing the compound (1) include a hole transport zone (hole injection layer, hole transport layer, electron blocking layer, exciton blocking layer, etc.) provided between the anode and the light emitting layer, Examples include, but are not limited to, the light emitting layer, the space layer, and the electron transport zone (electron injection layer, electron transport layer, hole blocking layer, etc.) provided between the cathode and the light emitting layer.
  • the compound (1) is preferably a material for a hole transporting zone or a light emitting layer of a fluorescent or phosphorescent EL device, more preferably a material for a hole transporting zone, further preferably a material for a hole transporting layer or an electron blocking layer, particularly preferably Is used as a material for the hole transport layer.
  • the organic EL device of the present invention may be a fluorescent or phosphorescent light emitting type monochromatic light emitting device, a fluorescent/phosphorescent hybrid type white light emitting device, or a simple type having a single light emitting unit.
  • a tandem type device having a plurality of light emitting units may be used, and among these, a fluorescent light emitting type device is preferable.
  • the “light emitting unit” is a minimum unit including an organic layer, at least one of which is a light emitting layer, and emits light by recombination of injected holes and electrons.
  • the light-emitting unit may be of a laminated type having a plurality of phosphorescent-emitting layers or fluorescent-emitting layers. In that case, a phosphorescent-emitting layer is formed between the respective light-emitting layers.
  • a space layer may be provided for the purpose of preventing the excitons from diffusing into the fluorescence emitting layer.
  • a typical layer structure of the simple type light emitting unit is shown below. Layers in parentheses are optional.
  • A (hole injection layer/) hole transport layer/fluorescent emission layer (/electron transport layer/electron injection layer)
  • B (hole injection layer/) hole transport layer/phosphorescence emitting layer (/electron transport layer/electron injection layer)
  • C (hole injection layer/) hole transport layer/first fluorescent light emitting layer/second fluorescent light emitting layer (/electron transport layer/electron injection layer)
  • D (hole injection layer/) hole transport layer/first phosphorescent emitting layer/second phosphorescent emitting layer (/electron transporting layer/electron injecting layer)
  • E (hole injecting layer/) hole transporting layer/phosphorescent emitting layer/space layer/fluorescent emitting layer (/electron transporting layer/electron injecting layer)
  • F (hole injection layer/) hole transport layer/first phosphorescent light emitting layer/second phosphorescent light emitting layer/space layer/fluorescent light emitting layer (/electron transport layer/electron injection layer)
  • Each of the phosphorescent or fluorescent light emitting layers may have a different emission color.
  • (hole injection layer/)hole transport layer/first phosphorescent light emitting layer (red light emission)/second phosphorescent light emitting layer (green light emission)/space layer/fluorescence A layer structure such as a light emitting layer (blue light emission)/electron transport layer may be mentioned.
  • An electron blocking layer may be appropriately provided between each light emitting layer and the hole transport layer or the space layer.
  • a hole blocking layer may be appropriately provided between each light emitting layer and the electron transport layer.
  • the following element configurations can be given as typical element configurations of the tandem type organic EL element.
  • the first light emitting unit and the second light emitting unit can be independently selected from the above light emitting units, for example. ..
  • the intermediate layer is also generally called an intermediate electrode, an intermediate conductive layer, a charge generation layer, an electron extraction layer, a connection layer, and an intermediate insulating layer, and it supplies electrons to the first light emitting unit and holes to the second light emitting unit.
  • Known material configurations for feeding can be used.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a layer structure of an organic EL element according to an embodiment of the present invention.
  • the organic EL device 1 of this example includes a substrate 2, an anode 3, a cathode 4, and a light emitting unit 10 arranged between the anode 3 and the cathode 4.
  • the light emitting unit 10 has a light emitting layer 5.
  • a hole transport zone 6 hole injection layer, hole transport layer, etc.
  • an electron transport zone 7 electron injection layer, electron transport layer
  • an electron blocking layer (not shown) may be provided on the anode 3 side of the light emitting layer 5, and a hole blocking layer (not shown) may be provided on the cathode 4 side of the light emitting layer 5.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the organic EL element according to the embodiment of the present invention.
  • the organic EL element 11 of this example has a substrate 2, an anode 3, a cathode 4, and a light emitting unit 20 arranged between the anode 3 and the cathode 4.
  • the light emitting unit 20 has a light emitting layer 5.
  • the hole transport zone arranged between the anode 3 and the light emitting layer 5 is formed of the first hole transport layer 6a and the second hole transport layer 6b.
  • the electron transporting zone disposed between the light emitting layer 5 and the cathode 4 is formed by the first electron transporting layer 7a and the second electron transporting layer 7b.
  • a single layer electron transport layer and a hole transport layer composed of a plurality of layers may be combined, or a single layer hole transport layer and an electron transport layer composed of a plurality of layers may be combined. Further, the organic EL element 11 may be provided with a hole blocking layer or an electron blocking layer.
  • a host combined with a fluorescent dopant is called a fluorescent host
  • a host combined with a phosphorescent dopant is called a phosphorescent host
  • the fluorescent host and the phosphorescent host are not distinguished from each other only by the molecular structure. That is, the phosphorescent host means a material forming a phosphorescent emitting layer containing a phosphorescent dopant, and does not mean that it cannot be used as a material forming a fluorescent emitting layer. The same applies to the fluorescent host.
  • Substrate The substrate is used as a support for the organic EL device.
  • a plate made of glass, quartz, plastic, or the like can be used.
  • a flexible substrate may be used.
  • the flexible substrate include plastic substrates made of polycarbonate, polyarylate, polyether sulfone, polypropylene, polyester, polyvinyl fluoride, polyvinyl chloride, and the like.
  • an inorganic vapor deposition film can be used.
  • Anode It is preferable to use a metal having a large work function (specifically, 4.0 eV or more), an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like for the anode formed on the substrate.
  • a metal having a large work function specifically, 4.0 eV or more
  • an alloy an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like for the anode formed on the substrate.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • indium oxide-tin oxide containing silicon or silicon oxide indium oxide-zinc oxide
  • indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide Examples include graphene and the like.
  • gold Au
  • platinum Pt
  • nickel Ni
  • tungsten W
  • Cr chromium
  • Mo molybdenum
  • iron Fe
  • Co cobalt
  • Cu copper
  • palladium Pd
  • titanium Ti
  • a nitride of the metal for example, titanium nitride
  • indium oxide-zinc oxide is a target obtained by adding 1 to 10 wt% zinc oxide to indium oxide, and indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide is 0.5 to 5 wt% tungsten oxide to indium oxide.
  • zinc oxide can be formed by a sputtering method by using a target containing 0.1 to 1 wt% of zinc oxide. Alternatively, it may be formed by a vacuum vapor deposition method, a coating method, an inkjet method, a spin coating method, or the like.
  • the hole injection layer formed in contact with the anode is formed of a material that facilitates hole injection regardless of the work function of the anode, and thus is generally used as an electrode material (for example, metal).
  • an electrode material for example, metal
  • alkaline earth metals such as (Sr) and alloys containing these (for example, MgAg, AlLi), rare earth metals such as europium (Eu) and ytterbium (Yb), and alloys containing these.
  • a vacuum evaporation method or a sputtering method can be used.
  • silver paste or the like a coating method, an inkjet method, or the like can be used.
  • the hole injection layer is a layer containing a material having a high hole injection property (hole injection material).
  • the hole injecting material may be used alone or in combination of two or more in the hole injecting layer.
  • Examples of the hole injecting material include molybdenum oxide, titanium oxide, vanadium oxide, rhenium oxide, ruthenium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, silver oxide, and tungsten oxide. Materials, manganese oxide and the like can be used.
  • TDATA 4,4′,4′′-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine
  • TDATA 4,4′,4′′-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine
  • MTDATA 4,4′,4′′-tris[N-(3- Methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamine
  • DPAB 4,4′-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl
  • DNTPD 1,3,5-tris[N -(4-Diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]benzene
  • DPA3B 1,3,5-tris[N -(4-Diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]benzene
  • DPA3B 1,3,5-tris[N -(4-Diphenylaminophenyl)-
  • High molecular compounds oligomers, dendrimers, polymers, etc.
  • PVK poly(N-vinylcarbazole)
  • PVTPA poly(4-vinyltriphenylamine)
  • PTPDMA poly[N-(4- ⁇ N'-[4-(4-diphenylamino)) Phenyl]phenyl-N'-phenylamino ⁇ phenyl)methacrylamide]
  • PTPDMA poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine]
  • Polymer compounds such as Poly-TPD
  • a polymer compound to which an acid such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonic acid) (PEDOT/PSS) or polyaniline/poly(styrenesulfonic acid) (PAni/PSS) is added is used. You can also
  • acceptor material such as a hexaazatriphenylene (HAT) compound represented by the following formula (K) in combination with another compound.
  • HAT hexaazatriphenylene
  • R 21 to R 26 are each independently a cyano group, —CONH 2 , a carboxy group, or —COOR 27 (R 27 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 3 to 20 carbon atoms). Represents a cycloalkyl group of R 21 and R 22 , R 23 and R 24 , and two adjacent two selected from R 25 and R 26 are bonded to each other and are represented by —CO—O—CO—.
  • R 27 examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
  • the hole transport layer may contain the above compound (1), and can be used, for example, in combination with the above acceptor material.
  • the hole transport layer is a layer containing a material having a high hole transport property (hole transport material).
  • the hole transport layer is provided between the anode and the light emitting layer, and when the hole injection layer is present, it is provided between the hole injection layer and the light emitting layer.
  • a hole transport material can be used alone or in combination in the hole transport layer.
  • the hole transporting material for example, an aromatic amine compound, a carbazole derivative, an anthracene derivative or the like can be used.
  • aromatic amine compound examples include 4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: NPB) and N,N′-bis(3-methylphenyl)-N , N′-diphenyl-[1,1′-biphenyl]-4,4′-diamine (abbreviation: TPD), 4-phenyl-4′-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamine (abbreviation: BAFLP), 4,4'-bis[N-(9,9-dimethylfluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: DFLDPBi), 4,4',4"-tris(N,N -Diphenylamino)triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4',4"-tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]
  • carbazole derivative examples include 4,4′-di(9-carbazolyl)biphenyl (abbreviation: CBP), 9-[4-(9-carbazolyl)phenyl]-10-phenylanthracene (abbreviation: CzPA), and 9-phenyl-3-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: PCzPA) can be given.
  • CBP 4,4′-di(9-carbazolyl)biphenyl
  • CzPA 9-[4-(9-carbazolyl)phenyl]-10-phenylanthracene
  • PCzPA 9-phenyl-3-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole
  • anthracene derivative examples include 2-t-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9,10-di(2-naphthyl)anthracene (abbreviation: DNA), and , 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth).
  • a high molecular compound such as poly(N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK) or poly(4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA) can also be used.
  • PVK poly(N-vinylcarbazole)
  • PVTPA poly(4-vinyltriphenylamine)
  • compounds other than the above may be used as long as the compounds have a hole transporting property higher than an electron transporting property.
  • the hole transport layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure including two or more layers.
  • the hole transport layer may have a two-layer structure including a first hole transport layer (anode side) and a second hole transport layer (cathode side).
  • the compound (1) may be contained in one of the first hole transporting layer and the second hole transporting layer, or may be contained in both.
  • the compound (1) is preferably contained in the second hole transport layer, and in another aspect, the compound (1) is contained in the first hole transport layer, and yet another In the aspect, the compound (1) is contained in the first hole transport layer and the second hole transport layer.
  • the compound (1) contained in the hole transporting zone or the compound (1) contained in one of the first hole transporting layer and the second hole transporting layer has a low production cost.
  • the light hydrogen body (1) is preferable.
  • the light hydrogen compound (1) is a compound (1) in which all hydrogen atoms in the formula (1) are light hydrogen atoms. Therefore, in the present invention, the compound (1) contained in the hole transporting zone, or one of the first hole transporting layer and the second hole transporting layer is substantially a deuterium compound (1) only. And an organic EL device containing the compound (1).
  • the “compound (1) substantially consisting of the light hydrogen compound (1)” means that the content ratio of the light hydrogen compound (1) to the total amount of the compounds represented by the formula (1) is 90 mol% or more, preferably Means 95 mol% or more, more preferably 99 mol% or more (including 100% of each).
  • the light-emitting layer is a layer containing a material having a high light-emitting property (dopant material), and various materials can be used.
  • a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material can be used as a dopant material.
  • a fluorescent material is a compound that emits light from a singlet excited state
  • a phosphorescent material is a compound that emits light from a triplet excited state.
  • a pyrene derivative, a styrylamine derivative, a chrysene derivative, a fluoranthene derivative, a fluorene derivative, a diamine derivative, a triarylamine derivative, or the like can be used as a blue-based fluorescent light emitting material that can be used in the light emitting layer.
  • N,N′-bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N,N′-diphenylstilbene-4,4′-diamine (abbreviation: YGA2S), 4-(9H -Carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamine (abbreviation: YGAPA), 4-(10-phenyl-9-anthryl)-4'-(9-phenyl-9H -Carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBAPA) and the like.
  • An aromatic amine derivative or the like can be used as a green fluorescent material that can be used for the light emitting layer.
  • 2PCAPA N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine
  • 2PCABPhA N-[9,10-bis(1,1) '-Biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine
  • 2DPAPA N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,N ',N'-Triphenyl-1,4-phenylenediamine
  • 2DPAPA N-[9,10-bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,N' , N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine
  • 2DPABPhA N-[9,10-bis(1,1'-biphenyl
  • a tetracene derivative, a diamine derivative, or the like can be used as a red fluorescent light emitting material that can be used in the light emitting layer.
  • N,N,N′,N′-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine abbreviation: p-mPhTD
  • 7,14-diphenyl-N,N,N′ examples thereof include N'-tetrakis(4-methylphenyl)acenaphtho[1,2-a]fluoranthene-3,10-diamine (abbreviation: p-mPhAFD).
  • a metal complex such as an iridium complex, an osmium complex or a platinum complex is used as a blue phosphorescent light emitting material that can be used in the light emitting layer.
  • a metal complex such as an iridium complex, an osmium complex or a platinum complex
  • FIr6 bis[2-(4′,6′-difluorophenyl)pyridinato-N,C2′]iridium(III) tetrakis(1-pyrazolyl)borate
  • FIrpic bis[2-(4′ ,6′-Difluorophenyl)pyridinato-N,C2′]iridium(III) picolinate
  • FIrpic bis[2-(3′,5′bistrifluoromethylphenyl)pyridinato-N,C2′]iridium(III) ) Picolinate
  • Ir(CF3ppy)2(pic) bis[2-(4′,6′-d
  • An iridium complex or the like is used as a green phosphorescent material that can be used in the light emitting layer.
  • Tris(2-phenylpyridinato-N,C2′)iridium(III) (abbreviation: Ir(ppy)3), bis(2-phenylpyridinato-N,C2′)iridium(III)acetylacetonate( Abbreviation: Ir(ppy)2(acac)), bis(1,2-diphenyl-1H-benzimidazolato)iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: Ir(pbi)2(acac)), bis(benzo[ h]quinolinato)iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: Ir(bzq)2(acac)) and the like.
  • a metal complex such as an iridium complex, a platinum complex, a terbium complex or a europium complex is used as a red phosphorescent light emitting material that can be used in the light emitting layer.
  • a metal complex such as an iridium complex, a platinum complex, a terbium complex or a europium complex
  • Ir(btp)2(acac) bis[2-(2′-benzo[4,5- ⁇ ]thienyl)pyridinato-N,C3′]iridium(III)acetylacetonate
  • Ir(btp)2(acac) bis(1-phenylisoquinolinato-N,C2′)iridium(III)acetylacetonate
  • Ir(piq)2(acac) bis(1-phenylisoquinolinato-N,C2′)iridium(III)acetylacetonate
  • tris(acetylacetonato)(monophenanthroline)terbium(III) (abbreviation: Tb(acac)3(Phen)
  • tris(1,3-diphenyl-1,3-propanedionate)(monophenanthroline) europium (III) (abbreviation: Eu(DBM)3(Phen)
  • tris[1-(2-thenoyl)-3,3,3-trifluoroacetonato](monophenanthroline) europium(III) (abbreviation: Eu( A rare earth metal complex such as TTA)3(Phen)) emits light from a rare earth metal ion (electron transition between different multiplicities) and thus can be used as a phosphorescent material.
  • the light-emitting layer may have a structure in which the above-mentioned dopant material is dispersed in another material (host material).
  • the host material it is preferable to use a material having a lowest unoccupied molecular orbital level (LUMO level) and a highest occupied molecular orbital level (HOMO level) lower than those of the dopant material.
  • LUMO level lowest unoccupied molecular orbital level
  • HOMO level highest occupied molecular orbital level
  • a metal complex such as an aluminum complex, a beryllium complex, or a zinc complex
  • a heterocyclic compound such as an oxadiazole derivative, a benzimidazole derivative, or a phenanthroline derivative
  • a condensed aromatic compound such as a carbazole derivative, anthracene derivative, phenanthrene derivative, pyrene derivative, or chrysene derivative
  • An aromatic amine compound such as a triarylamine derivative or a condensed polycyclic aromatic amine derivative is used.
  • tris(8-quinolinolato)aluminum(III) (abbreviation: Alq)
  • tris(4-methyl-8-quinolinolato)aluminum(III) (abbreviation: Almq3)
  • bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (II) (abbreviation: BeBq2)
  • bis(2-methyl-8-quinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminum(III) abbreviation: BAlq
  • bis(8-quinolinolato)zinc(II) (abbreviation: Znq)
  • bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnPBO)
  • bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnBTZ), and other metal complexes.
  • anthracene compound in the case of a blue fluorescent element, it is preferable to use the following anthracene compound as a host material.
  • the electron transport zone is composed of an electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, etc.
  • any layer in the electron transporting zone, particularly the electron transporting layer is preferably an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an oxide of an alkali metal, a halide of an alkali metal, an oxide of an alkaline earth metal.
  • the electron transport layer is a layer containing a material having a high electron transport property (electron transport material).
  • the electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer, and when the electron injection layer is present, it is provided between the electron injection layer and the light emitting layer.
  • the electron transport layer for example, (1) Metal complexes such as aluminum complex, beryllium complex and zinc complex, (2) Heteroaromatic compounds such as imidazole derivative, benzimidazole derivative, azine derivative, carbazole derivative and phenanthroline derivative, (3) A polymer compound can be used.
  • metal complex examples include tris(8-quinolinolato)aluminum(III) (abbreviation: Alq), tris(4-methyl-8-quinolinolato)aluminum (abbreviation: Almq3), bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato.
  • Beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), bis(2-methyl-8-quinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminum(III) (abbreviation: BAlq), bis(8-quinolinolato)zinc(II) (abbreviation: Znq) ), bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnPBO), and bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnBTZ).
  • BeBq 2 Beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), bis(2-methyl-8-quinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminum(III) (abbreviation: BAlq), bis(8-quinolinolato)zinc(II) (abbreviation: Znq) ), bis[2-(2-benzoxazolyl
  • heteroaromatic compound examples include 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD) and 1,3-bis[5 -(Ptert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzene (abbreviation: OXD-7), 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4 -Biphenylyl)-1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1,2,4 -Triazole (abbreviation: p-EtTAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproine (abbreviation: BCP), 4,4'-bis(5-methylbenzo
  • polymer compound examples include poly[(9,9-dihexylfluorene-2,7-diyl)-co-(pyridine-3,5-diyl)] (abbreviation: PF-Py), poly[(9, 9-dioctylfluorene-2,7-diyl)-co-(2,2′-bipyridine-6,6′-diyl)] (abbreviation: PF-BPy).
  • the above material is a material having an electron mobility of 10 ⁇ 6 cm 2 /Vs or more. Note that a material other than the above may be used for the electron-transporting layer as long as the material has a higher electron-transporting property than a hole-transporting property.
  • the electron transport layer may be a single layer or a multilayer including two or more layers.
  • the electron transport layer may be a layer including a first electron transport layer (anode side) and a second electron transport layer (cathode side).
  • the two or more electron transport layers are each formed of the electron transport material.
  • the electron injection layer is a layer containing a material having a high electron injection property.
  • the electron injection layer includes lithium (Li), cesium (Cs), calcium (Ca), lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF2), lithium oxide (LiOx), and the like.
  • Alkali metals, alkaline earth metals, or compounds thereof can be used.
  • a material having an electron-transporting property containing an alkali metal, an alkaline earth metal, or a compound thereof, specifically, a material containing Alq containing magnesium (Mg) or the like may be used. In this case, electron injection from the cathode can be performed more efficiently.
  • a composite material obtained by mixing an organic compound and an electron donor (donor) may be used for the electron injection layer.
  • a composite material has an excellent electron injecting property and an electron transporting property because the organic compound receives an electron from the electron donor.
  • the organic compound is preferably a material excellent in transporting received electrons, and specifically, for example, the above-mentioned material constituting the electron transport layer (metal complex, heteroaromatic compound, etc.) is used. be able to.
  • the electron donor any material having an electron donating property with respect to the organic compound may be used.
  • alkali metals, alkaline earth metals and rare earth metals are preferable, and examples thereof include lithium, cesium, magnesium, calcium, erbium and ytterbium.
  • alkali metal oxides and alkaline earth metal oxides are preferable, and lithium oxide, calcium oxide, barium oxide and the like can be mentioned.
  • a Lewis base such as magnesium oxide.
  • an organic compound such as tetrathiafulvalene (abbreviation: TTF) can be used.
  • Cathode For the cathode, it is preferable to use a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like having a low work function (specifically, 3.8 eV or less).
  • a cathode material include elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table of the elements, that is, alkali metals such as lithium (Li) and cesium (Cs), and magnesium (Mg) and calcium (Ca). ), strontium (Sr) and other alkaline earth metals, and alloys containing these (eg MgAg, AlLi), europium (Eu), ytterbium (Yb) and other rare earth metals and alloys containing these.
  • a vacuum evaporation method or a sputtering method can be used.
  • a coating method, an inkjet method, or the like can be used.
  • a cathode is formed using various conductive materials such as Al, Ag, ITO, graphene, indium oxide-tin oxide containing silicon or silicon oxide, regardless of the work function. can do.
  • These conductive materials can be formed by a sputtering method, an inkjet method, a spin coating method, or the like.
  • Insulating layer The organic EL element is likely to cause pixel defects due to leakage or short circuit because an electric field is applied to the ultrathin film.
  • an insulating layer formed of an insulating thin film layer may be inserted between the pair of electrodes.
  • the material used for the insulating layer include aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, cesium fluoride, cesium oxide, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, aluminum nitride, titanium oxide, silicon oxide. , Germanium oxide, silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, vanadium oxide and the like. In addition, you may use these mixtures and laminated bodies.
  • the space layer for example, when laminating a fluorescent light emitting layer and a phosphorescent light emitting layer, do not diffuse excitons generated in the phosphorescent light emitting layer into the fluorescent light emitting layer, or for the purpose of adjusting the carrier balance, It is a layer provided between the fluorescent light emitting layer and the phosphorescent light emitting layer. Further, the space layer may be provided between the plurality of phosphorescent emitting layers.
  • carrier as used herein means a charge carrier in a substance. Since the space layer is provided between the light emitting layers, it is preferably a material having both electron transporting property and hole transporting property. Further, the triplet energy is preferably 2.6 eV or more in order to prevent the diffusion of triplet energy in the adjacent phosphorescent emitting layer. Examples of the material used for the space layer include the same materials as those used for the hole transport layer described above.
  • a blocking layer such as an electron blocking layer, a hole blocking layer or an exciton blocking layer may be provided adjacent to the light emitting layer.
  • the electron blocking layer is a layer that prevents electrons from leaking from the light emitting layer to the hole transporting layer.
  • the hole transport layer closest to the light emitting layer may function as the electron blocking layer.
  • the hole blocking layer is a layer that prevents holes from leaking from the light emitting layer to the electron transporting layer.
  • the electron transport layer closest to the light emitting layer may function as the hole blocking layer.
  • the exciton blocking layer has a function of preventing excitons generated in the light emitting layer from diffusing into a peripheral layer and confining the excitons in the light emitting layer.
  • Each layer of the organic EL element can be formed by a conventionally known vapor deposition method, coating method, or the like.
  • a vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method or a molecular beam vapor deposition method (MBE method), or a dipping method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, a roll coating method or the like using a solution of a compound forming a layer. It can be formed by a known method according to the above coating method.
  • the film thickness of each layer is not particularly limited, but generally, if the film thickness is too thin, defects such as pinholes are likely to occur, and conversely, if it is too thick, a high driving voltage is required and efficiency deteriorates, so it is usually 5 nm to 10 ⁇ m. 10 nm to 0.2 ⁇ m is more preferable.
  • the organic EL element can be used for display parts such as organic EL panel modules, display devices such as televisions, mobile phones and personal computers, and electronic devices such as lighting and light emitting devices for vehicle lighting.
  • Example 1 A 25 mm ⁇ 75 mm ⁇ 1.1 mm thick glass substrate with an ITO transparent electrode (manufactured by Geomatec Co., Ltd.) was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then UV ozone cleaning for 30 minutes. The thickness of the ITO transparent electrode was 130 nm.
  • the glass substrate with the ITO transparent electrode line after washing was mounted on the substrate holder of the vacuum vapor deposition apparatus, and the compound HT-1 was prepared by covering the transparent electrode on the surface on which the ITO transparent electrode line was formed. And the above compound HI-1 were co-evaporated to form a co-evaporated film having a film thickness of 10 nm to form a hole injection layer.
  • the concentration of HI-1 in the hole injection layer was 3% by mass.
  • the above compound HT-1 was vapor-deposited as a material for the first hole transport layer on the hole injection layer to form a first hole transport layer having a film thickness of 75 nm.
  • the compound 1 synthesized in Synthesis Example 1 below was deposited as a second hole transport layer material to form a second hole transport layer having a film thickness of 15 nm.
  • the compound BH-1 (host material) and the compound BD-1 (dopant material) were co-evaporated on the second hole transport layer to form a co-evaporated film having a thickness of 25 nm.
  • the concentration of compound BD-1 in this co-deposited film was 4% by mass.
  • This co-deposited film functions as a light emitting layer.
  • the compound ET-1 was vapor-deposited on the light emitting layer to form a film having a thickness of 5 nm to form a first electron transporting layer.
  • the compound ET-2 and the compound ET-3 were co-evaporated on the first electron transport layer to form a co-deposited film having a film thickness of 25 nm to form a second electron transport layer.
  • the concentration of the compound ET-3 in the second electron transport layer was 33% by mass.
  • LiF was vapor-deposited on the second electron transport layer to form a LiF film having a film thickness of 1 nm to form an electron injecting electrode (cathode).
  • Example 1 The device configuration of Example 1 is schematically shown as follows. ITO(130)/HT-1:HI-1(10:3%)/HT-1(75)/Compound 1(15)/BH-1:BD-1(25:4%)/ET-1( 5)/ET-2:ET-3(25:33%)/LiF(1)/Al(50)
  • the number in parentheses indicates the film thickness (unit: nm). Similarly, in parentheses, the number expressed as a percentage indicates the proportion (% by mass) of the compound described on the right side in that layer. The same applies to the corresponding descriptions in the following examples and comparative examples.
  • Examples 2 to 6 instead of the compound 1 used in the second hole transport layer of Example 1, compounds 2 to 6 synthesized in the following synthesis examples 2 to 6 were used as the hole transport material of the second hole transport layer. An organic EL element was manufactured in the same manner as in Example 1 to obtain the organic EL elements of Examples 2 to 6.
  • Comparative Examples 1 to 6 In the same manner as in Example 1 except that the above-mentioned Comparative Compounds 1 to 6 were used as the hole transporting materials of the second hole transporting layer instead of the compound 1 used in the second hole transporting layer of Example 1. Organic EL devices were produced by using the organic EL devices of Comparative Examples 1 to 6.
  • Example 7 A 25 mm ⁇ 75 mm ⁇ 1.1 mm thick glass substrate with an ITO transparent electrode (manufactured by Geomatec Co., Ltd.) was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then UV ozone cleaning for 30 minutes. The thickness of the ITO transparent electrode was 130 nm.
  • the glass substrate with the ITO transparent electrode line after washing was mounted on the substrate holder of the vacuum vapor deposition apparatus, and the transparent electrode was first covered on the surface on the side where the ITO transparent electrode line was formed to synthesize in Synthesis Example 1.
  • the hole injection layer was formed by co-evaporating the compound 1 and the compound HI-1 described above to form a co-evaporation film having a film thickness of 10 nm.
  • the concentration of HI-1 in the hole injection layer was 15% by mass.
  • the compound 1 synthesized in Synthesis Example 1 was vapor-deposited as a material for the first hole transport layer to form a first hole transport layer having a film thickness of 80 nm.
  • the compound HT-2 was vapor-deposited as a second hole transport layer material on the first hole transport layer to form a second hole transport layer having a film thickness of 10 nm.
  • the compound BH-1 (host material) and the compound BD-1 (dopant material) were co-evaporated on the second hole transport layer to form a co-evaporated film having a thickness of 25 nm.
  • the concentration of compound BD-1 in this co-deposited film was 4% by mass.
  • This co-deposited film functions as a light emitting layer.
  • the compound ET-4 and the compound ET-5 were co-deposited on the light emitting layer to form a co-deposited film having a film thickness of 20 nm, thereby forming an electron transport layer.
  • the concentration of compound ET-5 in the electron transport layer was 50% by mass.
  • LiF was vapor-deposited on the electron transport layer to form a LiF film having a film thickness of 1 nm to form an electron injecting electrode (cathode).
  • metal Al was vapor-deposited on this LiF film to form a metal Al film having a film thickness of 50 nm, and a metal Al cathode was formed to obtain an organic EL device of Example 7.
  • the device configuration of Example 7 is schematically shown as follows. ITO(130)/Compound 1:HI-1(10:15%)/Compound 1(80)/HT-2(10)/BH-1:BD-1(25:4%)/ET-4:ET -5(20:50%)/LiF(1)/Al(
  • Example 8 to 12 instead of the compound 1 used in the hole injection layer and the first hole transport layer of Example 7, the compounds 2 to 6 synthesized in the above Synthesis Examples 2 to 6 were used to form the hole injection layer and the first hole, respectively.
  • Organic EL devices were produced in the same manner as in Example 7 except that they were used as the hole transporting material for the transport layer, to obtain organic EL devices of Examples 8-12.
  • Comparative Examples 7 to 12 instead of the compound 1 used for the hole injection layer and the first hole transport layer of Example 7, the above-mentioned comparative compounds 1 to 6 were used, respectively, for the hole transport material of the hole injection layer and the first hole transport layer.
  • Organic EL devices were prepared in the same manner as in Example 7 except that the organic EL devices of Comparative Examples 7 to 12 were used.
  • ⁇ Evaluation 1 of organic EL device> With respect to the organic EL devices manufactured in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 12, a voltage was applied to the organic EL devices so that the current density was 10 mA/cm 2, and the external quantum efficiency was evaluated.
  • ⁇ Evaluation 2 of organic EL element> With respect to the organic EL elements of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 12, a voltage was applied to the organic EL elements so that the current density was 50 mA/cm 2, and the 95% life (LT95) was evaluated.
  • LT95 refers to the time (hr) until the luminance decreases to 95% of the initial luminance during constant current driving.
  • the results of Evaluation 1 and Evaluation 2 are shown in Tables 1 and 2.
  • Comparative Compounds 1 to 6 were used by using Compounds 1 to 6 having a specific structure and included in Formula (1) as the hole transport material of the organic EL device. It can be seen that it is possible to obtain an organic EL element that can achieve both longevity and high efficiency, which cannot be realized by the organic EL element.
  • the reason why the organic EL device using the compounds 1 to 6 has higher performances in both lifetime and external quantum efficiency than the organic EL devices using the comparative compounds 1 to 6 is not limited to this. It is presumed that this is because the compound defined in the present application is a compound that is very stable with respect to electrons and excitons while enhancing the barrier ability of confining excitons in the light emitting layer.
  • the organic EL devices of Comparative Examples 1 to 12 have lower external quantum efficiency and/or life than those of Examples 1 to 12. It is considered that this is because at least one of the barrier ability and the stability is impaired because the molecular structures of Comparative Compounds 1 to 6 deviate from the structure defined by Compound (1).
  • the mixture was returned to room temperature, water was added, extraction was performed with toluene, the obtained toluene layer was dried over anhydrous sodium sulfate, and concentrated under reduced pressure.
  • the obtained residue was purified by silica gel column chromatography to obtain 3.07 g of a white solid. The yield was 65%.
  • the reaction solution was cooled to room temperature, filtered through Celite, and the filtrate was concentrated under reduced pressure.
  • the obtained residue was purified by silica gel column chromatography and recrystallization to obtain 20.6 g of white solid.
  • the yield was 62%.
  • the reaction solution was cooled to room temperature, and the filtrate was concentrated under reduced pressure.
  • the obtained residue was purified by silica gel column chromatography and recrystallization to obtain 46 g of a white solid.
  • the yield was 73%.
  • the obtained residue was purified by silica gel column chromatography and recrystallization to obtain 4.28 g of a white solid.
  • the yield was 65%.

Abstract

高性能化された有機エレクトロルミネッセンス素子及びそのような有機エレクトロルミネッセンス素子を実現する新規材料であって、式（１）で表される化合物。 （式（１）において、Ｘ、Ａｒ１～Ａｒ５、Ｒ１～Ｒ２０、＊ａ及び＊ｂは、明細書において定義したとおりである。）

Description

化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器
　本発明は、化合物、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器に関する。
　一般に有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた有機層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。したがって、電子又は正孔を効率よく発光領域に輸送し、電子と正孔との再結合を促進する化合物の開発は高性能有機ＥＬ素子を得る上で重要である。また、近年、有機ＥＬ素子を使用した、スマートフォーン、有機ＥＬテレビ、有機ＥＬ照明等のさらなる普及にあたり、高効率と同時に十分な素子寿命を満たす化合物の要求がある。
　例えば、特許文献１～６には、有機ＥＬ素子で用いる芳香族アミン化合物が開示されている。
特開２０１６－０６６７２３号公報 特開２０１６－０８６１４２号公報 韓国公開１０－２０１７－００９４６６５号公報 国際公開第２０１０／０６１８２４号公報 国際公開第２０１７／０１２６８７号公報 国際公開第２０１７／１４８５６４号公報
　従来、有機ＥＬ素子製造用の材料として多くの化合物が報告されているが、有機ＥＬ素子の特性をさらに向上させる化合物が依然として求められている。有機ＥＬ素子で用いる芳香族アミン化合物についても、有機ＥＬ素子の特性をさらに向上させる化合物、特に、高性能の長寿命化と高効率化とをさらに高いレベルで両立し得る化合物が依然として求められている。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、高性能化された有機ＥＬ素子、より具体的には、長寿命化及び高効率化を実現する有機ＥＬ素子、及び、そのような有機ＥＬ素子を実現する新規化合物を提供することを課題とする。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記式（１）で表される化合物は、高性能化された有機ＥＬ素子を実現し得ること、より具体的には、長寿命化、及び、高効率化を実現する有機ＥＬ素子を実現し得ることを見出し、本発明を完成した。
　一態様において、本発明は、式（１）で表される化合物（以下、化合物（１）と称することもある）を提供する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
［式（１）において、
　Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示す。
　Ａｒ１～Ａｒ５は、それぞれ独立に、水素原子；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。Ａｒ１～Ａｒ５のそれぞれは、他の基と結合して環を形成しない。
　Ｒ１～Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲン原子；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基；及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選択される。Ｒ１～Ｒ２０のそれぞれは、他の基と結合して環を形成しない。
　＊ａ、＊ｂはベンゼン環上の結合位置を表す。Ｒ１３～Ｒ１６のうち一つは＊ａに結合する単結合を示す。Ｒ８～Ｒ１２のうち一つは＊ｂに結合する単結合を示す。］
　他の態様において、本発明は、化合物（１）を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供する。
　さらに他の態様において、本発明は、陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に配置された有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層が発光層を含み、該有機層の少なくとも１層が化合物（１）を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
　さらに他の態様において、本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器を提供する。
　化合物（１）は、高性能化された有機ＥＬ素子を実現する。より具体的には、長寿命化及び高効率化を実現し得る有機ＥＬ素子を実現する。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略図である。 本発明の実施態様に係る有機ＥＬ素子の層構成の他の例を示す概略図である。
　本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
　本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。
　本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換ＺＺ基」とは、ＺＺ基の水素原子が置換基で置換されていないことを意味する。
　本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
　本明細書において、「環形成炭素数」とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数に含めない。
　本明細書において、「環形成原子数」とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の環形成炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子は、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロビフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
　本明細書において、「アリール基」とは、芳香族炭化水素環に結合する水素原子を一つ除いて生じる残基を表し、炭素以外の原子を一個または複数個環内に有する環状芳香族基（ヘテロアリール基）を含まない。
　本明細書中、好ましいとする態様（例えば、化合物、各種基、数値範囲等）は、他のあらゆる態様（例えば、化合物、各種基、数値範囲等）と任意に組み合わせることができ、また、好ましいとする態様（より好ましい態様、さらに好ましい態様、特に好ましい態様を含む。）の組み合わせはより好ましいと言える。
　本発明の一態様に係る化合物（１）は式（１）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　本発明の一態様において、化合物（１）は、好ましくは下記式（１－１）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　本発明の一態様において、化合物（１）は、より好ましくは下記式（１－２ａ）又は下記式（１－２ｂ）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　次に、式（１）、式（１－１）、式（１－２ａ）、及び、式（１－２ｂ）（以下、式（１）～式（１－２ｂ）と記載する）の各記号を説明する。
　Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示す。
　Ａｒ１～Ａｒ５は、それぞれ独立に、水素原子；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。Ａｒ１～Ａｒ５のそれぞれは、互いに結合して環を形成しない。また、Ａｒ１～Ａｒ５のそれぞれは、下記のＲ１～Ｒ２０とも互いに結合して環を形成しない。
　Ｒ１～Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲン原子；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基；及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選択される。Ｒ１～Ｒ２０のそれぞれは、互いに結合して環を形成しない。
　＊ａ、＊ｂはベンゼン環上の結合位置を表す。Ｒ１３～Ｒ１６のうち一つは＊ａに結合する単結合を示す。Ｒ８～Ｒ１２のうち一つは＊ｂに結合する単結合を示す。
　本発明の一態様において、式（１－１）における、＊ａと結合しないＲ１３～Ｒ１６は、水素原子を示す。
　また、本発明の一態様において、式（１－２ａ）における、Ｒ１４～Ｒ２０は、水素原子を示す。
　さらに、本発明の一態様において、式（１－２ｂ）における、Ｒ１３、Ｒ１５～Ｒ２０は、水素原子を示す。
　本発明の一態様において、式（１）において、＊ｂと結合しないＲ８～Ｒ１２は、水素原子を示す。
　また、本発明の一態様において、式（１）～式（１－２ｂ）において、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１、Ｒ１２は、水素原子を示す。
　本発明の一態様において、式（１）～式（１－２ｂ）におけるＲ１～Ｒ７は、水素原子を示す。
　Ａｒ１～Ａｒ５が表す置換もしくは無置換の環形成原子数が６～３０のアリール基において、当該環形成炭素数６～３０のアリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、又は、ベンゾトリフェニレニル基である。
　好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、又は、ベンゾトリフェニレニル基であり、より好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、又は、フェナントリル基である。
　該ターフェニリル基は、１，１’：４’，１”－ターフェニル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル基、又は１，１’：２’，１”－ターフェニル基であり、１，１’：４’，１”－ターフェニル－２－イル基、１，１’：４’，１”－ターフェニル－３－イル基、１，１’：４’，１”－ターフェニル－４－イル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル－２－イル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル－３－イル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル－４－イル基、１，１’：２’，１”－ターフェニル－２－イル基、１，１’：２’，１”－ターフェニル－３－イル基、又は１，１’：２’，１”－ターフェニル－４－イル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル－５’－イル基が好ましく、１，１’：４’，１”－ターフェニル－２－イル基、１，１’：４’，１”－ターフェニル－３－イル基、１，１’：４’，１”－ターフェニル－４－イル基、又は１，１’：３’，１”－ターフェニル－５’－イル基がより好ましい。
　該ナフチル基は、１－ナフチル基及び２－ナフチル基を含む。
　該フェナントリル基は、１－、２－、３－、４－、又は９－フェナントリル基であり、好ましくは２－又は９－フェナントリル基である。
　該トリフェニレニル基は、好ましくは２－トリフェニレニル基である。
　前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
　Ａｒ１～Ａｒ５のうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示すことが好ましい。Ａｒ１～Ａｒ５のうち一つ又は二つが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示し、他の全てが水素原子を示すことがより好ましく、Ａｒ１～Ａｒ５のうち一つが置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示し、他の全てが水素原子を示すことがさらに好ましい。
　本発明の一態様において、化合物（１）のＡｒ１～Ａｒ５を含むベンゼン環部分が、下記式（２ａ）、式（２ｂ）、式（２ｃ）、式（２ｄ）、式（２ｅ）、式（２ｆ）、式（２ｇ）、式（２ｈ）、又は式（２ｉ）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
［式（２ａ）～（２ｉ）において、
　Ａｒ１～Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。
　＊ｃは、窒素原子に結合する単結合を示す。］
　本発明の好ましい一態様において、化合物（１）のＡｒ１～Ａｒ５を含むベンゼン環部分は、上記式（２ａ）～式（２ｇ）のいずれかの構造を有する。
　化合物（１）が上記式（２ａ）～式（２ｃ）のいずれかの構造を有している場合の一態様において、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は、好ましくは環形成炭素数が１０～３０のアリール基であり、より好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基から選択される。
　また、化合物（１）が上記式（２ａ）～式（２ｃ）のいずれかの構造を有している場合の好ましい一態様において、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は、置換基を有する環形成炭素数が６～３０のアリール基であり、より好ましくは、炭素数１～１８のアルキル基又は環形成炭素数が６～１８のアリール基を置換基として有する環形成炭素数が６～３０のアリール基である。
　化合物（１）が上記式（２ｄ）～式（２ｇ）の構造を有している場合の一態様において、Ａｒ１～Ａｒ４のうち二つが、環形成炭素数６～３０のアリール基であり、好ましくはＡｒ１～Ａｒ４のうち二つが同一である。
　式（１）～式（１－２ｂ）、式（２ｄ）～式（２ｉ）において、Ａｒ１～Ａｒ５のうち二つ以上が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基である場合、それらは互いに同一の又は異なる構造を有する。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得る炭素数１～３０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、又はドデシル基であり、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、又はペンチル基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、又はｔ－ブチル基であり、さらに好ましくは、メチル基又はｔ－ブチル基である。
　前記炭素数１～３０のアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得る環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はシクロヘプチル基であり、好ましくは、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基である。
　前記環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得る炭素数７～３６のアラルキル基において、当該炭素数７～３６のアラルキル基のアリール部位は、環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択され、アルキル部位は炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基から選択される。該炭素数７～３６のアラルキル基は、例えば、ベンジル基、フェネチル基、又は、フェニルプロピル基であり、ベンジル基が好ましい。
　前記炭素数７～３６のアラルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得る炭素数１～３０のアルコキシ基において、当該炭素数１～３０のアルコキシ基のアルキル部位は上記置換もしくは無置換の炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基から選択される。該炭素数１～３０のアルコキシ基は、例えば、ｔ－ブトキシ基、プロポキシ基、エトキシ基、又はメトキシ基であり、好ましくは、エトキシ基又はメトキシ基であり、より好ましくは、メトキシ基である。
　前記炭素数１～３０のアルコキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得る環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基において、当該環形成炭素数６～３０アリールオキシ基のアリール部位は環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択される。該環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基は、例えば、ターフェニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、又はフェノキシ基であり、好ましくは、ビフェニルオキシ基又はフェノキシ基であり、より好ましくは、フェノキシ基である。
　前記環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得るモノ、ジ又はトリ置換シリル基が有する置換基は、炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基、及び、上記環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択される。トリ置換シリル基が好ましく、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ－ブチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ－ブチルジフェニルシリル基、又はトリトリルシリル基がより好ましい。
　前記モノ、ジ又はトリ置換シリル基は、存在する場合には異性体基を含む。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得る炭素数１～３０のハロアルキル基は、炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基の少なくとも１個の水素原子、好ましくは１～７個の水素原子、又は全ての水素原子をハロゲン原子で置換して得られる基である。該ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子から選ばれ、好ましくはフッ素原子である。該ハロアルキル基は炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のフルオロアルキル基が好ましく、ヘプタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がより好ましく、ペンタフルオロエチル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がさらに好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。
　前記炭素数１～３０のハロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
　Ｒ１～Ｒ２０となり得る環形成炭素数６～３０のアリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、又は、ベンゾトリフェニレニル基である。
　フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基、又は、ナフチル基がより好ましい。
　Ａｒ１～Ａｒ５及びＲ１～Ｒ２０の定義において、「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は、
シアノ基、
ハロゲン原子、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～３のアルキル基、
環形成炭素数３～３０、好ましくは３～１０、より好ましくは３～８、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基、
炭素数７～３６、好ましくは７～２６、より好ましくは７～２０のアラルキル基、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～３のアルコキシ基、
環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリールオキシ基、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～３のアルキル基、及び、環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８、特に好ましくは１～３のハロアルキル基、
環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリール基、
環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリール基で置換された、ボリル基、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～３のアルキルチオ基、及び、
環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリールチオ基
からなる群から選ばれる少なくとも一つの置換基Ａである。上記置換基Ａがさらに置換基Ａなどの任意の置換基で置換されていてもよい。
　置換基Ａとなり得る、炭素数１～３０のアルキル基、環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基、炭素数７～３６のアラルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、炭素数１～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、及び、環形成炭素数６～３０のアリール基としては、Ｒ１～Ｒ２０について説明したものと同様の基が挙げられる。
　上記置換基Ａとなり得るボリル基が有する置換基は、環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択される。環形成炭素数６～３０のアリール基で置換されたボリル基は、例えば、ジフェニルボリル基である。
　上記置換基Ａとなり得る炭素数１～３０のアルキルチオ基は、当該炭素数１～３０のアルキルチオ基のアルキル基部位が、炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基から選択される。該アルキルチオ基は、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基である。
　上記置換基Ａとなり得る環形成炭素数６～３０のアリールチオ基は、当該環形成炭素数６～３０のアリールチオ基のアリール部位が、環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択される。該アリールチオ基は、例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基である。
　上述した各式に示される化合物においては、一つのジベンゾフラニル骨格とフェニル基とが立体障害を持つ形態でアミン骨格に直結されるともに、もう一つのジベンゾフラニル骨格又はジベンゾチエニル骨格がフェニレン基を介してアミン骨格に接続されることで、励起子を発光層に閉じ込める障壁能を高くしながら、電子や励起子に対して非常に安定な化合物となっているものと推測される。
　本発明の好ましい一態様においては、Ａｒ１～Ａｒ５、Ｒ１～Ｒ７、Ｒ８～Ｒ１２のうち＊ｂに結合する単結合ではないもの、Ｒ１３～Ｒ１６のうち＊ａに結合する単結合ではないもの、及び、Ｒ１７～Ｒ２０の全てが置換基を有していない。
　また、本発明の好ましい一態様においては、Ｒ１～Ｒ７、Ｒ８～Ｒ１２のうち＊ｂに結合する単結合ではないもの、Ｒ１３～Ｒ１６のうち＊ａに結合する単結合ではないもの、及び、Ｒ１７～Ｒ２０の全てが水素原子である。
　上記したように、本明細書において使用する「水素原子」は軽水素原子、重水素原子、及び三重水素原子を包含する。したがって、化合物（１）は天然由来の重水素原子を含んでいてもよい。
　また、原料化合物の一部又は全てに重水素化した化合物を使用することにより、化合物（１）に重水素原子を意図的に導入してもよい。したがって、本発明の一態様において、化合物（１）は少なくとも１個の重水素原子を含む。すなわち、化合物（１）は、式（１）又はその好ましい態様の式で表される化合物であって、該化合物に含まれる水素原子の少なくとも一つが重水素原子である化合物であってもよい。
　さらに、本発明の一態様において、式（１）において、（ｉ）Ｒ１～Ｒ７、＊ｂに結合する単結合ではないＲ８～Ｒ１２、＊ａに結合する単結合ではないＲ１３～Ｒ１６、及び、Ｒ１７～Ｒ２０が表す水素原子、（ｉｉ）Ｒ１～Ｒ７、＊ｂに結合する単結合ではないＲ８～Ｒ１２、＊ａに結合する単結合ではないＲ１３～Ｒ１６、及び、Ｒ１７～Ｒ２０が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する水素原子、（ｉｉｉ）Ａｒ１～Ａｒ５が表す水素原子、（ｉｖ）Ａｒ１～Ａｒ５が表すアリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。
　本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、その場合の重水素化率（化合物（１）中の全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は使用する原料化合物の重水素化率に依存する。使用する全ての原料化合物の重水素化率を１００％にすることは通常困難であるので、化合物（１）の重水素化率は１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下、さらに好ましくは８０％以下である。
　化合物（１）が重水素を包含する場合の重水素化率（化合物（１）中の全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上である。
　化合物（１）は、重水素化された化合物と重水素化されていない化合物を含む混合物、異なる重水素化率を有する２以上の化合物の混合物であってもよい。このような混合物の重水素化率（混合物に含まれる化合物（１）中の全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。
　本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、Ｒ１～Ｒ７が表す水素原子が有する水素原子、及び、Ｒ１～Ｒ７が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。重水素化率（Ｒ１～Ｒ７が表す全水素原子、及び、Ｒ１～Ｒ７が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する全水素原子の数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。
　本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、＊ｂに結合する単結合ではないＲ８～Ｒ１２が表す水素原子、及び、及び、＊ｂに結合する単結合ではないＲ８～Ｒ１２が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。重水素化率（＊ｂに結合する単結合ではないＲ８～Ｒ１２が表す全水素原子及び＊ｂに結合する単結合ではないＲ８～Ｒ１２が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する全水素原子の数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。
　本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、＊ａに結合する単結合ではないＲ１３～Ｒ１６、及び、Ｒ１７～Ｒ２０が表す水素原子、及び、＊ａに結合する単結合ではないＲ１３～Ｒ１６及びＲ１７～Ｒ２０が表す、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。重水素化率（＊ａに結合する単結合ではないＲ１３～Ｒ１６、及び、Ｒ１７～Ｒ２０が表す全水素原子、及び、＊ａに結合する単結合ではないＲ１３～Ｒ１６及びＲ１７～Ｒ２０が表す、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する全水素原子の数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。
　本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、Ａｒ１～Ａｒ５が表す水素原子、及び、Ａｒ１～Ａｒ５が表すアリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。重水素化率（Ａｒ１～Ａｒ５が表す全水素原子、及び、Ａｒ１～Ａｒ５が表すアリール基が有する全水素原子の数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。
　本発明の特に好ましい態様においては、化合物（１）は、下記の化合物群から選択される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　本発明に係る化合物の具体例を以下に挙げるが、特にこれらに制限されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　化合物（１）の製造方法は特に制限されず、当業者であれば以下の実施例に記載する方法により、あるいは、該方法を公知の合成方法を参考にして変更した方法により容易に製造することができる。
有機ＥＬ素子用材料
　本発明の有機ＥＬ素子用材料は、化合物（１）を含む。本発明の有機ＥＬ素子用材料における化合物（１）の含有量は、特に制限されず、例えば、化合物（１）が含まれる層の全質量に対して、１質量％以上（１００％を含む）であり、１０質量％以上（１００％を含む）であることが好ましく、５０質量％以上（１００％を含む）であることがより好ましく、８０質量％以上（１００％を含む）であることがさらに好ましく、９０質量％以上（１００％を含む）であることが特に好ましい。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子の製造に有用である。
有機ＥＬ素子
　次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
　有機ＥＬ素子は、陰極、陽極、及び、陰極と陽極の間に有機層を含む。該有機層は発光層を含み、該有機層の少なくとも一層が化合物（１）を含む。
　化合物（１）が含まれる有機層の例としては、陽極と発光層との間に設けられる正孔輸送帯域（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、励起子阻止層等）、発光層、スペース層、陰極と発光層との間に設けられる電子輸送帯域（電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層等）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。化合物（１）は、好ましくは蛍光又は燐光ＥＬ素子の正孔輸送帯域又は発光層の材料、より好ましくは正孔輸送帯域の材料、さらに好ましくは正孔輸送層又は電子阻止層の材料、特に好ましくは正孔輸送層の材料として用いられる。
　本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよく、中でも、蛍光発光型の素子であることが好ましい。ここで、「発光ユニット」とは、有機層を含み、そのうちの少なくとも一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位をいう。
　例えば、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
　また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。シンプル型発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
（ａ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｂ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｃ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｄ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｅ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｆ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｇ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／スペース層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｈ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｉ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｊ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｋ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｌ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｍ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｎ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｏ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層／第１電子輸送層／第２電子輸送層（／電子注入層）
（ｐ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層／第１電子輸送層／第２電子輸送層（／電子注入層）
（ｑ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｒ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｓ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／励起子阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｔ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／励起子阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
　上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光ユニット（ｆ）において、（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層（赤色発光）／第２燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
　なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
　タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／陰極
　ここで、上記第１発光ユニット及び第２発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットから選択することができる。
　上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第１発光ユニットに電子を、第２発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
　図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略図である。本例の有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔輸送帯域６（正孔注入層、正孔輸送層等）、発光層５と陰極４との間に電子輸送帯域７（電子注入層、電子輸送層等）を有する。また、発光層５の陽極３側に電子阻止層（図示せず）を、発光層５の陰極４側に正孔阻止層（図示せず）を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成効率をさらに高めることができる。
　図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の層構成の他の例を示す概略図である。本例の有機ＥＬ素子１１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット２０とを有する。発光ユニット２０は、発光層５を有する。陽極３と発光層５の間に配置された正孔輸送帯域は、第１正孔輸送層６ａ及び第２正孔輸送層６ｂから形成されている。また、発光層５と陰極４の間に配置された電子輸送帯域は、第１電子輸送層７ａ及び第２電子輸送層７ｂから形成されている。有機ＥＬ素子１１において、単層の電子輸送層と複数層からなる正孔輸送層の組み合わせとしてもよいし、単層の正孔輸送層と複数層からなる電子輸送層の組み合わせとしてもよい。また、有機ＥＬ素子１１に、正孔阻止層や電子阻止層を設けてもよい。
　なお、本願明細書において、蛍光ドーパント（蛍光発光材料）と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
　以下、有機ＥＬ素子を構成する各層及び各部材について説明する。
基板
　基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどの板を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
陽極
　基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、又は前記金属の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
　これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１～１０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５～５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１～１ｗｔ％含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
　陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔注入が容易である材料を用いて形成されるため、電極材料として一般的に使用される材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素）を用いることができる。
　仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
正孔注入層
　正孔注入層は、正孔注入性の高い材料（正孔注入性材料）を含む層である。正孔注入性材料を単独で又は複数組み合わせて正孔注入層に用いることができる。
　正孔注入性材料としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
　低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も正孔注入層材料として挙げられる。
　高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
　さらに、下記式（Ｋ）で表されるヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）化合物などのアクセプター材料を他の化合物と組み合わせて用いることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
（上記式（Ｋ）において、Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立にシアノ基、－ＣＯＮＨ２、カルボキシ基、又は－ＣＯＯＲ２７（Ｒ２７は炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数３～２０のシクロアルキル基を表す）を表す。また、Ｒ２１及びＲ２２、Ｒ２３及びＲ２４、及びＲ２５及びＲ２６から選ばれる隣接する二つが互いに結合して－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－で示される基を形成してもよい。）
　Ｒ２７としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
　正孔輸送層に上記化合物（１）が含まれていてもよく、例えば、上記アクセプター材料と組み合わせて用いることができる。
正孔輸送層
　正孔輸送層は、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）を含む層である。正孔輸送層は、陽極と発光層との間に設けられ、正孔注入層が存在する場合は正孔注入層と発光層との間に設けられる。正孔輸送層には、正孔輸送材料を単独又は複数組み合わせて用いることができる。正孔輸送性材料としては、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。
　芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、及び、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）が挙げられる。これらの芳香族アミン化合物は、１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する。
　カルバゾール誘導体としては、例えば、４，４’－ジ（９－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９－［４－（９－カルバゾリル）フェニル］－１０－フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、及び、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）が挙げられる。
　アントラセン誘導体としては、例えば、２－ｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、及び、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）が挙げられる。
　ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
　但し、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、上記以外の化合物を用いてもよい。
　正孔輸送層は、単層構造でもよく、２以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）を含む２層構造であってもよい。
　２層構造の正孔輸送層において、化合物（１）を第１正孔輸送層と第２正孔輸送層の一方に含んでいてもよいし、双方に含んでいてもよい。
　本発明の一態様においては、化合物（１）が第２正孔輸送層に含まれるのが好ましく、他の態様においては、化合物（１）が第１正孔輸送層に含まれ、さらに他の態様においては、化合物（１）が第１正孔輸送層と第２正孔輸送層に含まれる。
　本発明の一態様において、前記正孔輸送帯域に含まれる化合物（１）や、前記第１正孔輸送層と前記第２正孔輸送層の一方に含まれる化合物（１）は、製造コストの観点から、軽水素体（１）であることが好ましい。
　前記軽水素体（１）とは、式（１）中の全ての水素原子が軽水素原子である化合物（１）のことである。
　したがって、本発明は、前記正孔輸送帯域に含まれる化合物（１）、又は、前記第１正孔輸送層と前記第２正孔輸送層の一方が、実質的に軽水素体（１）のみからなる化合物（１）を含む有機ＥＬ素子を含む。「実質的に軽水素体（１）のみからなる化合物（１）」とは、式（１）で表される化合物の総量に対する軽水素体（１）の含有割合が、９０モル％以上、好ましくは９５モル％以上、より好ましくは９９モル％以上（それぞれ１００％を含む）であることを意味する。
発光層のドーパント材料
　発光層は、発光性の高い材料（ドーパント材料）を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光発光材料や燐光発光材料をドーパント材料として用いることができる。蛍光発光材料は一重項励起状態から発光する化合物であり、燐光発光材料は三重項励起状態から発光する化合物である。
　発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。
　発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）］－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。
　発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
　発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２－（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。
　発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２－ジフェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
　発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２－（２’－ベンゾ［４，５－α］チエニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
　また、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光発光材料として用いることができる。
発光層のホスト材料
　発光層は、上述したドーパント材料を他の材料（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、ドーパント材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い材料を用いることが好ましい。
　ホスト材料としては、例えば
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、又は亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、又はフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
（３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、又はクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
（４）トリアリールアミン誘導体又は縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
　例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体；
　２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物；
　９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物；及び
　Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ホスト材料は複数種用いてもよい。
　特に、青色蛍光素子の場合には、下記のアントラセン化合物をホスト材料として用いることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
　電子輸送帯域は、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層等から構成される。また、電子輸送帯域のいずれかの層、特に電子輸送層は、好ましくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属を含有する有機錯体、アルカリ土類金属を含有する有機錯体、及び希土類金属を含有する有機錯体からなる群から選択される１以上を含有する。
電子輸送層
　電子輸送層は電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を含む層である。電子輸送層は、陰極と発光層との間に設けられ、電子注入層が存在する場合は電子注入層と発光層との間に設けられる。電子輸送層には、例えば、
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、
（３）高分子化合物を使用することができる。
　金属錯体としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）が挙げられる。
　複素芳香族化合物としては、例えば、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）が挙げられる。
　高分子化合物としては、例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）が挙げられる。
　上記材料は、１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い材料であれば、上記以外の材料を電子輸送層に用いてもよい。
　電子輸送層は、単層でもよく、２以上の層を含む多層でもよい。例えば、電子輸送層は第１電子輸送層（陽極側）と第２電子輸送層（陰極側）を含む層であってもよい。２以上の電子輸送層は、それぞれ前記電子輸送性材料により形成される。
電子注入層
　電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率よく行うことができる。
　あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す材料であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
陰極
　陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
　なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
　なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
絶縁層
　有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。
　絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。なお、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
スペース層
　上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。なお、ここでいう「キャリア」とは、物質中の電荷担体の意味である。
　スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
阻止層
　電子阻止層、正孔阻止層、励起子阻止層などの阻止層を発光層に隣接して設けてもよい。電子阻止層とは発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層である。正孔輸送層が多層構造である場合は、発光層に最も近い正孔輸送層が電子阻止層として機能してもよい。正孔阻止層とは発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。電子輸送層が多層構造である場合は、発光層に最も近い電子輸送層が正孔阻止層として機能してもよい。励起子阻止層は発光層で生成した励起子が周辺の層へ拡散することを防止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
　前記有機ＥＬ素子の各層は従来公知の蒸着法、塗布法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）などの蒸着法、あるいは、層を形成する化合物の溶液を用いた、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
　各層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常５ｎｍ～１０μｍであり、１０ｎｍ～０．２μｍがより好ましい。
　前記有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。
　以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
　後述する実施例１～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた、式（１）及び式（１－１）で表される化合物を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
　実施例１～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた、式（１－２ａ）で表される化合物を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
　実施例１～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた、式（１－２ｂ）で表される化合物を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
　比較例１～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
　実施例１～６及び比較例１～６の有機ＥＬ素子の製造に用いた、他の化合物を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
　実施例７～１２及び比較例７～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた、他の化合物を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
＜有機ＥＬ素子の作製＞
　有機ＥＬ素子を以下のように作製した。
（実施例１）
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
　洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に、上記透明電極を覆うようにして上記化合物ＨＴ－１及び上記化合物ＨＩ－１を共蒸着して、膜厚１０ｎｍの共蒸着膜を成膜することにより、正孔注入層を形成した。正孔注入層におけるＨＩ－１の濃度は３質量％であった。
　次に、この正孔注入層上に、第１正孔輸送層材料として上記化合物ＨＴ－１を蒸着して膜厚７５ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。
　次に、この第１正孔輸送層上に、第２正孔輸送層材料として、下記合成例１で合成した化合物１を蒸着して膜厚１５ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
　次に、この第２正孔輸送層上に、上記化合物ＢＨ－１（ホスト材料）と上記化合物ＢＤ－１（ドーパント材料）とを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの共蒸着膜を形成した。この共蒸着膜における化合物ＢＤ－１の濃度は４質量％であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
　次に、この発光層の上に、上記化合物ＥＴ－１を蒸着して膜厚５ｎｍの膜を成膜し、第１電子輸送層を形成した。
　次に、この第１電子輸送層の上に、上記化合物ＥＴ－２及び上記化合物ＥＴ－３を共蒸着して膜厚２５ｎｍの共蒸着膜を成膜し、第２電子輸送層を形成した。第２電子輸送層における化合物ＥＴ－３の濃度は３３質量％であった。
　次に、この第２電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
　そして、このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚５０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
　実施例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT-1:HI-1(10:3%)/HT-1(75)/化合物1(15)/BH-1:BD-1(25:4%)/ET-1(5)/ET-2:ET-3(25:33%)/LiF(1)/Al(50)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。また、同じく括弧内において、パーセント表示された数字は、その層における、右側に記載した化合物の割合（質量％）を示す。以下の実施例及び比較例の対応する記載についても同様である。
（実施例２～６）
　実施例１の第２正孔輸送層に用いた化合物１に代えて、下記合成例２～６で合成した化合物２～６を、それぞれ第２正孔輸送層の正孔輸送材料として用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、実施例２～６の有機ＥＬ素子とした。
（比較例１～６）
　実施例１の第２正孔輸送層に用いた化合物１に代えて、上記比較化合物１～６を、それぞれ第２正孔輸送層の正孔輸送材料として用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、比較例１～６の有機ＥＬ素子とした。
（実施例７）
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
　洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に、上記透明電極を覆うようにして合成例１で合成した化合物１及び上記化合物ＨＩ－１を共蒸着して、膜厚１０ｎｍの共蒸着膜を成膜することにより、正孔注入層を形成した。正孔注入層におけるＨＩ－１の濃度は１５質量％であった。
　次に、この正孔注入層上に、第１正孔輸送層材料として合成例１で合成した化合物１を蒸着して膜厚８０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。
　次に、この第１正孔輸送層上に、第２正孔輸送層材料として、上記化合物ＨＴ－２を蒸着して膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
　次に、この第２正孔輸送層上に、上記化合物ＢＨ－１（ホスト材料）と上記化合物ＢＤ－１（ドーパント材料）とを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの共蒸着膜を形成した。この共蒸着膜における化合物ＢＤ－１の濃度は４質量％であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
　次に、この発光層の上に、上記化合物ＥＴ－４及び上記化合物ＥＴ－５を共蒸着して膜厚２０ｎｍの共蒸着膜を成膜し、電子輸送層を形成した。電子輸送層における化合物ＥＴ－５の濃度は５０質量％であった。
　次に、この電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
　そして、このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚５０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成し、実施例７の有機ＥＬ素子を得た。
　実施例７の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/化合物1:HI-1(10:15%)/化合物1(80)/HT-2(10)/BH-1:BD-1(25:4%)/ET-4:ET-5(20:50%)/LiF(1)/Al(50)
（実施例８～１２）
　実施例７の正孔注入層及び第１正孔輸送層に用いた化合物１に代えて、上記合成例２～６で合成した化合物２～６を、それぞれ、正孔注入層及び第１正孔輸送層の正孔輸送材料として用いた以外は実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、実施例８～１２の有機ＥＬ素子とした。
（比較例７～１２）
　実施例７の正孔注入層及び第１正孔輸送層に用いた化合物１に代えて、上記比較化合物１～６を、それぞれ、正孔注入層及び第１正孔輸送層の正孔輸送材料として用いた以外は実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、比較例７～１２の有機ＥＬ素子とした。
＜有機ＥＬ素子の評価１＞
　実施例１～１２及び比較例１～１２で作製した有機ＥＬ素子について、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、外部量子効率の評価を行った。
＜有機ＥＬ素子の評価２＞
　実施例１～１２及び比較例１～１２の有機ＥＬ素子について、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、９５％寿命（ＬＴ９５）の評価を行った。ここでＬＴ９５とは、定電流駆動時において、輝度が初期輝度の９５％に低下するまでの時間（ｈｒ）をいう。
　上記評価１及び評価２の結果を表１、表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000061
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000062
　表１及び表２から明らかなように、特定の構造を有する式（１）に包含される化合物１～６を有機ＥＬ素子の正孔輸送材料として用いることにより、比較化合物１～６を用いた有機ＥＬ素子では実現されない、長寿命化及び高効率化を両立し得る有機ＥＬ素子が得られることが分かる。
　化合物１～６を用いた有機ＥＬ素子が、比較化合物１～６を用いた有機ＥＬ素子に比べて、寿命及び外部量子効率の両方の性能が高い理由は、これに限られるものではないが、本願に規定される化合物が、励起子を発光層に閉じ込める障壁能を高くしながら、電子や励起子に対して非常に安定な化合物となっていることによるものと推測される。
　一方、比較例１～１２の有機ＥＬ素子は、外部量子効率及び寿命のいずれか一方、又は、両方の性能が実施例１～１２よりも低くなっている。これは、比較化合物１～６の分子構造が、化合物（１）で規定される構造から外れていることが原因で、障壁能及び安定性のうち少なくとも一方が損なわれることによるものと考えられる。
＜中間体の合成例＞
（１）中間体合成例Ａ　中間体Ａの合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
（１－１）中間体Ａ－１の合成
　アルゴン雰囲気下、４－ブロモジベンゾフラン１２００ｇ（４．８６ｍｏｌ）、アセトアミド５７３ｇ（９．７１ｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）１８４．９８ｇ（９７１ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルエチレンジアミン８５．６２ｇ（９７１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１３４２ｇ（９７．１ｍｏｌ）及びキシレン６Ｌの混合物を１３５℃にて５時間反応させた。反応液を室温まで冷却後、水４Ｌ加え１時間撹拌して結晶を析出させ、析出結晶を濾取し、水、ｎ－ヘプタンで洗浄して、中間体Ａ－１　９５０ｇを得た。収率は７５％であった。
（１－２）中間体Ａ－２の合成
　アルゴン雰囲気下、（１－１）で合成した中間体Ａ－１　９５０ｇ（４．２２ｍｏｌ）の酢酸７．１Ｌ溶液に、臭素８０９ｇ（５．０６ｍｏｌ）を添加し室温で６時間撹拌した。得られた溶液に水７Ｌを滴下し、チオ硫酸ナトリウム６３ｇを添加後、室温で終夜撹拌し、結晶を析出させた。析出結晶を濾取し、水、メタノール、トルエン、ｎ－ヘプタンで順次洗浄し、中間体Ａ－２　１０４４ｇを得た。収率は７８％であった。
（１－３）中間体Ａ－３の合成
　（１－２）で合成した中間体Ａ－２　１０４４ｇ（３．４３ｍｍｏｌ）の、キシレン５Ｌ及びエチレングリコール７００ｍＬの混合液の溶液に、水酸化カリウム１９２５ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）を添加し、１３０℃で２４時間撹拌した。得られた溶液にエチレングリコール５００ｍＬを添加し１３０℃でさらに３日間撹拌し反応させた。反応液を冷却し、水３Ｌを加え分液し有機層を濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体Ａ－３　７２１ｇを得た。収率は８０％であった。
（１－４）中間体Ａの合成
　アルゴン雰囲気下、（１－３）で合成した中間体Ａ－３　７２１ｇ（２．７５ｍｏｌ）のアセトニトリル３．６Ｌおよび水３．６Ｌの溶液に、－５～１５℃で濃硫酸２６９８ｇ（２７．５ｍｍｏｌ）を滴下し、－５℃で３０分間撹拌した。次に、得られた溶液に、－３℃以下に温度を維持しながら亜硝酸イソアミル４８３ｇ（４．１３ｍｏｌ）を滴下し、－５℃で１時撹拌した。次いで－２℃以下を維持しながら次亜リン酸９０８ｇ（１３．８ｍｏｌ）を溶液に滴下した。次いで溶液にメタノールを３Ｌ加え、室温で終夜撹拌して反応させた。反応液にトルエンを加えて分液し、トルエン層を飽和食塩水で洗浄した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ　４１８ｇを得た。収率は６１．４％であった。
（２）中間体合成例Ｂ　中間体Ｂの合成
（２－１）中間体Ｂ－１の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
　アルゴン雰囲気下、国際公開第２０１９／１４６７８１号公報に記載の方法に準じて合成した４－（１－ナフタレニル）フェニルボロン酸　３．７２ｇ（１５ｍｍｏｌ）、４－ブロモクロロベンゼン２．８７ｇ（１５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）３４７ｍｍｏｌ（０．３０ｍｍｏｌ），２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２２．５ｍＬおよびトルエン４５ｍＬの混合物を１００℃にて７時間攪拌した。室温に戻し、水を加え、トルエンで抽出を行い、得られたトルエン層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、白色固体　３．０７ｇを得た。収率６５％であった。
（２－２）中間体Ｂの合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
　アルゴン雰囲気下、国際公開第２０１６／００６７１１号公報に記載の方法に準じて合成した４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）ベンゼンアミン　６７ｇ（２５８　ｍｍｏｌ）、（２－１）で合成した中間体Ｂ－１　５４ｇ（１７２　ｍｍｏｌ）のキシレン　１．２Ｌ溶液を１００℃に加熱し、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)　３．１４ｇ（３．４３　ｍｍｏｌ）、ＸＰｈｏｓ　３．２７ｇ（６．８６　ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　１９．７８ｇ（２０６　ｍｍｏｌ）を加え１３０℃にて３時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、メタノールを加え濾過した。得られた残渣をトルエンに溶解させ、シリカゲルを加え３０分撹拌したのち濾過した。得られた濾液にメタノールを加え、濾過することで、白色固体７０ｇを得た。収率は７６％であった。
（３）中間体合成例Ｃ　中間体Ｃの合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
　窒素雰囲気下、１－アミノジベンゾフラン　３．６６ｇ（２０　ｍｍｏｌ）、４－ブロモ－１，１’－ビフェニル　４．６６ｇ（２０　ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)　０．３６６ｇ（０．４０　ｍｍｏｌ）、ＢＩＮＡＰ　０．４９８ｇ（０．８０　ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　２．３０７ｇ（２４　ｍｍｏｌ）のトルエン　１００ｍＬ溶液を１１０℃にて、７時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体４．８８ｇを得た。収率は７３％であった。
（４）中間体合成例Ｄ　中間体Ｄの合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
　窒素雰囲気下、１－アミノジベンゾフラン　３．６６ｇ（２０　ｍｍｏｌ）、４－ブロモ－１，１’－ビフェニルの代わりに４－ブロモ－１，１':４'，１''-ターフェニル　６．１８ｇ（２０　ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)　０．３６６ｇ（０．４０　ｍｍｏｌ）、ＢＩＮＡＰ　０．４９８ｇ（０．８０　ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　２．３０７ｇ（２４　ｍｍｏｌ）のトルエン　１００ｍＬ溶液を１１０℃にて、７時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体６．２５ｇを得た。収率は７６％であった。
（５）中間体合成例Ｅ　中間体Ｅの合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
　アルゴン雰囲気下、国際公開第２０１６／００６７１１号公報に記載の方法に準じて合成した４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）ベンゼンアミン　３．８９ｇ（１５　ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１２／０９１４７１号公報に記載の方法に準じて合成した４”－ブロモ－１，１’：４’，１”－ターフェニル－２，３，４，５，６－ｄ５　４．７１ｇ（１５　ｍｍｏｌ）のキシレン　７５　ｍＬ溶液を１００℃に加熱し、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)　０．２７４ｇ（０．３０　ｍｍｏｌ）、ＸＰｈｏｓ　０．５７２ｇ（１．２　ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　２．１６ｇ（２２．５　ｍｍｏｌ）を加え１３０℃にて３時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、メタノールを加え濾過した。得られた残渣をトルエンに溶解させ、シリカゲルを加え３０分撹拌したのち濾過した。得られた濾液にメタノールを加え、濾過することで、白色固体５．２５ｇを得た。収率は７１％であった。
＜合成実施例１（化合物１の合成)＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
　アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ａで合成した中間体Ａ　１４．９ｇ（６０．３　ｍｍｏｌ）、国際公開第２００７／１２５７１４号公報に記載の方法に準じて合成したＮ－（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－［１，１’－ビフェニル］－４－アミン　２３．６ｇ（５７．４　ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II）　０．２５８ｇ（１．１４９　ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスフィン　０．４６５ｇ（２．２９８　ｍｍｏｌ）のキシレン　４３６ｍＬ溶液を１２０℃に加熱し、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　６．６２ｇ（６８．９　ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、セライト濾過し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体２０．６ｇを得た。
　得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物１であると同定され、分子量５７７．２０に対しｍ／ｅ＝５７７であった。収率は６２％であった。
＜合成実施例２（化合物２の合成）＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
　アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ａで合成した中間体Ａ　１４．９ｇ（６０．３　ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１０／０６１８２４号公報に記載の方法に準じて合成したＮ－（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－［１，１’：４’，１’’－ターフェニル］－４－アミン　２８．０ｇ（５７．４　ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II）　０．２５８ｇ（１．１４９　ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスフィン　０．４６５ｇ（２．２９８　ｍｍｏｌ）のキシレン　４３６ｍＬ溶液を１２０℃に加熱し、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　６．６２ｇ（６８．９　ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌した。反応液を室温に冷却し、セライト濾過し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体２５．６ｇを得た。
　得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物２であると同定され、分子量６５３．２４に対しｍ／ｅ＝６５３であった。収率は６８％であった。
＜合成実施例３（化合物３の合成）＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
　アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ａで合成した中間体Ａ　４７．８７ｇ（８９　ｍｍｏｌ）、中間体合成例Ｂで合成した中間体Ｂ　２２ｇ（８９　ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II）　０．４ｇ（１．７８１　ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスフィン　０．７２ｇ（３．５６　ｍｍｏｌ）のキシレン　７００ｍＬ溶液を９０℃に加熱し、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　１０．２７ｇ（１０７　ｍｍｏｌ）を加え１１０℃にて２２時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体４６ｇを得た。
　得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物３であり、分子量７０３．８４に対しｍ／ｅ＝７０４であった。収率は７３％であった。
＜合成実施例４（化合物４の合成）＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
　アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ｃで合成した中間体Ｃ　４．２ｇ（１２．５２　ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１８／１６４２３９号公報に記載の方法に準じて合成した３－（４－クロロフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン　３．８４ｇ（１３．７７　ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)　０．２２９ｇ（０．２５０　ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート　０．２９１ｇ（１．００　ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　３．６１ｇ（３７．６　ｍｍｏｌ）のキシレン　６２．６ｍＬ溶液を１２５℃にて７時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体３．９９ｇを得た。
　得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物４であり、分子量５７７．６８に対しｍ／ｅ＝５７８であった。収率は５３％であった。
＜合成実施例５（化合物５の合成）＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
　アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ｄで合成した中間体Ｄ　４．１２ｇ（１０．０　ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１６／１９９７８４号公報に記載の方法に準じて合成した４－（４－ブロモフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン　３．４６ｇ（１０．２　ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)　０．１８３ｇ（０．２０　ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート　０．２３２ｇ（０．８０　ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　１．４４ｇ（１５　ｍｍｏｌ）のトルエン　５０ｍＬ溶液を１００℃にて７時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体１．６６ｇを得た。
　得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物５であり、分子量６６９．８４に対しｍ／ｅ＝６７０であった。収率は２５％であった。
＜合成実施例６（化合物６の合成）＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
　アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ａで合成した中間体Ａ　２．４７ｇ（１０　ｍｍｏｌ）、中間体合成例Ｅで合成した中間体Ｅ　４．９３ｇ（１０　ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II）　０．０４５ｇ（０．２　ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスフィン　０．１６２ｇ（０．８　ｍｍｏｌ）のキシレン　７００ｍＬ溶液を９０℃に加熱し、ナトリウム－ｔ－ブトキシド　１．４４ｇ（１５　ｍｍｏｌ）を加え１１０℃にて４時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体４．２８ｇを得た。
　得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物６であり、分子量６５８．８１に対しｍ／ｅ＝６５９であった。収率は６５％であった。
　１、１１　有機ＥＬ素子
　２　基板
　３　陽極
　４　陰極
　５　発光層
　６　正孔輸送帯域（正孔輸送層）
　６ａ　第１正孔輸送層
　６ｂ　第２正孔輸送層
　７　電子輸送帯域（電子輸送層）
　７ａ　第１電子輸送層
　７ｂ　第２電子輸送層
　１０、２０　発光ユニット

 

Claims (27)

  1. 　下記式（１）で表される化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    ［式（１）において、
    　Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示す。
    　Ａｒ１～Ａｒ５は、それぞれ独立に、水素原子；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。Ａｒ１～Ａｒ５のそれぞれは、互いに結合して環を形成せず、Ｒ１～Ｒ２０とも互いに結合して環を形成しない。
    　Ｒ１～Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲン原子；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基；及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選択される。Ｒ１～Ｒ２０のそれぞれは、互いに結合して環を形成しない。
    　＊ａ、＊ｂはベンゼン環上の結合位置を表す。Ｒ１３～Ｒ１６のうち一つは＊ａに結合する単結合を示す。Ｒ８～Ｒ１２のうち一つは＊ｂに結合する単結合を示す。］
  2. 　下記式（１－１）で表される請求項１に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    ［式（１－１）において、
    　Ｘ、Ａｒ１～Ａｒ５、Ｒ１～Ｒ９、Ｒ１１～Ｒ２０及び＊ａは、式（１）における、Ｘ、Ａｒ１～Ａｒ５、Ｒ１～Ｒ９、Ｒ１１～Ｒ２０及び＊ａと同じである。］
  3. 　＊ａと結合しないＲ１３～Ｒ１６は、水素原子を示す、請求項１又は２に記載の化合物。
  4. 　下記式（１－２ａ）で表される請求項１～３のいずれか１項に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    ［式（１－２ａ）において、
    　Ｘ、Ａｒ１～Ａｒ５、Ｒ１～Ｒ９、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１４～Ｒ２０は、式（１）における、Ｘ、Ａｒ１～Ａｒ５、Ｒ１～Ｒ９、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１４～Ｒ２０と同じである。］
  5. 　Ｒ１４～Ｒ２０は、水素原子を示す、請求項１～４のいずれか１項に記載の化合物。
  6. 　下記式（１－２ｂ）で表される請求項１～３のいずれか１項に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    ［式（１－２ｂ）において、
    　Ｘ、Ａｒ１～Ａｒ５、Ｒ１～Ｒ９、Ｒ１１～Ｒ１３及びＲ１５～Ｒ２０は、式（１）における、Ｘ、Ａｒ１～Ａｒ５、Ｒ１～Ｒ９、Ｒ１１～Ｒ１３及びＲ１５～Ｒ２０と同じである。］
  7. 　Ｒ１３、Ｒ１５～Ｒ２０は、水素原子を示す、請求項１～３、６のいずれか１項に記載の化合物。
  8. 　Ａｒ１～Ａｒ５のうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す請求項１～７のいずれか１項に記載の化合物。
  9. 　Ａｒ１～Ａｒ５のうち一つは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示し、他は水素原子を示す請求項１～８のいずれか１項に記載の化合物。
  10. 　Ａｒ１～Ａｒ５のうち少なくとも一つは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基及びフェナントリル基から選択される、請求項１～８のいずれか１項に記載の化合物。
  11. 　＊ｂと結合しないＲ８～Ｒ１２は、水素原子を示す、請求項１に記載の化合物。
  12. 　Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１、Ｒ１２は、水素原子を示す、請求項１～１１のいずれか１項に記載の化合物。
  13. 　Ｒ１～Ｒ７は、水素原子を示す、請求項１～１２のいずれか１項に記載の化合物。
  14. 　Ａｒ１～Ａｒ５及びＲ１～Ｒ２０のうちいずれかが置換基を有する基である場合、当該置換基は、
    シアノ基、
    ハロゲン原子、
    炭素数１～３０のアルキル基、
    環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基、
    炭素数７～３６のアラルキル基、
    炭素数１～３０のアルコキシ基、
    環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、
    炭素数１～３０のアルキル基、及び、環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、
    炭素数１～３０のハロアルキル基、
    環形成炭素数６～３０のアリール基、
    環形成炭素数６～３０のアリール基で置換された、ボリル基、
    炭素数１～３０のアルキルチオ基、及び、
    環形成炭素数６～３０のアリールチオ基
    からなる群から選ばれる少なくとも一つの置換基である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の化合物。
  15. 　前記式（１）で表される化合物が少なくとも１個の重水素原子を含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載の化合物。
  16. 　下記の化合物群から選択される請求項１に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
  17. 　請求項１～１６のいずれか１項に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  18. 　陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に有機層を有し、該有機層が発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層の少なくとも１層が請求項１～１６のいずれか１項に記載の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
  19. 　前記有機層が前記陽極と前記発光層の間に正孔輸送帯域を含み、該正孔輸送帯域が前記化合物を含む請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  20. 　前記正孔輸送帯域に含まれる式（１）で表される化合物が少なくとも１個の重水素原子を有する、請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  21. 　前記正孔輸送帯域が陽極側の第１正孔輸送層と陰極側の第２正孔輸送層を含み、該第１正孔輸送層、該第２正孔輸送層、又は双方が前記化合物を含む請求項１９又は２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  22. 　前記第１正孔輸送層が前記化合物を含む請求項２１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  23. 　前記第２正孔輸送層が前記化合物を含む請求項２１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  24. 　前記第２正孔輸送層が前記発光層に隣接している請求項２１～２３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  25. 　前記発光層が蛍光ドーパント材料を含む請求項１８～２４２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  26. 　前記発光層が燐光ドーパント材料を含む請求項１８～２４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  27. 　請求項１８～２６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器。

     
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