KR20180112962A - 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 - Google Patents

유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 Download PDF

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KR20180112962A
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(주)피엔에이치테크
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Abstract

본 발명은 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기발광 화합물로서, 이를 전자저지층, 정공수송층 또는 발광층 등에 채용하는 경우, 발광 효율, 양자 효율 등 발광 특성이 매우 우수한 유기전계발광소자의 구현이 가능하다.
[화학식 Ⅰ]

Description

유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자{An electroluminescent compound and an electroluminescent device comprising the same}
본 발명은 유기발광 화합물에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 유기전계발광소자 내의 유기물층에 채용되는 유기발광 화합물 및 이를 채용하여 장수명, 발광 효율 등의 발광 특성이 현저히 향상된 유기전계발광소자에 관한 것이다.
유기전계발광소자는 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기전계발광(EL) 디스플레이에 비해 10 V 이하의 저전압 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있고, 녹색, 청색, 적색의 3가지 색을 나타낼 수가 있어 최근에 차세대 디스플레이 소자로 많은 관심의 대상이 되고 있다.
다만, 이러한 유기전계발광소자가 상기와 같은 특징으로 발휘하기 위해서는 소자 내 유기층을 이루는 물질인 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지는 안정하고 효율적인 유기전계발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서, 발광 특성을 개선할 수 있는 새로운 재료의 개발과 소자 내 유기물층 구조에 대한 개발이 계속 요구되고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명은 유기전계발광소자 내의 전자저지층, 정공수송층 또는 발광층의 호스트 화합물로 채용되어 장수명, 발광 효율 등의 발광 특성을 현저히 향상시킬 수 있는 신규한 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
[화학식 Ⅰ]
Figure pat00001
상기 [화학식 Ⅰ]의 구체적인 구조 및 치환기에 대해서는 후술한다.
본 발명에 따른 유기발광 화합물을 전자저지층, 정공수송층 또는 발광층에 채용한 유기전계발광소자는 종래 소자에 비하여 장수명, 발광 효율 등의 발광 특성이 현저히 우수하여 다양한 디스플레이 소자에 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기발광 화합물로서, 유기전계발광소자 내의 정공수송층, 전자저지층, 발광층 등의 유기층에 채용하는 경우에 장수명, 발광 효율 등의 발광 특성이 현저히 향상된 유기전계발광소자의 구현이 가능하다.
[화학식 Ⅰ]
Figure pat00002
상기 [화학식 Ⅰ]에서,
Y는 O, S, CR1R2, SiR1R2 및 SeR1R2 중에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중에서 선택된다.
Ra 내지 Rf는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소 또는 하기 [구조식 1] 내지 [구조식 3] 중에서 선택되는 어느 하나이다.
[구조식 1]
Figure pat00003
[구조식 2]
Figure pat00004
[구조식 3]
Figure pat00005
상기 [구조식 1] 내지 [구조식 3]에서,
X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 CH 또는 N이다.
L은 단일결합이거나, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬이 하나 이상 융합된 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬이 하나 이상 융합된 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기 중에서 선택된다.
Ar1 내지 Ar3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬이 하나 이상 융합된 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬이 하나 이상 융합된 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기 중에서 선택된다.
또한, Ar1 내지 Ar3는 서로 결합하거나 또는 인접한 치환기와 연결되어 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광 화합물은 상기 Ra 내지 Rd 중에서 선택되는 2 개 중에서 어느 하나는 상기 [구조식 1]이고, 다른 하나는 상기 [구조식 2]인 것을 특징으로 하고, 보다 바람직하게는 상기 Ra 내지 Rd 중에서 서로 인접하여 선택되는 2 개 중에서 어느 하나는 상기 [구조식 1]이고, 다른 하나는 상기 [구조식 2]인 것을 특징으로 한다.
즉, 일 예에 의하면, Ra에 [구조식 1]이 결합하고, Rb에 [구조식 2]가 결합하는 것과 같이, 상기 [구조식 1]과 [구조식 2]가 서로 인접하여 상기 [화학식 Ⅰ]의 골격에 결합하는 것으로서, 이러한 구조적 특징에 의하여, 이를 유기물층에 채용하는 유기발광소자는 장수명, 발광 효율 등의 발광 특성이 매우 우수하다.
또한, 본 발명에 따른 화합물에서, Ar1 내지 Ar2 중 적어도 하나 이상이 상기 [화학식 Ⅰ]이 골격과 동일한 치환기일 때, 그 구조적 특징에 의해서 이를 유기물층에 채용하는 유기발광소자는 장수명, 발광 효율 등의 발광 특성이 매우 우수하다.
한편, 상기 L 및 Ar1 내지 Ar3의 정의에서, 치환 또는 비치환이란 상기 L 및 Ar1 내지 Ar3가 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알케닐기, 탄소수 1 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내기 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 1 내지 24의 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로아릴아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수 1 내지 24의 아릴실릴기 및 탄소수 1 내지 24의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택되며, 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
구체적인 예를 들면, 치환된 아릴기라 함은, 페닐기, 비페닐기, 나프탈렌기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 페릴렌기, 테트라세닐기, 안트라센닐기 등이 다른 치환기로 치환된 것을 의미한다.
치환된 헤테로아릴기라 함은, 피리딜기, 티오페닐기, 트리아진기, 퀴놀린기, 페난트롤린기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 카바졸기 및 이들의 축합헤테로고리기, 예컨대 벤즈퀴놀린기, 벤즈이미다졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈티아졸기, 벤즈카바졸기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨란기 등이 다른 치환기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 치환기들의 예시들에 대해서 아래에서 구체적으로 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥틸메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에 사용되는 아릴옥시기는 구체적인 예로서 페녹시, 나프톡시, 안트라세닐옥시, 페난트레닐옥시, 플루오레닐옥시, 인데닐옥시 등을 들 수 있고, 아릴옥시기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 추가로 치환가능하다.
본 발명에 사용되는 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리페닐실릴, 트리메톡시실릴, 디메톡시페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디페닐비닐실릴, 메틸사이클로뷰틸실릴, 디메틸퓨릴실릴 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 30인 것이 바람직하다. 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 스틸벤기 등이 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 아세나프타센닐기, 트리페닐렌기, 플루오안트렌(fluoranthrene)기 등이 있으나, 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 아릴기 역시 1종 이상의 치환기로 더 치환될 수 있으며, 보다 구체적으로 아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 실릴기, 아미노기(-NH2, -NH(R), -N(R')(R"), R'과 R"은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며, 이 경우 "알킬아미노기"라 함), 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실기, 술폰산기, 인산기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알케닐기, 탄소수 1 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기 등으로 치환될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 알릴기, 1-페닐비닐-1-일기, 2-페닐비닐-1-일기, 2,2-디페닐비닐-1-일기, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하다. 그 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 페난트롤린기, 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필기 시클로부틸기 시클로펜틸기 3-메틸시클로펜틸기 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
또한, 본 발명에 따른 치환기의 다양한 구체적인 예는 하기 기재된 구체적인 화합물에서 명확하게 확인할 수 있다.
상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 본 발명에 따른 유기발광 화합물은 상술한 바와 같이 그 구조적 특이성으로 인하여 유기발광소자의 유기물층으로 사용될 수 있고, 보다 구체적으로는 도입되는 다양한 치환기의 특성에 따라 유기물층의 전자저지층, 정공수송층 또는 발광층의 호스트 화합물로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물의 바람직한 구체예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
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Figure pat00038
상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 유기발광 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기전계발광소자의 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송층 물질, 발광층 물질, 전자 수송층 물질 및 전자 저지층 물질에 사용되는 치환기를 상기 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 제조할 수 있으며, 특히, 본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]의 화합물을 전자저지층, 정공수송층 또는 발광층의 호스트 물질로, 특히 전자저지층에 채용한 경우 소자의 장수명, 발광 효율 등의 발광 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광 화합물은 통상의 제조방법에 따라 유기전계발광소자에 적용할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 제1 전극과 제2 전극 및 이 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있으며, 본 발명에 따른 유기발광 화합물을 소자의 유기물층에 사용한다는 것을 제외하고는 통상의 소자의 제조 방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수도 있다.
따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광소자에서, 상기 유기물층은 정공수송층, 전자저지층 및 발광층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기발광 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기발광소자를 만들 수도 있다. 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금, 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금, LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3), 카르바졸 계열 화합물, 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물, BAlq, 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물, 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물, 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자, 스피로(spiro) 화합물, 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물, Alq3를 포함한 착물, 유기 라디칼 화합물, 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기전자소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 화합물의 합성예 및 소자 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
합성예 1 : 화합물 7 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 7-1의 합성
Figure pat00039
1,2-dibromo-3-fluoro-4-iodobenzene (10 g, 0.026 mol, Yurui), 2-methoxyphenylboronic acid (4.80 g, 0.032 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (10.92 g, 0.079 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.52 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), Toluene 150 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 5시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 7-1>을 7.4 g (수율 78%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 7-2의 합성
Figure pat00040
중간체 7-1 (15 g, 0.069 mol, sigma aldrich), dichloromethane 200 mL 넣고 0 ℃에서 boron tribromide (11.95 g, 0.069 mol, sigma aldrich)를 적가하고 상온에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 7-2>를 11.4 g (수율 79%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 중간체 7-3의 합성
Figure pat00041
중간체 7-2 (15 g, 0.043 mol), potassium carbonate (9.84 g, 0.095 mol, sigma aldrich), N-Methyl-2-pyrrolidone 300 mL 넣고 180 ℃에서 3시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : Tol을 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE:EA)하여 <중간체 7-3>을 11.6 g (수율 82%) 수득하였다.
(4) 제조예 4 : 중간체 7-4의 합성
Figure pat00042
중간체 7-3 (15 g, 0.046 mol), phenylboronic acid (6.73 g, 0.0552 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (15.90 g, 0.115 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (2.66 g, 0.0023 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 4시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 <중간체 7-4>를 11 g (수율74%) 수득하였다.
(5) 제조예 5 : 중간체 7-5의 합성
Figure pat00043
중간체 7-4 (10 g, 0.031 mol), Bis(pinacolato)dibron (10.21 g, 0.040 mol, sigma aldrich), potassium acetate (6.07 g, 0.062 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (0.68 g, 0.0009 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 150 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 7-5>를 7.8 g (수율 68%) 수득하였다.
(6) 제조예 6 : 중간체 7-6의 합성
Figure pat00044
1-bromo-4-iodobenzene (10 g, 0.035 mol, sigma aldrich), 중간체 7-5 (15.71 g, 0.042 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (12.21 g, 0.088 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (2.04 g, 0.0018 mol, sigma aldrich), THF 250 mL, H2O 50 mL 넣고 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 7-6>을 11.6 g (수율 82%) 수득하였다.
(7) 제조예 7 : 중간체 7-7의 합성
Figure pat00045
2-iodobiphenyl (10 g, 0.036 mol, sigma aldrich), 4-bromophenylboronic acid (8.60 g, 0.043 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (9.87 g, 0.068 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (0.98 g, 0.0008 mol, sigma aldrich), Tetrahydrofuran 100 mL 넣고 60 ℃에서 4시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA) 하여 <중간체 7-7>을 9.5 g (수율 75%) 수득하였다.
(8) 제조예 8 : 중간체 7-8의 합성
Figure pat00046
중간체 7-8 (10 g, 0.032 mol), 4-aminobiphenyl (6.57 g, 0.039 mol, sigma aldrich), Sodium tert-butoxide (6.22 g, 0.065 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.93 g, 0.0016 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.65 g, 0.0032 mol, sigma aldrich)에 Toluene 100 mL를 넣고 100 ℃에서 3시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA) 하여 <중간체 7-8>을 9.9 g (수율 77%) 수득하였다.
(9) 제조예 9 : 화합물 7의 합성
Figure pat00047
중간체 7-6 (10 g, 0.025 mol), 중간체 7-8 (11.95 g, 0.030 mol), Sodium tert-butoxide (4.81 g, 0.050 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.72 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.51 g, 0.0025 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃에서 4시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 7를 11.7 g (수율 72.5%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.91/d, 7.89/d, 7.81/d, 7.66/d, 7.38/m, 7.32/m) 2H(7.85/d, 7.79/d, 7.47/m) 3H(7.41/m) 4H(7.52/d) 6H(7.54/d, 7.51/m, 6.69/d)
LC/MS: m/z=715[(M+1)+]
합성예 2 : 화합물 15 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 15-1의 합성
Figure pat00048
4,6-dibromodibenzofuran (20 g, 0.061 mol, Yurui), phenylboronic acid (8.98 g, 0.074 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (16.96 g, 0.123 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (3.54 g, 0.0031 mol, sigma aldrich), THF 250 mL, H2O 50 mL 넣고 4시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 15-1>을 14.3 g (수율 72%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 15-2의 합성
Figure pat00049
중간체 15-1 (10 g, 0.031 mol), Bis(pinacolato)dibron (10.21 g, 0.040 mol, sigma aldrich), potassium acetate (6.07 g, 0.062 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (0.68 g, 0.0009 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 200 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 15-2>을 8.2 g (수율 72%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 중간체 15-3의 합성
Figure pat00050
1-bromo-4-iodobenzene (10 g, 0.035 mol, sigma aldrich), 중간체 15-2 (15.71 g, 0.042 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (9.77 g, 0.071 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (2.04 g, 0.0018 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 15-3>을 11.6 g (수율 82%) 수득하였다.
(4) 제조예 4 : 중간체 15-4의 합성
Figure pat00051
중간체 15-3 (10 g, 0.025 mol), 2-aminobiphenyl (5.09 g, 0.03 mol, sigma Aldrich), Sodium tert-butoxide (4.81 g, 0.050 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.72 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.51 g, 0.0025 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃에서 4시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 15-4>를 10 g (수율 82%) 수득하였다.
(5) 제조예 5 : 화합물 15의 합성
Figure pat00052
중간체 7-6 (5 g, 0.0125 mol), 중간체 15-4 (7.33 g, 0.0153 mol), Sodium tert-butoxide (2.41 g, 0.025 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.36 g, 0.0006 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.25 g, 0.0013 mol, sigma aldrich)에 Toluene 100 mL를 넣고 100 ℃에서 8시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 15를 7.6 g (수율 75%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.91/d, 7.89/d, 7.66/d, 7.32/m, 7.16/m, 6.87/m) 2H(7.85/d, 7.08/d) 3H(7.81/d, 7.41/m, 7.38/m) 4H(7.52/d) 5H(7.54/d, 6.69/d) 6H(7.51/m)
LC/MS: m/z=805[(M+1)+]
합성예 3 : 화합물 16 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 16-1의 합성
Figure pat00053
4-bromodibenzofuran (20 g, 0.081 mol, Yurui), 4-aminobiphenyl (16.44 g, 0.097 mol, sigma aldrich), Sodium tert-butoxide (15.56 g, 0.16 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (2.33 g, 0.004 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (1.64 g, 0.008 mol, sigma aldrich)에 Toluene 200 mL를 넣고 100 ℃에서 1시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 <중간체 16-1>을 19.2 g (수율 70.7%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 16의 합성
Figure pat00054
중간체 7-6 (10 g, 0.025 mol), 중간체 16-1 (10.68 g, 0.030 mol), Sodium tert-butoxide (4.81 g, 0.05 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.72 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.51 g, 0.0025 mol, sigma aldrich)에 Toluene 200 mL를 넣고 100 ℃에서 1시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 16을 13 g (수율 79%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.91/d, 7.81/d, 7.25/d, 7.07/m, 6.39/d) 2H(7.89/d, 7.66/d, 7.41/m, 7.38/m, 7.32/m) 4H(7.54/d, 7.52/d, 7.51/m, 6.69/d)
LC/MS: m/z=653[(M+1)+]
합성예 4 : 화합물 135 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 135-1의 합성
Figure pat00055
중간체 16-1 (10 g, 0.030 mol), 4-bromophenylboronic acid (7.19 g, 0.036 mol, sigma aldrich), Sodium tert-butoxide (5.73 g, 0.060 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.86 g, 0.0015 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.60 g, 0.003 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃에서 1시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 <중간체 135-1>을 10.6 g (수율 78%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 135-2의 합성
Figure pat00056
중간체 7-3 (10 g, 0.031 mol), 중간체 135-1 (16.76 g, 0.037 mol), potassium carbonate (10.60 g, 0.077 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.77 g, 0.0015 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 135-2>를 14.3 g (수율 71%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 화합물 135의 합성
Figure pat00057
중간체 135-2 (10 g, 0.015 mol), phenylboronic acid (2.23 g, 0.018 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (5.26 g, 0.038 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (0.88 g, 0.0008 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 135를 7.8 g (수율 78%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.91/d, 7.81/d, 7.25/d, 7.07/m, 6.39/d) 2H(7.89/d, 7.66/d, 7.41/m, 7.38/m, 7.32/m) 4H(7.54/d, 7.52/d, 7.51/m, 6.69/d)
LC/MS: m/z=653[(M+1)+]
합성예 5 : 화합물 155 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 155-1의 합성
Figure pat00058
중간체 15-3 (10 g, 0.025 mol), 4-aminobiphenyl (5.09 g, 0.030 mol, sigma Aldrich), Sodium tert-butoxide (4.81 g, 0.05 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.72 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.51 g, 0.0025 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃ 에서 6시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 155-1>을 9.5 g (수율 77.8%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 155-2의 합성
Figure pat00059
중간체 155-1 (10 g, 0.021 mol), 4-bromophenylboronic acid (4.94 g, 0.025 mol, sigma aldrich), Sodium tert-butoxide (3.94 g, 0.041 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.59 g, 0.0010 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.41 g, 0.0021 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃에서 1시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 <중간체 155-2>를 9.4 g (수율 75.5%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 중간체 155-3의 합성
Figure pat00060
중간체 7-3 (10 g, 0.031 mol), 중간체 155-2 (22.36 g, 0.037 mol), potassium carbonate (10.60 g, 0.077 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.77 g, 0.0015 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 155-3>을 18.4 g (수율 74%) 수득하였다.
(4) 제조예 4 : 화합물 155의 합성
Figure pat00061
중간체 155-3 (10 g, 0.012 mol), phenylboronic acid (1.81 g, 0.015 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (4.27 g, 0.031 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (0.71 g, 0.0006 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 155를 7.8 g (수율 78%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.91/d, 7.89/d, 7.66/d, 7.32/m) 2H(7.85/d, 7.79/d,) 3H(7.81/d, 7.41/m, 7.38/m), 4H(7.52/d) 6H(7.54/d, 7.51/m, 6.69/d)
LC/MS: m/z=805[(M+1)+]
합성예 6 : 화합물 156 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 156-1의 합성
Figure pat00062
중간체 15-4 (10 g, 0.021 mol), 4-bromophenylboronic acid (4.94 g, 0.025 mol, sigma aldrich), Sodium tert-butoxide (3.94 g, 0.041 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.59 g, 0.0010 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.41 g, 0.0021 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃에서 1시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제(N-HEXANE : EA)하여 <중간체 156-1>를 9.4 g (수율 75.5%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 156-2의 합성
Figure pat00063
중간체 7-3 (10 g, 0.031 mol), 중간체 155-2 (22.36 g, 0.037 mol), potassium carbonate (10.60 g, 0.077 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.77 g, 0.0015 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 156-2>를 18.4 g (수율 74%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 화합물 156의 합성
Figure pat00064
중간체 156-2 (10 g, 0.012 mol), phenylboronic acid (1.81 g, 0.015 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (4.27 g, 0.031 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (0.71 g, 0.0006 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 156을 7.8 g (수율 78%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.91/d, 7.89/d, 7.66/d, 7.32/m, 7.16/m, 6.87/m) 2H(7.85/d, 7.79/d, 7.52/d, 7.08/d) 3H(7.81/d, 7.41/m, 7.38/m) 5H(7.54/d, 6.69/d) 6H(7.51/m,)
LC/MS: m/z=805[(M+1)+]
합성예 7 : 화합물 187 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 187-1의 합성
Figure pat00065
4,6-dibromodibenzo[b,d]furan (10 g, 0.031 mol, Yurui), phenylboronic acid (8.60 g, 0.071 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (16.96 g, 0.123 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.77 g, 0.0015 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 187-1>을 8 g (수율 81.4%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 187-2의 합성
Figure pat00066
중간체 187-1 (10 g, 0.028 mol), dichloromethane 200 mL 투입 후 냉각시킨 뒤 Dimethyl sulfoxide 100 mL 넣고 140 ℃에서 5 시간동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 58-4>를 3.3 g (수율 35%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 중간체 187-3의 합성
Figure pat00067
중간체 187-2 (10 g, 0.025 mol), 4-bromophenylboronic acid (3.66 g, 0.030 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (8.65 g, 0.063 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.45 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 40 mL 넣고 4시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 187-3>을 7.8 g (수율 65.5%) 수득하였다.
(4) 제조예 4 : 중간체 187-4의 합성
Figure pat00068
4-bromobiphenyl (10 g, 0.043 mol, sigma aldrich), 4-aminobiphenyl (8.71 g, 0.052 mol, sigma aldrich), Sodium tert-butoxide (8.25 g, 0.086 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (1.23 g, 0.0021 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.87 g, 0.0043 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃에서 1시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 <중간체 187-4>를 11.1 g (수율 80.5%) 수득하였다.
(5) 제조예 5 : 화합물 187의 합성
Figure pat00069
중간체 187-3 (10 g, 0.021 mol), 중간체 187-4 (8.11 g, 0.025 mol), Sodium tert-butoxide (4.04 g, 0.042 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.60 g, 0.0011 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.43 g, 0.0021 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃에서 6시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 화합물 187을 12 g (수율 79.7%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.85/d, 7.81/d, 7.67/s, 7.63/s, 7.38/m) 4H(7.41/m) 6H(7.54/d, 6.69/d) 8H(7.52/d, 7.51/m)
LC/MS: m/z=715[(M+1)+]
합성예 8 : 화합물 262 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 262-1의 합성
Figure pat00070
1,2-dibromo-3-fluoro-4-iodobenzene (10 g, 0.026 mol, Yurui), 3-bromo-2-methoxyphenylboronic acid (7.29 g, 0.032 mol, Yurui), potassium carbonate (9.10 g, 0.066 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.52 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), Toluene 150 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 5시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 262-1>을 8.5 g (수율 73.6%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 262-2의 합성
Figure pat00071
중간체 262-1 (15 g, 0.034 mol), dichloromethane 200 mL 넣고 0 ℃에서 boron tribromide (8.56 g, 0.034 mol, sigma aldrich)를 적가하고 상온에서 12시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 262-2>를 11 g (수율 75.8%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 중간체 262-3의 합성
Figure pat00072
중간체 262-2 (15 g, 0.035 mol), potassium carbonate (12.20 g, 0.088 mol, sigma aldrich), N-Methyl-2-pyrrolidone 300 mL 넣고 180 ℃에서 3시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : Tol을 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE:EA)하여 <중간체 262-3>을 11.4 g (수율 79.8%) 수득하였다.
(4) 제조예 4 : 중간체 262-4의 합성
Figure pat00073
중간체 262-3 (15 g, 0.037 mol), phenylboronic acid (10.39 g, 0.0852 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (20.48 g, 0.148 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (2.14 g, 0.0019 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 4시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 <중간체 262-4>를 11.4 g (수율 77%) 수득하였다.
(5) 제조예 5 : 화합물 262의 합성
Figure pat00074
중간체 262-4 (10 g, 0.025 mol), 중간체 16-1 (10.08 g, 0.030 mol), Sodium tert-butoxide (4.81 g, 0.050 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(dba)2 (0.72 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), tri-tert-Bu-phosphine (0.51 g, 0.0025 mol, sigma aldrich)에 Toluene 150 mL를 넣고 100 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 화합물 262를 13 g (수율 79.4%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.89/d, 7.85/d, 7.81/d, 7.66/d, 7.60/d, 7.32/m, 7.25/d, 7.07/m) 2H(7.54/d, 7.38/m, 6.69/d, 6.39/d) 3H(7.41/m) 6H(7.52/d, 7.51/m)
LC/MS: m/z=653[(M+1)+]
합성예 9 : 화합물 267 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 267-1의 합성
Figure pat00075
중간체 187-3 (10 g, 0.021 mol), Bis(pinacolato)dibron (6.94 g, 0.027 mol, sigma aldrich), potassium acetate (4.13 g, 0.042 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (0.46 g, 0.0006 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 200 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 267-1>을 8 g (수율 72.8%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 267-2의 합성
Figure pat00076
2,4,6-tribromo-1,3,5-triazine (10 g, 0.032 mol, sigma aldrich), dibenzo[b,d]furan-3-ylboronic acid (15.35 g, 0.072 mol, Yurui), potassium carbonate (17.40 g, 0.126 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.82 g, 0.0016 mol, sigma aldrich), THF 150 mL, H2O 30 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 267-2>를 12 g (수율 77.5%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 화합물 267의 합성
Figure pat00077
중간체 267-2 (10 g, 0.020 mol), 중간체 267-1 (12.73 g, 0.0244 mol), potassium carbonate (7.02 g, 0.051 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.17 g, 0.001 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 267을 13 g (수율 79%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.81/d, 7.67/s, 7.63/s) 2H(7.95/d, 7.89/d, 7.75/d, 7.66/d, 7.64/s, 7.41/m, 7.32/m, 7.25/d) 3H(7.85/d, 7.38/m) 4H(7.52/d, 7.51/m)
LC/MS: m/z=807[(M+1)+]
합성예 10 : 화합물 283 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 283-1의 합성
Figure pat00078
중간체 7-6 (10 g, 0.025 mol), Bis(pinacolato)dibron (8.27 g, 0.033 mol, sigma aldrich), potassium acetate (4.92 g, 0.050 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (0.55 g, 0.0008 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 200 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 283-1>을 8.2 g (수율 73.4%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 283의 합성
Figure pat00079
중간체 267-2 (10 g, 0.020 mol), 중간체 283-1 (10.88 g, 0.024 mol), potassium carbonate (7.02 g, 0.051 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.17 g, 0.001 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 283을 12 g (수율 80.7%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.91/d, 7.81/d, 7.41/m) 2H(7.95/d, 7.85/d, 7.75/d, 7.64/s, 7.52/d, 7.51/m, 7.25/d) 3H(7.89/d, 7.66/d, 7.38/m, 7.32/m)
LC/MS: m/z=731[(M+1)+]
실시예 11 : 화합물 308 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 308의 합성
Figure pat00080
2-bromotriphenylene (10 g, 0.033 mol, sigma aldrich), 중간체 267-1 (20.41 g, 0.039 mol), potassium carbonate (11.25 g, 0.081 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.88 g, 0.0016 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 308을 16.4 g (수율 80.9%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(9.15/s, 8.18/d, 8.04/d, 7.85/d, 7.81/d, 7.67/s, 7.63/s, 7.38/m) 2H(8.93/d, 8.12/d, 7.88/m, 7.82/m, 7.41/m) 4H(7.52/d, 7.51/m, 7.25/d)
LC/MS: m/z=622[(M+1)+]
실시예 12 : 화합물 324 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 324-1의 합성
Figure pat00081
1,3,5-tribromobenzene (10 g, 0.032 mol, sigma aldrich), dibenzo[b,d]furan-4-ylboronic acid (15.49 g, 0.073 mol, Yurui), potassium carbonate (17.56 g, 0.127 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.84 g, 0.0016 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 324-1>을 12.5 g (수율 80%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 324의 합성
Figure pat00082
중간체 324-1 (10 g, 0.020 mol), 중간체 267-1 (12.81 g, 0.025 mol), potassium carbonate (11.30 g, 0.082 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.18 g, 0.0010 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 화합물 324을 13 g (수율 79%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(7.67/s, 7.63/s) 2H(7.89/d, 7.41/m, 7.32/m) 3H(7.85/d, 7.81/d) 4H(7.52/d, 7.51/m, 7.25/d) 5H(7.66/m, 7.38/m)
LC/MS: m/z=804[(M+1)+]
합성예 13 : 화합물 328 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 328-1의 합성
Figure pat00083
1-bromo-2-nitrobenzene (50 g, 0.247 mol, sigma aldrich), 2-bromophenylboronic acid (59.6 g, 0.297 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (90.4 g, 0.94 mol, sigma aldrich), 촉매 Pd(PPh3)4 (17.16 g, 0.015 mol, sigma aldrich)에 THF 400 mL와 물 80 mL 넣고 60 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 <중간체 328-1>을 66.7 g (수율 96%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 328-2의 합성
Figure pat00084
중간체 328-1 (28 g, 0.1 mol), triphenylphosphine (79.2 g, 0.302 mol, sigma aldrich), 1,2-dichlorobenzene 200 mL 넣고 180 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE)하여 <중간체 328-2>를 20 g (수율 80%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 중간체 328-3의 합성
Figure pat00085
중간체 1-2 (20 g, 0.081 mol), iodobenzene (41.4 g, 0.203 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (33.69 g, 0.244 mol, sigma aldrich), Cu (10.33 g, 0.162 mol, sigma aldrich), dibenzo-18-crown-6 (2.93 g, 0.008 mol, sigma Aldrich), Dimethylformamide 150 mL 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE)하여 <중간체 328-3>를 24 g (수율 93%) 수득하였다.
(4) 제조예 4 : 중간체 328-4의 합성
Figure pat00086
중간체 328-3 (36.86 g, 0.114 mol), Bis(pinacolato)dibron (34.86 g, 0.137 mol, sigma aldrich), potassium acetate (33.68 g, 0.343 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (2.488 g, 0.0034 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 400 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : Toluene에 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 328-4>를 19 g (수율 40%) 수득하였다.
(5) 제조예 5 : 중간체 328-5의 합성
Figure pat00087
중간체 328-4 (17 g, 0.046 mol), 1-boromo-4-iodobenzene (15.68 g, 0.055 mol, sigma aldrich), sodium hydroxide (5.54 g, 0.138 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (3.26 g, 0.0028 mol, sigma aldrich), THF 200 mL, 물 60 mL 넣고 60 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 328-5>를 16.9 g (수율 92%) 수득하였다.
(6) 제조예 6 : 중간체 328-6의 합성
Figure pat00088
중간체 187-2 (10 g, 0.025 mol), Bis(pinacolato)dibron (8.27 g, 0.033 mol, sigma aldrich), potassium acetate (4.92 g, 0.050 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (0.55 g, 0.0008 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 200 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 328-6>을 8.2 g (수율 73.4%) 수득하였다.
(7) 제조예 7 : 화합물 328의 합성
Figure pat00089
중간체 328-5 (10 g, 0.025 mol), 중간체 328-6 (13.45 g, 0.030 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (10.41 g, 0.075 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.45 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 화합물 328을 13 g (수율 81%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(8.55/d, 7.94/d, 7.85/d, 7.81/d, 7.79/d, 7.67/s, 7.63/s, 7.59/d, 7.45/m, 7.43/m, 7.38/m, 7.33/m) 2H(7.58/m, 7.50/d, 7.41/m) 4H(7.52/d, 7.51/m) 5H(7.25/m)
LC/MS: m/z= 637[(M+1)+]
실시예 14 : 화합물 341 합성
(1) 제조예 1 : 화합물 341-1의 합성
Figure pat00090
5-bromo-2-fluoro-1,3-diiodobenzene (10 g, 0.023 mol, Yurui), 2-methoxyphenylboronic acid (4.27 g, 0.028 mol, sigma Aldrich), potassium carbonate (9.72 g, 0.070 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.35 g, 0.0012 mol, sigma aldrich), Toluene 150 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 5시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 341-1>을 7.3 g (수율 76.6%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 341-2의 합성
Figure pat00091
중간체 341-1 (15 g, 0.037 mol), dichloromethane 200 mL 넣고 0 ℃에서 boron tribromide (9.23 g, 0.037 mol, sigma aldrich)를 적가하고 상온에서 12시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 341-2>를 11.5 g (수율 79.4%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 중간체 341-3의 합성
Figure pat00092
중간체 341-2 (15 g, 0.038 mol), potassium carbonate (15.83 g, 0.095 mol, sigma aldrich), N-Methyl-2-pyrrolidone 300 mL 넣고 180 ℃에서 3시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : Tol을 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE:EA)하여 <중간체 341-3>을 11.4 g (수율 80%) 수득하였다.
(4) 제조예 4 : 중간체 341-4의 합성
Figure pat00093
중간체 341-3 (15 g, 0.040 mol), phenylboronic acid (5.88 g, 0.048 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (16.68 g, 0.121 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (2.32 g, 0.002 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL, H2O 20 mL 넣고 4시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : EA를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : EA)하여 <중간체 341-4>를 10.6 g (수율 81.6%) 수득하였다.
(5) 제조예 5 : 중간체 341-5의 합성
Figure pat00094
중간체 341-4 (10 g, 0.031 mol), Bis(pinacolato)dibron (10.21 g, 0.040 mol, sigma aldrich), potassium acetate (6.07 g, 0.062 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (0.68 g, 0.0009 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 200 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 341-5>을 8.5 g (수율 74%) 수득하였다.
(6) 제조예 6 : 화합물 341의 합성
Figure pat00095
중간체 328-5 (10 g, 0.025 mol), 중간체 341-5 (11.16 g, 0.030 mol, sigma aldrich), potassium carbonate (10.41 g, 0.075 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.45 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 화합물 341을 11.7 g (수율 83%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(8.55/d, 7.94/d, 7.89/d, 7.79/d, 6.67/s, 7.66/d, 7.63/s, 7.59/d, 7.45/m, 7.43/m, 7.41/m, 7.38/m, 7.33/m, 7.32/m) 2H(7.58/m, 7.52/d, 7.51/m, 7.50/d) 5H(7.25/m)
LC/MS: m/z=561[(M+1)+]
실시예 15 : 화합물 374 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 374-1의 합성
Figure pat00096
중간체 262-4 (10 g, 0.025 mol), Bis(pinacolato)dibron (8.27 g, 0.033 mol, sigma aldrich), potassium acetate (4.92 g, 0.050 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (0.55 g, 0.0008 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 200 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 374-1>을 8 g (수율 71.6%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 화합물 374의 합성
Figure pat00097
중간체 328-5 (10 g, 0.025 mol), 중간체 374-1 (13.45 g, 0.030 mol), potassium carbonate (10.41 g, 0.075 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.45 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 화합물 374를 12.8 g (수율 80%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(8.55/d, 7.94/d, 7.91/d, 7.85/d, 7.79/d, 7.59/d, 7.45/m, 7.43/m, 7.38/m, 7.33/m) 2H(7.81/d, 7.58/m, 7.50/d, 7.41/m) 4H(7.52/d, 7.51/m,) 5H(7.25/m)
LC/MS: m/z=637[(M+1)+]
실시예 16 : 화합물 433 합성
(1) 제조예 1 : 중간체 433-1의 합성
Figure pat00098
2-bromo-5-iodopyridine (15 g, 0.053 mol, sigma aldrich), pyridin-2-ylboronic acid (7.79 g, 0.063 mol, Yurui), sodium carbonate (11.20 g, 0.106 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (3.05 g, 0.0026 mol, sigma aldrich), dioxane 250 mL 넣고 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 433-1>을 8.7 g (수율 70%) 수득하였다.
(2) 제조예 2 : 중간체 433-2의 합성
Figure pat00099
중간체 433-1 (10 g, 0.043 mol), Bis(pinacolato)dibron (14.04 g, 0.055 mol, sigma aldrich), potassium acetate (8.35 g, 0.085 mol, sigma aldrich), PdCl2(dppf) (0.93 g, 0.0013 mol, sigma aldrich), 1,4-Dioxane 200 mL 넣고 95 ℃에서 12시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O 넣고 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 433-1>을 9 g (수율 75%) 수득하였다.
(3) 제조예 3 : 중간체 433-3의 합성
Figure pat00100
2,4-dibromoquinazoline (10 g, 0.035 mol, Yurui), 중간체 433-2 (11.76 g, 0.042 mol), sodium carbonate (7.36 g, 0.070 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (2.01 g, 0.0017 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL 넣고 6시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 <중간체 433-3>을 9.3 g (수율73.7%) 수득하였다.
(4) 제조예 4 : 화합물 433의 합성
Figure pat00101
중간체 433-3 (10 g, 0.028 mol), 중간체 283-1 (14.75 g, 0.033 mol), sodium carbonate (5.84 g, 0.055 mol, sigma aldrich), Pd(PPh3)4 (1.59 g, 0.0014 mol, sigma aldrich), Toluene 200 mL, Ethanol 40 mL 넣고 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 H2O : MC를 이용하여 층분리를 한 후 컬럼정제 (N-HEXANE : MC)하여 화합물 433을 12.6 g (수율 76%) 수득하였다.
H-NMR (200MHz, CDCl3):δ ppm, 1H(9.38/s, 8.59/d, 8.54/d, 8.16/d, 8.12/d, 7.91/d, 7.89/d, 7.84/d, 7.83/m, 7.81/d, 7.66/d, 7.58/m, 7.41/m, 7.38/m, 7.36/m) 2H(7.52/d, 7.51/m, 7.32/m, 7.25/d) 3H(7.85/m)
LC/MS: m/z=602[(M+1)+]
소자 실시예
본 발명에 따른 실시예에서, ITO 투명 전극은 25 mm × 25 mm × 0.7 mm의 유리 기판 위에, ITO 투명 전극이 부착된 ITO 유리 기판을 이용하여, 발광 면적이 2 mm × 2 mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판을 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1 × 10-6 torr가 되도록 한 후 유기물을 상기 ITO위에 하기 구조로 유기물과 금속을 증착하였다.
소자 실시예 1 내지 12
본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]로 구현되는 화합물을 전자저지층의 화합물로 하여, 하기와 같은 소자 구조를 갖는 청색 발광 유기전계발광소자를 제조하여, 발광 효율을 포함한 발광 특성을 측정하였다.
ITO / 정공주입층(HAT_CN 5 nm) / 정공수송층(α-NPB 100 nm) / 전자저지층(10 nm)/ 발광층 (20 nm) / 전자수송층 (201:Liq 30 nm) / LiF(1 nm) / Al (100 nm)
ITO 투명 전극에 정공주입층을 형성하기 위해 [HAT_CN]을 이용하여 정공주입층의 두께를 5 nm로 진공 열증착 방법으로 형성하고, 이후 정공수송층을 α-NPB를 사용하여 성막하였다. 전자 저지층은 본 발명으로 구현되는 화학식 1, 7, 15, 16, 35, 45, 96, 105, 126, 135, 187, 262를 사용하여 10 nm의 두께로 성막하였다. 또한, 발광층에는 호스트 화합물로는 [BH1]을 사용하고, 도판트 화합물로 [BD1]을 사용하여 두께가 20 nm 정도가 되도록 성막하였으며, 추가로 전자 수송층(하기 [201] 화합물 Liq 50% 도핑) 30 nm 및 LiF 1nm 및 알루미늄 100 nm를 증착법으로 성막하여, 유기전계발광소자를 제조하였다.
소자 비교예 1
소자 비교예 1를 위한 유기전계발광소자는 상기 실시예 1의 소자구조에서 전자저지층을 사용하지 않는 것을 제외하고 동일하게 제작하였다.
소자 비교예 2
소자 비교예 2를 위한 유기전계광소자는 상기 실시예 1의 소자구조에서 전자저지층에 본 발명에 따른 화합물 대신에 하기 [E-1] 화합물을 사용하였으며, 하기 [E-1] 화합물의 경우 본 발명에 따른 화합물의 특징적 구조인 [구조식 1]과 [구조식 2]가 인접하여 결합한 것이 아니고, [구조식 2]만 결합한 것이다.
실험예 1 : 소자 실시예 1 내지 12의 발광 특성
상기 실시예에 따라 제조된 유기전계발광소자는 Source meter (Model 237, Keithley)와 휘도계 (PR-650, Photo Research)를 이용하여 전압, 전류 및 발광 효율을 측정하였고, 전류 밀도 10 mA/㎠가 되는 전압을 "구동 전압"으로 정의하여 비교하였다. 결과는 하기 [표 1]과 같다. 수명(h)는 초기 휘도 (1000nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
구분 전자저지층 V cd/A 수명(h) CIEx CIEy
실시예 1 1 3.92 8.73 77 0.143 0.154
실시예 2 7 4.10 8.40 68 0.145 0.155
실시예 3 15 4.13 8.49 62 0.145 0.154
실시예 4 16 4.06 8.65 66 0.144 0.155
실시예 5 35 4.11 8.46 60 0.144 0.155
실시예 6 45 4.05 8.52 62 0.145 0.155
실시예 7 96 4.01 8.70 71 0.144 0.154
실시예 8 105 3.97 8.68 62 0.144 0.154
실시예 9 126 4.13 8.53 69 0.146 0.156
실시예 10 135 4.09 8.59 64 0.145 0.155
실시예 11 187 4.17 8.57 65 0.145 0.155
실시예 12 262 4.18 8.60 62 0.144 0.154
비교예 1 - 4.14 5.40 3 0.146 0.156
비교예 2 E-1 4.16 7.06 30 0.146 0.157
상기 [표 1]에 나타낸 결과를 살펴보면, 먼저, 본 발명에 따른 전자저지층을 화합물 소자에 적용한 경우에 종래 전자저지층을 채용하지 않은 소자(비교예 1)에 비하여 수명 특성, 발광 효율 등의 발광 특성이 현저히 우수함을 확인할 수 있고, 본 발명에 따른 특징적 구조를 포함하지 않은 화합물을 전자저지층으로 채용한 소자(비교예 2)에 비해서도 수명 특성, 발광 효율 등의 발광 특성이 우수함을 확인할 수 있다.
Figure pat00102
[HAT_CN] [α-NPB] [BH1] [BD1] [201]
Figure pat00103
[E-1]

Claims (7)

  1. 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기발광 화합물:
    [화학식 Ⅰ]
    Figure pat00104

    상기 [화학식 Ⅰ]에서,
    Y는 O, S, CR1R2, SiR1R2 및 SeR1R2 중에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중에서 선택되며,
    Ra 내지 Rf는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소 또는 하기 [구조식 1] 내지 [구조식 3] 중에서 선택되는 어느 하나이고,
    [구조식 1]
    Figure pat00105

    [구조식 2]
    Figure pat00106

    [구조식 3]
    Figure pat00107

    상기 [구조식 1] 내지 [구조식 3]에서,
    X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 CH 또는 N이고,
    L은 단일결합이거나, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬이 하나 이상 융합된 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬이 하나 이상 융합된 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되며,
    Ar1 내지 Ar3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬이 하나 이상 융합된 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬이 하나 이상 융합된 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기 중에서 선택되며,
    상기 Ar1 내지 Ar3는 서로 결합하거나 또는 인접한 치환기와 연결되어 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Ra 내지 Rd 중에서 선택되는 2 개 중에서 어느 하나는 상기 [구조식 1]이고, 다른 하나는 상기 [구조식 2]인 것을 특징으로 하는 유기발광 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 Ra 내지 Rd 중에서 서로 인접하여 선택되는 2 개 중에서 어느 하나는 상기 [구조식 1]이고, 다른 하나는 상기 [구조식 2]인 것을 특징으로 하는 유기발광 화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 L 및 Ar1 내지 Ar3의 정의에서, 치환 또는 비치환이란 상기 L 및 Ar1 내지 Ar3가 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알케닐기, 탄소수 1 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내기 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 1 내지 24의 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로아릴아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수 1 내지 24의 아릴실릴기 및 탄소수 1 내지 24의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택되며, 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미하는 유기발광 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 [화학식 Ⅰ]은 하기 [화학식 1] 내지 [화학식 438] 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광 화합물:
    Figure pat00108

    Figure pat00109

    Figure pat00110

    Figure pat00111

    Figure pat00112

    Figure pat00113

    Figure pat00114

    Figure pat00115

    Figure pat00116

    Figure pat00117

    Figure pat00118

    Figure pat00119

    Figure pat00120

    Figure pat00121

    Figure pat00122

    Figure pat00123

    Figure pat00124

    Figure pat00125

    Figure pat00126

    Figure pat00127

    Figure pat00128

    Figure pat00129

    Figure pat00130

    Figure pat00131

    Figure pat00132

    Figure pat00133

    Figure pat00134

    Figure pat00135

    Figure pat00136

    Figure pat00137

    Figure pat00138

    Figure pat00139

    Figure pat00140
  6. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전계발광소자로서,
    상기 유기물층 중 1 층 이상은 제1항에 따른 [화학식 Ⅰ]로 구현되는 유기발광 화합물을 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 유기물층은 전자주입층, 전자수송층, 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층 및 발광층 중 1층 이상을 포함하고,
    상기 층들 중 1층 이상이 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기발광 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190103773A (ko) * 2018-02-28 2019-09-05 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20190137436A (ko) * 2018-06-01 2019-12-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
WO2020009433A1 (ko) * 2018-07-02 2020-01-09 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102100581B1 (ko) * 2019-01-30 2020-04-14 두산솔루스 주식회사 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2020080693A1 (en) * 2018-10-17 2020-04-23 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. A plurality of host materials and organic electroluminescent device comprising the same
WO2020096351A1 (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20200052239A (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2020111251A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器
KR20200099161A (ko) * 2017-12-15 2020-08-21 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 디바이스용 치환된 방향족 아민
WO2020226298A1 (ko) * 2019-05-03 2020-11-12 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2020231197A1 (ko) * 2019-05-14 2020-11-19 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN111978297A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 北京大学深圳研究生院 一种有机电致发光材料及其制备方法与应用
KR20210053695A (ko) * 2019-11-04 2021-05-12 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2021101247A1 (ko) * 2019-11-19 2021-05-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN113166118A (zh) * 2018-12-14 2021-07-23 出光兴产株式会社 有机电致发光元件、化合物、有机电致发光元件用材料以及电子设备
CN113233987A (zh) * 2021-04-21 2021-08-10 陕西莱特迈思光电材料有限公司 一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN113387818A (zh) * 2021-06-11 2021-09-14 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 化合物和包含该化合物的有机电致发光装置和电子设备
JP2021147325A (ja) * 2020-03-16 2021-09-27 三菱ケミカル株式会社 芳香族化合物
WO2022240172A1 (ko) * 2021-05-14 2022-11-17 (주)피엔에이치테크 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20230019906A (ko) * 2021-07-21 2023-02-09 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20230113292A (ko) 2020-11-27 2023-07-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
US11744149B2 (en) 2019-05-31 2023-08-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element, and electronic device
US11925112B2 (en) 2019-11-19 2024-03-05 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200099161A (ko) * 2017-12-15 2020-08-21 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 디바이스용 치환된 방향족 아민
KR20190103773A (ko) * 2018-02-28 2019-09-05 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20190137436A (ko) * 2018-06-01 2019-12-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
WO2020009433A1 (ko) * 2018-07-02 2020-01-09 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20200003741A (ko) * 2018-07-02 2020-01-10 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2020080693A1 (en) * 2018-10-17 2020-04-23 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. A plurality of host materials and organic electroluminescent device comprising the same
WO2020096351A1 (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20200052239A (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN112533914A (zh) * 2018-11-06 2021-03-19 株式会社Lg化学 新的化合物和包含其的有机发光器件
JPWO2020111251A1 (ja) * 2018-11-30 2021-10-14 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器
WO2020111251A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器
CN113227083A (zh) * 2018-11-30 2021-08-06 出光兴产株式会社 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备
US11548877B2 (en) 2018-11-30 2023-01-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, and electronic device
CN113166118A (zh) * 2018-12-14 2021-07-23 出光兴产株式会社 有机电致发光元件、化合物、有机电致发光元件用材料以及电子设备
EP3896070A4 (en) * 2018-12-14 2022-11-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, COMPOUND, MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
KR102100581B1 (ko) * 2019-01-30 2020-04-14 두산솔루스 주식회사 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2020226298A1 (ko) * 2019-05-03 2020-11-12 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2020231197A1 (ko) * 2019-05-14 2020-11-19 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN111978297A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 北京大学深圳研究生院 一种有机电致发光材料及其制备方法与应用
US11744149B2 (en) 2019-05-31 2023-08-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element, and electronic device
KR20210053695A (ko) * 2019-11-04 2021-05-12 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2021101247A1 (ko) * 2019-11-19 2021-05-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US11925112B2 (en) 2019-11-19 2024-03-05 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
JP2021147325A (ja) * 2020-03-16 2021-09-27 三菱ケミカル株式会社 芳香族化合物
KR20230113292A (ko) 2020-11-27 2023-07-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
WO2022222737A1 (zh) * 2021-04-21 2022-10-27 陕西莱特迈思光电材料有限公司 含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN113233987A (zh) * 2021-04-21 2021-08-10 陕西莱特迈思光电材料有限公司 一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
WO2022240172A1 (ko) * 2021-05-14 2022-11-17 (주)피엔에이치테크 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN113387818A (zh) * 2021-06-11 2021-09-14 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 化合物和包含该化合物的有机电致发光装置和电子设备
KR20230019906A (ko) * 2021-07-21 2023-02-09 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

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