WO2017170697A1 - パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法 - Google Patents

パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2017170697A1
WO2017170697A1 PCT/JP2017/012904 JP2017012904W WO2017170697A1 WO 2017170697 A1 WO2017170697 A1 WO 2017170697A1 JP 2017012904 W JP2017012904 W JP 2017012904W WO 2017170697 A1 WO2017170697 A1 WO 2017170697A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
curable composition
component
mold
substrate
forming method
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/012904
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
晶子 飯村
伊藤 俊樹
Original Assignee
キヤノン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by キヤノン株式会社 filed Critical キヤノン株式会社
Priority to JP2018509341A priority Critical patent/JP6855448B2/ja
Priority to KR1020187029972A priority patent/KR102208986B1/ko
Priority to CN201780022176.9A priority patent/CN108885976B/zh
Publication of WO2017170697A1 publication Critical patent/WO2017170697A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09D133/08Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D135/00Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical, and containing at least another carboxyl radical in the molecule, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D135/02Homopolymers or copolymers of esters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B29C2059/023Microembossing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/0002Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped monomers or prepolymers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/0094Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped having particular viscosity
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2909/00Use of inorganic materials not provided for in groups B29K2803/00 - B29K2807/00, as mould material
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80Etching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography

Definitions

  • the present invention relates to a pattern forming method, a processed substrate manufacturing method, an optical component manufacturing method, a circuit board manufacturing method, an electronic component manufacturing method, and an imprint mold manufacturing method.
  • the photocurable composition is cured in a state where a mold (mold) having a fine uneven pattern formed on the surface is pressed against a substrate (wafer) coated with the photocurable composition (resist).
  • corrugated pattern of a mold is transcribe
  • a fine structure of the order of several nanometers can be formed on a substrate.
  • a liquid resist 102 is discretely dropped onto a pattern formation region on the substrate 101 by using an ink jet method (arrangement step (1), FIGS. 1A to 1C).
  • the dropped droplet of the resist 102 spreads on the substrate 101 as indicated by an arrow 104 indicating the direction of spread of the droplet, and this phenomenon is called pre-spread (FIG. 1C).
  • this resist 102 is formed by using a mold (mold) 105 having a pattern and transparent to irradiation light 106 to be described later (mold contact step (2), FIGS. 1 (d) and 1 (1). da)).
  • the droplets of the resist 102 spread over the entire gap between the substrate 101 and the mold 105 as indicated by the arrow 104 indicating the direction in which the droplets spread (FIG. 1D). This phenomenon is called spread.
  • the resist 102 is also filled into the recesses on the mold 105 by capillarity as indicated by the arrows 104 indicating the direction in which the droplets spread (FIG. 1 (da)). This filling phenomenon is called fill. The time until the spread and fill are completed is called the filling time. After the filling of the resist 102 is completed, the resist 102 is cured by irradiating the irradiation light 106 (light irradiation step (3), FIG.
  • FIGS. 1 (f) and 1 (fa) By performing these steps, a photocured film 107 (FIG. 1 (f)) having a predetermined pattern shape is formed on the substrate 101.
  • Patent Document 2 discloses an imprint method in which mold release properties are improved by laminating two types of curable compositions and disposing a curable composition having excellent mold release properties on the mold side. be written.
  • a series of process units from the second lamination process (2) to the mold release process (5) is referred to as “shot”, and the mold 205 includes the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2). )
  • a region in contact with 203, that is, a region where a pattern is formed on the substrate 201 is referred to as a “shot region”.
  • the droplets of the curable composition (A2) 203 that are dropped in a discrete manner are indicated by arrows 204 indicating the direction in which the droplets spread on the liquid film of the curable composition (A1) 202. Therefore, the filling time is short and the throughput is high.
  • the detailed mechanism of SST-NIL will be described later.
  • the problem of the SST-NIL that the present invention is to solve is that the composition distribution of the curable composition occurs in the plane due to insufficient mixing of the two liquid curable compositions.
  • the case where two types of curable composition (A1) 202 and curable composition (A2) 203 having different curing characteristics are not mixed and separated will be described with reference to FIG.
  • FIG. 3 shows the light irradiation step (4) and the release step (5) in FIG. 2 again, and further adds an etching step (6).
  • a mixed layer 306 formed by separating the two kinds of curable compositions is formed on the substrate 301, and a cured film 308 is formed by irradiating irradiation light 307 from the mold 305 side. To do. Defects that occur when the cured film 308 is released in the release step (5) will be described.
  • the curable composition (A1) 302 and the curable composition (A2) 303 are separated and mixing is insufficient, the curable composition (A1) 302 and the curable composition (A2) 303 are of two types. When the region having the mechanical strength is generated, the distribution of the mechanical strength is generated, and the region having many falling defects and plug defects is generated.
  • the curable composition (A1) 302 does not contain a photopolymerization initiator
  • the photopolymerization initiator in the curable composition (A2) 303 diffuses into the curable composition (A1) 302 and is curable.
  • the composition (A1) 302 will be cured.
  • the curable composition (A1) 302 that is not sufficiently cured is first removed by etching, resulting in a problem that the etching rate is distributed. .
  • An object of the present invention is to provide an SST-NIL technology in which in-plane distribution is suppressed by using two kinds of liquid curable compositions that are mixed well.
  • the pattern formation method includes a first lamination step (1) in which a layer made of a curable composition (A1) containing at least a component (a1) that is a polymerizable compound is laminated on the surface of a substrate. On the layer made of the curable composition (A1), droplets of the curable composition (A2) containing at least the component (a2) which is a polymerizable compound and the component (b2) which is a photopolymerization initiator are dispersed.
  • a second laminating step (2) in which the liquid is dropped and laminated A mold contact step (3) of sandwiching a mixed layer formed by partially mixing the curable composition (A1) and the curable composition (A2) between a mold having a pattern and the substrate; A light irradiation step (4) for curing the mixed layer by irradiating light from the mold side; A mold release step (5) for separating the mold from the mixed layer after curing; A pattern forming method having The Hansen distance Ra ((a1)-(A2)) between the component (a1) which is the polymerizable compound in the curable composition (A1) and the curable composition (A2) is 6 or less. It is characterized by that.
  • the present invention it is possible to provide the SST-NIL technique in which the in-plane composition distribution is suppressed by using two kinds of liquid curable compositions that are mixed well.
  • the curable compositions (A1) and (A2) according to this embodiment are compositions having at least a component (a) that is a polymerizable compound.
  • the curable composition according to this embodiment may further contain a component (b) that is a photopolymerization initiator, a component (c) that is a non-polymerizable compound, and a component (d) that is a solvent.
  • a cured film means the film
  • the shape of a cured film is not specifically limited, You may have a pattern shape on the surface.
  • Component (a) is a polymerizable compound.
  • the polymerizable compound means a film made of a high molecular compound by a chain reaction (polymerization reaction) by reacting with a polymerization factor (radical etc.) generated from the component (b) which is a photopolymerization initiator. It is a compound that forms.
  • polymerizable compounds examples include radical polymerizable compounds.
  • the component (a) which is a polymerizable compound may be composed of only one type of polymerizable compound or may be composed of a plurality of types of polymerizable compounds.
  • the radical polymerizable compound is preferably a compound having at least one acryloyl group or methacryloyl group, that is, a (meth) acrylic compound. Therefore, the curable composition according to the present embodiment preferably includes a (meth) acrylic compound as the component (a), more preferably the main component of the component (a) is a (meth) acrylic compound, Most preferably, all of (a) are (meth) acrylic compounds. In addition, that the main component of the component (a) described here is a (meth) acrylic compound indicates that 90% by weight or more of the component (a) is a (meth) acrylic compound.
  • the radical polymerizable compound is composed of a plurality of types of compounds having one or more acryloyl groups or methacryloyl groups
  • Examples of monofunctional (meth) acrylic compounds having one acryloyl group or methacryloyl group include phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxy-2-methylethyl (meth) acrylate, phenoxyethoxyethyl (meth) acrylate, and 3-phenoxy.
  • polyfunctional (meth) acrylic compounds having two or more acryloyl groups or methacryloyl groups include trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and EO-modified trimethylolpropane tri (meth).
  • UV SA1002 As a commercial item of the said polyfunctional (meth) acryl compound, Iupimer (trademark) UV SA1002, SA2007 (above, Mitsubishi Chemical make), Biscote # 195, # 230, # 215, # 260, # 335HP, # 295, # 300, # 360, # 700, GPT, 3PA (above, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry), Light Acrylate 4EG-A, 9EG-A, NP-A, DCP-A, BP-4EA, BP-4PA, TMP- A, PE-3A, PE-4A, DPE-6A (manufactured by Kyoeisha Chemical), KAYARAD (registered trademark) PET-30, TMPTA, R-604, DPHA, DPCA-20, -30, -60, -120 HX-620, D-310, D-330 (Nippon Kayaku Co., Ltd.), Aronix (registered trademark) M208, M210, M215 M220, M240, M305,
  • (meth) acrylate means acrylate or methacrylate having an alcohol residue equivalent thereto.
  • the (meth) acryloyl group means an acryloyl group or a methacryloyl group having an alcohol residue equivalent thereto.
  • EO represents ethylene oxide
  • EO-modified compound A refers to a compound in which the (meth) acrylic acid residue and alcohol residue of compound A are bonded via a block structure of an ethylene oxide group.
  • PO represents propylene oxide
  • PO-modified compound B refers to a compound in which the (meth) acrylic acid residue and alcohol residue of compound B are bonded via a block structure of a propylene oxide group.
  • the blending ratio of the component (a1) which is a polymerizable compound in the curable composition (A1) excludes the total weight of the component (a1), the component (b1) and the component (c1), that is, the component (d1) which is a solvent. It is good in it being 50 to 100 weight% with respect to the total weight of the component of a curable composition (A1). Further, it is preferably 80% by weight or more and 100% by weight or less, more preferably more than 90% by weight and 100% by weight or less.
  • the cured film obtained can be a cured film having a certain degree of mechanical strength.
  • the cured film obtained can be a cured film having a certain degree of mechanical strength.
  • the curable composition (A1) preferably contains the component (d1), and the component (a1) is a component of the curable composition (A1) containing the component (d1) which is a solvent. It is good that it is 0.01 weight% or more and 10 weight% or less with respect to the total weight.
  • Component (b) is a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator is a compound that generates the polymerization factor (radical) by sensing light of a predetermined wavelength.
  • the photopolymerization initiator is a polymerization initiator (radical generator) that generates radicals by light (infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, charged particle beams such as X-rays, electron beams, etc., radiation). It is.
  • Component (b) may be composed of one type of photopolymerization initiator, or may be composed of a plurality of types of photopolymerization initiators.
  • radical generator examples include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- May have a substituent such as (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o- or p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 4,5-triarylimidazole dimer; benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-methoxy -4'-dimethylaminobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, 4,4'-diaminobenz
  • Examples of commercially available radical generators include Irgacure 184, 369, 651, 500, 819, 907, 784, 2959, CGI-1700, -1750, -1850, CG24-61, Darocur 1116, 1173, Lucirin (registered trademark). Examples include, but are not limited to, TPO, LR8883, LR8970 (above, manufactured by BASF), Ubekrill P36 (manufactured by UCB), and the like.
  • the component (b) is preferably an acyl phosphine oxide polymerization initiator.
  • acylphosphine oxide polymerization initiators are 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis (2 , 6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide.
  • the curable composition (A1) preferably has substantially no photoreactivity.
  • the blending ratio in the curable composition (A1) of the component (b1) that is the photopolymerization initiator is the total weight of the component (a1), the component (b1), and the component (c1) described later, that is, the solvent. It is preferable that it is less than 0.1 weight% with respect to the total weight of the component of curable composition (A1) except a certain component (d1). Further, it is more preferably 0.01% by weight or less.
  • the curable composition By setting the blending ratio of the component (b1) in the curable composition (A1) to less than 0.1% by weight based on the total weight of the component (a1), the component (b1) and the component (c1), the curable composition
  • the article (A1) has substantially no photoreactivity, and the curable composition (A1) laminated outside the shot area is photocured by the irradiation light leaking out of the shot area. The problem can be prevented.
  • the blending ratio of the component (b2) that is a photopolymerization initiator in the curable composition (A2) is the total weight of the component (a2), the component (b2), and the component (c2) described later, that is, the component (d2) that is a solvent.
  • the blending ratio of the component (b2) in the curable composition (A2) By setting the blending ratio of the component (b2) in the curable composition (A2) to 0.1% by weight or more based on the total weight of the component (a2), the component (b2), and the component (c2), The curing speed is increased and the reaction efficiency can be improved. Moreover, the cured film obtained has a certain degree of mechanical strength by setting the blending ratio of component (b2) to 50% by weight or less with respect to the total of component (a2), component (b2), and component (c2). It can be set as a cured film.
  • Non-polymerizable compound Non-polymerizable compound
  • the component (c) which is a nonpolymerizable compound can be contained.
  • Such a component (c) does not have a polymerizable functional group such as a (meth) acryloyl group, and has the ability to generate the polymerization factor (radical) by sensing light of a predetermined wavelength.
  • No compound. Examples include sensitizers, hydrogen donors, internal release agents, surfactants, antioxidants, polymer components, and other additives. You may contain multiple types of the said compound as a component (c).
  • a sensitizer is a compound added as appropriate for the purpose of promoting the polymerization reaction or improving the reaction conversion rate.
  • the sensitizer include sensitizing dyes.
  • the sensitizing dye is a compound that is excited by absorbing light of a specific wavelength and interacts with the component (b) that is a photopolymerization initiator.
  • the interaction described here is an energy transfer, an electron transfer, etc. from the sensitizing dye of an excited state to the component (b) which is a photoinitiator.
  • sensitizing dyes include anthracene derivatives, anthraquinone derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, carbazole derivatives, benzophenone derivatives, thioxanthone derivatives, xanthone derivatives, coumarin derivatives, phenothiazine derivatives, camphorquinone derivatives, acridine dyes, thiopyrylium salt series Dyes, merocyanine dyes, quinoline dyes, styrylquinoline dyes, ketocoumarin dyes, thioxanthene dyes, xanthene dyes, oxonol dyes, cyanine dyes, rhodamine dyes, pyrylium salt dyes, etc. It is not limited to these.
  • a sensitizer may be used individually by 1 type and may be used in mixture of 2 or more types.
  • the hydrogen donor is a compound that reacts with an initiation radical generated from the component (b) that is a photopolymerization initiator or a radical at a polymerization growth terminal to generate a more reactive radical. It is preferable to add when the component (b) which is a photoinitiator is a photoradical generator.
  • hydrogen donor examples include n-butylamine, di-n-butylamine, allylthiourea, triethylamine, triethylenetetramine, 4,4′-bis (dialkylamino) benzophenone, N, N-dimethylaminobenzoic acid.
  • the hydrogen donor one kind may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used. Further, the hydrogen donor may have a function as a sensitizer.
  • An internal release agent can be added to the curable composition for the purpose of reducing the interfacial bonding force between the mold and the resist, that is, reducing the release force in the release step described later.
  • the internally added type means that it is added to the curable composition in advance before the step of arranging the curable composition.
  • the internally added mold release agent surfactants such as silicone surfactants, fluorine surfactants and hydrocarbon surfactants can be used.
  • the internally added mold release agent is not polymerizable.
  • Fluorosurfactants include polyalkylene oxide (polyethylene oxide, polypropylene oxide, etc.) adducts of alcohols having a perfluoroalkyl group, polyalkylene oxide (polyethylene oxide, polypropylene oxide, etc.) adducts of perfluoropolyether, etc. included.
  • the fluorine-based surfactant may have a hydroxyl group, an alkoxy group, an alkyl group, an amino group, a thiol group, or the like as part of the molecular structure (for example, a terminal group).
  • a commercially available product may be used as the fluorosurfactant.
  • Commercially available products include, for example, MegaFace (registered trademark) F-444, TF-2066, TF-2067, TF-2068 (above, manufactured by DIC), Florard FC-430, FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M) , Surflon (registered trademark) S-382 (manufactured by AGC), EFTOP EF-122A, 122B, 122C, EF-121, EF-126, EF-127, MF-100 (above, manufactured by Tochem Products), PF-636 , PF-6320, PF-656, PF-6520 (above, OMNOVA Solutions), Unidyne (registered trademark) DS-401, DS-403, DS-451 (above, manufactured by Daikin Industries), Footent (registered trademark) 250, 251, 222F, 208G (Neos).
  • the internally added mold release agent may be a hydrocarbon surfactant.
  • the hydrocarbon-based surfactant include an alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct obtained by adding an alkylene oxide having 2 to 4 carbon atoms to an alkyl alcohol having 1 to 50 carbon atoms.
  • the alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct include methyl alcohol ethylene oxide adduct, decyl alcohol ethylene oxide adduct, lauryl alcohol ethylene oxide adduct, cetyl alcohol ethylene oxide adduct, stearyl alcohol ethylene oxide adduct, stearyl alcohol ethylene oxide adduct / Examples thereof include propylene oxide adducts.
  • the terminal group of the alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct is not limited to a hydroxyl group that can be produced by simply adding a polyalkylene oxide to an alkyl alcohol.
  • This hydroxyl group may be substituted with other substituents, for example, a polar functional group such as a carboxyl group, an amino group, a pyridyl group, a thiol group, and a silanol group, and a hydrophobic functional group such as an alkyl group and an alkoxy group.
  • alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct a commercially available product may be used.
  • examples of commercially available products include polyoxyethylene methyl ether (methyl alcohol ethylene oxide adduct) (BLAUNON MP-400, MP-550, MP-1000) manufactured by Aoki Yushi Kogyo, and polyoxyethylene decyl ether manufactured by Aoki Yushi Kogyo.
  • (Decyl alcohol ethylene oxide adduct) FINESURF D-1303, D-1305, D-1307, D-1310), polyoxyethylene lauryl ether (lauryl alcohol ethylene oxide adduct) (BLAUNON EL-1505) manufactured by Aoki Oil & Fats Industries, Ltd.
  • Stearyl ether (BLAUNON SA-50 / 50 1000R, SA-30 / 70 2000R), BASF polyoxyethylene methyl ether (Pluriol (registered trademark) A760E), Kao polyoxyethylene alkyl ether (Emulgen series), etc. Can be mentioned.
  • the internally added mold release agent is preferably an alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct, and more preferably a long-chain alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct.
  • One type of internally added mold release agent may be used alone, or two or more types may be mixed and used.
  • the blending ratio in the curable composition of the component (c) which is a non-polymerizable compound is the total weight of the component (a), the component (b) and the component (c) described later, that is, the components of the curable composition excluding the solvent. It is good that it is 0 weight% or more and 50 weight% or less with respect to the total weight. Further, it is preferably 0.1% by weight or more and 50% by weight or less, and more preferably 0.1% by weight or more and 20% by weight or less.
  • Curing the resulting cured film with a certain degree of mechanical strength by adjusting the blending ratio of component (c) to 50% by weight or less with respect to the total weight of component (a), component (b) and component (c) It can be a membrane.
  • the curable composition concerning this embodiment may contain the component (d) which is a solvent.
  • the component (d) is not particularly limited as long as it is a solvent in which the component (a), the component (b), and the component (c) are dissolved.
  • a preferable solvent is a solvent having a boiling point of 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower at normal pressure. More preferably, it is a solvent having at least one of an ester structure, a ketone structure, a hydroxyl group, and an ether structure.
  • propylene glycol monomethyl ether acetate propylene glycol monomethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone, ⁇ -butyrolactone, ethyl lactate, or a mixed solvent thereof.
  • the curable composition (A1) according to this embodiment preferably contains the component (d1). This is because, as will be described later, a spin coating method is preferable as a method for applying the curable composition (A1) onto the substrate.
  • the degree of mixing of the two curable compositions can be represented by Hansen distance Ra using the Hansen solubility parameter described below.
  • the Hansen distance Ra ((a1)-(A2)) between the component (a1) which is a polymerizable compound in the curable composition (A1) and the curable composition (A2) is 6 or less.
  • it is preferably 3 or less.
  • the Hansen distance Ra ((a1)-(A2)) is 6 or less, preferably 3 or less, rapid mixing and uniformity of the cured product can be obtained.
  • the dispersion term, the polar term, and the hydrogen bond term of the Hansen solubility parameter of the component (a1) which is the polymerizable compound in the curable composition (A1) are respectively ⁇ d (a1) , ⁇ p (a1), ⁇ h (a1) [unit (MPa) 1/2], and the Hansen solubility parameter of the curable composition (A2) is represented by ⁇ d (A2 ), ⁇ p (A2), ⁇ h (A2) [unit (MPa) 1/2].
  • the Hansen solubility parameter is the software Hansen Solubility Parameters in Practice (HSPIP) 4thEdition, which calculates the Hansen solubility parameter from the chemical structure. 4. It can be calculated by 0.05 or the like. Moreover, the Hansen solubility parameter of the composition consisting of a plurality of types of compounds is calculated by the volume ratio of the Hansen solubility parameter of each compound.
  • HPIP Hansen Solubility Parameters in Practice
  • the component (b2) that is the photopolymerization initiator of the curable composition (A2) is converted into the curable composition (A1). ).
  • the curable composition (A1) does not have photoreactivity alone, the curable composition (A1) is transferred by migration of the component (b2) which is a photopolymerization initiator of the curable composition (A2). Gains photoreactivity for the first time.
  • the component (b2) that is the photopolymerization initiator in the curable composition (A2) is more curable than the component (a2) that is the polymerizable compound in the curable composition (A2).
  • the Hansen distance Ra ((a2)-(b2)) between the component (a2) which is a polymerizable compound of the curable composition (A2) described here and the component (b2) which is a photopolymerization initiator is represented by the formula ( 2)
  • b2) is defined by equation (3).
  • Ra ((a2) ⁇ (b2)) (4 ( ⁇ d (a2) ⁇ d (b2)) 2 + ( ⁇ p (a2) ⁇ p (b2)) 2 + ( ⁇ h (a2) ⁇ h (b2)) 2 ) 1/2 formula (2)
  • Ra ((a1) ⁇ (b2)) (4 ( ⁇ d (a1) ⁇ d (b2)) 2 + ( ⁇ p (a1) ⁇ p (b2)) 2 + ( ⁇ h (a1) ⁇ h (b2)) 2 ) 1/2 formula (3)
  • the dispersion term, the polar term, and the hydrogen bond term of the component (a1) which is the polymerizable compound in the curable composition (A1) are respectively represented by ⁇ d (a1), ⁇ p (a1), ⁇ h (a1) [(MPa) 1/2], and the dispersion term, the polar term, and the hydrogen bond term of the component (a2) that is the polymerizable compound in the curable composition (A2), ⁇ d (a2), ⁇ p (a2), and ⁇ h (a2) [(MPa) 1/2].
  • the dispersion term, the polar term, and the hydrogen bond term of the component (b2) which is the photopolymerization initiator in the curable composition (A2) are respectively set to ⁇ d (b2), ⁇ p (b2), ⁇ h (b2) [( MPa) 1/2].
  • each component is mixed and dissolved under predetermined temperature conditions. Specifically, it is performed in the range of 0 ° C. or higher and 100 ° C. or lower.
  • the curable compositions (A1) and (A2) according to this embodiment are preferably liquids. This is because the spread and fill of the curable composition (A1) and / or (A2) are completed quickly, that is, the filling time is short in the mold contact step described later.
  • the viscosity at 25 ° C. of the composition of the curable composition (A1) excluding the component (d1) which is the solvent according to the present embodiment is preferably 1 mPa ⁇ s or more and 1000 mPa ⁇ s or less. Further, it is more preferably 1 mPa ⁇ s or more and 500 mPa ⁇ s or less, and further preferably 1 mPa ⁇ s or more and 100 mPa ⁇ s or less.
  • the viscosity at 25 ° C. of the composition of the curable composition (A2) excluding the component (d2) that is the solvent according to the present embodiment is preferably 1 mPa ⁇ s or more and 100 mPa ⁇ s or less. Further, it is more preferably 1 mPa ⁇ s or more and 50 mPa ⁇ s or less, and further preferably 1 mPa ⁇ s or more and 12 mPa ⁇ s or less.
  • Non-Patent Document 1 That is, by using the curable composition according to the present embodiment, the optical nanoimprint method can be performed with high throughput. Also, pattern defects due to poor filling are less likely to occur.
  • the viscosity is set to 1 mPa ⁇ s or more, uneven coating hardly occurs when the curable compositions (A1) and (A2) are applied on the substrate. Further, when the curable compositions (A1) and (A2) are brought into contact with the mold, the curable compositions (A1) and (A2) are less likely to flow out from the end of the mold.
  • the surface tension of the curable compositions (A1) and (A2) according to the present embodiment is 23 ° C. for the composition of the curable composition (A1) or the component (A2) excluding the component (d) as a solvent.
  • the surface tension is preferably 5 mN / m or more and 70 mN / m or less. More preferably, it is 7 mN / m or more and 50 mN / m or less, More preferably, it is 10 mN / m or more and 40 mN / m or less.
  • Non-Patent Document 1 As the surface tension is higher, for example, when the surface tension is 5 mN / m or more, the capillary force works strongly, so when the curable composition (A1) and / or (A2) is brought into contact with the mold, the filling (spread) And fill) are completed in a short time (Non-Patent Document 1).
  • a cured film obtained by curing the curable composition becomes a cured film having surface smoothness.
  • the component of the curable composition (A2) excluding the component (d2) which is the solvent has a surface tension of the component of the curable composition (A1) excluding the component (d1) which is the solvent.
  • the surface tension of the composition is preferably higher.
  • the Marangoni effect is a phenomenon of free surface movement caused by a local difference in the surface tension of the liquid (Non-Patent Document 2).
  • Non-Patent Document 2 Using the difference in surface tension as a driving force, diffusion occurs such that a liquid having a low surface tension covers a wider surface. That is, if the curable composition (A1) having a high surface tension is applied to the entire surface of the substrate and the curable composition (A2) having a low surface tension is dropped, the pre-spread of the curable composition (A2) is accelerated. It is done.
  • the contact angle of the curable compositions (A1) and (A2) according to the present embodiment is the substrate surface of the curable composition (A1) or the composition of the component (A2) excluding the component (d) that is a solvent. And 0 ° or more and 90 ° or less with respect to both of the mold surface.
  • the contact angle is larger than 90 °, the capillary force acts in the negative direction (the direction in which the contact interface between the mold and the curable composition is contracted) in the mold pattern or in the gap between the substrate and the mold and is not filled. It is particularly preferable that the angle is 0 ° or more and 30 ° or less. Since the capillary force works stronger as the contact angle is lower, the filling speed is faster (Non-Patent Document 1).
  • the viscosity, surface tension, and contact angle of the curable compositions (A1) and (A2) according to this embodiment can be changed by adding the component (d) as a solvent, but the component (d ) Prevents the curing of the curable composition. Therefore, in this embodiment, it is preferable to set the viscosity, surface tension, and contact angle of the components of the curable composition (A1) excluding the component (d) as a solvent to predetermined values.
  • the curable compositions (A1) and (A2) according to this embodiment contain no impurities as much as possible.
  • the impurities described here mean those other than the component (a), component (b), component (c) and component (d) described above.
  • the curable composition according to the present embodiment is obtained through a purification process.
  • a purification step filtration using a filter or the like is preferable.
  • a pore size of 0.001 ⁇ m or more and 5. It is preferable to filter with a filter of 0 ⁇ m or less. When performing filtration using a filter, it is more preferable to carry out in multiple stages or repeat many times. Moreover, you may filter the filtered liquid again. Filtration may be performed using a plurality of filters having different pore diameters.
  • filters made of polyethylene resin, polypropylene resin, fluororesin, nylon resin, etc. can be used, but are not particularly limited.
  • impurities such as particles mixed in the curable composition can be removed. Thereby, it can prevent that the unevenness
  • an impurity containing a metal atom (metal) in the curable composition is used so as not to hinder the operation of the product. It is preferable to avoid contamination of impurities) as much as possible.
  • the concentration of the metal impurities contained in the curable composition is preferably 10 ppm or less, and more preferably 100 ppb or less.
  • the pattern formation method according to the present embodiment is an embodiment of an optical nanoimprint method.
  • the pattern forming method of this embodiment is A first laminating step (1) for laminating the curable composition (A1) 202 of the present embodiment described above on the substrate 201; A second lamination step (2) of laminating the curable composition (A2) 203 on the layer of the curable composition (A1) 202; A mold contact step (3) of sandwiching a mixed layer 206 formed by partially mixing the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 between the mold 205 having a pattern and the substrate 201; A light irradiation step (4) for curing the mixed layer 206 formed by partially mixing the two curable compositions at a time by irradiating the irradiation light 207 from the mold 205 side; A mold release step (5) for separating the mold 205 from the cured film 208 made of the curable composition after curing; Have
  • the cured film obtained by the method for producing a cured film having a pattern shape according to this embodiment is preferably a film having a pattern having a size of 1 nm or more and 10 mm or less.
  • a film having a pattern having a size of 10 nm or more and 100 ⁇ m or less is more preferable.
  • a pattern forming technique for producing a film having a nano-size (1 nm or more and 100 nm or less) pattern (uneven structure) using light is called an optical nanoimprint method.
  • the pattern forming method according to the present embodiment uses an optical nanoimprint method.
  • each step will be described.
  • the substrate 201 on which the curable composition (A1) 202 is to be placed is a substrate to be processed, and a silicon wafer is usually used.
  • a layer to be processed may be formed over the substrate 201.
  • Another layer may be formed between the substrate 201 and the layer to be processed. If a quartz substrate is used as the substrate 201, a replica of the quartz imprint mold (mold replica) can be produced.
  • the substrate 201 is not limited to a silicon wafer or a quartz substrate.
  • the substrate 201 can be arbitrarily selected from those known as semiconductor device substrates such as aluminum, titanium-tungsten alloy, aluminum-silicon alloy, aluminum-copper-silicon alloy, silicon oxide, and silicon nitride. .
  • the surface of the substrate 201 (substrate to be processed) or the layer to be used is subjected to surface treatment such as silane coupling treatment, silazane treatment, or organic thin film formation, and the curable composition (A1) 202 and curability.
  • the adhesiveness with the composition (A2) 203 may be improved.
  • the curable composition (A1) 202 on the substrate 201 or the layer to be processed
  • a method of disposing the curable composition (A1) 202 on the substrate 201 or the layer to be processed for example, an inkjet method, a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a wire bar coating method.
  • Gravure coating method, extrusion coating method, spin coating method, slit scanning method and the like can be used.
  • the spin coating method is particularly preferable.
  • a baking process may be performed as necessary to volatilize the component (d1) as a solvent.
  • membrane of curable composition (A1) 202 changes also with the uses to be used, it is 0.1 nm or more and 10,000 nm or less, for example, Preferably they are 1 nm or more and 20 nm or less, Especially preferably. Is from 1 nm to 10 nm.
  • ⁇ Second laminating step (2)> In this step (second lamination step), as shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d), droplets of the curable composition (A 2) 203 are placed on the layer of the curable composition (A 1) 202. It is preferable to dispose them in a discrete manner. As an arrangement method, an inkjet method is particularly preferable.
  • the droplets of the curable composition (A2) 203 are densely deposited on the substrate 201 facing the region where the concave portions are densely present on the mold 205, and on the substrate 201 facing the region where the concave portions are sparsely present. Sparsely arranged. Thereby, the residual film 108 (see FIG.
  • the atmosphere in which the curable composition (A2) 203 is disposed may be performed in an atmosphere containing a condensable gas (hereinafter referred to as “condensable gas atmosphere”).
  • condensable gas atmosphere By disposing in a condensable gas atmosphere, the condensable gas dissolves in the droplets of the curable composition (A2) 203, the viscosity of the droplets decreases, and the droplets spread further. Another aspect of the condensable gas will be described in the next mold contact step.
  • the droplets of the curable composition (A2) 203 arranged in this step quickly spread by the Marangoni effect using the difference in surface tension as the driving force.
  • Pre-spread (FIGS. 2 (c) and 2 (d)).
  • the inventors of the present invention partially mix the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 in the pre-spread process, and also polymerize in the curable composition (A1) 202. It has been found that the degree of mixing of the component (a1), which is a curable compound, and the curable composition (A2) 203 affects the homogeneity of the cured product.
  • the degree of mixing affects the uniformity of the cured product, for example, the mechanical strength, photocuring property, and etching resistance uniformity.
  • the Hansen distance Ra ((a1)-(A2)) between the component (a1) which is a polymerizable compound of the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 is used.
  • the distance Ra ((a1)-(b2)) is a component (b2) that is a polymerizable compound in the curable composition (A2) 203 and a component that is a polymerizable compound in the curable composition (A2) 203 ( Since the Hansen distance Ra ((a2)-(b2)) of a2) is smaller, the mixing of the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 proceeds rapidly and uniformly, and the cured product Homogeneity, eg mechanical strength, photocuring, etch Uniformity of grayed
  • the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 formed in the previous step (first and second lamination steps) are partially mixed.
  • a mold 205 having an original pattern for transferring the pattern shape is brought into contact with the liquid layer.
  • the liquid formed by partially mixing the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 is filled (filled) into the concave portion of the fine pattern on the surface of the mold 205, and the mold 205 is filled.
  • the liquid film is filled (filled) into the fine pattern.
  • a mold 205 made of a light-transmitting material may be used in consideration of the next process (light irradiation process).
  • the material constituting the mold 205 include light transmissive resin such as glass, quartz, PMMA, and polycarbonate resin, transparent metal vapor-deposited film, flexible film such as polydimethylsiloxane, photocured film, and metal film. Etc. are preferred.
  • a light transmissive resin is used as the material of the mold 205, it is necessary to select a resin that does not dissolve in the components contained in the curable composition. Since the coefficient of thermal expansion is small and the pattern distortion is small, the material of the material constituting the mold 205 is particularly preferably quartz.
  • the fine pattern on the surface of the mold 205 preferably has a pattern height of 4 nm or more and 200 nm or less.
  • Adjacent resist patterns may come into contact with each other due to the elastic deformation of the resist pattern due to an impact when the mold 205 is peeled off, and the resist pattern may be fused or damaged. If the ratio is 2 or less, there is a high possibility that these problems can be avoided.
  • the pattern height is too low, the processing accuracy of the substrate 201 (substrate to be processed) is low.
  • the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A1) 202 and the curable composition are used in order to improve the peelability between the curable composition (A2) 203 and the surface of the mold 205.
  • A2 Surface treatment may be performed before this step, which is a die contact step between 203 and the mold 205. Examples of the surface treatment method include a method of applying a release agent to the surface of the mold 205 to form a release agent layer.
  • a mold release agent to be applied to the surface of the mold 205 a silicone mold release agent, a fluorine mold release agent, a hydrocarbon mold release agent, a polyethylene mold release agent, a polypropylene mold release agent, a paraffin mold release agent.
  • a mold agent examples thereof include a mold agent, a montan release agent, and a carnauba release agent.
  • a commercially available coating mold release agent such as OPTOOL (registered trademark) DSX manufactured by Daikin Industries, Ltd. can be suitably used.
  • a mold release agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. Of these, fluorine-based and hydrocarbon-based release agents are particularly preferable.
  • the curable composition is used.
  • the pressure applied to (A1) 202 and curable composition (A2) 203 is not particularly limited.
  • the pressure is preferably 0 MPa or more and 100 MPa or less.
  • the pressure is preferably 0 MPa or more and 50 MPa or less, more preferably 0 MPa or more and 30 MPa or less, and further preferably 0 MPa or more and 20 MPa or less.
  • the spread of the curable composition (A2) 203 in this step is promptly Complete.
  • the spread is finally completed and the concentration of the curable composition (A1) 202 is high.
  • the curable composition (A1) Since the contact angle of 202 is low, the fill is completed quickly also in this region.
  • the mold 205, the curable composition (A1) 202, and the curable property are used.
  • the time for contacting the composition (A2) 203 can be set short. That is, one of the effects of the present invention is that many pattern forming steps can be completed in a short time and high productivity can be obtained.
  • the time for contact is not particularly limited, but may be, for example, 0.1 seconds to 600 seconds.
  • the time is preferably 0.1 second or more and 3 seconds or less, particularly preferably 0.1 second or more and 1 second or less. If it is shorter than 0.1 seconds, spread and fill are insufficient, and defects called unfilled defects tend to occur frequently.
  • this step can be performed under any conditions of air atmosphere, reduced pressure atmosphere, and inert gas atmosphere, it can prevent the influence of oxygen and moisture on the curing reaction.
  • a gas atmosphere is preferable.
  • Specific examples of the inert gas that can be used when this step is performed in an inert gas atmosphere include nitrogen, carbon dioxide, helium, argon, various chlorofluorocarbons, and a mixed gas thereof.
  • a preferable pressure is 0.0001 atm or more and 10 atm or less.
  • the mold contact step may be performed in a condensable gas atmosphere.
  • the condensable gas means a curable composition (A1) 202 and a curable composition (A2) 203 in a concave portion of a fine pattern formed on the mold 205 and a gap between the mold 205 and the substrate 201.
  • the gas in the atmosphere is filled together with the gas, the gas is condensed and liquefied by the capillary pressure generated at the time of filling.
  • the condensable gas exists as a gas in the atmosphere before the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 and the mold 205 come into contact with each other in the mold contact step (FIG. 1 (d) and 1 (da)).
  • the gas filled in the concave portions of the fine pattern is liquefied by the capillary pressure generated by the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203. Since the bubbles disappear, the filling property is excellent.
  • the condensable gas may be dissolved in the curable composition (A1) 202 and / or the curable composition (A2) 203.
  • the boiling point of the condensable gas is not limited as long as it is equal to or lower than the atmospheric temperature in the mold contact step, but is preferably ⁇ 10 ° C. to 23 ° C., more preferably 10 ° C. to 23 ° C. If it is this range, a filling property will be further excellent.
  • the vapor pressure of the condensable gas at the ambient temperature in the mold contact process is such that the mold 205, the curable composition (A1) 202, and the curable composition (A2) 203 when they are imprinted in the mold contact process are brought into contact with each other.
  • the pressure applied to the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 is not limited, but is preferably 0.1 to 0.4 MPa. If it is this range, a filling property will be further excellent.
  • the vapor pressure at the atmospheric temperature is larger than 0.4 MPa, there is a tendency that the effect of eliminating the bubbles cannot be obtained sufficiently.
  • the vapor pressure at the ambient temperature is less than 0.1 MPa, pressure reduction is required and the apparatus tends to be complicated.
  • the atmosphere temperature in the mold contact step is not particularly limited, but is preferably 20 ° C to 25 ° C.
  • the condensable gas include chlorofluorocarbon (CFC) such as trichlorofluoromethane, fluorocarbon (FC), hydrochlorofluorocarbon (HCFC), 1,1,1,3,3-pentafluoropropane (CHF 2 CH 2 Fluorocarbons such as hydrofluorocarbon (HFC) such as CF 3 , HFC-245fa, PFP) and hydrofluoroether (HFE) such as pentafluoroethyl methyl ether (CF 3 CF 2 OCH 3 , HFE-245mc) .
  • CFC chlorofluorocarbon
  • HFC hydrofluorocarbon
  • HFC-245fa 1,1,1,3,3-pentafluoropropane
  • HFE hydrofluoroether
  • 1,1,1,3,3-pentafluoropropane vapour pressure at 23 ° C., 0.14 MPa, from the viewpoint of excellent filling properties at an atmospheric temperature of 20 ° C. to 25 ° C. in the mold contact process. Boiling point 15 ° C.), trichlorofluoromethane (vapor pressure 0.1056 MPa at 23 ° C., boiling point 24 ° C.), and pentafluoroethyl methyl ether are preferred. Furthermore, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane is particularly preferable from the viewpoint of excellent safety.
  • One type of condensable gas may be used alone, or two or more types may be mixed and used.
  • condensable gases may be used by mixing with non-condensable gases such as air, nitrogen, carbon dioxide, helium, and argon.
  • the non-condensable gas mixed with the condensable gas is preferably helium from the viewpoint of filling properties. Helium can pass through the mold 205. Therefore, in the concave portion of the fine pattern formed on the mold 205 in the mold contact step, the gas (condensable gas and helium) together with the curable composition (A1) 202 and / or the curable composition (A2) 203 is contained. ) Is condensed, the condensable gas liquefies and helium passes through the mold 205.
  • a mold is formed on a mixed layer 206 formed by partially mixing the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203.
  • Irradiation light 207 is irradiated through 205.
  • the curable composition (A1) 202 and / or the curable composition (A2) 203 filled in the fine pattern of the mold 205 is irradiated with the irradiation light 207 through the mold 205.
  • the curable composition (A1) 202 and / or the curable composition (A2) 203 filled in the fine pattern of the mold 205 is cured by the irradiation light 207 to become a cured film 208 having a pattern shape.
  • the irradiation light 207 for irradiating the curable composition (A1) 202 and / or the curable composition (A2) 203 filled in the fine pattern of the mold 205 is the curable composition (A1) 202 and the curable composition. It is selected according to the sensitivity wavelength of the composition (A2) 203. Specifically, it is preferable to appropriately select and use ultraviolet light having a wavelength of 150 nm to 400 nm, X-rays, electron beams, and the like.
  • the irradiation light 207 is particularly preferably ultraviolet light. This is because many commercially available curing aids (photopolymerization initiators) are sensitive to ultraviolet light. Examples of light sources that emit ultraviolet light include high pressure mercury lamps, ultrahigh pressure mercury lamps, low pressure mercury lamps, deep-UV lamps, carbon arc lamps, chemical lamps, metal halide lamps, xenon lamps, KrF excimer lasers, ArF excimer lasers, and F 2. Although an excimer laser etc. are mentioned, an ultrahigh pressure mercury lamp is especially preferable. Further, the number of light sources used may be one or plural.
  • the irradiation may be performed on the entire surface of the curable composition (A1) 202 and / or the curable composition (A2) 203 filled in the fine pattern of the mold 205, and in a partial region. You may only go.
  • the light irradiation may be intermittently performed a plurality of times on the entire region on the substrate 201, or the entire region may be continuously irradiated. Furthermore, the partial area A may be irradiated in the first irradiation process, and the area B different from the area A may be irradiated in the second irradiation process.
  • the diffusion of the leaked light that is, the light outside the shot area is inevitable due to the cost constraints of the mold 205 and the apparatus.
  • the curable composition (A1) 202 has substantially no photoreactivity.
  • the curable composition (A1) 202 is curable by setting the blending ratio of the component (b) to less than 0.1% by weight based on the total of the component (a), the component (b), and the component (c).
  • the composition (A1) 202 has substantially no photoreactivity, and the curable composition (A1) 202 laminated outside the shot region is light-irradiated by the irradiation light 207 leaking out of the shot region. The problem of curing can be prevented.
  • the cured film 208 having a pattern shape and the mold 205 are separated.
  • this step (release step) as shown in FIG. 2H, the cured film 208 having a pattern shape and the mold 205 are separated from each other, and formed on the mold 205 in the step (4) (light irradiation step). Further, the cured film 208 having a pattern shape that becomes a reverse pattern of the fine pattern is obtained in a self-supporting state. Note that a cured film remains in the concave portion of the uneven pattern of the cured film 208 having a pattern shape, and this film is referred to as a remaining film 108 (see FIG. 1 (fa)).
  • the method of separating the cured film 208 having a pattern shape from the mold 205 is not particularly limited as long as a part of the cured film 208 having the pattern shape is not physically damaged when being separated, and various conditions are not particularly limited.
  • the substrate 201 substrate to be processed
  • the mold 205 may be fixed and the substrate 201 may be moved away from the mold 205 to be peeled off.
  • both of them may be peeled by pulling in the opposite direction.
  • a cured film 208 having a desired uneven pattern shape (a pattern shape due to the uneven shape of the mold 205) at a desired position is obtained. be able to.
  • the curable composition (A1) 202 is collectively laminated on most of the surface of the substrate 201 in the step (1), and the steps (2) to (5) are performed.
  • the steps (1) to (5) may be repeated a plurality of times on the same substrate.
  • the repeating unit (shot) consisting of step (1) to step (5) or step (2) to step (5) a plurality of times, a plurality of desired irregularities are formed at a desired position on the substrate 201 (substrate to be processed).
  • a cured film 208 having a pattern shape (a pattern shape resulting from the uneven shape of the mold 205) can be obtained.
  • the substrate 201 (substrate to be processed) or a layer to be processed on the substrate 201 (substrate to be processed) is etched.
  • a processed substrate can be obtained by processing into a pattern using a processing means.
  • pattern transfer may be performed using a processing means such as etching. In this way, a circuit structure based on the pattern shape of the cured film 208 having a pattern shape can be formed on the substrate 201. Thereby, the circuit board utilized by a semiconductor element etc. can be manufactured.
  • circuit board by connecting the circuit board and a circuit control mechanism of the circuit board, electronic devices such as a display, a camera, and a medical device can be formed.
  • electronic devices such as a display, a camera, and a medical device can be formed.
  • the semiconductor element here include LSI, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM, and NAND flash.
  • a cured film 208 having a pattern shape is produced through steps (1) to (5), and pattern transfer is performed using a processing means such as etching to produce a quartz imprint mold. It is also possible to produce a quartz mold replica.
  • the present invention forms a liquid film as a pretreatment coating on a substrate, and applies droplets made of the curable composition (A2) to the liquid film, thereby spreading droplet components in the substrate surface direction.
  • An imprint pretreatment coating material comprising a curable composition (A1) that promotes The Hansen distance Ra ((a1)-(A2)) between the component (a1) which is a polymerizable compound in the imprint pretreatment coating material and the curable composition (A2) of the applied droplets is An imprint pretreatment coating material characterized in that it is 6 or less.
  • the surface tension of the imprint pretreatment coating is higher than the surface tension of the droplet to which the surface tension is applied.
  • the surface tension of the composition of the imprint pretreatment coating material component excluding the solvent is preferably higher than the surface tension of the composition of the imprint resist component excluding the solvent.
  • an imprint resist and an imprint pretreatment coating material are combined. That is, it is provided as a set in which the surface tension of the composition of the imprint pretreatment coating material component excluding the solvent is higher than the surface tension of the composition of the imprint resist component excluding the solvent.
  • the combination in which the difference between the surface tension of the composition of the imprint pretreatment coating material excluding the solvent and the surface tension of the composition of the imprint resist component excluding the solvent is 1 mN / m to 25 mN / m It is more preferable that it is a set.
  • Another aspect of the present invention provides a suitable substrate pretreatment method for imprinting by coating a substrate with an imprint pretreatment coating material.
  • the present invention includes a pattern forming method for forming a pattern on a substrate.
  • a pattern forming method for forming a pattern on a substrate.
  • Example 1 (1) Preparation of curable composition (A1-1) Component (a1), component (b1), component (c1) and component (d1) shown below were blended, and this was added to an ultra high molecular weight of 0.2 ⁇ m. The mixture was filtered through a polyethylene filter to prepare a curable composition (A1-1) of Example 1.
  • Component (a1) 100 parts by weight in total m-xylylene diacrylate (manufactured by NARD, abbreviated as mXDA): 100 parts by weight (1-2)
  • Component (c1) Total 0 parts by weight Component (c1) was not added.
  • Component (d1) 33,000 parts in total Propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry, abbreviated as PGMEA): 33000 parts by weight
  • curable composition (A2-1) Component (a2), component (b2), component (c2) and component (d2) shown below were blended, and this was added to an ultra high molecular weight of 0.2 ⁇ m. The mixture was filtered through a polyethylene filter to prepare a curable composition (A2-1) of Example 1.
  • Component (a2) 94 parts by weight in total Isobornyl acrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: IB-XA), specific gravity 0.993: 9 parts by weight benzyl acrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry, trade name) : V # 160), specific gravity 1.06: 38 parts by weight Neopentyl glycol diacrylate (trade name: NP-A, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), specific gravity 0.998: 47 parts by weight (3-2)
  • Component (d2) Total 0 parts by weight Component (d2) was not added.
  • a curable composition (A1-1) is coated on a silicon substrate using a spin coater to form a film of the curable composition (A1-1) having a thickness of about 5 to 10 nm. Obtainable.
  • 1 pL droplets of the curable composition (A2-1) can be discretely arranged using an inkjet method. The amount of droplets is, for example, an amount such that the average film thickness of the cured film is about 50 nm.
  • the surface tension of the curable composition (A1-1) disposed in the lower layer is higher than the surface tension of the curable composition (A2-1) dropped on the upper layer, the Marangoni effect appears.
  • the expansion (pre-spreading) of the droplets of the curable composition (A2-1) is rapid.
  • the curable composition (A1-1) and the curable composition (A2-1) are mixed, and the photopolymerization initiator component (b2) is mixed from the curable composition (A2-1).
  • Shifts to the curable composition (A1-1) the curable composition (A1-1) also acquires photopolymerizability.
  • the mixture of the curable composition (A1-1) and the curable composition (A2-1) is cured well.
  • Example 2 (1) to (2) Curable composition (A1-2) The same composition as in Example 1 was used as the curable composition (A1-2).
  • curable composition (A2-2) Component (a2), component (b2), component (c2) and component (d2) shown below were blended, and this was added to an ultra high molecular weight of 0.2 ⁇ m. The mixture was filtered through a polyethylene filter to prepare a curable composition (A2-2) of Example 2.
  • Component (a2) A total of 94 parts by weight The same as in Example 1.
  • Component (b2) Total 3 parts by weight Irgacure TPO-L (manufactured by BASF, abbreviation ITPO-L): 3 parts by weight (3-3)
  • Component (c2) Total 0 parts by weight As in Example 1. did.
  • Component (d2) Total 0 parts by weight The same as in Example 1.
  • Example 3 A cured composition A1-3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following materials were used as the component (a1).
  • Component (a1) 100 parts by weight in total Trimethylolpropane triacrylate (manufactured by Aldrich, abbreviated as TMPTA): 100 parts by weight
  • curable composition (A2-3) Component (a2), component (b2), component (c2) and component (d2) shown below were blended, and this was added to an ultra high molecular weight of 0.2 ⁇ m. The mixture was filtered through a polyethylene filter to prepare a curable composition (A2-3) of Example 3.
  • Component (a2) A total of 94 parts by weight The same as in Example 1.
  • Component (b2) Total 3 parts by weight Irgacure 1173 (manufactured by BASF, abbreviated I.1173): 3 parts by weight (3-3)
  • Component (c2) Total 0 parts by weight The same as in Example 1.
  • Component (d2) Total 0 parts by weight The same as in Example 1.
  • Curable composition (A1-4) A curable composition A1-4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following materials were used as the component (a1).
  • curable composition (A2-4) Component (a2), component (b2), component (c2) and component (d2) shown below were blended, and this was added to an ultra high molecular weight of 0.2 ⁇ m. The mixture was filtered through a polyethylene filter to prepare a curable composition (A2-4) of Example 4.
  • Component (a2) A total of 94 parts by weight The same as in Example 1.
  • Component (b2) 3 parts by weight in total 1,7-bis (9,9′-heptamethylenediacridine) (manufactured by ADEKA, abbreviated as N.1717): 3 parts by weight (3-3)
  • Component (d2) Total 0 parts by weight The same as in Example 1.
  • Curable composition (A1-5) A curable composition A1-5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following materials were used as the component (a1).
  • curable composition (A2-5) Component (a2), component (b2), component (c2) and component (d2) shown below were blended, and this was added to an ultra high molecular weight of 0.2 ⁇ m. The mixture was filtered through a polyethylene filter to prepare a curable composition (A2-5) of Example 3.
  • Component (a2) A total of 94 parts by weight The same as in Example 1.
  • Component (b2) Total 3 parts by weight Irgacure 1173 (manufactured by BASF, abbreviated I.1173): 3 parts by weight (3-3)
  • Component (d2) Total 0 parts by weight The same as in Example 1.
  • Curable composition (A2-0 ′) The same composition as in Example 1 was used as the curable composition (A2-0 ′).
  • curable composition (A1-1 ′) Component (a1), component (b1), component (c1) and component (d1) shown below were blended, and this was added to an ultrahigh 0.2 ⁇ m The mixture was filtered through a molecular weight polyethylene filter to prepare a curable composition (A1-1 ′) of Comparative Example 1.
  • Component (a1) Total 100 parts by weight Acrylic acid (manufactured by Aldrich): 100 parts by weight (1-2)
  • Component (b1) Total 0 parts by weight Component (b1) was not added.
  • Component (c1) Total 0 parts by weight Component (c1) was not added.
  • Component (d1) 33,000 parts in total Propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry, abbreviated as PGMEA): 33000 parts by weight
  • Curing composition (A2-1 ′) Curing composition (A2-1 ′) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following materials were used as the preparation component (b2).
  • Component (b2) 3 parts by weight in total 2,2′-bis (o-methoxyphenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenyl-1,1′-bi (1H-imidazole) (Tokyo Chemical Industry, abbreviated HABI-Me): 3 parts by weight
  • curable composition (A1-2 ′) Component (a1), component (b1), component (c1) and component (d1) shown below were blended, and this was added to an ultrahigh 0.2 ⁇ m The mixture was filtered through a molecular weight polyethylene filter to prepare a curable composition (A1-2 ′) of Comparative Example 2.
  • Component (a1) Total 100 parts by weight Acrylic acid (manufactured by Dow Chemical): 100 parts by weight (1-2)
  • Component (b1) Total 0 parts by weight Component (b1) was not added .
  • Component (c1) Total 0 parts by weight Component (c1) was not added.
  • Component (d1) 33,000 parts in total Propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry, abbreviated as PGMEA): 33000 parts by weight
  • curable composition (A2-2 ′) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following materials were used as component (b2).
  • component (b2) 3 parts by weight in total Irgacure OXE02 (manufactured by BASF, abbreviated as I. OXE02): 3 parts by weight
  • curable composition (A1-3 ′) Component (a1), component (b1), component (c1) and component (d1) shown below were blended, and this was added to an ultrahigh 0.2 ⁇ m The mixture was filtered through a molecular weight polyethylene filter to prepare a curable composition (A1-3 ′) of Comparative Example 3.
  • Component (a1) Total 100 parts by weight Acrylic acid (manufactured by Dow Chemical): 100 parts by weight (1-2)
  • Component (b1) Total 0 parts by weight Component (b1) was not added.
  • Component (c1) Total 0 parts by weight Component (c1) was not added.
  • Component (d1) 33,000 parts in total Propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry, abbreviated as PGMEA): 33000 parts by weight
  • curable composition (A2-3 ′) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following materials were used as the component (b2).
  • Tables 1 and 2 show the composition tables of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 0 to 3
  • Tables 3 to 5 show Hansen solubility parameters
  • Table 6 shows the results of Examples and Comparative Examples.
  • the evaluation of the pre-spread was a relative evaluation based on Comparative Example 0. That is, if the speed is faster than Comparative Example 0, it is “fast”, and if it is the same speed as Comparative Example 0 or slower than Comparative Example 0, it is “slow”.
  • the pre-spreads of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 are faster due to the Marangoni effect than Comparative Example 0, that is, the case where the curable composition (A1) is not used.
  • there is no influence of in-plane distribution of various characteristics such as dry etching resistance resulting from poor mixing of the composition A1 and the composition A2.
  • Comparative Examples 1 to 3 there is an influence such as dry etching resistance resulting from mixing failure, and there is a problem that an influence of in-plane distribution of various characteristics occurs.
  • Examples 1 to 5 it was shown that a high-speed pre-spread can be obtained without being affected by the in-plane distribution of various characteristics.
  • the method of this embodiment it is possible to provide the SST-NIL technique in which the in-plane distribution is suppressed by using two types of liquid curable compositions that are well mixed.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

基板の表面に、重合性化合物である成分(a1)を含む硬化性組成物(A1)の層を積層し、前記硬化性組成物(A1)の層の上に、少なくとも重合性化合物である成分(a2)及び光重合開始剤である成分(b2)を含む硬化性組成物(A2)の液滴を離散的に滴下し、パターンを有するモールドと前記基板の間に前記硬化性組成物(A1)及び前記硬化性組成物(A2)の混合層をサンドイッチし、前記混合層を光を照射することにより硬化させ、前記モールドを硬化後の前記混合層から引き離す、前記基板上のパターン形成方法であり、前記硬化性組成物(A1)の前記重合性化合物である成分(a1)と前記硬化性組成物(A2)のハンセン距離Ra((a1)-(A2))が6以下である。

Description

パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
 本発明は、パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法に関する。
 半導体デバイスやMEMS等においては、微細化の要求が高まっており、微細加工技術として、光ナノインプリント技術が注目されている。
 光ナノインプリント技術では、表面に微細な凹凸パターンが形成されたモールド(型)を光硬化性組成物(レジスト)が塗布された基板(ウエハ)に押しつけた状態で光硬化性組成物を硬化させる。これにより、モールドの凹凸パターンを光硬化性組成物の硬化膜に転写し、パターンを基板上に形成する。光ナノインプリント技術によれば、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。
 特許文献1に記載の光ナノインプリント技術を、図1を用いて説明する。まず、基板101上のパターン形成領域にインクジェット法を用いて、液状のレジスト102を離散的に滴下する(配置工程(1)、図1(a)~(c))。滴下されたレジスト102の液滴は液滴の広がる方向を示す矢印104で示すように基板101上に広がるが、この現象をプレスプレッドと呼ぶ(図1(c))。次に、このレジスト102を、パターンが形成された、後述する照射光106に対して透明なモールド(型)105を用いて成形する(型接触工程(2)、図1(d)及び1(da))。型接触工程においては、レジスト102の液滴が液滴の広がる方向を示す矢印104で示すように基板101とモールド105の間隙の全域へ広がる(図1(d))。この現象をスプレッドと呼ぶ。また、型接触工程においては、レジスト102はモールド105上の凹部の内部へも液滴の広がる方向を示す矢印104で示すように毛細管現象により充填される(図1(da))。この充填現象をフィルと呼ぶ。スプレッドとフィルが完了するまでの時間を充填時間と呼ぶ。レジスト102の充填が完了した後、照射光106を照射してレジスト102を硬化させ(光照射工程(3)、図1(e))、その後、基板101を型から引き離す(離型工程(4)、図1(f)及び1(fa))。これらの工程を実施することにより、所定のパターン形状を有する光硬化膜107(図1(f))が基板101上に形成される。
 また、特許文献2には、2種類の硬化性組成物を積層させ、モールド側にモールド離型性に優れた硬化性組成物を配置することで、モールド離型性を改善したインプリント方法が記載される。
特許4791357号公報 特許5763796号公報
S.Reddy,R.T.Bonnecaze/Microelectronic Engineering,82(2005)60-70 N.Imaishi/Int. J. Microgravity Sci.No.31 Supplement 2014 (S5-S12)
 特許文献1に記載の光ナノインプリント技術においては、型接触開始からスプレッドとフィルが完了するまでの時間(充填時間)が長く、スループットが低い、という課題があった。
 そこで本発明者らは、充填時間が短い、つまり高スループットな光ナノインプリント技術(Short Spread Time Nanoimprint Lithography、以下、SST-NIL)を考案した。SST-NILは、図2の模式断面図に示すように、
 基板201上に、液状の硬化性組成物(A1)202を積層する第一積層工程(1)、
 前記硬化性組成物(A1)202の層上に、硬化性組成物(A2)203の液滴を離散的に積層する第二積層工程(2)、
 パターンを有するモールド205と基板201の間に硬化性組成物(A1)202と硬化性組成物(A2)203が部分的に混合してなる層をサンドイッチする型接触工程(3)、
 前記2種の硬化性組成物が部分的に混合してなる混合層206を形成し、モールド205側から照射光207を照射することにより硬化させる光照射工程(4)、
 モールド205を硬化後の硬化性組成物からなる層(パターン形状を有する硬化膜208)から引き離す離型工程(5)、
を有する。
 SST-NILにおいて、第二積層工程(2)から離型工程(5)までの一連の工程単位を「ショット」と称し、モールド205が硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203と接触する領域、つまり、基板201上でパターンが形成される領域を「ショット領域」と称する。
 SST-NILにおいては、離散的に滴下された硬化性組成物(A2)203の液滴が、硬化性組成物(A1)202の液膜上において液滴の広がる方向を示す矢印204で示すように速やかに拡大するため、充填時間が短く、高スループットである。SST-NILの詳しいメカニズムは後述する。
 本発明が解決しようとするSST-NILの課題は、2種類の液状の硬化性組成物の混合が不十分となることによって、面内に硬化性組成物の組成分布が生じることである。例えば硬化特性の異なる2種類の硬化性組成物(A1)202および硬化性組成物(A2)203が混合せず、分離した場合について図3を用いて説明する。図3は、図2における光照射工程(4)及び離型工程(5)を再掲し、さらにエッチング工程(6)を付加したものである。
 光照射工程(4)では、まず前記2種類の硬化性組成物が分離してなる混合層306を基板301上に形成し、照射光307をモールド305側から照射することで硬化膜308を形成する。この硬化膜308を離型工程(5)で離型する際に生じる不具合を説明する。例えば硬化性組成物(A1)302と硬化性組成物(A2)303が分離して混合が不十分であると、硬化性組成物(A1)302と硬化性組成物(A2)303の2種類の機械強度をもつ領域が生じることで機械強度の分布が生じ、倒れ欠陥やプラグ欠陥が多い領域が生じる。また、例えば硬化性組成物(A1)302が光重合開始剤を含まない場合、硬化性組成物(A2)303中の光重合開始剤が硬化性組成物(A1)302へ拡散して硬化性組成物(A1)302を硬化させることになる。硬化性組成物(A1)302と硬化性組成物(A2)303の混合が不十分であると、硬化性組成物(A1)302の濃度が高い領域において、光重合開始剤の濃度が低い領域が生じ、硬化不良やパターン欠陥が生じる。また、この硬化膜308をエッチング工程(6)でエッチングした場合、硬化が不十分な硬化性組成物(A1)302が先にエッチングで除去され、エッチング速度に分布ができてしまうという問題が生じる。
 本発明は、良好に混合する2種類の液状の硬化性組成物を用いることで面内分布を抑制したSST-NIL技術を提供することを目的とする。
 本発明に係るパターン形成方法は、基板の表面に、少なくとも重合性化合物である成分(a1)を含む硬化性組成物(A1)からなる層を積層する第一積層工程(1)、
 前記硬化性組成物(A1)からなる層の上に、少なくとも重合性化合物である成分(a2)及び光重合開始剤である成分(b2)を含む硬化性組成物(A2)の液滴を離散的に滴下して積層する第二積層工程(2)、
 パターンを有するモールドと前記基板の間に前記硬化性組成物(A1)及び前記硬化性組成物(A2)が部分的に混合してなる混合層をサンドイッチする型接触工程(3)、
 前記混合層を前記モールド側から光を照射することにより硬化させる光照射工程(4)、
 前記モールドを硬化後の前記混合層から引き離す離型工程(5)、
を該順に有するパターン形成方法であって、
 前記硬化性組成物(A1)中の前記重合性化合物である成分(a1)と前記硬化性組成物(A2)のハンセン距離Ra((a1)-(A2))が6以下である、
ことを特徴とする。
 本発明によれば、良好に混合する2種類の液状の硬化性組成物を用いることで面内組成分布を抑制したSST-NIL技術を提供することができる。
 本発明の他の特徴は、添付された図面を参照して各種実施の形態を例示する以下の説明により明らかにされる。
光ナノインプリント技術の先行例を示す模式断面図である。 SST-NIL技術を示す模式断面図である。 発明が解決しようとする課題を説明する模式断面図である。
 以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下に説明する実施形態に対して適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に含まれる。なお、硬化性組成物(A1)に含まれる成分(a)を成分(a1)と表記し、硬化性組成物(A2)に含まれる成分(a)を成分(a2)と表記する。成分(b)から成分(d)についても同様である。
 [硬化性組成物]
 本実施形態に係る硬化性組成物(A1)及び(A2)は、少なくとも重合性化合物である成分(a)を有する組成物である。本実施形態に係る硬化性組成物はさらに、光重合開始剤である成分(b)、非重合性化合物である成分(c)、溶剤である成分(d)を含有してもよい。
 また、本明細書において硬化膜とは、基板上で硬化性組成物を重合させて硬化させた膜を意味する。なお、硬化膜の形状は特に限定されず、表面にパターン形状を有していてもよい。
 以下、各成分について、詳細に説明する。
 <成分(a):重合性化合物>
 成分(a)は重合性化合物である。ここで、本明細書において重合性化合物とは、光重合開始剤である成分(b)から発生した重合因子(ラジカル等)と反応し、連鎖反応(重合反応)によって高分子化合物からなる膜を形成する化合物である。
 このような重合性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物が挙げられる。重合性化合物である成分(a)は、一種類の重合性化合物のみから構成されていてもよく、複数種類の重合性化合物で構成されていてもよい。
 ラジカル重合性化合物としては、アクリロイル基またはメタクリロイル基を1つ以上有する化合物、すなわち、(メタ)アクリル化合物であることが好ましい。したがって、本実施形態に係る硬化性組成物は、成分(a)として(メタ)アクリル化合物を含むことが好ましく、成分(a)の主成分が(メタ)アクリル化合物であることがより好ましく、成分(a)の全てが(メタ)アクリル化合物であることが最も好ましい。なお、ここで記載する成分(a)の主成分が(メタ)アクリル化合物であるとは、成分(a)の90重量%以上が(メタ)アクリル化合物であることを示す。
 ラジカル重合性化合物が、アクリロイル基またはメタクリロイル基を1つ以上有する複数種類の化合物で構成される場合には、単官能(メタ)アクリルモノマーと多官能(メタ)アクリルモノマーを含むことが好ましい。これは、単官能(メタ)アクリルモノマーと多官能(メタ)アクリルモノマーを組み合わせることで、機械的強度が強い硬化膜が得られるからである。
 アクリロイル基またはメタクリロイル基を1つ有する単官能(メタ)アクリル化合物としては、例えば、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシ-2-メチルエチル(メタ)アクリレート、フェノキシエトキシエチル(メタ)アクリレート、3-フェノキシ-2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-フェニルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、4-フェニルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、3-(2-フェニルフェニル)-2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、EO変性p-クミルフェノールの(メタ)アクリレート、2-ブロモフェノキシエチル(メタ)アクリレート、2,4-ジブロモフェノキシエチル(メタ)アクリレート、2,4,6-トリブロモフェノキシエチル(メタ)アクリレート、EO変性フェノキシ(メタ)アクリレート、PO変性フェノキシ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、1-アダマンチル(メタ)アクリレート、2-メチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレート、2-エチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレート、ボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、4-ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、アクリロイルモルホリン、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、アミル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t-ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、へキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ジアセトン(メタ)アクリルアミド、イソブトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジメチル(メタ)アクリルアミド、t-オクチル(メタ)アクリルアミド、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、7-アミノ-3,7-ジメチルオクチル(メタ)アクリレート、N,N-ジエチル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリルアミド等が挙げられるが、これらに限定されない。
 上記単官能(メタ)アクリル化合物の市販品としては、アロニックス(登録商標)M101、M102、M110、M111、M113、M117、M5700、TO-1317、M120、M150、M156(以上、東亞合成製)、MEDOL10、MIBDOL10、CHDOL10、MMDOL30、MEDOL30、MIBDOL30、CHDOL30、LA、IBXA、2-MTA、HPA、ビスコート#150、#155、#158、#190、#192、#193、#220、#2000、#2100、#2150(以上、大阪有機化学工業製)、ライトアクリレートBO-A、EC-A、DMP-A、THF-A、HOP-A、HOA-MPE、HOA-MPL、PO-A、P-200A、NP-4EA、NP-8EA、エポキシエステルM-600A(以上、共栄社化学製)、KAYARAD(登録商標) TC110S、R-564、R-128H(以上、日本化薬製)、NKエステルAMP-10G、AMP-20G(以上、新中村化学工業製)、FA-511A、512A、513A(以上、日立化成製)、PHE、CEA、PHE-2、PHE-4、BR-31、BR-31M、BR-32(以上、第一工業製薬製)、VP(BASF製)、ACMO、DMAA、DMAPAA(以上、興人製)等が挙げられるが、これらに限定されない。
 また、アクリロイル基またはメタクリロイル基を2つ以上有する多官能(メタ)アクリル化合物としては、例えば、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO,PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6-へキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10-デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3-アダマンタンジメタノールジ(メタ)アクリレート、トリス(2-ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロイルオキシ)イソシアヌレート、ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、EO変性2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシ)フェニル)プロパン、PO変性2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシ)フェニル)プロパン、EO,PO変性2,2-ビス(4-((メタ)アクリロキシ)フェニル)プロパン等が挙げられるが、これらに限定されない。
 上記多官能(メタ)アクリル化合物の市販品としては、ユピマー(登録商標)UV SA1002、SA2007(以上、三菱化学製)、ビスコート#195、#230、#215、#260、#335HP、#295、#300、#360、#700、GPT、3PA(以上、大阪有機化学工業製)、ライトアクリレート4EG-A、9EG-A、NP-A、DCP-A、BP-4EA、BP-4PA、TMP-A、PE-3A、PE-4A、DPE-6A(以上、共栄社化学製)、KAYARAD(登録商標) PET-30、TMPTA、R-604、DPHA、DPCA-20、-30、-60、-120、HX-620、D-310、D-330(以上、日本化薬製)、アロニックス(登録商標)M208、M210、M215、M220、M240、M305、M309、M310、M315、M325、M400(以上、東亞合成製)、リポキシ(登録商標)VR-77、VR-60、VR-90(以上、昭和高分子製)等が挙げられるが、これらに限定されない。
 なお、上述した化合物群において、(メタ)アクリレートとは、アクリレートまたはそれと同等のアルコール残基を有するメタクリレートを意味する。(メタ)アクリロイル基とは、アクリロイル基またはそれと同等のアルコール残基を有するメタクリロイル基を意味する。EOは、エチレンオキサイドを示し、EO変性化合物Aとは、化合物Aの(メタ)アクリル酸残基とアルコール残基がエチレンオキサイド基のブロック構造を介して結合している化合物を示す。また、POは、プロピレンオキサイドを示し、PO変性化合物Bとは、化合物Bの(メタ)アクリル酸残基とアルコール残基がプロピレンオキサイド基のブロック構造を介して結合している化合物を示す。
 重合性化合物である成分(a1)の硬化性組成物(A1)における配合割合は、成分(a1)、成分(b1)、成分(c1)の合計重量、すなわち溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1)の成分の合計重量に対して、50重量%以上100重量%以下であるとよい。また、好ましくは、80重量%以上100重量%以下であり、さらに好ましくは90重量%より大きく100重量%以下である。
 重合性化合物である成分(a1)の硬化性組成物(A1)における配合割合を、成分(a1)、成分(b1)、成分(c1)の合計重量に対して50重量%以上とすることにより、得られる硬化膜をある程度の機械的強度を有する硬化膜とすることができる。
 重合性化合物である成分(a2)の硬化性組成物(A2)における配合割合は、成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)の合計重量、すなわち溶剤である成分(d2)を除く硬化性組成物(A2)の成分の合計重量に対して、50重量%以上99.9重量%以下であるとよい。また、好ましくは、80重量%以上99重量%以下であり、さらに好ましくは90重量%より大きく98重量%以下である。
 重合性化合物である成分(a2)の硬化性組成物(A2)における配合割合を、成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)の合計重量に対して50重量%以上とすることにより、得られる硬化膜をある程度の機械的強度を有する硬化膜とすることができる。
 また、後述するように、硬化性組成物(A1)は、成分(d1)を含有することが好ましく、成分(a1)は溶剤である成分(d1)を含む硬化性組成物(A1)の成分の合計重量に対して、0.01重量%以上10重量%以下であるとよい。
 <成分(b):光重合開始剤>
 成分(b)は、光重合開始剤である。
 本明細書において光重合開始剤は、所定の波長の光を感知して上記重合因子(ラジカル)を発生させる化合物である。具体的には、光重合開始剤は、光(赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線等の荷電粒子線等、放射線)によりラジカルを発生する重合開始剤(ラジカル発生剤)である。
 成分(b)は、一種類の光重合開始剤で構成されていてもよく、複数種類の光重合開始剤で構成されていてもよい。
 ラジカル発生剤としては、例えば、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2-(o-フルオロフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-(o-またはp-メトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の置換基を有してもよい2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体;ベンゾフェノン、N,N’-テトラメチル-4,4’-ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N’-テトラエチル-4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4-メトキシ-4’-ジメチルアミノベンゾフェノン、4-クロロベンゾフェノン、4,4’-ジメトキシベンゾフェノン、4,4’-ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体;2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタノン-1、2-メチル-1-〔4-(メチルチオ)フェニル〕-2-モルフォリノ-プロパン-1-オン等のα-アミノ芳香族ケトン誘導体;2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2-t-ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2-ベンズアントラキノン、2,3-ベンズアントラキノン、2-フェニルアントラキノン、2,3-ジフェニルアントラキノン、1-クロロアントラキノン、2-メチルアントラキノン、1,4-ナフトキノン、9,10-フェナンタラキノン、2-メチル-1,4-ナフトキノン、2,3-ジメチルアントラキノン等のキノン類;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体;ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体;9-フェニルアクリジン、1,7-ビス(9,9’-アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体;N-フェニルグリシン等のN-フェニルグリシン誘導体;アセトフェノン、3-メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体;チオキサントン、ジエチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、2-クロロチオキサントン等のチオキサントン誘導体;2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、ビス-(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4-トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド誘導体;1,2-オクタンジオン,1-[4-(フェニルチオ)-,2-(O-ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(O-アセチルオキシム)等のオキシムエステル誘導体;キサントン、フルオレノン、ベンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、1-(4-イソプロピルフェニル)-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン等が挙げられるが、これらに限定されない。
 上記ラジカル発生剤の市販品として、Irgacure 184、369、651、500、819、907、784、2959、CGI-1700、-1750、-1850、CG24-61、Darocur 1116、1173、Lucirin(登録商標) TPO、LR8893、LR8970(以上、BASF製)、ユベクリルP36(UCB製)等が挙げられるが、これらに限定されない。
 これらの中でも、成分(b)は、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤であることが好ましい。なお、上記の例のうち、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤は、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4-トリメチルペンチルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキサイド化合物である。
 本発明において、硬化性組成物(A1)は実質的に光反応性を有さないことが好ましい。このために、光重合開始剤である成分(b1)の硬化性組成物(A1)における配合割合は、成分(a1)、成分(b1)、後述する成分(c1)の合計重量、すなわち溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1)の成分の合計重量に対して、0.1重量%未満であることが好ましい。また、さらに好ましくは、0.01重量%以下である。
 硬化性組成物(A1)における成分(b1)の配合割合を成分(a1)、成分(b1)、成分(c1)の合計重量に対して0.1重量%未満とすることにより、硬化性組成物(A1)は実質的に光反応性を有さず、当該ショット領域外へ漏れ出た照射光により、当該ショット領域外に積層されている硬化性組成物(A1)が光硬化する、という問題を防止することができる。
 光重合開始剤である成分(b2)の硬化性組成物(A2)における配合割合は、成分(a2)、成分(b2)、後述する成分(c2)の合計重量、すなわち溶剤である成分(d2)を除く硬化性組成物(A2)の成分の合計重量、に対して、0.1重量%以上50重量%以下であるとよい。また、好ましくは、0.1重量%以上20重量%以下であり、さらに好ましくは1重量%以上10重量%以下である。
 硬化性組成物(A2)における成分(b2)の配合割合を成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)の合計重量に対して0.1重量%以上とすることにより、組成物の硬化速度が速くなり、反応効率を良くすることができる。また、成分(b2)の配合割合を成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)の合計に対して50重量%以下とすることにより、得られる硬化膜をある程度の機械的強度を有する硬化膜とすることができる。
 <成分(c):非重合性化合物>
 本実施形態に係る硬化性組成物(A1)及び(A2)は、前述した、成分(a)、成分(b)の他に、種々の目的に応じ、本発明の効果を損なわない範囲で、さらに非重合性化合物である成分(c)を含有することができる。このような成分(c)としては、(メタ)アクリロイル基などの重合性官能基を有さず、かつ、所定の波長の光を感知して上記重合因子(ラジカル)を発生させる能力を有さない化合物が挙げられる。例えば、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分、その他添加剤等が挙げられる。成分(c)として前記化合物を複数種類含有してもよい。
 増感剤は、重合反応促進や反応転化率の向上を目的として、適宜添加される化合物である。増感剤として、例えば、増感色素等が挙げられる。
 増感色素は、特定の波長の光を吸収することにより励起され、光重合開始剤である成分(b)と相互作用する化合物である。なお、ここで記載する相互作用とは、励起状態の増感色素から光重合開始剤である成分(b)へのエネルギー移動や電子移動等である。
 増感色素の具体例としては、アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、キサントン誘導体、クマリン誘導体、フェノチアジン誘導体、カンファキノン誘導体、アクリジン系色素、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素等が挙げられるが、これらに限定されない。
 増感剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。
 水素供与体は、光重合開始剤である成分(b)から発生した開始ラジカルや、重合成長末端のラジカルと反応し、より反応性が高いラジカルを発生する化合物である。光重合開始剤である成分(b)が光ラジカル発生剤である場合に添加することが好ましい。
 このような水素供与体の具体例としては、n-ブチルアミン、ジ-n-ブチルアミン、アリルチオ尿素、トリエチルアミン、トリエチレンテトラミン、4,4’-ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン、N,N-ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、N,N-ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル-4-ジメチルアミノベンゾエート、トリエタノールアミン、N-フェニルグリシンなどのアミン化合物、2-メルカプト-N-フェニルベンゾイミダゾール、メルカプトプロピオン酸エステル等のメルカプト化合物、s-ベンジルイソチウロニウム-p-トルエンスルフィネート等の硫黄化合物、トリ-n-ブチルホスフィンがアミン化合物等のリン化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。
 水素供与体は、一種類を単独で用いてもよいし二種類以上を混合して用いてもよい。また、水素供与体は、増感剤としての機能を有してもよい。
 モールドとレジストとの間の界面結合力の低減、すなわち後述する離型工程における離型力の低減を目的として、硬化性組成物に内添型離型剤を添加することができる。本明細書において内添型とは、硬化性組成物の配置工程の前に予め硬化性組成物に添加されていることを意味する。
 内添型離型剤としては、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤及び炭化水素系界面活性剤等の界面活性剤等を使用できる。なお、本発明において内添型離型剤は、重合性を有さないものとする。
 フッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル基を有するアルコールのポリアルキレンオキサイド(ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等)付加物、パーフルオロポリエーテルのポリアルキレンオキサイド(ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等)付加物等が含まれる。なお、フッ素系界面活性剤は、分子構造の一部(例えば、末端基)に、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキル基、アミノ基、チオール基等を有してもよい。
 フッ素系界面活性剤としては、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、メガファック(登録商標)F-444、TF-2066、TF-2067、TF-2068(以上、DIC製)、フロラード FC-430、FC-431(以上、住友スリーエム製)、サーフロン(登録商標) S-382(AGC製)、EFTOP EF-122A、122B、122C、EF-121、EF-126、EF-127、MF-100(以上、トーケムプロダクツ製)、PF-636、PF-6320、PF-656、PF-6520(以上、OMNOVA Solutions製)、ユニダイン(登録商標)DS-401、DS-403、DS-451(以上、ダイキン工業製)、フタージェント(登録商標) 250、251、222F、208G(以上、ネオス製)等が挙げられる。
 また、内添型離型剤は、炭化水素系界面活性剤でもよい。
 炭化水素系界面活性剤としては、炭素数1~50のアルキルアルコールに炭素数2~4のアルキレンオキサイドを付加した、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物等が含まれる。
 アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物としては、メチルアルコールエチレンオキサイド付加物、デシルアルコールエチレンオキサイド付加物、ラウリルアルコールエチレンオキサイド付加物、セチルアルコールエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールエチレンオキサイド/プロピレンオキサイド付加物等が挙げられる。なお、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物の末端基は、単純にアルキルアルコールにポリアルキレンオキサイドを付加して製造できるヒドロキシル基に限定されない。このヒドロキシル基が他の置換基、例えば、カルボキシル基、アミノ基、ピリジル基、チオール基、シラノール基等の極性官能基やアルキル基、アルコキシ基等の疎水性官能基に置換されていてもよい。
 アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物は、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、青木油脂工業製のポリオキシエチレンメチルエーテル(メチルアルコールエチレンオキサイド付加物)(BLAUNON MP-400、MP-550、MP-1000)、青木油脂工業製のポリオキシエチレンデシルエーテル(デシルアルコールエチレンオキサイド付加物)(FINESURF D-1303、D-1305、D-1307、D-1310)、青木油脂工業製のポリオキシエチレンラウリルエーテル(ラウリルアルコールエチレンオキサイド付加物)(BLAUNON EL-1505)、青木油脂工業製のポリオキシエチレンセチルエーテル(セチルアルコールエチレンオキサイド付加物)(BLAUNON CH-305、CH-310)、青木油脂工業製のポリオキシエチレンステアリルエーテル(ステアリルアルコールエチレンオキサイド付加物)(BLAUNON SR-705、SR-707、SR-715、SR-720、SR-730、SR-750)、青木油脂工業製のランダム重合型ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンステアリルエーテル(BLAUNON SA-50/50 1000R、SA-30/70 2000R)、BASF製のポリオキシエチレンメチルエーテル(Pluriol(登録商標) A760E)、花王製のポリオキシエチレンアルキルエーテル(エマルゲンシリーズ)等が挙げられる。
 これらの炭化水素系界面活性剤の中でも内添型離型剤としては、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることが好ましく、長鎖アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることがより好ましい。
 内添型離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。
 非重合性化合物である成分(c)の硬化性組成物における配合割合は、成分(a)、成分(b)、後述する成分(c)の合計重量、すなわち溶剤を除く硬化性組成物の成分の合計重量、に対して、0重量%以上50重量%以下であるとよい。また、好ましくは、0.1重量%以上50重量%以下であり、さらに好ましくは0.1重量%以上20重量%以下である。
 成分(c)の配合割合を成分(a)、成分(b)、成分(c)の合計重量に対して50重量%以下とすることにより、得られる硬化膜をある程度の機械的強度を有する硬化膜とすることができる。
 <成分(d):溶剤>
 本実施形態に係る硬化性組成物は、溶剤である成分(d)を含有していてもよい。成分(d)としては、成分(a)、成分(b)、成分(c)が溶解する溶剤であれば、特に限定はされない。好ましい溶剤としては常圧における沸点が80℃以上200℃以下の溶剤である。さらに好ましくは、エステル構造、ケトン構造、水酸基、エーテル構造のいずれかを少なくとも1つ有する溶剤である。具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、乳酸エチルから選ばれる単独、あるいはこれらの混合溶剤である。
 本実施形態に係る硬化性組成物(A1)は、成分(d1)を含有することが好ましい。後述するように、基板上への硬化性組成物(A1)の塗布方法としてスピンコート法が好ましいためである。
<硬化性組成物のハンセン溶解度パラメータ>
 2つの硬化性組成物の混合の度合いは、後述のハンセン溶解度パラメータを用いたハンセン距離Raで表すことができる。ハンセン距離Raが小さい程、混合しやすいことを表す。本発明における、硬化性組成物(A1)中の重合性化合物である成分(a1)と硬化性組成物(A2)のハンセン距離Ra((a1)-(A2))は6以下であることが好ましい。さらに好ましくは3以下であることが好ましい。ハンセン距離Ra((a1)-(A2))が6以下、好ましくは3以下の場合、速やかな混合と硬化物の均一性が得られる。一方、ハンセン距離Ra((a1-A2))が6より大きい場合、硬化性組成物(A1)と硬化性組成物(A2)の混合がしにくくなり、速やかな混合が阻害され硬化物の均質性が損なわれる。
 また、ここで記載する硬化性組成物(A1)中の重合性化合物である成分(a1)と硬化性組成物(A2)とのハンセン距離Ra((a1)-(A2))は、式(1)で定義される。
 
Ra=(4(δd(a1)-δd(A2))+(δp(a1)-δp(A2))+(δh(a1)-δh(A2))1/2  式(1)
 ここで、式(1)において、硬化性組成物(A1)中の重合性化合物である成分(a1)のハンセン溶解度パラメータの、分散項、極性項、水素結合項を、各々、δd(a1)、δp(a1)、δh(a1)[単位(MPa)1/2]とし、硬化性組成物(A2)のハンセン溶解度パラメータの、分散項、極性項、水素結合項を、各々、δd(A2)、δp(A2)、δh(A2)[単位(MPa)1/2]とした。
 なお、ハンセン溶解度パラメータは、化学構造からハンセン溶解度パラメータを計算するソフトウェアHansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP)4thEdition.4.0.05などにより計算することができる。また、複数種類の化合物からなる組成物のハンセン溶解度パラメータは、個々の化合物のハンセン溶解度パラメータの体積比率で計算する。
 また、硬化性組成物(A1)及び硬化性組成物(A2)の部分的な混合の結果、硬化性組成物(A2)の光重合開始剤である成分(b2)が硬化性組成物(A1)にも移行する。硬化性組成物(A1)が単独で光反応性を有さない場合には、硬化性組成物(A2)の光重合開始剤である成分(b2)の移行によって、硬化性組成物(A1)が初めて光反応性を獲得する。従って、硬化性組成物(A2)中の光重合開始剤である成分(b2)が、硬化性組成物(A2)中の重合性化合物である成分(a2)よりも硬化性組成物(A1)中の重合性化合物である成分(a1)に溶けやすい性質を有することで、速やかな混合と硬化物の均一性が得られる。
 また、ここで記載する硬化性組成物(A2)の重合性化合物である成分(a2)と光重合開始剤である成分(b2)のハンセン距離Ra((a2)-(b2))は式(2)に、硬化性組成物(A1)の重合性化合物である成分(a1)と硬化性組成物(A2)の光重合開始剤である成分(b2)のハンセン距離Ra((a1)-(b2))は、式(3)で定義される。
 
Ra((a2)-(b2))=(4(δd(a2)-δd(b2))+(δp(a2)-δp(b2))+(δh(a2)-δh(b2))1/2  式(2)
 
Ra((a1)-(b2))=(4(δd(a1)-δd(b2))+(δp(a1)-δp(b2))+(δh(a1)-δh(b2))1/2  式(3)
 
 そして、式(2)と式(3)が以下の式(4)の関係を満たすとき、硬化性組成物(A2)中の光重合開始剤である成分(b2)が、硬化性組成物(A2)中の重合性化合物である成分(a2)よりも硬化性組成物(A1)中の重合性化合物である成分(a1)に溶けやすくなる。
 
式(3) Ra((a1)-(b2))<式(2) Ra((a2)-(b2))  式(4)
 
 ここで、式(2)、式(3)において、硬化性組成物(A1)中の重合性化合物である成分(a1)の分散項、極性項、水素結合項を各々、δd(a1)、δp(a1)、δh(a1)[(MPa)1/2]とし、硬化性組成物(A2)中の重合性化合物である成分(a2)の分散項、極性項、水素結合項を各々、δd(a2)、δp(a2)、δh(a2)[(MPa)1/2]とした。また、硬化性組成物(A2)中の光重合開始剤である成分(b2)の分散項、極性項、水素結合項を各々、δd(b2)、δp(b2)、δh(b2)[(MPa)1/2]とした。
 <硬化性組成物の配合時の温度>
 本実施形態の硬化性組成物(A1)及び(A2)を調製する際には、各成分を所定の温度条件下で混合・溶解させる。具体的には、0℃以上100℃以下の範囲で行う。
 <硬化性組成物の粘度>
 本実施形態に係る硬化性組成物(A1)及び(A2)は液体であることが好ましい。なぜならば、後述する型接触工程において、硬化性組成物(A1)及び/または(A2)のスプレッド及びフィルが速やかに完了する、つまり充填時間が短いからである。
 本実施形態に係る溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1)の成分の組成物の25℃での粘度は、1mPa・s以上1000mPa・s以下であることが好ましい。また、より好ましくは、1mPa・s以上500mPa・s以下であり、さらに好ましくは、1mPa・s以上100mPa・s以下である。
 本実施形態に係る溶剤である成分(d2)を除く硬化性組成物(A2)の成分の組成物の25℃での粘度は、1mPa・s以上100mPa・s以下であることが好ましい。また、より好ましくは、1mPa・s以上50mPa・s以下であり、さらに好ましくは、1mPa・s以上12mPa・s以下である。
 硬化性組成物(A1)及び(A2)の粘度を100mPa・s以下とすることにより、硬化性組成物(A1)及び(A2)をモールドに接触する際に、スプレッド及びフィルが速やかに完了する(非特許文献1)。つまり、本実施形態に係る硬化性組成物を用いることで、光ナノインプリント法を高いスループットで実施することができる。また、充填不良によるパターン欠陥が生じにくい。
 また、粘度を1mPa・s以上とすることにより、硬化性組成物(A1)及び(A2)を基板上に塗布する際に塗りムラが生じにくくなる。さらに、硬化性組成物(A1)及び(A2)をモールドに接触する際に、モールドの端部から硬化性組成物(A1)及び(A2)が流出しにくくなる。
 <硬化性組成物の表面張力>
 本実施形態に係る硬化性組成物(A1)及び(A2)の表面張力は、溶剤である成分(d)を除く硬化性組成物(A1)または(A2)の成分の組成物について23℃での表面張力が、5mN/m以上70mN/m以下であることが好ましい。また、より好ましくは、7mN/m以上50mN/m以下であり、さらに好ましくは、10mN/m以上40mN/m以下である。ここで、表面張力が高いほど、例えば5mN/m以上であると、毛細管力が強く働くため、硬化性組成物(A1)及び/または(A2)をモールドに接触させた際に、充填(スプレッド及びフィル)が短時間で完了する(非特許文献1)。
 また、表面張力を70mN/m以下とすることにより、硬化性組成物を硬化して得られる硬化膜が表面平滑性を有する硬化膜となる。
 本実施形態においては、溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1)の成分の組成物の表面張力が、溶剤である成分(d2)を除く硬化性組成物(A2)の成分の組成物の表面張力より高いことが好ましい。型接触工程前に、後述するマランゴニ効果により硬化性組成物(A2)のプレスプレッドが加速され(液滴が広範囲に広がり)、後述する型接触工程中のスプレッドに要する時間が短縮され、結果として充填時間が短縮されるためである。
 マランゴニ効果とは液体の表面張力の局所的な差に起因した自由表面移動の現象である(非特許文献2)。表面張力の差を駆動力として、表面張力の低い液体が、より広い表面を覆うような拡散が生じる。つまり、基板全面に表面張力の高い硬化性組成物(A1)を塗布しておき、表面張力の低い硬化性組成物(A2)を滴下すれば、硬化性組成物(A2)のプレスプレッドが加速されるのである。
 <硬化性組成物の接触角>
 本実施形態に係る硬化性組成物(A1)及び(A2)の接触角は、溶剤である成分(d)を除く硬化性組成物(A1)または(A2)の成分の組成物について、基板表面及びモールド表面の双方に対して0°以上90°以下であることが好ましい。接触角が90°より大きいと、モールドパターンの内部や基板-モールドの間隙において毛細管力が負の方向(モールドと硬化性組成物間の接触界面を収縮させる方向)に働き、充填しない。0°以上30°以下であることが特に好ましい。接触角が低いほど毛細管力が強く働くため、充填速度が速い(非特許文献1)。
 本実施形態に係る硬化性組成物(A1)及び(A2)の粘度、表面張力、及び接触角は、溶剤である成分(d)を添加することで変化し得るが、溶剤である成分(d)は硬化性組成物の硬化を妨げる。従って、本実施形態では、溶剤である成分(d)を除く硬化性組成物(A1)の成分の組成物の粘度、表面張力、及び接触角を所定の値にすることが好ましい。
 <硬化性組成物に混入している不純物>
 本実施形態に係る硬化性組成物(A1)及び(A2)は、できる限り不純物を含まないことが好ましい。ここで記載する不純物とは、前述した成分(a)、成分(b)、成分(c)及び成分(d)以外のものを意味する。
 したがって、本実施形態に係る硬化性組成物は、精製工程を経て得られたものであることが好ましい。このような精製工程としては、フィルタを用いた濾過等が好ましい。
 フィルタを用いた濾過を行う際には、具体的には、前述した成分(a)、成分(b)及び必要に応じて添加する添加成分を混合した後、例えば、孔径0.001μm以上5.0μm以下のフィルタで濾過することが好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、多段階で行ったり、多数回繰り返したりすることがさらに好ましい。また、濾過した液を再度濾過してもよい。孔径の異なるフィルタを複数用いて濾過してもよい。濾過に使用するフィルタとしては、ポリエチレン樹脂製、ポリプロピレン樹脂製、フッ素樹脂製、ナイロン樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。
 このような精製工程を経ることで、硬化性組成物に混入したパーティクル等の不純物を取り除くことができる。これにより、パーティクル等の不純物によって、硬化性組成物を硬化した後に得られる硬化膜に不用意に凹凸が生じてパターンの欠陥が発生することを防止することができる。
 なお、本実施形態に係る硬化性組成物を、半導体集積回路を製造するために使用する場合、製品の動作を阻害しないようにするため、硬化性組成物中に金属原子を含有する不純物(金属不純物)が混入することを極力避けることが好ましい。このような場合、硬化性組成物に含まれる金属不純物の濃度としては、10ppm以下が好ましく、100ppb以下にすることがさらに好ましい。
 [パターン形成方法]
 次に、本実施形態に係るパターン形成方法について、図2の模式断面図を用いて説明する。
 本実施形態に係るパターン形成方法は、光ナノインプリント方法の一形態である。本実施形態のパターン形成方法は、
 基板201上に、前述の本実施形態の硬化性組成物(A1)202を積層する第一積層工程(1)、
 前記硬化性組成物(A1)202の層上に、硬化性組成物(A2)203を積層する第二積層工程(2)、
 パターンを有するモールド205と基板201の間に硬化性組成物(A1)202と硬化性組成物(A2)203が部分的に混合してなる混合層206をサンドイッチする型接触工程(3)、
 前記2種の硬化性組成物が部分的に混合してなる混合層206をモールド205側から照射光207を照射することにより一度に硬化させる光照射工程(4)、
 モールド205を硬化後の硬化性組成物からなる硬化膜208から引き離す離型工程(5)、
を有する。
 本実施形態に係るパターン形状を有する硬化膜の製造方法によって得られる硬化膜は、1nm以上10mm以下のサイズのパターンを有する膜であることが好ましい。また、10nm以上100μm以下のサイズのパターンを有する膜であることがより好ましい。なお、一般に、光を利用してナノサイズ(1nm以上100nm以下)のパターン(凹凸構造)を有する膜を作製するパターン形成技術は、光ナノインプリント法と呼ばれている。本実施形態に係るパターン形成方法は、光ナノインプリント法を利用している。
 以下、各工程について説明する。
 <第一積層工程(1)>
 本工程(第一積層工程)では、図2(a)及び2(b)に示す通り、前述した本実施形態に係る硬化性組成物(A1)202を基板201上に積層(塗布)して塗布膜を形成する。
 硬化性組成物(A1)202を配置する対象である基板201は、被加工基板であり、通常、シリコンウエハが用いられる。基板201上には、被加工層が形成されていてもよい。基板201及び被加工層の間にさらに他の層が形成されていてもよい。また、基板201として石英基板を用いれば、石英インプリントモールドのレプリカ(モールドレプリカ)を作製することができる。
 ただし本発明において、基板201はシリコンウエハや石英基板に限定されるものではない。基板201は、アルミニウム、チタン-タングステン合金、アルミニウム-ケイ素合金、アルミニウム-銅-ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選択することができる。
 なお、使用される基板201(被加工基板)あるいは被加工層の表面は、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜、等の表面処理によって硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203との密着性を向上されていてもよい。
 本実施形態において、硬化性組成物(A1)202を基板201あるいは被加工層上に配置する方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。本発明においては、スピンコート法が特に好ましい。
 スピンコート法を用いて硬化性組成物(A1)202を基板201あるいは被加工層上に配置する場合、必要に応じてベーク工程を実施し、溶剤である成分(d1)を揮発させても良い。
 なお、硬化性組成物(A1)202の膜の平均膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、0.1nm以上10,000nm以下であり、好ましくは1nm以上20nm以下であり、特に好ましくは1nm以上10nm以下である。
 <第二積層工程(2)>
 本工程(第二積層工程)では、図2(c)及び2(d)に示す通り、硬化性組成物(A2)203の液滴を、前記硬化性組成物(A1)202の層上に離散的に滴下して配置することが好ましい。配置方法としてはインクジェット法が特に好ましい。硬化性組成物(A2)203の液滴は、モールド205上に凹部が密に存在する領域に対向する基板201上には密に、凹部が疎に存在する領域に対向する基板201上には疎に配置される。このことにより、後述する残膜108(図1(fa)参照)を、モールド205上のパターンの疎密によらずに均一な厚さに制御することができる。また、前記硬化性組成物(A2)203を配置する雰囲気としては、凝縮性ガスを含む雰囲気(以下、「凝縮性ガス雰囲気」と称する。)下で行ってもよい。凝縮性ガス雰囲気下で配置することで、凝縮性ガスが前記硬化性組成物(A2)203の液滴に溶解して液滴の粘度が低下し、液滴がより広がる。凝縮性ガスの別の側面については、次の型接触工程において説明する。
 本発明においては、本工程(第二積層工程)で配置された硬化性組成物(A2)203の液滴は、前述のように、表面張力の差を駆動力とするマランゴニ効果により速やかに広がる(プレスプレッド)(図2(c)及び2(d))。本発明の発明者らはプレスプレッドの過程において、硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203が部分的に混合すること、また硬化性組成物(A1)202中の重合性化合物である成分(a1)と硬化性組成物(A2)203の混合の度合いが硬化物の均質性に影響を及ぼすことを見出した。そしてその混合の度合いが硬化物の均質性、例えば機械強度、光硬化性、エッチング耐性の均一性に影響を及ぼす。
 前述のように、本発明においては、硬化性組成物(A1)202の重合性化合物である成分(a1)と硬化性組成物(A2)203のハンセン距離Ra((a1)-(A2))が6以下であり、また、硬化性組成物(A2)203中の光重合開始剤である成分(b2)と硬化性組成物(A1)202中の重合性化合物である成分(a1)のハンセン距離Ra((a1)-(b2))が、硬化性組成物(A2)203中の重合性化合物である成分(b2)と硬化性組成物(A2)203中の重合性化合物である成分(a2)のハンセン距離Ra((a2)-(b2))よりも小さいことから、硬化性組成物(A1)202と硬化性組成物(A2)203の混合が速やかかつ均一に進行し、硬化物の均質性、例えば機械強度、光硬化性、エッチング耐性の均一性が得られる。
 <型接触工程(3)>
 次に、図2(e)に示すように、前工程(第一及び第二積層工程)で形成された硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203が部分的に混合してなる液体の層にパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールド205を接触させる。これにより、モールド205が表面に有する微細パターンの凹部に硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203が部分的に混合してなる液体が充填(フィル)されて、モールド205の微細パターンに充填(フィル)された液膜となる。
 モールド205としては、次の工程(光照射工程)を考慮して光透過性の材料で構成されたモールド205を用いるとよい。モールド205を構成する材料の材質としては、具体的には、ガラス、石英、PMMA、ポリカーボネート樹脂等の光透過性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。ただし、モールド205を構成する材料の材質として光透過性樹脂を使用する場合は、硬化性組成物に含まれる成分に溶解しない樹脂を選択する必要がある。熱膨張係数が小さくパターン歪みが小さいことから、モールド205を構成する材料の材質は、石英であることが特に好ましい。
 モールド205が表面に有する微細パターンは、4nm以上200nm以下のパターン高さを有することが好ましい。
 パターン高さが低いほど、離型工程においてモールド205をレジストの光硬化膜から引き剥がす力、すなわち離型力が低く、また、離型に伴ってレジストパターンがひきちぎられてマスク側に残存する離型欠陥数が少ない。モールド205を引き剥がす際の衝撃によるレジストパターンの弾性変形で隣接レジストパターン同士が接触し、レジストパターンが癒着あるいは破損する場合があるが、パターン幅に対してパターン高さが2倍程度以下(アスペクト比2以下)であると、それらの不具合を回避できる可能性が高い。一方、パターン高さが低過ぎると、基板201(被加工基板)の加工精度が低い。
 モールド205には、硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203とモールド205の表面との剥離性を向上させるために、硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203とモールド205との型接触工程である本工程の前に表面処理を行っておいてもよい。表面処理の方法としては、モールド205の表面に離型剤を塗布して離型剤層を形成する方法が挙げられる。ここで、モールド205の表面に塗布する離型剤としては、シリコーン系離型剤、フッ素系離型剤、炭化水素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等が挙げられる。例えば、ダイキン工業(株)製のオプツール(登録商標)DSX等の市販の塗布型離型剤も好適に用いることができる。なお、離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、フッ素系及び炭化水素系の離型剤が特に好ましい。
 本工程(型接触工程)において、図2(e)に示すように、モールド205と硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203とを接触させる際に、硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203に加える圧力は特に限定はされない。該圧力は0MPa以上100MPa以下とするとよい。また、該圧力は0MPa以上50MPa以下であることが好ましく、0MPa以上30MPa以下であることがより好ましく、0MPa以上20MPa以下であることがさらに好ましい。
 本発明では、前工程(第二積層工程)において硬化性組成物(A2)203の液滴のプレスプレッドが進行しているため、本工程における硬化性組成物(A2)203のスプレッドは速やかに完了する。硬化性組成物(A2)203の液滴間境界領域においては、スプレッドが最後に完了し、かつ硬化性組成物(A1)202の濃度が高いが、前述のように硬化性組成物(A1)202の接触角が低いため、この領域においてもフィルが速やかに完了する。
 以上のように、本工程において硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203のスプレッド及びフィルが速やかに完了するため、モールド205と硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203を接触させる時間を短く設定できる。つまり短時間で多くのパターン形成工程を完了でき、高い生産性を得られることが、本発明の効果の一つである。接触させる時間は、特に限定はされないが、例えば0.1秒以上600秒以下とすると良い。また、該時間は0.1秒以上3秒以下であることが好ましく、0.1秒以上1秒以下であることが特に好ましい。0.1秒より短いと、スプレッド及びフィルが不十分となり、未充填欠陥と呼ばれる欠陥が多発する傾向がある。
 本工程は、大気雰囲気下、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下のいずれの条件下でも行うことができるが、酸素や水分による硬化反応への影響を防ぐことができるため、減圧雰囲気や不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。不活性ガス雰囲気下で本工程を行う場合に使用することができる不活性ガスの具体例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、各種フロンガス等、あるいはこれらの混合ガスが挙げられる。大気雰囲気下を含めて特定のガスの雰囲気下で本工程を行う場合、好ましい圧力は、0.0001気圧以上10気圧以下である。
 型接触工程は、凝縮性ガス雰囲気下で行ってもよい。本明細書において凝縮性ガスとは、モールド205上に形成された微細パターンの凹部、及びモールド205と基板201との間隙に、硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203と一緒に雰囲気中のガスが充填されたとき、充填時に発生する毛細管圧力で凝縮して液化するガスのことを指す。なお凝縮性ガスは、型接触工程で硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203とモールド205とが接触する前は雰囲気中に気体として存在する(図1(d)及び1(da)参照)。
 凝縮性ガス雰囲気下で型接触工程を行うと、微細パターンの凹部に充填されたガスが硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203により発生する毛細管圧力により液化することで気泡が消滅するため、充填性が優れる。凝縮性ガスは、硬化性組成物(A1)202及び/または硬化性組成物(A2)203に溶解してもよい。
 凝縮性ガスの沸点は、型接触工程の雰囲気温度以下であれば限定はされないが、-10℃~23℃が好ましく、さらに好ましくは10℃~23℃である。この範囲であれば、充填性がさらに優れる。
 凝縮性ガスの型接触工程の雰囲気温度での蒸気圧は、型接触工程で押印するときのモールド205と硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203とを接触させる際に、硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203に加える圧力以下であれば制限がないが、0.1~0.4MPaが好ましい。この範囲であれば、充填性がさらに優れる。雰囲気温度での蒸気圧が0.4MPaより大きいと、気泡の消滅の効果を十分に得ることができない傾向がある。一方、雰囲気温度での蒸気圧が0.1MPaよりも小さいと、減圧が必要となり、装置が複雑になる傾向がある。
 型接触工程の雰囲気温度は、特に制限がないが、20℃~25℃が好ましい。
 凝縮性ガスとして、具体的には、トリクロロフルオロメタン等のクロロフルオロカーボン(CFC)、フルオロカーボン(FC)、ハイドロクロロフルオロカーボン(HCFC)、1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパン(CHFCHCF、HFC-245fa、PFP)等のハイドロフルオロカーボン(HFC)、ペンタフルオロエチルメチルエーテル(CFCFOCH、HFE-245mc)等のハイドロフルオロエーテル(HFE)等のフロン類が挙げられる。
 これらのうち、型接触工程の雰囲気温度が20℃~25℃での充填性が優れるという観点から、1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパン(23℃での蒸気圧0.14MPa、沸点15℃)、トリクロロフルオロメタン(23℃での蒸気圧0.1056MPa、沸点24℃)、及びペンタフルオロエチルメチルエーテルが好ましい。さらに、安全性が優れるという観点から、1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンが特に好ましい。
 凝縮性ガスは、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。またこれら凝縮性ガスは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン等の非凝縮性ガスと混合して用いてもよい。凝縮性ガスと混合する非凝縮性ガスとしては、充填性の観点から、ヘリウムが好ましい。ヘリウムはモールド205を透過することができる。そのため、型接触工程でモールド205上に形成された微細パターンの凹部に硬化性組成物(A1)202及び/または硬化性組成物(A2)203と一緒に雰囲気中のガス(凝縮性ガス及びヘリウム)が充填されたとき、凝縮性ガスが液化するとともにヘリウムはモールド205を透過する。
 <光照射工程(4)>
 次に、図2(f)及び2(g)に示すように、硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203が部分的に混合してなる混合層206に対し、モールド205を介して照射光207を照射する。より詳細には、モールド205の微細パターンに充填された硬化性組成物(A1)202及び/または硬化性組成物(A2)203に、モールド205を介して照射光207を照射する。これにより、モールド205の微細パターンに充填された硬化性組成物(A1)202及び/または硬化性組成物(A2)203は、照射光207によって硬化してパターン形状を有する硬化膜208となる。
 ここで、モールド205の微細パターンに充填された硬化性組成物(A1)202及び/または硬化性組成物(A2)203に照射する照射光207は、硬化性組成物(A1)202及び硬化性組成物(A2)203の感度波長に応じて選択される。具体的には、150nm以上400nm以下の波長の紫外光や、X線、電子線等を適宜選択して使用することが好ましい。
 これらの中でも、照射光207は、紫外光が特に好ましい。これは、硬化助剤(光重合開始剤)として市販されているものは、紫外光に感度を有する化合物が多いからである。ここで紫外光を発する光源としては、例えば、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、Deep-UVランプ、炭素アーク灯、ケミカルランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、Fエキシマレーザ等が挙げられるが、超高圧水銀灯が特に好ましい。また使用する光源の数は1つでもよいしまたは複数であってもよい。また、光照射を行う際には、モールド205の微細パターンに充填された硬化性組成物(A1)202及び/または硬化性組成物(A2)203の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。
 また、光照射は、基板201上の全領域に断続的に複数回行ってもよいし、全領域に連続照射してもよい。さらに、第一の照射過程で一部領域Aを照射し、第二の照射過程で領域Aとは異なる領域Bを照射してもよい。
 光照射工程(4)においては、前述のように漏れ光、つまり当該ショット領域外への光の拡散が、モールド205及び装置のコストの制約上不可避である。
 本発明において、硬化性組成物(A1)202は実質的に光反応性を有さないことが好ましい。硬化性組成物(A1)202は、成分(b)の配合割合を成分(a)、成分(b)、成分(c)の合計に対して0.1重量%未満とすることにより、硬化性組成物(A1)202は実質的に光反応性を有さず、当該ショット領域外へ漏れ出た照射光207により、当該ショット領域外に積層されている硬化性組成物(A1)202が光硬化する、という問題を防止することができる。
 <離型工程(5)>
 次に、パターン形状を有する硬化膜208とモールド205と引き離す。本工程(離型工程)では、図2(h)に示すように、パターン形状を有する硬化膜208とモールド205とを引き離し、工程(4)(光照射工程)において、モールド205上に形成された微細パターンの反転パターンとなるパターン形状を有する硬化膜208が自立した状態で得られる。なお、パターン形状を有する硬化膜208の凹凸パターンの凹部にも硬化膜が残存するが、この膜のことを残膜108(図1(fa)参照)と呼ぶこととする。
 なお、型接触工程を凝縮性ガス雰囲気下で行った場合、離型工程で硬化膜208とモールド205とを引き離す際に、硬化膜208とモールド205とが接触する界面の圧力が低下することに伴って凝縮性ガスが気化する。これにより、硬化膜208とモールド205とを引き離すために必要な力である離型力を低減させる効果を奏する傾向がある。
 パターン形状を有する硬化膜208とモールド205とを引き離す方法としては、引き離す際にパターン形状を有する硬化膜208の一部が物理的に破損しなければ特に限定されず、各種条件等も特に限定されない。例えば、基板201(被加工基板)を固定してモールド205を基板201から遠ざかるように移動させて剥離してもよい。もしくは、モールド205を固定して基板201をモールド205から遠ざかるように移動させて剥離してもよい。あるいは、これらの両方を正反対の方向へ引っ張って剥離してもよい。
 以上の工程(1)~工程(5)を有する一連の工程(製造プロセス)によって、所望の凹凸パターン形状(モールド205の凹凸形状に因むパターン形状)を、所望の位置に有する硬化膜208を得ることができる。
 本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法では、工程(1)で基板201の表面の大部分に硬化性組成物(A1)202を一括して積層し、工程(2)~工程(5)からなる繰り返し単位(ショット)を、同一基板上で繰り返して複数回行うことができる。また、工程(1)~工程(5)を同一基板上で繰り返して複数回行ってもよい。工程(1)~工程(5)あるいは工程(2)~工程(5)からなる繰り返し単位(ショット)を複数回繰り返すことで、基板201(被加工基板)の所望の位置に複数の所望の凹凸パターン形状(モールド205の凹凸形状に因むパターン形状)を有する硬化膜208を得ることができる。
 工程(1)~工程(5)を経て得られた、パターン形状を有する硬化膜208をマスクとして、基板201(被加工基板)あるいは基板201(被加工基板)上の被加工層をエッチングなどの加工手段を用いてパターン状に加工し、加工基板を得ることができる。また、パターン形状を有する硬化膜208上にさらに被加工層を成膜した後に、エッチングなどの加工手段を用いてパターン転写を行っても良い。このようにして、パターン形状を有する硬化膜208のパターン形状に基づく回路構造を基板201上に形成することができる。これにより、半導体素子等で利用される回路基板を製造することができる。また、この回路基板と回路基板の回路制御機構などとを接続することにより、ディスプレイ、カメラ、医療装置などの電子機器を形成することもできる。ここでいう半導体素子とは、例えば、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D-RDRAM、NANDフラッシュ等が挙げられる。
 工程(1)~工程(5)を経て得られた、パターン形状を有する硬化膜208を回折格子や偏光板などの光学部材(光学部材の一部材として用いる場合を含む)として利用し、光学部品を得ることもできる。このような場合、少なくとも、基板201と、この基板201上のパターン形状を有する硬化膜208と、を有する光学部品とすることができる。
 また、基板201として石英基板を用いて、工程(1)~工程(5)を経てパターン形状を有する硬化膜208を作製し、エッチングなどの加工手段を用いてパターン転写を行って石英インプリントモールドの石英モールドレプリカを作製することもできる。
[インプリント前処理コーティング材料(硬化性組成物(A1))、及びインプリントレジスト(硬化性組成物(A2))のセット]
 上述した本発明の別の態様は、基板上に前処理コーティングとなる液膜を形成し、液膜に対し液滴を付与することで液滴成分の基板面方向の広がりを促進するインプリント前処理コーティング材料を提供するものである。
 すなわち、本発明は、基板上に前処理コーティングとなる液膜を形成し、前記液膜に対し硬化性組成物(A2)からなる液滴を付与することで液滴成分の基板面方向の広がりを促進する硬化性組成物(A1)からなるインプリント前処理コーティング材料であって、
 前記インプリント前処理コーティング材料中の重合性化合物である成分(a1)と、前記付与される液滴の前記硬化性組成物(A2)とのハンセン距離Ra((a1)-(A2))が6以下である、ことを特徴とするインプリント前処理コーティング材料、を包含する。
 インプリント前処理コーティングの表面張力が付与される液滴の表面張力よりも高いことが好ましい。特に、溶剤を除くインプリント前処理コーティング材料の成分の組成物の表面張力が、溶剤を除くインプリントレジストの成分の組成物の表面張力より高いことが好ましい。これにより、液膜に対し液滴を付与することで液滴成分の基板面方向の広がりが促進され、好適なインプリントを実現することができる。
 特に、インプリントレジストと、インプリント前処理コーティング材料とを組み合わせたセットとして提供されることが好ましい。すなわち、溶剤を除く前記インプリント前処理コーティング材料の成分の組成物の表面張力が、溶剤を除く前記インプリントレジストの成分の組成物の表面張力より高い、という関係で組み合わせたセットとして提供することで、好適なインプリントを実現する。さらに、溶剤を除くインプリント前処理コーティング材料の成分の組成物の表面張力と、溶剤を除くインプリントレジストの成分の組成物の表面張力の差が、1mN/m以上25mN/m以下である組み合わせのセットであるとより好ましい。
 また、本発明の別の側面は、インプリント前処理コーティング材料を基板上にコーティングすることで、インプリントを行うための好適な基板の前処理方法をも提供するものである。
 加えて本発明は、基板上にパターンを形成するためのパターン形成方法をも包含するものである。インプリント前処理コーティング材料がコーティングされた基板上にレジストを不連続に滴下する工程を有することで、レジスト成分の基板面方向の広がりが促進され、インプリントに要する時間を短縮することができる。
 以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は以下に説明する実施例に限定されるものではない。尚、以下に使用される「部」及び「%」は特に示さない限りすべて重量基準である。
(実施例1)
 (1)硬化性組成物(A1-1)の調製
 下記に示される成分(a1)、成分(b1)、成分(c1)、成分(d1)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例1の硬化性組成物(A1-1)を調製した。
 (1-1)成分(a1):合計100重量部
 m-キシリレンジアクリレート(NARD製、略称mXDA):100重量部
 (1-2)成分(b1):合計0重量部
 成分(b1)は添加しなかった。
 (1-3)成分(c1):合計0重量部
 成分(c1)は添加しなかった。
 (1-4)成分(d1):合計33000重量部
 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(東京化成工業製、略称PGMEA):33000重量部
 (2)硬化性組成物(A1-1)の表面張力の測定
 自動表面張力計DY-300(協和界面化学製)を用い、白金プレートを用いたプレート法により、25℃における溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1-1)の成分の組成物の表面張力を測定したところ、39.3mN/mであった。なお、測定は、測定回数5回、白金プレートのプリウェット浸漬距離0.35mmの条件で行った。1回目の測定値を除いて、2回目から5回目の測定値の平均値を表面張力とした。
 (3)硬化性組成物(A2-1)の調製
 下記に示される成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)、成分(d2)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例1の硬化性組成物(A2-1)を調製した。
 (3-1)成分(a2):合計94重量部
 イソボルニルアクリレート(共栄社化学製、商品名:IB-XA)、比重0.993:9重量部
 ベンジルアクリレート(大阪有機化学工業製、商品名:V#160)、比重1.06:38重量部
 ネオペンチルグリコールジアクリレート(共栄社化学製、商品名:NP-A)、比重0.998:47重量部
 (3-2)成分(b2):合計3重量部
 Irgacure369(BASF製、略称I.369):3重量部
 (3-3)成分(c2):合計0重量部
 成分(c2)は添加しなかった。
 (3-4)成分(d2):合計0重量部
 成分(d2)は添加しなかった。
 (4)硬化性組成物(A2-1)の表面張力の測定
 硬化性組成物(A1-1)と同様の方法で硬化性組成物(A2-1)の表面張力を測定したところ、33.4mN/mであった。
 (5)溶解度パラメータの算出
 硬化性組成物(A1-1)中の成分(a1)、硬化性組成物(A2-1)、並びに硬化性組成物(A2-1)中の成分(a2)及び成分(b2)のハンセン溶解度パラメータを計算ソフトHSPiPを用いて算出した。成分(a2)のハンセン溶解度パラメータは各アクリレートの比重と混合した重量部から体積比率を算出して求めた。算出結果は表3から表5に示す。
 これらの値を用いて、式(1)のRa((a1)-(A2-1))を算出したところ、2.2であり、成分(a1)と硬化性組成物(A2-1)は十分な混合が得られると予想された。
 次いで、式(2)-式(3)、即ちRa((a2)-(b2))-Ra((a1)-(b2))を算出したところ、1.6であった。これは式(4)の関係を満たした。成分(b2)は成分(a1)に溶けやすい性質を有し、速やかな混合が予測された。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 スピンコーターを用いて硬化性組成物(A1-1)をシリコン基板上に塗布することで、5~10nm程度の厚さの硬化性組成物(A1-1)の膜を得ることができる。
 硬化性組成物(A1-1)の膜の上に、インクジェット法を用いて硬化性組成物(A2-1)の1pLの液滴を離散的に配置することができる。液滴量は、例えば、硬化膜の平均膜厚が50nm程度になる量とする。このとき、下層に配置されている硬化性組成物(A1-1)の表面張力は、その上層に滴下される硬化性組成物(A2-1)の表面張力より高いので、マランゴニ効果が発現し、硬化性組成物(A2-1)の液滴の拡大(プレスプレッド)は速やかである。
 第二積層工程及び型接触工程において、硬化性組成物(A1-1)と硬化性組成物(A2-1)が混合し、硬化性組成物(A2-1)から光重合開始剤成分(b2)が硬化性組成物(A1-1)に移行することで硬化性組成物(A1-1)も光重合性を獲得する。そして光照射工程において硬化性組成物(A1-1)と硬化性組成物(A2-1)の混合物は良好に硬化する。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングすれば、面内分布の均一性を確認することができる。
(実施例2)
 (1)~(2)硬化性組成物(A1-2)について
 実施例1と同様の組成物を硬化性組成物(A1-2)として用いた。
 (3)硬化性組成物(A2-2)の調製
 下記に示される成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)、成分(d2)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例2の硬化性組成物(A2-2)を調製した。
 (3-1)成分(a2):合計94重量部
 実施例1と同様とした。
 (3-2)成分(b2):合計3重量部
 IrgacureTPO-L(BASF製、略称ITPO-L):3重量部
 (3-3)成分(c2):合計0重量部
 実施例1と同様とした。
 (3-4)成分(d2):合計0重量部
 実施例1と同様とした。
 (4)硬化性組成物(A2-2)の表面張力の測定
 実施例1と同様に硬化性組成物(A2-2)の表面張力を測定したところ、33.4mN/mであった。
 (5)溶解度パラメータの算出
 実施例1と同様に硬化性組成物(A1-2)中の成分(a1)、硬化性組成物(A2-2)、並びに硬化性組成物(A2-2)中の成分(a2)及び成分(b2)のハンセン溶解度パラメータを計算ソフトHSPiPを用いて算出した。算出結果は表3から表5に示す。
 これらの値を用いて、式(1)のRa((a1)-(A2-2))を算出したところ、2.2であり、成分(a1)と硬化性組成物(A2-2)は十分な混合が得られると予想された。
 次いで、式(2)- 式(3)、即ちRa((a2)-(b2))-Ra((a1)-(b2))を算出したところ、1.8であり、式(4)の関係を満たした。成分(b2)は成分(a1)に溶けやすい性質を有し、速やかな混合が予測された。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 実施例1と同様に、下層に配置されている硬化性組成物(A1-2)の表面張力は、その上層に滴下される硬化性組成物(A2-2)の表面張力より高いので、マランゴニ効果が発現し、硬化性組成物(A2-2)の液滴の拡大(プレスプレッド)は速やかである。
 実施例1と同様に、光照射工程において硬化性組成物(A1-2)と硬化性組成物(A2-2)の混合物は良好に硬化する。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングすれば、面内分布の均一性を確認することができる。
(実施例3)
 (1)硬化性組成物(A1-3)について
成分(a1)を以下の材料を用いた以外は、実施例1と同様にして硬化組成物A1-3を得た。
成分(a1):合計100重量部
 トリメチロールプロパントリアクリレート(アルドリッチ製、略称TMPTA):100重量部
 (2)硬化性組成物(A1-3)の表面張力の測定
 実施例1と同様、溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1-3)の成分の組成物の表面張力を測定したところ、36.4mN/mであった。
 (3)硬化性組成物(A2-3)の調製
 下記に示される成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)、成分(d2)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例3の硬化性組成物(A2-3)を調製した。
 (3-1)成分(a2):合計94重量部
 実施例1と同様とした。
 (3-2)成分(b2):合計3重量部
 Irgacure1173(BASF製、略称I.1173):3重量部
 (3-3)成分(c2):合計0重量部
 実施例1と同様とした。
 (3-4)成分(d2):合計0重量部
 実施例1と同様とした。
 (4)硬化性組成物(A2-3)の表面張力の測定
 実施例1と同様に硬化性組成物(A2-3)の表面張力を測定したところ、33.4mN/mであった。
 (5)溶解度パラメータの算出
 実施例1と同様に硬化性組成物(A1-3)中の成分(a1)、硬化性組成物(A2-3)、並びに硬化性組成物(A2-3)中の成分(a2)及び成分(b2)のハンセン溶解度パラメータを計算ソフトHSPiPを用いて算出した。算出結果は表3から表5に示す。
 これらの値を用いて、式(1)のRa((a1)-(A2-3))を算出したところ、1.1であり、成分(a1)と硬化性組成物(A2-3)は十分な混合が得られると予想された。
 次いで、式(2)-式(3)、即ちRa((a2)-(b2))-Ra((a1)-(b2))を算出したところ、0.2であり、式(4)の関係を満たした。成分(b2)は成分(a1)に溶けやすい性質を有し、速やかな混合が予測された。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 実施例1と同様に、下層に配置されている硬化性組成物(A1-3)の表面張力は、その上層に滴下される硬化性組成物(A2-3)の表面張力より高いので、マランゴニ効果が発現し、硬化性組成物(A2-3)の液滴の拡大(プレスプレッド)は速やかである。
 実施例1と同様に、光照射工程において硬化性組成物(A1-3)と硬化性組成物(A2-3)の混合物は良好に硬化する。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングすれば、面内分布の均一性を確認することができる。
(実施例4)
 (1)硬化性組成物(A1-4)について
成分(a1)を以下の材料を用いた以外は、実施例1と同様にして硬化組成物A1-4を得た。
成分(a1):合計100重量部
 ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート(共栄社製、略称DCP-A):100重量部
 (2)硬化性組成物(A1-4)の表面張力の測定
 実施例1と同様に、溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1-4)の成分の組成物の表面張力を測定したところ、38.6mN/mであった。
 (3)硬化性組成物(A2-4)の調製
 下記に示される成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)、成分(d2)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例4の硬化性組成物(A2-4)を調製した。
 (3-1)成分(a2):合計94重量部
 実施例1と同様とした。
 (3-2)成分(b2):合計3重量部
 1,7-ビス(9,9'-ヘプタメチレンジアクリジン)(株式会社ADEKA製、略称N.1717):3重量部
 (3-3)成分(c2):合計0重量部
 実施例1と同様とした。
 (3-4)成分(d2):合計0重量部
 実施例1と同様とした。
 (4)硬化性組成物(A2-4)の表面張力の測定
 実施例1と同様に硬化性組成物(A2-4)の表面張力を測定したところ、33.4mN/mであった。
 (5)溶解度パラメータの算出
 実施例1と同様に硬化性組成物(A1-4)中の成分(a1)、硬化性組成物(A2-4)、硬化性組成物(A2-4)中の成分(a2)及び成分(b2)のハンセン溶解度パラメータを計算ソフトHSPiPを用いて算出した。算出結果は表3から表5に示す。
 これらの値を用いて、式(1)のRa((a1)-(A2-4))を算出したところ、1.4であり、成分(a1)と硬化性組成物(A2-4)は十分な混合が得られると予想された。
 次いで、式(2)-式(3)、即ちRa((a2)-(b2))-Ra((a1)-(b2))を算出したところ、1.0であり、式(4)の関係を満たした。成分(b2)は成分(a1)に溶けやすい性質を有し、速やかな混合が予測された。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 実施例1と同様に、下層に配置されている硬化性組成物(A1-4)の表面張力は、その上層に滴下される硬化性組成物(A2-4)の表面張力より高いので、マランゴニ効果が発現し、硬化性組成物(A2-4)の液滴の拡大(プレスプレッド)は速やかである。
 実施例1と同様に、光照射工程において硬化性組成物(A1-4)と硬化性組成物(A2-4)の混合物は良好に硬化する。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングすれば、面内分布の均一性を確認することができる。
(実施例5)
 (1)硬化性組成物(A1-5)について
成分(a1)を以下の材料を用いた以外は、実施例1と同様にして硬化組成物A1-5を得た。
成分(a1):合計100重量部
 ペンタエリスリトールトリアクリレート(第一工業製薬製、略称PET-3):100重量部
 (2)硬化性組成物(A1-5)の表面張力の測定
 実施例1と同様に、溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1-5)の成分の組成物の表面張力を測定したところ、39.6mN/mであった。
 (3)硬化性組成物(A2-5)の調製
 下記に示される成分(a2)、成分(b2)、成分(c2)、成分(d2)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、実施例3の硬化性組成物(A2-5)を調製した。
 (3-1)成分(a2):合計94重量部
 実施例1と同様とした。
 (3-2)成分(b2):合計3重量部
 Irgacure1173(BASF製、略称I.1173):3重量部
 (3-3)成分(c2):合計0重量部
 実施例1と同様とした。
 (3-4)成分(d2):合計0重量部
 実施例1と同様とした。
 (4)硬化性組成物(A2-5)の表面張力の測定
 実施例1と同様に硬化性組成物(A2-5)の表面張力を測定したところ、33.4mN/mであった。
 (5)溶解度パラメータの算出
 実施例1と同様に硬化性組成物(A1-5)中の成分(a1)、硬化性組成物(A2-5)、並びに硬化性組成物(A2-5)中の成分(a2)及び成分(b2)のハンセン溶解度パラメータを計算ソフトHSPiPを用いて算出した。算出結果は表3から表5に示す。
 これらの値を用いて、式(1)のRa((a1)-(A2-5))を算出したところ、5.2であり、成分(a1)と硬化性組成物(A2-5)は十分な混合が得られると予想された。
 次いで、式(2)-式(3)、即ちRa((a2)-(b2))-Ra((a1)-(b2))を算出したところ、1.7であり、式(4)の関係を満たした。成分(b2)は成分(a1)に溶けやすい性質を有し、速やかな混合が予測された。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 実施例1と同様に、下層に配置されている硬化性組成物(A1-5)の表面張力は、その上層に滴下される硬化性組成物(A2-5)の表面張力より高いので、マランゴニ効果が発現し、硬化性組成物(A2-5)の液滴の拡大(プレスプレッド)は速やかである。
 実施例1と同様に、光照射工程において硬化性組成物(A1-5)と硬化性組成物(A2-5)の混合物は良好に硬化する。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングすれば、面内分布の均一性を確認することができる。
(比較例0)
 (1)~(2)硬化性組成物(A1-0´)について
 比較例0において、硬化性組成物(A1)は使用しなかった。
 (3)~(4)硬化性組成物(A2-0´)
 実施例1と同様の組成物を硬化性組成物(A2-0´)として用いた。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 硬化性組成物(A2-0´)を固体表面である基板表面に直接滴下するとマランゴニ効果は発現しない。つまり、プレスプレッドの促進効果が得られず、硬化性組成物(A2-0´)の液滴の拡大は、本発明の実施例と比較して遅い。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングすれば、面内分布の均一性を確認することができる。
(比較例1)
 (1)硬化性組成物(A1-1´)の調製
 下記に示される成分(a1)、成分(b1)、成分(c1)、成分(d1)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、比較例1の硬化性組成物(A1-1´)を調製した。
 (1-1)成分(a1):合計100重量部
 アクリル酸(アルドリッチ製、):100重量部
 (1-2)成分(b1):合計0重量部
 成分(b1)は添加しなかった。
 (1-3)成分(c1):合計0重量部
 成分(c1)は添加しなかった。
 (1-4)成分(d1):合計33000重量部
 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(東京化成工業製、略称PGMEA):33000重量部
 (2)硬化性組成物(A1-1´)の表面張力の測定
 実施例1と同様に、溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1-1´)の成分の組成物の表面張力を測定したところ、69.9mN/mであった。
 (3)硬化性組成物(A2-1´)の調製
成分(b2)として以下の材料を用いた以外は、実施例1と同様にして硬化組成物(A2-1´)を得た。
 (3-2)成分(b2):合計3重量部
 2,2'-ビス(o-メトキシフェニル)-4,4',5,5'-テトラフェニル-1,1'-ビ(1H-イミダゾール) (東京化成工業製、略称HABI-Me):3重量部
 (4)硬化性組成物(A2-1´)の表面張力の測定
 実施例1と同様に硬化性組成物(A2-1´)の表面張力を測定したところ、33.4mN/mであった。
 (5)溶解度パラメータの算出
 実施例1と同様に硬化性組成物(A1-1´)中の成分(a1)、硬化性組成物(A2-1´)、並びに硬化性組成物(A2-1´)中の成分(a2)及び成分(b2)のハンセン溶解度パラメータを計算ソフトHSPiPを用いて算出した。算出結果は表3から表5に示す。
 これらの値を用いて、式(1)のRa((a1)-(A2-1´))を算出したところ、11.2であり、成分(a1)と硬化性組成物(A2-1´)は十分な混合が得られないと予想された。
 次いで、式(2)-式(3)、即ちRa((a2)-(b2))-Ra((a1)-(b2))を算出したところ、-10.2であった。これは式(4)の関係を満たさないことを示す。成分(b2)は成分(a1)に溶けにくい性質を有し、速やかな混合は得られないことが予測された。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 実施例1と同様に、下層に配置されている硬化性組成物(A1-1´)の表面張力は、その上層に滴下される硬化性組成物(A2-1´)の表面張力より高いので、マランゴニ効果が発現し、硬化性組成物(A2-1´)の液滴の拡大(プレスプレッド)は速やかである。
 しかし、成分(b2)が成分(a1)に速やかに混合しないことから、光照射工程において硬化性組成物(A1-1´)の濃度の高い領域は良好に硬化しない。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングしたところ、良好に硬化していない(A1-1´)の硬化膜が選択的にエッチングされ、硬化性組成物面内分布が生じ、良好なパターンを転写することができない。
(比較例2)
 (1)硬化性組成物(A1-2´)の調製
 下記に示される成分(a1)、成分(b1)、成分(c1)、成分(d1)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、比較例2の硬化性組成物(A1-2´)を調製した。
 (1-1)成分(a1):合計100重量部
 アクリル酸(ダウ・ケミカル製、):100重量部
 (1-2)成分(b1):合計0重量部
 成分(b1)は添加しなかった。
 (1-3)成分(c1):合計0重量部
 成分(c1)は添加しなかった。
 (1-4)成分(d1):合計33000重量部
 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(東京化成工業製、略称PGMEA):33000重量部
 (2)硬化性組成物(A1-2´)の表面張力の測定
 実施例1と同様に、溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1-2´)の成分の組成物の表面張力を測定したところ、69.9mN/mであった。
 (3)硬化性組成物(A2-2´)の調製
 成分(b2)として以下の材料を用いた以外は、実施例1と同様にして硬化組成物(A2-2´)を得た。
 (3-2)成分(b2):合計3重量部
 IrgacureOXE02(BASF製、略称I.OXE02):3重量部
 (4)硬化性組成物(A2-2´)の表面張力の測定
 実施例1と同様に硬化性組成物(A2-2´)の表面張力を測定したところ、33.4mN/mであった。
 (5)溶解度パラメータの算出
 実施例1と同様に硬化性組成物(A1-2´)中の成分(a1)、硬化性組成物(A2-2´)、並びに硬化性組成物(A2-2´)中の成分(a2)及び成分(b2)のハンセン溶解度パラメータを計算ソフトHSPiPを用いて算出した。算出結果は表3から表5に示す。
 これらの値を用いて、式(1)のRa((a1)-(A2-2´))を算出したところ、11.0であり、成分(a1)と硬化性組成物(A2-2´)は十分な混合が得られないと予想された。
 次いで、式(2)-式(3)、即ちRa((a2)-(b2))-Ra((a1)-(b2))を算出したところ、-6.8であった。これは式(4)の関係を満たさないことを示す。成分(b2)は成分(a1)に溶けにくい性質を有し、速やかな混合は得られないことが予測された。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 実施例1と同様に、下層に配置されている硬化性組成物(A1-2´)の表面張力は、その上層に滴下される硬化性組成物(A2-2´)の表面張力より高いので、マランゴニ効果が発現し、硬化性組成物(A2-2´)の液滴の拡大(プレスプレッド)は速やかである。
 しかし、成分(b2)が成分(a1)に速やかに混合しないことから、光照射工程において硬化性組成物(A1-2´)の濃度が高い領域は良好に硬化しない。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングしたところ、良好に硬化していない(A1-2´)の硬化膜が選択的にエッチングされ、硬化性組成物面内分布が生じ、良好なパターンを転写することができない。
(比較例3)
 (1)硬化性組成物(A1-3´)の調製
 下記に示される成分(a1)、成分(b1)、成分(c1)、成分(d1)を配合し、これを0.2μmの超高分子量ポリエチレン製フィルタでろ過し、比較例3の硬化性組成物(A1-3´)を調製した。
 (1-1)成分(a1):合計100重量部
 アクリル酸(ダウ・ケミカル製):100重量部
 (1-2)成分(b1):合計0重量部
 成分(b1)は添加しなかった。
 (1-3)成分(c1):合計0重量部
 成分(c1)は添加しなかった。
 (1-4)成分(d1):合計33000重量部
 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(東京化成工業製、略称PGMEA):33000重量部
 (2)硬化性組成物(A1-3´)の表面張力の測定
 実施例1と同様に、溶剤である成分(d1)を除く硬化性組成物(A1-3´)の成分の組成物の表面張力を測定したところ、69.6mN/mであった。
 (3)硬化性組成物(A2-3´)の調製
 成分(b2)として以下の材料を用いた以外は、実施例1と同様にして硬化組成物(A2-3´)を得た。
 (3-2)成分(b2):合計3重量部
 IrgacureOXE01(BASF製、略称I.OXE01):3重量部
 (4)硬化性組成物(A2-3´)の表面張力の測定
 実施例1と同様に硬化性組成物(A2-3´)の表面張力を測定したところ、33.4mN/mであった。
 (5)溶解度パラメータの算出
 実施例1と同様に硬化性組成物(A1-3´)中の成分(a1)、硬化性組成物(A2-3´)、並びに硬化性組成物(A2-3´)中の成分(a2)及び成分(b2)のハンセン溶解度パラメータを計算ソフトHSPiPを用いて算出した。算出結果は表3から表5に示す。
 これらの値を用いて、式(1)のRa((a1)-(A2-3´))を算出したところ、11.0であり、成分(a1)と硬化性組成物(A2-3´)は十分な混合が得られないと予想された。
 次いで、式(2)-式(3)、即ちRa((a2)-(b2))-Ra((a1)-(b2))を算出したところ、-7.8であった。これは式(4)の関係を満たさないことを示す。成分(b2)は成分(a1)に溶けにくい性質を有し、速やかな混合は得られないことが予測された。
 (6)光ナノインプリントプロセス
 実施例1と同様に、下層に配置されている硬化性組成物(A1-3´)の表面張力は、その上層に滴下される硬化性組成物(A2-3´)の表面張力より高いので、マランゴニ効果が発現し、硬化性組成物(A2-3´)の液滴の拡大(プレスプレッド)は速やかである。
 しかし、成分(b2)が成分(a1)に速やかに混合しないことから、光照射工程において硬化性組成物(A1-3´)の濃度が高い領域は良好に硬化しない。
 (7)エッチングプロセス
 ドライエッチング装置を用いて硬化膜をドライエッチングしたところ、良好に硬化していない(A1-3´)の硬化膜が選択的にエッチングされ、硬化性組成物面内分布が生じ、良好なパターンを転写することができない。
(実施例及び比較例のまとめ)
 実施例1~5及び比較例0~3の組成表を表1及び表2に、ハンセン溶解度パラメータを表3~5に、実施例及び比較例の結果を表6にまとめて示す。

 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 

 
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 

 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 
 表6において、プレスプレッドの評価は比較例0を基準とした相対評価とした。つまり、比較例0より速い速度であれば「速い」とし、比較例0と同程度あるいは比較例0より遅い速度であれば「遅い」とした。実施例1~5及び比較例1~3のプレスプレッドは、比較例0、つまり硬化性組成物(A1)を使用しない場合よりも、マランゴニ効果のため速い。
 実施例1~5、比較例0では組成物A1と組成物A2の混合不良から生じるドライエッチング耐性など、各種特性の面内分布の影響はない。比較例1~3では混合不良から生じるドライエッチング耐性などの影響があり、各種特性の面内分布の影響が生じるという問題が生じる。
 以上のように、実施例1~5において、高速なプレスプレッドを各種特性の面内分布の影響なしに得られることが示された。
 以上、本実施形態の方法を用いることで、良好に混合する2種類の液状の硬化性組成物を用いることで面内分布を抑制したSST-NIL技術を提供することができる。
 この出願は2016年3月31日に出願された米国特許出願番号62/315,738及び2017年3月8日に出願された米国特許出願番号15/453,540からの優先権を主張するものであり、それらの内容を引用してこの出願の一部とするものである。
101 基板
102 レジスト
104 液滴の広がる方向を示す矢印
105 モールド
106 照射光
107 光硬化膜
108 残膜
201 基板(被加工基板)
202 硬化性組成物(A1)
203 硬化性組成物(A2)
204 液滴の広がる方向を示す矢印
205 モールド
206 混合層
207 照射光
208 硬化膜
301 基板
302 硬化性組成物(A1)
303 硬化性組成物(A2)
305 モールド
306 混合層
307 照射光
308 硬化膜

Claims (22)

  1.  基板の表面に、少なくとも重合性化合物である成分(a1)を含む硬化性組成物(A1)からなる層を積層する第一積層工程(1)、
     前記硬化性組成物(A1)からなる層の上に、少なくとも重合性化合物である成分(a2)及び光重合開始剤である成分(b2)を含む硬化性組成物(A2)の液滴を離散的に滴下して積層する第二積層工程(2)、
     パターンを有するモールドと前記基板の間に前記硬化性組成物(A1)及び前記硬化性組成物(A2)が部分的に混合してなる混合層をサンドイッチする型接触工程(3)、
     前記混合層を前記モールド側から光を照射することにより硬化させる光照射工程(4)、
     前記モールドを硬化後の前記混合層から引き離す離型工程(5)、
    を該順に有するパターン形成方法であって、
     前記硬化性組成物(A1)中の前記重合性化合物である成分(a1)と前記硬化性組成物(A2)とのハンセン距離Ra((a1)-(A2))が6以下である、
    ことを特徴とするパターン形成方法。
  2.  前記硬化性組成物(A1)の前記重合性化合物である成分(a1)と前記硬化性組成物(A2)とのハンセン距離Ra((a1)-(A2))が3以下であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
  3.  基板の表面に、少なくとも重合性化合物である成分(a1)を含む硬化性組成物(A1)からなる層を積層する第一積層工程(1)、
     前記硬化性組成物(A1)からなる層上に、少なくとも重合性化合物である成分(a2)及び光重合開始剤である成分(b2)を含む硬化性組成物(A2)の液滴を離散的に滴下して積層する第二積層工程(2)、
     パターンを有するモールドと前記基板の間に前記硬化性組成物(A1)及び前記硬化性組成物(A2)が部分的に混合してなる混合層をサンドイッチする型接触工程(3)、
     前記混合層を前記モールド側から光を照射することにより硬化させる光照射工程(4)、
    前記モールドを硬化後の前記混合層から引き離す離型工程(5)、
    を該順に有するパターン形成方法であって、
     前記硬化性組成物(A2)中の前記光重合開始剤である成分(b2)と前記硬化性組成物(A1)中の重合性化合物である成分(a1)のハンセン距離Ra((a1)-(b2))が、該光重合開始剤である成分(b2)と前記硬化性組成物(A2)中の前記重合性化合物である成分(a2)とのハンセン距離Ra((a2)-(b2))よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。
  4.  前記硬化性組成物(A1)における光重合開始剤である成分(b1)の配合割合が、溶剤を除く硬化性組成物(A1)の成分の合計重量に対して0.1重量%未満であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  5.  溶剤を除く前記硬化性組成物(A1)の成分の組成物の表面張力が、溶剤を除く前記硬化性組成物(A2)の成分の組成物の表面張力より高いことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  6.  溶剤を除く前記硬化性組成物(A1)の成分の組成物の粘度が1mPa・s以上1000mPa・s以下であり、かつ、溶剤を除く前記硬化性組成物(A2)の成分の組成物の粘度が1mPa・s以上12mPa・s以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  7.  前記モールドの表面の材質が石英であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  8.  前記型接触工程が、凝縮性ガスを含む雰囲気下で行われることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  9.  前記第二積層工程が、前記凝縮性ガスと非凝縮性ガスとの混合ガスの雰囲気下で行われることを特徴とする請求項8に記載のパターン形成方法。
  10.  前記非凝縮性ガスが、ヘリウムであることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成方法。
  11.  前記凝縮性ガスが、1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする請求項8から10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
  12.  請求項1から11のいずれか1項に記載のパターン形成方法を有することを特徴とする加工基板の製造方法。
  13.  請求項1から11のいずれか1項に記載のパターン形成方法を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
  14.  請求項1から11のいずれか一項に記載のパターン形成方法を有することを特徴とする石英モールドレプリカの製造方法。
  15.  前記パターンが、前記硬化性組成物の光硬化物によるナノサイズの凹凸パターンである、請求項1から11のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
  16.  基板上に前処理コーティングとなる液膜を形成し、前記液膜に対し硬化性組成物(A2)からなるインプリントレジストの液滴を付与することで該液滴の成分の基板面方向の広がりを促進する硬化性組成物(A1)からなるインプリント前処理コーティング材料であって、
     前記インプリント前処理コーティング材料中の重合性化合物である成分(a1)と、付与される前記液滴の前記硬化性組成物(A2)とのハンセン距離Ra((a1)-(A2))が6以下である、ことを特徴とするインプリント前処理コーティング材料。
  17.  前記インプリント前処理コーティング材料の表面張力が付与される前記液滴の表面張力よりも高い請求項16に記載のインプリント前処理コーティング材料。
  18.  請求項16または17に記載のインプリント前処理コーティング材料と、前記基板上の前記インプリント前処理コーティング材料の前記液膜に滴下するためのインプリントレジストと、を有するセット。
  19.  溶剤を除く前記インプリント前処理コーティング材料の成分の組成物の表面張力が、溶剤を除く前記インプリントレジストの成分の組成物の表面張力より高いことを特徴とする請求項18に記載のセット。
  20.  請求項18または19に記載のセットに用いるインプリントレジスト。
  21.  前記基板上に前記インプリントレジストを配置してインプリントを行うための前処理方法であって、請求項16または17に記載のインプリント前処理コーティング材料を前記基板上にコーティングすることを特徴とする基板の前処理方法。
  22.  基板上にパターンを形成するためのパターン形成方法であって、請求項16または17に記載のインプリント前処理コーティング材料がコーティングされた前記基板上にインプリントレジストを不連続に滴下する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
PCT/JP2017/012904 2016-03-31 2017-03-29 パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法 WO2017170697A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018509341A JP6855448B2 (ja) 2016-03-31 2017-03-29 パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
KR1020187029972A KR102208986B1 (ko) 2016-03-31 2017-03-29 패턴 형성 방법, 가공 기판의 제조 방법, 광학 부품의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 임프린트 몰드의 제조 방법
CN201780022176.9A CN108885976B (zh) 2016-03-31 2017-03-29 图案形成方法、加工基板的生产方法、光学部件的生产方法、电路板的生产方法、电子部件的生产方法和压印模具的生产方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662315738P 2016-03-31 2016-03-31
US62/315,738 2016-03-31
US15/453,540 US10578965B2 (en) 2016-03-31 2017-03-08 Pattern forming method
US15/453,540 2017-03-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017170697A1 true WO2017170697A1 (ja) 2017-10-05

Family

ID=59960885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/012904 WO2017170697A1 (ja) 2016-03-31 2017-03-29 パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10578965B2 (ja)
JP (1) JP6855448B2 (ja)
KR (1) KR102208986B1 (ja)
CN (1) CN108885976B (ja)
TW (1) TWI666685B (ja)
WO (1) WO2017170697A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018148001A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法
WO2018230488A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 富士フイルム株式会社 キット、積層体、積層体の製造方法、硬化物パターンの製造方法および回路基板の製造方法
JPWO2017170128A1 (ja) * 2016-03-31 2019-02-14 キヤノン株式会社 パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
JP2019062057A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 富士フイルム株式会社 インプリント用下層膜形成用組成物、キット、積層体、積層体の製造方法、硬化物パターンの製造方法、回路基板の製造方法
WO2019156008A1 (ja) * 2018-02-09 2019-08-15 富士フイルム株式会社 キット、インプリント用下層膜形成組成物、積層体、これらを用いた製造方法
WO2019159916A1 (ja) * 2018-02-14 2019-08-22 富士フイルム株式会社 キット、インプリント用下層膜形成組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法
WO2020059603A1 (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 富士フイルム株式会社 インプリント用積層体、インプリント用積層体の製造方法、パターン形成方法およびキット
WO2020059604A1 (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 富士フイルム株式会社 インプリント用積層体、インプリント用積層体の製造方法、パターン形成方法およびキット
JPWO2020203387A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08
WO2022176778A1 (ja) * 2021-02-16 2022-08-25 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、硬化物、インプリントパターンの製造方法及びデバイスの製造方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170066208A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10488753B2 (en) 2015-09-08 2019-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography
US10754243B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10620539B2 (en) 2016-03-31 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10095106B2 (en) 2016-03-31 2018-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10829644B2 (en) 2016-03-31 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754245B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10845700B2 (en) 2016-03-31 2020-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754244B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10578965B2 (en) * 2016-03-31 2020-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method
US10134588B2 (en) 2016-03-31 2018-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
CN109075034B (zh) 2016-04-08 2023-05-16 佳能株式会社 固化物图案的形成方法和压印预处理涂布用材料
US10509313B2 (en) 2016-06-28 2019-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10317793B2 (en) 2017-03-03 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography
JP7066674B2 (ja) 2017-03-08 2022-05-13 キヤノン株式会社 パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法
JP7425602B2 (ja) 2017-03-08 2024-01-31 キヤノン株式会社 パターン形成方法、ならびに加工基板、光学部品及び石英モールドレプリカの製造方法、ならびにインプリント前処理コーティング材料及びそれとインプリントレジストとのセット
KR102256349B1 (ko) 2017-03-08 2021-05-27 캐논 가부시끼가이샤 경화물 패턴의 제조 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 석영 몰드 레플리카의 제조 방법, 및 임프린트 전처리 코팅용 재료 및 그의 경화물
JP7071331B2 (ja) 2017-03-08 2022-05-18 キヤノン株式会社 光ナノインプリント技術を用いたパターン形成方法、インプリント装置、および硬化性組成物
KR102419881B1 (ko) 2017-08-10 2022-07-12 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법
US11752519B2 (en) 2020-06-19 2023-09-12 Canon Kabushiki Kaisha Planarization method and photocurable composition
JP2022155693A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 キヤノン株式会社 成形装置、成形方法、および平坦化方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009208409A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Toyo Gosei Kogyo Kk パターン形成方法
JP2011159924A (ja) * 2010-02-03 2011-08-18 Fujifilm Corp 微細パターン製造方法
JP2013254783A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Canon Inc インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2014076556A (ja) * 2012-10-09 2014-05-01 Mitsubishi Rayon Co Ltd 微細凹凸構造を有する物品およびその製造方法
JP2014189616A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Fujifilm Corp 組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法
JP2015006787A (ja) * 2013-05-31 2015-01-15 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 凹凸パターン転写用モールドの製造方法及び凹凸構造を有する部材の製造方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004086471A1 (en) * 2003-03-27 2004-10-07 Korea Institute Of Machinery & Materials Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization
US20050160934A1 (en) 2004-01-23 2005-07-28 Molecular Imprints, Inc. Materials and methods for imprint lithography
US7307118B2 (en) 2004-11-24 2007-12-11 Molecular Imprints, Inc. Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US20060108710A1 (en) 2004-11-24 2006-05-25 Molecular Imprints, Inc. Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold
US8557351B2 (en) * 2005-07-22 2013-10-15 Molecular Imprints, Inc. Method for adhering materials together
US8846195B2 (en) * 2005-07-22 2014-09-30 Canon Nanotechnologies, Inc. Ultra-thin polymeric adhesion layer
US8142703B2 (en) 2005-10-05 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method
TW200923003A (en) 2007-09-11 2009-06-01 Fujifilm Corp Curable composition for nanoimprint, cured product and production method thereof
JP2010106185A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Fujifilm Corp 光インプリント用硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4617387B2 (ja) * 2009-06-17 2011-01-26 キヤノン株式会社 微細構造体の製造方法
WO2011027845A1 (en) 2009-09-02 2011-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method for plastic member and plastic member
JP5419634B2 (ja) * 2009-10-26 2014-02-19 株式会社東芝 パターン形成方法
JP5489887B2 (ja) * 2010-06-30 2014-05-14 富士フイルム株式会社 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステム
JP6012344B2 (ja) 2011-10-24 2016-10-25 キヤノン株式会社 膜の形成方法
JP5959865B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-02 キヤノン株式会社 光硬化物及びその製造方法
JP2013222791A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Fujifilm Corp ナノインプリント方法およびナノインプリント用基板並びにそれらを用いたパターン化基板の製造方法
JP5930832B2 (ja) 2012-04-27 2016-06-08 キヤノン株式会社 光硬化物の製造方法
JP6071255B2 (ja) 2012-06-04 2017-02-01 キヤノン株式会社 光硬化物
JP5827180B2 (ja) 2012-06-18 2015-12-02 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物と基板の密着用組成物およびこれを用いた半導体デバイス
JP6000712B2 (ja) 2012-07-24 2016-10-05 キヤノン株式会社 樹脂の製造方法及び樹脂の製造装置
JP6278645B2 (ja) 2012-09-24 2018-02-14 キヤノン株式会社 光硬化性組成物及びこれを用いた膜の製造方法
JP6748399B2 (ja) * 2012-11-30 2020-09-02 キヤノン株式会社 インプリント方法およびインプリント用硬化性組成物
JP2014110367A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 Fujifilm Corp ナノインプリント方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法
JP6305058B2 (ja) 2013-03-05 2018-04-04 キヤノン株式会社 感光性ガス発生剤、光硬化性組成物
JP6327948B2 (ja) 2013-06-26 2018-05-23 キヤノン株式会社 光硬化性組成物、硬化物、これを用いた、膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法
JP6328001B2 (ja) 2013-08-30 2018-05-23 キヤノン株式会社 インプリント用硬化性組成物、膜、膜の製造方法
JP6460672B2 (ja) 2013-09-18 2019-01-30 キヤノン株式会社 膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法及び電子部品の製造方法
JP6230353B2 (ja) * 2013-09-25 2017-11-15 キヤノン株式会社 パターン形状を有する膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子機器の製造方法
JP5763796B2 (ja) 2014-02-05 2015-08-12 富士フイルム株式会社 微細パターン製造方法
US20170068159A1 (en) * 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
CN108602238B (zh) 2016-01-25 2021-04-13 佳能株式会社 图案形成方法、加工基板的生产方法、光学组件的生产方法、电路基板的生产方法、电子组件的生产方法和压印模具的生产方法
US10578965B2 (en) * 2016-03-31 2020-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method
US10845700B2 (en) 2016-03-31 2020-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754245B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10829644B2 (en) 2016-03-31 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754243B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754244B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10883006B2 (en) 2016-03-31 2021-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
CN109075034B (zh) 2016-04-08 2023-05-16 佳能株式会社 固化物图案的形成方法和压印预处理涂布用材料
US20180253000A1 (en) * 2017-03-06 2018-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method, imprint apparatus, manufacturing method and mixing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009208409A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Toyo Gosei Kogyo Kk パターン形成方法
JP2011159924A (ja) * 2010-02-03 2011-08-18 Fujifilm Corp 微細パターン製造方法
JP2013254783A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Canon Inc インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2014076556A (ja) * 2012-10-09 2014-05-01 Mitsubishi Rayon Co Ltd 微細凹凸構造を有する物品およびその製造方法
JP2014189616A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Fujifilm Corp 組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法
JP2015006787A (ja) * 2013-05-31 2015-01-15 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 凹凸パターン転写用モールドの製造方法及び凹凸構造を有する部材の製造方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017170128A1 (ja) * 2016-03-31 2019-02-14 キヤノン株式会社 パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
JP2018148001A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法
JPWO2018230488A1 (ja) * 2017-06-14 2020-04-02 富士フイルム株式会社 キット、積層体、積層体の製造方法、硬化物パターンの製造方法および回路基板の製造方法
WO2018230488A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 富士フイルム株式会社 キット、積層体、積層体の製造方法、硬化物パターンの製造方法および回路基板の製造方法
JP2019062057A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 富士フイルム株式会社 インプリント用下層膜形成用組成物、キット、積層体、積層体の製造方法、硬化物パターンの製造方法、回路基板の製造方法
WO2019156008A1 (ja) * 2018-02-09 2019-08-15 富士フイルム株式会社 キット、インプリント用下層膜形成組成物、積層体、これらを用いた製造方法
US11899361B2 (en) 2018-02-09 2024-02-13 Fujifilm Corporation Kit, composition for forming underlayer film for imprinting, laminate, and production method using the same
JPWO2019156008A1 (ja) * 2018-02-09 2021-01-28 富士フイルム株式会社 キット、インプリント用下層膜形成組成物、積層体、これらを用いた製造方法
WO2019159916A1 (ja) * 2018-02-14 2019-08-22 富士フイルム株式会社 キット、インプリント用下層膜形成組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法
JP7026767B2 (ja) 2018-02-14 2022-02-28 富士フイルム株式会社 キット、インプリント用下層膜形成組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法
JPWO2019159916A1 (ja) * 2018-02-14 2021-02-12 富士フイルム株式会社 キット、インプリント用下層膜形成組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法
US11710641B2 (en) 2018-02-14 2023-07-25 Fujifilm Corporation Kit, composition for forming underlayer film for imprinting, pattern forming method, and method for manufacturing semiconductor device
WO2020059603A1 (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 富士フイルム株式会社 インプリント用積層体、インプリント用積層体の製造方法、パターン形成方法およびキット
WO2020059604A1 (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 富士フイルム株式会社 インプリント用積層体、インプリント用積層体の製造方法、パターン形成方法およびキット
JPWO2020059604A1 (ja) * 2018-09-18 2021-09-16 富士フイルム株式会社 インプリント用積層体、インプリント用積層体の製造方法、パターン形成方法およびキット
JPWO2020059603A1 (ja) * 2018-09-18 2021-09-16 富士フイルム株式会社 インプリント用積層体、インプリント用積層体の製造方法、パターン形成方法およびキット
WO2020203387A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 富士フイルム株式会社 インプリント法における下層膜形成用組成物、キット、パターン製造方法、積層体および半導体素子の製造方法
JP7174835B2 (ja) 2019-03-29 2022-11-17 富士フイルム株式会社 インプリント法における下層膜形成用組成物、キット、パターン製造方法、積層体および半導体素子の製造方法
KR20210133262A (ko) * 2019-03-29 2021-11-05 후지필름 가부시키가이샤 임프린트법에 있어서의 하층막 형성용 조성물, 키트, 패턴 제조 방법, 적층체 및 반도체 소자의 제조 방법
KR102575257B1 (ko) 2019-03-29 2023-09-06 후지필름 가부시키가이샤 임프린트법에 있어서의 하층막 형성용 조성물, 키트, 패턴 제조 방법, 적층체 및 반도체 소자의 제조 방법
JPWO2020203387A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08
WO2022176778A1 (ja) * 2021-02-16 2022-08-25 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、硬化物、インプリントパターンの製造方法及びデバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017170697A1 (ja) 2019-02-07
JP6855448B2 (ja) 2021-04-07
US20170285465A1 (en) 2017-10-05
CN108885976B (zh) 2023-05-02
TW201801145A (zh) 2018-01-01
TWI666685B (zh) 2019-07-21
KR102208986B1 (ko) 2021-01-28
KR20180124945A (ko) 2018-11-21
US10578965B2 (en) 2020-03-03
CN108885976A (zh) 2018-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017170697A1 (ja) パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
JP6806766B2 (ja) パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
JP7155002B2 (ja) パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
JP6983757B2 (ja) パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
KR102208977B1 (ko) 패턴 형성 방법과, 가공 기판, 광학 부품, 회로 기판, 전자 부품 및 임프린트 몰드의 제조 방법
JP7066674B2 (ja) パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法
JP7328888B2 (ja) 硬化物パターンの製造方法、光学部品、回路基板および石英モールドレプリカの製造方法、ならびにインプリント前処理コート用材料およびその硬化物
WO2017170128A1 (ja) パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
WO2017170625A1 (ja) パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
US10935884B2 (en) Pattern forming method and methods for manufacturing processed substrate, optical component and quartz mold replica as well as coating material for imprint pretreatment and set thereof with imprint resist
WO2017130853A1 (ja) パターン形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法
WO2018164016A1 (ja) 光ナノインプリント技術を用いたパターン形成方法、インプリント装置、および硬化性組成物
JP2016162862A (ja) パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法
JP2016030829A (ja) 光硬化性組成物、これを用いた硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2018509341

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187029972

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17775231

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17775231

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1