JP6230353B2 - パターン形状を有する膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子機器の製造方法 - Google Patents
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Description
基板上に存在する光硬化性組成物Rとモールドとの間にガスを供給する工程と、
前記ガスが溶解した光硬化性組成物R´とモールドとを接触させる工程と、
前記接触させた状態で前記モールドおよび前記基板に光aを照射して、前記モールドが有する位置合わせマークAおよび前記基板が有する位置合わせマークBからの光を検出する工程と、
前記検出された光を基に、前記位置合わせマークAの位置と前記位置合わせマークBの位置を合わせる工程と、
前記光硬化性組成物R´に前記光aとは波長が異なる光bを照射して前記光硬化性組成物を硬化膜とする工程と、
前記硬化膜と前記モールドとを引き離す工程と、
を有し、
前記ガスとして、以下の式(1)を満たすガスを用いることを特徴とするパターン形状を有する膜の製造方法を提供する。
|nM−nR|<|nM−nR´| (1)
(式(1)において、nRは前記光硬化性組成物Rの前記光aの波長における屈折率、nR´は前記ガスが溶解した前記光硬化性組成物R´の前記光aの波長における屈折率、nMは前記光aの波長におけるモールドの屈折率を示す。)
基板上に、光硬化性組成物塗布機構より光硬化性組成物を供給、塗布する光硬化性組成物供給工程と、
前記基板を、光硬化性組成物塗布機構よりモールドの下へ数μmから数百nmの精度で配置するように、基板ステージを駆動させるステージ移動工程と、
前記基板とモールドの間に、高溶解低屈折率ガスを含む気体を供給する高溶解低屈折率ガス供給工程と、
前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、
前記モールド側の位置決めマークAと基板側の位置決めマークBが、同じY位置になる様に基板ステージを駆動させる位置合わせ工程と、
前記光硬化性組成物に光を照射する光照射工程と、
前記光照射工程の後、光硬化性組成物と前記モールドとを引き離す離型工程と、
を有する膜の製造方法において、
前記高溶解低屈折率ガス供給工程のガスが、光硬化性組成物に対して10体積%以上の溶解性を示し、かつ、液体状態で光硬化性組成物よりも低い屈折率を示すガスであること、
モールドと被加工基材がそれぞれに位置合わせマークを有すること、
を特徴とするパターン形状を有する膜の製造方法を提供する。
|nM−nR|<|nM−nR´| (1)
(式(1)において、nRは前記光硬化性組成物Rの前記光aの波長における屈折率、nR´は前記ガスが溶解した前記光硬化性組成物R´の前記光aの波長における屈折率、nMは前記光aの波長におけるモールドの屈折率)
はじめに、図2に示すように、基板9上に光硬化性組成物Rを付与して塗布膜10を形成する(図1におけるステップ1)。
次に、第一の位置合わせとしてアライメントカメラ3で、14に示すモールド11の位置合わせマークAと、15に示す基板9の位置合わせマークBを観察し、14に示すモールド11の位置合わせマークAと、15に示す基板9の位置合わせマークBの位置が合うように、光硬化性組成物Rを含む塗布膜10を表面に有する基板9を基板ステージ6によって移動させる(図1におけるステップ2であり、移動後が図3(a)の状態)。
次に、基板9上に配置した光硬化性組成物Rを含む塗布膜10の周囲がガス雰囲気となるように、ガス供給機構4から基板の上にガス16を供給する。この際、ガス16として、(1)で塗布する光硬化性組成物Rの屈折率(nR)よりも液体状態における屈折率が低いガスを用い、蒸気圧よりも低圧、あるいは、沸点より高温の条件下で供給する(図1におけるステップ3、図3(b))。
次に、モールド11と光硬化性組成物Rの塗布膜10とを接触させる(図1におけるステップ4)。
次に、(4)の工程でモールド11と光硬化性組成物R´の塗布膜17とを接触させた状態を維持して、18に示す、光源2からの光aを14に示すモールドの位置合わせマークAおよび15に示す基板の位置合わせマークBに照射し、14に示すモールドの位置合わせマークAからの光19と15に示す基板の位置合わせマークBからの光20をアライメントカメラ3で検出し、光19と光20の位置のずれが減少するように、基板ステージ6を移動させて基板9の位置を調整する(図1におけるステップ5、図3(c))。
|nM−nR|<|nM−nR´| (1)
(式(1)において、nRは光硬化性組成物Rの光aの波長における屈折率、nR´はガスが溶解した光硬化性組成物R´の光aの波長における屈折率、nMは光aの波長におけるモールドの屈折率)
0≦nM−nR<nM−nR´ (2)
(式(2)において、nRは光硬化性組成物Rの光aの波長における屈折率、nR´はガスが溶解した光硬化性組成物R´の光aの波長における屈折率、nMは光aの波長におけるモールドの屈折率を示す)
0.01≦nR−nR´ (3)
(式(3)において、nRは光硬化性組成物Rの光aの波長における屈折率、nR´はガスが溶解した光硬化性組成物R´の光aの波長における屈折率を示す。)
0≦nM−nR≦0.02 (4)
(式(4)において、nRは光硬化性組成物Rの光aの波長における屈折率、nMは光aの波長におけるモールドの屈折率)
nM−nR=0.01
であり、
nM−nR´=0.08
となる。
次に、光源2から光硬化性組成物R´に、21に示す光bを照射し、光硬化性組成物R´を硬化させて硬化物12とする(図1におけるステップ6、図3(d))。
次に、硬化物12とモールド11とを引き離し、パターン形状を有する膜13を得る。
基板上に、光硬化性組成物塗布機構より光硬化性組成物を供給、塗布する光硬化性組成物供給工程と、
前記基板を、光硬化性組成物塗布機構よりモールドの下へ1μm〜900μmの精度で配置するように、基板ステージを駆動させるステージ移動工程と、
前記基板とモールドの間に、高溶解低屈折率ガスを含む気体を供給する高溶解低屈折率ガス供給工程と、
前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、
前記モールド側の位置決めマークAと基板側の位置決めマークBが、同じY位置になる様に基板ステージを駆動させる位置合わせ工程と、
前記光硬化性組成物に光を照射する光照射工程と、
前記光照射工程の後、光硬化性組成物と前記モールドとを引き離す離型工程と、
を有する膜の製造方法において、
前記高溶解低屈折率ガス供給工程のガスが、光硬化性組成物に対して10体積%以上の溶解性を示し、かつ、液体状態で光硬化性組成物よりも低い屈折率を示すガスであること、
モールドと基板がそれぞれに位置合わせマークを有すること、
を特徴とするパターン形状を有する膜の製造方法であっても良い。
工程(7)である離型工程により得られる硬化膜は、特定のパターン形状を有するものの、このパターン形状が形成される領域以外の領域においても膜の一部が残る場合がある(以降の記載において、このような膜の一部を残膜と呼ぶ場合がある)。そのような場合は、得られたパターン形状を有する硬化膜のうちの除去すべき領域111にある硬化膜(残膜)を除去して所望の凹凸パターン形状(モールド11の凹凸形状に因むパターン形状)を有する硬化物パターン110を得ることができる。
本実施形態のパターン形状を有する膜の製造方法によって得られる、凹凸パターン形状を有する硬化物パターン110は、例えば、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAM等の半導体素子に代表される電子部品に含まれる層間絶縁膜用膜として利用することも可能であり、半導体素子製造時におけるレジスト膜として利用することも可能である。
2 光源
3 アライメントカメラ
4 ガス供給機構
5 塗布機構
6 基板ステージ
7 キャビティ
8 モールド保持機構
9 基板
10 塗布膜
11 モールド
12 硬化物
13 パターン形状を有する膜
14 モールドの位置合わせマークA
15 基板の位置合わせマークB
16 ガス
17 塗布膜
18 光a
19 光
20 光
21 光b
22 揮発したガス
102 基板
110 硬化物パターン
111 パターン形状を有する硬化膜のうちの除去すべき領域
112 硬化物パターンのパターン形状に基づく回路構造
Claims (17)
- 基板上に存在する光硬化性組成物Rとモールドとの間にガスを供給する工程と、
前記ガスが溶解した光硬化性組成物R´とモールドとを接触させる工程と、
前記接触させた状態で前記モールドおよび前記基板に光aを照射して、前記モールドが有する位置合わせマークAからの光および前記基板が有する位置合わせマークBからの光を検出する工程と、
前記検出された光を基に、前記位置合わせマークAの位置と前記位置合わせマークBの位置を合わせる工程と、
前記光硬化性組成物R´に前記光aとは波長が異なる光bを照射して前記光硬化性組成物を硬化膜とする工程と、
前記硬化膜と前記モールドとを引き離す工程と、
を有し、
前記ガスとして、以下の式(1)を満たすガスを用いることを特徴とするパターン形状を有する膜の製造方法。
|nM−nR|≦|nM−nR´| (1)(式(1)において、nRは前記光硬化性組成物Rの前記光aの波長における屈折率、nR´は前記ガスが溶解した前記光硬化性組成物R´の前記光aの波長における屈折率、nMは前記光aの波長におけるモールドの屈折率を示す。) - 前記ガスとして、以下の式(2)を満たすガスを用いることを特徴とする請求項1に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
0≦nM−nR≦nM−nR´ (2)(式(2)において、nRは前記光硬化性組成物Rの前記光aの波長における屈折率、nR´は前記ガスが溶解した前記光硬化性組成物R´の前記光aの波長における屈折率、nMは前記光aの波長におけるモールドの屈折率を示す。) - 前記ガスとして、以下の式(3)を満たすガスを用いることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
0.01≦nR−nR´ (3)
(式(3)において、nRは前記光硬化性組成物Rの前記光aの波長における屈折率、nR´は前記ガスが溶解した前記光硬化性組成物R´の前記光aの波長における屈折率を示す。) - 前記光硬化性組成物Rおよび前記モールドとして、以下の式(4)を満たすものを用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
0≦nM−nR≦0.02 (4)
(式(4)において、nRは前記光硬化性組成物Rの前記光aの波長における屈折率、nMは前記光aの波長におけるモールドの屈折率) - 前記光硬化性組成物Rの主成分が(メタ)アクリレートであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記ガスとして、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンを含むガスを用いることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記ガスとして、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンとヘリウムの混合ガスを用いることを特徴とする請求項6に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記ガスとして、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンを用いることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記モールドとして、少なくとも前記光硬化性組成物Rと接触する表面が石英であるモールドを用いることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記モールドとして、全体が石英であるモールドを用いることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記位置合わせマークAおよび前記位置合わせマークBが周期性を有する凹凸構造であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 前記位置合わせマークAおよび前記位置合わせマークBからの光が、前記位置合わせマークAおよび前記位置合わせマークBからの反射光もしくは回折光であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のパターン形状を有する膜の製造方法によりパターン形状を有する膜を得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、電子部材を形成する工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
- 請求項15に記載の回路基板の製造方法により回路基板を得る工程と、前記回路基板と前記回路基板を制御する制御機構を接続する工程と、を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
- 基板上に、光硬化性組成物塗布機構より光硬化性組成物を供給、塗布する光硬化性組成物供給工程と、
前記基板を、光硬化性組成物塗布機構よりモールドの下へ1μm〜900μmの精度で配置するように、基板ステージを駆動させるステージ移動工程と、
前記基板とモールドの間に、高溶解低屈折率ガスを含む気体を供給する高溶解低屈折率ガス供給工程と、
前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、
前記モールド側の位置決めマークAと基板側の位置決めマークBが、同じY位置になる様に基板ステージを駆動させる位置合わせ工程と、
前記光硬化性組成物に光を照射する光照射工程と、
前記光照射工程の後、光硬化性組成物と前記モールドとを引き離す離型工程と、
を有する膜の製造方法において、
前記高溶解低屈折率ガス供給工程のガスが、光硬化性組成物に対して10体積%以上の溶解性を示し、かつ、液体状態で光硬化性組成物よりも低い屈折率を示すガスであること、
モールドと基板がそれぞれに位置合わせマークを有すること、
を特徴とするパターン形状を有する膜の製造方法。
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Families Citing this family (5)
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US10578965B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6954275B2 (en) | 2000-08-01 | 2005-10-11 | Boards Of Regents, The University Of Texas System | Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography |
KR20050026088A (ko) * | 2002-08-01 | 2005-03-14 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 임프린트 리소그래피용 산란측정 정렬 |
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