CN105580109B - 图案化膜的形成方法、光学组件的制造方法、电路板的制造方法和电子组件的制造方法 - Google Patents

图案化膜的形成方法、光学组件的制造方法、电路板的制造方法和电子组件的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供一种精确且简便地检测模具与基板的对准标记的方法，并相应地提供高通量的图案化膜的形成方法，以及还提供光学组件的制造方法、电路板的制造方法和电子组件的制造方法。图案化膜通过光‑纳米压印来形成。在所述方法中，气体满足下述不等式(1)：|nM‑nR|≤|nM‑nR′| (1)在不等式(1)中，nR表示在光的波长下不含气体的组合物的折射率，nR′表示在所述光的波长下含有气体的光固化性组合物的折射率，和nM表示在所述光的波长下模具的折射率。

Description

图案化膜的形成方法、光学组件的制造方法、电路板的制造方 法和电子组件的制造方法
技术领域
本发明涉及图案化膜(patterned film)的形成方法、光学组件的制造方法、电路板的制造方法和电子组件的制造方法。
背景技术
压印(imprinting)方法为制造如半导体集成电路元件和液晶显示元件等装置用平版印刷技术之一。这是通过使被加工基板(work substrate)上的光固化性组合物与具有精细图案的模具接触、并且使与模具接触的光固化性组合物固化而将图案转印至如晶片或玻璃板等被加工基板上的方法。
专利文献1公开了用于对准模具和基板的压印方法。该方法使用染料与染料对准，其中用光照射形成在曝光区域(shot region)的对准标记(alignment mark)，并根据检测到的光(反射光或衍射光)的性质来补偿模具与基板之间的位移。在专利文献1公开的方法中，为了即使模具与光固化性组合物之间的界面处的反射率低也提高对准精度，在对准标记上形成Cr膜。
专利文献2公开了使用冷凝性气体的压印方法。
引用列表
专利文献
专利文献1：美国专利No.7136150
专利文献2：日本专利No.3700001
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1的方法中，模具重复使用并且每隔预定次数的压印操作进行洗涤。因此，对准标记的Cr膜通过洗涤而减少，因而对准变得困难。
专利文献2未记载对准，也没有记载对准精度的改进。
用于解决问题的方案
根据本发明的一个方面，提供一种图案化膜的形成方法。所述方法包括：
在具有对准标记B的基板上的光固化性组合物R与具有对准标记A的模具之间供给气体；使光固化性组合物R与模具接触，从而使光固化性组合物R转化成溶解有该气体的光固化性组合物R'；通过用光a照射模具和基板，检测来自对准标记A和对准标记B的光；根据检测到的光使对准标记A与对准标记B对准；通过用与光a波长不同的光b照射光固化性组合物R'，使光固化性组合物R'固化成固化膜；和使固化膜与模具脱离。所述气体满足下述不等式(1)：
|nM-nR|≤|nM-nR′| (1)
在不等式(1)中，nR表示在光a的波长下光固化性组合物R的折射率，nR′表示在光a的波长下光固化性组合物R'的折射率，和nM表示在光a的波长下模具的折射率。
根据本发明的另一方面，提供一种图案化膜的形成方法。所述方法包括：光固化性组合物涂布步骤：由光固化性组合物涂布机构将光固化性组合物供给并涂布在具有对准标记B的基板上；台移动步骤：从光固化性组合物涂布机构中移动其上放置有基板的基板台，使得基板以几微米至几百纳米的精度配置在具有对准标记A的模具正下方；高溶解度低折射率气体供给步骤：在基板与模具之间供给含有高溶解度低折射率气体的气体；接触步骤：使光固化性组合物与模具接触；对准步骤：操作基板台以使对准标记A与对准标记B在Y位置对准；照射步骤：用光照射光固化性组合物；和脱模步骤：在照射步骤之后使光固化性组合物与模具脱离。高溶解度低折射率气体在光固化性组合物中的溶解度为10体积％以上，并且上述气体在液态下的折射率低于光固化性组合物的折射率。
本发明使模具与基板的对准标记进行精确检测，并相应地提供缩短控制模具与基板之间的相对位移的时间的具有高通量(throughput)的图案化膜的形成方法。此外，本发明提供光学组件的制造方法、电路板的制造方法和电子组件的制造方法。
参考附图从下文的示例性实施方案的描述中，本发明的其它特征将变得明显。
附图说明
[图1]图1为根据本发明实施方案的图案化膜的形成方法的流程图。
[图2]图2为用于本发明实施方案的图案化膜的形成方法的压印设备的示意图。
[图3A]图3A为说明根据本发明实施方案的图案化膜的形成方法的过程的示意性截面图。
[图3B]图3B为说明根据本发明实施方案的图案化膜的形成方法的过程的示意性截面图。
[图3C]图3C为说明根据本发明实施方案的图案化膜的形成方法的过程的示意性截面图。
[图3D]图3D为说明根据本发明实施方案的图案化膜的形成方法的过程的示意性截面图。
[图3E]图3E为说明根据本发明实施方案的图案化膜的形成方法的过程的示意性截面图。
[图3F]图3F为说明根据本发明实施方案的图案化膜的形成方法的过程的示意性截面图。
[图4A]图4A为说明根据本发明实施方案的光学组件、电路板或电子组件的制造方法的截面图。
[图4B]图4B为说明根据本发明实施方案的光学组件、电路板或电子组件的制造方法的截面图。
具体实施方式
现在将参考图1-4B描述本发明的实施方案。在图中，同一部件由同一附图标记表示，因而省略其说明。
根据本发明实施方案的图案化膜的形成方法包括：在具有对准标记B的基板上的光固化性组合物R与具有对准标记A的模具之间供给气体，从而制备溶解有该气体的光固化性组合物R'；使光固化性组合物R'与模具接触；用光a照射模具和基板，并且检测来自对准标记A和对准标记B的光；根据检测到的光使对准标记A与对准标记B对准；通过用与光a波长不同的光b照射光固化性组合物R'，使光固化性组合物R'固化成固化膜；和使固化膜与模具脱离。在本方法中，所述气体满足下述不等式(1)：
|nM-nR|≤|nM-nR′| (1)
在不等式(1)中，nR表示在光a的波长下光固化性组合物R的折射率，nR′表示在光a的波长下光固化性组合物R'的折射率，和nM表示在光a的波长下模具的折射率。
图2为用于本实施方案的方法的设备示意图。
在图2中，模具11的主面或图案化表面与Z轴垂直设置，并且与Z轴垂直的另外两个轴为X方向和Y方向。Z轴通常沿垂直方向延伸。
现在将描述本发明的图案化膜的形成方法的流程步骤。
(1.光固化性组合物涂布步骤)
首先，如图2所示，通过将光固化性组合物R涂布在基板9上形成涂膜10(图1中的步骤1)。
为了将光固化性组合物涂布在基板9的表面上，将支承基板9的基板台6移动至涂布机构5(由该涂布机构5涂布光固化性组合物R)正下方的位置，接着涂布机构5将光固化性组合物R涂布在基板9的表面上。
光固化性组合物R的涂布例如可通过以下方法来进行：喷墨法、浸涂法、气刀涂布法、帘式涂布法、绕线棒涂布法(wire barcode method)、凹版涂布法、挤出涂布法、旋涂法或狭缝扫描法。涂布机构5可选自能够进行这些涂布方法的设备。
本文提及的光固化性组合物是指可通过由光照射引起的聚合反应来固化的组合物。
基板9可以为例如硅晶片或玻璃板。
光固化性组合物R包含将通过光聚合转化为丙烯酸系树脂的(甲基)丙烯酸酯单体、和光聚合引发剂。
在本实施方案的方法中，将光固化性组合物R涂布至基板9的表面。可在基板9的表面上设置有粘着层等。
用于本实施方案的光固化性组合物R为主要包含将通过光聚合转化为丙烯酸系树脂的(甲基)丙烯酸系单体、和光聚合引发剂的自由基聚合性组合物。然而，在另一实施方案中，光固化性组合物R可以为主要包含环氧单体、氧杂环丁烷单体或乙烯基醚单体等阳离子聚合性组合物。本文所提及的“主要包含”意味着占所有成分的总量的90％以上的材料。
(2.第一对准步骤)
接下来，对于第一对准，将表面上具有包含光固化性组合物R的涂膜10的基板9通过基板台6来移动，使得在通过对准照相机3观察模具11的对准标记A(由14表示)和基板9的对准标记B(由15表示)的同时，从上方看模具11的对准标记A与基板9的对准标记B相吻合，如图3A所示(图1中的步骤2)。
对准标记A和相对应的对准标记B具有凹凸结构。期望地，该凹凸结构具有周期性。
此时，在第一对准中，模具11的对准标记A与基板9的对准标记B之间的对准并不必精确到纳米级，而是在1微米至900微米的范围内。
基板台6期望具有吸着性表面(suction or sticky surface)，从而便于基板9转移而不使基板在基板台6上移动。如果基板台6具有此类吸着性表面，则基板台6整体可以由吸着性材料制成，或者基板台可以在表面上具有吸着性层。
模具11由可以透过来自光源2的光的材料如石英、硅、聚合物或这些材料的组合制成。特别是，有利的是至少模具11的与光固化性组合物R接触的部分由石英制成，更有利的是模具整体由石英制成。由于石英具有低热膨胀系数，所以即使受到曝光热(heat ofexposure light)对准精度也不容易降低。
模具11由模具保持机构8保持，并期望具有在将与光固化性组合物R接触的面的对侧面的中央部分具有比其它部分薄的厚度的模腔(气室)7。模腔7帮助缩短引入光固化性组合物R所花费的时间或减少移动模具11所需的力(脱模力)。
在步骤(1)之后，表面上具有包含光固化性组合物R的涂膜10的基板9在步骤(2)之前从对应于涂布机构5的位置(在涂布机构5正下方)移动至对应于模具11的位置(在模具11正下方)。
尽管在本实施方案的方法中，使用对准照相机3将由14表示的模具11的对准标记A和由15表示的基板9的对准标记B彼此对准，但在另一实施方案中，对准标记A和B的对准可通过除了使用对准照相机以外的任何手段来进行。
另外，尽管在本实施方案的方法中，对准标记A和B具有周期性凹凸结构，但对准标记A和B的结构不限于周期性凹凸结构。
(3.气体供给步骤)
接着，将气体16从气体供给机构4引入基板9之上，从而在基板9上的涂膜10的周围形成气体氛围。在该步骤中，气体16在液态下的折射率低于步骤(1)中涂布的光固化性组合物R的折射率nR，且气体16在低于其蒸汽压的压力下或在高于其沸点的温度下来供给(图1中的步骤3，示于图3B)。
期望，气体16在液态下的折射率低于光固化性组合物R的折射率，在光固化性组合物R中溶解1体积％以上。
此类气体的实例包括氯氟烃(CFC)、氟烃(FC)、氢氯氟烃(HCFC)、氢氟烃(HFC)和氢氟醚(HFE)。
更具体地，所述气体的实例包括HFC-245fa(1,1,1,3,3-五氟丙烷，CHF2CH2CF3)、HFE-245mc(五氟乙基甲基醚、CF3CF2OCH3)、和HFO-1233zd(1-氯-3,3,3-三氟丙烯，CHCl＝CHCF3)。
HFC-245fa和HFE-245mc在主要包含丙烯酸系单体的光固化性组合物R中具有高达约40体积％的溶解度，且其液体的折射率低于用作光固化性组合物R的主成分的丙烯酸系单体的折射率。这里，为了比较丙烯酸系单体与气体在液态下之间的折射率，因为丙烯酸系单体为光固化性组合物R的主成分，所以可以将丙烯酸系单体的折射率视为基本上与光固化性组合物R的折射率相同。
鉴于不燃性、低毒性和低反应性(因此，是安全的)，HFC-245fa和HFE-245mc也是有利的。气体16可以由单一气体组成，或者可以包含多种气体。因此，上述气体可以单独使用或组合使用。
气体16可为任意上述气体与空气、氮气、二氧化碳、氦气或氩气等的混合物。如果使用上述气体的混合物，则氦气适合作为待混合的气体。这是因为氦气稳定且容易在压印时填充(introduce)。
(4.接触步骤)
接着，使模具11与光固化性组合物R的涂膜10接触(图1中的步骤4)。
涂膜10的光固化性组合物R填充基板9与模具11之间的间隙以及模具11上的凹部并溶解其中存在的气体16，从而形成光固化性组合物R'的涂膜17。
(5.第二对准步骤)
随后，在维持步骤(4)所产生的模具11与光固化性组合物R'的涂膜17之间接触的状态下，用从光源2发出的光(由18表示)照射由14表示的模具的对准标记A和由15表示的基板的对准标记B，并且移动基板台6来调整基板9的位置，使得在通过对准照相机3检测来自对准标记A的光19和来自对准标记B的光20的同时，使光19与光20之间的位置偏移(position gap)减少(图1中的步骤5，示于3C)。
光19和光20可以为反射光或衍射光(或者反射光和衍射光)，并且光19与光20之间的位置偏移为在X-Y平面上的偏移。
对准标记A和对准标记B与步骤(2)中所使用的相同。
模具11与基板9之间的光固化性组合物R'的涂膜17具有在光a的波长下的折射率(有效折射率)nR'，nR'由下述Maxwell-Garnett式(5)计算：
Vp表示气体在光固化性组合物R中的溶解度，ng表示在光a的波长下气体在液态下的折射率，和nR表示在光a的波长下光固化性组合物R的折射率。
对于这里使用式(5)的计算，假定溶解在待溶解的气体的沸点以上的温度下的液体中的气体的折射率与已经在该温度下加压的气体在液态下的折射率基本上相同。
通过在光固化性组合物R的涂膜中溶解气体，涂膜的折射率在光a的波长下降低nR-nR'。
因此，通过将气体16溶解在光固化性组合物中，如下述不等式(1)所示，模具11与光固化性组合物之间的折射率的差增大：
|nM-nR|≤|nM-nR′| (1)
其中，nR表示在光a的波长下光固化性组合物R的折射率，nR'表示在光a的波长下光固化性组合物R'的折射率，和nM表示在光a的波长下模具的折射率。
因此，与来自模具11的对准标记A与光固化性组合物R之间的界面的光相比，来自模具11的对准标记A与光固化性组合物R'之间的界面的光的反射率或衍射效率增大，因此，对准精度提高。
一般地，模具11的折射率nM高于光固化性组合物R的折射率nR，因此，不等式(2)为真：
0≤nM-nR＜nM-nR′ (2)
不等式(2)中，nR表示在光a的波长下光固化性组合物R的折射率，nR'表示在光a的波长下光固化性组合物R'的折射率，和nM表示在光a的波长下模具的折射率。
期望，nR与nR'之差较大，并满足下述不等式(3)。
0.01≤nR-nR′ (3)
不等式(3)中，nR表示在光a的波长下光固化性组合物R的折射率，和nR'表示在光a的波长下光固化性组合物R′的折射率
特别是，当模具11的折射率nM与光固化性组合物R的折射率nR之差小时，例如，当下述不等式(4)为真时，对准标记容易检测。
0≤nM-nR≤0.02 (4)
不等式(4)中，nR表示在光a的波长下光固化性组合物R的折射率，和nM表示在光a的波长下模具的折射率。
本实施方案的方法中，移动基板台6来调节基板9的位置，使得来自模具11的对准标记A的光19与来自基板9的对准标记B的光20之间的位置偏移减少。然而，在本发明的另一实施方案中，可以移动模具来调节光19与光20之间的位置偏移。
光a的波长优选为500nm以上。这是因为用于压印的光固化性组合物通常在400nm以下的波长下固化。
以下通过实施例计算一种情况下的光固化性组合物R′的折射率nR′。在此情况中，光a的波长为632.8nm，光固化性组合物R主要包含丙烯酸系单体，HFC-245fa用作气体，和石英模具用作模具。
液态HFC-245fa对于波长为632.8nm的光的折射率ng为1.26，并且在光固化性组合物R中可以溶解约40体积％的HFC-245fa。因此，气体在光固化性组合物R中的溶解度Vp为0.4，并且光固化性组合物R在632.8nm的波长下的折射率nR为1.45。石英模具在632.8nm的波长下的折射率nM为1.46。
当这些值替代不等式(5)中的ng、nR和Vp时，溶解有气体的光固化性组合物R′的折射率nR′达到1.38。
因此，nM-nR＝0.01，且
nM-nR′＝0.08
反射率RM-R，即，模具的对准标记A与光固化性组合物R之间的界面处的有效反射率如下述等式(6)所示使用模具的折射率nM和光固化性组合物R的折射率nR来求得：
如上所述，模具对于波长为632.8nm的光的折射率nM为1.46，和光固化性组合物R对于波长为632.8nm的光的折射率nR为1.45；因此，反射率RM-R为0.118×10-4。
模具的对准标记A与溶解有气体的光固化性组合物R'之间的界面处的反射率RM-R′如下述等式(7)所示使用模具的折射率nM和光固化性组合物R'的折射率nR'来求得：
如上所述，模具对于波长为632.8nm的光的折射率nM为1.46，和光固化性组合物R'对于波长为632.8nm的光的折射率nR'为1.38；因此，反射率RM-R'为7.93×10-4。
因此，通过在光固化性组合物R中溶解气体，模具的对准标记A与光固化性组合物R'之间的界面处的反射率增大至对准标记A与光固化性组合物R之间的界面处的反射率的约67倍。
(6.照射步骤)
随后，光固化性组合物R'用来自光源2的光b(由21表示)来照射，从而使光固化性组合物R'固化为固化物(cured composition)12(图1中的步骤6，示于图3D)。
对于该操作，光b的波长不同于步骤(5)中使用的光a的波长。这是因为光a需要具有难以使光固化性组合物R'固化的波长，而光b需要具有使光固化性组合物R′固化的波长。
例如，光b可为紫外光，但不限于此。
(7.脱模步骤)
随后，使固化物12与模具11脱离，从而获得图案化膜13。
在脱模步骤中，如图3F所示，使固化物12与模具11脱离，从而获得固化物或固化膜12的图案。该所得图案是步骤(6)(照射步骤)中在模具11上形成的模具11的微细图案的反转的图案。
对如何使固化物或固化膜12与模具11脱离(包括脱模的条件)不特别限定，只要不会物理损害固化膜12部分即可。例如，可以移动模具11使得远离固定的基板9，或者可以移动基板9使得远离固定的模具11。可选择地，可以沿相反方向牵引模具和基板以使彼此分离。
在该步骤中，尽管如图3F所示，气体22从图案化膜13中挥发，但膜中仍可残留气体的一部分。
在上述包括步骤(1)至(7)的过程中，可以形成在期望的位置具有基于模具11的凹凸图案形成的期望图案的固化膜。所得固化膜可以用作例如如菲涅耳透镜或衍射光栅等光学构件，或光学构件中的构件。在该情况下，光学构件至少包括基板11和基板11上的图案化膜13。
在本实施方案的方法中，对同一基板，可以重复几次该一系列的步骤(1)至(7)或重复单元(一轮(shot))。通过重复几次包括步骤(1)至(7)的重复单元(一轮)，可以在多个期望位置形成具有基于模具11的凹凸图案形成的期望图案的固化膜。从减少曝光区域的面内变化以提高转印图案时的精度(分辨率)的观点，步骤(8)中所述的残留在基板9上的光固化性组合物R的厚度期望尽可能地小。
在本实施方案的变更中，图案化膜的形成方法可以包括：
光固化性组合物涂布步骤：由光固化性组合物涂布机构将光固化性组合物供给并涂布在具有对准标记B的基板上；台移动步骤：从光固化性组合物涂布机构中移动其上放置有基板的基板台，使得基板以1微米至900微米的精度配置在具有对准标记A的模具正下方；高溶解度低折射率气体供给步骤：在基板与模具之间供给含有高溶解度低折射率气体的气体；接触步骤：使光固化性组合物与模具接触；
对准步骤：操作基板台以使对准标记A与对准标记B在Y位置对准；照射步骤：用光照射光固化性组合物；和脱模步骤：在照射步骤之后使光固化性组合物与模具脱离。高溶解度低折射率气体在光固化性组合物中的溶解度为10体积％以上，并且气体在液态下的折射率低于光固化性组合物的折射率。模具可以为在表面具有纳米-凹凸图案的纳米压印用模具(nanoimprinting mold)。
本发明实施方案的方法可以用作通过光-纳米压印形成凹凸图案的方法。
在该情况下，凹凸图案的形成方法包括：在具有对准标记B的基板与表面设置有凹凸且具有对准标记A的模具之间放置含有气体的光固化性组合物的步骤；通过用不能使光固化性组合物固化的光照射模具的对准标记A和基板的对准标记B来判断对准标记A和B之间的相对位置关系的步骤；和通过使基板相对于模具沿与基板的表面平行的方向移动使对准标记A与对准标记B对准的步骤。气体、光固化性组合物和模具满足下述不等式(1)：
|nM-nR|≤|nM-nR′| (1)
在不等式(1)中，nR表示在不能使光固化性组合物固化的光的波长下不含气体的光固化性组合物的折射率，nR'表示在不能使光固化性组合物固化的光的波长下包含气体的光固化性组合物的折射率，和nM表示在不能使光固化性组合物固化的光的波长下模具的折射率。
(8.残余膜除去步骤)
通过步骤(7)或脱模步骤得到的具有特定图案的固化膜的一部分可残留在除了应当形成图案的区域以外的区域(下文中，此类膜的一部分可称作残余膜)。在该情况下，将具有所得图案的固化膜在不需要膜的区域111中的这部分(残余膜)除去，从而获得具有期望的凹凸图案的固化图案110(基于模具11的凹凸图案而形成)。
在该步骤中，如图4A所示，残余膜可以通过例如使图案化膜13的凹部膜(残余膜)蚀刻来除去，从而在图案化膜13的凹部露出基板的表面。
对于通过蚀刻来除去凹部的膜13，可采用任何技术而没有特别限定，并且可以进行已知的技术如干蚀刻。对于干蚀刻，可以使用已知的干蚀刻设备。用于该干蚀刻的原料气体可以根据待蚀刻的固化膜的元素组成来选择。原料气体的实例包括如CF4、C2F6、C3F8、CCl2F2、CCl4、CBrF3、BCl3、PCl3、SF6和Cl2等含卤素系气体；如O2、CO和CO2等含氧气体；如He、N2和Ar等非活性气体；以及如H2和NH3等其它气体。可以使用这些气体的混合气体。
在上述包括步骤(1)至(8)的过程中，可以形成在期望的位置具有期望凹凸图案的固化图案(基于模具11的凹凸图案而形成)，并且可以获得具有固化图案的制品。
如果使用固化图案加工基板，则如下所述进行基板加工步骤(步骤(9))。
可选择地，所得固化图案110可以用作如衍射光栅或偏光板等光学构件，或者光学构件中的构件，从而获得光学组件。在该情况下，光学组件至少包括基板102和基板102上的固化图案110。
(9.基板加工步骤)
通过本发明实施方案的图案化膜形成方法获得的具有凹凸图案的固化图案110可以用作如LSI、系统LSI、DRAM、SDRAM、RDRAM或D-RDRAM等半导体器件的层间绝缘膜，或者用作半导体制造方法中使用的抗蚀膜。
如果固化图案110用作用于生产电子组件的抗蚀膜，则基板的通过步骤(8)蚀刻步骤露出的部分(图4A中由111表示的区域)进行蚀刻或离子注入。在该情况下，固化图案110起蚀刻掩模的作用。因此，电路结构112(图4B)根据固化图案110的轮廓形成在基板102上。因此，生产用于半导体器件等的电路板。通过将所得电路板连接至电路板用控制机构，生产用于显示器、照相机、医疗仪器或任何其它设备的电子组件。
类似地，固化图案110可以用作光学组件的制造方法中的蚀刻或离子注入用抗蚀膜。
在包括电路的基板或电子组件的制造方法中，固化图案110最终可以从基板除去，但也可留作装置的构件。
虽然已参考示例性的实施方案描述了本发明，但应理解本发明不局限于所公开的示例性的实施方案。权利要求的范围应符合最宽泛的解释，以涵盖所有此类变更以及等同的结构和功能。
本申请要求2013年9月25日提交的日本专利申请No.2013-198446的权益，在此将其全部内容引入于此以作参考。
附图标记说明
1：用于形成图案化膜的设备
2：光源
3：对准照相机
4：气体供给机构
5：涂布机构
6：基板台
7：模腔
8：模具保持机构
9：基板
10：涂膜
11：模具
12：固化物
13：图案化膜
14：模具的对准标记A
15：基板的对准标记B
16：气体
17：涂膜
18：光a
19：光
20：光
21：光b
22：挥发的气体
102：基板
110：固化图案
111：固化的图案化膜待除去的区域
112：基于固化图案的轮廓形成的电路结构

Claims (19)

1.一种图案化膜的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
在具有对准标记B的基板上的光固化性组合物R与具有对准标记A的模具之间供给气体；
使所述光固化性组合物R与所述模具接触，从而使所述光固化性组合物R转化成溶解有所述气体的光固化性组合物R'；
通过用光a照射所述模具和所述基板，检测来自所述对准标记A和所述对准标记B的光；
根据检测到的光使所述对准标记A与所述对准标记B对准；
通过用光b照射所述光固化性组合物R'，使所述光固化性组合物R'固化成固化膜，其中，所述光b的波长不同于所述光a的波长；和
使所述固化膜与所述模具脱离，
其中，所述气体满足下述不等式(1)：
|nM-nR|≤|nM-nR′| (1)
其中，nR表示在所述光a的波长下所述光固化性组合物R的折射率，nR'表示在所述光a的波长下所述光固化性组合物R'的折射率，和nM表示在所述光a的波长下所述模具的折射率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述气体满足下述不等式(2)：
0≤nM-nR＜nM-nR′ (2)
其中，nR表示在所述光a的波长下所述光固化性组合物R的折射率，nR'表示在所述光a的波长下所述光固化性组合物R'的折射率，和nM表示在所述光a的波长下所述模具的折射率。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述气体满足下述不等式(3)：
0.01≤nR-nR′ (3)
其中，nR表示在所述光a的波长下所述光固化性组合物R的折射率，和nR'表示在所述光a的波长下所述光固化性组合物R'的折射率。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述光固化性组合物R和所述模具满足下述不等式(4)：
0≤nM-nR≤0.02 (4)
其中，nR表示在所述光a的波长下所述光固化性组合物R的折射率，和nM表示在所述光a的波长下所述模具的折射率。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述光固化性组合物R包含(甲基)丙烯酸酯。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述气体包含1,1,1,3,3-五氟丙烷。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述气体为1,1,1,3,3-五氟丙烷和氦气的混合物。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述气体为1,1,1,3,3-五氟丙烷。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述模具与所述光固化性组合物R接触的表面由石英制成。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述模具整体由石英制成。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述对准标记A和所述对准标记B具有周期性凹凸结构。
12.根据权利要求1所述的方法，其中来自所述对准标记A和所述对准标记B的光为反射光或衍射光。
13.一种光学组件的制造方法，其特征在于，所述方法包括通过根据权利要求1至12任一项所述的方法形成图案化膜。
14.一种光学组件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
通过根据权利要求1至12任一项所述的方法形成图案化膜；和
使用所述图案化膜作为掩模通过蚀刻或离子注入来加工基板。
15.一种电路板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
通过根据权利要求1至12任一项所述的方法形成图案化膜；
使用所述图案化膜作为掩模通过蚀刻或离子注入来加工基板；和
制备电子组件。
16.一种电子组件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
通过根据权利要求15所述的方法制造电路板；和
将所述电路板连接至配置为控制所述电路板的控制机构。
17.一种图案化膜的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
光固化性组合物涂布步骤：由光固化性组合物涂布机构将光固化性组合物供给并涂布在具有对准标记B的基板上；
台移动步骤：从所述光固化性组合物涂布机构中移动其上放置有基板的基板台，使得所述基板配置在具有对准标记A的模具的正下方，使所述对准标记A与所述对准标记B以1微米至900微米的精度对准；
高溶解度低折射率气体供给步骤：在所述基板和所述模具之间供给含有高溶解度低折射率气体的气体；
接触步骤：使所述光固化性组合物与所述模具接触；
对准步骤：操作所述基板台以使所述对准标记A与所述对准标记B在Y位置对准；
照射步骤：用光照射所述光固化性组合物；和
脱模步骤：在所述照射步骤之后，使所述光固化性组合物与所述模具脱离，
其中，所述高溶解度低折射率气体在所述光固化性组合物中的溶解度为10体积％以上，并且所述气体在液态下的折射率低于所述光固化性组合物的折射率。
18.根据权利要求1至17任一项所述的方法，其中所述模具为表面具有纳米-凹凸图案的纳米压印用模具。
19.一种通过光-纳米压印形成凹凸图案的方法，其特征在于，所述方法包括：
在具有对准标记B的基板与在表面设置有凹凸且具有对准标记A的模具之间放置含有气体的光固化性组合物；
用不能使所述光固化性组合物固化的光照射所述对准标记A和所述对准标记B来判断所述对准标记A和所述对准标记B之间的相对位置关系；和
通过使所述基板相对于所述模具沿与所述基板的表面平行的方向移动来使所述对准标记A与所述对准标记B对准，
其中，所述气体、所述光固化性组合物和所述模具满足下述不等式(1)：
|nM-nR|≤|nM-nR′| (1)
其中，nR表示在不能使所述光固化性组合物固化的光的波长下不含所述气体的所述光固化性组合物的折射率，nR'表示在不能使所述光固化性组合物固化的光的波长下含有所述气体的所述光固化性组合物的折射率，和nM表示在不能使所述光固化性组合物固化的光的波长下所述模具的折射率。
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