WO2017090512A1

WO2017090512A1 - ポリメタロキサン、その製造方法、その組成物、硬化膜およびその製造方法ならびにそれを備えた部材および電子部品

Info

Publication number: WO2017090512A1
Application number: PCT/JP2016/084138
Authority: WO
Inventors: 鴨川政雄; 諏訪充史; 三井博子; 中道未来
Original assignee: 東レ株式会社
Priority date: 2015-11-26
Filing date: 2016-11-17
Publication date: 2017-06-01
Also published as: EP3381969A4; JPWO2017090512A1; TWI679224B; KR20180086202A; EP3381969A1; KR102438946B1; CN108291031A; CN108291031B; SG11201803938RA; JP6327366B2; US20180327275A1; US11795064B2; TW201739797A; EP3381969B1

Abstract

下記一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサンであり、溶液中で透明、均一な状態で安定に存在し、均質な硬化膜を形成可能なポリメタロキサンを提供する。（Ｒ^１は有機基であり、Ｒ^１の少なくとも一つは（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基である。Ｒ^３は、特定の基の中から任意に選ばれる。Ｒ^２は特定の基の中から任意に選ばれる。Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、複数存在する場合はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ｍは特定の金属原子を示す。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数であり、ａは１～（ｍ－２）の整数である。）

Description

ポリメタロキサン、その製造方法、その組成物、硬化膜およびその製造方法ならびにそれを備えた部材および電子部品

　本発明は、ポリメタロキサン、その製造方法、その組成物、硬化膜およびその製造方法ならびにそれを備えた部材および電子部品に関する。

　金属酸化物からなる膜は高耐熱、高透明、高屈折率などの特性を有し、各種用途に有用な特性を有することが期待される。

　このような膜の形成方法としては、化学的気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）等の気相法によって、酸化チタンや酸化ジルコニウムの膜を形成する方法等が知られている。しかしながら、ＣＶＤ等の気相法は膜形成速度が遅く、工業的に使用可能な膜厚を得ることが困難である。

　一方で、溶剤中で金属アルコキシドを加水分解し、それを重縮合することによりポリメタロキサンとし、それを塗布、硬化することにより高屈折率薄膜を得る方法が提案されている。しかしながら、金属アルコキシドの加水分解を行うと、加水分解体が凝集し、有機溶剤に不溶となる。そのため、溶液中で透明、均一な状態で安定に存在し、均質な硬化膜を形成可能なポリメタロキサンは、現在工業化に至っていない。

　過去の文献では、加水分解を特殊な条件で非常に注意深く実施することにより、加水分解体の凝集を防止する技術が報告されている（例えば、特許文献１、２参照）。

特開平１－１２９０３２号公報特開２０１５－３８９６号公報

　溶剤中で金属アルコキシドを加水分解する方法として、特許文献１に記載された技術は、金属アルコキシド溶液の温度を７０℃に保ち、加水分解のための水をチタンアルコキシド１モルに対し１モル以上１．７倍モル以下添加することにより、有機溶剤可溶性のラダー状のポリチタノキサンを得るものである。しかしながら、このような方法では、７０℃未満の温度で水を添加する、あるいは水の添加量を増やすと加水分解体の凝集により析出が生じるという問題があった。また、加水分解率が低いことから、得られるポリチタノキサンは、アルコキシ基が多く残存し、塗膜形成時に空気中の水分でアルコキシ基の加水分解が生じ、脱離するためクラックが生じ、均質な膜ができないという問題があった。

　特許文献２に記載された技術は、特殊な塩酸塩存在下において、アルコール溶液中でチタン化合物と水とを反応させてチタン化合物オリゴマーを製造する技術である。しかしながら、このような方法においても、水の添加量を増やすと加水分解体の凝集により析出することから、高分子量のポリメタロキサンは得られず、塗膜形成時にクラックが生じ、均質な膜ができないという問題があった。

　本発明の目的は、溶液中で透明、均一な状態で安定に存在し、均質な硬化膜を形成可能なポリメタロキサンを提供することである。

　本発明は、下記一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサンである。

（Ｒ^１は有機基であり、Ｒ^１の少なくとも一つは（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基である。Ｒ^３は、ヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式アルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数６～３０の芳香族基、シロキサン結合を有する基またはメタロキサン結合を有する基の中から任意に選ばれる。Ｒ^２は水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、またはメタロキサン結合を有する基の中から任意に選ばれる。Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、複数存在する場合はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＴｌおよびＢｉからなる群より選ばれる金属原子を示す。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数であり、ａは１～（ｍ－２）の整数である。）
　また、本発明の別の態様は、下記一般式（２）で表される化合物またはその加水分解体を重縮合する工程を含むポリメタロキサンの製造方法。

（Ｒ^４はヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式アルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基または炭素数６～３０の芳香族基の中から任意に選ばれる。Ｒ^５は水素原子または炭素数１～１２のアルキル基の中から任意に選ばれる。Ｒ^４およびＲ^５は、複数存在する場合はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＴｌおよびＢｉからなる群より選ばれる金属原子を示す。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数であり、ｎは１～（ｍ－１）の整数である。）

　本発明のポリメタロキサンは、溶液中で透明、均一な状態で安定に存在する。また、本発明のポリメタロキサンによれば、高い透明性と高屈折率を有する硬化膜を提供することができる。

透明導電膜パターン、透明絶縁膜及び配線の作製の過程を示す概略図である。透明導電膜視認性評価用基板の断面を示す概略図である。

　（ポリメタロキサン）
　本発明は、下記一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサンである。

　Ｒ^１は有機基であり、Ｒ^１の少なくとも一つは（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基である。Ｒ^３は、ヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式アルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数６～３０の芳香族基、シロキサン結合を有する基またはメタロキサン結合を有する基の中から任意に選ばれる。Ｒ^２は水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、またはメタロキサン結合を有する基の中から任意に選ばれる。Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、複数存在する場合はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＴｌおよびＢｉからなる群より選ばれる金属原子を示す。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数であり、ａは１～（ｍ－２）の整数である。

　Ｒ^１が示す有機基としては、ヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式アルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数６～３０の芳香族基、（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基、シロキサン結合を有する基またはメタロキサン結合を有する基であることが好ましい。

　炭素数１～１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。

　炭素数５～１２の脂環式アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基などが挙げられる。

　炭素数１～１２のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシロキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、２－エチルヘキシリキシ基、ノニル基、デシロキシ基などが挙げられる。

　炭素数６～３０の芳香族基としては、フェニル基、フェノキシ基、ベンジル基、フェニルエチル基、ナフチル基などが挙げられる。

　シロキサン結合を有する基とは他のＳｉと結合していることを指す。メタロキサン結合を有する基とは、他のＭと結合していることを指す。

　これらの説明は、特に断りの無い限り、以下に説明する一般式（２）および一般式（３）で表される金属化合物にも共通する。

　本発明のポリメタロキサンは、一般式（１）で表される構成単位を繰り返し単位として有するものである。一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサンは、（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基を有することにより、他成分との相溶性が著しく向上する。そのため、そのポリメタロキサンは有機溶剤中で安定に存在する。

　また、一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサンが（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基を有することにより、後述する硬化膜を形成する工程において、加熱によるポリメタロキサンの縮合応力を緩和する。そのため、そのポリメタロキサンを用いることにより、クラックが生じにくい均質な硬化膜を得ることができる。

（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基としては、トリヒドロキシシロキシ基、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリプロピルシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基、トリブチルシロキシ基、トリイソブチルシロキシ基、トリ－ｓ－ブチルシロキシ基、トリ－ｔ－ブチルシロキシ基、トリシクロヘキシルシロキシ基、トリメトキシシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリプロポキシシロキシ基、トリイソプロポキシシロキシ基、トリブトキシシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、ヒドロキシジフェニルシロキシ基、メチルジフェニルシロキシ基、エチルジフェニルシロキシ基、プロピルジフェニルシロキシ基、ジヒドロキシ（フェニル）シロキシ基、ジメチル（フェニル）シロキシ基、ジエチル（フェニル）シロキシ基、ジプロピル（フェニル）シロキシ基、トリナフチルシロキシ基、ヒドロキシジナフチルシロキシ基、メチルジナフチルシロキシ基、エチルジナフチルシロキシ基、プロピルジナフチルシロキシ基、ジヒドロキシ（ナフチル）シロキシ基、ジメチル（ナフチル）シロキシ基、ジエチル（ナフチル）シロキシ基、ジプロピル（ナフチル）シロキシ基などが挙げられる。

　ポリメタロキサンの耐熱性の観点から、Ｒ^３は炭素数１～４のアルキル基であるか、フェニル基であることが好ましい。炭素数１～４のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基が挙げられる。すなわち、好ましい（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基としては、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリプロピルシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基、トリブチルシロキシ基、トリイソブチルシロキシ基、トリ－ｓ－ブチルシロキシ基、トリ－ｔ－ブチルシロキシ基、メチルジフェニルシロキシ基、エチルジフェニルシロキシ基、プロピルジフェニルシロキシ基、ジヒドロキシ（フェニル）シロキシ基、ジメチル（フェニル）シロキシ基、ジエチル（フェニル）シロキシ基、ジプロピル（フェニル）シロキシ基などが挙げられる。

　また、（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基の含有量が、ポリメタロキサンのＭ原子のモル数に対するＳｉ原子のモル数の比率で表した場合に、１モル％以上２５０モル％以下であることが好ましく、１０モル％以上２００モル％以下であることが好ましい。（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基の含有量を上記の範囲とすることで、そのポリメタロキサンは、他成分との相溶性がさらに向上する。そのため、そのポリメタロキサンは、有機溶剤中で特に安定に存在する
　ポリメタロキサン中のＲ^１の少なくとも一つはヒドロキシ基であることが好ましい。一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサンは、ヒドロキシ基を有することにより、長期保管時においても粘度の上昇が小さい、保存安定性に優れたポリメタロキサンとすることができる。

　ポリメタロキサンが一般式（１）で表される構成単位を有することにより、電子密度の高い金属原子を主鎖に有する樹脂を主体とする硬化膜とすることができる。そのため、硬化膜中における金属原子の密度の高くすることができ、容易に高い屈折率を得ることができる。また、ポリメタロキサンが一般式（１）で表される構成単位を有することにより、自由電子を有さない誘電体となることから、高い透明性および耐熱性を得ることができる。

　一般式（１）中、Ｍは好ましくは、Ａｌ、Ｔｉ、ＺｒおよびＳｎからなる群より選ばれる金属原子である。これらの金属原子を用いることで、高い屈折率を有するポリメタロキサンとすることができる。さらに好ましくは、ＴｉまたはＺｒである。

　一般式（１）中、ｍは３以上５以下が好ましい
　ポリメタロキサンの重量平均分子量は、下限としては５００以上であることが好ましく、１０００以上であることがより好ましく、１００００以上であることがさらに好ましい。上限としては１００００００以下であることが好ましく、５０００００以下であることがより好ましく、２０００００以下であることがさらに好ましい。重量平均分子量を上記範囲とすることで、塗布特性が良好となる。また、重量平均分子量が下限値以上であることで、後述の硬化膜の物性が向上し、特に耐クラック性に優れた硬化膜が得られる。

　本発明における重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の値をいう。

　ポリメタロキサンの重量平均分子量は、例えば、以下の方法により求められる。ポリメタロキサンを０．２ｗｔ％となるように展開溶媒に溶解させ、試料溶液とする。次いで、試料溶液を多孔質ゲルおよび展開溶媒が充填されたカラムに注入する。カラム溶出物を示差屈折率検出器により検出し、溶出時間を解析することにより、重量平均分子量が求められる。なお、展開溶媒として、塩化リチウムを溶解したＮ－メチル－２－ピロリドンが好適に用いられる。

　（ポリメタロキサンの製造方法）
　一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサンの合成方法に特に制限はないが、下記一般式（２）で表される化合物またはその加水分解体を重縮合する工程を含むことが好ましい。すなわち、本発明の別の態様は、下記一般式（２）で表される化合物またはその加水分解体を重縮合する工程を含むポリメタロキサンの製造方法である。

　Ｒ^４はヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式アルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基または炭素数６～３０の芳香族基の中から任意に選ばれる。Ｒ^５は水素原子または炭素数１～１２のアルキル基の中から任意に選ばれる。Ｒ^４およびＲ^５は、複数存在する場合はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＴｌおよびＢｉからなる群より選ばれる金属原子を示す。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数であり、ｎは１～（ｍ－１）の整数である。

　より具体的には、一般式（２）で表される化合物を必要に応じて加水分解を行い、その後、部分縮合および重合させることによって合成することが好ましい。ここで、部分縮合とは、加水分解物のＭ－ＯＨを全て縮合させるのではなく、得られるポリメタロキサンに一部Ｍ－ＯＨを残存させることを指す。後述する一般的な縮合条件であればＭ－ＯＨが部分的に残存することが一般的である。残存させるＭ－ＯＨ量は制限されない。

　一般に、金属アルコキシドに水を添加すると、アルコキシ基の加水分解性が高く、分子中における全てのアルコキシ基が加水分解された水酸化金属化合物を生成する。この水酸化金属化合物が溶液中で凝集し溶剤に不溶となるため析出を生じる。

　一方、一般式（２）で表される化合物は（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）で表されるシロキシ基の加水分解性が低いため、水の添加により、選択的にアルコキシ基を加水分解することができる。得られる加水分解体は、シロキシ基の立体障害のため、溶液中で凝集することなく、透明で均一な溶液を得ることができる。このため、従来の技術と比較し、加水分解率を高くすることができる。したがって、一般式（２）で表される化合物を加水分解および重縮合することにより高分子量のポリメタロキサン、特に重量平均分子量が１００００を超えるようなポリメタロキサンを得ることができる。

　一般式（２）で表される化合物の具体例として、例えば金属原子ＭがＴｉの場合、ｎ＝１のものとしては、
トリメトキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリメチルシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリエチルシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリプロピルシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリブチルシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン；
　トリメトキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリエトキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリプロポキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリイソプロポキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリブトキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリイソブトキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリ－ｓ－ブトキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリ－ｔ－ブトキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリシクロヘキソキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、トリフェノキシ（トリフェニルシロキシ）チタン；
などが挙げられ、ｎ＝２のものとしては、
　ジメトキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリメチルシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリメチルシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリエチルシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリエチルシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリプロピルシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリイソプロピルシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリブチルシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリブチルシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリイソブチルシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン；
　ジメトキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジエトキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジプロポキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジイソプロポキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジブトキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジイソブトキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジシクロヘキソキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン、ジフェノキシビス（トリフェニルシロキシ）チタン；
などが挙げられる。

　金属原子ＭがＺｒの場合、ｎ＝１のものとしては、
　トリメトキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリブトキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリブトキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリブトキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリブトキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリブトキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリブトキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｎ－ブトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｎ－ブトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリブトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム；
　トリメトキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリエトキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリプロポキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリイソプロポキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリブトキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリイソブトキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｓ－ブトキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリ－ｔ－ブトキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリシクロヘキソキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、トリフェノキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム；
などが挙げられ、ｎ＝２のものとしては、
　ジメトキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリエチルシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリブチルシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｎ－ブトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム；
　ジメトキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジエトキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジプロポキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジイソプロポキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジブトキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジイソブトキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｓ－ブトキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジ－ｔ－ブトキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジシクロヘキソキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ジフェノキシビス（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム；
などが挙げられる。

　一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサンの合成方法において、一般式（２）中、Ｒ^５の少なくとも１つが水素原子である化合物を必要に応じて加水分解を行い重縮合する工程を含むことが特に好ましい。すなわち、一般式（２）で表される化合物が、下記一般式（３）で表される化合物であることが好ましい。

　Ｒ^６は一般式（１）におけるＲ^４と同一であり、Ｒ^７は炭素数１～１２のアルキル基である。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数、ｘは１～（ｍ－１）の整数であり、ｙは１～（ｍ－１）の整数であり、ｘ＋ｙ≦ｍである。

　なお、ｙが２～（ｍ－１）の整数であることが好ましい。

　一般的にヒドロキシ基を有する化合物は、ヒドロキシ基の水素結合により凝集し、有機溶剤に不溶となるが、一般式（３）で表される金属化合物はシロキシ基を有することにより、シロキシ基の立体障害のため、有機溶剤中で凝集することなく、透明で均一な溶液を与えることができる。また、ヒドロキシ基が脱水縮合を生じることができるため、一般式（３）で表される金属化合物を重縮合させることにより高分子量のポリメタロキサンを得ることができる。また、シロキシ基の耐熱性が高いため、透明性に優れる高分子量のポリメタロキサンとすることができる。

　なお、ＯＲ^７が存在する場合には、重縮合に先立ってその加水分解を行うことが好ましい。一般式（３）で表される化合物の加水分解体は、一般式（２）で表される化合物の場合と同様、シロキシ基の立体障害のため、溶液中で凝集することなく、透明で均一な溶液を与えることができる。このため、従来の技術と比較し、加水分解率を高くすることができる。

　一般式（３）で表される金属化合物として、例えば金属原子ＭがＴｉの場合、ｙ＝２のものとしては、
メトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン；
　メトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、エトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、プロポキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、イソプロポキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、ブトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、イソブトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン、フェノキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン；
などが挙げられ、ｙ＝３のものとしては、
　トリヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリエチルシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリブチルシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）チタン、トリヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）チタン；
などが挙げられる。

　金属原子ＭがＺｒの場合、ｙ＝２のものとしては、
　メトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム；
　メトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、エトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、プロポキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、イソプロポキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ブトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、イソブトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ｓ－ブトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、ｔ－ブトキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、シクロヘキソキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム、フェノキシジヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム；
などが挙げられ、ｙ＝３のものとしては、
　トリヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリイソプロピルシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリブチルシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリイソブチルシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリ－ｓ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリ－ｔ－ブトキシシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリシクロヘキシルシロキシ）ジルコニウム、トリヒドロキシ（トリフェニルシロキシ）ジルコニウム；
などが挙げられる。

　（一般式（２）で表される化合物の製造方法）
　一般式（２）で表される化合物の製造方法に特に制限はないが、例えば、Ｒ^５が炭素数１～１２のアルキル基の場合、金属アルコキシドと、下記一般式（４）で表される化合物を、ｎが１，２または３の化合物が得られるように所定のモル比で反応させることにより得ることができる。

　一般式（４）中、Ｒ^８は、一般式（２）中のＲ^４と同一である。

　一般式（４）で表される化合物の具体例としては、トリメチルシラノール、トリエチルシラノール、トリプロピルシラノール、トリイソプロピルシラノール、トリブチルシラノール、トリイソブチルシラノール、トリ－ｓ－ブチルシラノール、トリ－ｔ－ブチルシラノール、トリペンチルシラノール、トリヘキシルシラノール、トリヘプチルシラノール、トリオクチルシラノール、トリ－２－エチルヘキシルシラノール、トリノニルシラノール、トリデシルシラノール、トリフェニルシラノール、（フェニル）（ジメチル）シラノール、（フェニル）（ジエチル）シラノール、（ジフェニル）（メチル）シラノール、（ジフェニル）（エチル）シラノール、ジフェニルシランジオール、ジナフチルシランジオール、トリベンジルシラノール、トリフェニルエチルシラノール、（トリメチルシロキシ）（ジメチル）シラノール、（トリメチルシロキシ）（ジメチル）シラノール、（トリエチルシロキシ）（ジメチル）シラノールなどが挙げられる。なかでも、トリメチルシラノール、トリエチルシラノールが特に好ましい。

　金属アルコキシドとしては、特に限定されるものではないが、例えば金属原子ＭがＴｉの場合、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラプロポキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラ－ｓ－ブトキシチタン、テトライソブトキシチタン、テトラ－ｔ－ブトキシチタン、テトラペントキシチタン、テトラヘキソキシチタン、テトラヘプトキシチタン、テトラオクトキシチタン、テトラノナノキシチタン、テトラデカノキシチタンなどが挙げられ、金属原子ＭがＺｒの場合、テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラプロポキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、テトラ－ｓ－ブトキシジルコニウム、テトライソブトキシジルコニウム、テトラ－ｔ－ブトキシジルコニウム、テトラペントキシジルコニウム、テトラヘキソキシジルコニウム、テトラヘプトキシジルコニウム、テトラオクトキシジルコニウム、テトラノナノキシジルコニウム、テトラデカノキシジルコニウムなどが挙げられる、金属原子ＭがＡｌの場合、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム、トリ－ｓ－ブトキシアルミニウム、ｓ－ブトキシ（ジイソプロポキシ）アルミニウム、トリイソブトキシアルミニウム、トリｔ－ブトキシアルミニウム、トリペントキシアルミニウム、トリヘキソキシアルミニウム、トリヘプトキシアルミニウム、トリオクトキシアルミニウム、トリノナノキシアルミニウム、トリデカノキシアルミニウムなどが挙げられる。

　一般式（２）で表される化合物が、一般式（３）で表される化合物である場合、例えば、上述の方法で得られた一般式（２）で表される金属アルコキシドを加水分解することにより得ることができる。加水分解には一般的な方法を用いることができる。例えば、一般式（２）で表される金属アルコキシドに溶剤、水、必要に応じて触媒を添加し、－２０～６０℃で０．１～１００時間程度撹拌する方法等が挙げられる。必要に応じて、加水分解副生物（メタノール等のアルコール）を減圧蒸留により留去してもよい。

　上記の反応溶剤として、特に限定されるものではないが、アルコール性水酸基を有する化合物やエステル類、エーテル類、ケトン類が好適に用いられる。アルコール系溶剤の具体例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、ｔ－ブタノール、アセト－ル、３－ヒドロキシ－３－メチル－２－ブタノン、５－ヒドロキシ－２－ペンタノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン（ジアセトンアルコール）、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ－ｔ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、３－メトキシ－１－ブタノール、３－メチル－３－メトキシ－１－ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどが挙げられる。

　エステル類として、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－１－ブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシ－１－ブチルアセテート、アセト酢酸エチル、シクロヘキサノールアセテート等が挙げられる。

　エーテル類として、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，２－ジエトキシエタン、ジプロピレングリコールジメチルエーテルなどが挙げられる。

　ケトン類溶剤の具体例としては、メチルイソブチルケトン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトン、アセチルアセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。

　その他の好ましく使用できる溶剤としては、炭酸プロピレン、Ｎ－メチルピロリドンなどが挙げられる。

　また加水分解反応に用いる水の添加量を調整することにより、一般式（３）で表される金属化合物のヒドロキシ基の量を調整できる。たとえば、ｙ＝１、すなわちヒドロキシ基を１つ有する金属化合物の場合、金属アルコキシド１モルに対し、１モルの水を添加することにより得ることができる。また、加水分解性基であるアルコキシ基１モルに対し、1モルの水を添加することにより、アルコキシ基がすべて加水分解された金属化合物を得ることができる。水の添加量は、アルコキシ基に対して０．１～２モルが好ましい。

　必要に応じて添加される触媒に特に制限はないが、酸性触媒または塩基性触媒が好ましく用いられる。酸触媒の具体例としては塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、多価カルボン酸あるいはその無水物、イオン交換樹脂が挙げられる。塩基触媒の具体例としては、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミノ基を有するアルコキシシラン、イオン交換樹脂が挙げられる。触媒の添加量は一般式（２）で表されるシロキシ基含有化合物１００重量部に対して０．０１～３０重量部が好ましい。

　（ポリメタロキサンの製造方法）
　一般式（２）で表される化合物の加水分解ならびに部分縮合および重合には一般的な方法を用いることができる。例えば、加水分解の反応条件は、溶媒中、一般式（２）で表される化合物に水を１～１８０分かけて添加した後、室温～１１０℃で１～１８０分反応させることが好ましい。このような条件で加水分解反応を行うことにより、急激な反応を抑制することができる。反応温度は、３０～１５０℃が好ましい。また必要に応じて触媒を添加してもよい。

　また部分縮合および重合の反応条件として、一般式（２）で表される化合物の加水分解反応により加水分解体を得た後、反応液をそのまま５０℃～１８０℃で１～１００時間加熱することが好ましい。また、ポリメタロキサンの重合度を上げるために、再加熱又は触媒を添加しても構わない。また、必要に応じて加水分解反応後に、生成アルコール等を加熱及び／又は減圧によって適量を留出、除去し、その後に任意溶媒を添加しても構わない。

　溶媒としては、特に限定されるものではないが、アルコール性水酸基を有する化合物やエステル類、エーテル類、ケトン類が好適に用いられる。これらの溶媒を用いるとポリメタロキサンの安定性を向上させ、得られる塗布膜の透明性を向上させることができる。

　アルコール系溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、イソブタノール、ｔ－ブタノール、アセトール、３－ヒドロキシ－３－メチル－２－ブタノン、５－ヒドロキシ－２－ペンタノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン（ジアセトンアルコール）、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノｎ－プロピルエーテル、プロピレングリコールモノｎ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノｔ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、３－メトキシ－１－ブタノール、３－メチル－３－メトキシ－１－ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、等が挙げられる。

　エステル類として、酢酸エチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－１－ブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシ－１－ブチルアセテート、アセト酢酸エチル、シクロヘキサノールアセテート等が挙げられる。

　エーテル類として、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ－ブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，２－ジメトキシエタン、１，２－ジエトキシエタン、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。

　ケトン類溶媒の具体例としては、メチルイソブチルケトン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトン、アセチルアセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。

　その他の好ましく使用できる溶剤としては、炭酸プロピレン、Ｎ－メチルピロリドン等が挙げられる。

　また加水分解反応に用いる水の添加量を調整することにより、一般式（２）で表される化合物の加水分解率を調整することができる。水の添加量は、アルコキシ基１モルに対して０．１～２モルが好ましい。

　必要に応じて添加される触媒に特に制限はないが、酸性触媒または塩基性触媒が好ましく用いられる。酸触媒の具体例としては塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、多価カルボン酸あるいはその無水物、イオン交換樹脂が挙げられる。塩基触媒の具体例としては、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミノ基を有するアルコキシシラン、イオン交換樹脂が挙げられる。

　より好ましい触媒は塩基触媒である。塩基触媒を用いることにより、特に高分子量のポリメタロキサンを得ることができる。塩基触媒のなかでもトリプロピルアミン、トリイソブチルアミン、トリペンチルアミン、トリイソペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミンが特に好ましい。

　また、組成物の貯蔵安定性の観点から、加水分解、部分縮合および重合後のポリメタロキサン溶液には上記触媒が含まれないことが好ましく、必要に応じて触媒の除去を行うことができる。除去方法に特に制限は無いが、操作の簡便さと除去性の点で、水洗浄、および／またはイオン交換樹脂の処理が好ましい。水洗浄とは、ポリメタロキサン溶液を適当な疎水性溶剤で希釈した後、水で数回洗浄して得られた有機層をエバポレーター等で濃縮する方法である。イオン交換樹脂での処理とは、ポリシロキサン溶液を適当なイオン交換樹脂に接触させる方法である。

　（ポリメタロキサンの組成物）
　本発明のポリメタロキサンは、溶剤やその他必要な成分と混合して組成物とすることができる。

　本発明のポリメタロキサンは溶剤で希釈し、固形分濃度を調整することが好ましい。溶剤に特に制限はないが、ポリメタロキサンの合成で用いた溶剤と同様のものが用いられることが好ましい。ポリメタロキサンを含有する溶液の固形分濃度は、０．１～５０ｗｔ％とすることが好ましい、固形分濃度をこの範囲にすることにより、塗布膜の膜厚制御が良好となる。

　ポリメタロキサン溶液の固形分調整時において、その他の成分を添加してもよい。その他の成分としては、無機粒子や、界面活性剤、シランカップリング剤、架橋剤、架橋促進剤などが挙げられる。

　無機粒子は、硬化膜の屈折率向上のために用いられることが好ましい。無機粒子は、（ｂ１）アルミニウム化合物粒子、スズ化合物粒子、チタン化合物粒子およびジルコニウム化合物粒子から選ばれる１以上の粒子、または（ｂ２）アルミニウム化合物、スズ化合物、チタン化合物およびジルコニウム化合物から選ばれる１以上の金属化合物とケイ素化合物との複合粒子であることが好ましい。以下、これらの粒子を総称して「金属化合物粒子」という。これらの粒子を添加することにより、より屈折率を向上できる。

　金属化合物粒子の平均粒径は、１ｎｍ～４００ｎｍであることが好ましい。１ｎｍ以上であることにより厚膜形成時のクラック発生をより抑制することができ、５ｎｍ以上であることがより好ましい。また４００ｎｍ以下であることにより硬化膜の可視光に対する透明性を低下させることなく屈折率を向上させることができ、７０ｎｍ以下であることがより好ましい。

　金属化合物粒子の例としては、酸化スズ－酸化チタン複合粒子の“オプトレイクＴＲ－５０２”、“オプトレイクＴＲ－５０４”、酸化ケイ素－酸化チタン複合粒子の“オプトレイクＴＲ－５０３”、“オプトレイクＴＲ－５１３”、“オプトレイクＴＲ－５２０”、“オプトレイクＴＲ－５２７”、“オプトレイクＴＲ－５２８”、“オプトレイクＴＲ－５２９”、“オプトレイクＴＲ－５４３”、“オプトレイクＴＲ－５４４”、“オプトレイクＴＲ－５５０”、酸化チタン粒子の“オプトレイクＴＲ－５０５”（以上、商品名、触媒化成工業（株）製）、ＮＯＤ－７７７１ＧＴＢ（商品名、ナガセケムテックス（株）製）、酸化ジルコニウム粒子（（株）高純度化学研究所製）、酸化スズ－酸化ジルコニウム複合粒子（触媒化成工業（株）製）、酸化スズ粒子（（株）高純度化学研究所製）、“バイラール”Ｚｒ－Ｃ２０（酸化チタン粒子；平均粒径＝２０ｎｍ；多木化学（株）製）、ＺＳＬ－１０Ａ（酸化チタン粒子；平均粒径＝６０－１００ｎｍ；第一稀元素株式会社製）、ナノユースＯＺ－３０Ｍ（酸化チタン粒子；平均粒径＝７ｎｍ；日産化学工業（株）製）、ＳＺＲ－Ｍ若しくはＳＺＲ－Ｋ（以上酸化ジルコニウム粒子；いずれも堺化学（株）製）、ＨＸＵ－１２０ＪＣ（酸化ジルコニア粒子；住友大阪セメント（株）製）、ＺＲ－０１０（酸化ジルコニア粒子；株式会社ソーラー）又はＺＲＰＭＡ（ジルコニア粒子；シーアイ化成株式会社）が挙げられる。

　界面活性剤は、塗布時のフロー性向上のために用いられることが好ましい。界面活性剤は、硬化膜に残存してもよい。

　界面活性剤の種類に特に制限はなく、例えば、“メガファック（登録商標）”Ｆ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３、同Ｆ４４４、同Ｆ４４５、同Ｆ４７０、同Ｆ４７５、同Ｆ４７７（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＮＢＸ－１５、ＦＴＸ－２１８、ＤＦＸ－１８（（株）ネオス製）などのフッ素系界面活性剤、ＢＹＫ－３３３、ＢＹＫ－３０１、ＢＹＫ－３３１、ＢＹＫ－３４５、ＢＹＫ－３０７（ビックケミージャパン（株）製）などのシリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤などを用いることができる。これらを２種以上用いてもよい。

　界面活性剤の添加含有量はポリメタロキサン１００重量部に対して０．００１～１０重量部が好ましく、さらに好ましくは０．０１～１重量部がさらに好ましいである。

　シランカップリング剤は、基板との密着性向上のために用いられることが好ましい。シランカップリング剤に特に制限はなく、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリメチルシラノール、ジフェニルシランジオールなどを用いることができる。

　シランカップリング剤の添加量はポリメタロキサン１００重量部に対して０．１～５０重量部が好ましく、１～２０重量部がさらに好ましい。

　架橋剤および架橋促進剤は、硬化膜の耐薬品性向上のために用いられることが好ましい。架橋剤および架橋促進剤の種類に特に制限はなく、例えば、モノ－ｓ－ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム－ｓ－ブチレート、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセテート）、アルキルアセトアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、ジルコニウムトリス（アセチルアセテート）、ジルコニウムトリス（エチルアセトアセテート）、チタントリス（アセチルアセテート）、チタントリス（エチルアセトアセテート）などを用いることができる。

　架橋剤および架橋促進剤の含有量は、合計量で、ポリメタロキサン１００重量部に対して０．１～５０重量部が好ましく、１～２０重量部がさらに好ましい。架橋剤および架橋促進剤はそれぞれ単独で用いてもよいし、両者を組み合わせて用いてもよい。

　基板に特に制限はないが、シリコンウェハーやサファイアウェハー、ガラス、光学フィルムが挙げられる。ガラスとしては、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス、熱強化ガラス又は化学強化ガラスが挙げられる。光学フィルムとしては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイミド又はシクロオレフィンポリマーからなるフィルムが挙げられる。

　（硬化膜を形成する工程）
　本発明のポリメタロキサンまたはそれを含む組成物は、加熱することにより硬化膜とすることができる。このようにして得られた硬化膜は、電子密度の高い金属原子を主鎖に有する樹脂を主体とする硬化膜となるため、硬化膜中における金属原子の密度の高くすることができ、容易に高い屈折率を得ることができる。また、自由電子を有さない誘電体となることから、高い透明性および耐熱性を得ることができる。

　ポリメタロキサンを含有する溶液の塗布方法には公知の方法を用いることができる。塗布に用いる装置としては、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、スプレーコーティング若しくはスリットコーティング等の全面塗布装置又はスクリーン印刷、ロールコーティング、マイクログラビアコーティング若しくはインクジェット等の印刷装置が挙げられる。

　塗布後、必要であれば、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いて加熱（プリベーク）を行ってもよい。プリベークは、５０～１５０℃の温度範囲で３０秒～３０分間行い、プリベーク膜とすることが好ましい。プリベークを行うことにより、膜厚均一性のよいものとすることができる。プリベーク後の膜厚は０．１～１５μｍが好ましい。

　塗布膜、あるいはプリベーク膜を、ホットプレートあるいはオーブンなどの加熱装置を用いて１５０℃～４５０℃の温度範囲で３０秒～２時間程度加熱（キュア）することによりポリメタロキサンを含有する硬化膜を得ることができる。この硬化膜の膜厚は０．１～１５μｍが好ましい。

　得られる硬化膜は、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．５８以上２．２０以下であることが好ましく、１．６５以上２．１０以下であることがより好ましい。

　硬化膜の屈折率は、以下の方法で測定することができる。分光エリプソメーターを用いて、硬化膜および基板からの反射光の偏光状態変化を測定し、入射光との位相差と振幅反射率のスペクトルを得る。得られたスペクトルに近づくように計算モデルの誘電関数をフィッティングすることにより、屈折率スペクトルが得る。得られた屈折率スペクトルから波長５５０ｎｍにおける屈折率値を読み取ることにより、硬化膜の屈折率が得られる。

　得られる硬化膜は、波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍあたりの光透過率が９０％以上であることが好ましい。光透過率は、透明基板上に作成されたものであれば、以下の方法で測定することができる。まず、分光光度計を用いて、基板の紫外可視吸収スペクトルを測定し、これをリファレンスとする。次いで、透明基板上に作成した硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを測定し、リファレンスとの差異により、硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを算出する。得られた紫外可視吸収スペクトルと硬化膜の膜厚を用いて、マイクレンズの波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍあたりの光透過率を算出する。

　シリコンウェハーなどの不透明基板上に形成された硬化膜の光透過率は、以下の方法で測定することができる。分光エリプソメーターを用いて、硬化膜および基板からの反射光の偏光状態変化を測定し、入射光との位相差と振幅反射率のスペクトルを得る。得られたスペクトルに近づくように計算モデルの誘電関数をフィッティングすることにより、消衰係数スペクトルを得る。得られた消衰係数スペクトルから波長４００ｎｍにおける消衰係数を読み取り、下記式を用いることにより波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍ換算での光透過率（％）を求める
　光透過率＝ｅｘｐ（－４πｋｔ／λ）
　ただし、ｋは消衰係数、ｔは換算膜厚（μｍ）、λは測定波長（ｎｍ）を表す。なお本測定では１μｍ換算の光透過率を求めるため、ｔは１（μｍ）とする。

　（用途）
　上述の硬化膜は屈折率、透明性に優れるため、固体撮像素子、光学フィルター、ディスプレイ等の電子部品に好適に用いられる。より具体的には、裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像素子等に形成される集光用マイクロレンズや光導波路、光学フィルターとして設置される反射防止膜、ディスプレイ用ＴＦＴ基板の平坦化材、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターおよびその保護膜、位相シフター等が挙げられる。

　これらの中でも、高い透明性と高い屈折率を両立できることから、固体撮像素子上に形成される集光用マイクロレンズや、集光用マイクロレンズと光センサー部を繋ぐ光導波路として特に好適に用いられる。また、半導体装置のバッファコート、層間絶縁膜や、各種保護膜として用いることもできる。

　（タッチセンサー用途）
　本発明のポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜は、高い透明性と高い屈折率を両立できることから、スマートフォンやタブレット端末に用いられるタッチセンサー部材に好適に用いられる。より具体的には、センサー形成に用いられる透明導電膜の上部又は下部に形成される絶縁層薄膜が挙げられる。

　タッチセンサー、およびそれを用いたディスプレイの課題の一つとして、Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ（以下、「ＩＴＯ」と略す）などの透明導電膜パターンの視認による端末の外観悪化が挙げられる。透明電極パターンの視認性を抑制する代表的な技術としては、透明電極の上部又は下部に絶縁層薄膜を形成することにより、界面反射を低減し、透明電極パターンの視認性を抑制する技術が開発されている（例えば、特開平１－２０５１２２号公報、特開平６－０３３０００号公報、特開平８－２４０８００号公報）。この絶縁層薄膜においては、透明電極パターンの屈折率が高いことから、高い屈折率と透明性が要求される。

　透明電極パターンの視認性を低減する技術としてはＮｂ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２の薄膜をアンダーコート層又はトップコート層として設ける技術が開発されている（例えば、特開２０１０－１５２８０９号公報、特開２０１０－０８６６８４号公報）。さらには、低コスト、省プロセスの目的で、屈折率が１．５８～１．８５である有機系薄膜と酸化ケイ素薄膜を形成する技術が開発されている（例えば、ＷＯ２０１４／１１９３７２号）。この技術は、単体での屈折率が高い酸化チタン粒子、チタン酸バリウム粒子等のチタン酸化物微粒子又は酸化ジルコニウム粒子等のジルコニウム酸化物粒子を含有する有機組成物を用いて、屈折率を所望の範囲に制御するものである。または、屈折率の高い置換基を有機成分に導入して、屈折率を所望の範囲に制御するものである。

　しかしながら、従来の金属酸化物粒子で屈折率制御を行う場合、金属酸化物粒子が高価であることに加え、金属酸化物粒子の含有割合を大きくすることで分散不良となり、粒子が沈殿する問題があった。また、屈折率の高い置換基による屈折率制御では屈折率を変化し得る範囲が限られており、１．８を超えるような高屈折率を達成することは困難であった。

　そこで本発明のポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜を用いることにより、屈折率を簡便に制御できるため、透明導電膜パターンの視認性を大幅に低減した基板を、容易かつ低コストに提供することができる。

　具体的には、タッチセンサーが透明下地基材の上面から、透明導電薄膜（Ｉ）、本発明のポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜（ＩＩ）、の順に薄膜が積層されている部位を有する部材を有することにより、下層に形成されている透明導電薄膜（Ｉ）の上部界面及び下部界面での反射光を弱めることができ、透明導電薄膜のパターン視認性を低減することができる。かつ、透明導電膜が薄膜で保護されているためタッチセンサーの耐久性を向上させることができる。

　透明導電薄膜（Ｉ）、本発明のポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜（ＩＩ）、の順に薄膜が積層されている部位を有する部材について詳細を説明する。

　透明下地基材の素材としては、光を透過する機能を有していれば特に制限はないが、厚み０．１ｍｍ当たりの全線透過率（ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７準拠）が８０％以上のものが好ましく、例えば、ガラス、光学フィルムが挙げられる。耐熱性、耐薬品性の観点から、ガラスがより好ましい。ガラスとしては、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス、熱強化ガラス又は化学強化ガラスが挙げられるが、タッチパネルのカバーガラスとして広く用いられている熱強化ガラス又は化学強化ガラスが好ましい。光学フィルムとしては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイミド又はシクロオレフィンポリマーが挙げられる。中でも透明性の観点から、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート又はシクロオレフィンポリマーが好ましい。アクリル樹脂としては、ポリメタクリル酸メチルが好ましい。ポリエステル樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリブチレンテレフタレートが好ましい。ポリカーボネートとしては、ビスフェノールＡとホスゲンとの重縮合によって得られる樹脂が好ましい。ポリイミドとしては、脂肪族カルボン酸二無水物および／または脂肪族ジアミンをモノマーとする樹脂が、透明性の観点から好ましい。シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、シクロヘキセン若しくはノルボルネン又はそれらの誘導体を、付加重合又は開環メタセシス重合させて得られたものが好ましい。

　透明導電薄膜（Ｉ）としては、ＩＴＯ薄膜が最も一般的である。本願では、ＩＴＯ薄膜を例に挙げて説明するが、これに限定されるものではない。透明導電薄膜の形成方法としては、容易に低抵抗な薄膜が得られ、精密な膜厚制御が可能なことから、スパッタリング法が好ましい。透明導電薄膜（Ｉ）の膜厚は、１～２００ｎｍが好ましい。

　透明導電薄膜（Ｉ）の上面に積層される、本発明のポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜（ＩＩ）の膜厚及び屈折率がそれぞれ０．０１～３μｍ及び１．５８～１．９５であることが好ましい。この範囲とすることで、前記組成物を含む薄膜（ＩＩ）の上部界面及び下部界面での反射光の位相及び強度を制御でき、上述のように透明導電薄膜（Ｉ）の上部界面及び下部界面での反射光を弱め、透明導電薄膜のパターン視認性を低減することができる。前記組成物を含む薄膜（ＩＩ）の膜厚をこの範囲とすることで、位相を制御し、パターン視認性の低減効果を十分なものとできる。前記組成物を含む薄膜（ＩＩ）の屈折率をこの範囲とすることで、反射光の強度を制御し、パターン視認性の低減効果を十分なものとできる。膜厚及び屈折率の範囲として、さらに好ましくは、膜厚及び屈折率がそれぞれ０．１～２．５μｍ及び１．６５～１．９５であり、特に好ましくは０．１５～２μｍ及び１．８０～１．９５である。

　さらに、発明のポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜（ＩＩ）の上面に、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）および／または屈折率が１．４６～１．５３である透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されている部位を有することが好ましい。

　酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）を有することで、下部界面の反射光（すなわち、前記ポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜（ＩＩ）の上部界面の反射光）の強度を制御することができる。また、同時に透明導電薄膜（Ｉ）を含む下地金属を保護することができるため、タッチセンサー用途において、タッチセンサーの信頼性を向上させることができる。

　酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の膜厚は０．０１～１０μｍが好ましい。０．０１μｍを下回ると、上部界面の反射光が影響するためパターン視認性の低減効果は得にくくなり、さらに下地金属を保護する機能が得られない。１０μｍを上回ると、わずかな歪でクラックが入りやすくなり、タッチパネルの信頼性及び外観を損ねることとなる。

　酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法（エレクトロンビーム法）、イオンプレーティング法（ＩＰ法）若しくはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等のドライプロセス法又はＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）等のウェットプロセス法が挙げられる。中でもＣＶＤ法は比較的低温で欠陥の少ない薄膜を形成できるため、好ましい。

　透明粘着薄膜（ＩＶ）とは、透明粘着剤により形成された薄膜をいう。ここで透明粘着剤とは、光を透過し、かつ粘着性を有する素材をいう。

　透明粘着薄膜（ＩＶ）の膜厚は、粘着性と透明性の観点から、１～２００μｍが好ましい。

　透明粘着剤の粘着力は、３～１００Ｎ／２０ｍｍが好ましい。また透明粘着剤の透過率は、タッチセンサーの外観の観点から、全線透過率（ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７）で９０％以上が好ましい。

　透明粘着剤としては、例えば、熱硬化型粘着剤又はＵＶ硬化型粘着剤が挙げられる。屈折率が１．４６～１．５２の熱硬化型透明粘着剤としては、例えば、炭素数１～２０のアルキル（メタ）アクリレート、水酸基を含有する（メタ）アクリレート及び／又はカルボキシル基を含有する（メタ）アクリル酸誘導体を構成モノマーとする共重合体、あるいは、多官能イソシアネート化合物及び／又は多官能エポキシ化合物を含有する熱硬化型粘着剤が挙げられる。屈折率が１．４６～１．５２のＵＶ硬化型透明粘着剤としては、例えば、単官能若しくは多官能の（メタ）アクリレートモノマー及び／又はオリゴマーと、光重合開始剤とを主成分とする、ＵＶ硬化型粘着剤が挙げられる。

　このような透明粘着剤としては、種々の基板同士を貼り合わせるために用いられる、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｃｌａｅｒ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ）材料（熱硬化型粘着剤の通称）又はＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｃｌａｅｒ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ　Ｒｅｓｉｎ）材料（ＵＶ硬化型粘着剤の通称）を使用することができる。また上記のような透明粘着剤から形成された透明粘着薄膜（ＩＶ）としては、飛散防止フィルム等の市販の多機能フィルムが具備する粘着剤を使用することができる。

　透明粘着薄膜（ＩＶ）を形成することが可能な、市販のＯＣＡ材料としては、例えば、８１７１ＣＬ、８１７２ＣＬ、８１４６－１若しくは８１４６－２（いずれも住友スリーエム（株）製）、ＣＳ９６２２Ｔ、ＣＳ９６２１Ｔ若しくはＣＳ９０７０（いずれも日東電工（株）製）、ＴＥ－９０００、ＴＥ－７０００、ＴＥ－８５００若しくはＤＡ－５０００Ｈ（以上、日立化成（株）製）又はＭＯ－３０１０若しくはＭＯ－Ｔ０１０（いずれもリンテック（株）製）が挙げられる。透明粘着薄膜（ＩＶ）を形成することが可能な、市販のＯＣＲ材料としては、例えば、ＸＶ－ＳＶ－Ｂ１若しくはＸＶ－７８１１（いずれもパナソニック（株）製）又はＵＶＰ－１００３、ＵＶＰ－１１００、ＵＶＰ－７１００若しくはＵＶＰ－７０００（いずれも東亞合成（株）製）が挙げられる。透明粘着薄膜（ＩＶ）とすることが可能な、市販の透明粘着剤付き多機能フィルムとしては、例えば、飛散防止フィルムとして広く使用されているＨＡ－１１０、ＨＡ－１１５、ＨＡ－１１６若しくはＨＡ－２０３（いずれもリンテック（株）製）又はＨＣ１１００Ｆ－ＢＰ若しくはＨＣ２１２０Ｆ－ＢＰ（いずれもＤＩＣ（株）製）が挙げられる。

　透明導電薄膜（Ｉ）、本発明のポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜（ＩＩ）、の順に薄膜が積層されている部位を有する部材は、ディスプレイ用途に好適に用いられる。例えば、抵抗膜式タッチパネル、静電容量式タッチパネル、ＴＦＴ基板が挙げられるが、静電容量式タッチパネルに用いることが好ましく、カバーガラス一体型静電容量式タッチパネルに用いることがより好ましい。

　（レンズ用途）
　本発明のポリメタロキサンから得られる硬化膜は、屈折率、透明性に優れるため、レンズに好適に用いられる。より具体的には、裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像素子等に形成される集光用マイクロレンズに好適に用いることができる。

　固体撮像素子は、半導体基板上にマトリクス状に配列された多数の光電変換素子を備える。各光電変換素子の前方には、入射光を光電変換素子に集光するマイクロレンズが光電変換素子ごとに配列される。マイクロレンズには、集光効率の観点から、高い屈折率と透明性が求められる。

　このようなマイクロレンズの製造方法として、ドライエッチングを利用する方法がある。この方法は以下のようなものである。基板上にレンズ材料の硬化膜を形成する。次に、硬化膜上にフォトレジストのパターンを、マイクロレンズと同じ形状で形成する。そして、フォトレジストと硬化膜をともにドライエッチングして、フォトレジストのパターンを硬化膜に転写し、マイクロレンズを得る方法である。

　本発明のポリメタロキサンから得られる硬化膜は、自由電子を有さない誘電体となることから、高い透明性および耐熱性を得ることができる。また、樹脂成分を主体とする硬化膜とすることができ、ドライエッチング時の硬化膜とエッチングガスとの反応性を、膜全体でほぼ均一にすることができる。そのため、局所的にドライエッチング速度に差が生じることなく、表面荒れのない平滑なマイクロレンズを得ることができる。

　ポリメタロキサンの硬化膜からなるレンズの製造方法に特に制限はないが、基板上に本発明のポリメタロキサンを含有する硬化膜を形成する工程と、硬化膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、フォトレジストパターンおよび硬化膜をドライエッチングする工程とを含むことが好ましい。各工程において詳細を説明する。

　上述の基板に特に制限はないが、シリコンウェハーやサファイアウェハー、ガラス、光学フィルムが挙げられる。ガラスとしては、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス、熱強化ガラス又は化学強化ガラスが挙げられる。光学フィルムとしては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイミド又はシクロオレフィンポリマーからなるフィルムが挙げられる。

　基板上にポリメタロキサンを含有する硬化膜を形成する方法としては、ポリメタロキサンを含有する溶液を、塗布し、加熱により硬化膜とする方法が好ましい。

　フォトレジストパターンは、前記ポリメタロキサンを含有する硬化膜上にフォトレジスト層を形成し、同フォトレジスト層をフォトリソグラフィーによってパターニングすることにより得られる。

　フォトレジスト層は、市販のフォトレジスト塗布することにより得ることができる。塗布方法には公知の方法を用いることができる。塗布に用いる装置としては、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、スプレーコーティング若しくはスリットコーティング等の全面塗布装置又はスクリーン印刷、ロールコーティング、マイクログラビアコーティング若しくはインクジェット等の印刷装置が挙げられる。

　フォトレジスト層のフォトリソグラフィーによるパターニング方法は特に制限されるものではないが、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナー（ＰＬＡ）等の紫外可視露光機を用い、所望のマスクを介してパターン露光し、次いで、公知のフォトレジスト用現像液を用いて現像することによりパターンを得ることが好ましい。

　ここで、パターン露光する際に用いるマスクとしては、０．１μｍ～１０μｍのドット状あるいはスクエア状のフォトレジストパターンが得られるよう設計されたマスクが好適に用いられる。フォトレジストパターンは必要に応じて熱溶融させることもできる。熱溶融させることにより、フォトレジストパターンを凸面状とすることができる。熱溶融の条件としては、特に限定されるものではないが、ホットプレートあるいはオーブンなどの加熱装置を用いて５０℃～３００℃の温度範囲で３０秒～２時間程度加熱することが好ましい。

　フォトレジストパターンと、ポリメタロキサンを含有する硬化膜を全面ドライエッチングによることによりマイクロレンズを得ることができる。ドライエッチングは、反応性イオンエッチング装置（ＲｉＥ装置）を用いて、プロセスガスをＣＨＦ_３（三フッ化メタン）、ＣＦ_４（四フッ化メタン）、酸素、またはこれらの混合ガスとすることが好ましい。このようなドライエッチングを行うことにより、前記フォトレジストパターンおよび前記ポリメタロキサンを含有する硬化膜を同時にエッチングすることができるため、前記ポリメタロキサンを含有する硬化膜をマイクロレンズ形状に加工することが可能となる。

　ドライエッチング後、フォトレジストパターンのドライエッチング残渣が生じる場合、必要に応じてフォトレジストの除去を行ってもよい。除去方法に特に制限は無いが、プロセスガスに酸素を用いたアッシングや、市販のレジスト剥離液に浸漬する方法が挙げられる。

　（有機ＥＬ用途）
　本発明のポリメタロキサンから得られる硬化膜は、有機ＥＬ素子、有機ＥＬ照明用途として好適に用いられる。より具体的には、有機ＥＬ素子あるいは有機ＥＬ照明に用いられる透明導電膜の上部または下部に形成される絶縁層薄膜が挙げられる。

　現在、有機ＥＬは、面発光する新しい光源であり、次世代のディスプレイや照明への応用が期待されている。有機ＥＬは電極間に、発光層、キャリアーの注入性や輸送性を制御する層などの有機層を有する構成となる。有機ＥＬには、光取り出し効率、すなわち、発生した光がデバイスの外部に出てくる効率が低いという問題がある。すなわち、有機層の屈折率、および透明電極の屈折率が大きいため、屈折率の低い基板（ｎ～１．５）や空気（ｎ～１．０）へ伝播する際に、大部分の光は界面で全反射を生じ、取り出し効率が低下するという課題がある。

　そこで、本発明のポリメタロキサンから得られる硬化膜を透明電極の上部、または下部に設置することにより、硬化膜の上部界面および株界面での反射光の位相及び強度を制御でき、透明電極の上部界面、または下部界面の反射を抑制し、光取り出し効率を大幅に改善することができる。

　（建材用途）
　本発明のメタロキサンは、塗布し、硬化することにより、金属酸化膜とすることができるため、建材に用いることができる。より具体的には、難燃材、親水性付与材が挙げられる。難燃剤としては、本発明のポリメタロキサンは、不燃層となるため、燃焼の遮断効果で、難燃性を付与することができる。また、建材表面に本発明のポリメタロキサンをコートすることにより、親水性の高い膜を形成することができるため、防汚効果が期待できる。

　（放射性核種ジェネレータ用途）
　本発明のポリメタロキサンは、放射性核種ジェネレータ用途に用いることができる。具体的には、本発明のポリメタロキサンが充填されたカラムを具備する放射性核種ジェネレータである。

　現在、医療分野において、放射性核種は、放射性診断薬及び放射性治療薬として用いられている。特に放射性診断薬として放射性核種である^９９ｍＴｃ（テクネチウム－９９ｍ、半減期６．０１時間）は、最も多く用いられている。

　^９９ｍＴｃは、親核種である^９９Ｍｏ（モリブデン－９９、半減期６５．９時間）のβ崩壊により製造される。すなわち、核分裂法あるいは放射化法により、生成された^９９Ｍｏを含むＭｏＯ_３ペレットをモリブテン酸ナトリウム水溶液とし、その水溶液を吸着材が充填されたカラムに通すことにより、吸着材にＭｏを捕捉する。捕捉したＭｏのうち、^９８Ｍｏのみが、β崩壊を生じ、^９８ｍＴｃとなる。この状態でカラムに水を通すことにより、選択的に^９８ｍＴｃを取り出すことができる。

　^９９Ｍｏの製造方法おける核分裂法は、濃縮ウラン中の^２３５Ｕ（ウラン－２３５）に中性子を照射することにより核分裂反応を生じさせ、複雑な工程を経て、^９９Ｍｏを取り出すという方法である。しかし、本方法では、多量の放射性廃棄物ができるという欠点がある。一方、放射化法においては、天然に存在する^９８Ｍｏ（モリブデン－９８）に中性子を照射し、^９９Ｍｏを製造する方法である。この放射化法においては、放射性廃棄物が生じないという長所があるが、生成される^９９Ｍｏの比放射能が低いという課題がある。そのため、吸着能が高い吸着材、およびカラムに要求がある。

　吸着性能の高い吸着材として無機高分子塩化ジルコニウム化合物が開発されている。しかしながら、本化合物においては、カラムにモリブテン酸ナトリウム水溶液を通過させる際に、化合物末端のクロロ基が加水分解を生じ、塩化水素を生じる。この塩化水素が腐食性ガスとなるため、安全性に課題がある。そのため、塩化水素を生じない、吸着性能の高い吸着材が求められている。

　本発明のポリメタロキサンは、末端に（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基およびまたはヒドロキシ基を有しているため、これがＭｏの吸着サイトとなる。そのため、上記無機高分子ジルコニウム塩化ジルコニウムと同様に、高い吸着性能を有するが、塩化水素などの腐食性ガスを生じないため、高い吸着性能と安全性が高い吸着材として好適に使用できる。

　本発明のポリメタロキサンが充填されたカラムを放射性核種ジェネレータとして使用することにより、高い吸着能により、^９８ｍＴｃを効率よく製造できることから、装置を小型軽量化することができる。

　以下、合成例、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。

　各合成例において、フーリエ変換型赤外分光（以下、ＦＴ－ＩＲと略す）による分析は、以下の方法により行った。まず、フーリエ変換型赤外分光計（島津製作所製ＦＴ７２０）を用いて、シリコンウェハーを２枚重ねたものを測定し、それをベースラインとした。次いで、金属化合物あるいはその溶液をシリコンウェハー上に１滴垂らし、それを別のシリコンウェハーで挟むことにより、それを測定試料とした。測定試料の吸光度と、ベースラインの吸光度の差から、化合物あるいはその溶液の吸光度を算出し、吸収ピークを読み取った。

　（合成例１）チタン化合物（Ｔ１）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシチタンを３４．０ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリメチルシラノール９．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色液体のチタン化合物（Ｔ１）を得た。

　このチタン化合物（Ｔ１）をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が生成し、シラノールの吸収（８８３ｃｍ^－１）が存在しなかったことから、得られたチタン化合物（Ｔ１）がトリブトキシ（トリメチルシロキシ）チタンであることを確認した。

　（合成例２）チタン化合物（Ｔ２）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトライソプロポキシチタンを２８．４ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリメチルシラノール９．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したイソプロパノールを減圧留去することにより、無色液体のチタン化合物（Ｔ２）を得た。

　このチタン化合物（Ｔ２）をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が生成し、シラノールの吸収（８８３ｃｍ^－１）が存在しなかったことから、得られたチタン化合物（Ｔ２）がトリイソプロポキシ（トリメチルシロキシ）チタンであることを確認した。

　（合成例３）チタン化合物（Ｔ３）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラ－ｔ－ブトキシチタンを３４．０ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリメチルシラノール９．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したｔ－ブタノールを減圧留去することにより、無色液体のチタン化合物（Ｔ３）を得た。

　このチタン化合物（Ｔ３）をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が生成し、シラノールの吸収（８８３ｃｍ^－１）が存在しなかったことから、得られたチタン化合物（Ｔ３）がトリ－ｔ－ブトキシ（トリメチルシロキシ）チタンであることを確認した。

　（合成例４）チタン化合物（Ｔ４）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシチタンを３４．０ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリエチルシラノール１３．３ｇ（０．１ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色液体のチタン化合物（Ｔ４）を得た。
このチタン化合物（Ｔ４）をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が生成し、シラノールの吸収（８８３ｃｍ^－１）が存在しなかったことから、得られたチタン化合物（Ｔ４）がトリブトキシ（トリエチルシロキシ）チタンであることを確認した。

　（合成例５）チタン化合物（Ｔ５）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシチタンを３４．０ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリメチルシラノール１８．０ｇ（０．２ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色液体のチタン化合物（Ｔ５）を得た。

　このチタン化合物（Ｔ５）をＦＴ－ＩＲにて分析し、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）の生成、およびシラノールの吸収ピーク（８８３ｃｍ^－１）が存在しないことを確認した。また、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク強度がチタン化合物（Ｔ１）と比較し、２倍となったことから、得られたチタン化合物（Ｔ５）がジブトキシビス（トリメチルシロキシ）チタンであることを確認した。

　（合成例６）チタン化合物（Ｔ６）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシチタンを３４．０ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリメチルシラノール２７．１ｇ（０．３ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色液体のチタン化合物（Ｔ６）を得た。

　このチタン化合物（Ｔ６）をＦＴ－ＩＲにて分析し、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）の生成、およびシラノールの吸収ピーク（８８３ｃｍ^－１）が存在しないことを確認した。また、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク強度がチタン化合物（Ｔ１）と比較し、３倍となったことから、得られたチタン化合物（Ｔ６）がブトキシトリス（トリメチルシロキシ）チタン）であることを確認した。

　（合成例７）ジルコニウム化合物（Ｚ１）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシジルコニウムを３８．４ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリメチルシラノール９．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色液体のジルコニウム化合物（Ｚ１）を得た。

　このジルコニウム化合物（Ｚ１）をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９６８ｃｍ^－１）が生成し、シラノールの吸収（８８３ｃｍ^－１）が存在しなかったことから、得られたジルコニウム化合物（Ｚ１）がトリブトキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウムであることを確認した。

　（合成例８）ジルコニウム化合物（Ｚ２）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラプロポキシジルコニウムを３２．８ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリメチルシラノール９．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したプロパノールを減圧留去することにより、無色液体のジルコニウム化合物（Ｚ２）を得た。

　このジルコニウム化合物（Ｚ２）をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９６８ｃｍ^－１）が生成し、シラノールの吸収（８８３ｃｍ^－１）が存在しなかったことから、得られたジルコニウム化合物（Ｚ２）がトリプロポキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウムであることを確認した。

　（合成例９）ジルコニウム化合物（Ｚ３）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシジルコニウムを３８．４ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリエチルシラノール１８．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色液体のジルコニウム化合物（Ｚ３）を得た。

　このジルコニウム化合物（Ｚ３）をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９６８ｃｍ－１）が生成し、シラノールの吸収（８８３ｃｍ－１）が存在しなかったことから、得られたジルコニウム化合物（Ｚ３）がトリブトキシ（トリエチルシロキシ）ジルコニウムであることを確認した。

　（合成例１０）ジルコニウム化合物（Ｚ４）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシジルコニウムを３８．４ｇ（０．１ｍｏｌ）仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、滴下ロートを用いてトリメチルシラノール１８．０ｇ（０．２ｍｏｌ）を１時間かけて添加し、添加後さらに１時間撹拌した。フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色液体のジルコニウム化合物（Ｚ４）を得た。

　このジルコニウム化合物（Ｚ４）をＦＴ－ＩＲにて分析し、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９６８ｃｍ^－１）の生成、およびシラノールの吸収ピーク（８８３ｃｍ^－１）が存在しないことを確認した。また、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク強度がジルコニウム化合物（Ｚ３）と比較し、２倍となったことから、得られたジルコニウム化合物（Ｚ４）がジブトキシビス（トリメチルシロキシ）ジルコニウムであることを確認した。

　合成例１～１０に関し表１にまとめて記載した。

　（合成例１１）チタン化合物（Ｔ１－Ｈ１）溶液
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、チタン化合物（Ｔ１）を３５．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡと略す）を５０．０ｇ仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、加水分解を目的として水１．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。水の添加中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な無色透明溶液であった。添加後さらに１時間撹拌した。

　フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色透明のチタン化合物（Ｔ１－Ｈ１）溶液を得た。得られたチタン化合物（Ｔ１－Ｈ１）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）およびＴｉ－ＯＨの吸収ピーク（１６４５ｃｍ^－１および３３８０ｃｍ^－１）が確認されたことから、チタン化合物（Ｔ１－Ｈ１）がジブトキシ（ヒドロキシ）（トリメチルシロキシ）チタンであると推定した。

　これらの結果を表２に記載した。

　（合成例１２～合成例２５、比較合成例１～比較合成例３）
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、表２に示すチタン化合物および溶剤を仕込み、合成例１１と同様に攪拌した。その後、表２に示す量の水を合成例１１と同様に添加し、加水分解を行った。水の添加中におけるフラスコ内容液に外観を表２に示す。また、合成例１１と同様に副生成物であるアルコールを減圧留去し、ＦＴ－ＩＲにて分析した結果を表２に示す。

　比較合成例１～３に関しては、水を添加すると、瞬時に白色の析出が生じた。これは、チタンアルコキシドの加水分解速度が大きく、テトラヒドロキシチタンが生成したと考えられる。そのため、生成したテトラヒドロキシチタンが凝集を生じ、溶剤に不溶化したものと推定される。

　（合成例２６）ジルコニウム化合物（Ｚ１－Ｈ１）溶液
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、ジルコニウム化合物（Ｚ１）を４０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶剤としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、加水分解を目的として水１．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。水の添加中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な無色透明溶液であった。添加後さらに１時間撹拌した。

　フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、無色透明のジルコニウム化合物（Ｚ１－Ｈ１）溶液を得た。得られたジルコニウム化合物（Ｚ１－Ｈ１）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９６８ｃｍ^－１）およびＺｒ－ＯＨの吸収ピーク（１６００ｃｍ^－１および３４１０ｃｍ^－１）が確認されたことから、ジルコニウム化合物（Ｚ１－Ｈ１）がジブトキシ（ヒドロキシ）（トリメチルシロキシ）ジルコニウムであると推定した。

　これらの結果を表３に記載した。

　（合成例２７～合成例３６、比較合成例４～比較合成例５）
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、表３に示すジルコニウム化合物および溶剤を仕込み、合成例２６と同様に攪拌した。その後、表３に示す量の水を合成例２６と同様に添加し、加水分解を行った。水の添加中におけるフラスコ内容液に外観を表３に示す。また、合成例２６と同様に副生成物であるアルコールを減圧留去し、ＦＴ－ＩＲにて分析した結果を表３に示す。

　比較合成例４および５に関しては、水を添加すると、瞬時に白色の析出が生じた。これは、ジルコニウムアルコキシドの加水分解速度が大きく、テトラヒドロキシジルコニウムが生成したと考えられる。そのため、生成したテトラヒドロキシジルコニウムが凝集を生じ、溶剤に不溶化したものと推定される。

　以下、各実施例において、ポリメタロキサン溶液の固形分濃度は、アルミカップにポリメタロキサン溶液を１．０ｇ秤取し、ホットプレートを用いて２５０℃で３０分間加熱して液分を蒸発させ、加熱後のアルミカップに残った固形分を秤量することにより求めた。

　ＦＴ－ＩＲによる分析は、以下の方法により行った。まず、フーリエ変換型赤外分光計（島津製作所製ＦＴ７２０）を用いて、シリコンウェハーのみを測定し、それをベースラインとした。次いで、ポリメタロキサン溶液をシリコンウェハー上に滴下し、次いで、任意の回転数でスピンコートを行い、その後、真空乾燥させることにより測定試料を作製した。測定試料の吸光度と、ベースラインの吸光度の差から、ポリメタロキサンの吸光度を算出し、吸収ピークを読み取った。

　重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の方法により求めた。展開溶媒として、Ｎ－メチル－２－ピロリドンに塩化リチウムを溶解し、０．０２Ｍ塩化リチウムＮ－メチル－２－ピロリドン溶液を作成した。展開溶媒にポリメタロキサンを０．２ｗｔ％となるように溶解し、これを試料溶液とした。展開溶媒を多孔質ゲルカラム（東ソー製ＴＳＫｇｅｌ　α－Ｍ、α－３０００各１本）に流速０．５ｍＬ／ｍｉｎで充填し、ここに試料溶液を０．２ｍＬ注入した。カラム溶出物を示差屈折率検出器（昭和電工製ＲＩ－２０１型）により検出し、溶出時間を解析することにより、重量平均分子量（Ｍｗ）を求めた。

　実施例１　ポリメタロキサン（ＴＰ－１）の合成
　チタン化合物（Ｔ１）を３５．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡと略す）を５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を１．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてイソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡと略す）を５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　容量５００ｍｌの三口フラスコに、溶液１の全量を仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、加水分解を目的として溶液２の全量を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。溶液２添加中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な無色透明溶液であった。添加後さらに１時間撹拌し、ヒドロキシ基含有金属化合物とした。その後、重縮合を目的として、オイルバスを３０分間かけて１４０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１３０℃）。反応中に、ＩＰＡ、副生成物であるブタノールおよび水が留出した。加熱攪拌中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な透明溶液であった。

　加熱終了後、フラスコ内容液を室温まで冷却し、ポリメタロキサン溶液を得た。得られたポリメタロキサン溶液の外観は、淡黄色透明であった。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－１）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において６０００であった。

　実施例２　ポリメタロキサン（ＴＰ－２）の合成
　チタン化合物（Ｔ１）を３５．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を３．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－２）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－２）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において２１０００であった。

　実施例３　ポリメタロキサン（ＴＰ－３）の合成
　チタン化合物（Ｔ１）を３５．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を３．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてジイソブチルアミンを１．３ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－３）溶液をとした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－３）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において２５０００であった。

　実施例４　ポリメタロキサン（ＴＰ－４）の合成
　チタン化合物（Ｔ１）を３５．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を３．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、および水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液２とした。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－４）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－４）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－４）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において６０００であった。

　実施例５　ポリメタロキサン（ＴＰ－５）の合成
　チタン化合物（Ｔ１）を３５．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を５．４ｇ（０．３ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－５）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－５）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－５）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において４４０００であった。

　実施例６　ポリメタロキサン（ＴＰ－６）の合成
　チタン化合物（Ｔ１）を３５．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を５．４ｇ（０．３ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてジイソブチルアミンを１．３ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－６）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－６）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－６）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において２５０００であった。

　実施例７　ポリメタロキサン（ＴＰ－７）の合成
　チタン化合物（Ｔ２）を３１．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を５．４ｇ（０．３ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　容量５００ｍｌの三口フラスコに、溶液１の全量を仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、加水分解を目的として溶液２の全量を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。溶液２添加中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な無色透明溶液であった。添加後さらに１時間撹拌し、ヒドロキシ基含有金属化合物とした。その後、重縮合を目的として、オイルバスを３０分間かけて１４０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１３０℃）。反応中に、ＩＰＡ、および水が留出した。加熱攪拌中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な透明溶液であった。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－７）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－７）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－７）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において４６０００であった。

　実施例８　ポリメタロキサン（ＴＰ－８）の合成
　チタン化合物（Ｔ４）を３９．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を５．４ｇ（０．３ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－８）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－８）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－８）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において２８０００であった。

　実施例９　ポリメタロキサン（ＴＰ－９）の合成
　チタン化合物（Ｔ５）を３７．２ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を３．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－９）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－９）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－９）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において１８０００であった。

　実施例１０　ポリメタロキサン（ＴＰ－１０）の合成
　チタン化合物（Ｔ２－Ｈ３）溶液を６８．８１ｇ（トリヒドロキシ（トリメチルシロキシ）チタンとして１８．８１ｇ（０．１ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡ５０．０ｇにより構成される）を秤量し、これを溶液１とした。また、希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　容量５００ｍｌの三口フラスコに、溶液１の全量を仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、加水分解を目的として溶液２の全量を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。溶液２添加中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な無色透明溶液であった。添加後さらに１時間撹拌した。その後、重縮合を目的として、オイルバスを３０分間かけて１４０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１３０℃）。反応中に、ＩＰＡおよび副生成物である水が留出した。加熱攪拌中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な透明溶液であった。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－１０）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１０）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１０）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において４８０００であった。

　実施例１１　ポリメタロキサン（ＴＰ－１１）の合成
　チタン化合物（Ｔ２－Ｈ２）溶液を７３．０２ｇ（（イソプロポキシ）（ジヒドロキシ）（トリメチルシロキシ）チタンとして１８．８１ｇ（０．１ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡ５０．０ｇにより構成される）を秤量し、これを溶液１とした。また、水を１．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　容量５００ｍｌの三口フラスコに、溶液１の全量を仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、加水分解を目的として溶液２の全量を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。溶液２添加中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な無色透明溶液であった。添加後さらに１時間撹拌し、ヒドロキシ基含有金属化合物とした。その後、重縮合を目的として、オイルバスを３０分間かけて１４０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１３０℃）。反応中に、ＩＰＡおよび水が留出した。加熱攪拌中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な透明溶液であった。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－１１）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１１）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において４７０００であった。

　実施例１２　ポリメタロキサン（ＴＰ－１２）の合成
　実施例７の溶剤であるＰＧＭＥＡを、１，２－ジエトキシエタンに変えた以外は、実施例７と同様に合成、および固形分調整を行い、ポリメタロキサン（ＴＰ－１２）溶液を得た。得られたポリメタロキサン（ＴＰ－１２）溶液の外観は、淡黄色透明であった。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１２）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において４９０００であった。

　実施例１３　ポリメタロキサン（ＴＰ－１３）の合成
　実施例７の溶剤であるＰＧＭＥＡを、２，６－ジメチル－４－ヘプタノンに変えた以外は、実施例７と同様に合成、および固形分調整を行い、ポリメタロキサン（ＴＰ－１３）を得た。得られたポリメタロキサン（ＴＰ－１３溶液の外観は、淡黄色透明であった。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１３）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９５８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において４６０００であった。

　実施例１４　ポリメタロキサン（ＺＰ－１）の合成
　ジルコニウム化合物（Ｚ－１）４０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を５．４ｇ（０．３ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＺＰ－１）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＺＰ－１）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９６８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＺＰ－１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において４５０００であった。

　実施例１５　ポリメタロキサン（ＺＰ－２）の合成
　ジルコニウム化合物（Ｚ－４）４１．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶媒としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ混合し、これを溶液１とした。また、水を３．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、水希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　容量５００ｍｌの三口フラスコに、溶液１の全量を仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、加水分解を目的として溶液２の全量を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。溶液２添加中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な無色透明溶液であった。添加後さらに１時間撹拌し、ヒドロキシ基含有金属化合物とした。その後、重縮合を目的として、オイルバスを３０分間かけて１４０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１３０℃）。反応中に、副生成物であるブタノールおよび水が留出した。加熱攪拌中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な透明溶液であった。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＺＰ－２）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＺＰ－２）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９６８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＺＰ－２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において１９０００であった。

　実施例１６　ポリメタロキサン（ＺＰ－３）の合成
　ジルコニウム化合物（Ｚ１－Ｈ３）溶液を７３．１ｇ（トリヒドロキシ（トリメチルシロキシ）ジルコニウムｇ（０．１ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡ５０．０ｇにより構成される）を秤量し、これを溶液１とした。また、希釈溶媒としてＩＰＡを５０．０ｇ、および重合触媒としてトリブチルアミンを２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）混合し、これを溶液２とした。

　容量５００ｍｌの三口フラスコに、溶液１の全量を仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した。その後、加水分解を目的として溶液２の全量を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。溶液２添加中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な無色透明溶液であった。添加後さらに１時間撹拌し、ヒドロキシ基含有金属化合物とした。その後、重縮合を目的として、オイルバスを３０分間かけて１４０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１３０℃）。反応中に、ＩＰＡ、副生成物である水が留出した。加熱攪拌中、フラスコ内容液に析出は生じず、均一な透明溶液であった。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＺＰ－３）溶液とした。

　ポリメタロキサン（ＺＰ－３）溶液をＦＴ－ＩＲにて分析すると、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｉの吸収ピーク（９６８ｃｍ^－１）が確認されたことから、トリメチルシロキシ基を有するポリメタロキサンであることを確認した。

　ポリメタロキサン（ＺＰ－３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において４６０００であった。

　実施例１～１６に関し、表４にまとめて記載した。

　（比較合成例６）　ポリメタロキサン（ＴＰ－１４）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシチタン３４．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を仕込み、フラスコを７５℃のオイルバスに浸けて３０分間撹拌した（内温は７０℃）。その後、加水分解を目的として水３．１ｇ（０．１７ｍｏｌ）とブタノール５０ｇの混合溶液を滴下ロートで１時間かけて添加した。添加中、その後、９０℃に昇温し１時間撹拌保持して反応を熟成した。

　フラスコ内容物を２００ｍｌナス型フラスコに移し、生成したブタノールを減圧留去することにより、白色固体のポリメタロキサン（ＴＰ－１０）を得た。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１４）はＰＧＭＥＡには溶解しなかったため、テトラヒドロフランに溶解し、固形分濃度が２０ｗｔ％となるように調整した。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１４）の重量平均分子量（Ｍｗ）はポリスチレン換算において、１７００であった。

　（比較合成例７）　ポリメタロキサン（ＴＰ－１５）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、テトラブトキシチタン３４．０ｇ（０．１ｍｏｌ）、および溶剤として１００ｇのエタノールを仕込み、フラスコを４０℃のオイルバスにつけて３０分間攪拌した。その後、加水分解を目的として水２．７ｇ（０．１５ｍｏｌ）とｔ－ブチルヒドラジン塩酸塩０．２５ｇ（０．００２モル）およびエタノール５０ｇの混合溶液を滴下ロートに充填し、１時間かけてフラスコ内に添加した。添加後、ＰＧＭＥＡを５０ｇ加え、さらに１時間撹拌した。その後、重縮合を目的として、オイルバスを３０分間かけて１４０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１３０℃）。反応中に、副生成物であるブタノールおよび水が留出した。

　得られたポリメタロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリメタロキサン（ＴＰ－１５）溶液を得た。

　ポリメタロキサン（ＴＰ－１５）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において８０００であった。

　（比較合成例８）　ポリシロキサン（ＳＰ－１）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、２－アントラセニルトリメトキシシランを２０．９ｇ（０．０７ｍｏｌ）、４－ヒドロキシベンジルトリメトキシシランを６．８ｇ（０．０３ｍｏｌ）および溶剤としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ仕込み、撹拌しながら加水分解を目的として水５．４ｇ（０．３ｍｏｌ）とリン酸０．２ｇの混合溶液を滴下ロートで１時間かけて添加した。その後、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて６０分間撹拌した後、オイルバスを３０分間かけて１２０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１１０℃）。反応中に副生成物であるメタノール、水が留出した。

　得られたポリシロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、ポリシロキサン（ＳＰ－１）溶液を得た。得られたポリシロキサン（ＳＰ－０１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算において３０００であった。

　（比較合成例９）　金属化合物粒子含有ポリシロキサン（ＳＰ－２）の合成
　容量５００ｍｌの三口フラスコに、メチルトリメトキシシランを４．１ｇ（０．０３ｍｏｌ）、フェニルトリメトキシシランを１３．９ｇ（０．０７ｍｏｌ）、数平均粒子系１５ｎｍの“オプトレイクＴＲ－５２７”（商品名、触媒化成工業（株）製　組成：酸化チタン粒子２０重量％、メタノール８０重量％）を３１５ｇ、および溶剤としてＰＧＭＥＡを５０．０ｇ仕込み、撹拌しながら加水分解を目的として水５．４ｇ（０．３ｍｏｌ）とリン酸０．２ｇの混合溶液を滴下ロートで１時間かけて添加した。その後、フラスコを４０℃のオイルバスに浸けて６０分間撹拌した後、オイルバスを３０分間かけて１２０℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１１０℃）。反応中に副生成物であるメタノール、水が留出した。

　得られた金属化合物粒子含有ポリシロキサン溶液の固形分濃度を求め、その後固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＰＧＭＥＡを加え、金属化合物粒子含有ポリシロキサン（ＳＰ－２）溶液を得た。

　実施例１７
　（１）硬化膜の作成
　ポリメタロキサン（ＴＰ－１）溶液を４インチシリコンウェハーおよびテンパックスガラス板にそれぞれスピンコーター（ミカサ（株）製１Ｈ－３６０Ｓ）を用いてスピン塗布した後、ホットプレート（大日本スクリ－ン製造（株）製ＳＣＷ－６３６）を用いて１００℃で３分間加熱し、プリベーク膜を作成した。その後、ホットプレートを用いて３００℃で５分間キュアして膜厚０．３μｍおよび０．５μｍの硬化膜を作成した。なお、膜厚は、光干渉式膜厚計（大日本スクリ－ン製造（株）製ラムダエ－スＳＴＭ６０２）を用いて、測定した。

　（２）硬化膜の耐クラック性評価
　（１）で得られた硬化膜の耐クラック性について、下記５段階で評価した。４以上を合格とした。
５　：　光学顕微鏡観察（倍率：５倍）においてクラックが見えない
４　：　光学顕微鏡観察（倍率：５倍）においてわずかにクラックが見える
３　：　光学顕微鏡観察（倍率：５倍）においてはっきりクラックが見える
２　：　通常の目視でわずかにクラックが見える
１　：　通常の目視ではっきりクラックが見える。

　（３）硬化膜の屈折率測定
　（１）でシリコンウェハー上に作成した膜厚０．３μｍの硬化膜について、測定時の温度は２２℃とし、分光エリプソメーター（大塚電子（株）製ＦＥ５０００）を用いて硬化膜からの反射光の偏光状態変化を測定し、入射光との位相差と振幅反射率のスペクトルを得た。得られたスペクトルに近づくように計算モデルの誘電関数をフィッティングすることにより、屈折率スペクトルが得られた。屈折率スペクトルから、波長５５０ｎｍにおける屈折率値を読み取ることにより、硬化膜の屈折率とした。

　（４）硬化膜の光透過率測定
　分光光度計（島津製作所製ＭｕｌｔｉＳｐｅｃ－１５００）を用いて、テンパックスガラス板の紫外可視吸収スペクトルを測定し、これをリファレンスとした。次いで、（１）でテンパックスガラス板上に作成した膜厚０．３μｍの硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを測定し、リファレンスとの差異により、硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを算出した。得られた紫外可視吸収スペクトルと膜厚を用いて、硬化膜の波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍあたりの光透過率を算出した。

　これらの結果を表５に示した。

　実施例１８～３２、比較例１～４
　表５に示した溶液につき、実施例１７と同様にして、（１）硬化膜の作成、（２）硬化膜の耐クラック性評価、（３）硬化膜の屈折率測定、（４）硬化膜の透過率測定を行った。評価結果を表５に示した。

　比較例１および比較例２に関し、硬化膜を作成すると、クラックの発生が見られ、均質な膜が得られなかった。これは、アルコキシ基が多く残存したポリメタロキサンであることから、塗膜形成時に空気中の水分でアルコキシ基の加水分解が生じ、脱離するため、収縮応力が大きくなり、クラックが生じたと考えられる。

　実施例３３
　ポリメタロキサン（ＴＰ－５）溶液３．５ｇ（固形分重量０．７ｇ）と酸化ケイ素－酸化チタン複合粒子である “オプトレイクＴＲ－５１３”（商品名、触媒化成工業（株）製、固形分濃度３０％γ－ブチロラクトン分散液）を１．０ｇ（固形分重量０．３ｇ）を混合し、組成物１を調製した。実施例１７と同様にして、（１）硬化膜の作成、（２）硬化膜の耐クラック性評価、（３）硬化膜の屈折率測定、（４）硬化膜の透過率測定を行った。評価結果を表５に示した。

　実施例３４
　透明下地基材の上面に、透明導電膜（Ｉ）、ポリメタロキサン硬化膜（ＩＩ）、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）および／または透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されている部位を有する部材を作成し、（５）透明導電膜視認性評価を行った。

　（５）透明導電膜視認性評価
　（５ａ）部材の作製
　（５ａ－１）透明導電膜パターンの作製
　透明下地基材となる厚さ１．１ｍｍの化学強化ガラス基板上に、透明導電膜（Ｉ）となるＩＴＯをターゲットとしてスパッタリングを行い、膜厚５０ｎｍのＩＴＯを成膜した。次いで、透明導電膜（Ｉ）上にポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ－８００；東京応化工業（株）製）をスピンコーター（１Ｈ－３６０Ｓ；ミカサ（株）製）を用いてスピンコートした後、ホットプレート（ＳＣＷ－６３６；大日本スクリーン製造（株）製）を用いて１００℃で２分間加熱し、プリベーク膜とした。得られたフォトレジストのプリベーク膜に、ＰＬＡを用いて超高圧水銀灯を光源として、マスクを介して１００μｍのギャップで１０００Ｊ／ｍ^２露光した。その後、自動現像装置（ＡＤ－２０００；滝沢産業（株）製）を用いて、２．３８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモニウム（以下、ＴＭＡＨと略す）水溶液で９０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスし、フォトレジストのパターン加工を施した。その後、ＨＣｌ－ＨＮＯ_３系のエッチング液でＩＴＯをエッチングし、剥離液でフォトレジストを除去し、第一電極とそれと直交する第二電極の一部がパターン加工されたＩＴＯ（図１及び図２の符号２）を有する基板を作製した（図１のａに相当）。

　（５ａ－２）透明絶縁膜の作製
　（５ａ－１）で得られた基板上にネガ型感光性樹脂組成物ＮＳ－Ｅ２０００（東レ（株）製）をスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で２分間加熱し、プリベーク膜を作成した。得られたプリベーク膜に、マスクを介して１００μｍのギャップで２０００Ｊ／ｍ^２露光した。その後、０．４ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液で９０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスした。次に、空気中２３０℃で１時間キュアを行い、膜厚１．５μｍの透明絶縁膜（図１及び図２の符号３）を作製した（図１のｂに相当）。

　（５ａ－３）モリブデン／アルミニウム／モリブデン（以下、ＭＡＭと略す）配線の作製
　（５ａ－２）で得られた基板上に、ターゲットとしてモリブデン及びアルミニウムを用い、エッチング液としてＨ_３ＰＯ_４／ＨＮＯ_３／ＣＨ_３ＣＯＯＨ／Ｈ_２Ｏ＝６５／３／５／２７（重量比）混合溶液を用いる以外は、上記（５ａ－１）と同様の手順によりＭＡＭ配線（図１及び図２の符号４）を作製した（図１のｃに相当）。またＭＡＭの膜厚は、２５０ｎｍになるように調整した。

　（５ａ－４）ポリメタロキサン硬化膜（ＩＩ）の形成
　（５ａ－３）で得られた基板上に、ポリメタロキサン（ＴＰ－１）溶液をインクジェット塗布装置によりパターン塗布した後、ホットプレートを用いて９０℃で２分間プリベークした。次に、空気中２３０℃で１時間キュアを行い、ポリメタロキサン（ＴＰ－１）硬化膜（ＩＩ）（図２の符号５）を作製した。

　（５ａ－５）酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の形成
　高速プラズマＣＶＤ成膜装置（ＰＤ－２７０ＳＴＬ；サムコ（株）製）を用い、テトラエトキシシランを原料として酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）（図２の符号６）を形成した。その際に、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）とポリメタロキサン含有組成物を含む薄膜（ＩＩ）とのパターンが重なるようにマスク成膜を実施した。酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の膜厚は、０．５μｍであった。

　（５ａ－６）透明粘着剤付きフィルムの貼りあわせ
　（５ａ－５）で得られた基板上の一部に、粘着剤とその反対面にハードコートを具備するＰＥＴフィルム（ＨＡ－１１６；リンテック（株）製、粘着剤屈折率＝１．４７）を、空気が噛み込まないようにして貼り合わせ、透明粘着層（ＩＶ）を形成した。

　（５ｂ）透明導電膜視認性評価
　（５ａ－６）で得られた基板の裏面側からの観察し、透明導電膜の視認性について、下記１０段階で評価した。なお、６以上を合格とした。
１０：　白色蛍光灯３ｃｍ下において凝視で全くパターンが見えない
９　：　白色蛍光灯３ｃｍ下において凝視でわずかにパターンが見える。
８　：　白色蛍光灯３ｃｍ下において凝視で少しパターンが見える。
７　：　白色蛍光灯３ｃｍ下において凝視ではっきりパターンが見える。
６　：　白色蛍光灯３ｃｍ下において通常の目視でわずかにパターンが見える。
５　：　白色蛍光灯３ｃｍ下において通常の目視で少しパターンが見える。
４　：　白色蛍光灯３ｃｍ下において通常の目視ではっきりパターンが見える。
３　：　室内灯下において通常の目視でわずかにパターンが見える。
２　：　室内灯下において通常の目視で少しパターンが見える。
１　：　室内灯下において通常の目視ではっきりパターンが見える。

　（６）下地金属腐食性評価
　下地金属として全面にＭＡＭを具備するガラス上に、上記（５ａ－４）記載の方法で、ポリメタロキサン硬化膜（ＩＩ）を形成し、次いで、上記（５ａ－５）記載の方法で、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）を形成した。次いで、温度１２１℃、湿度１００％、気圧＝２ａｔｍのオーブン（ＨＡＳＴ　ＣＨＡＭＢＥＲＥ　ＥＨＳ－２２１ＭＤ；エスペック株式会社製）内に放置する試験（プレッシャークッカークッカーテスト、ＰＣＴ試験）を２０時間行った後、硬化膜下のＭＡＭが腐食によって変色する欠点の占有面積割合を、目視によって下記１１段階で評価した。７以上を合格とした。
１０：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が０％。硬化膜自体の外観変化なし。
９：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が１～３％。硬化膜自体の外観変化なし。
８：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が４～６％。硬化膜自体の外観変化なし。
７：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が７～９％。硬化膜自体の外観変化なし。
６：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が１０～１５％。硬化膜自体の外観変化なし。
５：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が１６～２０％。硬化膜自体の外観変化なし。
４：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が２１～３０％。硬化膜自体の外観変化なし。
３：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が３１～５０％。硬化膜自体の外観変化なし。
２：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が５１～７０％。硬化膜自体の外観変化なし。
１：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が７１～１００％。硬化膜自体の外観変化なし。
０：硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が１００％。かつ、硬化膜自体に変色、クラック等が発生。

　実施例３５～４９、比較例５～８
　表６に示す構成で、実施例３４と同様の手法により、（５）透明導電膜視認性評価、および（６）下地金属評価を行った。評価結果を表６に示した。

　実施例５０
　（５ａ－３）ポリメタロキサン硬化膜（ＩＩ）形成において、ポリメタロキサン（ＴＰ－１）溶液に代えて、実施例３３で調整した組成物１を用いた以外は、実施例３４と同様の手法により、（５）透明導電膜視認性評価、および（６）下地金属評価を行った。評価結果を表６に示した。

　実施例５１
　（５ａ－５）酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）を形成する工程を行わなかった以外は、実施例４０と同様の手法により、（５）透明導電膜視認性評価、および（６）下地金属評価を行った。評価結果を表６に示した。

　実施例５２
　（５ａ－６）透明粘着剤付きフィルムを貼り合わせる工程を行わなかった以外は、実施例４０と同様の手法により、（５）透明導電膜視認性評価、および（６）下地金属評価を行った。評価結果を表６に示した。

　実施例５３
　（５ａ－１）透明導電膜パターンの作製において、化学強化ガラス基板の代わりに厚さ０．２ｍｍのポリエチレンテレフタラート（以下、ＰＥＴと略す）基材を用いた以外は、実施例４０と同様の手法により、（５）透明導電膜視認性評価を行った。評価結果を表６に示した。

　比較例９
　（５ａ－４）ポリメタロキサン硬化膜（ＩＩ）を形成する工程を行わなかった以外は、実施例４０と同様の手法により、（５）透明導電膜視認性評価、および（６）下地金属評価を行った。評価結果を表６に示した。

　実施例５４
　基板上に作成したポリメタロキサン硬化膜のドライエッチングを行い、ドライエッチング後の表面粗さＲａおよび光透過率を測定した。詳細は、下記に示す。測定結果を表６に示した。

　（６－１）硬化膜の作成
　ポリメタロキサン（ＴＰ－０５）溶液を６インチシリコンウェハーおよびテンパックスガラス板にそれぞれスピンコーター（ミカサ（株）製１Ｈ－３６０Ｓ）を用いてスピン塗布した後、ホットプレート（大日本スクリーン製造（株）製ＳＣＷ－６３６）を用いて１００℃で３分間加熱し、プリベーク膜を作成した。その後、ホットプレートを用いて３００℃で５分間キュアして膜厚０．５μｍの硬化膜を作成した。なお、膜厚は、光干渉式膜厚計（大日本スクリーン製造（株）製ラムダエースＳＴＭ６０２）を用いて、測定した。

　（６－２）屈折率測定
　シリコンウェハー上に作成した硬化膜について、測定時の温度は２２℃とし、分光エリプソメーター（大塚電子（株）製ＦＥ５０００）を用いて硬化膜からの反射光の偏光状態変化を測定し、入射光との位相差と振幅反射率のスペクトルを得た。得られたスペクトルに近づくように計算モデルの誘電関数をフィッティングすることにより、屈折率スペクトルが得られた。屈折率スペクトルから、波長５５０ｎｍにおける屈折率値を読み取ることにより、硬化膜の屈折率とした。

　（６－３）硬化膜の光透過率測定
　分光光度計（島津製作所製ＭｕｌｔｉＳｐｅｃ－１５００）を用いて、テンパックスガラス板の紫外可視吸収スペクトルを測定し、これをリファレンスとした。次いで、テンパックスガラス板上に作成した硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを測定し、リファレンスとの差異により、硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを算出した。得られた紫外可視吸収スペクトルと膜厚を用いて、硬化膜の波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍあたりの光透過率を算出した。

　（６－４）ドライエッチング
　テンパックスガラス板上に作成した硬化膜を、反応性イオンエッチング装置（サムコ（株）製ＲＩＥ－１０Ｎ）を用いて、プロセスガスとしてＣＦ_４（４フッ化メタン）と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングを行った。なお、ドライエッチング条件は、ガス混合比をＣＦ_４：酸素＝８０：２０とし、ガス流量を５０ｓｃｃｍ、出力１９９Ｗ、内圧を１０Ｐａ、処理時間を２ｍｉｎとした。

　（６－５）ドライエッチング後の表面粗さ測定
　ドライエッチング処理後の硬化膜表面を走査型プローブ顕微鏡（Ｂｒｕｋｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　Ｉｃｏｎ）により走査し、硬化膜表面の３次元立体像を得た。得られた像を切断し、硬化膜断面の輪郭曲線を得た。得られた輪郭曲線をＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２０１３に基づき計算することにより、算術平均粗さＲａを得た。

　（６－６）ドライエッチング後の光透過率測定
　分光光度計（島津製作所製ＭｕｌｔｉＳｐｅｃ－１５００）を用いて、テンパックスガラス板の紫外可視吸収スペクトルを測定し、これをリファレンスとした。次いで、テンパックスガラス板上に作成したドライエッチング処理後の硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを測定し、リファレンスとの差異により、ドライエッチング処理後の硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを算出した。得られた紫外可視吸収スペクトルと膜厚を用いて、ドライエッチング処理後の硬化膜の波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍあたりの光透過率を算出した。

　これらの結果を表７に示した。

　実施例５５～６５、比較例１０～１１
　表７に示した溶液につき、実施例５４と同様にして、（６－１）硬化膜の作成、（６－２）屈折率の測定、（６－３）硬化膜の光透過率の測定、（６－４）ドライエッチング、（６－５）ドライエッチング後の表面粗さ測定。（６－６）ドライエッチング後の光透過率測定を行った。評価結果を表７に示した。

　比較例１０は、ポリシロキサン（ＳＰ－１）溶液を用いて硬化膜を作成したものである。ポリシロキサン（ＳＰ－１）は屈折率の高いアントラセニル基を有しているため、屈折率１．６３と、高い屈折率が実現できた。しかしながら、アントラセニル基が由来により可視光領域に吸収を持つようになるため透過率が８５％となり、マイクロレンズに求められる高い透明性を得ることができなかった。

　比較例１１は、金属化合物粒子含有ポリシロキサン（ＳＰ－２）溶液を用いて硬化膜を作成したものである。屈折率の高い酸化チタン粒子を用いているため、屈折率１．７５と非常に高い屈折率が実現できた。しかしながら、ドライエッチング時において、酸化チタン粒子とポリシロキサン成分でエッチングガスとの反応性がそれぞれ異なることから、局所的にドライエッチング速度に差が生じた。そのため、硬化膜の表面が荒れ、算術平均粗さＲａが５０ｎｍとなった。また、硬化膜の表面が荒れることにより、光が散乱するため、ドライエッチング後の透過率が８０％となり、マイクロレンズに求められる高い透明性を得ることができなかった。

　実施例６６
　ポリメタロキサン溶液（ＴＰ－７）を６インチシリコンウェハーにスピンコーター（ミカサ（株）製１Ｈ－３６０Ｓ）を用いてスピン塗布した後、ホットプレート（大日本スクリーン製造（株）製ＳＣＷ－６３６）を用いて１００℃で３分間加熱し、プリベーク膜を作成した。その後、ホットプレートを用いて３００℃で５分間キュアして膜厚０．５μｍのポリメタロキサンを含有する硬化膜を作成した。

　その後、ポリメタロキサンを含有する硬化膜上にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製ＯＦＰＲ－８００）をスピン塗布した後、ホットプレートを用いて１００℃で２分間加熱し、フォトレジスト層を形成した。その後、ｉ線ステッパー（（株）ニコン性ＮＳＲ－ｉ９Ｃ）を用いて、マスクを介し、パターン露光を行った。なお。マスクとしては２μｍのドット状のパターンが得られるよう設計されたマスクを用いた。

　その後、自動現像装置（滝沢産業（株）製ＡＤ－２０００）を用いて、現像液として２．３８ｗｔ％水酸化テトラアンモニウム水溶液を用い、９０秒間シャワー現像し、次いで３０秒間リンスし、２μｍのドット状のフォトレジストパターンを得た。その後、ホットプレートを用いて１２０℃で５分間加熱し、フォトレジストパターンを熱溶融させた。

　フォトレジストパターンとポリメタロキサンを含有する硬化膜を反応性イオンエッチング装置（サムコ（株）製ＲＩＥ－１０Ｎ）を用いて、プロセスガスとしてＣＦ_４（４フッ化メタン）と酸素の混合ガスを用いて全面ドライエッチングを行い、ポリメタロキサンを含有するマイクロレンズパターンを得た。なお、ドライエッチング条件は、ガス混合比をＣＦ_４：酸素＝８０：２０とし、ガス流量を５０ｓｃｃｍ、出力１９９Ｗ、内圧を１０Ｐａ、処理時間を５ｍｉｎとした。

　得られたマイクロレンズパターンを走査型電子顕微鏡（日立ハイテクテクノロジーズ製Ｓ－４８００）を用いて観察すると、表面荒れなく平滑なマイクロレンズパターンであることを確認した。

　また、マイクロレンズパターンの算術平均表面粗さを、以下の方法により求めた。マイクロレンズパターンの表面を走査型プローブ顕微鏡（Ｂｒｕｋｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ　Ｉｃｏｎ）により走査し、３次元立体像を得た。得られた像を切断し、マイクロレンズ断面の輪郭曲線を得た。輪郭曲線からマイクロレンズの曲率を取り除き、表面粗さ曲線を得た。表面粗さ曲線から、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２０１３に基づき計算することにより、算術平均粗さＲａを得た。得られたマイクロレンズパターンの算術平均表面粗さＲａは４ｎｍであった。

　１　：　透明下地基板
　２　：　透明導電薄膜（Ｉ）
　３　：　絶縁膜
　４　：　ＭＡＭ配線
　５　：　ポリメタロキサンまたはその組成物から得られる硬化膜（ＩＩ）
　６　：　酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）
　７　：　透明粘着層（ＩＶ）

Claims

下記一般式（１）で表される構成単位を有するポリメタロキサン。

（Ｒ^１は有機基であり、Ｒ^１の少なくとも一つは（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基である。Ｒ^３は、ヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式アルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数６～３０の芳香族基、シロキサン結合を有する基またはメタロキサン結合を有する基の中から任意に選ばれる。Ｒ^２は水素原子、炭素数１～１２のアルキル基、またはメタロキサン結合を有する基の中から任意に選ばれる。Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、複数存在する場合はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＴｌおよびＢｉからなる群より選ばれる金属原子を示す。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数であり、ａは１～（ｍ－２）の整数である。）
Ｒ^１がヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式アルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数６～３０の芳香族基、（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基、シロキサン結合を有する基またはメタロキサン結合を有する基であり、Ｒ^１の少なくとも一つは（Ｒ^３ _３ＳｉＯ－）基である請求項１記載のポリメタロキサン。
前記ポリメタロキサン中のＲ^１の少なくとも一つはヒドロキシ基である請求項１または２記載のポリメタロキサン。
ＭがＡｌ、Ｔｉ、ＺｒおよびＳｎからなる群より選ばれる金属原子を１種以上含む請求項１～３いずれかに記載のポリメタロキサン。
下記一般式（２）で表される化合物またはその加水分解体を重縮合する工程を含むポリメタロキサンの製造方法。

（Ｒ^４はヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式アルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基または炭素数６～３０の芳香族基の中から任意に選ばれる。Ｒ^５は水素原子または炭素数１～１２のアルキル基の中から任意に選ばれる。Ｒ^４およびＲ^５は、複数存在する場合はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ＴｌおよびＢｉからなる群より選ばれる金属原子を示す。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数であり、ｎは１～（ｍ－１）の整数である。）
前記一般式（２）で表される化合物が、下記一般式（３）で表される化合物である請求項１記載の化合物である請求項５記載のポリメタロキサンの製造方法。

（Ｒ^６は一般式（１）におけるＲ^４と同一であり、Ｒ^７は炭素数１～１２のアルキル基である。ｍは金属原子Ｍの価数を示す整数、ｘは１～（ｍ－１）の整数であり、ｙは１～（ｍ－１）の整数であり、ｘ＋ｙ≦ｍである。）
前記一般式（３）におけるｙが２～（ｍ－１）の整数である、請求項６記載のポリメタロキサンの製造方法。
前記一般式（２）におけるＭがＡｌ、Ｔｉ、ＺｒおよびＳｎからなる群より選ばれる金属原子を１種以上含む請求項５～７のいずれかに記載のポリメタロキサンの製造方法。
請求項１～４のいずれかに記載のポリメタロキサンを含む組成物。
請求項１～４いずれかに記載のポリメタロキサンと、無機粒子を含むことを特徴とする組成物。
前記無機粒子が金属化合物粒子である請求項１０記載の組成物。
請求項１～５のいずれかに記載のポリメタロキサンの硬化膜。
請求項９～１１のいずれかに記載の組成物の硬化膜。
波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍあたりの光透過率が９０％以上である請求項１２または１３記載の硬化膜。
波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．５８～２．２０である請求項１２～１４のいずれかに記載の硬化膜。
請求項１～４のいずれかに記載のポリメタロキサン、または請求項９～１１のいずれか記載の組成物を加熱する工程を含む硬化膜の製造方法。
請求項１２～１５のいずれかに記載の硬化膜を具備する部材。
前記部材が、透明下地基材の上面から、
　透明導電薄膜（Ｉ）、
　請求項１２～１５のいずれかに記載の硬化膜（ＩＩ）、
　の順に積層されている部位を有する、請求項１７に記載の部材。
請求項１２～１５のいずれかに記載の硬化膜（ＩＩ）の上面に、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）および／または屈折率が１．４６～１．５３である透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されている部位を有する、請求項１８記載の部材。
前記透明下地基材が、ガラス基板または光学フィルムである、請求項１８または１９の部材。
前記部材がレンズである請求項１７記載の部材。
基板上に請求項１２～１５のいずれかに記載の硬化膜を形成する工程と、前記硬化膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記フォトレジストパターンおよび前記硬化膜をドライエッチングする工程とを含む、レンズの製造方法。
請求項１７～２１のいずれかに記載の部材を具備する電子部品。
前記電子部品がタッチセンサーである請求項２３の電子部品。
前記電子部品がイメージセンサーである請求項２３の電子部品。
前記電子部品が有機ＥＬ素子である請求項２３の電子部品
前記電子部品が有機ＥＬ照明である請求項２３の電子部品
請求項１～５のいずれかに記載のポリメタロキサンを含有する建材。
請求項１～５のいずれかに記載のポリメタロキサンが充填されたカラム。
請求項２８記載のカラムを具備する放射性核種ジェネレータ。