TW201739797A - 聚金屬噁烷、其製造方法、其組成物、固化膜和其製造方法，以及具備其的部件和電子零件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種聚金屬噁烷，其具有下述通式（1）所表示的結構單元，於溶液中以透明、均勻的狀態穩定地存在，能夠形成均質的固化膜。□R1為有機基，R1的至少一個為(R33SiO-)基。R3是自特定基中任意選擇。R2是自特定基中任意選擇。R1、R2及R3於存在多個的情況下，可分別相同亦可不同。M表示特定的金屬原子。m為表示金屬原子M的價數的整數，a為1～（m-2）的整數。

Description

聚金屬噁烷、其製造方法、其組成物、固化膜和其製造方法，以及具備其的部件和電子零件
本發明是有關於一種聚金屬噁烷、其製造方法、其組成物、固化膜和其製造方法，以及具備其的部件和電子零件。
期待包含金屬氧化物的膜具有高耐熱、高透明、高折射率等特性，具有對於各種用途有用的特性。
作為此種膜的形成方法，已知有藉由化學氣相沈積（Chemical vapor deposition，CVD）等氣相法而形成氧化鈦或氧化鋯的膜的方法等。然而，關於CVD等氣相法，膜形成速度慢，難以獲得可於工業上使用的膜厚。
另一方面，提出如下方法：藉由於溶劑中對金屬醇鹽進行水解，並對其進行縮聚而製成聚金屬噁烷，對其進行塗佈、固化，從而獲得高折射率薄膜。然而，若進行金屬醇鹽的水解，則水解體凝聚，變得不溶於有機溶劑。因此，於溶液中以透明、均勻的狀態穩定地存在、能夠形成均質的固化膜的聚金屬噁烷目前尚未達成工業化。
過去的文獻中，報告有藉由於特殊的條件下非常小心地實施水解而防止水解體的凝聚的技術（例如，參照專利文獻1、專利文獻2）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平1-129032號公報 [專利文獻2]日本專利特開2015-3896號公報
[發明所欲解決之課題] 作為於溶劑中對金屬醇鹽進行水解的方法，專利文獻1記載的技術為如下技術：將金屬醇鹽溶液的溫度保持為70℃，並相對於鈦醇鹽1莫耳而添加1莫耳以上且1.7倍莫耳以下的用於水解的水，藉此獲得有機溶劑可溶性的階梯狀的聚鈦噁烷。然而，此種方法中，存在如下問題：若於未滿70℃的溫度下添加水、或者增加水的添加量，則因水解體的凝聚而產生析出。另外，由於水解率低，因此所獲得的聚鈦噁烷存在如下問題：烷氧基大量殘留，於塗膜形成時因空氣中的水分而產生烷氧基的水解並脫離，故產生龜裂而無法形成均質的膜。
專利文獻2記載的技術為如下技術：於特殊的鹽酸鹽存在下，於醇溶液中使鈦化合物與水反應而製造鈦化合物寡聚物。然而，此種方法中，亦存在如下問題：若增加水的添加量，則因水解體的凝聚而析出，因此無法獲得高分子量的聚金屬噁烷，且於塗膜形成時產生龜裂而無法形成均質的膜。
本發明的目的在於提供一種於溶液中以透明、均勻的狀態穩定地存在、能夠形成均質的固化膜的聚金屬噁烷。 [解決課題之手段]
本發明為一種具有下述通式（1）所表示的結構單元的聚金屬噁烷。
[化1]
（R1 為有機基，R1 的至少一個為(R3 3 SiO-)基。R3 是自羥基、碳數1～12的烷基、碳數5～12的脂環式烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～30的芳香族基、具有矽氧烷鍵的基或具有金屬噁烷鍵的基中任意選擇。R2 是自氫原子、碳數1～12的烷基或具有金屬噁烷鍵的基中任意選擇。R1 、R2 及R3 於存在多個的情況下，可分別相同亦可不同。M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子。m為表示金屬原子M的價數的整數，a為1～（m-2）的整數）。 另外，本發明的另一態樣為一種聚金屬噁烷的製造方法，其包括對下述通式（2）所表示的化合物或其水解體進行縮聚的步驟。
[化2]
（R4 是自羥基、碳數1～12的烷基、碳數5～12的脂環式烷基、碳數1～12的烷氧基或碳數6～30的芳香族基中任意選擇。R5 是自氫原子或碳數1～12的烷基中任意選擇。R4 及R5 於存在多個的情況下，可分別相同亦可不同。M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子。m為表示金屬原子M的價數的整數，n為1～（m-1）的整數）。 [發明的效果]
本發明的聚金屬噁烷於溶液中以透明、均勻的狀態穩定地存在。另外，根據本發明的聚金屬噁烷，可提供具有高透明性與高折射率的固化膜。
（聚金屬噁烷） 本發明為一種具有下述通式（1）所表示的結構單元的聚金屬噁烷。
[化3]
R1 為有機基，R1 的至少一個為(R3 3 SiO-)基。R3 是自羥基、碳數1～12的烷基、碳數5～12的脂環式烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～30的芳香族基、具有矽氧烷鍵的基或具有金屬噁烷鍵的基中任意選擇。R2 是自氫原子、碳數1～12的烷基或具有金屬噁烷鍵的基中任意選擇。R1 、R2 及R3 於存在多個的情況下，可分別相同亦可不同。M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子。m為表示金屬原子M的價數的整數，a為1～（m-2）的整數。
作為R1 所表示的有機基，較佳為羥基、碳數1～12的烷基、碳數5～12的脂環式烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～30的芳香族基、(R3 3 SiO-)基、具有矽氧烷鍵的基或具有金屬噁烷鍵的基。
作為碳數1～12的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等。
作為碳數5～12的脂環式烷基，可列舉：環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基等。
作為碳數1～12的烷氧基，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬基、癸氧基等。
作為碳數6～30的芳香族基，可列舉：苯基、苯氧基、苄基、苯基乙基、萘基等。
所謂具有矽氧烷鍵的基，是指與其他的Si鍵結。所謂具有金屬噁烷鍵的基，是指與其他的M鍵結。
只要無特別說明，以下說明的通式（2）及通式（3）所表示的金屬化合物中該些說明亦共同。
本發明的聚金屬噁烷為具有通式（1）所表示的結構單元作為重複單元者。具有通式（1）所表示的結構單元的聚金屬噁烷藉由具有(R3 3 SiO-)基，與其他成分的相容性顯著提高。因此，該聚金屬噁烷於有機溶劑中穩定地存在。
另外，具有通式（1）所表示的結構單元的聚金屬噁烷具有(R3 3 SiO-)基，藉此於後述的形成固化膜的步驟中緩和加熱所引起的聚金屬噁烷的縮合應力。因此，藉由使用該聚金屬噁烷，可獲得不易產生龜裂的均質的固化膜。
作為(R3 3 SiO-)基，可列舉：三羥基矽烷氧基、三甲基矽烷氧基、三乙基矽烷氧基、三丙基矽烷氧基、三異丙基矽烷氧基、三丁基矽烷氧基、三異丁基矽烷氧基、三-第二丁基矽烷氧基、三-第三丁基矽烷氧基、三環己基矽烷氧基、三甲氧基矽烷氧基、三乙氧基矽烷氧基、三丙氧基矽烷氧基、三異丙氧基矽烷氧基、三丁氧基矽烷氧基、三苯基矽烷氧基、羥基二苯基矽烷氧基、甲基二苯基矽烷氧基、乙基二苯基矽烷氧基、丙基二苯基矽烷氧基、二羥基(苯基)矽烷氧基、二甲基(苯基)矽烷氧基、二乙基(苯基)矽烷氧基、二丙基(苯基)矽烷氧基、三萘基矽烷氧基、羥基二萘基矽烷氧基、甲基二萘基矽烷氧基、乙基二萘基矽烷氧基、丙基二萘基矽烷氧基、二羥基(萘基)矽烷氧基、二甲基(萘基)矽烷氧基、二乙基(萘基)矽烷氧基、二丙基(萘基)矽烷氧基等。
就聚金屬噁烷的耐熱性的觀點而言，R3 較佳為碳數1～4的烷基、或苯基。作為碳數1～4的烷基的具體例，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基。即，作為較佳的(R3 3 SiO-)基，可列舉：三甲基矽烷氧基、三乙基矽烷氧基、三丙基矽烷氧基、三異丙基矽烷氧基、三丁基矽烷氧基、三異丁基矽烷氧基、三-第二丁基矽烷氧基、三-第三丁基矽烷氧基、甲基二苯基矽烷氧基、乙基二苯基矽烷氧基、丙基二苯基矽烷氧基、二羥基(苯基)矽烷氧基、二甲基(苯基)矽烷氧基、二乙基(苯基)矽烷氧基、二丙基(苯基)矽烷氧基等。
另外，於以聚金屬噁烷的Si原子的莫耳數相對於M原子的莫耳數的比率來表示(R3 3 SiO-)基的含量的情況下，較佳為1莫耳%以上且250莫耳%以下，更佳為10莫耳%以上且200莫耳%以下。藉由將(R3 3 SiO-)基的含量設為所述範圍，該聚金屬噁烷進一步提高與其他成分的相容性。因此，該聚金屬噁烷於有機溶劑中特別穩定地存在。 聚金屬噁烷中的R1 的至少一個較佳為羥基。具有通式（1）所表示的結構單元的聚金屬噁烷藉由具有羥基，即便於長期保管時亦可製成黏度的上升小、保存穩定性優異的聚金屬噁烷。
藉由聚金屬噁烷具有通式（1）所表示的結構單元，可製成以於主鏈具有電子密度高的金屬原子的樹脂為主體的固化膜。因此，可提高固化膜中的金屬原子的密度，並可容易獲得高折射率。另外，藉由聚金屬噁烷具有通式（1）所表示的結構單元，而成為不具有自由電子的介電體，因此可獲得高透明性及耐熱性。
通式（1）中，M較佳為選自由Al、Ti、Zr及Sn所組成的群組中的金屬原子。藉由使用該些金屬原子，可製成具有高折射率的聚金屬噁烷。進而佳為Ti或Zr。
通式（1）中，m較佳為3以上且5以下。 關於聚金屬噁烷的重量平均分子量，下限較佳為500以上，更佳為1000以上，進而佳為10000以上。上限較佳為1000000以下，更佳為500000以下，進而佳為200000以下。藉由將重量平均分子量設為所述範圍，塗佈特性變得良好。另外，藉由重量平均分子量為下限值以上，後述的固化膜的物性提高，尤其可獲得抗龜裂性優異的固化膜。
本發明中的重量平均分子量是指利用凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）測定而得的聚苯乙烯換算值。
聚金屬噁烷的重量平均分子量例如是藉由以下方法而求出。使聚金屬噁烷以成為0.2 wt%的方式溶解於展開溶媒中而製成試樣溶液。繼而，將試樣溶液注入至填充有多孔質凝膠及展開溶媒的管柱中。利用示差折射率檢測器檢測管柱溶出物，並分析溶出時間，藉此求出重量平均分子量。再者，作為展開溶媒，可較佳地使用溶解了氯化鋰的N-甲基-2-吡咯啶酮。
（聚金屬噁烷的製造方法） 具有通式（1）所表示的結構單元的聚金屬噁烷的合成方法並無特別限制，較佳為包括對下述通式（2）所表示的化合物或其水解體進行縮聚的步驟。即，本發明的另一態樣為一種聚金屬噁烷的製造方法，其包括對下述通式（2）所表示的化合物或其水解體進行縮聚的步驟。
[化4]
R4 是自羥基、碳數1～12的烷基、碳數5～12的脂環式烷基、碳數1～12的烷氧基或碳數6～30的芳香族基中任意選擇。R5 是自氫原子或碳數1～12的烷基中任意選擇。R4 及R5 於存在多個的情況下，可分別相同亦可不同。M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子。m為表示金屬原子M的價數的整數，n為1～（m-1）的整數。
更具體而言，較佳為視需要對通式（2）所表示的化合物進行水解，其後進行部分縮合及聚合，藉此而合成。此處，所謂部分縮合，並非使水解物的M-OH全部縮合，而是指使所獲得的聚金屬噁烷中殘留一部分M-OH。若為後述的一般的縮合條件，則通常為殘留有一部分M-OH。所殘留的M-OH量並無限制。
通常而言，若於金屬醇鹽中添加水，則烷氧基的水解性高而生成分子中的全部烷氧基經水解的氫氧化金屬化合物。該氫氧化金屬化合物於溶液中凝聚而不溶於溶劑，因此產生析出。
另一方面，通式（2）所表示的化合物由於(R3 3 SiO-)所表示的矽烷氧基的水解性低，因此可藉由水的添加而選擇性地對烷氧基進行水解。所獲得的水解體由於矽烷氧基的立體阻礙而不會於溶液中凝聚，可獲得透明、均勻的溶液。因此，與現有技術相比，可提高水解率。因此，藉由對通式（2）所表示的化合物進行水解及縮聚，可獲得高分子量的聚金屬噁烷、尤其是重量平均分子量超過10000的聚金屬噁烷。
作為通式（2）所表示的化合物的具體例，例如於金屬原子M為Ti的情況下，n=1者可列舉： 三甲氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三甲基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三甲基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三乙基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三乙基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三丙基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三丙基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三異丙基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三丁基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三丁基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三異丁基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三環己基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三環己基矽烷氧基)鈦； 三甲氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三乙氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三丙氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三異丙氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三丁氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三異丁氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三-第二丁氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三-第三丁氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三環己氧基(三苯基矽烷氧基)鈦、三苯氧基(三苯基矽烷氧基)鈦等，n=2者可列舉： 二甲氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三乙基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三丙基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三丁基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三環己基矽烷氧基)鈦； 二甲氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二乙氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二丙氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二異丙氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二丁氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二異丁氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二環己氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦、二苯氧基雙(三苯基矽烷氧基)鈦等。
於金屬原子M為Zr的情況下，n=1者可列舉： 三甲氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三丁氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三甲基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三甲基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三丁氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三乙基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三乙基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三丁氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三丙基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三丙基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三丁氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三異丙基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三丁氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三丁基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三丁基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三丁氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三異丁基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三-正丁氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三-正丁氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三丁氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三環己基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三環己基矽烷氧基)鋯； 三甲氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三乙氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三丙氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三異丙氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三丁氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三異丁氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三-第二丁氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三-第三丁氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三環己氧基(三苯基矽烷氧基)鋯、三苯氧基(三苯基矽烷氧基)鋯等，n=2者可列舉： 二甲氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三乙基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三丙基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三異丙基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三丁基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三異丁基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二-正丁氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三環己基矽烷氧基)鋯； 二甲氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二乙氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二丙氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二異丙氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二丁氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二異丁氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二-第二丁氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二-第三丁氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二環己氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯、二苯氧基雙(三苯基矽烷氧基)鋯等。
具有通式（1）所表示的結構單元的聚金屬噁烷的合成方法中，尤佳為包括：視需要對通式（2）中R5 的至少一個為氫原子的化合物進行水解並加以縮聚的步驟。即，通式（2）所表示的化合物較佳為下述通式（3）所表示的化合物。
[化5]
R6 與通式（1）中的R4 相同，R7 為碳數1～12的烷基。m為表示金屬原子M的價數的整數，x為1～（m-1）的整數，y為1～（m-1）的整數，x+y≦m。
再者，較佳為y為2～（m-1）的整數。
通常而言，具有羥基的化合物因羥基的氫鍵而凝聚，變得不溶於有機溶劑，通式（3）所表示的金屬化合物具有矽烷氧基，藉此由於矽烷氧基的立體阻礙而不會於有機溶劑中凝聚，可提供透明、均勻的溶液。另外，羥基可產生脫水縮合，因此可藉由使通式（3）所表示的金屬化合物縮聚而獲得高分子量的聚金屬噁烷。另外，矽烷氧基的耐熱性高，因此可製成透明性優異的高分子量的聚金屬噁烷。
再者，於存在OR7 的情況下，較佳為於縮聚前進行該水解。通式（3）所表示的化合物的水解體與通式（2）所表示的化合物的情況相同，由於矽烷氧基的立體阻礙而不會於溶液中凝聚，可提供透明、均勻的溶液。因此，與現有技術相比，可提高水解率。
作為通式（3）所表示的金屬化合物，例如於金屬原子M為Ti的情況下，y=2者可列舉： 甲氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鈦； 甲氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、乙氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、丙氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、異丙氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、丁氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、異丁氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、第二丁氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、第三丁氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、環己氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦、苯氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鈦等， y=3者可列舉： 三羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、三羥基(三乙基矽烷氧基)鈦、三羥基(三丙基矽烷氧基)鈦、三羥基(三異丙基矽烷氧基)鈦、三羥基(三丁基矽烷氧基)鈦、三羥基(三異丁基矽烷氧基)鈦、三羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鈦、三羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鈦、三羥基(三環己基矽烷氧基)鈦、三羥基(三苯基矽烷氧基)鈦等。
於金屬原子M為Zr的情況下，y=2者可列舉： 甲氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三甲基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三乙基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三丙基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三丁基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三環己基矽烷氧基)鋯； 甲氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、乙氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、丙氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、異丙氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、丁氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、異丁氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、第二丁氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、第三丁氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、環己氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯、苯氧基二羥基(三苯基矽烷氧基)鋯等，y=3者可列舉： 三羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、三羥基(三乙基矽烷氧基)鋯、三羥基(三丙基矽烷氧基)鋯、三羥基(三異丙基矽烷氧基)鋯、三羥基(三丁基矽烷氧基)鋯、三羥基(三異丁基矽烷氧基)鋯、三羥基(三-第二丁氧基矽烷氧基)鋯、三羥基(三-第三丁氧基矽烷氧基)鋯、三羥基(三環己基矽烷氧基)鋯、三羥基(三苯基矽烷氧基)鋯等。
（通式（2）所表示的化合物的製造方法） 通式（2）所表示的化合物的製造方法並無特別限制，例如於R5 為碳數1～12的烷基的情況下，可以獲得n為1、2或3的化合物的方式使金屬醇鹽與下述通式（4）所表示的化合物以規定的莫耳比反應而獲得。
[化6]
通式（4）中，R8 與通式（2）中的R4 相同。
作為通式（4）所表示的化合物的具體例，可列舉：三甲基矽醇、三乙基矽醇、三丙基矽醇、三異丙基矽醇、三丁基矽醇、三異丁基矽醇、三-第二丁基矽醇、三-第三丁基矽醇、三戊基矽醇、三己基矽醇、三庚基矽醇、三辛基矽醇、三-2-乙基己基矽醇、三壬基矽醇、三癸基矽醇、三苯基矽醇、(苯基)(二甲基)矽醇、(苯基)(二乙基)矽醇、(二苯基)(甲基)矽醇、(二苯基)(乙基)矽醇、二苯基矽烷二醇、二萘基矽烷二醇、三苄基矽醇、三苯基乙基矽醇、(三甲基矽烷氧基)(二甲基)矽醇、(三甲基矽烷氧基)(二甲基)矽醇、(三乙基矽烷氧基)(二甲基)矽醇等。其中，尤佳為三甲基矽醇、三乙基矽醇。
作為金屬醇鹽，並特別限定，例如於金屬原子M為Ti的情況下，可列舉四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四丙氧基鈦、四異丙氧基鈦、四丁氧基鈦、四-第二丁氧基鈦、四異丁氧基鈦、四-第三丁氧基鈦、四戊氧基鈦、四己氧基鈦、四庚氧基鈦、四辛氧基鈦、四壬氧基鈦、四癸氧基鈦等，於金屬原子M為Zr的情況下，可列舉四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四丙氧基鋯、四異丙氧基鋯、四丁氧基鋯、四-第二丁氧基鋯、四異丁氧基鋯、四-第三丁氧基鋯、四戊氧基鋯、四己氧基鋯、四庚氧基鋯、四辛氧基鋯、四壬氧基鋯、四癸氧基鋯等，於金屬原子M為Al的情況下，可列舉三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三丙氧基鋁、三異丙氧基鋁、三丁氧基鋁、三-第二丁氧基鋁、第二丁氧基(二異丙氧基)鋁、三異丁氧基鋁、三-第三丁氧基鋁、三戊氧基鋁、三己氧基鋁、三庚氧基鋁、三辛氧基鋁、三壬氧基鋁、三癸氧基鋁等。
於通式（2）所表示的化合物為通式（3）所表示的化合物的情況下，例如可藉由對利用所述方法獲得的通式（2）所表示的金屬醇鹽進行水解而獲得。水解可使用一般的方法。例如可列舉如下方法等：於通式（2）所表示的金屬醇鹽中添加溶劑、水，視需要添加觸媒，並於-20℃～60℃下攪拌0.1小時～100小時左右。可視需要藉由減壓蒸餾來去除水解副產物（甲醇等醇）。
作為所述反應溶劑，並無特別限定，可較佳地使用具有醇性羥基的化合物或酯類、醚類、酮類。作為醇系溶劑的具體例，可列舉：甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、異丁醇、第三丁醇、丙酮醇、3-羥基-3-甲基-2-丁酮、5-羥基-2-戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮(二丙酮醇)、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單-第三丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二丙二醇單甲醚、3-甲氧基-1-丁醇、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇、乙二醇、丙二醇等。
作為酯類，可列舉：乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸異丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧基-1-丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基-1-丁基乙酸酯、乙醯乙酸乙酯、環己醇乙酸酯等。
作為醚類，可列舉：二乙醚、二異丙醚、二丁醚、二苯醚、二乙二醇乙基甲醚、二乙二醇二甲醚、1,2-二乙氧基乙烷、二丙二醇二甲醚等。
作為酮類溶劑的具體例，可列舉：甲基異丁基酮、二異丙基酮、二異丁基酮、乙醯丙酮、環戊酮、環己酮、環庚酮等。
作為其他的可較佳使用的溶劑，可列舉：碳酸伸丙酯、N-甲基吡咯啶酮等。
另外，藉由調整水解反應中使用的水的添加量，可調整通式（3）所表示的金屬化合物的羥基量。例如，於y=1、即具有一個羥基的金屬化合物的情況下，可藉由相對於金屬醇鹽1莫耳而添加1莫耳的水來獲得。另外，可藉由相對於作為水解性基的烷氧基1莫耳而添加1莫耳的水來獲得烷氧基全部經水解的金屬化合物。水的添加量較佳為相對於烷氧基而為0.1莫耳～2莫耳。
視需要而添加的觸媒並無特別限制，可較佳地使用酸性觸媒或鹼性觸媒。作為酸觸媒的具體例，可列舉：鹽酸、硝酸、硫酸、氟酸、磷酸、乙酸、三氟乙酸、甲酸、多元羧酸或其酸酐、離子交換樹脂。作為鹼觸媒的具體例，可列舉：三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三庚基胺、三辛基胺、二乙基胺、二丙基胺、二丁基胺、二異丁基胺、二戊基胺、二己基胺、二庚基胺、二辛基胺、三乙醇胺、二乙醇胺、二環己基胺、二環己基甲基胺、氫氧化鈉、氫氧化鉀、具有胺基的烷氧基矽烷、離子交換樹脂。觸媒的添加量較佳為相對於通式（2）所表示的含矽烷氧基的化合物100重量份而為0.01重量份～30重量份。
（聚金屬噁烷的製造方法） 通式（2）所表示的化合物的水解以及部分縮合及聚合可使用一般的方法。例如，水解的反應條件較佳為於溶媒中花1分鐘～180分鐘將水添加至通式（2）所表示的化合物中，然後於室溫～110℃下反應1分鐘～180分鐘。藉由於此種條件下進行水解反應，可抑制急劇反應。反應溫度較佳為30℃～150℃。另外，可視需要添加觸媒。
另外，作為部分縮合及聚合的反應條件，較佳為於藉由通式（2）所表示的化合物的水解反應而獲得水解體後，將反應液直接於50℃～180℃下加熱1小時～100小時。另外，為了提高聚金屬噁烷的聚合度，亦可再加熱或添加觸媒。另外，亦可視需要於水解反應後，藉由加熱及/或減壓將所生成的醇等適量蒸餾出並去除，其後添加任意溶媒。
作為溶媒，並無特別限定，可較佳地使用具有醇性羥基的化合物或酯類、醚類、酮類。若使用該些溶媒，則可提高聚金屬噁烷的穩定性，並提高所獲得的塗佈膜的透明性。
作為醇系溶媒的具體例，可列舉：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第三丁醇、丙酮醇、3-羥基-3-甲基-2-丁酮、5-羥基-2-戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮(二丙酮醇)、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單正丙醚、丙二醇單正丁醚、丙二醇單第三丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二丙二醇單甲醚、3-甲氧基-1-丁醇、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇、乙二醇、丙二醇等。
作為酯類，可列舉：乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧基-1-丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基-1-丁基乙酸酯、乙醯乙酸乙酯、環己醇乙酸酯等。
作為醚類，可列舉：二乙醚、二異丙醚、二正丁醚、二苯醚、二乙二醇乙基甲醚、二乙二醇二甲醚、1,2-二甲氧基乙烷、1,2-二乙氧基乙烷、二丙二醇二甲醚等。
作為酮類溶媒的具體例，可列舉：甲基異丁基酮、二異丙基酮、二異丁基酮、乙醯丙酮、環戊酮、環己酮、環庚酮等。
作為其他的可較佳使用的溶劑，可列舉：碳酸伸丙酯、N-甲基吡咯啶酮等。
另外，藉由調整水解反應中使用的水的添加量，可調整通式（2）所表示的化合物的水解率。水的添加量較佳為相對於烷氧基1莫耳而為0.1莫耳～2莫耳。。
視需要而添加的觸媒並無特別限制，可較佳地使用酸性觸媒或鹼性觸媒。作為酸觸媒的具體例，可列舉：鹽酸、硝酸、硫酸、氟酸、磷酸、乙酸、三氟乙酸、甲酸、多元羧酸或其酸酐、離子交換樹脂。作為鹼觸媒的具體例，可列舉：三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三庚基胺、三辛基胺、二乙基胺、二丙基胺、二丁基胺、二異丁基胺、二戊基胺、二己基胺、二庚基胺、二辛基胺、三乙醇胺、二乙醇胺、二環己基胺、二環己基甲基胺、氫氧化鈉、氫氧化鉀、具有胺基的烷氧基矽烷、離子交換樹脂。
更佳的觸媒為鹼觸媒。藉由使用鹼觸媒，尤其可獲得高分子量的聚金屬噁烷。鹼觸媒中尤佳為三丙基胺、三異丁基胺、三戊基胺、三異戊基胺、三己基胺、三庚基胺、三辛基胺、二丁基胺、二異丁基胺、二戊基胺、二己基胺、二庚基胺、二辛基胺。
另外，就組成物的貯存穩定性的觀點而言，較佳為水解、部分縮合及聚合後的聚金屬噁烷溶液中不包含所述溶媒，可視需要進行溶媒的去除。去除方法並無特別限制，就操作的簡便性及去除性的方面而言，較佳為水清洗及/或離子交換樹脂的處理。所謂水清洗是利用適當的疏水性溶劑對聚金屬噁烷溶液進行稀釋後，利用水進行多次清洗，並利用蒸發器等對所獲得的有機層進行濃縮的方法。所謂利用離子交換樹脂的處理是使聚金屬噁烷溶液與適當的離子交換樹脂接觸的方法。
（聚金屬噁烷的組成物） 本發明的聚金屬噁烷可與溶劑或其他必要的成分混合而製成組成物。
本發明的聚金屬噁烷較佳為利用溶劑稀釋並調整固體成分濃度。溶劑並無特別限制，較佳為使用與聚金屬噁烷的合成中使用的溶劑相同的溶劑。含有聚金屬噁烷的溶液的固體成分濃度較佳為設為0.1 wt%～50 wt%，藉由將固體成分濃度設為該範圍，塗佈膜的膜厚控制變得良好。
於聚金屬噁烷溶液的固體成分調整時，可添加其他成分。作為其他成分，可列舉：無機粒子或界面活性劑、矽烷偶合劑、交聯劑、交聯促進劑等。
無機粒子較佳為為了提高固化膜的折射率而使用。無機粒子較佳為（b1）選自鋁化合物粒子、錫化合物粒子、鈦化合物粒子及鋯化合物粒子的一種以上的粒子、或者（b2）選自鋁化合物、錫化合物、鈦化合物及鋯化合物的一種以上的金屬化合物與矽化合物的複合粒子。以下，將該些粒子統稱為「金屬化合物粒子」。藉由添加該些粒子，可進一步提高折射率。
金屬化合物粒子的平均粒徑較佳為1 nm～400 nm。藉由為1 nm以上，可進一步抑制厚膜形成時的龜裂產生，更佳為5 nm以上。另外，藉由為400 nm以下，可不使固化膜相對於可見光的透明性下降而提高折射率，更佳為70 nm以下。
作為金屬化合物粒子的例子，可列舉：氧化錫-氧化鈦複合粒子的「奧普拓萊克（Optolake）TR-502」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-504」、氧化矽-氧化鈦複合粒子的「奧普拓萊克（Optolake）TR-503」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-513」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-520」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-527」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-528」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-529」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-543」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-544」、「奧普拓萊克（Optolake）TR-550」、氧化鈦粒子的「奧普拓萊克（Optolake）TR-505」（以上，商品名，觸媒化成工業（股）製造）、NOD-7771GTB（商品名，長瀨化學（Nagase chemteX）（股）製造）、氧化鋯粒子（高純度化學研究所（股）製造）、氧化錫-氧化鋯複合粒子（觸媒化成工業（股）製造）、氧化錫粒子（高純度化學研究所（股）製造）、「貝萊爾（Biral）」Zr-C20（氧化鈦粒子；平均粒徑=20 nm；多木化學（股）製造）、ZSL-10A（氧化鈦粒子；平均粒徑=60 nm-100 nm；第一稀元素股份有限公司製造）、納恩優斯（NanoUse）OZ-30M（氧化鈦粒子；平均粒徑=7 nm；日產化學工業（股）製造）、SZR-M或SZR-K（以上為氧化鋯粒子；均為堺化學（股）製造）、HXU-120JC（氧化鋯粒子；住友大阪水泥（股）製造）、ZR-010（氧化鋯粒子；索拉（solar）股份有限公司）或紮普瑪（ZRPMA）（氧化鋯粒子；C.I.化成股份有限公司）。
界面活性劑較佳為為了提高塗佈時的流動性而使用。界面活性劑亦可殘留於固化膜。
界面活性劑的種類並無特別限制，例如可使用「美佳法（Megafac）（註冊商標）」F142D、「美佳法（Megafac）」F172、「美佳法（Megafac）」F173、「美佳法（Megafac）」F183、「美佳法（Megafac）」F444、「美佳法（Megafac）」F445、「美佳法（Megafac）」F470、「美佳法（Megafac）」F475、「美佳法（Megafac）」F477（以上，DIC（股）製造）、NBX-15、FTX-218、DFX-18（奈奧斯（NEOS）（股）製造）等氟系界面活性劑、畢克（BYK）-333、畢克（BYK）-301、畢克（BYK）-331、畢克（BYK）-345、畢克（BYK）-307（日本畢克化學（BYK-Chemie Japan）（股）製造）等矽酮系界面活性劑、聚環氧烷系界面活性劑、聚(甲基)丙烯酸酯系界面活性劑等。亦可將該些界面活性劑使用兩種以上。
相對於聚金屬噁烷100重量份，界面活性劑的添加含量較佳為0.001重量份～10重量份，進而佳為0.01重量份～1重量份。
矽烷偶合劑較佳為為了提高與基板的密接性而使用。矽烷偶合劑並無特別限制，例如可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、三甲基矽醇、二苯基矽烷二醇等。
相對於聚金屬噁烷100重量份，矽烷偶合劑的添加量較佳為0.1重量份～50重量份，進而佳為1重量份～20重量份。
交聯劑及交聯促進劑較佳為為了提高固化膜的耐化學品性而使用。交聯劑及交聯促進劑的種類並無特別限制，例如可使用單-第二丁氧基二異丙醇鋁、第二丁酸鋁、乙醯乙酸乙酯二異丙醇鋁、三(乙酸乙酯)鋁、烷基乙醯二異丙醇鋁、單乙醯基丙酮酸雙(乙醯乙酸乙酯)鋁、三(乙醯基丙酮酸)鋁、三(乙醯基乙酸酯)鋯、三(乙醯乙酸乙酯)鋯、三(乙醯基乙酸酯)鈦、三(乙醯乙酸乙酯)鈦等。
相對於聚金屬噁烷100重量份，交聯劑及交聯促進劑的含量以合計量計較佳為0.1重量份～50重量份，進而佳為1重量份～20重量份。交聯劑及交聯促進劑可分別單獨使用，亦可將兩者組合使用。
基板並無特別限制，可列舉：矽晶圓或藍寶石晶圓、玻璃、光學膜。作為玻璃，例如可列舉：鹼玻璃、無鹼玻璃、熱強化玻璃或化學強化玻璃。作為光學膜，可列舉包含丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸、聚丙烯、聚乙烯、聚醯亞胺或環烯烴聚合物的膜。
（形成固化膜的步驟） 本發明的聚金屬噁烷或包含其的組成物可藉由進行加熱而製成固化膜。以所述方式獲得的固化膜成為以於主鏈具有電子密度高的金屬原子的樹脂為主體的固化膜，因此可提高固化膜中的金屬原子的密度，並可容易獲得高折射率。另外，由於成為不具有自由電子的介電體，因此可獲得高透明性及耐熱性。
含有聚金屬噁烷的溶液的塗佈方法可使用公知的方法。作為塗佈中使用的裝置，可列舉：旋轉塗佈、浸漬塗佈、簾幕流動塗佈、噴霧塗佈或狹縫塗佈等整面塗佈裝置或網版印刷、輥塗佈、微凹版塗佈或噴墨等印刷裝置。
於塗佈後，若需要則可使用加熱板、烘箱等加熱裝置來進行加熱（預烘烤）。預烘烤較佳為於50℃～150℃的溫度範圍內進行30秒～30分鐘而製成預烘烤膜。藉由進行預烘烤，可製成膜厚均勻性良好者。預烘烤後的膜厚較佳為0.1 μm～15 μm。
可藉由使用加熱板或烘箱等加熱裝置，於150℃～450℃的溫度範圍內對塗佈膜或預烘烤膜進行30秒～2小時左右的加熱（固化（cure）），而獲得含有聚金屬噁烷的固化膜。該固化膜的膜厚較佳為0.1 μm～15 μm。
所獲得的固化膜較佳為波長550 nm下的折射率為1.58以上且2.20以下，更佳為1.65以上且2.10以下。
固化膜的折射率可利用以下方法來測定。使用分光橢圓偏光儀（Ellipsometer），測定來自固化膜及基板的反射光的偏光狀態變化，而獲得與入射光的相位差及振幅反射率的光譜。為了接近所獲得的光譜，而藉由擬合計算模型的介電函數來獲得折射率光譜。藉由自所獲得的折射率光譜讀取550 nm下的折射率值而獲得固化膜的折射率。
所獲得的固化膜較佳為波長400 nm下的每1 μm膜厚的透光率為90%以上。若為於透明基板上所製作者，則透光率可利用以下方法測定。首先，使用分光光度計，測定基板的紫外可見吸收光譜，並將其設為參考。繼而，測定透明基板上所製作的固化膜的紫外可見吸收光譜，藉由與參考的差異而算出固化膜的紫外可見吸收光譜。使用所獲得的紫外可見吸收光譜與固化膜的膜厚，算出微透鏡的波長400 nm下的每1 μm膜厚的透光率。
矽晶圓等不透明基板上所形成的固化膜的透光率可利用以下方法測定。使用分光橢圓偏光儀，測定來自固化膜及基板的反射光的偏光狀態變化，而獲得與入射光的相位差及振幅反射率的光譜。為了接近所獲得的光譜，而藉由擬合計算模型的介電函數來獲得衰減係數光譜。自所獲得的衰減係數光譜讀取波長400 nm下的衰減係數，並使用下述式，藉此求出波長400 nm下的以膜厚1 μm換算計的透光率（%）。 透光率=exp（-4πkt/λ） 其中，k表示衰減係數，t表示換算膜厚（μm），λ表示測定波長（nm）。再者，該測定中，為了求出1 μm換算的透光率，而將t設為1（μm）。
（用途） 所述固化膜由於折射率、透明性優異，因此可較佳地用於固體攝像元件、光學濾光片、顯示器等電子零件。更具體而言，可列舉：背面照射型互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）影像感測器等固體攝像元件等中所形成的聚光用微透鏡或光波導、作為光學濾光片而設置的抗反射膜、顯示器用薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）基板的平坦化材、液晶顯示器等的彩色濾光片及其保護膜、移相器等。
該些中，就可兼具高透明性與高折射率的方面而言，可尤佳地用作固體攝像元件上所形成的聚光用微透鏡、或者連接聚光用微透鏡與光感測器的一部分的光波導。另外，亦可用作半導體裝置的緩衝塗佈、層間絕緣膜或各種保護膜。
（觸控感測器用途） 由本發明的聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜就可兼具高透明性與高折射率的方面而言，可較佳地用於智慧型手機或輸入板終端中所使用的觸控感測器部件。更具體而言，可列舉感測器形成中所使用的透明導電膜的上部或下部所形成的絕緣層薄膜。
作為觸控感測器及使用其的顯示器的課題之一，可列舉氧化銦錫（Indium Tin Oxide）（以下簡稱為「ITO」）等透明導電膜圖案的視認所引起的終端的外觀惡化。作為抑制透明電極圖案的視認性的代表技術，開發出藉由於透明電極的上部或下部形成絕緣層薄膜而減少界面反射，從而抑制透明電極圖案的視認性的技術（例如，日本專利特開平1-205122號公報、日本專利特開平6-033000號公報、日本專利特開平8-240800號公報）。該絕緣層薄膜中，就透明電極圖案的折射率高的方面而言，要求高折射率與透明性。
作為降低透明電極圖案的視認性的技術，開發出將Nb2 O3 與SiO2 的薄膜以底塗層或頂塗層的形式設置的技術（例如，日本專利特開2010-152809號公報、日本專利特開2010-086684號公報）。進而以低成本、節省製程的目的而開發出形成折射率1.58～1.85的有機系薄膜與氧化矽薄膜的技術（例如，WO2014/119372號）。該技術是使用含有單體的折射率高的氧化鈦粒子、鈦酸鋇粒子等鈦氧化物微粒子或氧化鋯粒子等鋯氧化物粒子的有機組成物來將折射率控制為所需範圍的技術。或者為將折射率高的取代基導入至有機成分中，並將折射率控制為所需範圍的技術。
然而，於利用現有的金屬氧化物粒子進行折射率控制的情況下，存在如下問題：金屬氧化物粒子價格高，而且藉由增大金屬氧化物粒子的含有比例而變得分散不良，從而粒子發生沈澱。另外，於利用折射率高的取代基進行的折射率控制中，可使折射率變化的範圍受到限制，難以達成超過1.8般的高折射率。
因此，藉由使用由本發明的聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜，可簡便地控制折射率，因此可容易且以低成本提供大幅降低了透明導電膜圖案的視認性的基板。
具體而言，藉由觸控感測器具有如下部件，可減弱下層所形成的透明導電薄膜（I）的上部界面及下部界面的反射光，並可降低透明導電薄膜的圖案視認性，所述部件具有自透明基底基材的上表面起以透明導電薄膜（I）、由本發明的聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜（II）的順序積層有薄膜的部位。並且，透明導電膜經薄膜保護，因此可提高觸控感測器的耐久性。
對具有以透明導電薄膜（I）、由本發明的聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜（II）的順序積層有薄膜的部位的部件進行詳細說明。
作為透明基底基材的素材，只要具有透過光的功能，則並無特別限制，較佳為每0.1 mm厚度的總光線透過率（依照日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K 7361-1：1997）為80%以上者，例如可列舉玻璃、光學膜。就耐熱性、耐化學品性的觀點而言，更佳為玻璃。作為玻璃，例如可列舉：鹼玻璃、無鹼玻璃、熱強化玻璃或化學強化玻璃，較佳為作為觸控面板的蓋玻璃而廣泛使用的熱強化玻璃或化學強化玻璃。作為光學膜，可列舉：丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸、聚丙烯、聚乙烯、聚醯亞胺或環烯烴聚合物。其中，就透明性的觀點而言，較佳為丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯或環烯烴聚合物。作為丙烯酸樹脂，較佳為聚甲基丙烯酸甲酯。作為聚酯樹脂，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯。作為聚碳酸酯，較佳為藉由雙酚A與碳醯氯的縮聚而獲得的樹脂。作為聚醯亞胺，就透明性的觀點而言，較佳為將脂肪族羧酸二酐及/或脂肪族二胺作為單體的樹脂。作為環烯烴聚合物，例如較佳為使環己烯或降冰片烯或該些的衍生物加成聚合或開環移位聚合而獲得者。
作為透明導電薄膜（I），ITO薄膜為最普遍。本申請案中，以ITO薄膜為例進行列舉並加以說明，但並不限定於此。作為透明導電薄膜的形成方法，就可容易獲得低電阻的薄膜，可進行精密的膜厚控制的方面而言，較佳為濺鍍法。透明導電薄膜（I）的膜厚較佳為1 nm～200 nm。
積層於透明導電薄膜（I）的上表面的、由本發明的聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜（II）的膜厚及折射率分別較佳為0.01 μm～3 μm及1.58～1.95。藉由設為該範圍，可控制包含所述組成物的薄膜（II）的上部界面及下部界面的反射光的相位及強度，如上所述般可減弱透明導電薄膜（I）的上部界面及下部界面的反射光，並減少透明導電薄膜的圖案視認性。藉由將包含所述組成物的薄膜（II）的膜厚設為該範圍，可控制相位，使圖案視認性的降低效果充分。藉由將包含所述組成物的薄膜（II）的折射率設為該範圍，可控制反射光的強度，使圖案視認性的減少效果充分。作為膜厚及折射率的範圍，進而佳為膜厚及折射率分別為0.1 μm～2.5 μm及1.65～1.95，尤佳為0.15 μm～2 μm及1.80～1.95。
進而，較佳為具有於由本發明的聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜（II）的上表面積層有氧化矽薄膜（III）及/或折射率為1.46～1.53的透明黏著薄膜（IV）的部位。
藉由具有氧化矽薄膜（III），可控制下部界面的反射光（即，由所述聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜（II）的上部界面的反射光）的強度。另外，可同時保護包含透明導電薄膜（I）的基底金屬，因此於觸控感測器用途中，可提高觸控感測器的可靠性。
氧化矽薄膜（III）的膜厚較佳為0.01 μm～10 μm。若低於0.01 μm，則上部界面的反射光產生影響，因此難以獲得圖案視認性的降低效果，進而無法獲得保護基底金屬的功能。若超過10 μm，則因輕微的應變而容易產生龜裂，從而損及觸控面板的可靠性及外觀。
作為氧化矽薄膜（III）的形成方法，例如可列舉：濺鍍法、真空蒸鍍法（電子束法）、離子鍍法（（Ion Plating，IP）法）或CVD（Chemical Vapor Deposition）法等乾式製程法或旋塗玻璃（Spin on Glass，SOG）等濕式製程法。其中，CVD法可於較低溫度下形成缺陷少的薄膜，因此較佳。
所謂透明黏著薄膜（IV），是指藉由透明黏著劑而形成的薄膜。此處，所謂透明黏著劑，是指透過光且具有黏著性的素材。
就黏著性與透明性的觀點而言，透明黏著薄膜（IV）的膜厚較佳為1 μm～200 μm。
透明黏著劑的黏著力較佳為3～100 N/20 mm。另外，就觸控感測器的外觀的觀點而言，透明黏著劑的透過率較佳為以總光線透過率（JIS K 7361-1：1997）計為90%以上。
作為透明黏著劑，例如可列舉熱固化型黏著劑或紫外線（ultraviolet，UV）固化型黏著劑。作為折射率為1.46～1.52的熱固化型透明黏著劑，例如可列舉以碳數1～20的(甲基)丙烯酸烷酯、含有羥基的(甲基)丙烯酸酯及/或含有羧基的(甲基)丙烯酸衍生物為構成單體的共聚物、或者含有多官能異氰酸酯化合物及/或多官能環氧化合物的熱固化型黏著劑。作為折射率為1.46～1.52的UV固化型透明黏著劑，例如可列舉以單官能或多官能的(甲基)丙烯酸酯單體及/或寡聚物與光聚合起始劑為主成分的UV固化型黏著劑。
作為此種透明黏著劑，可使用為了貼合各種基板彼此而使用的光學透明膠（Optical Clear Adhesive，OCA）材料（熱固化型黏著劑的通稱）或光學透明膠樹脂（Optical Clear Adhesive Resin，OCR）材料（UV固化型黏著劑的通稱）。另外，作為由所述般的透明黏著劑而形成的透明黏著薄膜（IV），可使用防飛散膜等市售的多功能膜所具備的黏著劑。
作為可形成透明黏著薄膜（IV）的市售的OCA材料，例如可列舉：8171CL、8172CL、8146-1或8146-2（均為住友3M（股）製造）、CS9622T、CS9621T或CS9070（均為日東電工（股）製造）、TE-9000、TE-7000、TE-8500或DA-5000H（以上為日立化成（股）製造）或者MO-3010或MO-T010（均為琳得科（Lintec）（股）製造）。作為可形成透明黏著薄膜（IV）的市售的OCR材料，例如可列舉：XV-SV-B1或XV-7811（均為松下（Panasonic）（股）製造）或UVP-1003、UVP-1100、UVP-7100或UVP-7000（均為東亞合成（股）製造）。作為可製成透明黏著薄膜（IV）的市售的帶透明黏著劑的多功能膜，例如可列舉作為防飛散膜而廣泛使用的HA-110、HA-115、HA-116或HA-203（均為琳得科（Lintec）（股）製造）或HC1100F-BP或HC2120F-BP（均為DIC（股）製造）。
具有以透明導電薄膜（I）、由本發明的聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜（II）的順序積層有薄膜的部位的部件可較佳地用於顯示器用途。例如，可列舉電阻膜式觸控面板、靜電電容式觸控面板、TFT基板，較佳為用於靜電電容式觸控面板，更佳為用於蓋玻璃一體型靜電電容式觸控面板。
（透鏡用途） 由本發明的聚金屬噁烷而獲得的固化膜由於折射率、透明性優異，因此可較佳地用於透鏡。更具體而言，可較佳地用於背面照射型CMOS影像感測器等固體攝像元件等中所形成的聚光用微透鏡。
固體攝像元件具備於半導體基板上排列為矩陣狀的多個光電轉換元件。於各光電轉換元件的前方按光電轉換元件排列有將入射光聚光至光電轉換元件的微透鏡。就聚光效率的觀點而言，對微透鏡要求高折射率與透明性。
作為此種微透鏡的製造方法，有利用乾式蝕刻的方法。該方法為如下所述的方法。所述方法是如下方法：於基板上形成透鏡材料的固化膜；其次，以與微透鏡相同的形狀於固化膜上形成光阻劑圖案；而且，同時對光阻劑與固化膜進行乾式蝕刻，將光阻劑圖案轉印至固化膜，而獲得微透鏡。
由本發明的聚金屬噁烷而獲得的固化膜成為不具有自由電子的介電體，因此可獲得高透明性及耐熱性。另外，可製成以樹脂成分為主體的固化膜，可使乾式蝕刻時的固化膜與蝕刻氣體的反應性於膜整體中大致均勻。因此，乾式蝕刻速度不會於局部產生差異，可獲得無表面粗化的平滑的微透鏡。
包含聚金屬噁烷的固化膜的透鏡的製造方法並無特別限制，較佳為包括：於基板上形成含有本發明的聚金屬噁烷的固化膜的步驟；於固化膜上形成光阻劑圖案的步驟；對光阻劑圖案及固化膜進行乾式蝕刻的步驟。對各步驟進行詳細說明。
所述基板並無特別限制，可列舉：矽晶圓或藍寶石晶圓、玻璃、光學膜。作為玻璃，例如可列舉：鹼玻璃、無鹼玻璃、熱強化玻璃或化學強化玻璃。作為光學膜，可列舉包含丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸、聚丙烯、聚乙烯、聚醯亞胺或環烯烴聚合物的膜。
作為於基板上形成含有聚金屬噁烷的固化膜的方法，較佳為塗佈含有聚金屬噁烷的溶液並進行加熱，藉此製成固化膜的方法。
光阻劑圖案可藉由於所述含有聚金屬噁烷的固化膜上形成光阻劑層，利用光微影術對該光阻劑層進行圖案化而獲得。
光阻劑層可藉由塗佈市售的光阻劑而獲得。塗佈方法可使用公知的方法。作為塗佈中使用的裝置，可列舉：旋轉塗佈、浸漬塗佈、簾幕流動塗佈、噴霧塗佈或狹縫塗佈等整面塗佈裝置或網版印刷、輥塗佈、微凹版塗佈或噴墨等印刷裝置。
於塗佈後，若需要則可使用加熱板、烘箱等加熱裝置來進行加熱（預烘烤）。預烘烤較佳為於50℃～150℃的溫度範圍內進行30秒～30分鐘而製成預烘烤膜。藉由進行預烘烤，可製成膜厚均勻性良好者。預烘烤後的膜厚較佳為0.1 μm～15 μm。
光阻劑層的利用光微影術的圖案化方法並無特別限制，較佳為：使用步進機（stepper）、鏡像投影遮罩對準曝光機（Mirror Projection Mask Aligner，MPA）、平行光遮罩對準曝光機（Parallel Light Mask Aligner，PLA）等紫外可見曝光機，介隔所需遮罩進行圖案曝光，繼而，使用公知的光阻劑用顯影液進行顯影，藉此獲得圖案。
此處，作為進行圖案曝光時使用的遮罩，可較佳地使用以獲得0.1 μm～10 μm的圓點狀或方形狀的光阻劑圖案的方式設計的遮罩。光阻劑圖案亦可視需要進行熱熔融。藉由進行熱熔融，可將光阻劑圖案製成凸面狀。作為熱熔融的條件，並無特別限定，較佳為使用加熱板或烘箱等加熱裝置並於50℃～300℃的溫度範圍內加熱30秒～2小時左右。
可藉由對光阻劑圖案、及含有聚金屬噁烷的固化膜進行整面乾式蝕刻而獲得微透鏡。乾式蝕刻較佳為使用反應性離子蝕刻裝置（RiE裝置），將製程氣體設為CHF3 （三氟化甲烷）、CF4 （四氟化甲烷）、氧或該些的混合氣體。藉由進行此種乾式蝕刻，可同時對所述光阻劑圖案及所述含有聚金屬噁烷的固化膜進行蝕刻，因此可將所述含有聚金屬噁烷的固化膜加工成微透鏡形狀。
於在乾式蝕刻後產生光阻劑圖案的乾式蝕刻殘渣的情況下，可視需要進行光阻劑的去除。去除方法並無特別限制，可列舉製程氣體使用氧的灰化、或者浸漬於市售的抗蝕劑剝離液的方法。
（有機電致發光（Electroluminescence，EL）用途） 由本發明的聚金屬噁烷而獲得的固化膜可較佳地用作有機EL元件、有機EL照明用途。更具體而言，可列舉有機EL元件或有機EL照明中所使用的透明導電膜的上部或下部所形成的絕緣層薄膜。
目前，有機EL為面發光的新穎光源，期待對下一代顯示器或照明的應用。有機EL是於電極間具有發光層、控制載子的注入性或輸送性的層等有機層的結構。有機EL存在如下問題：光取出效率、即所產生的光取出至元件的外部的效率低。即，存在如下課題：由於有機層的折射率及透明電極的折射率大，因此於朝折射率低的基板（n～1.5）或空氣（n～1.0）傳播時，大部分的光於界面產生全反射，取出效率下降。
因此，藉由將由本發明的聚金屬噁烷而獲得的固化膜設置於透明電極的上部或下部，可控制固化膜的上部界面及株界面的反射光的相位及強度，可抑制透明電極的上部界面或下部界面的反射，而大幅度改善光取出效率。
（建材用途） 本發明的金屬噁烷可藉由塗佈、固化而製成金屬氧化膜，因此可用於建材。更具體而言，可列舉阻燃材、親水性賦予材。作為阻燃劑，本發明的聚金屬噁烷為不燃層，因此可利用燃燒的阻斷效果而賦予阻燃性。另外，藉由於建材表面塗佈本發明的聚金屬噁烷，可形成親水性高的膜，因此可期待防污效果。
（放射性核種發生器用途） 本發明的聚金屬噁烷可用於放射性核種發生器用途。具體而言為具備填充有本發明的聚金屬噁烷的管柱的放射性核種發生器。
目前，醫療領域中，放射性核種作為放射性診斷藥及放射性治療藥而使用。尤其，作為放射性診斷藥，使用最多的是作為放射性核種的99m Tc（鍀-99 m、半衰期6.01小時）。
99m Tc是藉由作為母核種的99 Mo（鉬-99、半衰期65.9小時）的β衰變而製造。即，將包含藉由核分裂法或放射化法所生成的99 Mo的MoO3 顆粒製成鉬酸鈉水溶液，將該水溶液通過填充有吸附材的管柱，藉此由吸附材捕捉Mo。所捕捉的Mo中，僅98 Mo產生β衰變而成為98m Tc。藉由於該狀態下於管柱中通過水，可選擇性地取出98m Tc。
99 Mo的製造方法中的核分裂法是如下方法：藉由對濃縮鈾中的235 U（鈾-235）照射中子而產生核分裂反應，經過複雜的步驟而取出99 Mo。但是，該方法中，存在產生大量的放射性廢棄物的缺點。另一方面，放射化法是對天然存在的98 Mo（鉬-98）照射中子而製造99 Mo的方法。該放射化法有不產生放射性廢棄物的優點，但存在所生成的99 Mo的放射性比度低的課題。因此，對吸附能力高的吸附材及管柱有要求。
作為吸附性能高的吸附材，開發出無機高分子氯化鋯化合物。然而，該化合物中，於管柱中通過鉬酸鈉水溶液時，化合物末端的氯基產生水解，並產生氯化氫。由於該氯化氫為腐蝕性氣體，因此於安全性存在課題。因此，要求不產生氯化氫的、吸附性能高的吸附材。
本發明的聚金屬噁烷於末端具有(R3 3 SiO-)基及/或羥基，因此其成為Mo的吸附部位。因此，與所述無機高分子鋯氯化鋯同樣地，具有高吸附性能，但不產生氯化氫等腐蝕性氣體，因此可較佳地用作高吸附性能與安全性高的吸附材。
藉由使用填充有本發明的聚金屬噁烷的管柱作為放射性核種發生器，並利用高吸附能力，可效率良好地製造98m Tc，因此可使裝置小型輕量化。 [實施例]
以下，列舉合成例、實施例，對本發明進行更具體的說明，但本發明並不限定於該些實施例。
各合成例中，利用傅里葉變換型紅外分光（Fourier transform infrared spectroscopy）（以下，簡稱為FT-IR）的分析是藉由以下方法進行。首先，使用傅里葉變換型紅外分光計（島津製作所製造的FT720），測定重疊有兩塊矽晶圓者，將其作為基準。繼而，於矽晶圓上滴下1滴金屬化合物或其溶液，利用另一矽晶圓而將其夾持，藉此將其作為測定試樣。根據測定試樣的吸光度與基準的吸光度的差，算出化合物或其溶液的吸光度，讀取吸收峰值。
（合成例1）鈦化合物（T1）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入34.0 g（0.1 mol）的四丁氧基鈦，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加9.0 g（0.1 mol）的三甲基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鈦化合物（T1）。
若利用FT-IR對該鈦化合物（T1）進行分析，則根據生成Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ）且不存在矽醇的吸收（883 cm-1 ），而確認到所獲得的鈦化合物（T1）為三丁氧基(三甲基矽烷氧基)鈦。
（合成例2）鈦化合物（T2）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入28.4 g（0.1 mol）的四異丙氧基鈦，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加9.0 g（0.1 mol）的三甲基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的異丙醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鈦化合物（T2）。
若利用FT-IR對該鈦化合物（T2）進行分析，則根據生成Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ）且不存在矽醇的吸收（883 cm-1 ），而確認到所獲得的鈦化合物（T2）為三異丙氧基(三甲基矽烷氧基)鈦。
（合成例3）鈦化合物（T3）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入34.0 g（0.1 mol）的四-第三丁氧基鈦，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加9.0 g（0.1 mol）的三甲基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的第三丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鈦化合物（T3）。
若利用FT-IR對該鈦化合物（T3）進行分析，則根據生成Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ）且不存在矽醇的吸收（883 cm-1 ），而確認到所獲得的鈦化合物（T3）為三-第三丁氧基(三甲基矽烷氧基)鈦。
（合成例4）鈦化合物（T4）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入34.0 g（0.1 mol）的四丁氧基鈦，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加13.3 g（0.1 mol）的三乙基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鈦化合物（T4）。 若利用FT-IR對該鈦化合物（T4）進行分析，則根據生成Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ）且不存在矽醇的吸收（883 cm-1 ），而確認到所獲得的鈦化合物（T4）為三丁氧基(三乙基矽烷氧基)鈦。
（合成例5）鈦化合物（T5）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入34.0 g（0.1 mol）的四丁氧基鈦，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加18.0 g（0.2 mol）的三甲基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鈦化合物（T5）。
利用FT-IR對該鈦化合物（T5）進行分析，確認到Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ）的生成、以及不存在矽醇的吸收峰值（883 cm-1 ）。另外，根據Ti-O-Si的吸收峰值強度與鈦化合物（T1）相比為兩倍，而確認到所獲得的鈦化合物（T5）為二丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鈦。
（合成例6）鈦化合物（T6）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入34.0 g（0.1 mol）的四丁氧基鈦，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加27.1 g（0.3 mol）的三甲基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鈦化合物（T6）。
利用FT-IR對該鈦化合物（T6）進行分析，確認到Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ）的生成、以及不存在矽醇的吸收峰值（883 cm-1 ）。另外，根據Ti-O-Si的吸收峰值強度與鈦化合物（T1）相比為三倍，而確認到所獲得的鈦化合物（T6）為丁氧基三(三甲基矽烷氧基)鈦。
（合成例7）鋯化合物（Z1）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入38.4 g（0.1 mol）的四丁氧基鋯，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加9.0 g（0.1 mol）的三甲基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鋯化合物（Z1）。
若利用FT-IR對該鋯化合物（Z1）進行分析，則根據生成Zr-O-Si的吸收峰值（968 cm-1 ）且不存在矽醇的吸收（883 cm-1 ），而確認到所獲得的鋯化合物（Z1）為三丁氧基(三甲基矽烷氧基)鋯。
（合成例8）鋯化合物（Z2）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入32.8 g（0.1 mol）的四丙氧基鋯，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加9.0 g（0.1 mol）的三甲基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丙醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鋯化合物（Z2）。
若利用FT-IR對該鋯化合物（Z2）進行分析，則根據生成Zr-O-Si的吸收峰值（968 cm-1 ）且不存在矽醇的吸收（883 cm-1 ），而確認到所獲得的鋯化合物（Z2）為三丙氧基(三甲基矽烷氧基)鋯。
（合成例9）鋯化合物（Z3）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入38.4 g（0.1 mol）的四丁氧基鋯，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加18.0 g（0.1 mol）的三乙基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鋯化合物（Z3）。
若利用FT-IR對該鋯化合物（Z3）進行分析，則根據生成Zr-O-Si的吸收峰值（968 cm-1 ）且不存在矽醇的吸收（883 cm-1 ），而確認到所獲得的鋯化合物（Z3）為三丁氧基(三乙基矽烷氧基)鋯。
（合成例10）鋯化合物（Z4）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入38.4 g（0.1 mol）的四丁氧基鋯，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，使用滴液漏斗，花1小時添加18.0 g（0.2 mol）的三甲基矽醇，於添加後進而攪拌1小時。將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色液體的鋯化合物（Z4）。
利用FT-IR對該鋯化合物（Z4）進行分析，確認到Zr-O-Si的吸收峰值（968 cm-1 ）的生成、以及不存在矽醇的吸收峰值（883 cm-1 ）。另外，根據Zr-O-Si的吸收峰值強度與鋯化合物（Z3）相比為兩倍，而確認到所獲得的鋯化合物（Z4）為二丁氧基雙(三甲基矽烷氧基)鋯。
關於合成例1～合成例10，匯總記載於表1中。
[表1] [表1]
（合成例11）鈦化合物（T1－H1）溶液 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入35.6 g（0.1 mol）的鈦化合物（T1）及50.0 g的作為溶劑的丙二醇單甲醚乙酸酯（以下，簡稱為PGMEA），將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的1.8 g（0.1 mol）的水填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於水的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時。
將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色透明的鈦化合物（T1-H1）溶液。若利用FT-IR對所獲得的鈦化合物（T1-H1）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ）及Ti-OH的吸收峰值（1645 cm-1 及3380 cm-1 ），而推測鈦化合物（T1-H1）為二丁氧基(羥基)(三甲基矽烷氧基)鈦。
將該些結果記載於表2中。
（合成例12～合成例25、比較合成例1～比較合成例3） 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入表2所示的鈦化合物及溶劑，與合成例11同樣地進行攪拌。其後，與合成例11同樣地添加表2所示的量的水，並進行水解。對於水的添加過程中的燒瓶內部溶液，將外觀示於表2中。另外，與合成例11同樣地，將作為副產物的醇減壓蒸餾去除，並將利用FT-IR進行分析的結果示於表2中。
關於比較合成例1～比較合成例3，若添加水，則瞬間會產生白色的析出。認為該情況是由於鈦醇鹽的水解速度大，生成了四羥基鈦。因此，推測所生成的四羥基鈦產生凝聚而不溶於溶劑。
[表2] [表2]
（合成例26）鋯化合物（Z1-H1）溶液 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入40.0 g（0.1 mol）的鋯化合物（Z1）及50.0 g的作為溶劑的PGMEA，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的1.8 g（0.1 mol）的水填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於水的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時。
將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得無色透明的鋯化合物（Z1-H1）溶液。若利用FT-IR對所獲得的鋯化合物（Z1-H1）溶液進行分析，則根據確認了Zr-O-Si的吸收峰值（968 cm-1 ）及Zr-OH的吸收峰值（1600 cm-1 及3410 cm-1 ），而推測鋯化合物（Z1-H1）為二丁氧基(羥基)(三甲基矽烷氧基)鋯。
將該些結果記載於表3中。
（合成例27～合成例36、比較合成例4～比較合成例5） 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入表3所示的鋯化合物及溶劑，與合成例26同樣地進行攪拌。其後，與合成例26同樣地添加表3所示的量的水，並進行水解。對於水的添加過程中的燒瓶內部溶液，將外觀示於表3中。另外，與合成例26同樣地，將作為副產物的醇減壓蒸餾去除，並將利用FT-IR進行分析的結果示於表3中。
關於比較合成例4及比較合成例5，若添加水，則瞬間會產生白色的析出。認為該情況是由於鋯醇鹽的水解速度大，生成了四羥基鋯。因此，推測所生成的四羥基鋯產生凝聚而不溶於溶劑。
[表3] [表3]
以下，各實施例中，聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度是藉由如下方式求出，所述方式是於鋁杯中秤取1.0 g的聚金屬噁烷溶液，使用加熱板，於250℃下加熱30分鐘，使溶液成分蒸發，並秤量加熱後的鋁杯中殘留的固體成分。
利用FT-IR的分析是藉由以下方法進行。首先，使用傅里葉變換型紅外分光計（島津製作所製造的FT720），僅測定矽晶圓，將其作為基準。繼而，於矽晶圓上滴加聚金屬噁烷溶液，繼而，以任意的轉速進行旋轉塗佈，其後進行真空乾燥，藉此製作測定試樣。根據測定試樣的吸光度與基準的吸光度的差，算出聚金屬噁烷的吸光度，讀取吸收峰值。
重量平均分子量（Mw）是藉由以下方法而求出。作為展開溶媒，將氯化鋰溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中，製作0.02 M氯化鋰N-甲基-2-吡咯啶酮溶液。於展開溶媒中以成為0.2 wt%的方式溶解聚金屬噁烷，將其作為試樣溶液。以流速0.5 mL/min將展開溶媒填充至多孔質凝膠管柱（東曹製造的TSKgel α-M、α-3000各一根），於其中注入0.2 mL試樣溶液。利用示差折射率檢測器（昭和電工製造的RI-201型）檢測管柱溶出物，並分析溶出時間，藉此求出重量平均分子量（Mw）。
實施例1 聚金屬噁烷（TP-1）的合成 將35.6 g（0.1 mol）的鈦化合物（T1）及50.0 g的作為溶媒的丙二醇單甲醚乙酸酯（以下，簡稱為PGMEA）混合，將其作為溶液1。另外，將1.8 g（0.1 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的異丙醇（以下，簡稱為IPA）以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-1）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-1）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-1）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為6000。
實施例2 聚金屬噁烷（TP-2）的合成 將35.6 g（0.1 mol）的鈦化合物（T1）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將3.6 g（0.2 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-2）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-2）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm- 1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-2）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為21000。
實施例3 聚金屬噁烷（TP-3）的合成 將35.6 g（0.1 mol）的鈦化合物（T1）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將3.6 g（0.2 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及1.3 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的二異丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-3）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-3）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm- 1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-3）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為25000。
實施例4 聚金屬噁烷（TP-4）的合成 將35.6 g（0.1 mol）的鈦化合物（T1）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將3.6 g（0.2 mol）的水及50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-4）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-4）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm- 1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-4）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為6000。
實施例5 聚金屬噁烷（TP-5）的合成 將35.6 g（0.1 mol）的鈦化合物（T1）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將5.4 g（0.3 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-5）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-5）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm- 1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-5）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為44000。
實施例6 聚金屬噁烷（TP-6）的合成 將35.6 g（0.1 mol）的鈦化合物（T1）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將5.4 g（0.3 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及1.3 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的二異丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-6）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-6）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm- 1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-6）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為25000。
實施例7 聚金屬噁烷（TP-7）的合成 將31.4 g（0.1 mol）的鈦化合物（T2）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將5.4 g（0.3 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-7）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-7）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm- 1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-7）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為46000。
實施例8 聚金屬噁烷（TP-8）的合成 將39.8 g（0.1 mol）的鈦化合物（T4）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將5.4 g（0.3 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-8）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-8）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm- 1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-8）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為28000。
實施例9 聚金屬噁烷（TP-9）的合成 將37.2 g（0.1 mol）的鈦化合物（T5）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將3.6 g（0.2 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-9）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-9）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm- 1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-9）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為18000。
實施例10 聚金屬噁烷（TP-10）的合成 秤量68.81 g（包括18.81 g（0.1 mol）的三羥基(三甲基矽烷氧基)鈦、50.0 g的PGMEA）的鈦化合物（T2-H3）溶液，將其作為溶液1。另外，將50.0 g的作為稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA及作為副產物的水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-10）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-10）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-10）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為48000。
實施例11 聚金屬噁烷（TP-11）的合成 秤量73.02 g（包括18.81 g（0.1 mol）的(異丙氧基)(二羥基)(三甲基矽烷氧基)鈦、50.0 g的PGMEA）的鈦化合物（T2-H2）溶液，將其作為溶液1。另外，將1.8 g（0.1 mol）的水、50.0 g的作為稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（TP-11）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-11）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-11）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為47000。
實施例12 聚金屬噁烷（TP-12）的合成 將作為實施例7的溶劑的PGMEA變為1,2-二乙氧基乙烷，除此以外，與實施例7同樣地合成，並進行固體成分調整，而獲得聚金屬噁烷（TP-12）溶液。所獲得的聚金屬噁烷（TP-12）溶液的外觀為淡黃色透明。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-12）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-12）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為49000。
實施例13 聚金屬噁烷（TP-13）的合成 將作為實施例7的溶劑的PGMEA變為2,6-二甲基-4-庚酮，除此以外，與實施例7同樣地合成，並進行固體成分調整，而獲得聚金屬噁烷（TP-13）。所獲得的聚金屬噁烷（TP-13）溶液的外觀為淡黃色透明。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（TP-13）溶液進行分析，則根據確認了Ti-O-Si的吸收峰值（958 cm-1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（TP-13）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為46000。
實施例14 聚金屬噁烷（ZP-1）的合成 將40.0 g（0.1 mol）的鋯化合物（Z-1）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將5.4 g（0.3 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（ZP-1）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（ZP-1）溶液進行分析，則根據確認了Zr-O-Si的吸收峰值（968 cm-1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（ZP-1）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為45000。
實施例15 聚金屬噁烷（ZP-2）的合成 將41.6 g（0.1 mol）的鋯化合物（Z-4）及50.0 g的作為溶媒的PGMEA混合，將其作為溶液1。另外，將3.6 g（0.2 mol）的水、50.0 g的作為水稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出作為副產物的丁醇及水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（ZP-2）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（ZP-2）溶液進行分析，則根據確認了Zr-O-Si的吸收峰值（968 cm-1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（ZP-2）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為19000。
實施例16 聚金屬噁烷（ZP-3）的合成 秤量73.1 g（包括g（0.1 mol）的三羥基(三甲基矽烷氧基)鋯、50.0 g的PGMEA）的鋯化合物（Z1-H3）溶液，將其作為溶液1。另外，將50.0 g的作為稀釋溶媒的IPA以及2.2 g（0.01 mol）的作為聚合觸媒的三丁基胺混合，將其作為溶液2。
於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入溶液1的總量，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的溶液2的總量填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於溶液2的添加過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的無色透明溶液。於添加後進而攪拌1小時，而製成含羥基的金屬化合物。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出IPA、作為副產物的水。於加熱攪拌過程中，不會於燒瓶內部溶液中產生析出，為均勻的透明溶液。
於加熱結束後，將燒瓶內部溶液冷卻至室溫，而獲得聚金屬噁烷溶液。所獲得的聚金屬噁烷溶液的外觀為淡黃色透明。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而製成聚金屬噁烷（ZP-3）溶液。
若利用FT-IR對聚金屬噁烷（ZP-3）溶液進行分析，則根據確認了Zr-O-Si的吸收峰值（968 cm-1 ），而確認到為具有三甲基矽烷氧基的聚金屬噁烷。
聚金屬噁烷（ZP-3）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為46000。
關於實施例1～實施例16，匯總記載於表4中。
[表4] [表4]
（比較合成例6）聚金屬噁烷（TP-14）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入34.0 g（0.1 mol）的四丁氧基鈦，將燒瓶浸漬於75℃的油浴中攪拌30分鐘（內溫為70℃）。其後，利用滴液漏斗花1小時添加以水解為目的的水3.1 g（0.17 mol）與丁醇50 g的混合溶液。於添加過程中，其後升溫為90℃並攪拌保持1小時而使反應熟化。
將燒瓶內容物移至200 ml茄型燒瓶中，將所生成的丁醇減壓蒸餾去除，藉此獲得白色固體的聚金屬噁烷（TP-10）。
聚金屬噁烷（TP-14）並未溶解於PGMEA，因此以溶解於四氫呋喃，且固體成分濃度成為20 wt%的方式調整。
聚金屬噁烷（TP-14）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為1700。
（比較合成例7）聚金屬噁烷（TP-15）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入34.0 g（0.1 mol）的四丁氧基鈦及作為溶劑的100 g的乙醇，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌30分鐘。其後，將以水解為目的的2.7 g（0.15 mol）的水與0.25 g（0.002 mol）的第三丁基肼鹽酸鹽及50 g的乙醇的混合溶液填充至滴液漏斗中，花1小時添加於燒瓶內。於添加後，加入50 g的PGMEA，進而攪拌1小時。其後，以縮聚為目的，花30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～130℃）。於反應過程中，蒸餾出作為副產物的丁醇及水。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而獲得聚金屬噁烷（TP-15）溶液。
聚金屬噁烷（TP-15）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為8000。
（比較合成例8）聚金屬噁烷（SP-1）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入20.9 g（0.07 mol）的2-蒽基三甲氧基矽烷、6.8 g（0.03 mol）的4-羥基苄基三甲氧基矽烷及50.0 g的作為溶劑的PGMEA，一邊攪拌一邊利用滴液漏斗花1小時添加以水解為目的的水5.4 g（0.3 mol）與磷酸0.2 g的混合溶液。其後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴升溫至120℃為止。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～110℃）。於反應過程中，蒸餾出作為副產物的甲醇、水。
求出所獲得的聚金屬噁烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而獲得聚矽氧烷（SP-1）溶液。所獲得的聚矽氧烷（SP-1）的重量平均分子量（Mw）於聚苯乙烯換算中為3000。
（比較合成例9）含金屬化合物粒子的聚矽氧烷（SP-2）的合成 於容量500 ml的三口燒瓶中，裝入4.1 g（0.03 mol）的甲基三甲氧基矽烷、13.9 g（0.07 mol）的苯基三甲氧基矽烷、315 g的數量平均粒子系統15 nm的「奧普拓萊克（Optolake）TR-527」（商品名，觸媒化成工業（股）製造，組成：氧化鈦粒子20重量%、甲醇80重量%）及50.0 g的作為溶劑的PGMEA，一邊攪拌一邊利用滴液漏斗花1小時添加以水解為目的的水5.4 g（0.3 mol）與磷酸0.2 g的混合溶液。其後，將燒瓶浸漬於40℃的油浴中攪拌60分鐘後，花30分鐘將油浴升溫至120℃為止。升溫開始1小時後，溶液的內溫達到100℃，其後加熱攪拌2小時（內溫為100℃～110℃）。於反應過程中，蒸餾出作為副產物的甲醇、水。
求出所獲得的含金屬化合物粒子的聚矽氧烷溶液的固體成分濃度，其後以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入PGMEA，而獲得含金屬化合物粒子的聚矽氧烷（SP-2）溶液。
實施例17 （1）固化膜的製作 使用旋轉塗佈機（米卡薩（Mikasa）（股）製造的1H-360S）分別將聚金屬噁烷（TP-1）溶液旋轉塗佈於4吋矽晶圓及特帕克斯（TEMPAX）玻璃板，然後使用加熱板（大日本網屏製造（股）製造的SCW-636），於100℃下加熱3分鐘，而製作預烘烤膜。其後，使用加熱板，於300℃下固化5分鐘，而製作膜厚0.3 μm及0.5 μm的固化膜。再者，膜厚是使用光干涉式膜厚計（大日本網屏製造（股）製造的蘭姆達艾斯（Lambda Ace）STM602）而進行測定。
（2）固化膜的抗龜裂性評價 關於（1）中所獲得的固化膜的抗龜裂性，以下述5階段進行評價。將4以上設為合格。 5：於光學顯微鏡觀察（倍率：5倍）中未觀察到龜裂。 4：於光學顯微鏡觀察（倍率：5倍）中稍微觀察到龜裂。 3：於光學顯微鏡觀察（倍率：5倍）中明顯觀察到龜裂。 2：藉由通常的目視稍微觀察到龜裂。 1：藉由通常的目視明顯觀察到龜裂。
（3）固化膜的折射率測定 關於（1）中於矽晶圓上所製作的膜厚0.3 μm的固化膜，將測定時的溫度設為22℃，使用分光橢圓偏光儀（大塚電子（股）製造的FE5000），測定來自固化膜的反射光的偏光狀態變化，而獲得與入射光的相位差及振幅反射率的光譜。為了接近所獲得的光譜，藉由擬合計算模型的介電函數而獲得折射率光譜。藉由自折射率光譜讀取波長550 nm下的折射率值而設為固化膜的折射率。
（4）固化膜的透光率測定 使用分光光度計（島津製作所製造的幕斯匹克（MultiSpec）-1500），測定特帕克斯玻璃板的紫外可見吸收光譜，並將其設為參考。繼而，測定（1）中於特帕克斯玻璃板上所製作的膜厚0.3 μm的固化膜的紫外可見吸收光譜，藉由與參考的差異而算出固化膜的紫外可見吸收光譜。使用所獲得的紫外可見吸收光譜與膜厚，算出固化膜的波長400 nm下的每1 μm膜厚的透光率。
將該些結果示於表5中。
實施例18～實施例32、比較例1～比較例4 關於表5所示的溶液，與實施例17同樣地進行（1）固化膜的製作、（2）固化膜的抗龜裂性評價、（3）固化膜的折射率測定、（4）固化膜的透過率測定。將評價結果示於表5中。
關於比較例1及比較例2，若製作固化膜，則觀察到龜裂的產生，而無法獲得均質的膜。認為該情況是由於為烷氧基大量殘留的聚金屬噁烷，故於塗膜形成時因空氣中的水分而產生烷氧基的水解，並進行脫離，因此收縮應力變大，而產生龜裂。
實施例33 將3.5 g（固體成分重量0.7 g）的聚金屬噁烷（TP-5）溶液與1.0 g（固體成分重量0.3 g）的作為氧化矽-氧化鈦複合粒子的「奧普拓萊克（Optolake）TR-513」（商品名，觸媒化成工業（股）製造，固體成分濃度30%γ-丁內酯分散液）混合，而製備組成物1。與實施例17同樣地進行（1）固化膜的製作、（2）固化膜的抗龜裂性評價、（3）固化膜的折射率測定、（4）固化膜的透過率測定。將評價結果示於表5中。
[表5] [表5]
實施例34 製作具有於透明基底基材的上表面積層有透明導電膜（I）、聚金屬噁烷固化膜（II）、氧化矽薄膜（III）及/或透明黏著薄膜（IV）的部位的部件，進行（5）透明導電膜視認性評價。
（5）透明導電膜視認性評價 （5a）部件的製作 （5a-1）透明導電膜圖案的製作 於成為透明基底基材的厚度1.1 mm的化學強化玻璃基板上，以成為透明導電膜（I）的ITO作為靶材來進行濺鍍，而形成膜厚50 nm的ITO。繼而，使用旋轉塗佈機（1H-360S；米卡薩（Mikasa）（股）製造）將正型光阻劑（OFPR-800；東京應化工業（股）製造）旋轉塗佈於透明導電膜（I）上，然後使用加熱板（SCW-636；大日本網屏製造（股）製造），於100℃下加熱2分鐘，而製成預烘烤膜。對於所獲得的光阻劑的預烘烤膜，使用PLA，將超高壓水銀燈作為光源，介隔遮罩，以100 μm的間隙進行1000 J/m2 曝光。其後，使用自動顯影裝置（AD-2000；龍澤產業（股）製造），利用2.38 wt%氫氧化四甲基銨（以下，簡稱為TMAH）水溶液進行90秒噴淋顯影，繼而，利用水進行30秒淋洗，施加光阻劑的圖案加工。其後，利用HCl-HNO3 系的蝕刻液對ITO進行蝕刻，利用剝離液去除光阻劑，而製作具有如下ITO（圖1（a）及圖2的符號2）的基板，所述ITO是第一電極及與其正交的第二電極的一部分經圖案加工而成（相當於圖1（a））。
（5a-2）透明絕緣膜的製作 將負型感光性樹脂組成物NS-E2000（東麗（股）製造）旋轉塗佈於（5a-1）中所獲得的基板上，然後使用加熱板，於90℃下加熱2分鐘，而製作預烘烤膜。對於所獲得的預烘烤膜，介隔遮罩，以100 μm的間隙進行2000 J/m2 曝光。其後，利用0.4 wt%TMAH水溶液進行90秒噴淋顯影，繼而利用水進行30秒淋洗。其次，於空氣中230℃下進行1小時固化，而製作膜厚1.5 μm的透明絕緣膜（圖1（b）及圖2的符號3）（相當於圖1（b））。
（5a-3）鉬/鋁/鉬（以下，簡稱為MAM）配線的製作 於（5a-2）中所獲得的基板上，使用作為靶材的鉬及鋁，使用作為蝕刻液的H3 PO4 /HNO3 /CH3 COOH/H2 O=65/3/5/27（重量比）的混合溶液，除此以外，以與所述（5a-1）同樣的順序製作MAM配線（圖1（c）及圖2的符號4）（相當於圖1（c））。另外，MAM的膜厚是以成為250 nm的方式調整。
（5a-4）聚金屬噁烷固化膜（II）的形成 藉由噴墨塗佈裝置將聚金屬噁烷（TP-1）溶液圖案塗佈於（5a-3）中所獲得的基板上，然後使用加熱板，於90℃下預烘烤2分鐘。其次，於空氣中230℃下進行1小時固化，而製作聚金屬噁烷（TP-1）固化膜（II）（圖2的符號5）。
（5a-5）氧化矽薄膜（III）的形成 使用高速電漿CVD成膜裝置（PD-270STL；薩姆肯（Samco）（股）製造），將四乙氧基矽烷作為原料而形成氧化矽薄膜（III）（圖2的符號6）。此時，以氧化矽薄膜（III）與包含含聚金屬噁烷的組成物的薄膜（II）的圖案重疊的方式實施遮罩成膜。氧化矽薄膜（III）的膜厚為0.5 μm。
（5a-6）帶透明黏著劑的膜的貼合 於（5a-5）中所獲得的基板上的一部分，以不進入空氣的方式貼合黏著劑和在其相反面具備硬塗的PET膜（HA-116；琳得科（Lintec）（股）製造，黏著劑折射率=1.47），而形成透明黏著層（IV）。
（5b）透明導電膜視認性評價 自（5a-6）中所獲得的基板的背面側觀察，以下述10階段對透明導電膜的視認性進行評價。再者，將6以上設為合格。 10：於白色螢光燈3 cm下，藉由凝視完全未觀察到圖案。 9：於白色螢光燈3 cm下，藉由凝視稍微觀察到圖案。 8：於白色螢光燈3 cm下，藉由凝視觀察到少量圖案。 7：於白色螢光燈3 cm下，藉由凝視明顯觀察到圖案。 6：於白色螢光燈3 cm下，藉由通常的目視稍微觀察到圖案。 5：於白色螢光燈3 cm下，藉由通常的目視觀察到少量圖案。 4：於白色螢光燈3 cm下，藉由通常的目視明顯觀察到圖案。 3：於室內燈下，藉由通常的目視稍微觀察到圖案。 2：於室內燈下，藉由通常的目視觀察到少量圖案。 1：於室內燈下，藉由通常的目視明顯觀察到圖案。
（6）基底金屬腐蝕性評價 於整面具備MAM作為基底金屬的玻璃上，利用所述（5a-4）記載的方法形成聚金屬噁烷固化膜（II），繼而，利用所述（5a-5）記載的方法形成氧化矽薄膜（III）。繼而，進行於溫度121℃、濕度100%、氣壓=2 atm的烘箱（高壓加速老化試驗箱（HAST CHAMBER）EHS-221MD；愛斯佩克（ESPEC）股份有限公司製造）內放置20小時的試驗（高壓蒸煮試驗、PCT（Pressure Cooker Test）試驗），然後藉由目視，以下述11階段對固化膜下的MAM因腐蝕而變色的缺陷的佔有面積比例進行評價。將7以上設為合格。 10：固化膜下的MAM的變色面積比例為0%。固化膜自身無外觀變化。 9：固化膜下的MAM的變色面積比例為1%～3%。固化膜自身無外觀變化。 8：固化膜下的MAM的變色面積比例為4%～6%。固化膜自身無外觀變化。 7：固化膜下的MAM的變色面積比例為7%～9%。固化膜自身無外觀變化。 6：固化膜下的MAM的變色面積比例為10%～15%。固化膜自身無外觀變化。 5：固化膜下的MAM的變色面積比例為16%～20%。固化膜自身無外觀變化。 4：固化膜下的MAM的變色面積比例為21%～30%。固化膜自身無外觀變化。 3：固化膜下的MAM的變色面積比例為31%～50%。固化膜自身無外觀變化。 2：固化膜下的MAM的變色面積比例為51%～70%。固化膜自身無外觀變化。 1：固化膜下的MAM的變色面積比例為71%～100%。固化膜自身無外觀變化。 0：固化膜下的MAM的變色面積比例為100%。且固化膜自身發生變色、龜裂等。
實施例35～實施例49、比較例5～比較例8 利用表6所示的構成，藉由與實施例34同樣的手法進行（5）透明導電膜視認性評價及（6）基底金屬評價。將評價結果示於表6中。
實施例50 於（5a-3）聚金屬噁烷固化膜（II）形成中，使用實施例33中進行了調整的組成物1來代替聚金屬噁烷（TP-1）溶液，除此以外，藉由與實施例34同樣的手法進行（5）透明導電膜視認性評價及（6）基底金屬評價。將評價結果示於表6中。
實施例51 除了未進行（5a-5）形成氧化矽薄膜（III）的步驟以外，藉由與實施例40同樣的手法進行（5）透明導電膜視認性評價及（6）基底金屬評價。將評價結果示於表6中。
實施例52 除了未進行（5a-6）貼合帶透明黏著劑的膜的步驟以外，藉由與實施例40同樣的手法進行（5）透明導電膜視認性評價及（6）基底金屬評價。將評價結果示於表6中。
實施例53 於（5a-1）透明導電膜圖案的製作中，使用厚度0.2 mm的聚對苯二甲酸乙二酯（以下，簡稱為PET）基材來代替化學強化玻璃基板，除此以外，藉由與實施例40同樣的手法進行（5）透明導電膜視認性評價。將評價結果示於表6中。
比較例9 除了未進行（5a-4）形成聚金屬噁烷固化膜（II）的步驟以外，藉由與實施例40同樣的手法進行（5）透明導電膜視認性評價及（6）基底金屬評價。將評價結果示於表6中。
[表6] [表6]
實施例54 進行於基板上所製作的聚金屬噁烷固化膜的乾式蝕刻，測定乾式蝕刻後的表面粗糙度Ra及透光率。詳情於下述所示。將測定結果示於表6中。
（6-1）固化膜的製作 使用旋轉塗佈機（米卡薩（Mikasa）（股）製造的1H-360S）分別將聚金屬噁烷（TP-05）溶液旋轉塗佈於6吋矽晶圓及特帕克斯玻璃板，然後使用加熱板（大日本網屏製造（股）製造的SCW-636），於100℃下加熱3分鐘，而製作預烘烤膜。其後，使用加熱板，於300℃下固化5分鐘，而製作膜厚0.5 μm的固化膜。再者，膜厚是使用光干涉式膜厚計（大日本網屏製造（股）製造的蘭姆達艾斯（Lambda Ace）STM602）而進行測定。
（6-2）折射率測定 關於於矽晶圓上所製作的固化膜，將測定時的溫度設為22℃，使用分光橢圓偏光儀（大塚電子（股）製造的FE5000），測定來自固化膜的反射光的偏光狀態變化，而獲得與入射光的相位差及振幅反射率的光譜。為了接近所獲得的光譜，藉由擬合計算模型的介電函數而獲得折射率光譜。藉由自折射率光譜讀取波長550 nm下的折射率值而設為固化膜的折射率。
（6-3）固化膜的透光率測定 使用分光光度計（島津製作所製造的幕斯匹克（MultiSpec）-1500），測定特帕克斯玻璃板的紫外可見吸收光譜，並將其設為參考。繼而，測定於特帕克斯玻璃板上所製作的固化膜的紫外可見吸收光譜，藉由與參考的差異而算出固化膜的紫外可見吸收光譜。使用所獲得的紫外可見吸收光譜與膜厚，算出固化膜的波長400 nm下的每1 μm膜厚的透光率。
（6-4）乾式蝕刻 使用反應性離子蝕刻裝置（薩姆肯（Samco）（股）製造的RIE-10N）來對於特帕克斯玻璃板上所製作的固化膜進行使用CF4 （四氟化甲烷）與氧的混合氣體作為製程氣體的乾式蝕刻。再者，乾式蝕刻條件是將氣體混合比設為CF4 ：氧=80：20，將氣體流量設為50 sccm，將輸出功率設為199 W，將內壓設為10 Pa，將處理時間設為2 min。
（6-5）乾式蝕刻後的表面粗糙度測定 藉由掃描式探針顯微鏡（Scanning Probe Microscope）（布魯克公司（Bruker Corporation）製造的維度圖標（Dimension Icon））掃描乾式蝕刻處理後的固化膜表面，而獲得固化膜表面的三維立體圖像。將所獲得的圖像切斷，而獲得固化膜剖面的輪廓曲線。基於JIS B 0601：2013計算所獲得的輪廓曲線，藉此獲得算術平均粗糙度Ra。
（6-6）乾式蝕刻後的透光率測定 使用分光光度計（島津製作所製造的幕斯匹克（MultiSpec）-1500），測定特帕克斯玻璃板的紫外可見吸收光譜，並將其設為參考。繼而，測定於特帕克斯玻璃板上所製作的乾式蝕刻處理後的固化膜的紫外可見吸收光譜，藉由與參考的差異而算出乾式蝕刻處理後的固化膜的紫外可見吸收光譜。使用所獲得的紫外可見吸收光譜與膜厚，算出乾式蝕刻處理後的固化膜的波長400 nm下的每1 μm膜厚的透光率。
將該些結果示於表7中。
實施例55～實施例65、比較例10～比較例11 關於表7所示的溶液，與實施例54同樣地進行（6-1）固化膜的製作、（6-2）折射率的測定、（6-3）固化膜的透光率的測定、（6-4）乾式蝕刻、（6-5）乾式蝕刻後的表面粗糙度測定、（6-6）乾式蝕刻後的透光率測定。將評價結果示於表7中。
[表7] [表7]
比較例10是使用聚矽氧烷（SP-1）溶液來製作固化膜。聚矽氧烷（SP-1）由於具有折射率高的蒽基，因此可實現折射率1.63的高折射率。然而，蒽基根據由來而於可見光區域具有吸收，因此透過率成為85%，無法獲得微透鏡所要求的高透明性。
比較例11是使用含金屬化合物粒子的聚矽氧烷（SP-2）溶液來製作固化膜。由於使用折射率高的氧化鈦粒子，因此可實現折射率1.75的非常高的折射率。然而，於乾式蝕刻時，因氧化鈦粒子與聚矽氧烷成分而與蝕刻氣體的反應性分別不同，因此乾式蝕刻速度局部產生差異。因此，固化膜的表面粗糙，算術平均粗糙度Ra成為50 nm。另外，藉由固化膜的表面粗糙，光發生散射，因此乾式蝕刻後的透過率成為80%，無法獲得微透鏡所要求的高透明性。
實施例66 使用旋轉塗佈機（米卡薩（Mikasa）（股）製造的1H-360S）將聚金屬噁烷溶液（TP-7）旋轉塗佈於6吋矽晶圓，然後使用加熱板（大日本網屏製造（股）製造的SCW-636），於100℃下加熱3分鐘，而製作預烘烤膜。其後，使用加熱板，於300℃下進行5分鐘固化，而製作膜厚0.5 μm的含有聚金屬噁烷的固化膜。
其後，將正型光阻劑（東京應化工業（股）製造的OFPR-800）旋轉塗佈於含有聚金屬噁烷的固化膜上，然後使用加熱板，於100℃下加熱2分鐘，而形成光阻劑層。其後，使用i射線步進機（尼康（Nikon）（股）製造的NSR-i9C），介隔遮罩，進行圖案曝光。再者，作為遮罩，使用以獲得2 μm的圓點狀的圖案的方式設計的遮罩。
其後，使用自動顯影裝置（龍澤產業（股）製造的AD-2000），利用2.38 wt%氫氧化四銨水溶液作為顯影液進行90秒噴淋顯影，繼而，進行30秒淋洗，而獲得2 μm的圓點狀的光阻劑圖案。其後，使用加熱板，於120℃下加熱5分鐘，使光阻劑圖案熱熔融。
使用反應性離子蝕刻裝置（薩姆肯（Samco）（股）製造的RIE-10N），使用CF4 （四氟化甲烷）與氧的混合氣體作為製程氣體來對光阻劑圖案及含有聚金屬噁烷的固化膜進行整面乾式蝕刻，而獲得含有聚金屬噁烷的微透鏡圖案。再者，乾式蝕刻條件是將氣體混合比設為CF4 ：氧=80：20，將氣體流量設為50 sccm，將輸出功率設為199 W，將內壓設為10 Pa，將處理時間設為5 min。
若使用掃描式電子顯微鏡（日立高新技術（Hitachi High-technologies）製造的S-4800）觀察所獲得的微透鏡圖案，則確認到為無表面粗糙的、平滑的微透鏡圖案。
另外，藉由以下方法求出微透鏡圖案的算術平均表面粗糙度。藉由掃描式探針顯微鏡（布魯克公司（Bruker Corporation）製造的維度圖標（Dimension Icon））掃描微透鏡圖案的表面，而獲得三維立體圖像。將所獲得的圖像切斷，而獲得微透鏡剖面的輪廓曲線。自輪廓曲線去除微透鏡的曲率，而獲得表面粗糙度曲線。根據表面粗糙度曲線並基於JIS B 0601：2013進行計算，藉此獲得算術平均粗糙度Ra。所獲得的微透鏡圖案的算術平均表面粗糙度Ra為4 nm。
1‧‧‧透明基底基板 2‧‧‧透明導電薄膜（I） 3‧‧‧絕緣膜 4‧‧‧MAM配線 5‧‧‧由聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜（II） 6‧‧‧氧化矽薄膜（III） 7‧‧‧透明黏著層（IV）
圖1（a）～圖1（c）為表示透明導電膜圖案、透明絕緣膜以及配線的製作過程的概略圖。 圖2為表示透明導電膜視認性評價用基板的剖面的概略圖。
1‧‧‧透明基底基板
2‧‧‧透明導電薄膜(I)
3‧‧‧絕緣膜
4‧‧‧MAM配線
5‧‧‧由聚金屬噁烷或其組成物而獲得的固化膜(II)
6‧‧‧氧化矽薄膜(III)

Claims (30)

  1. 一種聚金屬噁烷，其具有下述通式（1）所表示的結構單元；通式（1）中，R1 為有機基，R1 的至少一個為(R3 3 SiO-)基；R3 是自羥基、碳數1～12的烷基、碳數5～12的脂環式烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～30的芳香族基、具有矽氧烷鍵的基或具有金屬噁烷鍵的基中任意選擇；R2 是自氫原子、碳數1～12的烷基或具有金屬噁烷鍵的基中任意選擇；R1 、R2 及R3 於存在多個的情況下，可分別相同亦可不同；M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子；m為表示金屬原子M的價數的整數，a為1～（m-2）的整數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的聚金屬噁烷，其中R1 為羥基、碳數1～12的烷基、碳數5～12的脂環式烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～30的芳香族基、(R3 3 SiO-)基、具有矽氧烷鍵的基或具有金屬噁烷鍵的基，R1 的至少一個為(R3 3 SiO-)基。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的聚金屬噁烷，其中所述聚金屬噁烷中的R1 的至少一個為羥基。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的聚金屬噁烷，其中M包含一種以上的選自由Al、Ti、Zr及Sn所組成的群組中的金屬原子。
  5. 一種聚金屬噁烷的製造方法，其包括對下述通式（2）所表示的化合物或其水解體進行縮聚的步驟；通式（2）中，R4 是自羥基、碳數1～12的烷基、碳數5～12的脂環式烷基、碳數1～12的烷氧基或碳數6～30的芳香族基中任意選擇；R5 是自氫原子或碳數1～12的烷基中任意選擇；R4 及R5 於存在多個的情況下，可分別相同亦可不同；M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子；m為表示金屬原子M的價數的整數，n為1～（m-1）的整數。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的聚金屬噁烷的製造方法，其製造作為如申請專利範圍第1項所述的化合物的聚金屬噁烷，所述製造方法中，所述通式（2）所表示的化合物為下述通式（3）所表示的化合物；通式（3）中，R6 與通式（1）中的R4 相同，R7 為碳數1～12的烷基；m為表示金屬原子M的價數的整數，x為1～（m-1）的整數，y為1～（m-1）的整數，x+y≦m。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的聚金屬噁烷的製造方法，其中所述通式（3）中的y為2～（m-1）的整數。
  8. 如申請專利範圍第5項至第7項中任一項所述的聚金屬噁烷的製造方法，其中所述通式（2）中的M包含一種以上的選自由Al、Ti、Zr及Sn所組成的群組中的金屬原子。
  9. 一種組成物，其包含如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的聚金屬噁烷。
  10. 一種組成物，其特徵在於包含：如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的聚金屬噁烷；以及無機粒子。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的組成物，其中所述無機粒子為金屬化合物粒子。
  12. 一種固化膜，其為如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的聚金屬噁烷的固化膜。
  13. 一種固化膜，其為如申請專利範圍第9項至第11項中任一項所述的組成物的固化膜。
  14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的固化膜，其中波長400 nm下的每1 μm膜厚的透光率為90%以上。
  15. 如申請專利範圍第12項至第14項中任一項所述的固化膜，其中波長550 nm下的折射率為1.58～2.20。
  16. 一種固化膜的製造方法，其包括對如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的聚金屬噁烷或如申請專利範圍第9項至第11項中任一項所述的組成物進行加熱的步驟。
  17. 一種部件，其具備如申請專利範圍第12項至第15項中任一項所述的固化膜。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的部件，其中所述部件具有自透明基底基材的上表面起依次積層有 透明導電薄膜（I）、以及 如申請專利範圍第12項至第15項中任一項所述的固化膜（II）的部位。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的部件，其具有於如申請專利範圍第12項至第15項中任一項所述的固化膜（II）的上表面積層有氧化矽薄膜（III）及/或折射率為1.46～1.53的透明黏著薄膜（IV）的部位。
  20. 如申請專利範圍第18項或第19項所述的部件，其中所述透明基底基材為玻璃基板或光學膜。
  21. 如申請專利範圍第17項所述的部件，其中所述部件為透鏡。
  22. 一種透鏡的製造方法，其包括：於基板上形成如申請專利範圍第12項至第15項中任一項所述的固化膜的步驟；於所述固化膜上形成光阻劑圖案的步驟；以及對所述光阻劑圖案及所述固化膜進行乾式蝕刻的步驟。
  23. 一種電子零件，其具備如申請專利範圍第17項至第21項中任一項所述的部件。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的電子零件，其中所述電子零件為觸控感測器。
  25. 如申請專利範圍第23項所述的電子零件，其中所述電子零件為影像感測器。
  26. 如申請專利範圍第23項所述的電子零件，其中所述電子零件為有機電致發光元件。
  27. 如申請專利範圍第23項所述的電子零件，其中所述電子零件為有機電致發光照明。
  28. 一種建材，其含有如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的聚金屬噁烷。
  29. 一種管柱，其填充有如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的聚金屬噁烷。
  30. 一種放射性核種發生器，其具備如申請專利範圍第28項所述的管柱。
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