TWI480334B - A silane-based composition and a hardened film thereof, and a method for forming a negative resist pattern using the same - Google Patents

A silane-based composition and a hardened film thereof, and a method for forming a negative resist pattern using the same Download PDF

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Description

矽烷系組合物及其硬化膜、與使用其之負型光阻圖案之形成方法
本發明係關於一種使用有特定之烷氧基矽烷之縮合物、感光性組合物及其製造方法、及於玻璃基板或矽基板等基體上形成包含該感光性樹脂組合物之負型光阻圖案的負型光阻圖案之形成方法。
於液晶顯示器、觸控面板、有機EL(Electro Luminescence，電致發光)等中，使用有各種保護膜或絕緣膜，例如於保護液晶濾色器之保護膜中通常使用有藉由濕式法而成膜之環氧樹脂膜。
另一方面，絕緣膜中有TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)液晶顯示器中之TFT用之絕緣膜，主要使用有藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法而成膜之SiN膜。
於保護膜或絕緣膜中，相對於上述先前之材料，要求如下可濕式成膜之材料：其具有用以應對近年來TFT液晶顯示器之回應速率之高速化、背光光源之高亮度化之更高的耐熱性，且具有用以應對顯示器畫面之大面積化的成膜容易性及成本優勢。
作為此種材料，可列舉藉由烷氧基矽烷之水解及縮合反應而獲得之矽烷系縮合物(以後有時僅稱為縮合物)，該縮合物之耐熱性、可見光區域中之透明性、及對玻璃基板或矽基板之密接性優異。又，藉由指定用作原料之烷氧基矽 烷之種類或組成，並研究製造方法，而使縮合物對有機溶劑顯示較高之溶解性。該縮合物可進行濕式成膜而作為半導體及顯示器中之保護膜或絕緣膜。
又，矽烷系縮合物由於縮合物中之矽之含量較多，故而亦可用作硬光罩。詳細而言，作為積體電路之絕緣膜之有機系高分子與光阻膜同為有機物，故而於在絕緣膜上重疊光阻圖案之情形時，難以於乾式蝕刻時表現出較高之蝕刻速率。因此，有效的是於絕緣膜與光阻膜之間設置反應性與絕緣膜及光阻膜不同之稱為硬光罩之層，通常於硬光罩中使用有矽氧化物或氮化矽。
於顯示器或半導體之領域中，多數情況下將薄膜於基體上加工成各種形狀，此時使用有光微影法。光微影法係如下技術：於玻璃基板或矽基板等基體上形成光阻膜，經由光罩對光阻膜進行照射曝光，利用曝光部與未曝光部對顯影液之溶解度差而形成轉印有光罩之圖案之光阻圖案。於在保護膜或絕緣膜上形成圖案時，藉由光微影法於該等膜上形成光阻圖案後，進行乾式蝕刻而形成圖案。
根據以上之背景，開發有未將絕緣膜或保護膜與光阻膜分開成膜而無需硬光罩，可利用光微影法形成圖案之使用矽烷系縮合物之光阻材料(例如專利文獻1~4)。若使用該等光阻材料，則可形成具有作為保護膜或絕緣膜之性能之光阻膜，並可謀求縮短製造時間與降低製造成本。
於專利文獻1中，揭示有一種負型光阻材料，其特徵在於含有具有矽烷醇基之樹脂與藉由高能量線之照射而產生 酸之化合物。
又，於專利文獻2中，揭示有一種感光性樹脂組合物，其以如下成分作為主成分：(1)具有直接鍵結於矽上之甲基及矽烷醇基，且矽烷醇含有率為0.1~2.0之鹼可溶性矽氧烷聚合物(其中，矽烷醇含有率係指利用紅外線光譜分析所測得之900 cm-1 之由矽烷醇基所產生之吸收波峰與1271 cm-1 之由矽-甲基所產生之吸收波峰的吸光度比，即Abs(900 cm-1 )/Abs(1271 cm-1 ))；(2)藉由放射線之作用而產生反應促進劑之化合物；(3)溶劑。
又，於專利文獻3中，揭示有一種膜形成用組合物、使用其之圖案膜之製造方法及電子機器用絕緣膜，上述膜形成用組合物含有：烷氧基矽烷之縮合物(A)，其係使包含苯基三乙氧基矽烷或苯基三甲氧基矽烷之成分(X)、包含甲基三乙氧基矽烷或甲基三甲氧基矽烷之成分(Y)、包含三乙氧基矽烷或三甲氧基矽烷之成分(Z)以特定之比率反應而獲得；及酸產生劑(B)，其藉由光或熱等外部刺激而產生酸。
又，於專利文獻4中，揭示有一種放射線硬化性組合物，其係含有如下成分而成者：矽氧烷樹脂，其包含以特定之矽氧烷化合物、該矽氧烷化合物之多聚體或部分縮合物作為必需成分進行水解縮合而獲得之樹脂；光酸產生劑或光鹼產生劑；及溶劑，其溶解上述矽氧烷樹脂，並且包含非質子性溶劑；且上述矽氧烷化合物含有四烷氧基矽烷及三烷氧基矽烷。再者，光酸產生劑係藉由紫外線光、X 射線、電子束等高能量線之照射而產生酸者。
又，於將藉由烷氧基矽烷之水解及縮合反應而獲得之矽烷系縮合物用作保護膜用材料、絕緣膜用材料或光阻膜用材料時，例如有以下3個課題。
第1個課題係縮合物本身之保存穩定性。由於將烷氧基矽烷作為原料，故而會因殘留於縮合物中之矽烷醇(Si-OH)基於保存中緩慢進行縮合反應而增大分子量，於製成塗佈液時變得難以溶解於有機溶劑中，塗佈液之黏性上升，變得難以以均勻之厚度成膜。
第2個課題係不易獲得無龜裂之硬質之膜。儘管試圖藉由調整用於縮合物之烷氧基矽烷之種類或組成比而於基板上將硬質之二氧化矽膜成膜，但特別是於製成厚膜時，亦容易於焙燒時於膜上產生龜裂。例如於半導體積體電路中之保護膜或絕緣膜中，於膜厚3.0 μm以上時，較佳為鉛筆硬度必需為5 H以上。於焙燒矽烷系縮合物而成之二氧化矽膜中，不易獲得膜厚3.0 μm以上且鉛筆硬度5 H以上之無龜裂之膜。如上所述，於將矽烷化合物、例如矽氧烷化合物用作光阻膜之組合物時，要求發揮作為半導體積體電路之絕緣膜、保護膜之作用之膜，且由於其與有機系之光阻膜不同，殘留於電路上，故而要求其無龜裂且為硬質。
第3個課題係作為塗佈液，於塗佈於矽基板或玻璃基板等基體上時容易產生收縮、膜不均。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平2-129642號公報
專利文獻2：日本專利特開平10-246960號公報
專利文獻3：國際公開WO 2008/047654之說明書
專利文獻4：日本專利特開2006-91816號公報
本發明提供一種用以解決上述課題之矽烷系組合物及其硬化膜等。進而提供一種添加有藉由紫外線光、X射線、電子束等高能量線之作用而產生酸之光酸產生劑的光阻用組合物、及於該光阻膜用組合物中添加溶劑，塗佈於基體上並形成光阻膜後，藉由光微影法，使用高能量線而形成負型光阻圖案的負型光阻圖案之形成方法。再者，所謂矽烷系組合物，意指包含矽烷系縮合物之組合物。
本發明之第1態樣係使用結構不同之3種烷氧基矽烷，於調整其組成比之縮合物中添加聚醚改性聚二甲基矽氧烷而獲得之組合物。該組合物藉由聚醚改性聚二甲基矽氧烷之添加效果，而於製成硬化膜時獲得較高之鉛筆硬度，且提高對刮痕之耐擦傷性。
本發明之第2態樣係於上述矽烷系縮合物中添加聚醚改性聚二甲基矽氧烷及有機溶劑而製備塗佈液，塗佈於玻璃基板或矽基板等基板上並進行加熱焙燒後，膜厚3.0 μm以上且鉛筆硬度5 H以上之無龜裂且硬質的二氧化矽膜。於二氧化矽膜中，藉由聚醚改性聚二甲基矽氧烷之添加效果 而未於塗佈時發現收縮、不均等。
本發明之第3態樣係於3種烷氧基矽烷中添加酸觸媒、純水(以後僅稱為水)及有機溶劑，進行水解及縮合反應後，另外添加水並去除酸觸媒，然後進而去除有機溶劑的縮合物之製造方法。該縮合物之保存穩定性優異。
本發明之第4態樣係光阻圖案。具體而言，於上述矽烷系縮合物中添加聚醚改性聚二甲基矽氧烷及有機溶劑，並於塗佈液中進而添加光酸產生劑，結果塗佈液可用作利用光微影法之光阻液。
本發明包含以下之發明1~15。
再者，本說明書中，有時將-CH3 基簡稱為Me、將-CH2 CH3 基簡稱為Et、將-C6 H5 基簡稱為Ph。
[發明1]
一種組合物，其含有如下烷氧基矽烷縮合物、及聚醚改性聚二甲基矽氧烷，
上述烷氧基矽烷縮合物係使通式(1)：(CH3 )Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷A、(式(1)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
通式(2)：(Ph)Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷B、(式(2)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
通式(3)：(CH3 )2 Si(OR1 )2 所表示之烷氧基矽烷C(式(3)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
於以莫耳比表示，烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30~70：10~50：20~60之範圍內縮合而成。
[發明2]
如發明1之組合物，其中上述聚醚改性聚二甲基矽氧烷係通式(4)所表示之化合物， (式中，R2 分別獨立為氫原子或甲基；R3 分別獨立為碳數1~20之烷基或碳數6~10之芳基；m為1~30之整數，n為1~30之整數；X為1~50之整數；Y為1~50之整數)
上述聚醚改性聚二甲基矽氧烷之含量相對於上述縮合物為0.001質量%以上且5.000質量%以下。
[發明3]
如發明1或發明2之組合物，其更含有光酸產生劑。
[發明4]
如發明3之組合物，其中上述光酸產生劑之含量相對於上述縮合物為0.01質量%以上且5.00質量%以下。
[發明5]
一種硬化膜，其含有使如發明1至4中任一項之組合物硬化而成之硬化物。
[發明6]
一種硬化膜之製造方法，其具有於如發明1至4中任一項之組合物中添加有機溶劑而製作塗佈液，將該塗佈液於基體上進行塗佈成膜後，進行加熱焙燒的步驟，且該硬化膜之膜厚為3.0 μm以上，鉛筆硬度為5 H以上。
[發明7]
一種組合物之製造方法，其係如發明1之組合物之製造方法，且包含如下步驟：第1步驟，其於烷氧基矽烷之縮合前混合物D中，添加水、水溶性之有機溶劑E及酸觸媒，而製成縮合前混合物；上述烷氧基矽烷之縮合前混合物D係將通式(1)：(CH3 )Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷A、(式(1)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
通式(2)：(Ph)Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷B、(式(2)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
通式(3)：(CH3 )2 Si(OR1 )2 所表示之烷氧基矽烷C(式(3)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
以莫耳比表示，設為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30~70：10~50：20~60而成者；使縮合前混合物水解及縮合而於反應系統中獲得縮合物之步驟； 利用非水溶性之有機溶劑F萃取縮合物，及利用水萃取酸觸媒之步驟；去除有機溶劑F之步驟；及添加聚醚改性聚二甲基矽氧烷之步驟。
[發明8]
如發明7之組合物之製造方法，其中相對於烷氧基矽烷混合物D所具有之烷氧基，使用以莫耳比表示1.5倍以上且5倍以下之水。
[發明9]
如發明7或發明8之組合物之製造方法，其中有機溶劑E為醇。
[發明10]
如發明7至9中任一項之組合物之製造方法，其中酸觸媒為乙酸。
[發明11]
一種負型圖案之形成方法，其對在基體上將如發明3或4之組合物塗佈成膜而成之膜照射高能量線，於照射部產生酸而進一步促進照射部之縮合物之縮合，使照射部不溶解於鹼性顯影液，之後利用鹼性顯影液去除未照射部之膜而形成負型圖案。
再者，使組合物溶解於有機溶劑G、例如極性溶劑中而製成塗佈液後，於基體上塗佈成膜，於塗佈後視需要進行預烘烤。
[發明12]
如發明11之負型圖案之形成方法，其中照射之高能量線為波長400 nm以下之電磁波或電子束。
[發明13]
一種保護膜，其包含使如發明1或發明2之組合物硬化而成之硬化物。例如，保護膜包括含有如發明1或發明2之組合物之硬化膜。
[發明14]
一種絕緣膜，其包含使如發明1或發明2之組合物硬化而成之硬化物。例如，絕緣膜包括含有如發明1或發明2之組合物之硬化膜。
[發明15]
一種光阻，其包含使如發明3或發明4之組合物硬化而成之硬化物。
利用本發明之矽烷系縮合物之製造方法而得之縮合物之保存穩定性優異。
於有機溶劑中溶解含有矽烷系縮合物及聚醚改性聚二甲基矽氧烷之本發明之組合物，將所得之塗佈液於玻璃基板或矽基板等基體上進行濕式塗佈並製成膜後，進行焙燒，結果獲得膜厚3.0 μm以上、鉛筆硬度5 H以上之無龜裂之膜。
該膜為高耐熱性，且於可見光中具有較高之透明性，對玻璃基板或矽基板之密接性優異，且顯示低吸水性，可用作液晶顯示器或半導體積體電路用之保護膜絕緣膜。
進而，於上述塗佈液中添加光酸產生劑，結果其可較佳用作光阻液，可藉由光微影法獲得負型圖案，且兼具作為絕緣膜或保護膜之功能，無需上述硬光罩。
以下，對本發明之矽烷系組合物及其硬化膜、矽烷系縮合物之製造方法、與使用其之負型光阻圖案之形成方法進行詳細說明。
1.使用矽烷系縮合物之組合物 1.1半導體積體電路之保護膜或絕緣膜用途之硬化膜所使用之組合物
本發明之矽烷系組合物係使用3種烷氧基矽烷A~C，於以特定比例混合該等而成之烷氧基矽烷縮合物中添加有聚醚改性聚二甲基矽氧烷者。聚醚改性聚二甲基矽氧烷提高成膜時對玻璃基板及矽基板之潤濕性，並且提高焙燒後由鉛筆硬度試驗所測得之硬度，提供無龜裂之鉛筆硬度5 H以上之硬質之膜。於使用不含聚醚改性聚二甲基矽氧烷之組合物之情形時，不但不易獲得無收縮且無膜不均之良好之膜，反而會提供鉛筆硬度較差之軟質之膜。
即，本發明係一種組合物，其含有如下烷氧基矽烷縮合物、及聚醚改性聚二甲基矽氧烷， 上述烷氧基矽烷縮合物係使通式(1)：(CH3 )Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷A、(式(1)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
通式(2)：(Ph)Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷B、 (式(2)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
通式(3)：(CH3 )2 Si(OR1 )2 所表示之烷氧基矽烷C(式(3)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)
於以莫耳比表示，烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30~70：10~50：20~60之範圍內縮合而成。
本發明之組合物中所含有之縮合物係藉由使上述3種烷氧基矽烷A~C進行水解及縮合反應而形成複雜之立體網狀結構者。
例如，根據圖1所示之29 SiNMR(Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振)圖譜，推定於由通式(1)所表示之烷氧基矽烷A、通式(2)所表示之烷氧基矽烷B及通式(3)所表示之烷氧基矽烷C所獲得之縮合物中包含以下所示之結構。結構中利用波浪線所圖示之鍵結鍵表示矽氧烷鍵之網路於其前方亦連續。
於本發明中，為了使由烷氧基矽烷A~C獲得之縮合物為保存穩定性優異者，並且藉由於成膜時添加聚醚改性聚二甲基矽氧烷並焙燒而獲得膜厚3.0 μm以上、鉛筆硬度5 H以上之無龜裂之硬質之膜，較佳為將烷氧基矽烷A：烷氧 基矽烷B：烷氧基矽烷C設為以莫耳比表示，烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30~70：10~50：20~60之範圍內。
進行加熱焙燒而製成硬化膜時，若烷氧基矽烷A之含量多於70莫耳%，則製成膜厚3.0 μm以上之膜時，容易產生龜裂，若少於30莫耳%，則不易獲得鉛筆硬度5 H以上之硬質之膜。若烷氧基矽烷B之含量少於10莫耳%，則製成膜厚3.0 μm以上之膜時，容易產生龜裂，若多於50莫耳%，則不易獲得鉛筆硬度5 H以上之硬質之膜。若烷氧基矽烷C少於20莫耳%，則製成膜厚3.0 μm以上之膜時，容易產生龜裂，若多於60莫耳%，則不易獲得鉛筆硬度5 H以上之硬質之膜。
進而，將較佳之烷氧基矽烷A~C之莫耳比示於圖2。於本發明之組合物中，較佳為以烷氧基矽烷A~C之比為圖2中之a、b及c三點所包圍之陰影之範圍內之莫耳百分率之比加以混合而使用。
圖2中之各點上之烷氧基矽烷A~C各者之莫耳比為：a為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=70：10：20；b為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30：10：60；c為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30：50：20。
使原料之烷氧基矽烷於烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30~70：10~50：20~60之莫耳比之範圍外獲得的縮合物變得難以如上所述形成無龜裂、且膜厚3.0 μm以上之膜，又，不易獲得加熱焙燒後鉛筆硬度5 H以上之硬 質之膜，不易實際使用作為顯示器及半導體用途之保護膜或絕緣膜。進而，較佳為圖2所示之a、b、c之3點所包圍之陰影部之範圍內。
再者，將上述組合物溶解於溶劑中並於基體上進行塗佈覆膜後，硬化成鉛筆硬度5 H以上時，加熱溫度較佳為基板溫度150℃以上且250℃以下，加熱時間較佳為15分鐘以上且180分鐘以下。若基體溫度低於150℃，或加熱時間短於15分鐘，則不易獲得鉛筆硬度5 H以上之硬質之膜。無需使基板溫度高於250℃，使加熱時間長於180分鐘，無法稱之為實用之製造方法。又，於通常之液晶顯示器中之表面塗層之成膜步驟中，加熱溫度之上限為250℃。
於本發明中所使用之聚醚改性聚二甲基矽氧烷中，較佳為使用通式(4)所表示之液狀化合物，由德國BYK Chemie公司市售有商品名BYK300、BYK301、BYK302、BYK306、BYK307、BYK330、BYK331、BYK333、BYK337、BYK341、BYK342及BYK378等。
(式(4)中，R2 為氫原子或甲基；R3 為碳數1~20之烷基或碳數6~10之芳基；m為1~30之整數，n為1~30之整數；X為1~50之整數；Y為1~50之整數)。
使本發明之組合物溶解於有機溶劑G、較佳為極性溶劑中而製成塗佈液後，於玻璃基板或矽基板等基體上進行濕式成膜。例如，塗佈於該基體上後，進行預烘烤、即加熱而去除有機溶劑G並製成膜。若對該膜進行加熱焙燒，則可用作顯示器或半導體之保護膜或絕緣膜、或半導體製造領域之硬光罩或絕緣膜。
作為有機溶劑G所使用之極性溶劑，例如可較佳地使用丙二醇單甲醚乙酸酯(以後簡稱為PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate))、丙二醇單甲醚、環己酮、γ-丁內酯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、N,N-二甲基甲醯胺或N-甲基吡咯啶酮，亦可將該等加以混合。
1.2光阻用途之硬化膜所使用之組合物
又，可藉由於上述塗佈液中添加作為組合物之由高能量線之作用而產生酸、即藉由吸收照射之高能量線而產生酸之光酸產生劑，而製成光阻用途之硬化膜所使用之組合物(液)。此種光酸產生劑中可列舉三氟甲磺酸三苯基鋶。作為市售品，可列舉：美國BASF公司製造之商品名Irgacure PAG121、Irgacure PAG103、Irgacure CGI1380、Irgacure CGI725；Midori Kagaku股份有限公司製造之商品名PAI-101、PAI-106、NAI-105、NAI-106、TAZ-110、TAZ-204；SAN-APRO股份有限公司製造之商品名CPI-200K、CPI-210S、 CPI-101A、CPI-110A、CPI-100P、CPI-110P、CPI-100TF、HS-1、HS-1A、HS-1P、HS-1N、HS-1TF、HS-1NF、HS-1MS、HS-1CS、LW-S1、LW-S1NF；SANWA CHEMICAL股份有限公司製造之商品名TFE-triazine、TME-triazine或MP-triazine。
2.組合物之製造方法
上述由烷氧基矽烷A~C形成之縮合物可藉由如下方式而製造：將上述烷氧基矽烷A~C於室溫下添加至反應容器中後，於作為烷氧基矽烷A~C之混合物的烷氧基矽烷混合物D中，將用以水解烷氧基矽烷之水；作為反應溶劑之有機溶劑E，較佳為使用醇、具體而言使用乙醇、異丙醇；用以使縮合反應進行之酸觸媒，較佳為乙酸收入至反應器中，繼而，以成為反應溫度之方式加熱反應溶液，並攪拌內容物，進行水解及縮合反應。再者，為了防止反應系統中之未反應原料、水、醇、乙酸蒸餾去除至反應系統外，較佳為於反應容器中具備冷凝器。縮合反應所需之時間通常為3小時~24小時。反應溫度為70℃以上且100℃以下。若反應溫度低於70℃，則不易進行縮合反應，若高於100℃，則不易控制縮合反應之聚合度。
再者，於用以獲得上述縮合物之水解及縮合反應中使用之水相對於原料之烷氧基矽烷總量所具有之烷氧基，以莫耳比表示，為1.5倍以上且5倍以下。若低於1.5倍，則未高效地進行水解，縮合物缺乏保存穩定性。無需高於5倍。
於用以獲得上述縮合物之水解及縮合反應中，有機溶劑 E較佳為醇，可列舉：乙醇、正丙醇、異丙醇或正丁醇、異丁醇、第三丁醇等。
繼而，於縮合反應後將反應溶液冷卻至室溫(20℃)，之後使用溶解縮合物且不與水混和之有機溶劑F而對存在於反應系統中之縮合物進行接觸萃取，繼而利用水進行清洗而去除該有機溶劑F中所含之乙酸。
繼而，使用固體乾燥劑去除溶解於有機溶劑F中之微量之水後，藉由過濾而去除固體乾燥劑。繼而將有機溶劑F減壓去除，藉此獲得縮合物。於獲得之縮合物中添加聚醚改性聚二甲基矽氧烷，藉此獲得本發明之組合物。為了製成光阻組合物，較佳為進而添加光酸產生劑。
於有機溶劑F中，較佳為使用溶解縮合物且不與水混和之非水溶性溶劑，可列舉醚，具體而言可列舉二乙醚、異丙醚或二丁醚。作為固體乾燥劑，可列舉硫酸鎂。
3.負型光阻圖案之形成方法
光阻膜可將含有包含光酸產生劑之發明3或發明4之組合物的光阻液於玻璃基板或矽基板等基體上濕式成膜而獲得。例如，藉由塗佈於該基體上後，進行預烘烤、即加熱而去除有機溶劑G，從而獲得光阻膜。藉由光微影法而將該光阻膜製成負型光阻圖案。具體而言，若經由成形有圖案之光罩對光阻膜照射高能量線，自照射部之光酸產生劑產生酸而進一步促進照射部之光阻膜之縮合反應，並僅使照射部之光阻膜對顯影液不溶化，之後於顯影液中進行顯影，則未照射部溶解於顯影液中，僅照射部殘留於基板上 而形成負型光阻圖案。
其後，對負型光阻圖案進行加熱焙燒，使殘留於圖案中之矽烷醇基縮合。作為熱焙燒時之溫度，雖然為了獲得高硬度之薄膜，較佳為高溫，但溫度上限取決於顯示器或半導體之製造製程。例如，通常之液晶顯示器中之表面塗層之成膜步驟中，加熱溫度之上限為250℃。
作為使用本發明之感光性組合物而形成負型光阻圖案之方法中所使用之顯影液，可列舉四甲基氫氧化銨水溶液等。
作為使用本發明之組合物而形成負型光阻圖案之方法中所使用之高能量線，可列舉：作為波長為紫外線區域以下、具體而言，波長400 nm以下之區域之高能量線的由高壓水銀燈所產生之紫外線光、i射線(波長365 nm)、KrF準分子雷射(波長248 nm)、ArF準分子雷射(波長193 nm)或極紫外線光(波長13.5 nm)、或者電子束。
4.用途
本發明之組合物例如可用於液晶顯示器、觸控面板、有機EL(Electro Luminescence)等顯示器領域之保護膜及絕緣膜。
又，本發明之組合物之矽含量較多，故而可應用於半導體製造中之硬光罩或各種絕緣膜。
又，可用作如下負型光阻圖案，該負型光阻圖案使本發明之含有藉由高能量線之作用而產生酸之光酸產生劑之組合物溶解於有機溶劑G中而製成光阻液，將該光阻液濕式 塗佈於矽基板或玻璃基板等基體上而形成光阻膜，利用光微影法，使用光罩並照射高能量線於照射部產生酸，進一步促進照射部之光阻膜之縮合而使其為鹼性不溶，之後利用鹼性水溶液進行顯影，藉此轉印光罩之圖案。
實施例
以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明並不受該等實施例限定。
縮合物之重量平均分子量(Mw)係使用凝膠滲透層析儀(Gel Permeation Chromatography，以後簡稱為GPC)，於溶劑中使用四氫呋喃，並以聚苯乙烯換算進行測定。於矽基板上成膜之光阻膜之厚度係使用觸針式表面形狀測定機進行測定，形成於矽基板上之膜之鉛筆硬度係使用刮痕硬度試驗機進行測定。將本實施例中所使用之測定機器示於以下。
GPC：Tosoh股份有限公司製造，製品名HLC-8320GPC
管柱：Tosoh股份有限公司製造，製品名TSKgelGMHXL觸針式表面形狀測定機：美國Veeco公司製造，製品名Dektak8
電動鉛筆刮痕硬度試驗機：安田精機製作所股份有限公司製造，型號No.553-M
實施例1 [縮合物之合成]
於具備氟樹脂製之撹拌翼及戴氏回流器之容積1 L之三口燒瓶中，收入作為烷氧基矽烷A之(CH3 )Si(OEt)3 59.45 g (0.333 mol)、作為烷氧基矽烷B之PhSi(OEt)3 40.08 g(0.167 mol)、及作為烷氧基矽烷C之(CH3 )2 Si(OEt)2 49.43 g(0.333 mol)。莫耳比為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=40：20：40，於本發明之縮合物中之烷氧基矽烷混合物D之組成比之範疇內。
繼而，將異丙醇104.83 g、水77.94 g(4.330 mol)、及乙酸0.06 g添加至三口燒瓶內，並將燒瓶內加溫至90℃，進行水解及縮合反應。3小時後，使反應液(反應系統)恢復至室溫(20℃)，於三口燒瓶內添加異丙醚200 ml、水200 ml並加以攪拌。其後，回收經2層分離之反應液之上層側(有機層)，利用水200 ml清洗3次。繼而，利用硫酸鎂去除溶解於異丙醚中之微量之水分後，過濾分離硫酸鎂。利用蒸發器將異丙醚減壓蒸餾去除，結果以無色之黏性液體之形式獲得縮合物。縮合物之產量為64.98 g，Mw=980。
將29 SiNMR(核磁共振，Nuclear Magnetic Resonance)之圖譜示於圖1。再者，水之使用量相對於烷氧基矽烷混合物D所具有之烷氧基，以莫耳比表示為2.0倍。
繼而，於該縮合物20.33 g中添加作為聚醚改性聚二甲基矽氧烷之BYK307(商品名，德國BYK Chemie公司製造)0.02 g，獲得於本發明之範疇內之組合物。再者，將聚醚改性聚二甲基矽氧烷之含量相對於獲得之縮合物之質量設為0.10質量%。
[使用組合物之負型光阻圖案之形成]
使上述組合物中之5.20 g溶解於4.70 g之PGMEA中，並 添加光酸產生劑(商品名CPI-100Tf，SAN-APRO股份有限公司製造)0.05 g，製成塗佈液(光阻液)。使用其並利用旋轉塗佈機於直徑100 mm之矽基板上於旋轉速度250 rpm、保持時間10秒之條件下塗佈上述光阻液而將光阻膜成膜，之後於90℃下加熱基板1分鐘而進行預烘烤。再者，將光酸產生劑之含量相對於上述縮合物之質量設為0.96質量%。
繼而，經由安裝於光罩對準曝光機(光罩對準裝置，SUSS MicroTec股份有限公司製造，型號MA6)上之形成有圖案之光罩，對矽基板上之光阻膜照射波長365 nm之紫外線2分鐘而進行曝光。自光罩對準曝光機取出矽基板，並使其接觸於作為顯影液之濃度2.38質量%之四甲基氫氧化銨水溶液20秒，使未曝光部溶解而使圖案顯影。於基板上形成包含最小10 μm寬度之線之負型光阻圖案。其後，將矽基板放入250℃之烘箱內1小時，對負型光阻圖案進行加熱焙燒，結果獲得膜厚3.6 μm之附負型光阻圖案之矽基板。未於矽基板上之光阻膜發現龜裂，獲得良好之負型光阻圖案。再者，上述厚度係利用Dektak8測定圖案之階差而獲得。又，藉由上述器具測定未經由光罩而進行上述曝光並進行上述條件之焙燒而獲得之膜的鉛筆硬度時，顯示5 H而為良好之結果。再者，用作光酸產生劑之CPI-100Tf之化學結構如下。
[化4]
[保存穩定性]
利用冰箱於5℃下保管上述光阻液3個月。未於保管後之溶液中發現白濁及固形物成分之析出，顯示良好之保存穩定性。繼而，以上述之條件及工序嘗試形成負型光阻圖案，結果獲得膜厚3.7 μm之附負型光阻圖案之矽基板，未於矽基板上之光阻圖案發現龜裂，獲得良好之負型光阻圖案。以上述工序測定鉛筆硬度，結果鉛筆硬度顯示5 H，為令人滿意之硬度。如上此，未於獲得之光阻膜發現由光阻液之保存所導致之經時劣化。
實施例2 [縮合物之合成]
於與實施例1所使用者相同之三口燒瓶中，收入作為烷氧基矽烷A之(CH3 )Si(OEt)3 44.6 g(0.250 mol)、作為烷氧基矽烷B之PhSi(OEt)3 12.0 g(0.050 mol)、及作為烷氧基矽烷C之(CH3 )2 Si(OMe)2 29.6 g(0.200 mol)。莫耳比為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=50：10：40，於本發明之縮合物中之烷氧基矽烷混合物D之組成比之範疇內。
繼而，將異丙醇62.4 g、水46.8 g(2.600 mol)、及乙酸0.03 g添加至三口燒瓶內，以與實施例1相同之工序合成縮合物。縮合物之產量為64.98 g，Mw=1200。再者，水之使用量相對於烷氧基矽烷混合物D所具有之烷氧基，以莫耳 比表示為2.0倍。
繼而，於該縮合物中添加0.06 g作為聚醚改性聚二甲基矽氧烷之上述BYK307，獲得於本發明之範疇內之組合物。再者，將聚醚改性聚二甲基矽氧烷之含量相對於上述縮合物之質量設為0.09質量%。
[使用組合物之負型光阻圖案之形成]
使上述組合物中之5.12 g溶解於5.77 g之PGMEA中，並與實施例1同樣地添加0.05 g作為光酸產生劑之上述CPI-100Tf而製成塗佈液(光阻液)。利用旋轉塗佈機，於直徑100 mm之玻璃基板上於旋轉速度250 rpm、保持時間10秒之條件下塗佈上述光阻液而將光阻膜成膜，之後於90℃下加熱基板1分鐘而進行預烘烤。再者，光酸產生劑之含量相對於上述縮合物之質量為0.98質量%。
繼而，使用與實施例1相同之裝置，以相同之工序對光阻膜照射紫外線光，結果形成包含最小10 μm寬度之線之負型光阻圖案。其後，將基板放入250℃之烘箱內1小時而對負型光阻圖案進行加熱焙燒，結果獲得膜厚3.3 μm之附負型光阻圖案之玻璃基板。未於玻璃基板上之光阻膜發現龜裂，獲得良好之負型光阻圖案。再者，上述厚度係利用Dektak8測定圖案之階差而獲得。又，藉由上述器具測定未經由光罩而進行上述曝光並進行上述條件之焙燒而獲得之膜的鉛筆硬度時，顯示5 H而為良好之結果。
[保存穩定性]
利用冰箱於5℃下保管上述光阻液3個月。未於保管後之 溶液中發現白濁及固形物成分之析出，顯示良好之保存穩定性。繼而，以上述之條件及工序嘗試形成負型光阻圖案，結果獲得厚度3.4 μm之附負型光阻圖案之玻璃基板，未於玻璃基板上之光阻圖案發現龜裂，獲得良好之負型光阻圖案。以上述工序測定鉛筆硬度，結果鉛筆硬度顯示5 H，為令人滿意之硬度。如此，未於獲得之光阻膜發現由光阻液之保存所導致之經時劣化。
實施例3
使用與實施例1、2不同種類之聚醚改性二甲基矽氧烷，除此以外，使用於實施例1中獲得之縮合物及其組合物。
[縮合物之合成]
於實施例1所獲得之縮合物10.51 g中添加作為聚醚改性聚二甲基矽氧烷之BYK333(商品名，德國BYK Chemie公司)0.01 g，獲得於本發明之範疇內之組合物。再者，聚醚改性聚二甲基矽氧烷之含量相對於上述縮合物之質量為0.10質量%。
[使用組合物之負型光阻圖案之形成]
使上述組合物中之4.70 g溶解於4.66 g之PGMEA中，並添加0.05 g作為光酸產生劑之上述CPI-100Tf而製成塗佈液(光阻液)。利用旋轉塗佈機，於直徑100 mm之矽基板上於旋轉速度250 rpm、保持時間10秒之條件下塗佈上述光阻液而將光阻膜成膜，之後於90℃下加熱基板1分鐘而進行預烘烤。再者，光酸產生劑之含量相對於上述縮合物之質量為1.06質量%。
繼而，使用與實施例1相同之裝置，以相同之工序對光阻膜照射紫外線光，結果形成包含最小10 μm寬度之線之負型光阻圖案。其後，將基板放入250℃之烘箱內1小時而對負型光阻圖案進行加熱焙燒，結果獲得膜厚3.7 μm之附負型光阻圖案之玻璃基板。未於玻璃基板上之光阻膜發現龜裂，獲得良好之負型光阻圖案。又，藉由上述器具測定未經由光罩而進行上述曝光並進行上述條件之焙燒而獲得之膜的鉛筆硬度時，顯示5 H而為良好之結果。如此，即便改變使用之聚醚改性二甲基矽氧烷之種類，亦於膜硬度、進而負型光阻圖案之形成方面獲得良好之結果。
[保存穩定性]
利用冰箱於5℃下保管上述光阻液3個月。未於保管後之溶液中發現白濁及固形物成分之析出，顯示良好之保存穩定性。繼而，以上述之條件及工序嘗試形成負型光阻圖案，結果獲得厚度3.6 μm之附負型光阻圖案之玻璃基板，未於玻璃基板上之光阻圖案發現龜裂，獲得良好之負型光阻圖案。以上述工序測定鉛筆硬度，結果鉛筆硬度顯示5 H而為令人滿意之硬度。如此，即便改變使用之聚醚改性二甲基矽氧烷之種類，亦未於獲得之光阻膜發現由光阻液之長期保存所導致之劣化。
實施例4
使用與實施例1~3不同種類之光酸產生劑，除此以外，使用實施例1所獲得之縮合物及其組合物。
[使用組合物之負型光阻圖案之形成]
使實施例1所獲得之組合物中之5.01 g溶解於5.06 g之PGMEA中，並添加光酸產生劑(商品名Irgacure 103，德國BASF公司製造)0.05 g而製成塗佈液(光阻液)。利用旋轉塗佈機於直徑100 mm之矽基板上於旋轉速度250 rpm、保持時間10秒之條件下塗佈上述光阻液而成膜光阻膜，之後於90℃下加熱基板1分鐘而進行預烘烤。再者，光酸產生劑之含量相對於上述縮合物之質量為1.00質量%。
繼而，使用與實施例1相同之裝置，以相同之工序對光阻膜照射紫外線光，結果形成包含最小10 μm寬度之線之負型光阻圖案。其後，將基板放入250℃之烘箱內1小時而對負型光阻圖案進行加熱焙燒，結果獲得膜厚3.5 μm之附負型光阻圖案之玻璃基板。未於玻璃基板上之光阻膜發現龜裂，獲得良好之負型光阻圖案。又，藉由上述器具測定未經由光罩而進行上述曝光並進行上述條件之焙燒而獲得之膜的鉛筆硬度時，顯示5 H而為良好之結果。如此，可知即便改變使用之光酸產生劑之種類，亦於膜硬度、進而負型光阻圖案之形成方面顯示良好之結果。
再者，用作光酸產生劑之Irgacure 103之化學結構如下。
[保存穩定性]
利用冰箱於5℃下保管上述光阻液3個月。未於保管後之溶液中發現白濁及固形物成分之析出，顯示良好之保存穩定性。繼而，以上述條件及工序嘗試形成負型光阻圖案，結果獲得厚度3.5 μm之附負型光阻圖案之玻璃基板，未於玻璃基板上之光阻圖案發現龜裂，獲得良好之負型光阻圖案。以上述工序測定鉛筆硬度，結果鉛筆硬度顯示5 H而為令人滿意之硬度。根據上述情況可知，即便改變使用之光酸產生劑之種類，亦未於獲得之光阻膜發現由光阻液之長期保存所導致之劣化。
比較例1
未使用聚醚改性聚二甲基矽氧烷，除此以外，與實施例1同樣地進行負型光阻圖案之形成。
即，使實施例1所獲得之縮合物5.56 g溶解於5.08 g之PGMEA中而合成縮合物後，與實施例1同樣地添加0.05 g作為光酸產生劑之CPI-100Tf而製成光阻液。使用該光阻液，並利用旋轉塗佈機於直徑100 mm之玻璃基板上於旋轉速度250 rpm、保持時間10秒之條件下塗佈光阻液而將光阻膜成膜，之後將玻璃基板加溫至90℃進行1分鐘加熱而進行預烘烤。
繼而，使用與實施例1相同之裝置，以相同之工序對光阻膜照射紫外線光，結果形成包含最小10 μm寬度之線之負型光阻圖案。其後，於250℃之烘箱內，對基板進行1小時加熱焙燒，獲得膜厚3.3 μm之附負型光阻圖案之玻璃基 板。雖未於玻璃基板上之光阻圖案發現龜裂，獲得良好之負型圖案，但鉛筆硬度為3 H，未獲得實施例1及實施例2中獲得之焙燒後之光阻膜之鉛筆硬度5 H。推測該情況之原因在於：由於未使用聚醚改性聚二甲基矽氧烷，故而未獲得鉛筆硬度表現出5 H之膜。
比較例2 [縮合物之合成]
於與實施例1所使用者相同之三口燒瓶中，添加作為烷氧基矽烷A之(CH3 )Si(OEt)3 70.3 g(0.394 mol)、作為烷氧基矽烷B之PhSi(OEt)3 11.8 g(0.049 mol)、作為烷氧基矽烷C之(CH3 )2 Si(OEt)2 7.3 g(0.049 mol)。莫耳比為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=80：10：10，未於本發明之縮合物中之烷氧基矽烷混合物D之組成比之範疇內。
繼而，將異丙醇69.0 g、水51.2 g(2.844 mol)、乙酸0.03 g添加至三口燒瓶內，以與實施例1相同之工序合成縮合物。縮合物之產量為51.1 g，Mw=1080。
於縮合物中添加0.05 g作為聚醚改性聚二甲基矽氧烷之BYK307而獲得未於本發明之範疇內之組合物。再者，聚醚改性聚二甲基矽氧烷之含量相對於上述縮合物之質量為0.10質量%。
[使用組合物之負型光阻圖案之形成]
使上述組合物中之5.02 g溶解於5.09 g之PGMEA中，並添加與實施例1相同之0.05 g作為光酸產生劑之CPI-100Tf而製成塗佈液(光阻液)。利用旋轉塗佈機，於直徑100 mm 之玻璃基板上於旋轉速度250 rpm、保持時間10秒之條件下塗佈上述光阻液而將光阻膜成膜，之後於90℃下加熱基板1分鐘而進行預烘烤。再者，光酸產生劑之含量相對於上述縮合物之質量為1.00質量%。
繼而，使用與實施例1相同之裝置，以相同之工序對光阻膜照射紫外線光，結果形成包含最小10 μm寬度之線之負型光阻圖案。其後，於250℃之烘箱內，對基板進行1小時加熱焙燒，結果於附光阻圖案之膜上產生龜裂。藉由改變旋轉塗佈機之旋轉數與時間而嘗試形成無龜裂之膜，結果可知若膜厚成為1.7 μm以上，則產生龜裂。認為該情況之原因為：由於製成矽之含量高於本發明之範疇之組合物，故而加熱硬化時膜內部產生之應力變得過大，未獲得3.0 μm之較硬之膜。
圖1係自將作為烷氧基矽烷A之(CH3 )Si(OEt)3 、作為烷氧基矽烷B之(Ph)Si(OEt)3 、作為烷氧基矽烷C之(CH3 )2 Si(OEt)2 以莫耳比表示，設為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=40：20：40的烷氧基矽烷混合物D獲得之縮合物之29 SiNMR圖譜。
圖2係表示通式(1)：(CH3 )Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷A、通式(2)：(Ph)Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷B、通式(3)：(CH3 )2 Si(OR1 )2 所表示之烷氧基矽烷C之較佳之莫耳比的圖。

Claims (15)

  1. 一種組合物，其含有如下烷氧基矽烷縮合物、及聚醚改性聚二甲基矽氧烷，上述烷氧基矽烷縮合物係使通式(1)：(CH3 )Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷A、(式(1)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)通式(2)：(Ph)Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷B、(式(2)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)通式(3)：(CH3 )2 Si(OR1 )2 所表示之烷氧基矽烷C(式(3)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)於以莫耳比表示，烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30~70：10~50：20~60之範圍內縮合而成，上述聚醚改性聚二甲基矽氧烷係通式(4)所表示之化合物， (式中，R2 分別獨立為氫原子或甲基；R3 分別獨立為碳數 1~20之烷基或碳數6~10之芳基；rn為1~30之整數，n為1~30之整數；X為1~50之整數；Y為1~50之整數)上述聚醚改性聚二甲基矽氧烷之含量相對於上述縮合物為0.001質量%以上且5%質量以下。
  2. 如請求項1之組合物，其進而含有光酸產生劑。
  3. 如請求項2之組合物，其中上述光酸產生劑之含量相對於上述縮合物為0.01質量%以上且5質量%以下。
  4. 一種硬化膜，其包含使如請求項1至3中任一項之組合物硬化而成之硬化物。
  5. 一種硬化膜之製造方法，其具有於如請求項1至3中任一項之組合物中添加有機溶劑而製作塗佈液，將該塗佈液於基體上進行塗佈成膜後，進行加熱焙燒的步驟，且該硬化膜之膜厚為3.0μm以上，鉛筆硬度為5 H以上。
  6. 一種組合物之製造方法，其係如請求項1之組合物之製造方法，且包含如下步驟：第1步驟，其於烷氧基矽烷之縮合前混合物D中，添加水、水溶性之有機溶劑E及酸觸媒，而製成縮合前混合物；上述烷氧基矽烷之縮合前混合物D係將通式(1)：(CH3 )Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷A、(式(1)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)通式(2)：(Ph)Si(OR1 )3 所表示之烷氧基矽烷B、(式(2)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)通式(3)：(CH3 )2 Si(OR1 )2 所表示之烷氧基矽烷C (式(3)中，R1 分別獨立為甲基或乙基)以莫耳比表示，設為烷氧基矽烷A：烷氧基矽烷B：烷氧基矽烷C=30~70：10~50：20~60而成者；使縮合前混合物水解及縮合而於反應系統中獲得縮合物之步驟；利用非水溶性之有機溶劑F萃取縮合物，及利用水萃取酸觸媒之步驟；去除有機溶劑F之步驟；及添加聚醚改性聚二甲基矽氧烷之步驟。
  7. 如請求項6之組合物之製造方法，其中相對於烷氧基矽烷混合物D所具有之烷氧基，使用以莫耳比表示1.5倍以上且5倍以下之水。
  8. 如請求項6之組合物之製造方法，其中有機溶劑E為醇。
  9. 如請求項7之組合物之製造方法，其中有機溶劑E為醇。
  10. 如請求項6至9中任一項之組合物之製造方法，其中酸觸媒為乙酸。
  11. 一種負型圖案之形成方法，其對在基體上將如請求項2或3之組合物塗佈成膜而成之膜照射高能量線，於照射部產生酸而進一步促進照射部之縮合物之縮合，使照射部不溶解於鹼性顯影液中，之後利用鹼性顯影液去除未照射部之膜而形成負型圖案。
  12. 如請求項11之負型圖案之形成方法，其中照射之高能量線為波長400nm以下之電磁波或電子束。
  13. 一種保護膜，其包含使如請求項1之組合物硬化而成之 硬化物。
  14. 一種絕緣膜，其包含使如請求項1之組合物硬化而成之硬化物。
  15. 一種光阻，其包含使如請求項2或3之組合物硬化而成之硬化物。
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