JP7335217B2 - 感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 - Google Patents

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Description

本発明は、感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品に関する。
パソコン、デジタルカメラ、携帯電話等様々な電子機器の小型化や高性能化に伴い、半導体素子においてもさらなる小型化、薄型化及び高密度化への要求が急速に高まっている。これに伴い、半導体素子の層間絶縁膜、表面保護膜にはその用途によって１μｍ以下の薄膜から１０μｍ以上の厚膜まで様々なグレードの膜厚が必要とされ、感光性樹脂組成物を露光、硬化してなる硬化被膜が利用されることがある（特許文献１、特許文献２）。各膜厚において、感光性樹脂組成物の塗布時に膜厚の均一性が求められるが、これらの文献ではフッ素系界面活性剤を用いたポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物が提案されているのみで、膜厚の均一性についての記載はない。
また、１０μｍ以上の厚膜を形成する場合、感光性樹脂組成物が高粘度となるため、塗布時に気泡を噛みやすくなり、その気泡に起因して塗布欠陥が発生するという問題がしばしば起こる。特許文献３ではアルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤、フッ素系界面活性剤、有機溶剤を含む組成物の製造方法が記載されており、先に界面活性剤と有機溶剤を混合した後に、その混合液にアルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤を添加することで、界面活性剤の分散性が向上し塗布時のハジキ欠陥が低減することが提案されている。しかしこの文献では膜厚が１０μｍ未満の膜厚での評価しか実施されておらず、厚膜形成時の泡に起因する欠陥についての記載はない。このように塗布時の膜厚均一性と欠陥の低減はしばしば課題として挙げられ、その改善が強く望まれている。
国際公開２０１５／０６０２３８号公報 国際公開２０１５／０６０２４０号公報 国際公開２０１１／１５２０５８号公報
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、塗布時の膜厚均一性に優れ、厚膜形成時の塗布欠陥が低減された感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は更に、前記感光性樹脂組成物を用いて行うパターン形成方法、そのパターンを硬化させてなる硬化膜、前記硬化膜を有する電子部品を提供することも目的とする。
上記課題を解決するために、本発明では、
（Ａ）樹脂、
（Ｂ）感光剤、
（Ｃ）下記平均組成式（１）で表される構造単位を含む界面活性剤、及び
（Ｄ）溶剤
を含むものである感光性樹脂組成物を提供する。
Figure 0007335217000001
 （式中、Ｙ１、Ｙ２はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、フェニル基もしくは下記一般式（２）で示される基であって、Ｙ１、Ｙ２のうち少なくとも一つは下記一般式（２）で示される基であり、Ｒ１～Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基であり、ｌ、ｎはそれぞれ独立に１～１００の整数、ｍは０～１００の整数である。）
Figure 0007335217000002
 （式中、点線は結合を表し、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１はそれぞれ独立に炭素数２～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基（ただし、Ｒ１０はＲ１１と異なる）であり、Ｒ１２は炭素数２～１０の３価の炭化水素基であり、Ｒ１３は（ＯＲ１０）、（ＯＲ１１）、（ＯＲ１２）から選ばれる１つ以上の繰り返し単位を有する構造を表し、Ｒ１４は水酸基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエーテル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキルエーテル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエステル基であり、ａは１～５０の整数、ｂは０～５０の整数、ｃは０～５０の整数、ｄは１～２０の整数である。－ＯＲ１０－、－ＯＲ１１－、－ＯＲ１２（Ｒ１３）－の順序についてはランダムであってもよい。）
このような感光性樹脂組成物であれば、塗布時の膜厚均一性に優れ、厚膜形成時の塗布欠陥が低減されたものとなる。
また、前記一般式（２）中のａが１０～３０の整数、ｂが１０～３０の整数、ｃが０～２０の整数であることが好ましい。
このような感光性樹脂組成物であれば、溶媒への十分な溶解性を持ち、かつシロキサン構造との適度なバランスとなり、塗布時の膜厚均一性を向上させ、厚膜形成時の消泡性を向上させることができる。
また、前記一般式（２）中のＲ１４が炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエステル基であることが好ましい。
このような感光性樹脂組成物であれば、本発明の効果をより向上させることができる。
また、（Ｅ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式（Ｅ－１）で示される置換基に置換した化合物、及び下記式（Ｅ－２）で示されるグリシジル基を有した窒素原子を２つ以上含有した化合物から選ばれる１種又は２種以上の架橋剤を更に含有するものであることが好ましい。
Figure 0007335217000003
 （式中、点線は結合を示し、Ｒｆは炭素数１～６の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を示し、ｓは１又は２を表す。）
このような感光性樹脂組成物であれば、硬化物の強度を更に上げることができる。
また、前記（Ａ）樹脂がポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、シロキサン骨格含有樹脂から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
このような樹脂が、（Ａ）樹脂として好適である。
また、樹脂の重量平均分子量が、３，０００～５００，０００であることが好ましい。
このような感光性樹脂組成物であれば、基板上に所望な膜厚で成膜することが容易になり、粘度も好適である。
また、前記（Ｂ）感光剤が光酸発生剤であることが好ましい。
このような感光性樹脂組成物であれば、ポジ型感光性樹脂組成物としては、現像液にアルカリ水溶液を用いても、未露光部は現像液に溶解することがなく、露光部は現像液に可溶であることから、良好なポジ型のパターンを形成することができ、ネガ型感光性樹脂組成物としては、（Ｂ）成分から発生する酸を触媒として、（Ｅ）成分の架橋基が（Ａ）成分の樹脂と架橋することによって、良好なネガ型のパターンを形成することもできる。
また、前記光酸発生剤がキノンジアジド構造を有する化合物であることができる。
このような光酸発生剤であれば、特にポジ型のパターンをより効率よく形成することができる。
また、前記（Ｂ）感光剤が光ラジカル開始剤であることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、このようなものを含むことができる。
また、本発明では、（Ｉ）上記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材被膜を形成する工程、
（ＩＩ）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長１９０～５００ｎｍの高エネルギー線もしくは電子線で感光材被膜を露光する工程、
（ＩＩＩ）アルカリ水溶液もしくは有機溶剤の現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法を提供する。
このようなパターン形成方法であれば、所望のパターンを有する被膜を得ることができる。
また、前記露光工程と前記現像工程との間に、露光後加熱工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、このような工程を含むことで、露光によって光酸発生剤から発生した酸を触媒として、架橋剤の架橋基と重合体の架橋反応点の架橋反応を促進することができる。
また、本発明では、パターン形成方法により得られたパターン形成された被膜を、更に温度１００～３００℃において加熱、後硬化する工程を含む硬化被膜形成方法を提供する。
このような硬化被膜形成方法であれば、感光性樹脂組成物の被膜の架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去でき、基板に対する密着力、耐熱性や強度、さらに電気特性の観点から好ましい。
また、本発明では、感光性樹脂組成物の硬化被膜からなる層間絶縁膜又は表面保護膜を提供する。
このような層間絶縁膜又は表面保護膜であれば、基板との密着性、耐熱性、電気特性、機械的強度及びアルカリ性剥離液等に対する薬品耐性に優れ、それを保護用被膜とした半導体素子の信頼性にも優れ、特に温度サイクル試験の際のクラック発生を防止できる。
また、本発明では、上記層間絶縁膜又は表面保護膜を有する電子部品を提供する。
このような電子部品であれば、耐熱性、薬品耐性、絶縁性を有する保護用被膜（層間絶縁膜又は表面保護膜）を有することから、信頼性に優れたものとなる。
以上のように、本発明であれば、塗布時の膜厚均一性に優れ、厚膜形成時の塗布欠陥が低減された感光性樹脂組成物を提供することができる。また前記感光性樹脂組成物を用いて行うパターン形成方法、そのパターンを硬化させてなる硬化膜、前記硬化膜を有する電子部品を提供することもできる。
上述のように、塗布時の膜厚均一性に優れ、厚膜形成時の塗布欠陥が低減された感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物を用いて行うパターン形成方法、そのパターンを硬化させてなる硬化膜、硬化膜を有する電子部品の開発が求められていた。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、（Ａ）樹脂、（Ｂ）感光剤、（Ｃ）ポリオキシアルキレン基を側鎖及び／又は末端に有する非イオン性オルガノシロキサン化合物を含む界面活性剤、（Ｄ）溶剤を含有する感光性樹脂組成物とすることで、塗布時の膜厚均一性に優れ、厚膜形成時の塗布欠陥を低減することができることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、
（Ａ）樹脂、
（Ｂ）感光剤、
（Ｃ）下記平均組成式（１）で表される構造単位を含む界面活性剤、及び
（Ｄ）溶剤
を含むものである感光性樹脂組成物である。
Figure 0007335217000004
 （式中、Ｙ１、Ｙ２はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、フェニル基もしくは下記一般式（２）で示される基であって、Ｙ１、Ｙ２のうち少なくとも一つは下記一般式（２）で示される基であり、Ｒ１～Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基であり、ｌ、ｎはそれぞれ独立に１～１００の整数、ｍは０～１００の整数である。）
Figure 0007335217000005
 （式中、点線は結合を表し、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１はそれぞれ独立に炭素数２～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基（ただし、Ｒ１０はＲ１１と異なる）であり、Ｒ１２は炭素数２～１０の３価の炭化水素基であり、Ｒ１３は（ＯＲ１０）、（ＯＲ１１）、（ＯＲ１２）から選ばれる１つ以上の繰り返し単位を有する構造を表し、Ｒ１４は水酸基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエーテル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキルエーテル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエステル基であり、ａは１～５０の整数、ｂは０～５０の整数、ｃは０～５０の整数、ｄは１～２０の整数である。－ＯＲ１０－、－ＯＲ１１－、－ＯＲ１２（Ｒ１３）－の順序についてはランダムであってもよい。）
本発明の感光性樹脂組成物であれば塗布時の膜厚均一性に優れ、厚膜形成時の塗布欠陥を低減することができる。
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［（Ａ）樹脂］
（Ａ）樹脂は、本発明の感光性樹脂組成物のベースとなる樹脂であり、ポジ型感光性樹脂組成物かネガ型感光性樹脂組成物か、前記樹脂を用いた感光性樹脂組成物からなる硬化膜に要求される機械特性、光学特性などに応じて選択することができ、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、シロキサン骨格含有樹脂から選択される樹脂であることが好ましく、１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体）
樹脂は、下記一般式（３）、（４）、（５）、（７）で表される構造単位から選ばれる少なくとも１種を含むものであることが好ましい。
Figure 0007335217000006
 （式中、Ｘ１は４価の有機基であり、Ｘ２は２価の有機基である。）
Figure 0007335217000007
 （式中、Ｘ３は２価の有機基であり、Ｘ４は前記Ｘ２と同一もしくは異なる２価の有機基である。）
Figure 0007335217000008
 （式中、Ｘ５は前記Ｘ１と同一もしくは異なる４価の有機基であり、Ｘ６は前記Ｘ２と同一もしくは異なる２価の有機基であり、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～１０で間にヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい有機基、又は下記一般式（６）で示される有機基である。）
Figure 0007335217000009
 （式中、点線は結合を表す。Ｒｃは水素原子又は炭素数１～３の有機基であり、Ｒｄ及びＲｅはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１～３の有機基であり、ｍ１は２～１０の整数である。）
Figure 0007335217000010
 （式中、Ｘ７は前記Ｘ３と同一もしくは異なる２価の有機基であり、Ｘ８は４価の有機基である。）
上記一般式（３）中のＸ１は、４価の有機基であるが、４価の有機基であれば限定されるものではない。好ましくは、炭素数４～４０の脂環式脂肪族基又は芳香族基の４価の有機基又はシロキサン骨格を含有した４価の有機基であり、さらに好ましくは下記式（８）で示される４価の有機基である。また、Ｘ１の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。
Figure 0007335217000011
 （式中、Ｒ１５、Ｒ１６はそれぞれ独立にメチル基又はフェニル基を表し、ｑ１及びｑ２は１～２０の整数を表し、点線は結合を表す。）
上記一般式（３）中のＸ２は、２価の有機基であり、２価の有機基であれば限定されるものではないが、炭素数６～４０の２価の有機基であることが好ましく、置換基を有した芳香族環もしくは脂肪族環を１～４個含有する環状有機基、又は環状構造を持たない脂肪族基もしくはシロキサン基であることがより好ましい。さらに好適なＸ２としては、下記式（９）、（１０）又は（１１）で示される構造が挙げられる。また、Ｘ２の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。
Figure 0007335217000012
 （式中、ｑ３は１～２０の整数を表し、ｓ１は１～４０の整数、ｓ２、ｓ３はそれぞれ独立に０～４０の整数を表し、点線は結合を表す。）
Figure 0007335217000013
 （式中、ｑ４は１～４の整数を表し、ｑ１４は１～２０の整数を表し、Ｒ１７はフッ素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基又はトリフルオロメチル基を表し、ｑ４が２以上の時、Ｒ１７はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、点線は結合を表す。）
Figure 0007335217000014
 （式中、ｑ５、ｑ６、及びｑ７は、１～１０の整数を表し、ｑ８は１～２０の整数を表し、点線は結合を表す。）
上記一般式（３）で示される構造単位を含む樹脂であれば、パターン形成して得られた硬化膜の機械的強度、基板に対する密着力、耐熱性を向上させることができるので好ましい。また、構造単位（３）は、後硬化において閉環反応する必要が無く、相対的に硬化反応温度を下げることができるため、好ましい。
上記一般式（４）中のＸ３は、２価の有機基であり、２価の有機基であれば限定されるものではない。好ましくは、炭素数４～４０の脂肪族鎖長構造もしくは脂環式脂肪族基又は芳香族基の２価の有機基である。さらに好ましくは下記式（１２）で示される２価の有機基である。また、Ｘ３の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。
Figure 0007335217000015
 （式中、Ｒ１８はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、又は炭素数１～６のアルキル基であり、ｑ９は１～３０の整数であり、点線は結合を表す。）
上記一般式（４）中のＸ４は、２価の有機基であるが、上記のＸ２と同一もしくは異なってもよく、２価の有機基であれば限定されるものではない。好ましくは炭素数６～４０の２価の有機基であり、置換基を有した芳香族環もしくは脂肪族環を１～４個含有する環状有機基、又は環状構造を持たない脂肪族基もしくはシロキサン基である。さらに好ましくは上記式（９）、（１０）又は（１１）で示される構造が挙げられる。また、Ｘ４の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。
上記一般式（４）で示される構造単位を含む樹脂であれば、パターン形成して得られた硬化膜の伸びなどの機械的特性、基板に対する密着力を向上させることができるので好ましい。
上記一般式（５）中のＸ５は、４価の有機基であるが、上記のＸ１と同一もしくは異なってもよく、４価の有機基であれば限定されるものではない。好ましくは、炭素数４～４０の脂環式脂肪族基又は芳香族基の４価の有機基又はシロキサン骨格を含有したの４価の有機基であり、さらに好ましくは上記式（８）で示される４価の有機基である。また、Ｘ５の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。
上記一般式（５）中のＸ６は、２価の有機基であるが、上記のＸ２と同一もしくは異なってもよく、２価の有機基であれば限定されるものではない。好ましくは、炭素数６～４０の２価の有機基であり、置換基を有した芳香族環もしくは脂肪族環を１～４個含有する環状有機基、又は環状構造を持たない脂肪族基もしくはシロキサン基である。さらに好ましくは上記式（９）、（１０）又は（１１）で示される構造が挙げられる。また、Ｘ６の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。
上記一般式（５）中のＲａ及びＲｂはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～１０で間にヘテロ原子を含んでいてもよく、ハロゲン原子で置換していてもよい有機基、又は上記一般式（６）で示される有機基であるが、Ｒａ及びＲｂのいずれかもしくは両方が上記一般式（６）で示される有機基であることが好ましい。
上記一般式（６）中のＲｃは水素原子又は炭素数１～３の有機基であり、Ｒｄ及びＲｅはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１～３の有機基であり、ｍ１は２～１０の整数である。Ｒｃは水素原子又はメチル基が好ましく、Ｒｄ、Ｒｅは水素原子が好ましく、ｍ１は２～５の整数が好ましい。
このようなものであれば、構造単位中に重合性不飽和結合基を有していることから、後述する光ラジカル開始剤と組み合わせることで、パターン形成において露光部に発生するラジカルを開始剤としてラジカル重合が進行し、現像液に不溶となる特徴を持つため、新たに架橋剤を添加することなく、ネガ型感光性樹脂組成物を与えることができる。
上記一般式（７）中のＸ７は、２価の有機基であるが、上記のＸ３と同一もしくは異なってもよく、２価の有機基であれば限定されるものではない。好ましくは、炭素数４～４０の脂肪族鎖長構造もしくは脂環式脂肪族基又は芳香族基の２価の有機基である。さらに好ましくは上記式（１２）で示される２価の有機基である。また、Ｘ７の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。
上記一般式（７）中のＸ８は、４価の有機基であり、４価の有機基であれば限定されるものではないが、炭素数６～４０の２価の有機基であることが好ましく、置換基を有した芳香族環もしくは脂肪族環を１～４個含有する環状有機基、又は環状構造を持たない脂肪族基もしくはシロキサン基であることがより好ましい。さらに好適なＸ８としては、下記式（１３）で示される構造が挙げられる。また、Ｘ８の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。
Figure 0007335217000016
 （式中、ｑ１０、ｑ１１、及びｑ１２は、１～１０の整数を表し、ｑ１３は１～２０の整数を表し、点線は結合を表す。）
上記一般式（７）で示される構造単位を含む樹脂であれば、パターン形成して得られた硬化膜の機械的強度、基板に対する密着力、耐熱性を向上させることができるので好ましい。また、構造単位（７）は、後硬化において閉環反応する必要が無く、相対的に硬化反応温度を下げることができるため、好ましい。
上述のポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体の好適な重量平均分子量は、好ましくは３，０００～５００，０００、より好ましくは５，０００～１００，０００、更に好ましくは７，０００～５０，０００である。重量平均分子量が３，０００以上であれば、上記樹脂をベース樹脂に用いた感光性樹脂組成物を基板上に所望な膜厚に成膜することは容易になり、重量平均分子量が５００，０００以下であれば、該感光性樹脂組成物の粘度が著しく高いものとはならず、成膜できなくなる恐れがない。なお、本発明において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値である。
（シロキサン骨格含有樹脂）
樹脂は、下記一般式（１４）で表される構造単位を含むものであることが好ましい。
Figure 0007335217000017
 （式中、Ｒ１９～Ｒ２２は同一でも異なっていてもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基を示す。ｌ１はそれぞれ独立に１～１００の整数である。ｅ、ｆは正数かつｇ、ｈ、ｉ、ｊは０又は正数である。但し、ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝１である。Ｗは下記一般式（１５）で示される有機基、Ｔは下記一般式（１６）で示される有機基、Ｕは下記一般式（１７）及び／又は（１８）で示される有機基である。）
Figure 0007335217000018
 （式中、Ｚは
Figure 0007335217000019
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐ１は０又は１である。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ炭素数１～４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｋは０、１、２のいずれかであり、点線は結合を表す。）
Figure 0007335217000020
 （式中、Ｖは
Figure 0007335217000021
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐ２は０又は１である。Ｒ２５及びＲ２６はそれぞれ炭素数１～４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｏは０、１、２のいずれかであり、点線は結合を表す。）
Figure 0007335217000022
 （式中、Ｒ２７及びＲ２８はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基である。ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０～７の整数である。Ｒ２９は炭素数１～８の２価炭化水素基であり、その炭素原子間にエステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよく、点線は結合を表す。）
Figure 0007335217000023
 （式中、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立に水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のアルキル基である。ｎ３は０～１０の整数であり、点線は結合を表す。）
上記一般式（１４）中、Ｒ１９～Ｒ２２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。
前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基等の１価脂肪族炭化水素基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基等の１価芳香族炭化水素基が挙げられる。
前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロブチル基、ｎ－ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。前記アルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等が挙げられる。
また、前記１価脂肪族炭化水素基にはヘテロ原子が含まれていてもよく、具体的には、前記１価脂肪族炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子等で置換されていてもよく、その炭素原子間に、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合等が介在していてもよい。このようなヘテロ原子を含む１価脂肪族炭化水素基としては、２－オキソシクロヘキシル基等が挙げられる。
前記アリール基としては、フェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、２－エチルフェニル基、３－エチルフェニル基、４－エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基等が挙げられる。前記アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
また、前記１価芳香族炭化水素基にはヘテロ原子が含まれていてもよく、具体的には、前記１価芳香族炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１０のアルキルチオ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数６ ～２０のアリールチオ基等で置換されていてもよい。
前記炭素数１～１０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、ｎ－ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ－ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルオキシ基、シクロブチルオキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－へプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。
前記炭素数１～１０のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－ プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロプロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ－ブチルチオ基、ｔｅｒｔ－ブチルチオ基、シクロブチルチオ基、ｎ－ペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ｎ－ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ－へプチルチオ基、ｎ－オクチルチオ基、ｎ－ノニルチオ基、ｎ－デシルチオ基、ノルボルニルチオ基、アダマンチルチオ基等が挙げられる。
前記炭素数６～２０のアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、２－メチルフェニルオキシ基、３－メチルフェニルオキシ基、４－メチルフェニルオキシ基、２－エチルフェニルオキシ基、３－エチルフェニルオキシ基、４－エチルフェニルオキシ基、４－ ｔｅｒｔ－ブチルフェニルオキシ基、４－ブチルフェニルオキシ基、ジメチルフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基等が挙げられる。
前記炭素数６～２０のアリールチオ基としては、フェニルチオ基、２－メチルフェニルチオ基、３－メチルフェニルチオ基、４－メチルフェニルチオ基、２－エチルフェニルチオ基、３－エチルフェニルチオ基、４－エチルフェニルチオ基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルチオ基、４－ブチルフェニルチオ基、ジメチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、ビフェニリルチオ基、ターフェニリルチオ基等が挙げられる。
例えば、これらの基で置換された芳香族炭化水素基としては、２－メトキシフェニル基、３－メトキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、２－エトキシフェニル基、３ －エトキシフェニル基、４－エトキシフェニル基、３－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基、２－メトキシフェネチル基、３－メトキシフェネチル基、４－メトキシフェネチル基、２－エトキシフェネチル基、３－エトキシフェネチル基、４－エトキシフェネチル基、ビフェニリルオキシフェニル基、ビフェニリルチオフェニル基等が挙げられる。
前記１価脂肪族炭化水素基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～８がより好ましい。また、前記１価芳香族炭化水素基の炭素数は、６～１４が好ましく、６～１０がより好ましい。
これらのうち、Ｒ１９～Ｒ２２としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基又はフェニル基が好ましく、メチル基又はフェニル基がより好ましい。
上記一般式（１４）中、ｌ１は、それぞれ独立に、１～１００の整数であるが、１～５０の整数が好ましい。
また、基板に対する密着性、電気特性、信頼性、耐光性の観点から、上記一般式（１４）中ｅ、ｆは正数かつｇ、ｈ、ｉ、ｊは０又は正数である。この場合、好ましくは０＜ｅ≦０．８、より好ましくは０．２≦ｅ≦０．８であり、好ましくは０＜ｆ≦０．８、より好ましくは０．２≦ｆ≦０．８であり、好ましくは０≦ｇ≦０．３、より好ましくは０≦ｇ≦０．２であり、好ましくは０≦ｈ≦０．３、より好ましくは０≦ｈ≦０．２であり、好ましくは０＜ｉ≦０．８、より好ましくは０＜ｉ≦０．５であり、好ましくは０＜ｊ≦０．８、より好ましくは０＜ｊ≦０．５である。但し、ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝１である。
上記一般式（１５）中、Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ炭素数１～４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。Ｒ２３及びＲ２４の具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基等が挙げられる。
上記一般式（１６）中、Ｒ２５及びＲ２６はそれぞれ炭素数１～４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。Ｒ２５及びＲ２６の具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基等が挙げられる。
上記一般式（１７）中、Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０～７の整数である。
上記一般式（１７）中、Ｒ２９は、炭素数１～８の２価炭化水素基であり、その炭素原子間にエステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。前記２価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチレン基、エタン－１,１ －ジイル基、エタン－１,２－ジイル基、プロパン－１,２－ジイル基、プロパン－１,３ －ジイル基、ブタン－１,２－ジイル基、ブタン－１,３－ジイル基、ブタン－１,４－ジイル基等のアルカンジイル基等が挙げられる。また、前記２価炭化水素基の炭素原子間に、エステル結合又はエーテル結合が介在していてもよい。これらのうち、Ｒ２９としては、メチレン基又はエチレン基が好ましく、メチレン基がより好ましい。
上記一般式（１８）中、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立に、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のアルキル基である。前記アルキル基としては、Ｒ１９～Ｒ２２の説明において述べたものと同様のものが挙げられる。Ｒ３０及びＲ３１としては、水素原子又はメチル基が好ましい。
上記一般式（１８）中、ｎ３は、０～１０の整数であるが、０が好ましい。
本発明のシロキサン骨格含有樹脂の重量平均分子量は、これを用いた光硬化性樹脂組成物の相溶性及び光硬化性、並びに、上記光硬化性樹脂組成物から得られる硬化物の機械的特性の観点から、好ましくは３，０００～５００，０００、より好ましくは５，０００～１００，０００である。
（Ａ）樹脂は上記のようなものとすることができる。また、このようなもののうち、構造単位中に重合性不飽和結合基を有している場合には、後述する光ラジカル開始剤と組み合わせることで、パターン形成において露光部に発生するラジカルを開始剤としてラジカル重合が進行し、現像液に不溶となる特徴を持つため、新たに架橋剤を添加することなく、ネガ型感光性樹脂組成物を与えることができる。また、後述する光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物と組み合わせることで、ポジ型感光性樹脂組成物を与えることができる。また、後述する光酸発生剤から発生する酸を触媒として、後述する（Ｅ）成分の架橋基が（Ａ）成分の樹脂と架橋することによって、ネガ型の感光性樹脂組成物を成すことができる。
［（Ｂ）感光剤］
（Ｂ）感光剤は、光を受けて樹脂を溶剤に対して可溶若しくは不溶にする作用を有する物質である。ポジ型感光性樹脂組成物又はネガ型感光性樹脂組成物を構築するための、以下のような（Ｂ）成分を用いることができる。なお、（Ｂ）成分は１種又は２種以上を用いることができ、２種以上の場合は、それぞれ異なる機能を有していてもよい。また、（Ｂ）成分は、光により酸を発生する化合物（光酸発生剤）であることができる。
（ポジ型感光性樹脂組成物）
本発明においてポジ型感光性樹脂組成物を構築するためには（Ｂ）成分は、光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物であることが好ましい。（Ｂ）成分としては、１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物を挙げることができる。
１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物としては、下記一般式（１９）又は（２０）で示される１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物が挙げられる。
Figure 0007335217000024
上記１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基が導入される化合物として、具体的には、トリヒドロキシベンゾフェノン又はテトラヒドロキシベンゾフェノン、フェノール性水酸基を有する下記一般式（２１）で示されるバラスト分子又は後記式（２６）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が好ましくは２，０００～２０，０００、より好ましくは３，０００～１０，０００の範囲であるノボラック樹脂が好適に用いられる。即ち、下記に挙げられるフェノール性水酸基を有する樹脂や化合物のフェノール性水酸基の水素原子を上記１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換したものが（Ｂ）成分として好適に用いられる。
Figure 0007335217000025
ここで、Ｒ１０１～Ｒ１０６はそれぞれ独立して水素原子、メチル基、下記式（２２）で示される基又は下記式（２３）で示される基である。ｗは０～２の整数、ｚは０～２の整数であり、ｚが０の場合、ｗは１又は２である。Ｅは、ｚが０でかつｗが１の場合、水素原子、メチル基、又は下記式（２２）で示される基であり、ｚが０でかつｗが２の場合、一方がメチレン基又は下記式（２４）で示される基で、他方が水素原子、メチル基又は下記式（２２）で示される基、ｚが１の場合、メチレン基又は下記式（２４）で示される基である。ｚが２の場合、ｗが１のとき、Ｅはメチン基又は下記式（２５）で示される基、ｗが２のときはＥの一方がメチレン基又は下記式（２４）で示される基で、他方がメチン基又は下記式（２５）で示される基である。
Figure 0007335217000026
 （式中、ａ１、ａ２、ａ３、ａ４、ａ５、ａ６、及びａ７はそれぞれ０～３の整数であるが、ａ１＋ａ２≦５、ａ３＋ａ４≦４、ａ６＋ａ７≦３である。）
この場合、上記式（２１）の低核体（バラスト分子）は、ベンゼン環の数が２～２０個、より好ましくは２～１０個、更に好ましくは３～６個であり、且つ、フェノール性水酸基の数とベンゼン環の数の比率が０．５～２．５、より好ましくは０．７～２．０、更に好ましくは０．８～１．５のものであることが好適である。
このような低核体（バラスト分子）として具体的には、下記のものが挙げられる。
Figure 0007335217000027
Figure 0007335217000028
Figure 0007335217000029
Figure 0007335217000030
Figure 0007335217000031
Figure 0007335217000032
Figure 0007335217000033
上記例示された低核体（バラスト分子）の中で、（Ｂ－３）、（Ｂ－２９）、（Ｂ－３３）、（Ｂ－３８）等が好適に用いられ、これらのバラスト分子のフェノール性水酸基の水素原子を１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換した化合物が、本発明の感光性樹脂組成物の（Ｂ）成分に好適に用いられる。
Figure 0007335217000034
 （式中、ｍｍは０～３の整数である。）
上記式（２６）で示される繰り返し単位を有するノボラック樹脂は、下記式（２７）で示されるフェノール類、具体的にはｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、３，５－キシレノール等の少なくとも１種のフェノール類とアルデヒド類とを通常の方法で縮合させることにより合成することができる。
Figure 0007335217000035
 （式中、ｍｍは０～３の整数である。）
この場合、アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等が挙げられるが、ホルムアルデヒドが好適である。
なお、上記式（２７）で示されるフェノール類とアルデヒド類との割合は、モル比で０．２～２、特に０．３～２の割合が好ましい。
上記１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基が導入される化合物への１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基の導入方法としては、１，２－ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドとフェノール性水酸基との塩基触媒による脱塩酸縮合反応を用いることが好ましい。上記式（２１）で示されるバラスト分子、トリヒドロキシベンゾフェノン又はテトラヒドロキシベンゾフェノンの場合には、フェノール性水酸基の水素原子を１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換する割合は１０～１００モル％、好ましくは５０～１００モル％であり、上記式（２６）で示される繰り返し単位を有するノボラック樹脂の場合、フェノール性水酸基の水素原子を１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換する割合は２～５０モル％、好ましくは３～２７モル％が好ましい。
（Ｂ）成分の添加量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１～５０質量部、より好ましくは１０～４０質量部であることが好ましい。また、（Ｂ）成分の１種類又は２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
このような（Ｂ）成分を配合することで、露光前においては（Ｂ）成分の溶解阻止性によってアルカリ水溶液に対する溶解性が抑制され、系はアルカリ不溶性となり、露光した際には（Ｂ）成分の感光剤は光により酸を発生させ、アルカリ水溶液に対する溶解速度が増大して、系はアルカリ可溶性となる。
即ち、現像液にアルカリ水溶液を用いた場合、未露光部は現像液に溶解することがなく、露光部は現像液に可溶であることから、ポジ型のパターンを形成することが可能となる。
（ネガ型感光性樹脂組成物）
また本発明においてネガ型感光性樹脂組成物を構築するためには、（Ｂ）成分は光により酸を発生する化合物が好ましい。（Ｂ）成分から発生する酸を触媒として、後述する（Ｅ）成分の架橋基が（Ａ）成分の樹脂と架橋することによって、ネガ型の感光性樹脂組成物を成すことができる。
（Ｂ）成分、光酸発生剤としては、波長１９０～５００ｎｍの光照射により酸を発生し、これが硬化触媒となるものを用いることができる。例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β－ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド－イル－スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、トリアジン誘導体等が挙げられる。
上記オニウム塩としては、例えば、下記一般式（２８）で示される化合物が挙げられる。
（Ｒ３２）ｊ１Ｍ＋Ｋ－ （２８）
（式中、Ｒ３２は置換基を有してもよい炭素数１～１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、炭素数６～１２のアリール基又は炭素数７～１２のアラルキル基を表し、Ｍ＋はヨードニウム又はスルホニウムを表し、Ｋ－は非求核性対向イオンを表し、ｊ１は２又は３を表す。）
上記Ｒ３２において、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、２－オキソシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基；ｏ－、ｍ－又はｐ－メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｍ－又はｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基；２－、３－又は４－メチルフェニル基、エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等の各基が挙げられる。
Ｋ－の非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン；トリフレートイオン、１，１，１－トリフルオロエタンスルホネートイオン、ノナフルオロブタンスルホネートイオン等のフルオロアルキルスルホネートイオン；トシレートイオン、ベンゼンスルホネートイオン、４－フルオロベンゼンスルホネートイオン、１，２，３，４，５－ペンタフルオロベンゼンスルホネートイオン等のアリールスルホネートイオン；メシレートイオン、ブタンスルホネートイオン等のアルキルスルホネートイオン等が挙げられる。
ジアゾメタン誘導体としては、下記一般式（２９）で示される化合物が挙げられる。
Figure 0007335217000036
 （式中、Ｒ３３は同一でも異なってもよく、炭素数１～１２の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基、炭素数６～１２のアリール基もしくはハロゲン化アリール基、又は炭素数７～１２のアラルキル基を表す。）
上記Ｒ３３において、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、１，１，１－トリフルオロエチル基、１，１，１－トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基；ｏ－、ｍ－又はｐ－メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｍ－又はｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基；２－、３－又は４－メチルフェニル基、エチルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、４－ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基等が挙げられる。ハロゲン化アリール基としては、例えば、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、１，２，３，４，５－ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
このような光酸発生剤としては、具体的には、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ジフェニル（４－チオフェノキシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、［４－（４－ビフェニリルチオ）フェニル］－４－ビフェニリルフェニルスルホニウムトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド、テトラキス（フルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルスルホニウム、テトラキス（フルオロフェニル）ホウ酸トリス［４－（４－アセチルフェニル）チオフェニル］スルホニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルスルホニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリス［４－（４－アセチルフェニル）チオフェニル］スルホニウム等のオニウム塩；ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロへキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、１－シクロへキシルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１－シクロヘキシルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、１－ｔｅｒｔ－アミルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体；ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジシクロへキシルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジシクロへキシルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（メタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（トリフルオロメタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（１，１，１－トリフルオロエタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｔｅｒｔ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（パーフルオロオクタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（シクロヘキサンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－フルオロベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（キシレンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（カンファースルホニル）－α－ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体；α－（ベンゼンスルホニウムオキシイミノ）－４－メチルフェニルアセトニトリル等のオキシムスルホネート誘導体；２－シクロヘキシルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン、２－イソプロピルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン等のβ－ケトスルホン誘導体；ジフェニルジスルホン、ジシクロへキシルジスルホン等のジスルホン誘導体；ｐ－トルエンスルホン酸２，６－ジニトロベンジル、ｐ－トルエンスルホン酸２，４－ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体；１，２，３－トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリス（ｐ－トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体；フタルイミド－イル－トリフレート、フタルイミド－イル－トシレート、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミド－イル－トリフレート、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミド－イル－トシレート、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミド－イル－ｎ－ブチルスルホネート、ｎ－トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド等のイミド－イル－スルホネート誘導体；（５－（４－メチルフェニル）スルホニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、（５－（４－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）フェニルスルホニルオキシイミノ）－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）－アセトニトリル等のイミノスルホネート誘導体、２－［２－（フラン－２－イル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（５－メチルフラン－２－イル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（メトキシフェニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（４－メトキシフェニル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（３，４－ジメトキシフェニル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン等のトリアジン誘導体、２－メチル－２［（４－メチルフェニル）スルホニル］－１－［（４－メチルチオ）フェニル］－１－プロパン等が挙げられる。これらの中でも、イミド－イル－スルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体等が好適に用いられる。上記光酸発生剤は１種又は２種以上を用いることができる。
上記（Ｂ）成分の光酸発生剤の配合量は、光酸発生剤自身の光吸収及び厚膜での光硬化性の観点から、本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０５～２０質量部が好ましく、特に０．２～５質量部が好ましい。
また別の形態のネガ型感光性樹脂組成物において（Ｂ）成分は光ラジカル開始剤であることができる。このような（Ｂ）成分を用いることで、樹脂を架橋して不溶化することができる。光ラジカル開始剤としては、ＵＶ硬化用の光重合開始剤として従来用いられている化合物を任意に選択できる。例えば、光ラジカル開始剤としては、ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体；２，２’－ジエトキシアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル－β－メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体；１－フェニル－１，２－ブタンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－３－エトキシプロパントリオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム等のオキシム類；Ｎ－フェニルグリシン等のＮ－アリールグリシン類；ベンゾイルパークロライド等の過酸化物類；芳香族ビイミダゾール類等が好ましく挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらは、１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。上記の光ラジカル開始剤の中では、特に光感度の点で、オキシム類がより好ましい。
光酸発生剤と光ラジカル開始剤は、必要に応じて、それぞれ単独で用いても、組み合わせて用いてもよい。
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分の樹脂１００質量部に対し、０．１質量部～２０質量部が好ましく、光感度特性の観点から２質量部～１５質量部がより好ましい。（Ｂ）成分を（Ａ）成分１００質量部に対し０．１質量部以上配合することで、得られるネガ型感光性樹脂組成物は光感度に優れ、一方で、２０質量部以下配合することで得られるネガ型感光性樹脂組成物は厚膜硬化性に優れる。
［（Ｃ）界面活性剤］
本発明の感光性樹脂組成物は下記平均組成式（１）で表される構造単位を含む界面活性剤を含有する。下記平均組成式（１）で表される構造単位を含むことで、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物のいずれにおいても塗布時の膜厚均一性に優れ、厚膜形成時の塗布欠陥を低減することができる。
Figure 0007335217000037
 （式中、Ｙ１、Ｙ２はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、フェニル基もしくは下記一般式（２）で示される基であって、Ｙ１、Ｙ２のうち少なくとも一つは下記一般式（２）で示される基であり、Ｒ１～Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基であり、ｌ、ｎはそれぞれ独立に１～１００の整数、ｍは０～１００の整数である。）
Figure 0007335217000038
 （式中、点線は結合を表し、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１はそれぞれ独立に炭素数２～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基（ただし、Ｒ１０はＲ１１と異なる）であり、Ｒ１２は炭素数２～１０の３価の炭化水素基であり、Ｒ１３は（ＯＲ１０）、（ＯＲ１１）、（ＯＲ１２）から選ばれる１つ以上の繰り返し単位を有する構造を表し、Ｒ１４は水酸基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエーテル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキルエーテル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエステル基であり、ａは１～５０の整数、ｂは０～５０の整数、ｃは０～５０の整数、ｄは１～２０の整数である。－ＯＲ１０－、－ＯＲ１１－、－ＯＲ１２（Ｒ１３）－の順序についてはランダムであってもよい。）
上記平均組成式（１）中、Ｒ１～Ｒ６はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。Ｒ１～Ｒ６の具体的な例としては、上記一般式（１４）中のＲ１９～Ｒ２２の具体例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
上記一般式（２）中、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１はそれぞれ独立に炭素数２～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基（ただし、Ｒ１０はＲ１１と異なる）であり、Ｒ１２は炭素数２～１０の３価の炭化水素基であり、Ｒ１３は（ＯＲ１０）、（ＯＲ１１）、（ＯＲ１２）から選ばれる１つ以上の繰り返し単位を有する構造を表し、Ｒ１４は水酸基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエーテル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキルエーテル基、炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエステル基である。Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１は炭素数２～４の直鎖状または分岐状のアルキレン基が好ましく、Ｒ１２は炭素数２～４の３価の炭化水素基が好ましい。
上記平均組成式（１）中、ｌ、ｎはそれぞれ独立に１～１００の整数、ｍは０～１００の整数であるが、ｌは１～５０の整数が好ましく、１～３０の整数がより好ましく、ｎは１０～５０の整数が好ましく、１０～３０の整数がより好ましく、ｍは０～５０の整数が好ましく、０～３０の整数がより好ましい。ｍが０でない場合、ｍは１～５の整数が好ましい。ｌ、ｍ、ｎを上記範囲とすることで、塗布時の膜厚均一性を向上させ、厚膜形成時の消泡性を向上させることができる。
上記一般式（２）中、ａは１～５０の整数、ｂは０～５０の整数、ｃは０～５０の整数、ｄは１～２０の整数であるが、ａは１０～３０の整数が好ましく、ｂは１０～３０の整数が好ましく、ｃは０～２０の整数であることが好ましい。ａ、ｂ、ｃを上記範囲とすることで、溶媒への十分な溶解性を持ち、かつシロキサン構造との適度なバランスとなり、塗布時の膜厚均一性を向上させ、厚膜形成時の消泡性を向上させることができる。ａ、ｂ、ｃが上記範囲の上限値より大きい場合、シロキサン構造の含有率が小さくなるため、消泡性や界面活性剤としての機能が低下してしまう。また、ａ、ｂ、ｃが上記範囲の下限値より小さい場合、ポリオキシアルキレン基の含有率が小さくなるため、溶媒への溶解性が低下することがある。
上記平均組成式（１）で表される構造単位を含む界面活性剤の具体例としては下記式（Ｃ－１）～（Ｃ－１５）で示される化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure 0007335217000039
Figure 0007335217000040
 （式中の点線のうち、シロキサン鎖中の点線は、（Ｒ１Ｒ２Ｙ２ＳｉＯ１／２）、（Ｒ３Ｙ１ＳｉＯ２／２）、（Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ２／２）もしくは（Ｒ４ＳｉＯ３／２）との結合を表し、ポリオキシアルキレン鎖中の点線は、Ｒ１０、Ｒ１１もしくはＲ１２との結合を表す。）
（Ｃ）成分の界面活性剤は、疎水性であるシロキサン鎖とその側鎖に親水性であるポリオキシアルキレン部分を有する。シロキサン鎖を構成する各単位の組み合わせとそれぞれの比率、一般式（２）で示される親水性基の構造、位置（末端又は側鎖）、平均組成式（１）及び一般式（２）中の置換基を適切に調整することにより、溶媒への十分な溶解性を持ち、かつシロキサン構造との適度なバランスとなり、塗布時の膜厚均一性を向上させ、厚膜形成時の消泡性を向上させることができ、塗布時の膜厚均一性に優れ、厚膜形成時の塗布欠陥が低減された感光性樹脂組成物となる。
［（Ｅ）架橋剤］
本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じて、（Ｅ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式（Ｅ－１）で示される置換基に置換した化合物、及び下記式（Ｅ－２）で示されるグリシジル基を有した窒素原子を２つ以上含有した化合物から選ばれる１種又は２種以上の架橋剤を含むことができる。
Figure 0007335217000041
 （式中、点線は結合を示し、Ｒｆは炭素数１～６の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を示し、ｓは１又は２を表す。）
上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性されたアミノ縮合物としては、例えばホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性されたメラミンもしくはメラミン縮合物、又はホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性された尿素縮合物が挙げられる。
上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性されたメラミン縮合物の調製は、例えば、まず公知の方法に従ってメラミンモノマーをホルマリンでメチロール化して変性するか、又はこれをさらにアルコールでアルコキシ化して変性して、下記一般式（３０）で示される変性メラミンとする。なお、上記アルコールとしては、低級アルコール、例えば炭素数１～４のアルコールが好ましい。
Figure 0007335217000042
 （式中、Ｒ３４は同一でも異なってもよく、メチロール基、炭素数１～４のアルコキシ基を含むアルコキシメチル基又は水素原子であるが、少なくとも１つはメチロール基又は上記アルコキシメチル基である。）
上記Ｒ３４としては、例えば、メチロール基、メトキシメチル基、エトキシメチル基等のアルコキシメチル基及び水素原子等が挙げられる。
上記一般式（３０）で示される変性メラミンとして、具体的にはトリメトキシメチルモノメチロールメラミン、ジメトキシメチルモノメチロールメラミン、トリメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチロールメラミン等が挙げられる。次いで、上記一般式（３０）で示される変性メラミン又はこの多量体（例えば二量体、三量体等のオリゴマー体）を、常法に従って、ホルムアルデヒドと所望の分子量になるまで付加縮合重合させて、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性されたメラミン縮合物が得られる。
また、上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性された尿素縮合物の調製は、例えば公知の方法に従って、所望の分子量の尿素縮合物をホルムアルデヒドでメチロール化して変性し、又はこれをさらにアルコールでアルコキシ化して変性する。
上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性された尿素縮合物の具体例としては、例えば、メトキシメチル化尿素縮合物、エトキシメチル化尿素縮合物、プロポキシメチル化尿素縮合物等が挙げられる。
なお、これら変性メラミン縮合物及び変性尿素縮合物の１種又は２種以上を混合して使用することもできる。また、上記変性メラミンも（Ｅ）成分として用いることができる。
次いで、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基（アルコキシメチル基）を有するフェノール化合物としては、例えば（２－ヒドロキシ－５－メチル）－１，３－ベンゼンジメタノール、２，２’，６，６’－テトラメトキシメチルビスフェノールＡ、下記式（Ｅ－３）～（Ｅ－７）で示される化合物等が挙げられる。
Figure 0007335217000043
なお、上記架橋剤は１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
一方、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物としては、ビスフェノールＡ、トリス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１－トリス（４－ヒドロキシフェニル）エタンの水酸基を塩基存在下エピクロロヒドリンと反応することで得られる化合物を挙げることができる。多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物の好適な例としては、下記式（Ｅ－８）～（Ｅ－１４）で示される化合物を挙げることができる。
Figure 0007335217000044
 （式中、ｔは、２≦ｔ≦３である。）
これら多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物（多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物）の１種又は２種以上を、架橋剤として使用することができる。
多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式（Ｅ－１）で示される置換基に置換した化合物としては、該置換基を２つ以上含有し、下記式（Ｅ－１５）で示されるものを挙げることができる。
Figure 0007335217000045
 （式中、点線は結合を示す。）
Figure 0007335217000046
 （式中、１≦ｕ≦３である。）
一方、下記式（Ｅ－２）で示されるグリシジル基を有した窒素原子を２つ以上含有した化合物としては、下記式（Ｅ－１６）で示されるものを挙げることができる。
Figure 0007335217000047
 （式中、点線は結合を示し、Ｒｆは炭素数１～６の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を示し、ｓは１又は２を表す。）
Figure 0007335217000048
 （式中、Ｇは炭素数２～１２の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、又は２価の芳香族基を示す。）
上記式（Ｅ－１６）で示される化合物としては、例えば下記式（Ｅ－１７）～（Ｅ－２０）で示される化合物を例示することができる。
Figure 0007335217000049
また一方、上記式（Ｅ－２）で示されるグリシジル基を有した窒素原子を２つ以上含有した化合物としては、下記式（Ｅ－２１）で示される化合物を好適に用いることができる。
Figure 0007335217000050
これら上記式（Ｅ－２）で示されるグリシジル基を有した窒素原子を２つ以上含有した化合物は、１種又は２種以上を架橋剤として使用することができる。
（Ｅ）成分は、本発明のポジ型感光性樹脂組成物の場合、パターン形成後、後硬化において架橋反応を起こし、硬化物の強度をさらに上げる成分である。またネガ型感光性樹脂組成物の場合（Ｅ）成分は、上述した通り、（Ｂ）成分から発生する酸を触媒として、（Ｅ）成分の架橋基が（Ａ）成分の樹脂と架橋することによって、ネガ型のパターンを形成できることはもとより、パターン形成後、後硬化において架橋反応を起こし、硬化物の強度をさらに上げる成分である。そのような（Ｅ）成分の重量平均分子量は、光硬化性及び耐熱性の観点から、１５０～１０，０００が好ましく、特に２００～３，０００のものが好ましい。
（Ｅ）成分の配合量は、本発明の感光性樹脂組成物において、（Ａ）成分１００質量部に対して０．５～５０質量部が好ましく、特に１～３０質量部が好ましい。
［（Ｄ）溶剤］
本発明の感光性樹脂組成物は（Ｄ）溶剤を含むものである。（Ｄ）成分の溶剤は、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物のいずれにも含まれ、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び含まれる場合には（Ｅ）成分を溶解するものであれば、特に限定されない。溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル－２－ｎ－アミルケトン等のケトン類；３－メトキシブタノール、３－メチル－３－メトキシブタノール、１－メトキシ－２－プロパノール、１－エトキシ－２－プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピレングリコール－モノ－ｔｅｒｔ－ブチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン等のエステル類；Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド系の溶剤が挙げられ、これらの１種以上を用いることができる。特に、乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン又はそれらの混合溶剤が好ましい。
（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び含まれる場合には（Ｅ）成分の配合量の合計１００質量部に対して５０～２，０００質量部が好ましく、特に１００～ｌ，０００質量部が好ましい。
［その他の成分］
また、本発明の感光性樹脂組成物において、必須の（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分以外の成分をさらに含有してもよい。その他の成分としては、例えば、上記（Ｅ）成分の他、（Ｆ）熱によって酸を発生する化合物、（Ｇ）酸化防止剤、（Ｈ）シラン化合物、（Ｉ）塩基性化合物、（Ｊ）保護アミン化合物、（Ｋ）溶解阻害剤、（Ｌ）ラジカル重合性化合物等を挙げることができる。
（（Ｆ）熱によって酸を発生する化合物）
（Ｆ）成分の熱によって酸を発生する化合物は、上記のパターン形成後施される温度１００～３００℃において加熱、後硬化する工程において、熱的に（Ａ）成分と（Ｅ）成分との架橋反応を促す目的で加えることができる。
特に（Ｆ）成分としては、現像によってパターンが形成されるまでは膜の硬化を促さず、パターン形成を阻害しないものが好ましい。これを実現するために、（Ｆ）成分は、感光性樹脂組成物を塗膜した後、溶媒を除去、乾燥する工程の温度では酸を発生せず、パターン形成後の熱処理により初めて酸を発生してポジ型感光性樹脂組成物のパターンや被膜の硬化を促すものが好ましい。具体的には、１００℃～３００℃、好ましくは１５０℃～３００℃の熱処理によって分解し、酸を発生する化合物であることが好ましい。そのような（Ｆ）成分を含有することにより、ポジ型感光性樹脂組成物のパターンや被膜をパターン形成後施される温度１００～３００℃において加熱、後硬化の工程において、架橋、硬化反応がより進んだパターン、被膜に変化させることができる。（Ｆ）成分は、架橋、硬化反応をより一層進行させることで、得られたパターンもしくは被膜の機械的強度、耐薬品性、密着性等をより一層向上させることを可能とする。
好適な熱によって酸を発生する化合物としては、特開２００７－１９９６５３号公報の段落［００６１］～［００８５］に記載された化合物を用いることができる。
熱によって酸を発生する化合物の配合量は、本発明の感光性樹脂組成物における（Ａ）成分１００質量部に対して好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは０．５質量部以上であり、また、好ましくは３０質量部以下、より好ましくは１０質量部以下である。
（（Ｇ）酸化防止剤）
（Ｇ）成分の酸化防止剤を含むことで、（Ａ）成分の脂肪族基やフェノール性水酸基の酸化劣化を抑制する。また、金属材料への防錆作用により、外部からの水分や光酸発生剤、熱酸発生剤などによる金属酸化やそれに伴う密着低下や剥離を抑制することができる。
ここで使用可能な酸化防止剤の具体例を列挙すると、ヒンダードフェノール系酸化防止剤や、リン系酸化防止剤、キノン系酸化防止剤及び硫黄系酸化防止剤が好ましく挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。また、これらの酸化防止剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
上記酸化防止剤の具体例のうち、更に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤を例示すると、ペンタエリトリトールテトラキス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオナート］（ＢＡＳＦジャパン（株）、イルガノックス１０１０（商品名））、チオジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオナート］（ＢＡＳＦジャパン（株）、イルガノックス１０３５（商品名））、オクタデシル［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオナート］（ＢＡＳＦジャパン（株）、イルガノックス１０７６（商品名））、オクチル１－３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロ肉桂酸（ＢＡＳＦジャパン（株）製、イルガノックス１１３５（商品名））、４，６－ビス（オクチルチオメチル－ｏ－クレゾール）（ＢＡＳＦジャパン（株）、イルガノックス１５２０Ｌ）、スミライザーＧＡ８０（住友化学（株）製、商品名）、アデカスタブ ＡＯ－２０（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、アデカスタブ ＡＯ－３０（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、アデカスタブ ＡＯ－４０（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、アデカスタブ ＡＯ－５０（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、アデカスタブ ＡＯ－６０（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、アデカスタブ ＡＯ－８０（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、アデカスタブ ＡＯ－３３０（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、ＷＯ２０１７／１８８１５３Ａ１に記載のヒンダードフェノール系酸化防止剤などが挙げられる。
上記酸化防止剤の具体例のうち、更に、リン系酸化防止剤を例示すると、トリフェニルホスファイト、トリス（メチルフェニル）ホスファイト、トリイソオクチルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリス（２－エチルヘキシル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（オクチルフェニル）ホスファイト、トリス［デシルポリ（オキシエチレン）］ホスファイト、トリス（シクロヘキシルフェニル）ホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイト、トリ（デシル）チオホスファイト、トリイソデシルチオホスファイト、フェニル－ビス（２－エチルヘキシル）ホスファイト、フェニル－ジイソデシルホスファイト、テトラデシルポリ（オキシエチレン）－ビス（エチルフェニル）ホスファイト、フェニル－ジシクロヘキシルホスファイト、フェニル－ジイソオクチルホスファイト、フェニル－ジ（トリデシル）ホスファイト、ジフェニル－シクロヘキシルホスファイト、ジフェニル－イソオクチルホスファイト、ジフェニル－２－エチルヘキシルホスファイト、ジフェニル－イソデシルホスファイト、ジフェニル－シクロヘキシルフェニルホスファイト、ジフェニル－（トリデシル）チオホスファイトなどが挙げられる。
上記酸化防止剤の具体例のうち、更に、硫黄系酸化防止剤を例示すると、アデカスタブ ＡＯ－４１２Ｓ（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、ＡＯ－５０３Ｓ（（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名）、スミライザーＴＰ－Ｄ（住友化学（株）製、商品名）などが挙げられる。
硫黄系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤としては、過酸化物を分解する効果が期待できる。
また、（Ｇ）の酸化防止剤の含有量は、（Ａ）成分の樹脂１００質量部に対し、０．１～１０質量部が好ましく、０．２～５質量部がより好ましい。含有量が０．１質量部以上であることで、金属材料に対する密着性を向上するとともに剥離が抑制される。また含有量が１０質量部以下であることで、組成物の現像性や硬化膜の靭性が劣化しない。
（（Ｈ）シラン化合物）
（Ｈ）成分のシラン化合物は、これを含むことで、金属材料に対する密着性を向上するだけでなく、熱衝撃試験や高温高湿試験といった信頼性試験における硬化膜の剥離を抑制することができる。
ここで使用可能なシラン化合物は、アルコキシシリル基を有するものであれば、いずれでもかまわない。また、好適な具体例を以下に示す。γ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピル－トリエトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシシリルプロピルエチルカルバメート、３－（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチルブチリデン）プロピルアミン、特許６４１４０６０に記載のアミド基含有のシラン化合物、ＷＯ２０１６／１４００２４、及び特許５９８７９８４に記載のチオウレア基含有のシラン化合物、特許２０１７―０４４９６４に記載のチオ―ル基含有のシラン化合物などが挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。更に、これらのシラン化合物は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
また、（Ｈ）のシラン化合物の含有量は、（Ａ）成分の樹脂１００質量部に対して０．１～２０質量部が好ましく、１～１０質量部がより好ましく、３～６質量部が更に好ましい。０．１質量部以上であると、基板とのより充分の密着性を付与することができ、２０質量部以下になると室温保存時においての粘度上昇等の問題をより抑制できる。また、含有量が１０質量部以下であることで、組成物の現像性が劣化せず、現像残渣を引き起こすことがない。
（（Ｉ）塩基性化合物）
（Ｉ）成分の塩基性化合物は、これを含むことで、光酸発生剤より発生する酸がレジスト皮膜を拡散する際の拡散速度を抑制することができる。ネガ型感光性樹脂組成物の場合、上記塩基性化合物の配合により、解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制し、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターン形状等を改善することができる。
上記塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、さらに、下記一般式（３１）で示される化合物等が挙げられる。
Ｎ（α）ｑ（β）３－ｑ （３１）
式中、ｑは１、２、又は３である。側鎖αは同一でも異なっていてもよく、下記一般式（３２）～（３４）で示されるいずれかの置換基である。側鎖βは同一でも異なっていてもよく、水素原子、又は直鎖状、分岐状もしくは環状の炭素数１～２０のアルキル基を示し、エーテル結合もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、側鎖α同士が結合して環を形成してもよい。
Figure 0007335217000051
ここで、Ｒ３００、Ｒ３０２、Ｒ３０５は炭素数１～４の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、Ｒ３０１、Ｒ３０４は水素原子又は炭素数１～２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、ヒドロキシル基、エーテル結合、エステル結合、ラクトン環を１あるいは複数含んでいてもよい。Ｒ３０３は単結合又は炭素数１～４の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、Ｒ３０６は炭素数１～２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、ヒドロキシル基、エーテル結合、エステル結合、ラクトン環を１あるいは複数含んでいてもよい。なお、＊は結合末端を示す。
第一級の脂肪族アミン類としては、例えばアンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ－ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ－アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示される。
第二級の脂肪族アミン類としては、例えばジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ－ｓｅｃ－ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。
第三級の脂肪族アミン類としては、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ－ｎ－プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ－ｎ－ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ－ｓｅｃ－ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。
混成アミン類としては、例えば、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。
芳香族アミン類及び複素環アミン類としては、例えばアニリン誘導体（例えば、アニリン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ－プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、２－メチルアニリン、３－メチルアニリン、４－メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２－ニトロアニリン、３－ニトロアニリン、４－ニトロアニリン、２，４－ジニトロアニリン、２，６－ジニトロアニリン、３，５－ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ－トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体（例えば、ピロール、２Ｈ－ピロール、１－メチルピロール、２，４－ジメチルピロール、２，５－ジメチルピロール、Ｎ－メチルピロール等）、オキサゾール誘導体（例えば、オキサゾール、イソオキサゾール等）、チアゾール誘導体（例えば、チアゾール、イソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えば、イミダゾール、４－メチルイミダゾール、４－メチル－２－フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えば、ピロリン、２－メチル－１－ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えば、ピロリジン、Ｎ－メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えば、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４－（１－ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３－メチル－２－フェニルピリジン、４－ｔｅｒｔ－ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１－メチル－２－ピリジン、４－ピロリジノピリジン、１－メチル－４－フェニルピリジン、２－（１－エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ－インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えば、キノリン、３－キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０－フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
カルボキシル基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体（例えば、ニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３－アミノピラジン－２－カルボン酸、メトキシアラニン等）等が例示される。
スルホニル基を有する含窒素化合物としては、例えば３－ピリジンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示される。
ヒドロキシル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、例えば２－ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４－キノリンジオール、３－インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’－イミノジエタノール、２－アミノエタノール、３－アミノ－１－プロパノール、４－アミノ－１－ブタノール、４－（２－ヒドロキシエチル）モルホリン、２－（２－ヒドロキシエチル）ピリジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン、１－［２－（２－ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエタノール、１－（２－ヒドロキシエチル）ピロリジン、１－（２－ヒドロキシエチル）－２－ピロリジノン、３－ピペリジノ－１，２－プロパンジオール、３－ピロリジノ－１，２－プロパンジオール、８－ヒドロキシユロリジン、３－クイヌクリジノール、３－トロパノール、１－メチル－２－ピロリジンエタノール、１－アジリジンエタノール、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）イソニコチンアミド等が例示される。
アミド誘導体としては、例えばホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。
イミド誘導体としては、例えばフタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
上記一般式（３１）で示される化合物としては、例えばトリス［２－（メトキシメトキシ）エチル］アミン、トリス［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］アミン、トリス［２－（２－メトキシエトキシメトキシ）エチル］アミン、トリス［２－（１－メトキシエトキシ）エチル］アミン、トリス［２－（１－エトキシエトキシ）エチル］アミン、トリス［２－（１－エトキシプロポキシ）エチル］アミン、トリス［２－｛２－（２－ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、４，７，１３，１６，２１，２４－ヘキサオキサ－１，１０－ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサン、４，７，１３，１８－テトラオキサ－１，１０－ジアザビシクロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１０，１３－テトラオキサ－７，１６－ジアザビシクロオクタデカン、１－アザ－１２－クラウン－４、１－アザ－１５－クラウン－５、１－アザ－１８－クラウン－６、トリス（２－ホルミルオキシエチル）アミン、トリス（２－アセトキシエチル）アミン、トリス（２－プロピオニルオキシエチル）アミン、トリス（２－ブチリルオキシエチル）アミン、トリス（２－イソブチリルオキシエチル）アミン、トリス（２－バレリルオキシエチル）アミン、トリス（２－ピバロイルオキシエチル）アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－（アセトキシアセトキシ）エチルアミン、トリス（２－メトキシカルボニルオキシエチル）アミン、トリス（２－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルオキシエチル）アミン、トリス［２－（２－オキソプロポキシ）エチル］アミン、トリス［２－（メトキシカルボニルメチル）オキシエチル］アミン、トリス［２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス［２－（シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス（２－メトキシカルボニルエチル）アミン、トリス（２－エトキシカルボニルエチル）アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－（２－メトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－（２－メトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－（２－ヒドロキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－（２－アセトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－［（メトキシカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－［（メトキシカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－（２－オキソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－（２－オキソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－［（２－オキソテトラヒドロフラン－３－イル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－アセトキシエチル）２－［（２－オキソテトラヒドロフラン－３－イル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）２－（４－ヒドロキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ホルミルオキシエチル）２－（４－ホルミルオキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ホルミルオキシエチル）２－（２－ホルミルオキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－メトキシエチル）２－（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）ビス［２－（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－（２－アセトキシエチル）ビス［２－（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）ビス［２－（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－（２－アセトキシエチル）ビス［２－（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－（３－ヒドロキシ－１－プロピル）ビス［２－（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－（３－アセトキシ－１－プロピル）ビス［２－（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－（２－メトキシエチル）ビス［２－（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－ブチルビス［２－（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－ブチルビス［２－（２－メトキシエトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ－メチルビス（２－アセトキシエチル）アミン、Ｎ－エチルビス（２－アセトキシエチル）アミン、Ｎ－メチルビス（２－ピバロイルオキシエチル）アミン、Ｎ－エチルビス［２－（メトキシカルボニルオキシ）エチル］アミン、Ｎ－エチルビス［２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルオキシ）エチル］アミン、トリス（メトキシカルボニルメチル）アミン、トリス（エトキシカルボニルメチル）アミン、Ｎ－ブチルビス（メトキシカルボニルメチル）アミン、Ｎ－ヘキシルビス（メトキシカルボニルメチル）アミン、β－（ジエチルアミノ）－δ－バレロラクトンが例示できるが、これらに制限されない。上記塩基性化合物は１種又は２種以上を用いることができる。
上記塩基性化合物の配合量は、感度の観点から、本発明の感光性樹脂組成物において、（Ａ）成分１００質量部に対して０～３質量部が好ましく、特に０．０１～１質量部が好ましい。
（（Ｊ）保護アミン化合物）
本発明の感光性樹脂組成物は（Ｊ）成分の保護アミン化合物を含むことができる。（Ｅ）成分の架橋剤が反応性の高いものの場合、アミン化合物を直接添加すると、室温下で（Ｅ）成分とアミン化合物が反応し、経時的に組成物の粘度が増粘し、保存安定性が劣化する懸念がある。一方、保護基によって、塩基性基が保護されたアミン化合物ならば、（Ｅ）成分の架橋剤とは室温下で反応することがないため、感光性樹脂組成物の経時的な保存安定性を高めることができる。また、加熱した際に初めて塩基が発生するので、（Ａ）成分の１種であるイミド前駆体の閉環反応や（Ａ）成分の樹脂と（Ｅ）成分の架橋剤との架橋反応の触媒となり、架橋反応を効果的に促進することができる。
（Ｊ）成分の保護アミン化合物は、熱または酸で脱保護する基が窒素原子に結合した含窒素有機化合物であれば、いずれでもかまわない。特に、下記一般式（３５）、又は（３６）で表されるカルバメート構造を有するものであれば特に限定されない。
Figure 0007335217000052
 ここで、式中、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７及びＲ３８は、それぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数３～８のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１～８のアルコキシル基、置換基を有していてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２～８のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３９及びＲ４０は、それぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数３～８のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１～８のアルコキシル基、置換基を有していてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２～８のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を示す。（但し、式中の炭素原子の合計の数が１０以下である）
また、Ｒ４１は、置換基を有していてもよい炭素数１～１２のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～１２のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２～１２のアルキニル基、炭素数１～３のアルキル基を置換基として有していてもよいアリール基、炭素数１～３のアルキル基を置換基として有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよい複素環基を示す。（但し、Ｒ４１を構成する炭素原子の合計の数は、１２以下とする。）上記基が有していてもよい置換基としては、目的に応じていかなるものを用いてもよい。
上記式（３５）及び（３６）の具体的な一例としては、以下のものを挙げることができる。例えば、Ｎ－（イソプロポキシカルボニル）－２，６－ジメチルピペリジン、Ｎ－（イソプロポキシカルボニル）－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、Ｎ－（イソプロポキシカルボニル）ジイソプロピルアミン、Ｎ－（イソプロポキシカルボニル）ピロリジン、Ｎ－（イソプロポキシカルボニル）－２，５－ジメチルピロリジン、Ｎ－（イソプロポキシカルボニル）－アゼチヂン、Ｎ－（１－エチルプロポキシカルボニル）－２，６－ジメチルピペリジン、Ｎ－（１－エチルプロポキシカルボニル）－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、Ｎ－（１－エチルプロポキシカルボニル）ジイソプロピルアミン、Ｎ－（１－エチルプロポキシカルボニル）ピロリジン、Ｎ－（１－エチルプロポキシカルボニル）－２，５－ジメチルピロリジン、Ｎ－（１－エチルプロポキシカルボニル）－アゼチヂン、Ｎ－（１－プロピルブトキシカルボニル）－２，６－ジメチルピペリジン、Ｎ－（１－プロピルブトキシカルボニル）－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、Ｎ－（１－プロピルブトキシカルボニル）ジイソプロピルアミン、Ｎ－（１－プロピルブトキシカルボニル）ピロリジン、Ｎ－（１－プロピルブトキシカルボニル）－２，５－ジメチルピロリジン、Ｎ－（１－プロピルブトキシカルボニル）－アゼチヂン、Ｎ－（シクロペントキシカルボニル）－２，６－ジメチルピペリジン、Ｎ－（シクロペントキシカルボニル）－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、Ｎ－（シクロペントキシカルボニル）ジイソプロピルアミン、Ｎ－（シクロペントキシカルボニル）ピロリジン、Ｎ－（シクロペントキシカルボニル）－２，５－ジメチルピロリジン、Ｎ－（シクロペントキシカルボニル）－アゼチヂン、Ｎ－（シクロヘキシルカルボニル）－２，６－ジメチルピペリジン、Ｎ－（シクロヘキシルカルボニル）－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、Ｎ－（シクロヘキシルカルボニル）ジイソプロピルアミン、Ｎ－（シクロヘキシルカルボニル）ピロリジン、Ｎ－（シクロヘキシルカルボニル）－２，５－ジメチルピロリジン、Ｎ－（シクロヘキシルカルボニル）－アゼチヂン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２，６－ジメチルピペリジン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）ジイソプロピルアミン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）ピロリジン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２，５－ジメチルピロリジン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－アゼチヂン、Ｎ－（ベンジルオキシカルボニル）－２，６－ジメチルピペリジン、Ｎ－（ベンジルオキシカルボニル）－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、Ｎ－（ベンジルオキシカルボニル）ジイソプロピルアミン、Ｎ－（ベンジルオキシカルボニル）ピロリジン、Ｎ－（ベンジルオキシカルボニル）－２，５－ジメチルピロリジン、Ｎ－（ベンジルオキシカルボニル）－アゼチヂン、１，４－ビス（Ｎ，Ｎ’―ジイソプロピルアミノカルボニルオキシ）シクロヘキサン、特許５６０９８１５号公報記載のイミダゾール化合物等がある。
本実施形態に係る保護アミン化合物は、２００℃以下で１００％分解するものであることが特に好ましい。これにより、熱硬化時により効率的に塩基化合物を発生させ、（Ａ）成分の１種であるポリイミド前駆体のイミド化を促進、もしくは（Ｅ）成分の架橋剤と（Ａ）成分の樹脂との架橋反応を促進することができる。保護アミン化合物を加熱することにより得られる塩基及び、その他の分解物の１気圧（０．１ＭＰａ）下での沸点は、２００℃以下であることが好ましい。２００℃以下とすることにより、塗膜中から、分解物を低温プロセスにて揮発させることができるためである。分解物の１気圧下での沸点の下限は、特に限定されないが、保護アミン化合物の合成の簡便性の観点から、－１５０℃以上のものを用いることが好ましい。
なお、保護アミン化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、（Ａ）成分の樹脂１００質量部に対して０～１０質量部、配合する場合０．０１～１０質量部、特に０．０１～５質量部を混合したものが好適である。配合量が１０質量部以下であれば組成物のアルカリ溶解性が低下せず、リソパターニング特性が劣化しない。
（（Ｋ）溶解阻害剤）
本発明の感光性樹脂組成物は（Ｋ）成分の溶解阻害剤を含むことができる。溶解阻害剤としては、重量平均分子量が１００～１，０００、好ましくは１５０～８００で、かつ分子内にフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均０～１００モル％の割合で置換した化合物又は分子内にカルボキシ基を有する化合物の該カルボキシ基の水素原子を酸不安定基により全体として平均５０～１００モル％の割合で置換した化合物が挙げられる。
なお、フェノール性水酸基の水素原子の酸不安定基による置換率は、平均でフェノール性水酸基全体の０モル％以上、好ましくは３０モル％以上であり、その上限は１００モル％、より好ましくは８０モル％である。カルボキシ基の水素原子の酸不安定基による置換率は、平均でカルボキシ基全体の５０モル％以上、好ましくは７０モル％以上であり、その上限は１００モル％である。
この場合、かかるフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物又はカルボキシ基を有する化合物として下記式（Ｋ１）～（Ｋ１４）で示されるものが好ましい。
Figure 0007335217000053
但し、上記式中Ｒ２０１、Ｒ２０２はそれぞれ水素原子、又は炭素数１～８の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示す。Ｒ２０３は水素原子、又は炭素数１～８の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示す。Ｒ２０４は－（ＣＨ２）ｉ１－（ｉ１は２～１０の整数を表す）、炭素数６～１０のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。Ｒ２０５は炭素数１～１０のアルキレン基、炭素数６～１０のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。Ｒ２０６は水素原子、炭素数１～８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はそれぞれ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基を示す。Ｒ２０８は水素原子又は水酸基を示す。ｖ１は０～２の整数であり、ｖ２は０又は１である。ｗ１、ｈ１は０又は１である。ｔ１、ｕ１、ｔ２、ｕ２、ｔ３、ｕ３はそれぞれｔ１＋ｕ１＝８、ｔ２＋ｕ２＝５、ｔ３＋ｕ３＝４を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも１つの水酸基を有するような数である。ａａは式（Ｋ８）、（Ｋ９）の化合物の分子量を１００～１，０００とする数である。
溶解阻害剤の配合量は、（Ａ）成分の樹脂１００質量部に対して好ましくは０～５０質量部、より好ましくは５～５０質量部、更に好ましくは５～２０質量部であり、単独又は２種以上を混合して使用できる。配合量が０質量部以上であれば解像性が向上し、５０質量部以下であればパターンの膜減りが生じず、解像度が低下することがない。
（（Ｌ）ラジカル重合性化合物）
本発明の感光性樹脂組成物は（Ｌ）成分のラジカル重合性化合物を含むことができる。上述した（Ａ）成分である一般式（５）で表されるポリイミド前駆体、光ラジカル開始剤と組み合わせることでネガ型感光性樹脂組成物を得ることができる。このような組成物であれば露光により発生したラジカルにより（Ｌ）成分のラジカル重合性化合物同士、もしくは一般式（５）中のＲａ及びＲｂのいずれかもしくは両方が上記一般式（６）で示されるラジカル重合性基の場合、（Ａ）成分の樹脂とラジカル重合性化合物との架橋が進行することで、良好なネガ型パターンを得ることができる。このように（Ｌ）成分のラジカル重合性化合物は架橋剤として働くことから、１分子中に２個以上のラジカル重合性不飽和結合基を有する化合物が好ましい。
１分子中に２個以上のラジカル重合性不飽和結合基を有する化合物としては、（メタ）アクリル化合物が好ましく、例えば、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート（各エチレングリコールユニットの数２～２０）、ポリエチレングリコールジメタクリレート（各エチレングリコールユニットの数２～２０）、ポリ（１，２－プロピレングリコール）ジアクリレート、ポリ（１，２－プロピレングリコール）ジメタクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、テトラメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレート、グリセロールジアクリレート、グリセロールジメタクリレート、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ－メチロールアクリルアミド、エチレングリコールジグリシジルエーテル－メタクリル酸付加物、グリセロールジグリシジルエーテル－アクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル－アクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル－メタクリル酸付加物、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－メタクリロイルオキシエチル）尿素等が好ましいが、これらに限定されない。
（Ｌ）成分は、（Ａ）成分１００質量部に対し、１～１００質量部配合することが好ましく、３～５０質量部の範囲がさらに好ましい。１～１００質量部の範囲であれば、目的とする効果を十分に得ることができ、現像性に好ましくない影響を及ぼすことがない。なお、共重合モノマーとして、１種類の化合物を用いても良いし、数種を混合して用いてもよい。
（パターン形成方法）
次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法に関して、説明を行う。
本発明の感光性樹脂組成物において、パターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えばシリコンウエハーあるいはＳｉＯ２基板、ＳｉＮ基板、もしくは銅配線等のパターンが形成されている基板に、感光性樹脂組成物をスピンコーティングの手法（スピンコート法）で塗布し、８０～１３０℃、５０～６００秒間程度の条件でプリベークし、厚さ１～５０μｍ、好ましくは１～３０μｍ、さらに好ましくは５～２０μｍの感光材被膜を形成する。
スピンコート法では、感光性樹脂組成物をシリコン基板上へ５ｍＬ程度ディスペンスした後に基板を回転することによって、基板上へ感光性樹脂組成物を塗布することができる。このとき、回転速度を調整することで容易に基板上の感光材被膜の膜厚を調整することが可能である。その後、プリベークにより残りの溶剤を除くことができる。
次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記の感光材被膜上にかざし、ｉ線、ｇ線等の波長１９０～５００ｎｍの高エネルギー線もしくは電子線を露光量１～５，０００ｍＪ／ｃｍ２程度、好ましくは１００～２，０００ｍＪ／ｃｍ２程度となるように照射する。
次に必要に応じ、ホットプレート上で６０～１５０℃、１～１０分間、好ましくは８０～１２０℃、１～５分間露光後加熱処理（ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ））してもよい。これにより、露光によって光酸発生剤から発生した酸を触媒として、架橋剤の架橋基と重合体の架橋反応点の架橋反応を促進することができる。
その後、現像を施す。上記、本発明の感光性樹脂組成物において、（Ａ）成分の樹脂の種類によって、アルカリ水溶液によるアルカリ現像か有機溶剤現像かを選択できる。
アルカリ現像に用いることのできる好適なアルカリ水溶液は、例えば２．３８％のテトラメチルヒドロキシアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液である。現像は、スプレイ法、パドル法等通常の方法、現像液に浸漬すること等により行うことができる。その後、必要に応じて、洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンを有するレジスト被膜等を得ることができる。
一方、有機溶剤現像に用いることのできる好適な有機溶剤としては、本発明の感光性樹脂組成物を調製した際に用いた上述の溶剤を使用することができる。例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等のケトン類、さらには、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール等が好ましい。現像は、スプレイ法、パドル法等通常の方法、現像液に浸漬すること等により行うことができる。その後、必要に応じて、洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンを有するレジスト被膜等を得ることができる。
（硬化被膜形成方法）
また、上記パターン形成方法により得られたパターン形成された被膜をオーブンやホットプレートを用いて、温度１００～３００℃、好ましくは１５０～３００℃、さらに好ましくは１８０～２５０℃において加熱、後硬化することで硬化被膜を形成することができる。後硬化温度が１００～３００℃であれば、感光性樹脂組成物の被膜の架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去でき、基板に対する密着力、耐熱性や強度、さらに電気特性の観点から好ましい。そして、後硬化時間は１０分間～１０時間とすることができる。
上記の形成されたパターンは、配線、回路及び基板等を覆う保護用被膜を目的として使用されるが、これら形成されたパターン及び保護用被膜は、優れた絶縁性を有しながら、被覆する配線、回路のＣｕのような金属層、基板上に存在する金属電極上、もしくは被覆する配線や回路に存在するＳｉＮのような絶縁基板上で優れた密着力を示し、かつ保護用被膜として相応しい機械的強度を具備したまま、さらに微細なパターン形成を可能にするための解像性能を大幅に改善できるものである。
（硬化被膜）
このようにして得られた硬化被膜は、基板との密着性、耐熱性、電気特性、機械的強度及びアルカリ性剥離液等に対する薬品耐性に優れ、それを保護用被膜とした半導体素子の信頼性にも優れ、特に温度サイクル試験の際のクラック発生を防止でき、電気・電子部品、半導体素子等の保護用被膜（層間絶縁膜あるいは表面保護膜）として好適に用いられる。
即ち、本発明では、上述の感光性樹脂組成物が硬化してなる硬化被膜からなる層間絶縁膜あるいは表面保護膜を提供する。
上記保護用被膜は、その耐熱性、薬品耐性、絶縁性から、再配線用途を含む半導体素子用絶縁膜、多層プリント基板用絶縁膜、ソルダーマスク、カバーレイフィルム用途等に有効である。
さらに、本発明では、上記の層間絶縁膜又は上記の表面保護膜を有する電子部品を提供する。
このような電子部品は、耐熱性、薬品耐性、絶縁性を有する保護用被膜（層間絶縁膜又は表面保護膜）を有することから、信頼性に優れたものとなる。
このような電子部品の具体例としては、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）やＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ－Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：大規模集積回路）等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）やＰＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ：フォトダイオード）、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅｄ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ：電荷結合素子）、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：相補型金属酸化膜半導体）等の光半導体素子、電流センサ素子または磁気センサ素子等のセンサ素子、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン、いわゆるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ ｅｌｅｃｔｒｏ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ：微小電気機械システム）素子等の種々の電子部品が挙げられる。
以下、合成例、比較合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。
Ｉ．樹脂の合成
下記合成例において、使用した化合物の化学構造式及び名称を以下に示す。
Figure 0007335217000054
Figure 0007335217000055
［合成例１］ポリイミド樹脂（Ａ１）の合成
撹拌機、温度計を具備した１Ｌのフラスコ内に２，２―ビス（３―アミノ―４―ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＡＰ）３０ｇ（８１．９ｍｍｏｌ）、４－アミノフェノール（ＰＡＰ）０．９ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン１２５ｇを加え、室温で撹拌し溶解した。次に室温下、３，３’，４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ｓ－ＯＤＰＡ）２６．７ｇ（８６．２ｍｍｏｌ）、をＮ－メチル－２－ピロリドン２７０ｇに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後室温下で３時間撹拌した。その後、この反応液にキシレン４０ｇを加え、１７０℃で生成する水を系外へ除きながら３時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、この反応液を超純水２Ｌの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、４０℃で４８時間減圧乾燥することにより、ポリイミド樹脂（Ａ１）を得た。この重合体の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量３５，０００であった。
［合成例２］ポリイミド樹脂（Ａ２）の合成
合成例１において２，２―ビス（３―アミノ―４―ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＡＰ）３０ｇ（８１．９ｍｍｏｌ）を２，２―ビス（３―アミノ―４―ヒドロキシフェニル）プロパン（ＢＡＰ）２１．２ｇ（８１．９ｍｍｏｌ）に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド樹脂（Ａ２）を得た。この重合体の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量３４，０００であった。
［合成例３］ポリアミドイミド樹脂（Ａ３）の合成
撹拌機、温度計を具備した５００ｍＬのフラスコ内に２，２―ビス（３―アミノ―４―ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＡＰ）２８．５ｇ（７７．８ｍｍｏｌ）、４－アミノフェノール（ＰＡＰ）０．９ｇ（８．２ｍｍｏｌ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン１１８ｇを加え、室温で撹拌し溶解した。次に室温下、３，３’，４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ｓ－ＯＤＰＡ）１９．０ｇ（６１．４ｍｍｏｌ）、をＮ－メチル－２－ピロリドン１９２ｇに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後室温下で３時間撹拌した。その後、この反応液にキシレン４０ｇを加え、１７０℃で生成する水を系外へ除きながら３時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、ピリジン３．２ｇ（４１．０ｍｍｏｌ）を加え、セバシン酸ジクロライド（ＤＣ－１）４．９ｇ（２０．５ｍｍｏｌ）を５℃以下に保つように滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、この反応液を超純水２Ｌの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、４０℃で４８時間減圧乾燥することにより、ポリアミドイミド樹脂（Ａ３）を得た。この重合体の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量３５，０００であった。
［合成例４］ポリアミド樹脂（Ａ４）の合成
撹拌機、温度計を具備した５００ｍＬのフラスコ内に２，２―ビス（３―アミノ―４―ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＡＰ）２８．５ｇ（７７．８ｍｍｏｌ）、４－アミノフェノール（ＰＡＰ）０．９ｇ（８．２ｍｍｏｌ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン１１８ｇを加え、室温で撹拌し溶解した。次にピリジン１３．０ｇ（１６３．８ｍｍｏｌ）を加え、セバシン酸ジクロライド（ＤＣ－１）１９．６ｇ（８１．９ｍｍｏｌ）を５℃以下に保つように滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、この反応液を超純水２Ｌの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、４０℃で４８時間減圧乾燥することにより、ポリアミド樹脂（Ａ４）を得た。この重合体の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量３８，０００であった。
［合成例５］テトラカルボン酸ジエステル化合物（Ｘ－１）の合成
撹拌機、温度計を具備した３Ｌのフラスコ内に３，３’，４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ｓ－ＯＤＰＡ）１００ｇ（３２２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン６５．２ｇ（６４４ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン３９．３ｇ（３２２ｍｍｏｌ）、γ－ブチロラクトン４００ｇを加え、室温で撹拌しているところにヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）８３．８ｇ（６４４ｍｍｏｌ）を滴下後、室温下で２４時間撹拌した。その後、氷冷下で１０％塩酸水溶液３７０ｇを滴下し反応を停止させた。反応液に、４－メチル－２－ペンタノン８００ｇを加え有機層を分取した後、水６００ｇで６回洗浄した。得られた有機層の溶媒を留去し、テトラカルボン酸ジエステル化合物（Ｘ－１）を１８０ｇ得た。
［合成例６］ポリイミド前駆体（Ａ５）の合成
撹拌機、温度計を具備した１Ｌのフラスコ内に（Ｘ－１）５７．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）Ｎ－メチル－２－ピロリドン２２８ｇを加え、室温で撹拌し溶解した。次に氷冷下、塩化チオニル２４．４ｇ（２０５ｍｍｏｌ）を反応溶液温度が１０℃以下を保つように滴下し、滴下終了後氷冷下で２時間撹拌した。続いて２，２―ビス（３―アミノ―４―ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＡＰ）３４．８ｇ（９５ｍｍｏｌ）、４－アミノフェノール（ＰＡＰ）１．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ピリジン３２．４ｇ（４１０ｍｍｏｌ）をＮ－メチル－２－ピロリドン１４４ｇで溶解した溶液を氷冷下で反応溶液温度が１０℃以下を保つように滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、この反応液を水３Ｌの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、４０℃で４８時間減圧乾燥することにより、ポリイミド前駆体（Ａ５）を得た。この重合体の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量３６，０００であった。
［合成例７］ポリイミド樹脂（Ａ６）の合成
撹拌機、温度計を具備した１Ｌのフラスコ内に２，２―ビス（３―アミノ―４―ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＡＰ）２７．５ｇ（７５ｍｍｏｌ）、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）５．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、４－アミノフェノール（ＰＡＰ）１．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、γ―ブチロラクトン１３８ｇを加え、室温で撹拌し溶解した。次に室温下、３，３’，４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ｓ－ＯＤＰＡ）１２．４ｇ（４０ｍｍｏｌ）、酸無水物変性シロキサン（ＤＡＮ－１）１１０．５ｇをγ―ブチロラクトン４９２ｇに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後室温下３時間撹拌した。その後、この反応液にキシレン４０ｇを加え、１７０℃で生成する水を系外へ除きながら３時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、このポリイミド溶液にグリシドール１．７ｇ（２２．５ｍｍｏｌ）を加え、１２０℃で３時間加熱した。室温まで冷却し、この反応液を超純水４Ｌの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、４０℃で４８時間減圧乾燥することにより、ポリイミド樹脂（Ａ６）を得た。この重合体の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量２０，０００であった。
［合成例８］シロキサン骨格含有樹脂（Ａ７）の合成
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した１０Ｌのフラスコ内に化合物（Ｓ－１）６２４ｇ（１．４５ｍｏｌ）をトルエン２，５００ｇに溶解後、化合物（Ｓ－２）２６１．２ｇ（０．６２ｍｏｌ）、化合物（Ｓ－７）１，２１４．４ｇ（０．４０ｍｏｌ）、化合物（Ｓ－６）１３．３ｇ（０．１０ｍｏｌ）を加え、６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）３．５ｇを投入し、内部反応温度が６５～６７℃に昇温したのを確認後、更に、３時間、９０℃まで加温し、再び６０℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒（５質量％）３．５ｇを投入し、化合物（Ｓ－５）２８５．２ｇ（１．４７ｍｏｌ）を１時間かけてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、６５～６７℃まで上昇した。滴下終了後、更に、９０℃で３時間熟成し、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン２，８００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られたシロキサン骨格含有樹脂溶液に純水１，３００ｇを加え、撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を６回繰り返した。このシロキサン骨格含有樹脂溶液中の溶剤を減圧留去し、シロキサン骨格含有樹脂（Ａ７）を得た。重合体の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量３１，０００であった。
［合成例９］シロキサン骨格含有樹脂（Ａ８）の合成
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した１０Ｌのフラスコ内に化合物（Ｓ－４）２６．５ｇ（０．１０ｍｏｌ）、化合物（Ｓ－３）１０８．９ｇ（０．９０ｍｏｌ）、化合物（Ｓ－７）１５１．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）、トルエン２，０００ｇを加え、６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）１．０ｇを投入し、内部反応温度が６３～６５℃に昇温したのを確認後、更に、３時間、９０℃まで加温し、再び６０℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒（５質量％）１．０ｇを投入し、化合物（Ｓ－５）１８４．３ｇ（０．９５ｍｏｌ）を１時間かけてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、６５～６７℃まで上昇した。滴下終了後、更に、９０℃で３時間熟成し、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン２，０００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られたシロキサン骨格含有樹脂溶液に純水１，０００ｇを加え、撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を６回繰り返した。このシロキサン骨格含有樹脂溶液中の溶剤を減圧留去し、シロキサン骨格含有樹脂（Ａ８）を得た。重合体の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量１５，０００であった。
ＩＩ．感光性樹脂組成物の調製
上記合成例１～合成例９で合成した重合体をベース樹脂として使用して、表１に記載した組成と配合量で、樹脂換算３０質量％の樹脂組成物を調製した。その後、撹拌、混合、溶解した後、テフロン（登録商標）製０．５μｍフィルターで精密濾過を行って感光性樹脂組成物を得た。表中、溶剤のＰＧＭＥＡはプロピレングルコールモノメチルエーテルアセテート、ＧＢＬはγ―ブチロラクトン、ＣＰｎはシクロペンタノンを示す。
Figure 0007335217000056
なお、表１中、各成分の詳細は以下の通りである。
（Ｂ）成分
・Ｂ１
Figure 0007335217000057
 （式中、Ｑは下記式（３７）で示される１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基又は水素原子を示し、Ｑの９０％が下記式（３７）で示される１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基に置換されている。）
Figure 0007335217000058
・Ｂ２：ＡＤＥＫＡ（株）社製 Ｎ－１９１９
・Ｂ３
Figure 0007335217000059
・Ｂ４
Figure 0007335217000060
（Ｃ）成分
Figure 0007335217000061
 Ｃ－２０：住友スリーエム（株）製 ＦＣ－４３０（パーフルオロオクタンスルホン酸誘導体）
（Ｅ）成分
・Ｅ１
Figure 0007335217000062
・Ｅ２：ＡＤＥＫＡ（株）社製 ＥＰ４０００Ｌ
・Ｅ３
Figure 0007335217000063
（Ｌ）成分
・Ｌ１：ジエチレングリコールジアクリレート
（Ｉ）成分
・Ｉ１
Figure 0007335217000064
ＩＩＩ．パターン形成
上記の感光性樹脂組成物１～１４、比較感光性樹脂組成物１～３を８インチのシリコン基板上へ５ｍＬディスペンスした後に基板を回転することによって、即ち、スピンコート法によって、パターン形成後に施す後硬化の加熱後において膜厚が１０μｍとなるように塗布した。即ち、後硬化工程後、膜厚が減少することを予め検討し、後硬化後の仕上がり膜厚が１０μｍとなるように塗布時の回転数を調整した。次に、ホットプレート上１００℃、２分間のプリベークを施した。
得られた塗布膜の膜厚を大日本スクリーン社製膜厚計ＲＥ－３１００を用いて基板の直径方向に６ｍｍ間隔に２９点測定し、膜厚の平均と塗布均一性として膜厚のバラツキをレンジで表２に示した。
また、得られた塗布膜の１００ｎｍ以上の欠陥数を、ＫＬＡテンコール社製欠陥検査装置ＳｕｒｆｓｃａｎＳＰ２を用いて測定した結果を表２に示した。
そして次に、ニコン社製ｉ線ステッパーＮＳＲ－２２０５ｉ１１を用いてｉ線露光、パターン形成を行った。パターン形成においては、ポジ型パターン用、ネガ型パターン用のマスクを、適宜、使用した感光性樹脂組成物に合わせて用いた。該マスクは、縦横１：１配列の２０μｍのホールが形成できるパターンを有し、５０μｍ～２０μｍまでは１０μｍ刻み、２０μｍ～１０μｍまでは５μｍ刻み、１０μｍ～１μｍまでは１μｍ刻みのホールパターンが形成できるものである。
次に、加熱工程（露光後ベーク）を実施したものは、下記表２に示した通りの条件で実施した。
現像工程においてはアルカリ水溶液を現像液として、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液、もしくは有機溶剤としてシクロペンタノン（ＣＰｎ）を現像液として用いた。結果を表２に示した。２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いた場合は１分間のパドル現像を３回実施した後、超純水によるリンスを行った。シクロペンタノン（ＣＰｎ）を用いた場合は１分間のパドル現像を２回実施した後、イソプロピルアルコールによってリンスを行った。
次いで、得られた基板上パターンをオーブンを用いて２００℃で２時間、窒素パージしながら後硬化を行った。
次に、得られたホールパターンの形状が観察できるように、各基板を切り出し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて１０μｍのホールパターン形状を観察した。
なお、ホールのパターン形状は下記のような基準で評価し、表２中に評価結果を示した。
良好：ホールが矩形又は順テーパー形状（ホール上部の寸法が底部の寸法より大きい形状）が観察されたもの
不良：逆テーパー形状（ホール上部の寸法が底部の寸法より小さい形状）、オーバーハング形状（ホール上部が張り出した形状）、著しい膜減りが観察されたもの、又はホール底部に残渣が観察されたもの
Figure 0007335217000065
表２に示すように、本発明の感光性樹脂組成物は、ポジ型及びネガ型パターン、アルカリ水溶液現像及び有機溶剤現像のいずれにおいても良好なパターン形状を示した。また従来のフッ素系界面活性剤を用いた比較例と比べて膜厚のレンジが小さく、膜厚均一性に優れ、塗布欠陥数も少なくなることが確認された。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (14)

  1. （Ａ）樹脂、
    （Ｂ）感光剤、
    （Ｃ）下記平均組成式（１）で表される構造単位を含む界面活性剤、及び
    （Ｄ）溶剤
    を含むものであることを特徴とする感光性樹脂組成物。
    Figure 0007335217000066
     （式中、Ｙ１、Ｙ２はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、フェニル基もしくは下記一般式（２）で示される基であって、Ｙ１、Ｙ２のうち少なくとも一つは下記一般式（２）で示される基であり、Ｒ１～Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基であり、ｌ、ｎはそれぞれ独立に１～１００の整数、ｍは０～１００の整数である。）
    Figure 0007335217000067
     （式中、点線は結合を表し、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１はそれぞれ独立に炭素数２～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基（ただし、Ｒ１０はＲ１１と異なる）であり、Ｒ１２は炭素数２～１０の３価の炭化水素基であり、Ｒ１３は（ＯＲ１０）、（ＯＲ１１）、（ＯＲ１２）から選ばれる１つ以上の繰り返し単位を有する構造を表し、Ｒ１４は炭素数１～１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキルエステル基であり、ａは１～５０の整数、ｂは０～５０の整数、ｃは０～５０の整数、ｄは１～２０の整数である。－ＯＲ１０－、－ＯＲ１１－、－ＯＲ１２（Ｒ１３）－の順序についてはランダムであってもよい。）
  2. 前記一般式（２）中のａが１０～３０の整数、ｂが１０～３０の整数、ｃが０～２０の整数であることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
  3. （Ｅ）ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド－アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式（Ｅ－１）で示される置換基に置換した化合物、及び下記式（Ｅ－２）で示されるグリシジル基を有した窒素原子を２つ以上含有した化合物から選ばれる１種又は２種以上の架橋剤を更に含有するものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure 0007335217000068
     （式中、点線は結合を示し、Ｒｆは炭素数１～６の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を示し、ｓは１又は２を表す。）
  4. 前記（Ａ）樹脂がポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、シロキサン骨格含有樹脂から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  5. 請求項４に記載の樹脂の重量平均分子量が、３，０００～５００，０００であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
  6. 前記（Ｂ）感光剤が光酸発生剤であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  7. 前記光酸発生剤がキノンジアジド構造を有する化合物であることを特徴とする請求項６に記載の感光性樹脂組成物。
  8. 前記（Ｂ）感光剤が光ラジカル開始剤であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  9. （Ｉ）請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材被膜を形成する工程、
    （ＩＩ）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長１９０～５００ｎｍの高エネルギー線もしくは電子線で感光材被膜を露光する工程、
    （ＩＩＩ）アルカリ水溶液もしくは有機溶剤の現像液を用いて現像する工程、
    を含むことを特徴とするパターン形成方法。
  10. （Ｉ）請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材被膜を形成する工程、
    （ＩＩ）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長１９０～５００ｎｍの高エネルギー線もしくは電子線で感光材被膜を露光する工程、
    （ＩＩＩ）露光後加熱処理を行う工程、
    （ＩＶ）アルカリ水溶液もしくは有機溶剤の現像液を用いて現像する工程、
    を含むことを特徴とするパターン形成方法。
  11. 請求項９又は請求項１０に記載のパターン形成方法により得られたパターン形成された被膜を、更に温度１００～３００℃において加熱、後硬化する工程を含むことを特徴とする硬化被膜形成方法。
  12. 請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化被膜からなるものであることを特徴とする層間絶縁膜。
  13. 請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化被膜からなるものであることを特徴とする表面保護膜。
  14. 請求項１２に記載の層間絶縁膜又は請求項１３に記載の表面保護膜を有するものであることを特徴とする電子部品。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003255533A (ja) 2001-12-25 2003-09-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP2009265268A (ja) 2008-04-23 2009-11-12 Dainippon Printing Co Ltd 感光性着色樹脂組成物、これを用いたカラーフィルター及び該カラーフィルターを備えた表示装置
JP2013060594A (ja) 2011-09-09 2013-04-04 Air Products & Chemicals Inc シリコーン含有組成物及びその使用
JP2013100480A (ja) 2011-10-12 2013-05-23 Central Glass Co Ltd シラン系組成物およびその硬化膜、並びにそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法
US20140113230A1 (en) 2012-10-18 2014-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
JP2015513690A (ja) 2012-02-10 2015-05-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光硬化性組成物
JP2017120346A (ja) 2015-12-28 2017-07-06 花王株式会社 カラーフィルタ用顔料分散体
JP2019155837A (ja) 2018-03-16 2019-09-19 株式会社リコー 液体吐出装置及び液体吐出方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5419306A (en) 1977-07-14 1979-02-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Switch circuit for push button dial telephone set
JPS5969110A (ja) * 1982-10-13 1984-04-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 自己乳化型消泡剤
JPS59220086A (ja) 1984-04-23 1984-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウオツシヤ連動間欠ワイパ−装置
DE60322345D1 (en) * 2002-02-04 2008-09-04 Ciba Holding Inc Oberflächenaktive siloxanphotoinitiatoren
RU2351615C2 (ru) * 2003-06-06 2009-04-10 Циба Спешиалти Кемикэлз Холдинг Инк. Новые поверхностно-активные полисилоксановые фотоинициаторы
JP4466855B2 (ja) 2005-03-23 2010-05-26 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4659678B2 (ja) 2005-12-27 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
US20070202438A1 (en) 2006-02-24 2007-08-30 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Light sensitive planographic printing plate material and its manufacturing process
SG181913A1 (en) 2009-12-22 2012-07-30 Toray Industries Positive photosensitive resin composition, cured film formed from same, and element having cured film
KR101754676B1 (ko) * 2010-02-02 2017-07-06 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 발액성 피막
WO2011152058A1 (ja) 2010-06-03 2011-12-08 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂組成物の製造方法
JP5482553B2 (ja) 2010-08-04 2014-05-07 Ｊｎｃ株式会社 感光性組成物、この組成物から得られる硬化膜、及びこの硬化膜を有する表示素子
JP5609815B2 (ja) 2010-08-26 2014-10-22 信越化学工業株式会社 ポジ型化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP5546568B2 (ja) 2012-03-13 2014-07-09 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP5987984B2 (ja) 2013-06-12 2016-09-07 Jsr株式会社 樹脂組成物、感光性樹脂組成物、絶縁膜およびその製法ならびに電子部品
JP6414060B2 (ja) 2013-07-23 2018-10-31 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 樹脂組成物、それを用いたパターン形成方法及び電子部品
JP6117660B2 (ja) 2013-09-17 2017-04-19 株式会社駐車場綜合研究所 駐車場貸出管理装置、駐車場貸出管理システム
CN105829967B (zh) 2013-10-21 2020-02-07 日产化学工业株式会社 正型感光性树脂组合物
KR20160075566A (ko) 2013-10-21 2016-06-29 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 네가티브형 감광성 수지 조성물
KR102150409B1 (ko) 2013-11-26 2020-09-01 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드
TWI629312B (zh) * 2014-03-28 2018-07-11 奇美實業股份有限公司 硬化性樹脂組成物及其應用
CN107407869B (zh) 2015-03-04 2020-09-22 东丽株式会社 感光性树脂组合物，树脂固化膜的制造方法及半导体器件
JP2017044964A (ja) 2015-08-28 2017-03-02 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化物及びパターン硬化膜の製造方法、並びに半導体素子及び電子デバイス
KR102277707B1 (ko) 2016-04-25 2021-07-16 도레이 카부시키가이샤 수지 조성물
KR102293963B1 (ko) 2016-12-20 2021-08-25 아사히 가세이 가부시키가이샤 2 층 감광층 롤

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003255533A (ja) 2001-12-25 2003-09-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP2009265268A (ja) 2008-04-23 2009-11-12 Dainippon Printing Co Ltd 感光性着色樹脂組成物、これを用いたカラーフィルター及び該カラーフィルターを備えた表示装置
JP2013060594A (ja) 2011-09-09 2013-04-04 Air Products & Chemicals Inc シリコーン含有組成物及びその使用
JP2013100480A (ja) 2011-10-12 2013-05-23 Central Glass Co Ltd シラン系組成物およびその硬化膜、並びにそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法
JP2015513690A (ja) 2012-02-10 2015-05-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光硬化性組成物
US20140113230A1 (en) 2012-10-18 2014-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
JP2017120346A (ja) 2015-12-28 2017-07-06 花王株式会社 カラーフィルタ用顔料分散体
JP2019155837A (ja) 2018-03-16 2019-09-19 株式会社リコー 液体吐出装置及び液体吐出方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CoatOSil* Additives for High Performance Coatings and Inks，Momentive Performance Materials Inc.，2023年05月09日，https://www.momentive.com/docs/default-source/productdocuments/coatosil-7001-copolymer/coatosil-additives-for-high-performance-coatings-and-inks.pdf
PEG-11メチルエーテルジメチコンの基本情報・配合目的・安全性，化粧品成分オンライン，2023年05月09日，https://cosmetic-ingredients.org/surfactants-emulsifying-agents/15515/
PEG-3ジメチコンの基本情報・配合目的・安全性，化粧品成分オンライン，2023年05月16日，https://cosmetic-ingredients.org/surfactants-emulsifying-agents/12982/
ポリエーテル変性シリコーンオイル，信越シリコーン，2023年05月09日，https://www.silicone.jp/products/personalcare/products/polyether_modified_silicones.shtml

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