WO2005013264A1

WO2005013264A1 - 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置

Info

Publication number: WO2005013264A1
Application number: PCT/JP2004/010710
Authority: WO
Inventors: Kazuhiro Hattori; Mitsuru Takai; Shuichi Okawa
Original assignee: Tdk Corporation
Priority date: 2003-07-31
Filing date: 2004-07-28
Publication date: 2005-02-10
Also published as: CN1717723A; US7470374B2; US20060021966A1; CN100383859C; JP2005050468A; JP4223348B2

Abstract

　分割記録要素の加工形状のずれ、磁気的な劣化を抑制し、良好な磁気特性を有する磁気記録媒体を効率良く製造することができる磁気記録媒体の製造方法等を提供する。　連続記録層２０のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いる。又、レジスト層２６を連続記録層２０のドライエッチングの前に除去する。連続記録層を被覆する第１のマスク層の材料として、ダイヤモンドライクカーボンを用いる。

Description

明細書

磁気記録媒体の製造方法及び製造装置

技術分野

[0001] 本発明は、磁気記録媒体の製造方法及び製造装置に関する。

背景技術

[0002] 従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。

[0003] しかしながら、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因するサイドフリンジ、クロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきており、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、例えば、特開平 9—97419号公報に示されるような、連続記録層を多数の分割記録要素に分割してなるディスクリートタイプの磁気記録媒体が提案されている。

[0004] 連続記録層の微細な分割を実現する加工技術としては、例えば、特開平 12— 322 710号公報に示されるような、イオンビームエッチング、 NH (アンモニア）ガス等の含

3

窒素ガスが添加された _c〇（一酸化炭素）ガスを反応ガスとする反応性イオンエツチング等のドライエッチングの手法を利用しうる。

[0005] 尚、ドライエッチングのマスク層を所定のパターンに加工する手法としてはレジスト層を用いたリソグラフィ等の半導体製造の分野で用いられている手法を利用しうる。発明の開示

[0006] し力しながら、反応性イオンエッチング等の従来のドライエッチングの手法を用いることで、連続記録層を微細なパターンで多数の分割記録要素に分割することはできても、磁気記録媒体上の部位により分割記録要素の加工精度がばらついたり分割記録要素が過度に加熱されて磁気的に劣化することがある。又、分割記録要素の周縁部に沿ってバリのような段部が形成されたり、側面がテーパ形状の分割記録要素が形成され、所望の加工形状と、実際の加工形状と、の間に、一定のずれが生じることがある。このような磁気的劣化や分割記録要素の加工形状のずれのために、所望の磁気特性が得られなレ、こと力ある。

[0007] 例えば、反応性イオンエッチングは、被加工体の端部近傍でプラズマの分布が不安定となる傾向があり、端部近傍で分割記録要素の加工精度が低くなりやすい傾向力 ^sある。

[0008] 又、磁性材の加工に用いられる C〇（一酸化炭素）ガス等を反応ガスとする反応性ィオンエッチングは大きなバイアスパワーを要し、被加工体が高温になりやすいため、分割記録要素が過度に加熱されて磁気的に劣化することがある。

[0009] 尚、冷却機構を設けることで、分割記録要素の過度の加熱を防止しうるが、製造装置の構造が複雑となり、コスト高であると共に、被カ卩ェ体の周縁近傍でプラズマの分布が不安定となる傾向があるため、温度分布が不均一になりやすぐ被加工体の均一な冷却が困難である。

[0010] 又、磁気記録媒体の量産を図るためには、複数の被加工体を並べて配置し、同時に加工することが望ましいが、冷却機構は一般的に ESC (静電チャック）やバイアス印加機構を備えているため、複数の被加工体を並べて配置した場合、このような冷却機構を設けること自体力 Sスペース、加工精度等の事情により困難であり、被加工体の冷却を必要とする反応性イオンエッチングを用いて複数の被加工体を同時処理し、ディスクリートタイプの磁気記録媒体を量産することは困難であった。

[0011] これに対し、イオンビームエッチングを用いれば以上の問題を解決しうる力イオンビームエッチングを用いた場合、分割記録要素の周縁部に沿ってバリのような段部が形成されやすいとレ、う問題がある。

[0012] より詳細に説明すると図 22Aに示されるように連続記録層 100におけるマスク 102 力露出した部分をイオンビームエッチングで加工する場合、連続記録層 100の除去と、除去された粒子の一部のマスク 102の側面 102A等への再付着と、が繰返され、再付着物は量が少なければイオンビームで逐次除去される力量が多いと図 22B に示されるように一部がマスク 102の側面 102Aに堆積し、結果的に図 22Cに示されるように分割記録要素 104の周縁部に段部 106が形成されることになる。この現象はドライエッチング一般に関して発生しうる力特にイオンビームエッチングで顕著である。尚、この現象を抑制するために被加工体の表面の法線に対して傾斜した方向からイオンビーム等を照射することにより加工部側面等から再付着物を効率良く除去する手法が知られている力ディスクリートタイプの磁気記録媒体のようにパターンが微細である場合には有効ではなレ、。

[0013] 又、ドライエッチングを用いた場合、図 23Aに示されるように側面 200Aが垂直に近い理想的な形状の分割記録要素 200を形成することは困難で、実際には図 23Bに示されるように側面 200Aがテーパ形状の分割記録要素 200が形成されてレ、た。

[0014] より詳細に説明すると、ドライエッチングでは、一部のガスが被カ卩ェ体に対して垂直方向から若干傾斜して接近し、エッチング対象領域の端部はマスク 202から露出してレ、ても傾斜して接近するガスに対してマスク 202の陰となるため、他の部分よりもエツチングの進行が遅れ、分割記録要素 200の側面 200Aがテーパ形状に加工されると考えられる。

[0015] 本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、分割記録要素の加工形状のずれ、磁気的な劣化を抑制し、良好な磁気特性を有する磁気記録媒体を効率良く製造することができる磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供することをその課題とする。

[0016] 本発明は、連続記録層のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いることで被カ卩ェ体の端部近傍における連続記録層の加工精度の低下を抑制すると共に連続記録層の加工温度を抑制し、分割記録要素の磁気的劣化を防止又は低減するものである。

[0017] 又、本発明は、連続記録層を被覆するマスク層上のレジスト層を連続記録層のドライエツチングの前に除去することにより連続記録層上の被覆要素を薄くして、周縁部の段部の形成、分割記録要素の側面のテーパ角、を抑制し、分割記録要素の加工精度を向上させるものである。

[0018] 尚、連続記録層を被覆するマスク層の材料としては、イオンビームエッチングに対してエッチングレートが低ぐそれだけ薄く形成できるという点及びカ卩ェ形状の制御が比較的容易であるという点でダイヤモンドライクカーボンを用いることが好ましい。

[0019] ここで、本明細書において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「DLC」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で 200 一 8000kgfZmm²程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。

[0020] 又、本明細書において、「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被カ卩ェ体に照射して除去する加工方法の総称という意義で用いることとし、イオンビームを絞って照射する加工方法に限定しない。

[0021] 更に、本明細書において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用する MO (Magneto Optical)等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。

[0022] 即ち、次のような本発明により、上記課題の解決を図ったものである。

(1)基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被加工体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてドライエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[0023] (2)前記マスク層は、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層を含む構成とし、この層を前記連続記録層よりも薄く形成したことを特徴とする前記（1)の磁気記録媒体の製造方法。

[0024] (3)前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低レ、層の厚さ tを、 3≤t≤ 15nmとしたことを特徴とする前記（1)又は（ 2)の磁気記録媒体の製造方法。

[0025] (4)前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低レ、層の厚さ tを、 3≤t≤ 10nmとしたことを特徴とする前記（1)又は（ 2)の磁気記録媒体の製造方法。

[0026] (5)前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の材料をダイヤモンドライクカーボンとしたことを特徴とする前記（2)乃至 (4)のレ、ずれかの磁気記録媒体の製造方法。

[0027] (6)前記連続記録層加工工程は、イオンビームエッチングを用いて前記連続記録層を加工するようにしたことを特徴とする前記（1)乃至（5)のレ、ずれかの磁気記録媒体の製造方法。

[0028] (7)前記マスク層は、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い第 1のマスク層と、前記レジスト層除去工程におけるエッチングレートが前記第 1のマスク層よりも低前記第 1のマスク層及び前記レジスト層の間に配置された第 2のマスク層と、を含む構成とし、前記マスク層加工工程は、前記レジスト層に基づいて前記第 2のマスク層を前記パターン形状に加工する第 2のマスク層加ェ工程と、該第 2のマスク層に基づいて前記第 1のマスク層を前記パターン形状に加ェする第 1のマスク層加工工程と、を含む構成としたことを特徴とする前記（1)乃至（ 6)のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。

[0029] (8)前記レジスト層除去工程が前記第 1のマスク層加工工程を兼ねるようにしたことを特徴とする前記（7)の磁気記録媒体の製造方法。

[0030] (9)前記レジスト層除去工程は、酸素及びオゾンのいずれかを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記レジスト層を除去すると共に前記マスク層を力卩ェするようにしたことを特徴とする前記（8)の磁気記録媒体の製造方法。

[0031] (10)前記連続記録層加工工程で前記第 1のマスク層上の前記第 2のマスク層が除去されるように、該第 2のマスク層は、膜厚が充分に薄い構成、及び/又は材料が前記連続記録層加工工程において前記連続記録層の材料よりも高いエッチングレートを有する材料である構成としたことを特徴とする前記（8)又は（9)の磁気記録媒体の製造方法。

[0032] (11)前記第 2のマスク層の材料をケィ素及びケィ素の化合物の少なくとも一方からなるケィ素系材料としたことを特徴とする前記（8)乃至（10)のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。

[0033] (12)前記第 2のマスク層加工工程は、フッ素系ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記第 2のマスク層をカ卩ェするようにしたことを特徴とする前記（8 )乃至（11)のいずれ力の磁気記録媒体の製造方法。 [0034] (13)前記レジスト層加工工程は、インプリント法を用いて前記レジスト層をカ卩ェするようにしたことを特徴とする前記（1)乃至（12)のいずれ力の磁気記録媒体の製造方法。

[0035] (14)前記被力卩ェ体を複数同時に加工するようにしたことを特徴とする前記（1)乃至（13)のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。

[0036] (15)基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被カロェ体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工ェ程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてイオンビームエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[0037] (16)前記（1)乃至（15)のレ、ずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を実行するための加工装置と、複数の前記被力卩ェ体を同時に保持するためのホルダと、を備え、複数の前記被加工体を同時に加工可能としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。

[0038] (17)前記連続記録層をカ卩ェするためのイオンビームエッチング装置を備えることを特徴とする前記（16)の磁気記録媒体の製造装置。

[0039] 本発明によれば、分割記録要素の加工形状のずれ、分割記録要素の磁気的な劣化を抑制し、良好な磁気特性の磁気記録媒体を効率良く確実に製造することが可能となるとレ、う優れた効果力 Sもたらされる。

図面の簡単な説明

[0040] [図 1]本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の加工出発体である被加工体の構造を模式的に示す側断面図

[図 2]同被力卩ェ体をカ卩ェして得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図

[図 3]同磁気記録媒体をカ卩ェするための製造装置の構造を模式的に示すブロック図園 4]同製造装置に備えられたホルダの構造の概略を示す斜視図

[図 5]同製造装置に備えられた反応性イオンエッチング装置の構造を模式的に示す側面図

[図 6]同製造装置に備えられたイオンビームエッチング装置の構造を模式的に示す側面図

[図 7]磁気記録媒体の製造工程を示すフローチャート

園 8]レジスト層に分割パターンが転写された前記被カ卩ェ体の形状を模式的に示す側断面図

園 9]溝底面のレジスト層が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図

園 10]凹部底面の第 2のマスク層が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図

園 11]溝底面の第 1のマスク層が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図

園 12]分割記録要素が形成された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図園 13]分割記録要素上から第 1のマスク層が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図

園 14]分割記録要素の間に非磁性体が充填された前記被カ卩ェ体の形状を模式的に示す側断面図

[図 15]分割記録要素及び非磁性体の表面が平坦化された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図

[図 16]本発明の実施例の磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真

園 17]同磁気記録ディスク及び比較例 1の磁気記録ディスクの端部からの距離と連続記録層のエッチングレートとの関係を示すグラフ

[図 18]同磁気記録ディスクの MFM像

[図 19]比較例 1の磁気記録ディスクの MFM像

園 20]比較例 2の磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真

[図 21]比較例 3の磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真

[図 22A]従来のドライエッチングによる連続記録層の加工のために連続記録層がマスクで部分的に被覆された状態を模式的に示す側断面図

[図 22B]同マスク側面への粒子の堆積過程を模式的に示す側断面図

[図 22C]形成された記録要素及びその周縁部の段部を模式的に示す側断面図

[図 23A]従来のドライエッチングによる分割記録要素の理想的な形成過程を模式的に示す側断面図

[図 23B]従来のドライエッチングによる分割記録要素の実際の形成過程を模式的に示す側断面図

発明を実施するための最良の形態

[0041] 以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

[0042] 本実施形態は、磁気記録媒体の加工出発体である図 1に示されるような被加工体にドライエッチング等の加工を施し、図 2に示されるような所定のラインアンドスペースノターン及びコンタクトホールを含むサーボパターン（図示省略）の形状に連続記録層を加工して多数の分割記録要素に分割する磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、連続記録層の加工手法の他、連続記録層を被覆するマスク層、レジスト層の材料及びその加工方法等に特徴を有している。又、本実施形態は、これら連続記録層の加工手法等を実施し、磁気記録媒体を量産するための磁気記録媒体の製造装置に特徴を有している。他の構成については従来の磁気記録媒体の製造方法、製造装置と同様であるので説明を適宜省略することとする。

[0043] 被力卩ェ体 10は、中心孔を有する略円板形状（図示省略）であり、図 1に示されるように、ガラス基板 12に、下地層 14、軟磁性層 16、配向層 18、連続記録層 20、第 1のマスク層 22、第 2のマスク層 24、レジスト層 26がこの順で形成された構造とされている。

[0044] 下地層 14の材料は Cr (クロム）又は Cr合金、軟磁性層 16の材料は Fe (鉄）合金又は Co (コバルト）合金、配向層 18の材料は CoO、 MgO、 NiO等、連続記録層 20の材料は Co (コバルト）合金である。又、第 1のマスク層 22の材料は DLC、第 2のマスク層 24の材料は Si (ケィ素）、レジスト層 26の材料はネガ型レジス HNEB22A 住友化学工業株式会社製)である。

[0045] 図 2に示されるように、磁気記録媒体 30は垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクで、前記連続記録層 20がトラックの径方向に微細な間隔で多数の分割記録要素 31に分割されると共に、分割記録要素 31の間の溝部 33に非磁性体 32が充填され、分割記録要素 31及び非磁性体 32に保護層 34、潤滑層 36がこの順で形成された構造とされている。尚、分割記録要素 31と非磁性体 32の間には隔膜 38が形成されている。

[0046] 非磁性体 32の材料は Si〇（二酸化ケイ素）、保護層 34及び隔膜 38の材料はいず

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れも前述の DLCと呼称される硬質炭素膜、潤滑層 36の材料は PFPE (パーフロロポリエ一テル）である。

[0047] 図 3に示されるように、磁気記録媒体の製造装置 40は、転写装置 42と、アツシング装置 44と、反応性イオンエッチング装置 46及び 48と、イオンビームエッチング装置 5 0と、アツシング装置 52と、ドライ洗浄装置 54と、隔膜形成装置 56と、非磁性体充填装置 58と、平坦化装置 60と、保護層形成装置 62と、潤滑層 36を形成するための潤滑層形成装置 64と、を備えている。

[0048] 又、製造装置 40は、アツシング装置 44、反応性イオンエッチング装置 46、 48、ィォンビームエッチング装置 50、アツシング装置 52、ドライ洗浄装置 54、隔膜形成装置 5 6、非磁性体充填装置 58、平坦化装置 60及び保護層形成装置 62を収容して被カロェ体 10の周囲を真空状態に保持するための真空保持装置 66を備えている。

[0049] 更に、製造装置 40は、複数の被力卩ェ体 10を同時に保持するための図 4に示されるようなホルダ 68と、ホルダ 68を自動搬送するための図示しない自動搬送装置と、を備え、複数の被力卩ェ体 10を同時に加工可能とされている。

[0050] 転写装置 42は、リソグラフィ等で作成された型（図示省略）をレジスト層 26にプレスしてレジスト層 26に所定のパターンを転写し、溝を形成するためのナノ'インプリント法を用いたプレス装置である。

[0051] アツシング装置 44は、酸素、オゾン又はそれらのガスのプラズマを用いたアツシングによりナノ'インプリント時に残存した溝底面のレジスト層 26を除去するように構成されている。

[0052] 反応性イオンエッチング装置 46は、 CF (4フッ化炭素）ガス又は SF (6フッ化硫黄

4 6

)ガス等のフッ素系ガスを反応性ガスとする反応性イオンエッチングにより溝底面の第 2のマスク層 24を除去するように構成されている。

[0053] 具体的には図 5に示されるように、反応性イオンエッチング装置 46はへリコン波ブラズマ方式であり、拡散チャンバ一 46Aと、拡散チャンバ一 46A内にホルダ 68を載置するための ESC (静電チャック）ステージ電極 46Bと、プラズマを発生するための石英製ベル.ジャー 46Cと、を備えている。

[0054] ESCステージ電極 46Bにはバイアス電圧を印加するためのバイアス電源 46Dが結線されている。尚、バイアス電源は、周波数が 1. 6MHzの交流電源である。

[0055] 石英製ベル.ジャー 46Cは下端が拡散チャンバ一 46A内に開口し、下部近傍には反応ガスを給気するための給気孔 46Eが設けられている。又、石英製ベル'ジャー 4 6Cの周囲には、電磁コイル 46Fと、アンテナ 46Gが配設され、アンテナ 46Gにはプラズマ発生電源 46Hが結線されている。尚、プラズマ発生電源 46Hは、周波数が 13 . 56MHzの交流電源である。

[0056] 反応性イオンエッチング装置 48は、酸素又はオゾンを反応性ガスとする反応性ィォンエッチングにより溝以外の領域のレジスト層 26を除去すると共に、溝底面の第 1のマスク層を除去するように構成されている。尚、反応性イオンエッチング装置 48は上記反応性イオンエッチング装置 46に対し、反応ガスの種類が異なるのみで構造は同様である。

[0057] イオンビームエッチング装置 50は、 Ar (アルゴン）ガスを用いたイオンビームエッチングにより溝底面の連続記録層 20を除去して多数の分割記録要素 31に分割するように構成されている。

[0058] 具体的にはイオンビームエッチング装置 50は、図 6に示されるように、真空チャンバ一 50Aと、真空チャンバ一 50A内にホルダ 68を載置するための ESC (静電チャック）ステージ電極 50Bと、イオンを発生してステージ電極 50Bに照射するためのイオンガン 50Cと、イオンガン 50Cにアルゴンガスを供給するためのガス供給部 50Dと、ィォンガン 50Cにビーム電圧を印加するための電源 50Eと、を備えている。尚、真空チヤンバー 50Aには、アルゴンガスを排出するための排出孔 50Fが設けられてレ、る。

[0059] イオンガン 50Cは、電源 50Eに結線された陽極 50Gと、陰極 50Hと、を備えている

。陰極 50Hには多数の微細孔 50Jが設けられており、該微細孔 50Jからイオンィ匕したアルゴンガスを放出 ·照射するように構成されてレ、る。

[0060] アツシング装置 52は、酸素、オゾン又はそれらのガスのプラズマを用いたアツシングにより分割記録要素 31上に残存する第 1のマスク層 22を除去するように構成されている。

[0061] ドライ洗浄装置 54は、プラズマを用いて分割記録要素 31の周囲の異物を除去するように構成されている。

[0062] 隔膜形成装置 56は、分割記録要素 31に DLCの隔膜 38を CVD (Chemical Vap or Deposition)により形成するための CVD装置である。

[0063] 非磁性体充填装置 58は、ノくィァススパッタリングにより Si〇の非磁性体 32を分割

2

記録要素 31の間の溝部 33に非磁性体 32を充填するためのバイアススパッタリング装置である。

[0064] 平坦化装置 60は、 Arガスを用いたイオンビームエッチングにより媒体表面を平坦化するためのイオンビームエッチング装置である。

[0065] 保護層形成装置 62は、 DLCの保護層 34を CVD法により分割記録要素 31及び非磁性体 32に形成するための CVD装置である。

[0066] 潤滑層形成装置 64は、 PFPEの潤滑層 36を保護層 34にデイツビングにより塗布するためのディッビング装置である。

[0067] 真空保持装置 66は、真空槽 70と、該真空槽 70に連通する真空ポンプ 72と、を有して構成されている。

[0068] ホルダ 68は、略円板形状で導電性を有し、被加工体 10が遊嵌して保持される複数の円形凹部 68Aが形成されている。各円形凹部 68Aの中心近傍には円形段部 68B が形成されており、中心孔を有する被力卩ェ体 10が内周及び外周において遊嵌するように構成されている。

[0069] 次に、図 7に示されるフローチャート等を参照して磁気記録媒体の製造装置 40の作用について説明する。

[0070] まず、被力卩ェ体 10を用意する。被力卩ェ体 10はガラス基板 12に、下地層 14を 30— 2000nmの厚さで、軟磁十生層 16を 50— 300nmの厚さで、酉己向層 18を 3— 30nmの厚さで、連続記録層 20を 5 30nmの厚さで、第 1のマスク層 22を 3 20nmの厚さで、第 2のマスク層 24を 3— 15nmの厚さで、この順でスパッタリングにより形成し、更にレジスト層 26を 30— 300nmの厚さで、スピンコート又はディッビングにより形成して得られる。尚、第 1のマスク層 22は連続記録層 20よりも薄く形成することが好ましい。例えば、連続記録層 20を 20nm程度の厚さに形成した場合、第 1のマスク層 22を 1 5nm以下の厚さに形成することが好ましい。

[0071] この被力卩ェ体 10のレジスト層 26に転写装置 42を用いて、図 8に示されるような分割記録要素 31の分割パターンに相当する溝をインプリント法により転写する。このようにインプリント法を用いることで、分割パターンに相当する溝を被力卩ェ体 10に効率良く転写すること力 Sできる。尚、リソグラフィ等により、被力卩ェ体 10に分割パターンに相当する溝を転写することも当然可能である。このように溝を形成した複数の被加工体 10 をホルダ 68に装着し、真空槽 70内に搬入する。搬入されたホルダ 68は図示しない搬送装置により、真空槽 70内の各加工装置に自動搬送され、複数の被加工体 10が同時に加工される。

[0072] まず、アツシング装置 44が、図 9に示されるように溝底面のレジスト層 26を除去する

(S102)。尚、レジスト層 26は溝以外の領域も除去されるが、溝底面との段差の分だけ残存する。

[0073] 次に、反応性イオンエッチング装置 46が、図 10に示されるように溝底面の第 2のマスク層 24を除去する（S104)。尚、この際第 1のマスク層 22も微少量除去される。又、溝以外の領域のレジスト層 26も若干除去されるが残存する。尚、第 2のマスク層 24の加工には、反応性ガスとしてフッ素系ガスを用いているので、反応性ガスとして塩素系ガスを用いる場合のように、水等を用いたウエット洗浄を必ずしも必要とせず、後述するようにドライ洗浄で足りる。従って、被力卩ェ体 10の加工工程を総てドライ工程とすることが可能となり生産効率の向上に寄与する。

[0074] 次に、反応性イオンエッチング装置 48が、溝底面の第 1のマスク層 22を除去すると共に、図 11に示されるように溝以外の領域のレジスト層 26を除去する（S106)。又、溝以外の領域の第 2のマスク層 24も若干除去されるが大部分が残存する。第 1のマスク層 22は材料が DLC、レジスト層 26は材料が樹脂のレジスト材料であり、いずれも酸素を反応ガスとする反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが高いので、このように、溝底面の第 1のマスク層 22の除去及び溝以外の領域のレジスト層 26の除去を同時に行うことができ、生産効率がよい。

[0075] 尚、酸素を反応ガスとする反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが低いケィ素を材料とする第 2のマスク層 24が第 1のマスク層 22の上に形成されているので、溝以外の領域の第 1のマスク層 22は良好な形状で残存する。

[0076] このように、第 1のマスク層 22及び第 2のマスク層 24の 2層のマスク層を設けることで、マスク材料、反応ガスの種類の選択幅を広げることができる。

[0077] 次に、イオンビームエッチング装置 50が、図 12に示されるように溝底面の連続記録層 20を除去し、これにより連続記録層 20が多数の分割記録要素 31に分割され、分割記録要素 31の間に溝部 33が形成される（S 108)。

[0078] ここで、溝以外の領域の第 2のマスク層 24は完全に除去され、溝以外の領域の第 1 のマスク層 22も大部分が除去されるが微小量が分割記録要素 31の上面に残存しうる。

[0079] 第 1のマスク層 22は材料が DLCであるためイオンビームエッチングに対するエッチングレートが連続記録層 20よりも低ぐそれだけ膜厚が薄くて足りる。又、第 2のマスク層 24は材料がケィ素であるためイオンビームエッチングに対するエッチングレートが連続記録層 20よりも高いため短時間で除去される。尚、レジスト層除去工程、兼第 1 のマスク層加工工程（S106)において残存できる範囲で第 2のマスク層 24を極力薄く形成すれば、イオンビームエッチングに対するエッチングレートが連続記録層 20と同等又は連続記録層 20よりも低い材料を用いた場合も、短時間で第 2のマスク層を除去することが可能である。更に、第 2のマスク層 24上のレジスト層 26は既に除去されている。即ち、連続記録層 20を被覆する被覆要素は実質的に薄くなつているため、被力卩ェ体 10の表面の法線に対して傾斜した方向から照射されるイオンビームの陰となる部分が小さぐ分割記録要素 31の側面のテーパ角をそれだけ抑制することができる。

[0080] 又、連続記録層 20を被覆する被覆要素が薄レ、ため、イオンビームエッチングにおいて被覆要素の側面の再付着物がそれだけ少なぐ分割記録要素 31の周縁部におけるエッジ状の段部の発生を防止又は低減することができる。尚、分割記録要素 31 上の第 1のマスク層の残存量が極力少なくなるように第 1のマスク層の膜厚、イオンビームエッチングの設定条件等を調整すれば、それだけ第 1のマスク層の側面の再付着物を低減し、分割記録要素 31の周縁部におけるエッジ状の段部の発生を更に抑制すること力 Sできる。

[0081] 又、イオンビームエッチングは、反応性イオンエッチングに対し、加工精度が被加工体 10の形状に依存しにくぐ複数の被力卩ェ体 10の全領域を均一に高精度で力卩ェすること力 Sできる。

[0082] 又、イオンビームエッチングは、 COガス等を反応ガスとする反応性イオンエツチングよりも加工温度が低いので過度の加熱による分割記録要素 31の磁気的劣化を防止又は低減することができる。

[0083] 又、イオンビームエッチングは、 COガス等を反応ガスとする反応性イオンエツチングよりも磁性材料に対するエッチングの進行が速く、生産効率がょレ、。

[0084] 尚、連続記録層 20の加工において、配向層 18も若干除去されうる。

[0085] 次に、アツシング装置 52が、分割記録要素 31上に残存する第 1のマスク層 22を、図 13に示されるように完全に除去する（S110)。

[0086] ここで、ドライ洗浄装置 54を用いて分割記録要素 31の表面の異物を除去する（S1

12)。

[0087] 次に、図 14に示されるように、隔膜形成装置 56が、分割記録要素 31に DLCの隔膜 38を 1一 20nmの厚さで成膜し (S114)、更に非磁性体充填装置 58が、分割記録要素 31の間の溝部 33に非磁性体 32を充填する（S 116)。ここで、非磁性体 32は隔膜 38を完全に被覆するように成膜する。尚、分割記録要素 31は隔膜 38で被覆 '保護されているので、非磁性体 32のバイアススパッタリングにより劣化することがない。

[0088] 次に、平坦化装置 60が、非磁性体 32を、図 15に示されるように分割記録要素 31 の上面まで除去し、分割記録要素 31及び非磁性体 32の表面を平坦化する（S118) 。この際、高精度な平坦ィ匕を行うためには Arイオンの入射角は一 10— 15° の範囲とすることが好ましい。一方、非磁性体充填工程で分割記録要素 31及び非磁性 32の表面の良好な平坦性が得られていれば、 Arイオンの入射角は 30— 90° の範囲とするとよレ、。このようにすることで、加工速度が速くなり、生産効率を高めることができる。ここで「入射角」とは、被カ卩ェ体の表面に対する入射角度であって、被加工体の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、ィオンビームの中心軸が被カ卩ェ体の表面と平行である場合、入射角は 0° である。尚、分割記録要素 31上の隔膜 38は完全に除去してもよいし、一部を残してもよいが、分割記録要素 31の上面の非磁性体 32は完全に除去する。

[0089] 次に、保護層形成装置 62が、 CVD法により分割記録要素 31及び非磁性体 32の上面に 1一 5nmの厚さで DLCの保護層 34を形成する（S120)。ここで、ホノレダ 68を真空槽 70から搬出し、ホルダ 68から各被加工体 10を取外す。

[0090] 更に、潤滑層形成装置 64を用いてデイツビングにより保護層 34の上に 1一 2nmの厚さで PFPEの潤滑層 36を塗布する（S122)。これにより、前記図 2に示される磁気記録媒体 30が完成する。

[0091] 以上のように、連続記録層 20の加工にイオンビームエッチングを用いることで、磁気的劣化を抑制しつつ被加工体を均一に高精度で加工することができる。更に、連続記録層 20の加工温度が高い場合、磁気的劣化を制限するために冷却機構が必要である一方、前述のように複数の被加工体を同時に加工する場合、スペース、カロェ精度等の事情により ESC (静電チャック)やバイアス印加機構を備えた冷却機構を設けること自体が困難であるが、連続記録層 20の加工にイオンビームエッチングを用いることで連続記録層 20の加工温度を低減することができ、冷却機構の設置が不要となる。これにより、複数の被力卩ェ体を同時に高精度で加工することが可能となり、効率よくディスクリートタイプの磁気記録媒体を量産することができる。

[0092] 又、連続記録層 20上の被覆要素を実質的に薄くすることで、分割記録要素を良好な形状に加工することができる。

[0093] 更に、第 1のマスク層の材料として DLCを用いることで、膜厚を薄くし、分割記録要素の加工精度を一層高めることができる。 [0094] 又、被力卩ェ体 10の周囲が真空に保持された状態で分割記録要素 31の形成等が行われるのでカ卩ェによる酸化、腐食等の分割記録要素 31の劣化を防止することができる。

[0095] 又、総ての工程がドライ工程であるのでウエット工程とドライ工程とを併用する製造工程に対して被加ェ体の搬送等が容易であり、磁気記録媒体の製造装置 40はこの点でも生産効率がよい。

[0096] 尚、本実施形態において、連続記録層 20の加工の後に、第 1のマスク層 22を除去しているが、本発明はこれに限定されるものではなぐ第 1のマスク層 22を除去することなく保護層 34の一部として活用してもよい。

[0097] 又、本実施形態において、第 1のマスク層 22の材料として DLCを用いている力本発明はこれに限定されるものではなぐイオンビームエッチングに対するエッチングレートが低い材料であれば第 1のマスク層 22の材料は他の材料としてもよい。

[0098] 又、本実施形態において、第 1のマスク層 22及び第 2のマスク層 24の 2層のマスク層を連続記録層 20上に形成している力本発明はこれに限定されるものではなぐエッチング条件を適宜設定し、第 1のマスク層 22の材料としてイオンビームエツチングに対するエッチングレートが低ぐ且つ、レジスト層除去工程に対するエッチングレートが低い材料を選択すれば、第 2のマスク層は省略し、 1層構造のマスク層としてもよい。

[0099] 又、本実施形態において、反応性イオンエッチングを用いて溝以外の領域に残存するレジスト層 26を除去している力本発明はこれに限定されるものではなぐ他のドライエッチングの手法を用いてレジスト層 26を除去してもよ又、溶解液中でレジスト層を溶解させて除去するようにしてもよい。この場合、第 1のマスク層 22の材料として該溶解液に対するエッチングレートが低い材料を選択すれば、第 2のマスク層は省略し、 1層構造のマスク層としてもよい。

[0100] 又、本実施形態において、連続記録層 20の下に下地層 14、軟磁性層 16が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではな連続記録層 20の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、下地層 14、軟磁性層 16のいずれか一方を省略してもよい。又、基板上に連続記録層を直接形成してもよい。

[0101] 又、本実施形態において、連続記録層 20の加工にイオンビームエッチングを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなぐ他のドライエッチングの手法を用レ、て連続記録層を加ェする場合も、連続記録層の加ェ前にマスク層上のレジスト層を除去する等の処理を行い、連続記録層上の被覆要素を実質的に薄くすることで、分割記録要素の加工精度を高める一定の効果が得られる。

[0102] 又、本実施形態において、磁気記録媒体 30は分割記録要素 31がトラックの径方向に微細な間隔で並設した垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクである力本発明はこれに限定されるものではなぐ分割記録要素がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で並設された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で並設された磁気ディスク、分割記録要素が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、 MO等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他のディスクリートタイプの磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。

[0103] 又、本実施形態において、磁気記録媒体の製造装置 40は、各工程に応じた個別の加工装置を備えている力本発明はこれに限定されるものではなぐ 1台の装置で複数の工程の加工を行うようにしてもよレ、。例えば、溝底面のレジスト層 26を除去する工程と、分割記録要素 31上に残存する第 1のマスク層 22を除去する工程は、共通のアツシング装置で行うようにしてもよい。又、連続記録層 20の加工工程と、分割記録層 31及び非磁性体 32の平坦ィ匕工程は Arガスを用いた共通のイオンビームエツチング装置で行うようにしてもよレ、。又、第 2のマスク層 24の加工と、第 1のマスク層 2 2の加工及びレジスト層 26の除去と、を共通の反応性イオンエッチング装置を用いて、反応ガスを換えて行うようにしてもよレ、。このようにすることで、製造装置のコンパクトィ匕、低コストィ匕を図ることができる。

実施例

[0104] 上記実施形態により、磁気記録ディスクを作製した。尚、連続記録層 20の厚さは約 20nm、第 1のマスク層 22の厚さは約 10nm、第 2のマスク層 24の厚さは約 5nm、レジスト層 26の厚さは約 lOOnmとした。

[0105] 第 2のマスク層 24、第 1のマスク層 22、連続記録層 20の加工における被加工体 10 の加工温度、加工に要した時間は次のとおりであった。

[0106] 第 2のマスク層 24 : 50°C以下、約 5秒（反応ガス SF )

6

第 1のマスク層 22 : 50°C以下、約 10秒（反応ガス〇）

2

連続記録層 20 ：約 120°C以下、約 30秒 (Arイオンビーム）

図 16は、同磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真である。各分割記録要素の周縁部にエッジ状の段部は形成されておらず、各分割記録要素の側面のテーパ角も抑制され、良好な形状に加工されてレ、ることが確認された。

[0107] 又、連続記録層における磁気記録ディスクの端部からの距離とエッチングレートとの関係を図 17に符号 Aを付した曲線で示す。連続記録層のエッチングレートは微小なばらつきはあるものの、端部からの距離の大小により増減する傾向は認められなかつた。尚、図 17は、エッチングの進行が最も速い部位のエッチングレートを 1として、各部位の相対的なエッチングレートを 0— 1の範囲で示したものであり、エッチングの進行速度の絶対値を示すものではなレ、。

[0108] 又、レジスト層 26、第 1のマスク層 22、連続記録層 20 (分割記録要素 31)の底面のライン幅及びスペース幅（溝幅）を表 1に示す。尚、レジスト層 26の底面のライン幅及びスペース幅は、レジスト層加工工程（S102)後、且つ、第 2のマスク層加工工程（S 104)前に測定した。又、第 1のマスク層 22の底面のライン幅及びスペース幅は、レジスト層除去工程兼第 1のマスク層加工工程（S106)後、且つ、連続記録層加工工程（ S108)前に測定した。又、連続記録層 20 (分割記録要素 31)の底面のライン幅及びスペース幅は、連続記録層加工工程（S108)後、且つ、第 1のマスク層除去工程（S 110)前に測定した。

[0109] 又、図 18は、同磁気記録ディスクの MFM像である。濃淡の度合いが異なる微細な斑点状の領域が均一に混在しており、磁気特性が良好であることが確認された。

[0110] [表 1]

[0111] [比較例 1]

上記実施例に対し、 COガス等を反応ガスとする反応性イオンエッチングで連続記録層 20を加工した。第 1のマスク層 22の材料は Ta (タンタル）として厚さは約 25nmとし、 SFガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングでカ卩ェした。尚、分割記録要素

6

31上に残存する第 1のマスク層 22も SFガスを反応ガスとするアツシングにより除去

6

した。又、第 2のマスク層 24の材料は Ni (ニッケル）として厚さは約 10nmとし、イオンビームエッチングで加工した。尚、反応性イオンエッチングでは、冷却機構を用いて被加工体 10を冷却し、被加工体 10を 1個ずつ加工した。他の条件は上記実施例と同様とした。

[0112] 第 2のマスク層 24、第 1のマスク層 22、連続記録層 20の加工における被加工体 10 の加工温度、加工に要した時間は次のとおりであった。

[0113] 第 2のマスク層 24 :約 90°C、約 30秒（Arイオンビーム）

第 1のマスク層 22 : 120°C以下、約 20秒（反応ガス SF )

6

連続記録層 20 ： 250— 300°C、約 60秒（反応ガス CO等）

連続記録層における磁気記録ディスクの端部からの距離とエッチングレートとの関係を図 17に符号 Bを付した曲線で示す。連続記録層のエッチングレートは端部に近いほど増大する傾向があることが確認された。即ち、被カ卩ェ体の端部で他部よりもェツチングレートが大き加工寸法のばらつきが大きくなるため、例えば端部近傍の領域を磁気記録領域として使用できないことがあり、それだけ記録容量が低下することとなる。

[0114] 又、レジスト層 26、第 1のマスク層 22、連続記録層 20 (分割記録要素 31)の底面のライン幅及びスペース幅（溝幅）を表 1に示す。 [0115] 又、同磁気記録ディスクの MFM像を図 19に示す。濃淡の度合いが異なる微細な領域が混在しているが一部は分割記録要素の周縁に沿って連続する線のような形状になっており、磁気的な劣化が生じていることが確認された。

[0116] 即ち、実施例の磁気記録ディスクは比較例 1の磁気記録ディスクに対し、磁気特性が良好であることが確認された。これは実施例が比較例 1よりも、各マスク層、連続記録層の加工に要する時間が短ぐ加工温度が低いためであると考えられる。尚、前述のように比較例 1は連続記録層加工工程で冷却機構を用いてカ卩ェ温度を抑制しており、仮に実施例と同様に冷却機構を用いずに反応性イオンエッチングで連続記録層を加工した場合、加工温度は更に上昇し、比較例 1の磁気記録ディスクの磁気的劣化は更に増大すると考えられる。

[0117] 又、実施例の磁気記録ディスクは比較例 1の磁気記録ディスクに対し、分割記録要素の形状が安定しており、部位による形状のばらつきが小さかった。これは、実施例が比較例 1よりも、部位による連続記録層のエッチングレートのばらつきが小さいためであると考えられる。

[0118] 又、表 1に示されるように、実施例は比較例 1に対し、レジスト層 26の底面のスぺース幅が等しいにも拘らず、連続記録層 20 (分割記録要素 31)の底面のスペース幅が大きかった。即ち、実施例は比較例 1よりも、転写精度が良好であった。これは、実施例は第 1のマスク層 22の材料として DLCを用レ、、第 2のマスク層 24の材料として Siを用いているため、比較例 1よりも、第 1のマスク層 22、第 2のマスク層 24の膜厚が薄くできており、被力卩ェ部側面のテーパ角が抑制されたためであると考えられる。

[比較例 2]

上記実施例に対し、第 1のマスク層の厚さを 50nmとし、磁気記録ディスクを製造した。その他の条件は上記実施例と同様とした。

[0119] 図 20は、同磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真である。各分割記録要素の周縁部に沿ってエッジ状の段部が形成されていることが確認された。

[比較例 3]

上記実施例に対し、第 1のマスク層 22、第 2のマスク層 24は形成しないで連続記録層 20上に直接レジスト層 26を形成し、レジスト層 26をマスクとしてイオンビームエッチングにより連続記録層 20を所定のパターンに加工して磁気記録ディスクを製造した。その他の条件は上記実施例と同様とした。

[0120] 図 21は、同磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真である。各分割記録要素の周縁部に沿って比較例 2よりも若干突出量が大きいエツジ状の段部が形成されていることが確認された。

[0121] 即ち、実施例の磁気記録ディスクは比較例 2及び 3の磁気記録ディスクに対し、分割記録要素の形状が良好であることが確認された。これは実施例は、連続記録層を被覆する被覆要素が比較例 2及び 3よりも薄いためであると考えられる。

[0122] 実施例では、第 1のマスク層 22の厚さは 10nmであるので、第 1のマスク層 22の厚さを lOnm以下とすることで、分割記録要素を良好な形状に確実に加工できることがわかる。尚、第 1のマスク層 22を記録層よりも薄く形成すれば、分割記録要素を概ね良好な形状に加工できると考えられている。ディスクリートトラック媒体やパターンド媒体の場合、記録層の厚さとしては 20nm程度が想定されている力高面記録密度化に伴って記録層の厚さは薄くなる傾向にあり、 15nm程度まで記録層を薄くすることも考えられる。従って、ディスクリートトラック媒体やパターンド媒体の場合、第 1のマスク層 22の厚さを 15nm以下とすれば、分割記録要素を概ね良好な形状に加工できると考えられる。尚、ドライエッチングにおけるマスク層としての機能を果たすためには、第 1のマスク層 22は少なくとも 3nm以上の厚さに形成することが好ましい。

産業上の利用可能性

[0123] 本発明は、多数の分割記録要素に分割された記録層を備える磁気記録媒体の製造に利用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被加工体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてドライエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[2] 請求項 1において、

前記マスク層は、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層を含む構成とし、この層を前記連続記録層よりも薄く形成したことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[3] 請求項 2において、

前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の厚さ tを、 3≤t≤15nmとしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[4] 請求項 2において、

前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の厚さ tを、 3≤t≤10nmとしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[5] 請求項 2乃至 4のいずれかにおいて、

前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の材料をダイヤモンドライクカーボンとしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[6] 請求項 1乃至 5のいずれかにおいて、

前記連続記録層加工工程は、イオンビームエッチングを用いて前記連続記録層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[7] 請求項 1乃至 6のいずれかにおいて、

前記マスク層は、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い第 1のマスク層と、前記レジスト層除去工程におけるエッチングレートが前記第 1のマスク層よりも低前記第 1のマスク層及び前記レジスト層の間に配置された第 2のマスク層と、を含む構成とし、前記マスク層加工工程は、前記レジスト層に基づいて前記第 2のマスク層を前記パターン形状に加工する第 2のマスク層加ェ工程と、該第 2のマスク層に基づいて前記第 1のマスク層を前記パターン形状に加ェする第 1のマスク層加工工程と、を含む構成としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[8] 請求項 7において、

前記レジスト層除去工程が前記第 1のマスク層加工工程を兼ねるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[9] 請求項 8において、

前記レジスト層除去工程は、酸素及びオゾンのいずれ力を反応ガスとする反応性ィオンエッチングを用いて前記レジスト層を除去すると共に前記マスク層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[10] 請求項 8又は 9において、

前記連続記録層加工工程で前記第 1のマスク層上の前記第 2のマスク層が除去されるように、該第 2のマスク層は、膜厚が充分に薄い構成、及び Z又は材料が前記連続記録層加工工程において前記連続記録層の材料よりも高いエッチングレートを有する材料である構成としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[11] 請求項 8乃至 10のいずれかにおいて、

前記第 2のマスク層の材料をケィ素及びケィ素の化合物の少なくとも一方からなるケィ素系材料としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[12] 請求項 8乃至 11のいずれかにおいて、

前記第 2のマスク層加工工程は、フッ素系ガスを反応ガスとする反応性イオンエツチングを用いて前記第 2のマスク層をカ卩ェするようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[13] 請求項 1乃至 12のいずれかにおいて、

前記レジスト層加工工程は、インプリント法を用いて前記レジスト層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[14] 請求項 1乃至 13のいずれかにおいて、

前記被力卩ェ体を複数同時に加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[15] 基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被力卩ェ体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてイオンビームエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

[16] 請求項 1乃至 15のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を実行するための加工装置と、複数の前記被加工体を同時に保持するためのホルダと、を備え、複数の前記被力卩ェ体を同時に加工可能としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置

[17] 請求項 16において、

前記連続記録層を加工するためのイオンビームエッチング装置を備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。