JP4319104B2

JP4319104B2 - 磁気記録媒体の製造方法

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Publication number: JP4319104B2
Application number: JP2004217703A
Authority: JP
Inventors: 孝裕諏訪; 和也嶋川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2004-07-26
Filing date: 2004-07-26
Publication date: 2009-08-26
Anticipated expiration: 2024-07-26
Also published as: JP2006040378A

Description

本発明は、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成された磁気記録媒体の製造方法に関する。

従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。

しかしながら、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因するサイドフリンジ、クロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきており、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層を凹凸パターンに加工し、凹凸パターンの凸部として記録要素を形成してなるディスクリート媒体や、パターンド媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。尚、ヘッド浮上高さを安定させるためには、記録要素の間の凹部を非磁性材で充填し、表面を平坦化することが好ましい。

記録層を凹凸パターンに加工する加工技術としては、まず記録層の上に凹凸パターンのマスク層を形成し、このマスク層に基いて、イオンビームエッチング、ＣＯ（一酸化炭素）ガス及びＮＨ_３（アンモニア）ガス等の混合ガス等を反応ガスとする反応性イオンエッチング（例えば、特許文献２参照）等のドライエッチングで凹部の記録層を除去する手法を利用しうる。

尚、マスク層を凹凸パターンに加工する加工技術としては、マスク層の上にレジスト層を成膜し、リソグラフィ等の半導体製造の分野で用いられている手法でレジスト層を凹凸パターンに加工してから、レジスト層に基いてドライエッチングで凹部のマスク層を除去する手法を利用しうる。

又、記録要素の間の凹部を非磁性材で充填し、表面を平坦化する加工技術としては、凹凸パターンの記録層上にスパッタリング法等で非磁性材を成膜して凹部を非磁性材で充填し、記録要素上の余剰の非磁性材をイオンビームエッチング等のドライエッチング等で除去して平坦化する手法を利用しうる。

特開平９−９７４１９号公報特開平１２―３２２７１０号公報

しかしながら、イオンビームエッチング等のドライエッチングで記録層を加工すると、記録要素の上面端部近傍に突起が形成されることがあった。このような突起が形成される原因は必ずしも明らかではないが、概ね次のように考えられる。図１１に示されるように連続記録層１００におけるマスク１０２から露出した部分をイオンビームエッチングで加工する際、連続記録層１００の除去と、除去された粒子の一部のマスク１０２の側面等への再付着と、が繰返され、再付着物の量が少ない場合には再付着物はイオンビームで逐次除去されるが、再付着物の量が多い場合には再付着物は図１２に示されるようにマスク１０２の側面に堆積し、結果的に図１３に示されるように記録要素１０４の上面端部近傍に突起１０６が形成されると考えられる。

このように、記録要素の上面端部近傍に突起が形成されると、記録要素間の凹部を非磁性材で充填し、記録要素上の余剰の非磁性材を除去して表面を平坦化しても、表面には記録要素の上面端部近傍の突起が反映された凹凸パターンが残存してしまうことがあった。即ち、表面を充分に平坦化できないという問題があった。

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの記録層を備え、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を確実に製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、記録層を凹凸パターン形状に加工し、該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成してから、被加工体の表面に垂直な方向に対し、傾斜した方向からイオンビームを照射し、記録要素の上面端部近傍の突起を除去することにより上記目的を達成するものである。このように、被加工体の表面に垂直な方向に対し、傾斜した方向からイオンビームを照射することにより、突起を、記録要素よりも選択的に速く加工することができる。これにより、記録要素の磁気特性の低下を抑制しつつ、記録要素の上面端部近傍の突起を効率良く除去することができる。このように突起を除去することで、磁気記録媒体の表面を充分に平坦化することができる。尚、記録要素の上面の加工を抑制するためには、記録要素の上面にマスク層が残存した状態で、イオンビームを照射して、記録要素の上面端部近傍の突起を除去することが好ましい。

即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。

（１）基板の上に連続記録層、マスク層をこの順で形成してなる被加工体の前記マスク層を所定の凹凸パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層に基づいてドライエッチングにより前記連続記録層を前記凹凸パターン形状に加工し、該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、前記被加工体の表面に垂直な方向に対し、傾斜した方向からイオンビームを照射し、前記記録要素の上面端部近傍の突起を除去する突起除去工程と、前記被加工体の上に非磁性材を成膜して前記記録要素の間の凹部を充填する非磁性材充填工程と、前記記録要素上の余剰の前記非磁性材を除去して前記被加工体の表面を平坦化する平坦化工程と、を含んでなり、これらの工程をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（２）（１）において、前記突起除去工程において、前記記録要素の上面に前記マスク層が残存した状態で、前記突起除去工程を実行することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（３）（１）又は（２）において、前記記録層加工工程において、前記被加工体の表面にイオンビームを照射して前記連続記録層を前記凹凸パターン形状に加工し、前記突起除去工程において、前記記録層加工工程よりも、前記被加工体の表面に対して小さい入射角で前記被加工体の表面にイオンビームを照射して、前記記録要素の上面端部近傍の突起を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

尚、本出願において、「連続記録層を凹凸パターン形状に加工する」とは、連続記録層を所定の凹凸パターンで多数の記録要素に分割する場合の他、連続記録層を所定のパターンで部分的に分割し、一部が連続する記録要素を形成する場合、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように、基板上の一部に連続して記録層を形成する場合も含む意義で用いることとする。

又、本出願において、「イオンビームを照射する」とは、イオンビームを絞って被加工体に照射する場合の他、例えばイオンミリング等のように、イオン化したガスを被加工体に一様に照射する場合も含む意義で用いることとする。

又、本出願において、「イオンビームの入射角」とは、被加工体の表面に対する入射角度であって、被加工体の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が被加工体の表面と平行である場合、入射角は０°である。

又、本出願において「記録要素の上面」とは、記録要素における基板と反対側の面という意義で用いることとする。

又、本出願において「余剰の非磁性材」とは、記録要素の上に成膜された非磁性材のうち、記録要素の上面よりも基板と反対側に成膜された非磁性材という意義で用いることとする。

又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（ＭａｇｎｅｔｏＯｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。

本発明によれば、凹凸パターンの記録層を備え、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を確実に製造することができる。

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

本実施形態は、基板上に連続記録層、マスク層等を形成してなる図１に示されるような、磁気記録媒体の中間製品である被加工体にドライエッチング等の加工を施し、図２に示されるような所定の凹凸パターン形状に連続記録層を加工して凹凸パターンの凸部として多数の記録要素を形成して磁気記録媒体を製造する方法に関するものであり、記録要素を形成する際、記録要素の上面端部近傍に形成される突起を除去する工程が設けられたことに特徴を有している。

被加工体１０は、略円板形状（図示省略）であり、図１に示されるように、ガラス製の基板１２に、下地層１４、軟磁性層１６、配向層１８、連続記録層２０、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４、レジスト層２６がこの順で形成された構成である。

下地層１４の材料はＣｒ（クロム）又はＣｒ合金、軟磁性層１６の材料はＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金、配向層１８の材料は非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＭｇＯ等、連続記録層２０の材料はＣｏＣｒ（コバルト−クロム）合金である。又、第１のマスク層２２の材料はＣ（炭素）、第２のマスク層２４の材料はＳｉ（ケイ素）である。

磁気記録媒体３０は垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクで、図２に示されるように、データ領域において前記連続記録層２０がトラックの径方向にラインアンドスペースパターンで分割され、記録要素３２Ａが凹凸パターンの凸部として形成された記録層３２を備え、記録要素３２Ａの間の凹部３４に非磁性材３６が充填されている。尚、記録要素３２Ａは、サーボ領域において、コンタクトホールを含むサーボパターンで形成されている（図示省略）。非磁性材３６の材料はＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）である。

次に、図３に示されるフローチャート等を参照して磁気記録媒体３０の製造方法について説明する。

まず、被加工体１０を作製する(Ｓ１０２)。被加工体１０は基板１２の上に、下地層１４を３０〜２００ｎｍの厚さで、軟磁性層１６を５０〜３００ｎｍの厚さで、配向層１８を３〜３０ｎｍの厚さで、連続記録層２０を５〜３０ｎｍの厚さで、第１のマスク層２２を３〜２０ｎｍの厚さで、第２のマスク層２４を３〜１５ｎｍの厚さで、この順でスパッタリングにより形成し、更にレジスト層２６を３０〜３００ｎｍの厚さで、スピンコート法又はディッピング法により形成することにより得られる。

この被加工体１０のレジスト層２６に記録要素３２Ａの分割パターンに相当する凹凸パターンをナノ・インプリント法により転写し（Ｓ１０４）、Ｏ_２（酸素）を反応ガスとする反応性イオンビームエッチングにより、凹部の底部のレジスト層２６を除去する。尚、レジスト層２６を露光・現像して、凹凸パターンを形成してもよい。次にＳＦ_６（６フッ化硫黄）ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより凹部の底部の第２のマスク層２４を除去し（Ｓ１０６）、更に、Ｏ_２（酸素）を反応ガスとする反応性イオンエッチングにより凹部の底部の第１のマスク層２２を除去する（Ｓ１０８）。

次に、Ａｒ（アルゴン）ガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより凹部の底部の連続記録層２０を除去する(Ｓ１１０)。これにより、図４に示されるように、多数の記録要素３２Ａが凹凸パターンの凸部として形成される。ここで、第２のマスク層２４は完全に除去されるが、第１のマスク層２２は連続記録層２０（記録要素３２Ａ）上に一定量が残存する。尚、本出願において、「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して除去する加工方法の総称という意義で用いることとし、イオンビームを絞って照射する加工方法に限定しない。

図５は、連続記録層２０のエッチングレートと、イオンビームの入射角と、の関係を示すグラフである。尚、本出願において「イオンビームの入射角」とは、被加工体１０の表面に対する入射角度であって、被加工体１０の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が被加工体１０の表面と平行である場合、入射角は０°である。図５に示されるように、イオンビームの入射角を３０〜９０°の範囲とすることで、高いエッチングレートが得られ、生産効率を高めることができる。又、図４中に矢印で示されるように、イオンビームの入射角を９０°に近づけることで、記録要素３２Ａの側面を被加工体１０の表面に対して垂直に近い形状に加工することができる。

このように連続記録層２０をイオンビームエッチングで加工する際、記録要素３２Ａの上面端部近傍には、除去された連続記録層２０の粒子等が付着し、突起３８が形成される。

次に、Ａｒ（アルゴン）ガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより、図６中に矢印で示されるように、被加工体１０の表面に垂直な方向に対し、傾斜した方向からイオンビームを照射し、記録要素３２Ａの上面に第１のマスク層２２が残存した状態で、記録要素３２Ａの上面端部近傍の突起３８を除去する(Ｓ１１２)。この際、上記記録層加工工程（Ｓ１１０）よりも、被加工体１０の表面に対して小さい入射角で被加工体１０の表面にイオンビームを照射する。このように記録要素３２Ａの上面に第１のマスク層２２が残存した状態でイオンビームを照射して突起３８を除去するので、（突起３８以外の）記録要素３２Ａの上面の加工を抑制することができる。又、記録要素３２Ａの上面の第１のマスク層２２が除去されたとしても、被加工体１０の表面に垂直な方向に対し、傾斜した方向から小さい入射角でイオンビームを照射しているので、記録要素３２Ａの上面の加工が抑制される。又、被加工体１０の表面に垂直な方向に対し、傾斜した方向から小さい入射角でイオンビームを照射しているので、突起３８の側面に対しては大きい入射角でイオンビームが照射されることとなり、図５に示されるように、記録要素３２Ａのエッチングレートよりも突起３８のエッチングレートが高くなり、突起３８が選択的に速く加工される。

又、上記記録層加工工程（Ｓ１１０）よりも、被加工体１０の表面に対して小さい入射角で被加工体１０の表面にイオンビームを照射することにより、記録要素３２Ａの側面を被加工体１０の表面に対して垂直に近い形状に加工できると共に、突起３８を選択的に除去することができる。従って、記録要素３２Ａの良好な磁気特性が得られ、又、記録要素３２Ａの上面端部近傍の突起３８を効率良く除去することができる。

尚、突起３８のエッチングレートを高めるためには、イオンビームの入射角を、−１０〜６０°とすることが好ましい。又、記録要素３２Ａの加工を抑制する効果を高めるためには、イオンビームの入射角を、−１０〜１０°とすることが好ましい。尚、入射角が−１０〜０°の場合、イオンビームに対して突起３８や記録要素３２Ａは基板１２等の陰となるが、イオンビームの一部は突起３８や記録要素３２Ａまで廻りこみ、これらを加工することが可能である。

次に、Ｏ_２を反応ガスとする反応性イオンエッチングにより記録要素３２Ａ上に残存する第１のマスク層２２を完全に除去し（Ｓ１１４）、更に、バイアススパッタリングにより被加工体１０の上に非磁性材３６を成膜して記録要素３２Ａの間の凹部３４に非磁性材３６を充填してから（Ｓ１１６）、Ａｒガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより、記録要素３２Ａの上の余剰の非磁性材３６を除去して被加工体１０の表面を平坦化する。これにより、前記図２に示される磁気記録媒体３０が完成する。突起除去工程（Ｓ１１２）において記録要素３２Ａの上面端部近傍の突起３８が除去されているので、磁気記録媒体３０の表面を充分に平坦化することができる。尚、高精度な平坦化を行うためにはイオンビームの入射角は−１０〜１５°の範囲とすることが好ましい。一方、非磁性材充填工程(Ｓ１１６)で非磁性材３６の表面の良好な平坦性が得られていれば、イオンビームの入射角は３０〜９０°の範囲とするとよい。このようにすることで、加工速度が速くなり、生産効率を高めることができる。

尚、本実施形態において、記録要素３２Ａの上面に第１のマスク層２２が残存した状態で突起３８を除去しているが、例えば、イオンビームの入射角を−１０〜１０°程度に設定した場合のように、記録要素３２Ａの上面の加工を充分に抑制できれば、記録要素３２Ａの上面の第１のマスク層２２が除去された状態で突起３８を除去してもよい。

又、本実施形態において、連続記録層２０の下に下地層１４、軟磁性層１６が形成されているが、連続記録層２０の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、下地層１４、軟磁性層１６のいずれか一方を省略してもよい。又、基板上に連続記録層を直接形成してもよい。

又、本実施形態において、磁気記録媒体３０の表面は、記録要素３２Ａ及び非磁性材３６で構成されているが、これらの上に更に保護層や潤滑層を形成してもよい。

又、本実施形態において、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４、レジスト層２６を連続記録層２０に形成し、４段階のドライエッチングで連続記録層２０を分割しているが、連続記録層２０を高精度で分割できれば、レジスト層、マスク層の材料、積層数、厚さ等は特に限定されない。例えば、レジスト層を連続記録層上に直接形成し、レジスト層をマスク層として連続記録層を分割してもよい。

又、本実施形態において、連続記録層２０の加工にイオンビームエッチングを用いているが、例えばＣＯ（一酸化炭素）ガス及びＮＨ_３（アンモニア）ガスの混合ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングのような他のドライエッチングにより、連続記録層２０を加工してもよい。この場合も、記録要素３２Ａを形成した後、記録要素３２Ａの上面端部近傍の突起３８を除去してから、非磁性材３６の充填及び表面の平坦化を行うことで、磁気記録媒体の表面を充分に平坦化することができる。

又、本実施形態において、磁気記録媒体３０は記録要素３２Ａがトラックの径方向に微細な間隔で並設した垂直記録型のディスクリートトラックタイプの磁気ディスクであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、記録要素がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で並設された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で並設された磁気ディスク、記録要素が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他のディスクリートトラック媒体、パターンド媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。

上記実施形態のとおり、磁気記録媒体３０を作製した。具体的には、連続記録層２０の厚さが約２０ｎｍ、第１のマスク層２２の厚さが約１０ｎｍ、第２のマスク層２４の厚さが約１０ｎｍ、レジスト層２６の厚さが約１００ｎｍの被加工体１０を作製し、ナノ・インプリント法によりレジスト層２６に凹凸パターンを転写し、Ｏ_２ガスを反応ガスとする反応性イオンビームエッチングにより、凹部の底部のレジスト層２６を除去した。次に、ＳＦ_６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより第２のマスク層２４を凹凸パターンに加工した。更に、Ｏ_２ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、第１のマスク層２２を凹凸パターンに加工し、Ａｒガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより入射角を約９０°に設定して被加工体１０の表面にイオンビームを照射し、連続記録層２０を多数の記録要素３２Ａに分割した。記録要素３２Ａの凹凸パターンの具体的な形状は以下のとおりである。尚、凸部の幅、凹部の幅はいずれも、記録層３２の上面（基板１２と反対側の面）における径方向の幅を示す。

トラックピッチ：２００ｎｍ
凸部の幅：１３０ｎｍ
凹部の幅：７０ｎｍ
凹凸の段差：２０ｎｍ

次に、記録要素３２Ａの上面に第１のマスク層２２が残存した状態で、Ａｒガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより、被加工体１０の表面にイオンビームを照射し、記録要素３２Ａの上面端部の突起３８を除去した。尚、イオンビームエッチングの条件は以下のように設定した。

イオンビームの入射角：約１°
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：５００ｍＡ
サプレッサー電圧：４００Ｗ
Ａｒガス流量：１１ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．０４Ｐａ
加工時間：１５ｓｅｃ

次に、Ｏ_２ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、記録要素３２Ａの上面に残存する第１のマスク層２２を除去した後、被加工体１０の表面をＡＦＭ（ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ)により撮像したところ図７に示されるような画像が得られた。図７中の色が濃い部分が凹部３４であり、これよりも色が薄い部分が記録要素３２Ａである。又、被加工体１０の表面形状をＡＦＭにより測定したところ、図８に示されるような断面形状であった。図７及び図８に示されるように、記録要素３２の上面端部には突起は存在しなかった。

次に、バイアススパッタリングにより、被加工体１０の上に非磁性材３６を成膜して非磁性材３６で凹部３４を充填した。尚、バイアススパッタリングの条件は以下のように設定した。

成膜パワー（ターゲット（ＳｉＯ_２）に印加するパワー）：ＲＦ５００Ｗ
被加工体に印加するバイアスパワー：ＲＦ１５０Ｗ
チャンバ内圧力：０．３Ｐａ
成膜厚さ（記録要素３２Ａ上の非磁性材３６の厚さ）：６０ｎｍ

次に、Ａｒガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより、記録要素３２Ａの上の余剰の非磁性材３６を除去し、被加工体１０の表面を平坦化した。尚、イオンビームエッチングの条件は以下のように設定した。

イオンビームの入射角：約１°
ビーム電圧：７００Ｖ
ビーム電流：１１００ｍＡ
サプレッサー電圧：４００Ｖ
Ａｒガス流量：１１ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．０４Ｐａ
加工時間：２ｍｉｎ２４ｓｅｃ

このようにして得られた磁気記録媒体３０の表面の算術平均粗さＲａ、表面段差を測定した。測定結果を表１に示す。尚、表面段差は、磁気記録媒体３０の表面の複数の部位における凹凸の最大段差の相加平均値である。

[比較例]
上記実施例に対し、連続記録層２０を多数の記録要素３２Ａに分割した後、イオンビームエッチングによる突起３８の除去を行わなかった。その他は上記実施例と同様の工程で磁気記録媒体３０を作製した。

第１のマスク層２２を除去した後、被加工体１０の表面をＡＦＭにより撮像したところ図９に示されるような画像が得られた。図９中の色が濃い部分が凹部３４であり、これよりも色が薄い部分が記録要素３２Ａであり、これよりも更に色が薄い部分が突起３８である。又、被加工体１０の表面形状をＡＦＭにより測定したところ、図１０に示されるような断面形状であった。図９及び図１０に示されるように、記録要素３２Ａの上面端部近傍に沿って、突起３８が断続的に形成されていることがわかる。又、実施例と同様の条件で非磁性材３６で凹部３４を充填し、表面を平坦化した磁気記録媒体３０の表面の算術平均粗さＲａ、表面段差を測定した。測定結果を表１に併記して示す。

表１に示されるように、実施例は比較例に対し、算術平均粗さＲａが約２／３に抑制され、表面段差は約１／４に抑制されていた。即ち、連続記録層２０を多数の記録要素３２Ａに分割した後、イオンビームエッチングにより記録要素３２Ａの上面端部の突起３８を除去することにより、磁気記録媒体３０の表面を著しく平坦化できることが確認された。

本発明は、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成された磁気記録媒体の製造に利用することができる。

本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の中間製品である被加工体の構造を模式的に示す側断面図同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図同磁気記録媒体の製造方法の概要を示すフローチャート連続記録層が多数の記録要素に分割された上記被加工体を模式的に示す側断面図同連続記録層のエッチングレートと、イオンビームの入射角と、の関係を示すグラフ記録要素の上面端部近傍に形成された突起の除去工程を模式的に示す側断面図本発明の実施例に係る磁気記録媒体の記録層の表面を示すＡＦＭ画像同記録層の表面の断面形状を示すＡＦＭによる側断面図比較例に係る磁気記録媒体の記録層の表面を示すＡＦＭ画像同記録層の表面の断面形状を示すＡＦＭによる側断面図従来の記録層の加工において、記録層上に部分的にマスクが形成された状態を模式的に示す側断面図記録要素の上面端部への突起の形成過程を模式的に示す側断面図同記録層の加工が完了した状態を模式的に示す側断面図

符号の説明

１０…被加工体
１２…基板
１４…下地層
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０…連続記録層
２２…第１のマスク層
２４…第２のマスク層
２６…レジスト層
３０…磁気記録媒体
３２…記録層
３２Ａ…記録要素
３４…凹部
３６…非磁性材
３８…突起
Ｓ１０２…被加工体作製工程
Ｓ１０４…レジスト層加工工程
Ｓ１０６…第２のマスク層加工工程
Ｓ１０８…第１のマスク層加工工程
Ｓ１１０…記録層加工工程
Ｓ１１２…突起除去工程
Ｓ１１４…第１のマスク層除去工程
Ｓ１１６…非磁性材充填工程
Ｓ１１８…平坦化工程

Claims

基板の上に連続記録層、マスク層をこの順で形成してなる被加工体の前記マスク層を所定の凹凸パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層に基づいてドライエッチングにより前記連続記録層を前記凹凸パターン形状に加工し、該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、前記被加工体の表面に垂直な方向に対し、傾斜した方向からイオンビームを照射し、前記記録要素の上面端部近傍の突起を除去する突起除去工程と、前記被加工体の上に非磁性材を成膜して前記記録要素の間の凹部を充填する非磁性材充填工程と、前記記録要素上の余剰の前記非磁性材を除去して前記被加工体の表面を平坦化する平坦化工程と、を含んでなり、これらの工程をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
請求項１において、
前記記録要素の上面に前記マスク層が残存した状態で、前記突起除去工程を実行することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
請求項１又は２において、
前記記録層加工工程において、前記被加工体の表面にイオンビームを照射して前記連続記録層を前記凹凸パターン形状に加工し、前記突起除去工程において、前記記録層加工工程よりも、前記被加工体の表面に対して小さい入射角で前記被加工体の表面にイオンビームを照射して、前記記録要素の上面端部近傍の突起を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。