JP4626611B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。

従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。

これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアが提案されている。一方、ハードディスク等の磁気記録媒体ではヘッド浮上高さを安定させて良好な記録／再生特性を得るために表面の平坦性が重視される。従って、記録要素の間の凹部を充填材で充填し、記録要素及び充填材の上面を平坦化することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

記録層を凹凸パターンに加工する手法としては、ドライエッチング等の加工手法を利用しうる。凹部に充填材を充填し、記録要素及び充填材の上面を平坦化する手法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等で凹凸パターンの記録層上に充填材を成膜して記録要素の間の凹部を充填してから、記録要素の上面よりも上側（基板と反対側）に成膜された余剰の充填材をドライエッチングで除去する手法を利用しうる。

記録層の良好な磁気特性を得るためには、記録要素の上面を加工しないように余剰の充填材を完全に除去することが好ましい。即ち、加工終点が記録要素の上面と一致するように平坦化工程のドライエッチングを制御することが好ましい。

ドライエッチングの場合、被加工体から除去されて飛散する記録要素の成分を二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ−Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ））や四重極質量分析法（ＱＭＳ（Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ））により検出でき、記録要素の成分を検出して加工を停止することにより、加工終点のばらつきを記録要素の上面に対して数ｎｍの範囲内に抑制することが可能である。

しかしながら、二次イオン質量分析法や四重極質量分析法で記録要素の成分を検出するためには余剰の充填材だけでなく記録要素もエッチングする必要がある。従って、記録要素の上部近傍の数ｎｍ程度の部分が確実にエッチングされることとなり、磁気特性の悪化が懸念される。

これに対し、半導体の分野では、記録要素に相当するエッチングから保護すべき部分の上に被検出材を成膜し、被検出材の成分を検出することでエッチングを停止する技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。

磁気記録媒体の分野でもこの技術を利用し、凹凸パターンの記録層の上に被検出材を成膜し、エッチングが被検出材まで及び、除去されて飛散する被検出材の成分が検出され始めた直後、又は一旦検出された被検出材の成分が消失した直後にエッチングを停止することにより、エッチングが記録要素に及ばないように余剰の充填材を除去することが期待される。

特開平９−９７４１９号公報 特開２００３−０７８１８５号公報

しかしながら、被検出材が飛散し始めた直後は被検出材の成分の飛散量が少ないため、二次イオン質量分析法や四重極質量分析法では被検出材の成分が検出され始めたことを示すデータとノイズとの差異が明確でないことがあり、被検出材にエッチングが及んだ時点を明確に検出することが困難な場合がある。

一方、一旦検出された被検出材が実質的に消失したことを判定することは比較的容易であるが、二次イオン質量分析法や四重極質量分析法は除去されて飛散する被検出材の成分を検出する分析法であるため、実際に被検出材が被加工体から完全に除去される時点と被検出材が消失したと判定される時点との間には数秒のタイムラグがある。

従って、被検出材が消失したと判定した直後にエッチングを停止する場合、実際には被検出材が被加工体から完全に除去され、更にエッチングが進行して記録要素がエッチングされてしまうことがある。

又、記録要素がエッチングされると記録要素の間の凹部を充填する充填材もエッチングされる。記録要素と充填材とは材料が異なりエッチングに対する加工速度も一般的に異なるため、記録要素と共に凹部を充填する充填材が更にエッチングされることで記録要素の上面と充填材の上面との間に数ｎｍ程度の段差が生じてしまうことがある。面記録密度が高いディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアの場合、５〜１５ｎｍ程度の微小なヘッドの浮上高さが想定されるため、数ｎｍ程度の段差であってもヘッドのクラッシュ等の問題の原因となりうる。尚、このような数ｎｍ程度の段差は半導体の製造工程においても同様に生じうるが、半導体の場合はヘッドのクラッシュ等の問題がないため数ｎｍ程度の段差は一般的に問題とならない。

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの記録層を有し、表面が充分に平坦で、記録／再生特性が良好な磁気記録媒体を製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、凹凸パターンの凸部として記録要素が形成された記録層を有する被加工体の上に第１の充填材を成膜して記録要素を被覆すると共に記録要素の間の凹部を少なくとも部分的に充填し、第１の充填材の上に被検出材を成膜し、被検出材の上に第２の充填材を成膜し、被加工体の表面に加工用ガスを照射して第１の充填材、被検出材及び第２の充填材のうち記録要素の上面よりも上側に成膜された部分の少なくとも一部を除去して表面を平坦化し、この平坦化工程において被加工体から除去されて飛散する被検出材の成分を検出し、該被検出材の成分の検出結果に基いて加工用ガスの照射を停止することにより、上記目的を達成するものである。

第１の充填材が記録要素と被検出材との間に成膜されているので、記録要素の上の被検出材が完全に除去されてから更にエッチングが進行しても、第１の充填材により記録要素をエッチングから保護できる。

又、第１の充填材を凹部の深さ以上の厚さで成膜する場合、記録要素の上の被検出材が完全に除去されてから更にエッチングが進行し、記録要素の上の第１の充填材と共に記録要素の間の凹部を充填する第１の充填材がエッチングされても、記録要素の上でも凹部の上でも第１の充填材がエッチングされるので、記録要素と充填材とがエッチングされる場合のような段差は生じない。

尚、第１の充填材を凹部の深さよりも薄く成膜する場合は凹部の上部は第２の充填材で充填され、記録要素の上の被検出材が完全に除去されてから更にエッチングが進行すると、記録要素の上の第１の充填材と共に凹部を充填する第２の充填材がエッチングされるが、この場合も、第１の充填材、第２の充填材として同じ材料や平坦化工程のドライエッチングに対するエッチングレートが近い材料を選択することで、記録要素と充填材とがエッチングされる場合のような段差が生じにくくなり、表面を充分に平坦化できる。

又、ドライエッチングは凹部よりも凸部を選択的に早く除去するだけでなく、凸部の中でも端部が中央部よりも早く除去されるので、記録要素の上の被検出材は端部から除々に除去される。従って、記録要素の幅が広いと記録要素の中央部の上の被検出材にエッチングが及ぶ時点と記録要素の端部の上の被検出材にエッチングが及ぶ時点との時間差が大きくなり、ノイズと明確に区別できる程度に被検出材の飛散量が増大する時点のばらつきも大きくなる。このため、エッチングを目的の位置で高精度で停止させることが困難な場合がある。

これに対し、凹部の中央部の上の被検出材にエッチングが及ぶ時点と凹部の端部の上の被検出材にエッチングが及ぶ時点との時間差は小さく、ノイズと明確に区別できる程度に被検出材の飛散量が増大する時点のばらつきも小さい。従って、第１の充填材を凹部の深さと同等又はこれよりも厚い厚さで成膜してから被検出材を成膜し、凹部の上から除去されて飛散する被検出材の成分の検出結果に基いて平坦化工程のエッチングを停止すれば、エッチングを目的の位置で高精度で停止させることができる。

即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。

（１）基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成されて該凹凸パターンの凸部として記録要素が形成された記録層を有する被加工体の上に第１の充填材を成膜して前記記録要素を被覆すると共に該記録要素の間の凹部を少なくとも部分的に充填する第１の充填材成膜工程と、前記第１の充填材の上に被検出材を成膜する被検出材成膜工程と、前記被検出材の上に第２の充填材を成膜する第２の充填材成膜工程と、前記被加工体の表面に加工用ガスを照射して前記第１の充填材、前記被検出材及び前記第２の充填材のうち前記記録要素の上面よりも上側に成膜された部分の少なくとも一部を除去して表面を平坦化する平坦化工程と、をこの順で実行し、前記平坦化工程において前記被加工体から除去されて飛散する前記被検出材の成分を検出し、該被検出材の成分の検出結果に基いて前記加工用ガスの照射を停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（２） （１）において、前記第１の充填材成膜工程において前記凹凸パターンの凹部を完全に充填するように前記第１の充填材を前記凹部の深さ以上の厚さで成膜し、前記平坦化工程において前記被検出材のうち前記凹部の上から除去されて飛散する被検出材の成分の検出結果に基いて前記加工用ガスの照射を停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（３） （１）又は（２）において、前記被検出材成膜工程において前記第１の充填材の上に非酸化物を成膜して前記被検出材を形成し、前記第１の充填材及び前記第２の充填材の少なくとも一方として酸化物を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（４） （３）において、前記被検出材成膜工程において前記被検出材を前記第１の充填材の上に分散させて、且つ、該第１の充填材を完全に被覆しないように薄く成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（５） （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記平坦化工程において二次イオン質量分析法及び四重極質量分析法のいずれかにより前記被検出材の成分を検出することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

尚、本出願において、「所定の凹凸パターンで形成されて該凹凸パターンの凸部として記録要素が形成された記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで多数の記録要素に分割された記録層の他、例えばトラックの形状の記録要素同士が端部で連続する記録層や記録要素が螺旋状の渦巻き形状である記録層のように基板上に部分的に形成される記録層、凹部が厚さ方向の途中まで形成され基板側の面が連続した記録層、凹凸パターンの基板や下層の表面に倣って形成された連続した記録層、凹凸パターンの基板や下層の凸部の上面及び凹部の底面に分割されて形成された記録層も含む意義で用いることとする。

又、本出願において「記録要素の上面」という用語は、記録層における基板と反対側の面という意義で用いることとする。

又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。

本発明によれば、凹凸パターンの記録層を有し、表面が充分に平坦で、記録／再生特性が良好な磁気記録媒体を製造できる。

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

本発明の第１実施形態は、図１に示されるような基板１２の上に連続記録層２０等を形成してなる被加工体１０の出発体に加工を施すことにより、連続記録層２０を図２に示されるように多数の記録要素３２Ａに分割して所定の凹凸パターンの記録層３２を形成し、記録層３２の上に第１の充填材３６等を成膜して記録要素３２Ａの間の凹部３４を充填し、記録要素３２Ａの上面よりも上側の余剰の第１の充填材３６等を除去して表面を平坦化し、磁気記録媒体３０を製造する方法に関するものであり、余剰の第１の充填材３６等を除去して表面を平坦化する工程に特徴を有している。他の工程については本第１実施形態の理解のために特に重要とは思われないため説明を適宜省略する。

図１に示される被加工体１０の出発体は、基板１２の上に、下地層１４、反強磁性層１５、軟磁性層１６、配向層１８、連続記録層２０、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４、レジスト層２６がこの順で形成された構成である。

基板１２の材料は、ガラス、Ａｌ₂Ｏ₃等である。下地層１４は、厚さが２〜４０ｎｍで、材料はＴａ等である。反強磁性層１５は、厚さが５〜５０ｎｍで、材料はＰｔＭｎ合金、ＲｕＭｎ合金等である。軟磁性層１６は、厚さが５０〜３００ｎｍで、材料はＦｅ合金又はＣｏ合金である。配向層１８は、厚さが２〜４０ｎｍで、材料は非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等である。

連続記録層２０は、厚さが５〜３０ｎｍで、材料はＣｏＣｒ合金である。第１のマスク層２２は、厚さが３〜５０ｎｍで、材料はＣ（炭素）である。第２のマスク層２４は、厚さが１〜３０ｎｍで、材料はＮｉである。レジスト層２６は、厚さが３０〜３００ｎｍで材料は樹脂である。

磁気記録媒体３０は、垂直記録型のディスクリートトラックメディアである。

記録層３２の記録要素３２Ａは、データ領域において同心円弧状のトラックの形状で径方向に微細な間隔で多数形成されている。尚、記録要素３２Ａはサーボ領域においてコンタクトホールを含む所定のサーボパターンで形成されている。

第１の充填材３６としては、ＳｉＯ₂等の非磁性の酸化物を用いることができる。

記録要素３２Ａ及び第１の充填材３６の上には保護層３８、潤滑層４０がこの順で形成されている。保護層３８の材料は、ダイヤモンドライクカーボンと呼称される硬質炭素膜である。潤滑層４０の材料はＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）である。

次に、図３に示すフローチャートに沿って磁気記録媒体３０の製造方法を説明する。

まず、被加工体作製工程を実行する（Ｓ１０２）。具体的には、図１に示される被加工体１０の出発体を加工し、図５に示されるような基板１２の上に凹凸パターンで形成されて該凹凸パターンの凸部として記録要素３２Ａが形成された記録層３２を有する被加工体１０を作製する。

被加工体１０の出発体は基板１２の上に、下地層１４、反強磁性層１５、軟磁性層１６、配向層１８、連続記録層２０、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４をこの順でスパッタリング法により形成し、更にレジスト層２６をスピンコート法で塗布することにより得られる。

この被加工体１０の出発体のレジスト層２６に転写装置（図示省略）を用いて、図４に示されるように記録層３２の凹凸パターンに相当する凹凸パターンをナノ・インプリント法により転写し、Ｏ₂又はＯ₃ガスを反応ガスとする反応性イオンビームエッチングにより、凹部底部のレジスト層２６を除去する。尚、レジスト層２６を露光・現像して、レジスト層２６を凹凸パターンに加工してもよい。

次に、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、凹部底部の第２のマスク層２４を除去する。更に、ＳＦ₆ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、凹部底部の第１のマスク層２２を除去する。次に、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、凹部底部の連続記録層２０を除去し、連続記録層２０を多数の記録要素３２Ａに分割する。尚、記録要素３２Ａの上に残存する第１のマスク層は、ＳＦ₆ガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去する。

これにより、図５に示されるような、基板１２及び基板１２の上に凹凸パターンで形成されて該凹凸パターンの凸部として記録要素３２Ａが形成された記録層３２を有する被加工体１０が得られる。

次に、第１の充填材成膜工程を実行する（Ｓ１０４）。具体的には、バイアススパッタリング法により図６に示されるように、記録要素３２Ａを被覆すると共に凹部３４を完全に充填するように記録層３２の上に第１の充填材３６を凹部３４の深さ以上の厚さ（凹部３４における厚さ）で成膜する。第１の充填材３６の厚さは凹部３４の深さに対して０〜１０ｎｍ厚いことが好ましい。第１の充填材３６の粒子は被加工体１０の表面に一様に堆積しようとするので、表面が凹凸形状となるが、被加工体１０にバイアス電圧を印加することにより、スパッタリングガスは被加工体１０の方向に付勢されて堆積済みの第１の充填材３６に衝突し、堆積済みの第１の充填材３６の一部をエッチングする。このエッチング作用は、堆積済みの第１の充填材３６のうち、突出した部分をその端部から他部（周囲の突出していない部分）よりも早く選択的に除去する傾向があるので、記録要素３２Ａの上の表面の凸部は記録要素３２Ａよりも幅が減少する。成膜作用がエッチング作用を上回ることで表面の凹凸が抑制されつつ成膜が進行する。これにより、表面の凹凸がある程度抑制された形状で第１の充填材３６が記録要素３２Ａを覆うように成膜される。

次に、被検出材成膜工程を実行する（Ｓ１０６）。具体的には、スパッタリング法により図７に示されるように、第１の充填材３６の上に被検出材４４を成膜する。被検出材４４は、記録層３２や第１の充填材３６、第２の充填材４５を構成する元素と異なる元素を含む例えばＮｂ等の非酸化物を成膜して形成することができる。被検出材４４は、第１の充填材３６の表面の凹凸に倣って一様に成膜される。尚、本第１実施形態では、第１の充填材３６を完全に被覆するように被検出材４４を成膜する。被検出材４４の厚さは製造効率等を考慮すると５ｎｍ以下であることが好ましい。

Ｎｂ等の非酸化物は、酸化物である第１の充填材３６と接触すると、下面の部分が第１の充填材３６中の酸素が拡散することで酸化される。

次に、第２の充填材成膜工程を実行する（Ｓ１０８）。具体的には、第１の充填材成膜工程（Ｓ１０４）と同様にバイアススパッタリング法により、図８に示されるように被検出材４４の上に第２の充填材４５を成膜する。第２の充填材４５としては第１の充填材３６と同様にＳｉＯ_２等の非磁性の酸化物を用いることができる。酸化物である第２の充填材４５が被検出材４４の上面に接触して成膜されることで、被検出材４４の上面に第２の充填材４５中の酸素が拡散し、被検出材４４の上面の部分が酸化される。即ち、被検出材４４は、図９に拡大して示されるように、上面４４Ａ及び下面４４Ｂの近傍の部分が酸化される。

次に、平坦化工程を実行する（Ｓ１１０）。具体的には、イオンビームエッチングにより、図１０中に矢印で示されるように、被加工体１０の表面の法線に対して傾斜した方向からＡｒガス等の加工用ガスを照射し、第１の充填材３６、被検出材４４及び第２の充填材４５のうち記録要素３２Ａの上面よりも上側（基板１２と反対側）に成膜された部分を除去する。このように被加工体１０の表面の法線に対して傾斜した方向から加工用ガスを照射することで、凸部を凹部よりも速く除去する傾向が高くなる。

この際、二次イオン質量分析法、四重極質量分析法等により被加工体１０から除去されて飛散する被検出材４４の成分を検出しつつイオンビームエッチングを制御する。

被検出材４４が飛散し始めた直後は被検出材４４の成分の飛散量が少なく、被検出材４４の成分の検出を示すデータとノイズとの差異は明確でないことがある。

又、イオンビームエッチングのようなドライエッチングは凹部よりも凸部を選択的に早く除去するだけでなく、凸部の中でも端部が中央部よりも早く除去され、記録要素３２Ａの上の被検出材４４は端部から除々に除去される。記録要素３２Ａの幅が広いと記録要素３２Ａの中央部の上の被検出材４４にエッチングが及ぶ時点と記録要素３２Ａの端部の上の被検出材４４にエッチングが及ぶ時点との時間差が大きくなり、ノイズと明確に区別できる程度に被検出材４４の飛散量が増大する時点のばらつきも大きくなる。従って、記録要素３２Ａの幅が広い場合には、記録要素３２Ａの上から除去されて飛散する被検出材４４の成分を検出したことに基いて加工用ガスの照射を停止すると、エッチングを目的の位置で高精度で停止させることが困難である。

これに対し、エッチングが更に進行し、図１１に示されるように凹部３４の上の被検出材４４が露出すると、凹部３４の上の被検出材４４は凹部３４の幅に拘わらず大部分が同時にエッチングされ、ノイズと明確に区別できる程度に被検出材４４の飛散量が増大する時点のばらつきが小さいので、凹部３４の上から除去されて飛散する被検出材４４の成分を検出したことに基いて加工用ガスの照射を停止すれば、エッチングを目的の位置で高精度で停止させることができる。

図１２に示されるように、被検出材４４の飛散量は、エッチング開始後次第に増加するが記録要素３２Ａの上の被検出材４４が除去されると一旦減少する。エッチングが凹部３４の上の被検出材４４に及ぶと被検出材４４の飛散量は再び増加して凹部３４の上の被検出材４４が除去されると急速に減少する。従って、後半の被検出材４４の飛散量の増減に基いて、凹部３４の上の被検出材４４にエッチングが及んだことを検知できる。

本第１実施形態では、被検出材４４のうち凹部３４の上から除去されて飛散する被検出材４４の成分の検出結果に基いて加工用ガスの照射を停止し、エッチングを停止する。例えば、凹部３４の上の被検出材４４にエッチングが及んで被検出材４４の成分の検出量が極大値となり、更にエッチングが進行して被検出材４４が実質的に消失したと判定された時点で加工用ガスの照射を停止し、エッチングを停止する。

又、被検出材４４の成分の検出量の予め定めた基準値に基いて、検出量が該基準値に達した時点で加工用ガスの照射を停止してもよいし、その時点から一定時間後に加工用ガスの照射を停止するようにしてもよい。

尚、二次イオン質量分析法及び四重極質量分析法は、被検出材を構成する単体の元素がエッチングされているときよりもその酸化物がエッチングされている時の方が被検出材を構成する元素の検出量が大きくなる。本第１実施形態では、第２の充填材４５が酸化物であり、被検出材４４の上面４４Ａの近傍の部分が酸化されているので、被検出材４４が飛散し始める時点を検出しやすくなっている。又、第１の充填材４５も酸化物であり、被検出材４４の下面４４Ｂの近傍の部分も酸化されているので、被検出材４４が消失する時点も検出しやすくなっている。

このように、被検出材４４における上面４４Ａ及び下面４４Ｂの近傍の部分だけを酸化させるためには、被検出材４４は３ｎｍ以上であることが好ましい。尚、被検出材４４の上面４４Ａ及び下面４４Ｂの近傍の部分だけを酸化させる場合、被検出材４４の飛散量は、記録要素３２Ａの上の被検出材４４がエッチングされる間又は凹部３４の上の被検出材４４がエッチングされる間のそれぞれにおいて２回増減し、全体として被検出材４４の飛散量が３〜４回増減することもあるが、この場合も、記録要素３２Ａの上の被検出材４４がエッチングされる際の被検出材４４の飛散量の増減と凹部３４の上の被検出材４４がエッチングされる際の被検出材４４の飛散量の増減とを識別することは容易であり、凹部３４の上の被検出材４４にエッチングが及んだことを検知できる。

一方、被検出材４４を例えば１ｎｍよりも薄く成膜すれば、被検出材４４の成分の検出量は凹部３４の上の被検出材４４がエッチングされる後半において１回だけ極大（最大）となるので、被検出材４４の飛散量が極大値に達する時点の判定が容易である。

尚、二次イオン質量分析法や四重極質量分析法は、除去されて飛散する物質を検出するため、実際にその物質が除去される時点とその物質が検出される時点との間にタイムラグがある。従って、被検出材４４の成分の検出結果に基いてエッチングを停止しても、実際には被検出材４４が完全に除去された後にエッチングが更に進行することがある。

しかしながら、第１の充填材３６は凹部３４の深さよりも厚く成膜されており、被検出材４４の下面は記録要素３２Ａの上面よりも０〜１０ｎｍ上側（基板１２と反対側）に位置するので、被検出材４４が完全に除去された後にエッチングを停止しても、記録要素３２Ａはエッチングから保護される。尚、万が一、エッチングが記録要素３２Ａの上面まで及んだとしても、記録要素３２Ａの加工量は磁気特性に対する影響を無視しうる程度の微小量に抑制される。

又、被検出材４４が完全に除去された後に更にエッチングが進行し、記録要素３２の上の第１の充填材３６と共に凹部３４を充填する第１の充填材３６をエッチングしても、凹部３４の上でも記録要素３２Ａの上でも第１の充填材３６がエッチングされるので、記録要素と充填材とをエッチングする場合のような段差が生じにくく、表面を充分に平坦化できる。

被検出材４４が完全に除去されてからエッチングの進行が止まる時点までの間にエッチングされる被検出材４４の下の第１の充填材３６の厚さの分だけ、第１の充填材３６を凹部３４の深さよりも厚く成膜することで、記録要素３２Ａの上面のエッチングを防止又は磁気特性に対する影響を無視しうる程度に充分に抑制できる。

次に、ＣＶＤ法により記録要素３２Ａ及び第１の充填材３６の上面に１〜５ｎｍの厚さで保護層３８を成膜し（Ｓ１１２）、更に、ディッピング法により保護層３８の上に１〜２ｎｍの厚さで潤滑層４０を成膜する（Ｓ１１４）。これにより、前記図２に示される磁気記録媒体３０が完成する。

次に、本発明の第２実施形態について説明する。

前記第１実施形態では被検出材成膜工程（Ｓ１０６）において第１の充填材３６を完全に被覆するように被検出材４４を成膜していたのに対し、本第２実施形態は、被検出材４４を第１の充填材３６の上に分散させて、且つ、第１の充填材３６を完全に被覆しないように薄く成膜することを特徴としている。他の工程については前記第１実施形態と同様であるので第１実施形態と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。

このように被検出材４４を第１の充填材３６の上に分散させて、且つ、第１の充填材３６を完全に被覆しないように薄く成膜すると、図１３に示されるように、被検出材４４は連続膜とはならず、被検出材４４の大部分が第１の充填材３６又は第２の充填材４５からの酸素の拡散により酸化されるので被検出材４４の検出量が大きくなる。

又、このように被検出材４４を薄く成膜することで、被検出材４４の成分の検出量は凹部３４の上の被検出材４４がエッチングされる後半において１回だけ極大（最大）となるので、検出量が最大値に達する時点の判定が容易である。更に、検出量が極大（最大）となるのが１回だけのため、この点でも検出量が大きくなる。

即ち、二次イオン質量分析法、四重極質量分析法による被検出材４４の検出量が大きくなり、被検出材４４を例えば１ｎｍよりも薄く成膜しても、エッチングが被検出材４４まで及んだことを明確に検出することができる。被検出材４４の検出量を大きくするためには被検出材４４を０．３〜１ｎｍの厚さで成膜することが好ましく、０．４〜０．６ｎｍの厚さで成膜することがより好ましい。尚、このように薄く成膜される被検出材４４の厚さを実際に測定することは困難であり、上記の被検出材４４の厚さは成膜レート及び成膜時間から算出される厚さの目標値を示したものである。

次に、本発明の第３実施形態について説明する。

前記第１実施形態では第１の充填材成膜工程（Ｓ１０４）において凹部３４を完全に充填するように記録層３２の上に第１の充填材３６を凹部３４の深さ以上の厚さで成膜し、凹部３４の上の被検出材４４の成分の検出結果に基いて加工用ガスの照射を停止していたのに対し、本第３実施形態は、図１４に示されるように記録層３２の上に第１の充填材３６を凹部３４の深さよりも薄く成膜し、記録要素３２Ａの上の被検出材４４の成分の検出結果に基いて加工用ガスの照射を停止することを特徴としている。尚、凹部３４は、第１の充填材３６、被検出材４４及び第２の充填材４５で充填される。他の工程については前記第１実施形態と同様であるので第１実施形態と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。

本第３実施形態では、平坦化工程（Ｓ１１０）において図１５に示されるように記録要素３２Ａの上の被検出材４４までエッチングが及んだ時点で、除去されて飛散する被検出材４４の成分を検出し、エッチングを停止する。即ち、記録要素３２Ａの上の被検出材４４までエッチングが及んだことを検出してエッチングを停止する。

本第３実施形態でも、第１の充填材３６が記録要素３２Ａと被検出材４４との間に成膜されているので、記録要素３２Ａの上の被検出材４４が完全に除去されてから更にエッチングが進行しても、第１の充填材３６により記録要素３２Ａをエッチングから保護できる。

又、本第３実施形態でも、記録要素３２Ａの上の被検出材４４が完全に除去されてから更にエッチングが進行し、記録要素３２Ａの上の第１の充填材３６と凹部３４を充填する第２の充填材４５とがエッチングされても、記録要素３２Ａの上でも凹部３４の上でもＳｉＯ₂（第１の充填材３６、第２の充填材４５）がエッチングされるので、記録要素と充填材とがエッチングされる場合のような段差が生じにくく、表面を充分に平坦化できる。

又、本第３実施形態でも、非酸化物である被検出材４４の上面４４Ａ及び下面４４Ｂの近傍の部分が第１の充填材３６、第２の充填材４５からの酸素の拡散により酸化されるので、二次イオン質量分析法、四重極質量分析法による被検出材４４の検出量が大きくなり、エッチングが被検出材４４に及んだことを検出できる。

本第３実施形態でも、前記第２実施形態のように、第１の充填材成膜工程（Ｓ１０４）において被検出材４４を第１の充填材３６の上に分散させて、且つ、第１の充填材３６を完全に被覆しないように薄く成膜してもよい。

尚、前記第１〜第３実施形態において、被検出材４４としてＮｂが例示されているが、被検出材として例えばＡｌ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｔｂ、Ｔａ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｗ等の他の元素を用いてもよい。又、被検出材４４は記録層３２を構成する元素と異なる単体の元素からなる材料であってもよいし、これらの元素やＮｂの中から選択される複数の元素からなる材料であってもよい。又、被検出材として、例えばこれらの元素やＮｂの酸化物を用いてもよい。このように被検出材として酸化物を用いることで、二次イオン質量分析法及び四重極質量分析法による検出量を大きくする効果が得られる。二次イオン質量分析法及び四重極質量分析法による検出が比較的容易なＮｂ等の原子番号が大きい金属元素は、酸化物よりも酸化されていない状態で成膜する方が成膜が容易であるので、前記第１〜第３実施形態のように第１の充填材及び第２の充填材の少なくとも一方として酸化物を用い、第１の充填材や第２の充填材からの酸素の拡散により被検出材を酸化することが好ましい。尚、被検出材４４の一部又は全部が酸化物である場合も単体の元素の質量数に基づいて飛散する被検出材４４を検出する。又、Ｚｒ、Ａｇ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｗについては複数の同位体のうち、自然界における存在比率が最も高い同位体の質量数に基づいて飛散する被検出材４４を検出することが好ましい。

又、前記第１〜第３実施形態において、第１の充填材３６及び第２の充填材４５はいずれもＳｉＯ₂であるが、第１の充填材３６及び第２の充填材４５として異なる酸化物を用いても良い。又、第１の充填材３６及び第２の充填材４５の一方として非酸化物を用いてもよい。又、第１の充填材３６及び第２の充填材４５の両方が非酸化物でもよい。前記第３実施形態のように第２の充填材が凹部３４の上部を充填する場合、第１の充填材３６及び第２の充填材４５は、平坦化工程（Ｓ１１０）のドライエッチングに対するエッチングレートが近い材料であることが好ましい。

尚、前記第３実施形態では、第２の充填材４５が凹部３４を充填しているのに対し、前記第１及び第２実施形態では、第１の充填材３６が凹部３４の深さ以上の厚さで成膜され、第２の充填材４５は凹部３４を充填してないが、このような場合も、本出願では便宜上「第２の充填材」という用語を用いることとする。

又、前記第１〜第３実施形態において、平坦化工程（Ｓ１１０）のドライエッチングとして、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングを例示しているが、Ｋｒ、Ｘｅ等の他の希ガスを用いたイオンビームエッチングを採用してもよく、更に、例えばＳＦ₆、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆等のハロゲン系の反応ガスを用いた反応性イオンエッチング、反応ガスと希ガスとの混合ガスを用いた反応性イオンビームエッチング等の他のドライエッチングを採用してもよい。

又、前記第１〜第３実施形態において、平坦化工程（Ｓ１１０）において、被加工体１０から除去されて飛散する被検出材４４の成分を検出する方法として、二次イオン質量分析法や四重極質量分析法が例示されているが、被加工体１０から除去されて飛散する被検出材４４の成分を高精度で検出できれば他の方法を用いてもよい。

又、前記第１〜第３実施形態において、バイアススパッタリング法により第１の充填材３６、第２の充填材４５を成膜しているが、例えば、バイアスパワーを印加しないスパッタリング法や、ＣＶＤ法、ＩＢＤ法等の他の成膜手法を用いて、第１の充填材３６、第２の充填材４５を成膜してもよい。

又、前記第１〜第３実施形態において、平坦化工程（Ｓ１１０）だけで被加工体１０の表面を平坦化しているが、平坦化工程（Ｓ１１０）の後に例えば他の層を成膜し、更にドライエッチング等による平坦化加工を行ってもよい。

又、前記第１〜第３実施形態において、連続記録層２０（記録要素３２Ａ）の材料はＣｏＣｒ合金であるが、例えば、鉄族元素（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ）を含む他の合金、これらの積層体等の他の材料を用いてもよい。

又、前記第１〜第３実施形態において、連続記録層２０の下に下地層１４、反強磁性層１５、軟磁性層１６、配向層１８が形成されているが、連続記録層２０の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、下地層１４、反強磁性層１５、軟磁性層１６、配向層１８のうち一又は二以上の層を省略してもよい。又、基板上に連続記録層を直接形成してもよい。

又、前記第１〜第３実施形態において、磁気記録媒体３０は記録層３２等が基板１２の片面だけに形成されているが、基板の両面に記録層を備える両面記録式の磁気記録媒体の製造にも本発明は適用可能である。

又、前記第１〜第３実施形態において、磁気記録媒体３０は記録層３２がトラックの径方向に微細な間隔で分割された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、記録層がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で分割された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割されたパターンドメディア、凹凸パターンの連続した記録層を有するＰＥＲＭ（Ｐｒｅ−Ｅｍｂｏｓｓｅｄ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉｕｍ）タイプの磁気ディスク、記録層が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、面内記録型の記録層を有する磁気記録媒体の製造に対しても本発明を適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等のディスク形状以外の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。

上記第１及び第２実施形態のとおりＡ〜Ｊの９種類のサンプルを１０枚ずつ作製した。具体的には、まず直径が４８ｍｍの基板１２及び下記の凹凸パターンの記録層３２を有する９０枚の被加工体１０を用意した。

トラックピッチ ：１５０ｎｍ
凸部の幅 ： ９０ｎｍ
凹部の幅 ： ６０ｎｍ
凹凸の段差（凹部３４の深さ）： １８ｎｍ
凹凸パターンを形成した範囲：中心から半径１６〜１８ｍｍの範囲

次に、バイアススパッタリングにより、これら被加工体１０の記録層３２の上に第１の充填材３６を凹部３４の深さよりも厚く成膜して凹部３４を完全に充填した。バイアススパッタリングの条件は以下のとおりである。尚、第１の充填材３６はＳｉＯ₂を用いた。

成膜パワー（ＳｉＯ_２のターゲットに印加するパワー） ：ＲＦ５００Ｗ
被加工体１０に印加するバイアスパワー ：ＲＦ１５０Ｗ
チャンバ内圧力 ：０．３Ｐａ
ターゲットと被加工体との距離 ：２５０ｎｍ
成膜厚さ（凹部３４上の第１の充填材３６の厚さ） ：２０ｎｍ

次に、スパッタリングにより、第１の充填材３６の上に被検出材４４としてＮｂを成膜した。被検出材４４の成膜厚さはＡ〜Ｊ毎に異なる厚さとした。Ａ〜Ｊ毎の被検出材４４の厚さを表１に示す。尚、これらの被検出材４４の成膜厚さは成膜レート及び成膜時間から算出した値である。

次に、バイアススパッタリングにより、これら被加工体１０の被検出材４４の上に第２の充填材４５を成膜した。第２の充填材４５としてＳｉＯ_２を用いた。バイアススパッタリングの条件は以下のとおりである。

成膜パワー（ＳｉＯ_２のターゲットに印加するパワー）：ＲＦ５００Ｗ
被加工体１０に印加するバイアスパワー ：ＲＦ１５０Ｗ
チャンバ内圧力 ：０．３Ｐａ
ターゲットと被加工体との距離 ：２５０ｎｍ
成膜厚さ（凹部３４上の第２の充填材４５の厚さ） ：４０ｎｍ

次に、イオンビームエッチングにより記録要素３２Ａの上面よりも上側の余剰の第１の充填材３６、被検出材４４及び第２の充填材４５を除去し、表面を平坦化した。イオンビームエッチングの条件は以下のとおりである。尚、イオンビームの入射角は被加工体１０の表面に対する角度である。

イオンビームの入射角：約２°
ビーム電圧 ：７００Ｖ
ビーム電流 ：１１００ｍＡ
サプレッサー電圧 ：４００Ｖ
Ａｒガス流量 ：１１ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力 ：０．０４Ｐａ

この際、二次イオン質量分析法により、被加工体１０から除去されて飛散するＮｂ（被検出材４４の成分）を検出し、Ｎｂのカウント数が実質的に消失した時点でイオンビームエッチングを停止した。ここでＮｂのカウント数とは、Ｎｂの飛散量に対応する値である。尚、Ｎｂのカウント数のバックグラウンド値は、最表面の第２の充填材４５だけをエッチングしている間でもノイズにより２０００（ｃｏｕｎｔ／ｓｅｃ）程度の値を示すことがあるため、（凹部３４の上の被検出材４４がエッチングされる後半において）Ｎｂのカウント数が極大となった後、極大値の半分まで低下した時点を被検出材４４が実質的に消失した時点とし、この時点でイオンビームエッチングを停止した。尚、Ｈ、Ｊについては極大値が２つ存在するため、後の極大値の半分まで低下した時点を被検出材４４が実質的に消失した時点とした。

Ａ〜Ｊの平坦化に要した時間及びＮｂのカウント数が実質的に消失する直前のＮｂのカウント数の極大値を表１に示す。又、Ａ〜Ｊのうち、Ａ〜Ｃ、Ｆ〜Ｈの平坦化において検出されたＮｂのカウント数と時間との関係を図１６に示す。尚、図１６中の符号Ａ〜Ｃ、Ｆ〜Ｈは、これらを付した曲線がそれぞれＡ〜Ｃ、Ｆ〜Ｈのデータであることを示す。又、図１６において、横軸の０点は、イオンビームエッチングによる平坦化の加工を開始した時点ではなく、凹部の上の被検出材４４が検出され始めた時点よりも少し前の時点である。即ち、図１６は、記録要素３２Ａの上の被検出材４４が除去された後のグラフである。

平坦化後、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により、Ａ〜Ｊの各サンプルの記録要素３２Ａの上面と凹部３４を充填する第１の充填材３６の上面との段差を測定した。測定結果を表１に示す。尚、表１に示される段差は、Ａ〜Ｊにおける１０枚のサンプルの段差の相加平均値である。又、各サンプルの段差及びＡ〜Ｊ毎の１０枚のサンプルの段差の標準偏差を表２に示す。表２に示される各サンプルの段差は各サンプルの複数の部位における記録要素３２Ａの上面と凹部３４を充填する第１の充填材３６の上面との段差の相加平均値である。又、表１、表２において記録要素の上面が第１の充填材３６の上面よりも高い場合をプラス、低い場合をマイナスで示す。

上記第３実施形態のとおり１種類（Ｋ）の１０枚のサンプルを作製した。尚、被加工体１０の記録層３２の凹凸パターンは上記実施例１のＡ〜Ｊと同じである。又、製造条件についても上記実施例１のＡ〜Ｊと共通であるものが多いので共通の項目については説明を省略する。

凹凸パターンの記録層３２を有する１０枚の被加工体１０を用意し、これら被加工体１０の記録層３２の上に第１の充填材３６を凹部３４の深さよりも薄く成膜した。具体的には、第１の充填材３６を２ｎｍの厚さ（凹部３４上の第１の充填材３６の厚さ）で成膜した。

次に、スパッタリングにより、第１の充填材３６の上に被検出材４４を０．５ｎｍの厚さで成膜した。

次に、バイアススパッタリングにより、これら被加工体１０の被検出材４４の上に第２の充填材４５を５８ｎｍの厚さで成膜して凹部３４を完全に充填した。

次に、イオンビームエッチングにより記録要素３２Ａの上面よりも上側の余剰の第１の充填材３６、被検出材４４及び第２の充填材４５を除去し、表面を平坦化した。

この際、実施例１と同様に二次イオン質量分析法により、被加工体１０から除去されて飛散するＮｂ（被検出材４４の成分）を検出し、Ｎｂのカウント数が実質的に消失した時点でイオンビームエッチングを停止した。

平坦化後、ＡＦＭにより、Ｋの各サンプルの記録要素３２Ａの上面と凹部３４を充填する第２の充填材４５の上面との段差を測定した。測定結果等を実施例１と同様に表１及び表２に示す。

上記実施例１のＥに対し、記録層３２の凹凸パターンが異なる１種類（Ｌ）の１０枚のサンプルを作製した。具体的には、実施例１のＥよりも記録要素３２Ａの幅が広い下記の凹凸パターンの記録層３２を有するサンプルを作製した。

トラックピッチ ：３００ｎｍ
凸部の幅 ：１８０ｎｍ
凹部の幅 ：１２０ｎｍ
凹凸の段差（凹部３４の深さ）： １８ｎｍ
凹凸パターンを形成した範囲 ：中心から半径１６〜１８ｍｍの範囲

尚、他の条件については上記実施例１のＥと同じである。

平坦化後、ＡＦＭにより、Ｌの各サンプルの記録要素３２Ａの上面と凹部３４を充填する第１の充填材３６の上面との段差を測定した。測定結果等を実施例１と同様に表１及び表２に示す。

上記実施例２のＫに対し、記録層３２の凹凸パターンが上記実施例３のＬと同じであり、記録要素３２Ａの幅がＫよりも広い１種類（Ｍ）の１０枚のサンプルを作製した。他の条件については上記実施例２のＫと同じである。

平坦化後、ＡＦＭにより、Ｍの各サンプルの記録要素３２Ａの上面と凹部３４を充填する第２の充填材４５の上面との段差を測定した。測定結果等を実施例１と同様に表１及び表２に示す。

[比較例]
上記実施例２のＫに対し、第１の充填材３６を成膜しないで、被検出材４４を記録層３２の上に０．５ｎｍの厚さで直接成膜し、この被検出材４４の上に第２の充填材４５を６０ｎｍの厚さで直接成膜した。他の条件は上記実施例２のＫと同様として１種類（Ｘ）の１０枚のサンプルを作製した。

平坦化後、ＡＦＭにより、Ｘの各サンプルの記録要素３２Ａの上面と凹部３４を充填する第２の充填材４５の上面との段差を実施例１と同様に測定した。測定結果等を上記実施例１と同様に表１及び表２に示す。

表１に示されるように、比較例のＸは表面の段差が１．９ｎｍで大きかった。これは被検出材４４が完全に除去された後もエッチングが更に進行し、記録要素３２Ａの上面及び凹部３４を充填する第２の充填材４５の上面がエッチングされたためと考えられる。従って、記録要素３２Ａがエッチングされたことによる磁気特性の劣化が懸念される。

これに対し、実施例１〜４のサンプルＡ〜Ｍはいずれも、表面の段差が±０．３ｎｍの範囲に抑制されていた。これは、記録要素３２の上面の位置付近でエッチングが高精度で停止されたためと考えられる。即ち、実施例１〜４によれば記録要素３２Ａの上面の加工を防止又は磁気特性への影響を無視しうる程度に抑制しつつ記録要素３２Ａ及び第１の充填材３６（又は第２の充填材４５）の上面を充分に平坦化できることが確認された。

又、実施例１のサンプルＡ〜Ｊのうち、被検出材４４の成膜厚さが０．３〜１ｎｍであるサンプルＣ〜Ｇは、Ｎｂのカウント数の極大値（最大値）が大きく、被検出材４４の成膜厚さが０．４〜０．６ｎｍであるサンプルＤ〜Ｆは、Ｎｂのカウント数の極大値（最大値）が特に大きかった。これは、被検出材４４が第１の充填材３６の上に分散して、且つ、第１の充填材３６を被覆しないように薄く成膜され、第１の充填材３６、第２の充填材４５からの酸素の拡散により被検出材４４の大部分が酸化されたことによると考えられる。

尚、被検出材４４の成膜厚さが０．３ｎｍよりも薄いサンプルＡ、ＢはＮｂのカウント数の極大値（最大値）が比較的小さかった。これは、被検出材４４が薄すぎて飛散する被検出材４４の絶対量が過度に少なかったためと考えられる。これより被検出材４４の検出量を大きくするためには、被検出材４４の成膜厚さが０．３〜１ｎｍであることが好ましく、０．４〜０．６ｎｍであればより好ましいことがわかる。

又、図１６に示されるように、被検出材４４の成膜厚さが３ｎｍであるサンプルＨは、平坦化において検出されたＮｂのカウント数が（凹部３４の上の被検出材４４がエッチングされる後半において）２つの極大値をもっていた。これは、被検出材４４が厚く、上面４４Ａ及び下面４４Ｂの下面近傍の部分だけが酸化されたためと考えられる。

又、実施例４のＭは、実施例１〜３のＡ〜Ｌよりも、１０枚のサンプルの段差の標準偏差が大きかった。即ち、１０枚のサンプルの段差のばらつきが大きかった。これは、実施例４のＭは上記第３実施形態のように、凸部の上の被検出材４４の検出に基いて平坦化のエッチングを停止して作製され、更に実施例１及び２のＡ〜Ｋよりも凸部の幅が広く、ノイズと明確に区別できる程度に被検出材４４の飛散量が増大する時点のばらつきが大きかったためと考えられる。

これに対し、凹凸パターンの凸部の幅が実施例４のＭと同じ１８０ｎｍである実施例３のＬは、１０枚のサンプルの段差の標準偏差が実施例１及び２のＡ〜Ｋと同等であった。これは、実施例３が上記第１及び第２実施形態のとおり、凹部の上の被検出材４４の検出に基いて平坦化のエッチングを停止して作製されたため、ノイズと明確に区別できる程度に被検出材４４の飛散量が増大する時点のばらつきが小さかったためと考えられる。

即ち、凸部の幅が広い場合であっても、上記第１及び第２実施形態のように凹凸パターンの凹部を完全に充填するように第１の充填材を凹部の深さ以上の厚さで成膜し、平坦化工程において被検出材のうち凹部の上から除去されて飛散する被検出材の成分の検出結果に基いて加工用ガスの照射を停止することで表面の段差のばらつきを小さく抑制できることが確認された。

本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体を製造するために利用することができる。

本発明の第１実施形態に係る被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図 同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図 同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート 前記被加工体の出発体のレジスト層に転写された凹凸パターンを模式的に示す側断面図 連続記録層が分割された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図 第１の充填材が成膜された前記被加工体を模式的に示す側断面図 被検出材が成膜された前記被加工体を模式的に示す側断面図 第２の充填材が成膜された前記被加工体を模式的に示す側断面図 前記被検出材の構造を拡大して模式的に示す側断面図 平坦化工程においてエッチングが記録要素の上の被検出材に及んだ前記被加工体を模式的に示す側断面図 平坦化工程においてエッチングが凹部の上の被検出材に及んだ前記被加工体を模式的に示す側断面図 同平坦化工程における被検出材の飛散量と時間との関係を模式的に示すグラフ 本発明の第２実施形態に係る被加工体の被検出材の周辺の構造を模式的に示す側断面図 本発明の第３実施形態に係る第１の充填材、被検出材及び第２の充填材が成膜された被加工体を模式的に示す側断面図 平坦化工程においてエッチングが記録要素の上の被検出材に及んだ同被加工体を模式的に示す側断面図 本発明の実施例の平坦化において検出されたＮｂのカウント数と時間との関係を示すグラフ

符号の説明

１０…被加工体
１２…基板
１４…下地層
１５…反強磁性層
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０…連続記録層
２２…第１のマスク層
２４…第２のマスク層
２６…レジスト層
３０…磁気記録媒体
３２…記録層
３２Ａ…記録要素
３４…凹部
３６…第１の充填材
３８…保護層
４０…潤滑層
４４…検出材
４４Ａ…上面
４４Ｂ…下面
４５…第２の充填材
Ｓ１０２…被加工体作製工程
Ｓ１０４…第１の充填材成膜工程
Ｓ１０６…被検出材成膜工程
Ｓ１０８…第２の充填材成膜工程
Ｓ１１０…平坦化工程
Ｓ１１２…保護層成膜工程
Ｓ１１４…潤滑層成膜工程

Claims (2)

1. 基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成されて該凹凸パターンの凸部として記録要素が形成された記録層を有する被加工体の上に第１の充填材を成膜して前記記録要素を被覆すると共に該記録要素の間の凹部を少なくとも部分的に充填する第１の充填材成膜工程と、前記第１の充填材の上に被検出材を成膜する被検出材成膜工程と、前記被検出材の上に第２の充填材を成膜する第２の充填材成膜工程と、前記被加工体の表面に加工用ガスを照射して前記第１の充填材、前記被検出材及び前記第２の充填材のうち前記記録要素の上面よりも上側に成膜された部分の少なくとも一部を除去して表面を平坦化する平坦化工程と、をこの順で実行し、前記被検出材成膜工程において酸化可能である金属を前記第１の充填材の上に分散させて、且つ、該第１の充填材を完全に被覆しないように０．３〜１ｎｍの厚さで成膜して前記被検出材を形成し、前記第１の充填材及び前記第２の充填材の少なくとも一方として酸化物を用い該酸化物からの酸素の拡散により前記被検出材を酸化させ、前記平坦化工程において二次イオン質量分析法により前記被加工体から除去されて飛散する前記被検出材の成分を検出し、該被検出材の成分の検出結果に基いて前記加工用ガスの照射を停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の充填材成膜工程において前記凹凸パターンの凹部を完全に充填するように前記第１の充填材を前記凹部の深さ以上の厚さで成膜し、前記平坦化工程において前記被検出材のうち前記凹部の上から除去されて飛散する被検出材の成分の検出結果に基いて前記加工用ガスの照射を停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

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