JPH10209128A - 平坦化終点検出方法 - Google Patents
平坦化終点検出方法Info
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- JPH10209128A JPH10209128A JP1050297A JP1050297A JPH10209128A JP H10209128 A JPH10209128 A JP H10209128A JP 1050297 A JP1050297 A JP 1050297A JP 1050297 A JP1050297 A JP 1050297A JP H10209128 A JPH10209128 A JP H10209128A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の製造工程において平坦化の終点
検出を安定して行うことのできる平坦化終点検出方法を
提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2 膜１上に製膜されている金属配
線膜３上に絶縁ＳｉＯ2膜５を製膜する。このＳｉＯ2
膜５上に窒化ケイ素膜７（検出膜）を製膜し、その上に
平坦化膜９を製膜する。続いて、エッチング反応ガス中
におけるＮ2 の濃度を測定しつつ平坦化膜９をドライエ
ッチングし、Ｎ2 濃度に基づいて平坦化の終点を検出す
る。
検出を安定して行うことのできる平坦化終点検出方法を
提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2 膜１上に製膜されている金属配
線膜３上に絶縁ＳｉＯ2膜５を製膜する。このＳｉＯ2
膜５上に窒化ケイ素膜７（検出膜）を製膜し、その上に
平坦化膜９を製膜する。続いて、エッチング反応ガス中
におけるＮ2 の濃度を測定しつつ平坦化膜９をドライエ
ッチングし、Ｎ2 濃度に基づいて平坦化の終点を検出す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
における平坦化工程等において必要とされる平坦化終点
検出方法に関する。特には、平坦化の終点検出を安定し
て行うことのできる平坦化終点検出方法に関する。
における平坦化工程等において必要とされる平坦化終点
検出方法に関する。特には、平坦化の終点検出を安定し
て行うことのできる平坦化終点検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、半導体装置の平坦化工程の一例
を模式的に示す断面図である。（Ａ）は平坦化エッチン
グ前、（Ｂ）はエッチング途中、（Ｃ）はエッチング完
了状態を示す。半導体装置の断面構造を説明する。一番
下が、ＢＰＳＧのＳｉＯ2 膜１である。この上に、３本
のＡｌ配線膜３が局部的に形成されている。Ａｌ配線膜
３、及び、ＳｉＯ2 膜１上には、それらの膜を覆うよう
にＰ−ＴＥＯＳの絶縁用のＳｉＯ2 膜５がＣＶＤで製膜
されている。ＳｉＯ2 膜５上にはＳＯＧの平坦化膜９が
製膜（塗布）されている。平坦化膜９は、この後Ｂ→Ｃ
のようにエッチングされその上面が平坦化される。その
後の工程で、さらにその上に新たなＡｌ配線膜等が形成
される。なお、ＳＯＧの代りにＦＯＸやレジスト等を用
いて平坦化することもある。
を模式的に示す断面図である。（Ａ）は平坦化エッチン
グ前、（Ｂ）はエッチング途中、（Ｃ）はエッチング完
了状態を示す。半導体装置の断面構造を説明する。一番
下が、ＢＰＳＧのＳｉＯ2 膜１である。この上に、３本
のＡｌ配線膜３が局部的に形成されている。Ａｌ配線膜
３、及び、ＳｉＯ2 膜１上には、それらの膜を覆うよう
にＰ−ＴＥＯＳの絶縁用のＳｉＯ2 膜５がＣＶＤで製膜
されている。ＳｉＯ2 膜５上にはＳＯＧの平坦化膜９が
製膜（塗布）されている。平坦化膜９は、この後Ｂ→Ｃ
のようにエッチングされその上面が平坦化される。その
後の工程で、さらにその上に新たなＡｌ配線膜等が形成
される。なお、ＳＯＧの代りにＦＯＸやレジスト等を用
いて平坦化することもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４における、ＳＯＧ
膜９及びＳｉＯ2 膜５の平坦化エッチング（エッチング
バック）時には、反応ガス中に特徴のある発光を有する
物質が存在しない。というのは、ＳＯＧを構成する元素
は、Ｃ、Ｈ、Ｏ及びＳｉであり、ＳｉＯ2 を構成する元
素は文字通りＳｉ及びＯである。そこで、次善の策とし
て、反応ガス中におけるＣＯの発光をモニターしてい
る。
膜９及びＳｉＯ2 膜５の平坦化エッチング（エッチング
バック）時には、反応ガス中に特徴のある発光を有する
物質が存在しない。というのは、ＳＯＧを構成する元素
は、Ｃ、Ｈ、Ｏ及びＳｉであり、ＳｉＯ2 を構成する元
素は文字通りＳｉ及びＯである。そこで、次善の策とし
て、反応ガス中におけるＣＯの発光をモニターしてい
る。
【０００４】図３は、図４の従来の平坦化工程におい
て、ＣＯの発光をモニターした場合における発光強度の
推移を示すグラフである。図中の凸状の線が、エッチバ
ック中におけるＣＯの発光強度を示す。横軸は時間であ
る。左側の平坦な山の線１１は、ＳＯＧのエッチング中
である。この時は、ＳＯＧ膜をエッチバックしているの
でＣＯの発光強度が低いレベルである。その後エッチン
グが進んで点１３に至ると、カーブが上に向く。この点
１３は、ＳＯＧの下地のＳｉＯ2 膜が出始めた時点であ
り、ＳｉＯ2 をエッチングしているためＣＯの発光強度
が上り始める。
て、ＣＯの発光をモニターした場合における発光強度の
推移を示すグラフである。図中の凸状の線が、エッチバ
ック中におけるＣＯの発光強度を示す。横軸は時間であ
る。左側の平坦な山の線１１は、ＳＯＧのエッチング中
である。この時は、ＳＯＧ膜をエッチバックしているの
でＣＯの発光強度が低いレベルである。その後エッチン
グが進んで点１３に至ると、カーブが上に向く。この点
１３は、ＳＯＧの下地のＳｉＯ2 膜が出始めた時点であ
り、ＳｉＯ2 をエッチングしているためＣＯの発光強度
が上り始める。
【０００５】そのまま、ＣＯの発光強度は上り、点１５
でＥＰＤ（終点を検出する所）を通過する。このＥＰＤ
では発光レベルの上昇がなだらかであるため、パターン
の違いやＥ／Ｒの変動、装置の状態、ＥＰＤシステムの
状態に大きく依存するため安定したＥＰＤをとることが
できない。ＥＰＤ１５を過ぎてもさらにＣＯ発光強度は
上るが、点１７に達すると平坦になる。これは、下地の
ＳｉＯ2 の発光が一定になった（サチレーション）から
である。しかし、ほとんどのデバイスは、点１７のよう
なサチレーションしたポイントでエッチングを停止する
ことはなく、上昇波形の途中（点１５）でＥＰＤを検出
し、さらに、数秒のオーバーエッチを行いエッチングを
停止する。よって、変化率の小さい波形ではＥＰＤが安
定しない。
でＥＰＤ（終点を検出する所）を通過する。このＥＰＤ
では発光レベルの上昇がなだらかであるため、パターン
の違いやＥ／Ｒの変動、装置の状態、ＥＰＤシステムの
状態に大きく依存するため安定したＥＰＤをとることが
できない。ＥＰＤ１５を過ぎてもさらにＣＯ発光強度は
上るが、点１７に達すると平坦になる。これは、下地の
ＳｉＯ2 の発光が一定になった（サチレーション）から
である。しかし、ほとんどのデバイスは、点１７のよう
なサチレーションしたポイントでエッチングを停止する
ことはなく、上昇波形の途中（点１５）でＥＰＤを検出
し、さらに、数秒のオーバーエッチを行いエッチングを
停止する。よって、変化率の小さい波形ではＥＰＤが安
定しない。
【０００６】このＥＰＤの点１５が明瞭に分ればよい
が、カーブがわずかずつ徐々に上昇していくような場合
もあり（平坦性の違い等のため）、点１５の判断がむず
かしく、安定した終点を得ることができなかった。本発
明は、半導体装置の製造工程等において必要とされる平
坦化の終点検出を安定して行うことのできる平坦化終点
検出方法を提供することを目的とする。
が、カーブがわずかずつ徐々に上昇していくような場合
もあり（平坦性の違い等のため）、点１５の判断がむず
かしく、安定した終点を得ることができなかった。本発
明は、半導体装置の製造工程等において必要とされる平
坦化の終点検出を安定して行うことのできる平坦化終点
検出方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の平坦化終点検出方法は、上面に凹凸を有す
る第１の膜上に平坦化膜を製膜した後に、該平坦化膜を
ドライエッチングにより第１の膜の凸部に達するまで平
坦化エッチングする際にエッチングの終点を検出する方
法であって； 第１の膜上に、第１の膜及び平坦化膜が
含有しない特異物質を含む検出膜を製膜し、 続いて、
検出膜上に平坦化膜を製膜し、 続いて、エッチング反
応ガス中における上記特異物質の濃度を測定しつつ平坦
化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度に基づい
て平坦化の終点を検出することを特徴とする。
め、本発明の平坦化終点検出方法は、上面に凹凸を有す
る第１の膜上に平坦化膜を製膜した後に、該平坦化膜を
ドライエッチングにより第１の膜の凸部に達するまで平
坦化エッチングする際にエッチングの終点を検出する方
法であって； 第１の膜上に、第１の膜及び平坦化膜が
含有しない特異物質を含む検出膜を製膜し、 続いて、
検出膜上に平坦化膜を製膜し、 続いて、エッチング反
応ガス中における上記特異物質の濃度を測定しつつ平坦
化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度に基づい
て平坦化の終点を検出することを特徴とする。
【０００８】すなわち、エッチングが進んで特異物質を
含む検出膜に達すると、エッチング反応ガス中に特異物
質が検出され始める。そしてエッチングがさらに進む
と、特異物質の値がピークを迎え、続いてピークが下が
る。このピークを検出することにより、平坦化エッチン
グの終了を安定的に検出できる。
含む検出膜に達すると、エッチング反応ガス中に特異物
質が検出され始める。そしてエッチングがさらに進む
と、特異物質の値がピークを迎え、続いてピークが下が
る。このピークを検出することにより、平坦化エッチン
グの終了を安定的に検出できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の第１態様の平坦化終点検
出方法は、基板上に金属配線膜を製膜し、この配線膜上
にＳｉＯ2 膜を製膜し、 このＳｉＯ2 膜上に特異物質
を含む検出膜を製膜し、 この検出膜上に平坦化膜を製
膜し、 ここで上記特異物質は、ＳｉＯ2 膜及び平坦化
膜のいずれもが含有しない物質であり、 続いて、エッ
チング反応ガス中における上記特異物質の濃度を測定し
つつ平坦化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度
に基づいて平坦化の終点を検出することを特徴とする。
Ａｌ等の配線膜上の絶縁層（ＳｉＯ2 膜）でエッチング
を終える場合の態様である。
出方法は、基板上に金属配線膜を製膜し、この配線膜上
にＳｉＯ2 膜を製膜し、 このＳｉＯ2 膜上に特異物質
を含む検出膜を製膜し、 この検出膜上に平坦化膜を製
膜し、 ここで上記特異物質は、ＳｉＯ2 膜及び平坦化
膜のいずれもが含有しない物質であり、 続いて、エッ
チング反応ガス中における上記特異物質の濃度を測定し
つつ平坦化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度
に基づいて平坦化の終点を検出することを特徴とする。
Ａｌ等の配線膜上の絶縁層（ＳｉＯ2 膜）でエッチング
を終える場合の態様である。
【００１０】また、本発明の第２態様の平坦化終点検出
方法は、基板上に金属配線膜を製膜し、 この配線膜上
に特異物質を含む検出膜を製膜し、 この検出膜上にＳ
ｉＯ2 膜を製膜し、 このＳｉＯ2 膜上に平坦化膜を製
膜し、 ここで上記特異物質は、ＳｉＯ2 膜及び平坦化
膜のいずれもが含有しない物質であり、 続いて、エッ
チング反応ガス中における上記特異物質の濃度を測定し
つつ平坦化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度
に基づいて平坦化の終点を検出することを特徴とする。
Ａｌ等の配線膜のトップ（頂部）を露出させてエッチン
グを終了する場合の態様である。
方法は、基板上に金属配線膜を製膜し、 この配線膜上
に特異物質を含む検出膜を製膜し、 この検出膜上にＳ
ｉＯ2 膜を製膜し、 このＳｉＯ2 膜上に平坦化膜を製
膜し、 ここで上記特異物質は、ＳｉＯ2 膜及び平坦化
膜のいずれもが含有しない物質であり、 続いて、エッ
チング反応ガス中における上記特異物質の濃度を測定し
つつ平坦化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度
に基づいて平坦化の終点を検出することを特徴とする。
Ａｌ等の配線膜のトップ（頂部）を露出させてエッチン
グを終了する場合の態様である。
【００１１】以下、図面を参照しつつより詳しく説明す
る。図１は、本発明の１実施例に係る半導体装置の平坦
化工程を模式的に示す断面図である。半導体装置の断面
構造を説明する。一番下が、ＢＰＳＧのＳｉＯ2 膜１で
ある。この上に、３本のＡｌ配線膜３が局部的に形成さ
れている。Ａｌ配線膜３、及び、ＳｉＯ2 膜１上には、
それらの膜を覆うようにＰ−ＴＥＯＳの絶縁用のＳｉＯ
2 膜５がＣＶＤで製膜されている。ＳｉＯ2 膜５の上に
は、薄いＰ−Ｓｉ3 Ｎ4 膜７がＣＶＤで製膜されてい
る。ＳｉＯ2 膜５上にはＳＯＧの平坦化膜９が製膜（塗
布）されている。平坦化膜９は、この後Ｂ→Ｃのように
エッチングされその上面が平坦化される。その後の工程
で、さらにその上に新たなＡｌ配線膜等が形成される。
る。図１は、本発明の１実施例に係る半導体装置の平坦
化工程を模式的に示す断面図である。半導体装置の断面
構造を説明する。一番下が、ＢＰＳＧのＳｉＯ2 膜１で
ある。この上に、３本のＡｌ配線膜３が局部的に形成さ
れている。Ａｌ配線膜３、及び、ＳｉＯ2 膜１上には、
それらの膜を覆うようにＰ−ＴＥＯＳの絶縁用のＳｉＯ
2 膜５がＣＶＤで製膜されている。ＳｉＯ2 膜５の上に
は、薄いＰ−Ｓｉ3 Ｎ4 膜７がＣＶＤで製膜されてい
る。ＳｉＯ2 膜５上にはＳＯＧの平坦化膜９が製膜（塗
布）されている。平坦化膜９は、この後Ｂ→Ｃのように
エッチングされその上面が平坦化される。その後の工程
で、さらにその上に新たなＡｌ配線膜等が形成される。
【００１２】図１（Ａ）の状態から平坦化エッチングを
開始する。エッチングの方法は、ドライエッチング等の
公知の方法を用いることができる。エッチングを始める
と、最初のうちは、ＳＯＧ膜９のみがエッチングされそ
の頂部が次第に下に下がる。そして、図１（Ｂ）の状態
に達すると、Ａｌ配線３上のＳｉＯ2 膜５の頂部上のＳ
ｉ3 Ｎ4 膜７が露出して、このＳｉ3 Ｎ4 膜７がエッチ
ングされ始める。すると、Ｓｉ3 Ｎ4 からＮ2 がエッチ
ング反応ガス中に放出される。ＳｉＯ2 膜５頂部のＳｉ
3 Ｎ4 膜７のエッチングが進んで頂部の膜７がエッチン
グ完了したのが図１（Ｃ）の状態である。本実施例の場
合は、これで平坦化エッチング完了である。
開始する。エッチングの方法は、ドライエッチング等の
公知の方法を用いることができる。エッチングを始める
と、最初のうちは、ＳＯＧ膜９のみがエッチングされそ
の頂部が次第に下に下がる。そして、図１（Ｂ）の状態
に達すると、Ａｌ配線３上のＳｉＯ2 膜５の頂部上のＳ
ｉ3 Ｎ4 膜７が露出して、このＳｉ3 Ｎ4 膜７がエッチ
ングされ始める。すると、Ｓｉ3 Ｎ4 からＮ2 がエッチ
ング反応ガス中に放出される。ＳｉＯ2 膜５頂部のＳｉ
3 Ｎ4 膜７のエッチングが進んで頂部の膜７がエッチン
グ完了したのが図１（Ｃ）の状態である。本実施例の場
合は、これで平坦化エッチング完了である。
【００１３】図２は、図１の実施例の平坦化工程におい
て、ＥＰＤシステムを用いて反応ガス中のＮ2 ガスの発
光強度をモニターしたグラフである。図中の凸状の線
が、エッチバック中におけるＮ2 ガスの発光強度の推移
を示す。横軸は時間である。左側の平坦な山の線２１
は、ＳＯＧのエッチング中のＮ2 発光強度である。ＳＯ
Ｇには基本的にはＮが含まれていないが、大気中のＮ2
の残分が低いレベルで表われている。
て、ＥＰＤシステムを用いて反応ガス中のＮ2 ガスの発
光強度をモニターしたグラフである。図中の凸状の線
が、エッチバック中におけるＮ2 ガスの発光強度の推移
を示す。横軸は時間である。左側の平坦な山の線２１
は、ＳＯＧのエッチング中のＮ2 発光強度である。ＳＯ
Ｇには基本的にはＮが含まれていないが、大気中のＮ2
の残分が低いレベルで表われている。
【００１４】この山２１がしばらく続き、ＳＯＧのエッ
チングが進むと、図１（Ｂ）のように頂部のＳｉ3 Ｎ4
膜が露出して、この膜自身がエッチングされ始める。そ
うすると、活発にＮ2 が反応ガス中に混入するので、図
２の点２３からＮ2 の発光強度が上昇を始め、鋭いピー
ク２５を形成する。ピーク時は、頂部のＳｉ3 Ｎ4 膜が
全面的に表れている状態である。その後、頂部のＳｉ3
Ｎ4 膜がエッチングされきると、頂部の側面のＳｉ3 Ｎ
4 膜のみのエッチングとなるため、Ｎ2 の発光強度は急
速に下がる（点２７）。これにより、エッチング完了を
判定する。
チングが進むと、図１（Ｂ）のように頂部のＳｉ3 Ｎ4
膜が露出して、この膜自身がエッチングされ始める。そ
うすると、活発にＮ2 が反応ガス中に混入するので、図
２の点２３からＮ2 の発光強度が上昇を始め、鋭いピー
ク２５を形成する。ピーク時は、頂部のＳｉ3 Ｎ4 膜が
全面的に表れている状態である。その後、頂部のＳｉ3
Ｎ4 膜がエッチングされきると、頂部の側面のＳｉ3 Ｎ
4 膜のみのエッチングとなるため、Ｎ2 の発光強度は急
速に下がる（点２７）。これにより、エッチング完了を
判定する。
【００１５】Ａｌ配線の頂部を露出させるまでエッチン
グを行う場合には、Ａｌ配線膜の上に薄いＳｉ3 Ｎ4 膜
を製膜し、上記と同様に平坦化エッチングを行う。
グを行う場合には、Ａｌ配線膜の上に薄いＳｉ3 Ｎ4 膜
を製膜し、上記と同様に平坦化エッチングを行う。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、平坦化
工程において、平坦化の終点検出を安定して行うことの
でき、アンダーエッチ、オーバーエッチ及びウエハー不
良数の低減が可能となる。また、平坦化が安定すること
で、二層目や三層目のアルミ配線のストリンガー（段差
部や平坦性が悪い所に発生する被エッチング膜の残り）
を防止することができ、特性の安定化にもつながる。
工程において、平坦化の終点検出を安定して行うことの
でき、アンダーエッチ、オーバーエッチ及びウエハー不
良数の低減が可能となる。また、平坦化が安定すること
で、二層目や三層目のアルミ配線のストリンガー（段差
部や平坦性が悪い所に発生する被エッチング膜の残り）
を防止することができ、特性の安定化にもつながる。
【図１】本発明の１実施例に係る半導体装置の平坦化工
程を模式的に示す断面図である。（Ａ）は平坦化エッチ
ング前、（Ｂ）はエッチング途中、（Ｃ）はエッチング
完了状態を示す。
程を模式的に示す断面図である。（Ａ）は平坦化エッチ
ング前、（Ｂ）はエッチング途中、（Ｃ）はエッチング
完了状態を示す。
【図２】図１の実施例の平坦化工程において、反応ガス
中のＮ2 ガスの発光強度をモニターしたグラフである。
中のＮ2 ガスの発光強度をモニターしたグラフである。
【図３】図４の従来の平坦化工程において、ＣＯの発光
をモニターした場合における発光強度の推移を示すグラ
フである。
をモニターした場合における発光強度の推移を示すグラ
フである。
【図４】従来の半導体装置の平坦化工程の一例を模式的
に示す断面図である。（Ａ）は平坦化エッチング前、
（Ｂ）はエッチング途中、（Ｃ）はエッチング完了状態
を示す。
に示す断面図である。（Ａ）は平坦化エッチング前、
（Ｂ）はエッチング途中、（Ｃ）はエッチング完了状態
を示す。
１…ＳｉＯ2 膜（ＢＰＳＧ）、３…Ａｌ配線膜、５…Ｓ
ｉＯ2 膜（Ｐ−ＴＥＯＳ）、７…Ｓｉ3 Ｎ4 膜（検出
膜）、９…ＳＯＧ膜（平坦化膜）
ｉＯ2 膜（Ｐ−ＴＥＯＳ）、７…Ｓｉ3 Ｎ4 膜（検出
膜）、９…ＳＯＧ膜（平坦化膜）
Claims (4)
- 【請求項１】 上面に凹凸を有する第１の膜上に平坦化
膜を製膜した後に、該平坦化膜をドライエッチングによ
り第１の膜の凸部に達するまで平坦化エッチングする際
に、エッチングの終点を検出する方法であって；第１の
膜上に、第１の膜及び平坦化膜が含有しない特異物質を
含む検出膜を製膜し、 続いて、検出膜上に平坦化膜を製膜し、 続いて、エッチング反応ガス中における上記特異物質の
濃度を測定しつつ平坦化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度に基づいて平坦化の終点を検出すること
を特徴とする平坦化終点検出方法。 - 【請求項２】 基板上に金属配線膜を製膜し、 この配線膜上にＳｉＯ2 膜を製膜し、 このＳｉＯ2 膜上に特異物質を含む検出膜を製膜し、 この検出膜上に平坦化膜を製膜し、 ここで上記特異物質は、ＳｉＯ2 膜及び平坦化膜のいず
れもが含有しない物質であり、 続いて、エッチング反応ガス中における上記特異物質の
濃度を測定しつつ平坦化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度に基づいて平坦化の終点を検出すること
を特徴とする平坦化終点検出方法。 - 【請求項３】 基板上に金属配線膜を製膜し、 この配線膜上に特異物質を含む検出膜を製膜し、 この検出膜上にＳｉＯ2 膜を製膜し、 このＳｉＯ2 膜上に平坦化膜を製膜し、 ここで上記特異物質は、ＳｉＯ2 膜及び平坦化膜のいず
れもが含有しない物質であり、 続いて、エッチング反応ガス中における上記特異物質の
濃度を測定しつつ平坦化膜をドライエッチングし、 該特異物質濃度に基づいて平坦化の終点を検出すること
を特徴とする平坦化終点検出方法。 - 【請求項４】 上記検出膜がＳｉ3 Ｎ4 膜であり、上記
特異物質がＮ2 であることを特徴とする請求項１、２又
は３記載の平坦化終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050297A JPH10209128A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 平坦化終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050297A JPH10209128A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 平坦化終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209128A true JPH10209128A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11751989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050297A Pending JPH10209128A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 平坦化終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209128A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006091309A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | エッチバック方法、それを用いた無機偏光子製造方法及びそれらの方法を実現するエッチング停止制御装置、並びに製造される無機偏光子 |
| JP2007257816A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-10-04 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2007257817A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2009099232A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Unisantis Electronics (Japan) Ltd. | 半導体の製造方法 |
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