WO2004083496A1

WO2004083496A1 - シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法

Info

Publication number: WO2004083496A1
Application number: PCT/JP2004/002239
Authority: WO
Inventors: Masataka Horai; Wataru Sugimura; Toshiaki Ono; Tadami Tanaka
Original assignee: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation
Priority date: 2003-02-25
Filing date: 2004-02-25
Publication date: 2004-09-30
Also published as: KR20070059214A; EP1598452B1; JP2011088818A; EP1598452A1; US20060156969A1; KR20050121677A; CN100472001C; EP1598452A4; JP5691504B2; JPWO2004083496A1; US7704318B2; KR100743821B1; CN1780940A; KR100782662B1

Description

明細書シリコンゥユーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法技術分野

本発明は、半導体デバイスの素材であるシリコンゥニ一八及びその製造方法、並びにシリコンゥーハの素材であるシリコン単結晶の育成方法に関する。背景技術

シリコンゥヱ一八の素材であるシリコン単結晶の製造方法として代表的なものは、 CZ法と呼ばれる回転引上げ法である。 CZ法によるシリコン単結晶の製造では、周知のとおり、石英ルツボ内に形成したシリコン融液に種結晶を浸漬し、ルツボ及び種結晶を回転させながら種結晶を引上げることにより、種結晶の下方にシリコン単結晶を育成する。こうして製造されるシリコン単結晶には、デバイス形成工程で問題となる様々の種類の Gr own— i n欠陥が生じることが知られている。代表的な Gr o n- i n欠陥は、格子間シリコン優勢領域に発生する転位クラスタ、及び空孔優勢領域に発生する COPまたはボイドの二つであり、両領域の間はリング OS F発生領域となる。さらに空孔型及び格子間シリコン型の Gr own- i n欠陥フリー領域がある。結晶径方向における典型的な欠陥分布を図 1により説明すると、以下の如くである。

結晶径方向の中間位置にリング OS F発生領域がリング状に存在している。リング 0 S F発生領域の内側は無欠陥領域を介して COPまたはポイド発生領域になっている。一方、リング OS F発生領域の外側は酸素析出促進領域、および酸素析出抑制領域を介して転位クラスタ発生領域になっている。酸素析出促進領域は、空孔型の Gr own— i n欠陥フリ一領域であり、酸素析出抑制領域は格子間シリコン型の G r own - i n欠陥フリー領域である。

このような欠陥分布は、次の二つの因子によって制御されることが知られている。一つは結晶引上げ速度であり、今一つは凝固直後の結晶内温度分布である。結晶引上げ速度の影響を図 2により説明すると、以下の如くである。

図 2は、弓 I上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における欠陥分布を示している。引上げ速度が速い段階では、リング OSF発生領域は結晶外周部に位置する。したがって、高速引上げ条件で育成した単結晶から採取されたゥェ一ハは、結晶径方向のぼぼ全域に COPを発生する。弓 I上げ速度の低下に伴ってリング 0 S F発生領域は結晶中心部へ徐々に移動し、最終的には結晶中心部で消滅する。したがつて、低速引上げ条件で育成した単結晶から採取されたゥエーハは、結晶径方向のぼぼ全域に転位クラス夕を発生する。ちなみに、図 1の結晶横断面は、図 2中の A位置での断面図に相当している。

転位クラスタも COPも共にデバィス特性を悪化させる有害な G r o wn- i n欠陥であるが、有害度は COPの方が小さく、生産性に対する要求もあって、従来はもつばら図 2中に D位置以上で示されるような〇 S F発生領域を結晶外周部に位置させるか結晶外へ排除する高速引げ条件での育成が行われていた。

しかしながら、近年における集積回路の著しい微細化に伴い、 COP の有害性さえもが指摘され始め、転位クラスタと共に COPの発生を防止する必要性が生じてきた。この要求に応える技術の一つが、特開 20 01 - 220289号公報及び特開 2002— 187794号公報に記載されているような、点欠陥分布制御による欠陥フリー結晶の育成である。

特開 2 00 1— 2 2 02 8 9号公報及び特開 20 02— 1 8 779 4 号公報に記載されている育成結晶における Gr own— i n欠陥フリ一化は、前述した凝固直後の結晶内温度分布によって欠陥分布が制御される現象を利用したものである。

即ち、通常の CZ引上げでは、凝固直後の結晶は外周面から放熱される。このため、凝固直後の結晶内の軸方向温度勾配は、中心部での温度勾配 G cより外周部での温度勾配 G eが大となる傾向を示す。その結果、弓 I上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における欠陥分布、特にリング O S F発生領域は、下方に凸で且つ先が尖った V字形状になる。その結果、リング OS F発生領域が結晶中心部に消滅する臨界速度近傍の引上げ条件を採用しても、 Gr own- i n欠陥フリ一の領域は結晶中心部に限定的に生じるだけであり、結晶径方向の全域を欠陥フリ一化することはできない

ちなみに、転位クラスタ及び COPは、リング OS F発生領域内側の無欠陥領域に発生しなのは勿論のこと、リング OS F発生領域自体、更にはその外側の酸素析出促進領域及び酸素析出抑制領域にも生じない。即ち、これら 4つの領域が Gr own— i n欠陥フリー領域である。これに対し、結晶引上げ炉におけるホットゾーン構造の工夫により、凝固直後の結晶を外面側から積極的に保温するようにすると、中心部での温度勾配 G cを外周部での温度勾配 G eと同一かこれより大きくすることが可能となる。そうすると、引上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における◦ S F発生領域の形状は、図 3に示すように、下方に凸の傾向のままで先がフラット化して U字形状になる。そしてこの状態で、 0 S F発生領域が結晶中心部に消滅する臨界速度近傍の引上げ条件を採用することにより、結晶径方向の全域を欠陥フリ一化することが可能になる。ちなみに図 3では、この引上げ速度条件は B —Cの範囲内となる。

なお、育成結晶における欠陥フリー化の他の技術としては、例えば特開 2 0 00— 2 8 1 49 1号公報及び特開 200 1— 3 3 5 39 6号公報に示されるような結晶引き上げ時の水素ドープがある。これは引上げ炉内に導入する不活性ガス中に微量の水素ガスを混入するものであり、シリコン融液への窒素ドープと同様に空孔欠陥の形成を抑制できる。特開 20 0 1— 2 20 2 8 9号公報及び特開 200 2— 1 87 7 94 号公報に記載されているような欠陥分布制御による Gr own— i n欠陥フリ一結晶の育成技術では、引上げ条件として 0 S F発生領域が結晶中心部に消滅する臨界速度近傍の低速引上げ条件を選択する必要がある。このため、生産性の低下が避けられない。

加えて、 Gr own— i n欠陥フリー化のための引上げ速度範囲（マ —ジン：図 3中の B— Cの範囲）が狭く、 Gr own— i n欠陥フリー結晶の安定な育成が難しい。その結果、 Gr own— i n欠陥フリー結晶を結晶全長に渡って得ることが困難であり、 Gr 0 wn— i n欠陥フリ一結晶の製造歩留まりが低くなる。このために、 Gr own— i n欠陥フリー結晶の製造コストの削減が困難となる問題があった。特に、結晶直径が 2 00 mm、 30 0 mmと大きくなるに従って、 Ge≤Gcの関係を満足することが困難となり、欠陥フリ一化のための引き上げ速度範囲 B— Cはさらに狭くなる傾向があり、これをブレークスルーする技術が望まれていた。

—方、 SO I (Silicon on Insulator) 基板は、半導体デバイスの高速化および低消費電力化が可能であり、今後需要の増大が期待されている。 SO I基板の製造法としては、酸化膜付ゥェ一ハと通常ゥヱ一ハを貼り合わせる貼り合わせ法と、酸素イオンを注入したのち 1 300 °C以上の高温で酸化することにことにより埋め込み酸化膜層（BOX : Barr i e d O ide Layer ) を形成する S I M 0 X (Separation by Implanted Ox ygen)法とが主な方法である。

これらの SO I基板の SO I層に形成された MOSFET (Metal Ox ide Semiconductor Field Effect Transistor ) は、高い放射線耐性とラッチアップ耐性を持ち、高信頼性を示すことに加えて、デバイスの微細化にともなうショートチヤネル効果を抑制し、かつ低消費電力動作が可能となる。このため、 SO I基板は次世代 M OS— LS I用の高機能半導体基板として期待されている。しかしながら、通常のゥユーハに比較して製造工程が複雑であり、コストが嵩むことから、低コスト化が強く求められている。

S I MOX基板は本質的に COPフリーである必要がある。すなわち、 COPを含む基板に酸素をイオン注入した場合、 COPの部分が空洞であるために、酸素イオンが散乱されたり、正常部分と比較して深く注入されるために、 S I MOXァニールした場合に埋め込み酸化膜層（B OX) に異常が生じる。このため、 S I MOX用の基板には、ェピ成長、または水素またはアルゴン雰囲気中での高温処理により、表層近傍が COPフリー化されたゥヱ一ハが用いられており、ェピ成長や高温ァニール処理などの付加工程が必要なために、コストが高くなる問題があつた。

また、貼り合わせ SO I基板では、活性層側に位置する基板に COP が存在すると、 0. 1 以下の活性層を有する薄膜貼り合わせ SO I ゥヱ一八を製造する場合に、 COPを含む部分で活性層が薄くなり、部分的に、または完全に BOX層まで貫通したピンホールになるため、いわゆる HF欠陥等の不良となる。このため、 COPを含まないゥェ一ハを活性層側の基板として使用することが必要である。もちろん 0. 1 / m以上の活性層を有する厚膜貼り合わせ SO Iの場合も、活性層に CO Pを含むと酸化膜耐圧特性や素子絶縁分離の不良となるため、 C 0 Pのないゥヱ一八を活性層側の基板として用いることが望ましい。

以上のことから、 Gr own— i n欠陥フリー結晶は、もともと CO Pがフリーであることから、 SO I基板に採用した場合、ェピ成長や高温ァニール処理のような付加的な工程が不要となり、低コストが要求される SO I基板として有望である。しかしながら、 Gr own— i n欠陥フリー結晶は、前述したとおり、通常の CZ結晶に比較して引き上げ速度が遅く、また、 Gr own— i n欠陥をフリー化するための引き上げ速度範囲（マージン）が極めて狭いために、製造歩留まりが低く、このために結晶製造のコストを下げることが困難であった。

この問題を克服するためには、引き上げ速度を大きくして生産性を向上させ、さらに Gr own— i n欠陥フリー化ができる引き上げ速度範囲（マージン）を拡大することで、結晶成長を安定化させ製造歩留まりを向上させる必要があった。

本発明の目的は、鏡面研磨ゥヱーハまたは SO Iゥヱ一八として用いるために、 Gr own— i n欠陥フリ一結晶を生産性よく安定に育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供することにある。本発明の別の目的は、そのようなシリコン単結晶育成方法により製造された高品質で低コストな鏡面研磨シリコンゥヱ一ハまたは S 0 Iゥヱ一ハ及びその製造方法を提供することにある。発明の開示

欠陥分布制御による欠陥フリ一結晶の育成技術で問題となる生産性 - 歩留まりの低さを改善することを目的として、本発明者らは水素ドープ技術に着目し、検討を行った結果、以下の二つの結論に到達した。

第 1に、結晶中心部での温度勾配 G cを結晶外周部での温度勾配 G e と同一かこれより大きくするように工夫されたホットゾ一ン構造を用いて、弓 I上げ速度を徐々に低下させながら単結晶を成長させたときの結晶縦断面における 0 S F発生領域を U字形化する場合に、引上げ炉内に導入する不活性ガス中に微量の水素ガスを混入すると、その結晶縦断面における欠陥分布は、図 4に示すように、欠陥フリー化のための引上げ速度範囲 B ' — C ' が、水素ノンドープのときの図 3中の B— Cに比べて結晶軸方向に拡大する。

第 2に、この引上げ速度範囲の拡大は、リング O S F発生領域が結晶中心部に消滅する臨界速度 V 0が上がることと、転位クラスタが発生する臨界速度 V dが低下することにより実現される。つまり、欠陥フリー化のための引上げ速度範囲 B ' - C は、水素ノンドープのときの図 3 中の B— Cに比べて高速側、即ち図 3中の上方、および低速側、即ち図 3中の下方へ拡大する。この現象を図 5により説明すると、以下の如ぐである。

図 5は引上げ速度と 0 S Fリング径の関係に及ぼす欠陥分布の影響度を示している。図中、破線は結晶中心部での温度勾配 G cが結晶外周部での温度勾配 G eより小さい場合、即ち、引上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における◦ S F発生領域の形状が下に凸の V字形の場合である。この場合は、引上げ速度が低下するにつれて O S Fリング径が徐々に縮小し、臨界速度 V oで 0に収束する。

実線（細線）は、結晶中心部での温度勾配 G cを結晶外周部での温度勾配 G eと同一かこれより大きくした場合、即ち、弓 I上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における 0 S F発生領域の形状を u字形状化した場合で、且つ水素ノンドープの場合である。この場合は、 OSFリング径が縮小を開始する引上げ速度が低下し、その開始速度より急激に縮小が起こり、破線の場合とほぽ同じ臨界速度 V 0で 0 に収束する。即ち、臨界速度 Voが一定のままでリング径の減少勾配が急になる。これにより、臨界速度 Voの近傍で、結晶径方向全域で転位クラスタ及び COPが存在しない欠陥フリ一の単結晶が育成されるが、臨界速度 Voが上がるわけではないので、低速引上げを強いられる。これに対し、実線（太線）は、結晶中心部での温度勾配 G cを結晶外周部での温度勾配 Geと同一かこれより大きくした場合、即ち、引上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における 0 SF 発生領域の形状を U字形状にした場合で、且つ水素ドーブの場合である。この場合は、実線（細線）と比べて、リング径の減少勾配が急勾配のままで臨界速度が Voから Vo' へ上がる。実線（細線）が高速側へ平行移動したのが実線（太線）である。

このように、 G r own— i nフリー欠陥結晶の育成に水素ド一プを組み合わせることにより、リング 0 S F領域が結晶中心部で消滅する臨界速度が上がり、これにより、 a s g r ownで結晶径方向全域に転位クラスタ及び COPが存在しない Gr 0 wn- i n欠陥フリーの単結晶が、従来より高速の引上げにより育成可能となる。さらに、水素ドーブにより、転位ククラスタの発生する下限の引き上げ速度 Vdが Vd' に低下することにより、欠陥フリ一化のための引上げ速度範囲が B— C から B' -C に広がる結果、無欠陥結晶が安定して育成可能となり、 Gr own- i n欠陥フリー結晶の製造歩留まりが著しく向上する。水素ド一プを組み合わせることにより欠陥フリー化のための引上げ速度範囲が拡大する理由、すなわちリング OS Fの臨界速度 Voが増大し、転位クラスタが発生する臨界速度 V dが低下する理由は以下のように考えられる。

1 3 0 0〜1 3 9 0での高温水素中でシリコンゥェ一ハを熱処理し急冷した場合、空孔または格子間シリコンと水素が反応し空孔一水素または格子間シリコン—水素複合体が形成される（文献 1 ：末澤正志 1 9 9 9年 6月 3日応用物理学会結晶工学分科会第 1100回研究会テキスト P 1 1 ) 。従って、水素を含む不活性雰囲気中で CZ結晶を育成した場合、結晶冷却過程の COP (約 1 1 0 0°C) または転位クラスタ（約 l O O Ot) 等の Gr own— i n欠陥が形成される温度よりも高温部において、シリコン結晶中で過剰に存在する空孔または格子間シリコンと水素が反応し、空孔—水素または格子間シリコン一水素などの複合体が形成されるために、空孔および格子間シリコンの濃度が低下することになる。このために、空孔ゃ格子間シリコンの凝集は抑制され、 COP および転位クラスタのない、またはサイズが小さい C Z結晶が育成できることになる。

しかし、水素を含む不活性雰囲気中で V/Gが充分大きい空孔優勢条件下で C Z結晶を育成するとき、水素濃度が高くなると水素欠陥と呼ばれる大きさ数 wm〜数 1 0 mの巨大空洞（空孔の凝集体と考えられる ) ができ (文献 2 ： E. Πηο、 K.Takano、 M.Kimura, H.Yamagishi ： Mate rial Science and Engineering B 3 6 ( 1 9 9 6 ) 1 4 6— 1 4 9及び文献 3 : T.H.Wang、 T.F.Ciszk、 and T. Schuyler ： J. Cryst. Grow th 1 0 9 ( 1 9 9 1 ) 1 5 5— 1 6 1 ) 、また V/Gが充分小さい格子間シリコン優勢条件下では、格子間シリコン型の水素欠陥（格子間シリコンの凝集体と考えられる転位対）ができることが知られている（文献 4 ： Y. Sugit ： Jpn. J. Appl. Phys 4 ( 1 9 6 5) p 9 6 2 ) 。

このため、引き上げ速度をリング O S F領域の発生する臨界速度以下に低下させなくても、水素を十分含む雰囲気中で C Z法で引き上げた場合、 COPの生成を抑制できるが、巨大空洞が発生するために半導体用のゥェ一ハとして使えないことになる。また、低速引き上げの場合にも、転位クラスタの生成は抑制されるが、転位対の発生によって半導体用のゥヱ一ハとして使えないことになる。

図 6は、 C Z結晶育成時の結晶中心部における 1 1 0 0°C以上の温度での、空孔および格子間シリコンの濃度 Cvおよび C i と引き上げ速度 Vと固液界面近傍での結晶側の温度勾配 Gとの比 V/ Gとの関係であり、水素が結晶中に存在する場合の C 0 Pおよび転位クラスタの生成抑制効果を示している。この図を用いて、 COPおよび転位クラスタの生成が抑制される理由を説明する。ここで、 Vo、 Vc及び Vdはそれぞれリング OSF領域、 COP及び転位クラス夕が結晶中心部または径方向の一部に生成し始める臨界速度であり、 Cv— OSF、 Cv— COP及び C i— D i s 1は、それぞれ OSFリング領域、 COP及び転位クラス夕が生成する臨界点欠陥濃度を示す。

Gr own- i n欠陥フリー結晶が育成できるように結晶径方向に V /Gが、 Gc≥Geの関係を満たすように設計されたホットゾーンからなる C Z炉を用いて、結晶を育成する場合、引き上げ速度を Voより大きくした場合（図 6の〔H 2〕 = 0の場合）、空孔が優勢な点欠陥種である COPが通常発生する。しかしながら、水素を含む雰囲気中で CZ 結晶を育成する場合（図 6の H 1、 H 2の場合）には、空孔と水素が複合体を形成するため、自由な空孔の濃度は低下する。この自由空孔の濃度の低下は結晶中の水素濃度に依存し、水素濃度が増大するほど空孔濃度の低下は大きくなる。このため、水素が存在する場合、 OSFリングが生成するための引き上げ速度 Voは Vo' 、 Vo" のように高速側にシフトし、 COPが生成するための引き上げ速度 Vcも Vc' のように高速側にシフトすることになる。一方、引き上げ速度を Vdよりも小さくした場合（図 6の〔H 2〕 = 0の場合）には、格子間シリコンが優勢な点欠陥種となり、格子間シリコンの濃度は C i >C i— d i s lとなり、格子間シリコンの 1次欠陥として転位クラスタが通常発生する。しかし、水素を含む雰囲気中で育成する場合（図 6の〔H 2〕 -H Iまたは H 2場合）には、格子間シリコンと水素が複合体を形成するために、自由な格子間シリコンの濃度が低下する。従って、転位クラスタを生成するための引き上げ速度 Vdは、臨界濃度 C i— d i s 1と一致するように、より低速側の Vd' 又は Vd" にシフトすることになる。

図 6の〔H 2〕 =H 1のように水素濃度が相対的に低い場合、 V/G が充分大きくなると、空孔濃度が COPを生成するための臨界濃度 C V - COPよりも高くなるために、 COPの生成は完全には抑制されないが、水素が存在しない場合よりも空孔濃度が低下するために、 COPのサイズは小さくなる。

さらに、図 6の〔H 2〕 =H 2のように水素濃度が相対的に高くなると、空孔濃度が Cv— COPよりも低くなり、弓 1上げ速度を可能な範囲で増大させても、 COPは形成されなくなる。

OSFリング発生の臨界速度 Vo' または Vo" 以下、および転位クラスタ発生の臨界速度 Vd' または Vd" 以上の引き上げ速度の範囲では、空孔および格子間シリコンの濃度は十分低いので、 COPおよび転位クラスタは発生せず、さらに巨大空洞である空孔型の水素欠陥、または転位対である格子間シリコン型の水素欠陥も発生することはない。また、水素をドープしない場合よりも、 G r 0 wn— i n欠陥フリ一となる引き上げ速度の範囲（マージン）が顕著に拡大するので、無欠陥結晶をより安定に高歩留まりで育成することができる。

また 0 S Fリングが閉じる臨界 V/ G条件よりも V/ Gが大きいが比較的近い場合には、リング 0 S Fは結晶中心部で閉じず C 0 Fがその内側領域に発生するが、そのサイズは水素ドープによって空孔濃度が低下するために小さくなる。また、この場合にも、空孔濃度が充分に低いために巨大空洞を発生することはない。

本発明はかかる知見を基礎にして完成されたものであり、そのシリコンゥエーハは、水素を含む不活性雰囲気中で CZ法により育成されたシリコン単結晶のゥヱ一ハであり、 a s g r own状態、即ち引き上げたままの熱処理を受けない状態で、ゥエーハ厚さ方向全域で結晶径方向の全域に COPを含まない完全 Gr own- i n欠陥フリ一ゥヱーハか、若しくはサイズが 0. 1 m以下の COPが結晶径方向の少なくとも —部に存在する準 Gr own— i n欠陥フリーゥヱ一八である。

いずれの G r 0 wn— i n欠陥フリーウェーハも、 as gr own 状態で、ゥ一八厚さ方向全域で結晶径方向の全域に転位クラスタを含まないことは言うまでもない。

水素を含む不活性雰囲気中で育成時のシリコン単結晶中の水素濃度は、雰囲気中の水素分圧によって制御できる。水素の結晶への導入は、雰囲気中の水素がシリコン融液に溶解して定常（平衡）状態となり、さらに、結晶へは凝固時に濃度偏析によって液相と固相中の濃度が分配される。

融液中の水素濃度は、ヘンリーの法則から気相中の水素分圧に依存して決まり、

丄 H2 ⁼ k C lH2

と、表される。ここで、 P_H2は雰囲気中の水素分圧、 C_LHZ はシリコン融液中の水素濃度、 kは両者の間の係数である。

一方、結晶中の濃度は融液中濃度と偏祈の関係で決まり、

と、表される。ここで、 C_SH2 は結晶中の水素濃度、 k' は水素のシリコン融液—結晶間の偏析係数である。

以上から、凝固直後の結晶中水素濃度は雰囲気中の水素分圧を制御することで結晶の軸方向に一定に所望する濃度で制御できる。

リング OS F発生領域については、結晶径方向の一部にこれが存在していてもよいし、結晶中心部で消滅していてもよい。

本発明のシリコンゥヱ一ハは、 PW (Polished Wafer. 鏡面ゥヱーハ

) に使用できる他、 S I M0X型 S 0 Iゥヱーハ、又は貼り合わせ型 S

0 Iの活性層側ゥヱ一ハとしても使用できる。

a s g r ownで結晶径方向の全域に COPが含まれない完全 Gr own— i n欠陥フリーのゥヱ一ハの場合は必要ないが、サイズが 0.

1 m以下に制限された COPが含まれる準 Gr own— i n欠陥フリーゥェ一八の場合は、 1 1 00〜1 200 °Cx l h r以上の水素ァニ一ル、又はアルゴンァニールといった COPフリー化ァ二一ルにより、表面から 1 um以上の深さの部分で COPを除去するのが好ましい。また、本発明のシリコン単結晶製造方法は、結晶中心部での温度勾配

G cが結晶外周部での温度勾配 G eと同一かこれより大きくなるホットゾーン構造を用いて、 CZ法によりシリコン単結晶を育成する際に、水素を含む不活性ガスを引上げ炉内に供給し、且つ、リング OSF発生領域が結晶中心部で消滅する臨界速度の近傍で結晶引上げを行うものである。

水素でトラップされた空孔（水素一空孔複合体）は、その後、酸素析出物の形成反応の自由エネルギーを低下させるために、酸素析出を促進させ、また、さらに巨大空洞を形成する可能性がある。リング OSFが発生する臨界速度よりも充分速い育成条件では、 V/Gが充分大きくなるために、凝固時に導入される空孔濃度が高い。このために、水素でトラップされた水素一空孔複合体によって高温で安定な析出核が生成し、デバイスの熱処理により成長して表層近傍に強固な析出物として残留したり、酸化熱処理で OS Fを発生させるために、デバイス特性の劣化を招く恐れがある。また、 V/Gが十分大きく、かつ、水素濃度が高い場合には、さらに巨大空洞が発生するが、もちろんこのようなゥヱ一ハは、半導体用のゥェ一ハとして適切でないことは言うまでもない。このような、安定酸素析出核や巨大空洞の生成を防止するためには、導入される空子し濃度を低くする必要があり、このために V / Gが相対的に小さくなるリング 0 S F領域発生の臨界引き上げ速度近傍に制御する必要がある。

この方法により、結晶径方向全域で転位クラスタ及び C 0 Pが存在しない完全 Gr own- i n欠陥フリーの単結晶、若しくは COPが存在してもそのサイズが 0. 1 / m以下に制限された準 Gr own— i n欠陥フリーの単結晶が、従来より高速で、かつ極めて広い速度範囲（マージン）の引上げにより能率的にかつ安定的に育成される。

臨界速度の近傍とは、定性的には、結晶径方向の全域に転位クラスタ及び COPを含まない完全 Gr own- i n欠陥フリー結晶が得られる引上げ速度であって、図 4中の B' — C' であるが、 COPサイズが 0 . 1 m以下に制限される範囲内であれば、これより若干高い引上げ速度でもよい。

定量的には、臨界速度を Voとして約 1. 7倍程度（1. 7Vo) の引き上げ速度であるが、 COPの密度とサイズは V/Gと 1 100°C近傍の冷却速度に依存し、 CZ炉の熱的環境に依存するため一義的に決めることはできない。この範囲より低速であると転位クラスタが発生し、高速である場合はサイズが 0. 1 mを超える過大な COPと高温安定な酸素析出核が発生する。さらに、水素濃度が相対的に高くなると巨大空洞も発生する。

水素ガス添加量については、不足すると臨界速度を上げる効果が不十分となり、多くすると炉内に空気がリークしたときに、燃焼、更には爆ごうを生じる危険性が生じる。このため下限については 0. 1体積％以上が好ましく、 3体積％以上が特に好ましい。 0. 1%以下では水素の効果がほとんどなく、また 3%未満で 0. 1%以上では水素の効果はある程度あるが、十分ではない。上限については、使用する不活性ガスによる希釈限界できまる水素濃度（約 1 0体積％) 以下が好ましく、特に 8体積％以下が特に好ましい。この場合、仮に空気が炉内にリークして流入したとしても、燃焼することはなく、安全な操業が可能である。また、本発明のシリコンゥェ一ハ製造方法は、本発明のシリコン単結晶製造方法により製造された高品質で経済的な単結晶からシリコンゥニ —ハを採取するものであり、シリコンゥエーハの品質及び経済性を高い次元で両立させることができる。

採取されたシリコンゥェ一ハがサイズ 0. 1 jum以下の COPを含む準 Gr own— i n欠陥フリーゥヱ一ハの場合は、 1 1 00~1 200 °C X 1 h r以上の水素ァニール、又はアルゴンァニールといった C OP フリー化ァニールにより、表面から 1 以上の深さの部分で COPを除去するのが好ましいのは、前述したとおりである。

また、完全 Gr own- i n欠陥フリー又は準 Gr own- i n欠陥フリーの単結晶から採取されたゥヱ一ハは PW (Polished Wafer,鏡面ゥエーハ）に使用できる他、 S I MOX型 SO I基板のベースゥヱーハに、又は貼り合わせ型 SO I基板の活性層側のゥヱ一ハに使用できることも前述のとおりである。

なお、結晶中心部での温度勾配 G cが外周部での温度勾配 G eより小であり、引上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面

I 5 における OS F発生領域が、下方に尖った V字形状になる通常のホットゾーン構造を用いて、臨界速度近傍で引上げを行う場合に水素ドープを組み合わせると、以下のようになり、本発明が狙う効果は得られない。

Ge >Gじの場合にも、水素の効果によって、リング OS F発生領域および COPが結晶中心部で発生し始める臨界速度 Vo、 Vcは増大し、転位クラスタが結晶の一部に発生しはじめる臨界速度 V dは低下する。従って、 Ge >Gcであっても両者が比較的近い場合には、 C〇Pや転位クラス夕の無い完全 G r own— i n欠陥フリー結晶が得られる場合もあるが、引き上げ速度のマージンは、 Ge≤Gcを満たす場合に比較すると極めて狭く、安定して欠陥フリーの結晶を製造できない。また、 Ge >Gcで Geと Gcの差が大きい場合には、たとえ水素を添加しても欠陥フリ一となる速度マージンは得られない。図面の簡単な説明

図 1は、結晶径方向における欠陥分布図である。

図 2は、弓 I上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における欠陥分布図であり、結晶中心部での温度勾配 G cが結晶外周部での温度勾配 G eより小の場合を示している。

図 3は、弓 I上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における欠陥分布図であり、結晶中心部での温度勾配 G cが結晶外周部での温度勾配 G eと同一かこれより大きい場合を示している。

図 4は、引上げ速度を徐々に低下させながら成長させた単結晶の縦断面における欠陥分布図であり、結晶中心部での温度勾配 G cが結晶外周部での温度勾配 G eと同一かこれより大きい場合で、且つ水素ドープの場合を示している。

図 5は、引上げ速度と 0 S Fリング径の関係に及ぼす欠陥分布の影響度を示す図表である。

図 6は、点欠陥濃度および各種欠陥領域の発生条件に及ぼす V / Gの影響を示す図表であって、水素ドープによる欠陥発生のための臨界 Gのシフトを示す。

図 7は、本発明のシリコン単結晶製造方法を実施するのに適した C Z 弓 I上げ炉の縦断面図である。

図 8は、各種欠陥の発生領域を V / Gと水素濃度の関係により示す図表であって、水素ドープによる欠陥発生のための V/ G領域の拡大を示す。

図 9は、結晶位置と G r o w n— i n欠陥フリー領域の得られる引き上げ速度範囲（マージン）との関係を示す図表である。発明を実施するための最良の形態

以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図 7は本発明のシリコン単結晶製造方法を実施するのに適した C Z炉の縦断面図であるまず、 C Z炉の構造について説明する。

C Z炉は、チャンバ一内の中心部に配置された坩堝 1と、坩堝 1の外側に配置されたヒータ 2とを備えている。坩堝 1は、内側に原料融液 3 を収容する石英坩堝 1 aを外側の黒鉛坩堝 1 bで保持する二重構造であり、ぺデイスタルと呼ばれる支持軸により回転および昇降駆動される。坩堝 1の上方には、円筒形状の熱遮蔽体 7が設けられている。熱遮蔽体 7は、黒鉛で外殻を作り、内部に黒鉛フェルトを充填した構造である。熱遮蔽体 7の内面は、上端部から下端部にかけて内径が漸減するテーパ一面になっている。熱遮蔽体 7の上部外面は内面に対応するテーパー面であり、下部外面は、熱遮蔽体 7の厚みを下方に向かって漸増させるようにほぼストレート面に形成されている。

この CZ炉は 20 Ommの単結晶育成装置である。この装置を用いて目標直径が例えば 2 1 Omm. ボディ長が例えば 1 20 0 mmの単結晶育成が可能である。そして、熱遮蔽体 7により、結晶中心部での温度勾配 G cが結晶外周部での温度勾配 G eと同一かこれより大きくなるホットゾーン構造が構成される。熱遮蔽体 7の仕様例を挙げると次のとおりである。るつぼに入る部分の外径は例えば 4 7 Omm. 最下端における最小内径 Sは例えば 27 Omm. 半径方向の幅 Wは例えば 1 00 mm、逆円錐台面である内面の垂直方向に対する傾きは例えば 2 1° とする。また、るつぼ 1の内径は例えば 5 5 Ommであり、熱遮蔽体 7の下端の融液面からの高さ Hは例えば 6 Ommである。

上記断面構造の単結晶育成装置を用いて引き上げを行う場合、融点から 1 3 70°Cまでの軸方向温度勾配は、単結晶中心部（Gc) で 3. 0 〜3. 2°C/mmであり、周辺部（Ge) では 2. 3〜2. 5°C/mm で、 0〇/06は約 1. 3となる。この状態は、引き上げ速度を変えてもほとんど変わらない。

次に、 Gr own— i n欠陥フリー結晶を育成するための操業条件の設定方法について説明する。

まず水素濃度と無欠陥結晶が得られる引き上げ速度の許容範囲を把握するために、水素濃度をたとえば 0、 0. 1、 3、 5、 8、 1 0体積⁰ /₀ の混合比率とし、それぞれの条件で目標直径、例えば 2 1 Ommの単結晶を育成する。

即ち、るつぼ内に高純度シリコンの多結晶を例えば 1 3 O kg装入し、単結晶の電気抵抗率を所望の値、例えば 1 OQcmになるように p型 (B, A 1 , Ga等）または n型（P， As, Sb等）のド一パントを添加する。装置内をアルゴン雰囲気で、減圧の 1 0〜2 0 0 t o r rとし、水素をアルゴンに対して 1 0体積％以下の上記の所定混合比率となるように設定して炉内に流入させる。

次いでヒー夕により加熱してシリコンを溶融させ、融液 3とする。次に、シードチャック 5に取り付けた種結晶を融液 3に浸漬し、るつぼ 1および引き上げ軸 4を回転させつつ結晶引き上げをおこなう。結晶方位は { 1 0 0 } 、 { 1 1 1 } または { 1 1 0 } のいずれかとし、結晶無転位化のためのシ一ド絞りをおこなった後、ショルダー部を形成させ、肩変えして目標ボディ径とする。

ボディ長さが例えば 30 Ommに達した時点で、引き上げ速度を臨界速度よりも充分大きな、例えば 1. Omm/m i nに調整し、その後引き上げ長さに応じてほぼ直線的に引き上げ速度を低下させ、ボディ長さが例えば 6 0 Ommに達したときに臨界速度よりも小さい例えば 0. 3 mm/m i nとなるようにし、その後はこの引き上げ速度で例えば 1 1 0 Ommまでボディ一部を育成し、通常条件でティル絞りを行った後、結晶成長を終了する。

このようにして、異なる水素濃度で育成された単結晶を引き上げ軸に沿って縦割りし、引き上げ軸近傍を含む板状試片を作製し、 Gr own — i n欠陥の分布を観察するために、 C uデコレーションを行う。まず、それぞれの試片を硫酸銅水溶液に浸漬した後き然乾燥し、窒素雰囲気中で 9 00 °Cで、 10分程度の熱処理を施す。その後、試片表層の Cu シリサイド層を除去するために、 HF/HN0₃ 混合溶液中に浸漬し、表層数十ミクロンをエッチング除去した後、 X線トポグラフ法により 0 SFリングの位置や各欠陥領域の分布を調査する。また、このスライス片の COPの密度を、例えば OPP法、転位クラスタの密度を例えば S e c c 0エッチング法にてそれぞれ調査する。

このよう Ge/Gc≥ 1を満たす単結晶引き上げ装置を用いて育成された結晶の欠陥分布は、図 3に示すようにリング状 0 S Fが U字の状態に発生し、水素濃度が大きくなると無欠陥となる部位が図 4の B' -C のように拡大し、無欠陥結晶となる引き上げ速度の範囲（マ一ジン）の拡大が起こる。

上記のような引き上げ実験によって、 COP領域、 OSFリング領域

、 V型および I型 Gr own- i n欠陥フリー領域、転位クラスタ領域等の各欠陥領域の V/Gと水素濃度との関係（図 8) が得られる。

また、引き上げ速度を変化させる位置を、 300 mmから 600 mm

、 50 Ommから 80 Ommおよび 70 Ommから 1000 mmのように異なる部位で数箇所実施することで、 Gr own— i n欠陥フリー化のための引き上げ速度範囲（マージン）と結晶軸方向位置との関係（図

9) が求められる。この図から、 Gr own— i n欠陥フリー結晶を得るための操業条件の設定が可能となる。

次に、各種ゥェーハの製造方法について説明する。

図 9中の実線で示す速度範囲内で引き上げ速度を対応する結晶位置で設定することによって、トップからボトムまで一本まるまる Gr own 一 i n欠陥フリーの結晶の育成が可能となる。

そして、水素をドープすることによって G r 0 wn- i n欠陥フリーとなる引き上げ速度の範囲（マージン）が図 9に示すように、従来の水素ドープなしの点線の範囲から実線に示すように顕著に拡大することによって、 Gr own— i n欠陥フリー結晶の製造歩留まりは飛躍的に増大する。

また、図 9の実線で示された上限値以上で上限値の 1. 7倍程度以内の速度に引き上げ速度を設定した場合、 Gr own— i n欠陥は完全にはフリーにならないが、サイズが 0. 1 以下の COPが含まれる糸吉晶の育成が可能となる。このような結晶を用いると、水素またはァルゴン等の雰囲気中でのァニールによって、すくなくとも 1 m以上の深さの表層近傍領域を Gr own- i n欠陥フリーとすることが可能となる。しかも、欠陥のサイズが 0. l m以下であるために、 1 1 1 0で/ 2 h r程度のァニールで表層から 1 wm程度の深さの領域で完全に CO Pを消滅させることが可能となる。このようなゥヱ一ハはこのまま通常の PW (ポリッシユウヱ一ハ、鏡面ゥヱ一ハ）としてデバイス製造に用いることができるし、 S 0 I用の基板としても有用である。

本発明においてチヨクラルスキー法によって水素をド一プしたシリコン単結晶を育成するに場合、融液に磁場が印加されているか否かは問われないものであり、いわゆる磁場を印加する MCZ法も含まれる。本発明では、 CZ法によってシリコン単結晶育成中に水素をドープして COPや転位クラスタ等の Gr own— i n欠陥を完全に消滅させるか、または COPサイズを 0. 1 / m以下に小さくする技術により作製されたシリコン単結晶ゥヱーハ、またはさらに水素またはアルゴン雰囲気中でァニールされたゥヱ一八を、 S I MOX法、または貼り合わせ法による SO I基板に用いることができる。このため、活性層中に結晶欠陥がないか、 COPサイズが 0. 1 以下と小さいため、熱処理により消滅しやすく、また貫通するピンホールとなりにくくなる。さらに、スマートカツト法ゃ S I MOX法でのイオン注入時に注入イオンが散乱したり埋め込み酸化膜の欠陥となりにくい S 0 I基板を提供できる。また、水素ドープによって G r o n- i n欠陥フリ一の引上げ速度マ一ジンが広がるため、 Gr own- i n欠陥フリ一結晶の製造歩留まりが大幅に増大することから、 SO I基板のコストを大幅に下げることが出来る。

本発明の SO I基板製造方法においては、まず、 CZ法によって水素をドープしたシリコン単結晶棒を、図 9に示した製造条件で育成し、この単結晶棒をスラィスして加工することによって、水素がドープされたシリコン単結晶ゥヱ一ハを作製する。

即ち、 CZ法により所望濃度の水素と酸素を含有する、シリコン単結晶棒が得られると、これを通常の加工方法にしたがい、 I Dソ一またはワイヤソ一等の切断装置でスライスした後、面取り、ラッピング、エツチング、研磨等の工程を経てシリコン単結晶ゥヱ一八に加工する。尚、これらの工程の他にも洗浄等種々の工程があり、工程順の変更、省略等目的に応じ適宜工程は変更使用される。

次に、得られたシリコン単結晶ゥエーハを少なくとも活性層側（デバイス作製側）ゥヱ一ハとして用い、 S I MOX法または貼り合わせ法よる SO I基板を作製する。

S I MOX法による SO I基板の製造条件については、上記の水素ド —ブされたシリコン単結晶ウェハ又はそれを水素またはアルゴン雰囲気中でァニールされたゥヱ一ハを用いる以外には特に限定する必要はない。 S I M0X基板の製造においては、酸素注入条件として加速電圧 1 8 0 ke V〜200 k eVが通常用いられるが、この範囲よりも高電圧でも低電圧でも良い。酸素イオンのドーズ量としては 4 X 1 0¹⁷ c m— ²前後、もしくは 1. OX 10¹⁸ cm ²以上のドーズ量を用いるのが望ましいが、この範囲以外のドーズ量でもよい。ァニール条件としても、良質な埋め込み酸化膜を得るためには 1 300で以上の温度を用いるのが望ましいが、これよりも低い温度でも良い。またァニールにおける雰囲気は酸化性でも非酸化性でも良い。

このようにして作製された S I MOX法による SO I埋め込み酸化層のピンホール密度は、ボイド欠陥のない水素ドープゥヱ一ハを用いているために、水素をド一ブしていない通常のシリコンゥヱ一ハを用いた場合に比較して明らかに少なくなる。貼り合わせにより S O I基板を作製する場合は、原料ゥエーハである活性層側ゥヱーハ及びべ一スウェーハを用意する。ここで、少なくとも活性層側ゥヱ一ハは、上記 C Z法により育成された水素をドープしたシリコン単結晶ゥヱ一ハとする。もちろん二枚のゥヱ一ハの両方とも水素をドープしたものとしても良い。

そして、用意されたシリコン単結晶基板のうち、活性層側ゥヱ一ハに熱処理を施し、表面に酸化膜を形成する。この熱処理は、例えば 1 0 0 o c以上の高温で行なわれる。この場合、酸化膜の形成は、ベースゥェ一八に行なっても良く、また両方のゥヱ一八に酸化膜を形成させてもよい。

次に、この酸化膜を形成した活性層側ゥーハとべ一スゥヱ一ハを密着させる。これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えて、活性層側ゥェ一ハとべ一スゥヱーハを強固に結合させ、貼り合わせ基板とする。この時、貼り合わせ S O I基板の外表面にも酸化膜が形成される。

この二枚のゥヱ一ハを結合させるための熱処理条件としては、例えば、酸素または水蒸気を含む雰囲気下、 4 0 0 °C〜 1 2 0 0 °Cの温度で行えば良いが、より好ましくは 9 0 0 °C以上の温度で行なうようにする。このような高い温度範囲で熱処理をすることによって、二枚のゥヱ一ハを強固に結合することができる。

このようにして、 G r o w n— i n欠陥がない或いは C O Pサイズが小さい水素ドープ基板を S 0 I基板の少なくとも活性層側に用いることにより、 G r o w n— i n欠陥のデバイス電気特性劣化への影響がなくなる。

最後に、活性層側ゥェ一ハの表面を研削 ·研磨等の手段によって、所望する厚さまで薄膜化することで、高品質の活性層を有する貼り合わせ S O I基板を作製することができる。特に、活性層を 1 /z m以下まで薄膜化する場合に、 G r o w n - i n欠陥が貫通しピンホールを形成し易いので、本発明の方法は有効である。

活性層側ゥヱ一ハの薄膜化にあたっては、研削、研磨、あるいはエツチングなどの手法が挙げられるが、何らこれら手法に限定されるものではない。特に、近年 S O I層を薄膜化する技術として注目されている気相エッチングあるいはゥヱ一ハにイオン注入して結合し、その後に分離するスマートカツト法による場合にも本発明は有効である。

上記実施形態では二枚のシリコンゥヱ一ハを貼り合わせて、 S O I基板を作製する場合を説明したが、本発明の水素ドープされた C Zシリコンゥェ一ハと石英、炭化珪素、窒化珪素、アルミナ、サフアイャ、その他のセラミックス材のような絶縁基板と貼り合わせて、貼り合わせ S〇 I基板を作製する場合にも有効である。産業上の利用可能性

以上に説明したとおり、本発明のシリコンゥヱ一ハは、 a s g r 0 w n状態で結晶径方向の全域に転位クラスタ及び C 0 Pを含まない完全欠陥フリー、若しくは C O Pサイズが 0 . 1 m以下に制限された準欠陥フリーの高品質ゥヱ一ハであり、しかも、結晶育成段階で水素ドープを受けることにより高い引上げ速度が確保されているので、生産性が高く、低コストである。また、水素をド一プしたシリコン単結晶ゥヱ一ハを用いて S O I基板を作製することによって、 S O I層中の結晶欠陥サィズが小さく、ピンホールの少ない S O I基板を低コスト、高生産性で得ることができる。

また、本発明のシリコンゥェ一ハ製造方法は、高い引上げ速度で育成された完全欠陥フリー結晶、若しくは準欠陥フリー結晶を素材とし、しかも、その結晶育成段階で水素ドープを行うことにより高い引上げ速度を確保しているので、高品質なシリコンゥヱ一ハを低コストで製造できる。

また、本発明のシリコン単結晶育成方法は、完全欠陥フリー結晶若しくは準欠陥フリ一結晶を育成する際に、水素ドープにより臨界速度の引上げを図るので、高品質なシリコン単結晶を生産性よく低コストで製造できる。

特に、本発明は S O I層中の結晶欠陥、ピンホールが特に問題となる、 S O I層の厚さが 1ミクロン以下の薄膜 S O I基板の製造に有効である。

Claims

請求の範囲

1. 水素を含む不活性雰囲気中で C Z法により育成されたシリコン単結晶のゥュ一ハであり、且つ、ゥユーハ厚さ方向全域で結晶径方向の全域に COPを含まない完全 G r own— i n欠陥フリーゥヱ一ハ、若しくはサイズが 0. 1 以下の COPまたはボイドが結晶径方向の少なくとも一部に存在する準 Gr own— i n欠陥フリーゥヱーハであるシリコンゥェ一ノヽ。

2. 結晶径方向全域に転位クラスタを含まない請求の範囲第 1項に記載のシリコンゥヱ一ハ。

3, 前記 Gr own- i n欠陥フリーウェーハは、表面から 1 m以上の深さの部分に前記 COPまたはボイドを含まない請求の範囲第 1項に記載のシリコンゥヱーハ。

4. リング 0 S F発生領域が結晶径方向の一部に存在するか又は結晶中心部で消滅した請求の範囲第 1項に記載のシリコンゥヱ一八。

5. 請求の範囲第 1項に記載のシリコンゥヱ一八をベースゥヱ一ハとした S I MOX型、又は活性層側ゥヱーハとした貼り合わせ型の SO I基板。

6. 結晶中心部での温度勾配 G cが結晶外周部での温度勾配 G eと同一かこれより大きくなるホットゾーン構造を用いて、 CZ法によりシリコン単結晶を育成する際に、水素を含む不活性ガスを引上げ炉内に供給し、且つ、リング OS F発生領域が結晶中心部で消滅する臨界速度の近傍で結晶引上げを行うシリコン単結晶育成方法。

7. 結晶径方向の全域に COP及び転位クラスタ一を含まない完全 Gr own- i n欠陥フリー結晶の場合、 C 0 Pが発生する空孔優勢領域が結晶径方向全域において消滅する引き上げ速度を上限とし、転位クラス夕一が発生する格子間シリコン優勢領域が結晶径方向の一部に発生する弓 Iき上げ速度を下限とする請求の範囲第 6項に記載のシリコン単結晶育成方法。

8. サイズが 0. 1 um以下の C 0 Pまたはボイドが結晶径方向の少なくとも一部に存在する準 Gr own— i n欠陥フリー結晶の場合、 0.

1 m以上の COPが消滅する引き上げ速度を上限とする請求の範囲第 6項に記載のシリコン単結晶育成方法。

9. 請求の範囲第 6項に記載のシリコン単結晶育成方法により育成されたシリコン単結晶よりゥヱーハを採取するシリコンゥヱーハ製造方法。

10. 採取されたゥーハがゥニーハ厚さ方向全域で結晶径方向の少なくとも一部にサイズが 0. 1 111以下の(：0?を含む準6 own— i n欠陥フリ一ゥヱ一八の場合に、表面から 1 以上の深さの部分で C 0 Pを除去する C 0 Pフリー化ァニールを実施する請求の範囲第 9項に記載のシリコンゥヱ一ハ製造方法。

1 1. 請求の範囲第 9項に記載のシリコンゥュ一ハ製造方法により製造されたシリコンゥヱ一ハをべ一スゥヱ一八に使用した S I MOX型の S 0 I基板、又は前記シリコンゥヱ一ハを活性層側のゥヱーハとした貼り合わせ型の S 0 I基板を製造する S 0 I基板製造方法。

1 2. 請求の範囲第 1 0項に記載のシリコンゥ —ハ製造方法により製造されたシリコンゥヱ一ハをベースウェーハに使用した S I MOX型の SO I基板、又は前記シリコンゥヱ一ハを活性層側のゥヱ一ハとした貼り合わせ型の SO I基板を製造する SO I基板製造方法。