JP2006312576A - シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006312576A JP2006312576A JP2005204102A JP2005204102A JP2006312576A JP 2006312576 A JP2006312576 A JP 2006312576A JP 2005204102 A JP2005204102 A JP 2005204102A JP 2005204102 A JP2005204102 A JP 2005204102A JP 2006312576 A JP2006312576 A JP 2006312576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- defect
- grown
- atoms
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】CZ法によりGrown−in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、窒素を1×1012atoms/cm3以上、5×1014atoms/cm3以下、または/および炭素を5×1015atoms/cm3以上、2×1017atoms/cm3以下をドープし、育成装置内の不活性雰囲気中の水素分圧を窒素ドープの場合は40Pa以上400Pa以下、炭素ドープの場合は40Pa以上160Pa以下として、引き上げ速度を選定して育成する。さらに融液中の酸素濃度も制御する。また、このようにして得られた単結晶によるウェーハである。
【選択図】図7
Description
そこで、ホットゾーン構造を改良した育成装置にて、雰囲気中の水素分圧および引き上げ速度を種々変え、欠陥の発生状況を調査した。雰囲気中の水素分圧は、装置内の雰囲気ガス圧をP0とすると、導入する雰囲気ガス中に含有される水素の体積比率がX(%)であれば、
PH=P0X/100 (2)
である。したがって、装置内の雰囲気ガス圧が異なる場合、水素分圧を一定、すなわち融液中の水素濃度を一定にするには、(2)式にしたがって混入する水素の体積比率を変えなければならない。
水素原子含有物質の気体として水素ガスを添加する場合には、市販の水素ガスボンベ、水素ガス貯蔵タンク、水素吸蔵合金を充填したタンク等から、専用の配管を通じて装置内の不活性雰囲気に供給することができる。
図6に模式的に示した断面構造の装置を用いて、育成実験をおこなった。この図において、熱遮蔽体7は、黒鉛で外殻を作り、内部に黒鉛フェルトを充填した構造であるが、るつぼに入る部分の外径が480mm、最下端における最小内径Sは270mm、半径方向の幅Wは105mmで、内面は下端部から始まる逆円錐台面とし、その垂直方向に対する傾きは21°であった。るつぼ1の内径は550mmのものを用い、熱遮蔽体7の下端の融液面からの高さHは、60mmとした。
〔実施例2〕
実施例1と同じ育成装置を用い、装置内雰囲気の圧力を4000Paとし、引き上げ速度を0.6mm/min→0.3mm/min→0.6mm/minと変化させ、その場合に、装置内雰囲気の水素分圧および結晶にドープする炭素量を変えて、単結晶を育成した。
〔実施例3〕
実施例1と同じ育成装置にて、装置内雰囲気ガス圧を4000Pa、水素分圧を160Paとし、ウェーハの中央部がOSF発生領域となる0.397mm/minの引き上げ速度にて、酸素濃度が1.0×1018(atoms/cm3)または1.3×1018(atoms/cm3)の2水準で、各酸素濃度の水準に対しそれぞれ炭素をドープした場合としなかった場合の、合計4種類の単結晶を育成した。
1b:るつぼ支持軸、 2:ヒーター
3:シリコン溶融液、 4:引き上げ軸
5:シードチャック、 6:単結晶
7:熱遮蔽体
Claims (9)
- チョクラルスキー法によりGrown−in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、育成装置内の雰囲気ガス中に水素原子含有物質の気体を添加し、さらに結晶内に窒素または/および炭素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法によりGrown−in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、単結晶中の窒素が1×1012atoms/cm3以上、5×1014atoms/cm3以下となるようにし、かつ育成装置内の雰囲気ガス中の水素分圧を40Pa以上、400Pa以下として、単結晶直胴部をGrown−in欠陥の発生しない速度範囲内で引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法によりGrown−in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、単結晶中の窒素が1×1012atoms/cm3以上、5×1014atoms/cm3以下となるようにし、かつ育成装置内の雰囲気ガス中の水素分圧を40Pa以上、400Pa以下として、単結晶直胴部を空孔優勢無欠陥領域となる速度範囲内で引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法によりGrown−in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、単結晶中の炭素が5×1015atoms/cm3以上、2×1017atoms/cm3以下(ASTM F123−1981)となるようにし、かつ育成装置内の雰囲気ガス中の水素分圧を40Pa以上、160Pa以下として、単結晶直胴部をGrown−in欠陥の発生しない速度範囲内で引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法によりGrown−in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、単結晶中の炭素が5×1015atoms/cm3以上、2×1017atoms/cm3以下(ASTM F123−1981)となるようにし、育成装置内の雰囲気ガス中の水素分圧を40Pa以上、160Pa以下として、単結晶直胴部をOSF領域と空孔優勢無欠陥領域とを加えた速度範囲内で引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法によりGrown−in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、単結晶中の窒素が1×1012atoms/cm3以上、5×1014atoms/cm3以下で、さらに炭素が5×1015atoms/cm3以上、2×1017atoms/cm3以下(ASTM F123−1981)となるようにし、かつ育成装置内の雰囲気ガス中の水素分圧を40Pa以上、400Pa以下として、単結晶直胴部をGrown−in欠陥の発生しない速度範囲内で引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の方法で育成されたシリコン単結晶から切り出されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
- 酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3以上(ASTM F121−1979)であることを特徴とする請求項7に記載のシリコンウェーハ。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の方法で育成されたシリコン単結晶から切り出され、急速昇降温熱処理(RTA処理)が施されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005204102A JP4797477B2 (ja) | 2005-04-08 | 2005-07-13 | シリコン単結晶の製造方法 |
EP05783532A EP1887110B1 (en) | 2005-04-08 | 2005-09-14 | Silicon single crystal manufacturing method and silicon wafer |
CN2005800494161A CN101160420B (zh) | 2005-04-08 | 2005-09-14 | 硅单晶的制造方法和硅晶片 |
EP09008456.7A EP2110466B1 (en) | 2005-04-08 | 2005-09-14 | Silicon single crystal manufacturing method |
PCT/JP2005/016962 WO2006112054A1 (ja) | 2005-04-08 | 2005-09-14 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ |
KR1020077023332A KR100913635B1 (ko) | 2005-04-08 | 2005-09-14 | 실리콘 단결정의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 |
TW094134052A TW200636099A (en) | 2005-04-08 | 2005-09-29 | Method for manufacturing silicon single crystal, and silicon wafer |
US11/393,809 US7435294B2 (en) | 2005-04-08 | 2006-03-31 | Method for manufacturing silicon single crystal, and silicon wafer |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005112836 | 2005-04-08 | ||
JP2005112836 | 2005-04-08 | ||
JP2005204102A JP4797477B2 (ja) | 2005-04-08 | 2005-07-13 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006312576A true JP2006312576A (ja) | 2006-11-16 |
JP4797477B2 JP4797477B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=37114802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005204102A Active JP4797477B2 (ja) | 2005-04-08 | 2005-07-13 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP2110466B1 (ja) |
JP (1) | JP4797477B2 (ja) |
KR (1) | KR100913635B1 (ja) |
CN (1) | CN101160420B (ja) |
TW (1) | TW200636099A (ja) |
WO (1) | WO2006112054A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010064953A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Siltronic Ag | 単結晶シリコンからなる半導体ウェハ及びその製造方法 |
EP2206809A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-14 | Siltronic AG | Silicon wafer and method for producing the same |
JP2011020882A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Sumco Corp | シリコン単結晶の育成方法 |
JP2011098883A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-05-19 | Siltronic Ag | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
EP2345752A1 (en) | 2009-12-29 | 2011-07-20 | Siltronic AG | Silicon wafer and method for producing the same |
WO2012089441A1 (en) | 2010-12-29 | 2012-07-05 | Siltronic Ag | Method of manufacturing annealed wafer |
JP2014034513A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Siltronic Ag | 単結晶シリコンからなる半導体ウエハおよびその製造方法 |
JP2014229872A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
JP2016124756A (ja) * | 2015-01-05 | 2016-07-11 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010034002B4 (de) * | 2010-08-11 | 2013-02-21 | Siltronic Ag | Siliciumscheibe und Verfahren zu deren Herstellung |
CN101942701A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-01-12 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种太阳能级硅晶体的热处理方法 |
DE102011002598B4 (de) | 2011-01-12 | 2016-10-06 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Ingots |
JP6260100B2 (ja) * | 2013-04-03 | 2018-01-17 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
DE102015224983B4 (de) | 2015-12-11 | 2019-01-24 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zu deren Herstellung |
CN107151818A (zh) | 2016-03-03 | 2017-09-12 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 |
EP3428325B1 (en) | 2017-07-10 | 2019-09-11 | Siltronic AG | Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof |
US11111597B2 (en) | 2019-09-13 | 2021-09-07 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous Czochralski method |
US11111596B2 (en) | 2019-09-13 | 2021-09-07 | Globalwafers Co., Ltd. | Single crystal silicon ingot having axial uniformity |
EP4245895A3 (en) * | 2019-09-13 | 2023-11-15 | GlobalWafers Co., Ltd. | Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method |
CN111041561A (zh) * | 2019-12-29 | 2020-04-21 | 西安电子科技大学 | 一种硅基宽禁带材料及其制作方法 |
CN111020705A (zh) * | 2019-12-29 | 2020-04-17 | 西安电子科技大学 | 一种p型硅基宽禁带材料及其制作方法 |
JP2021127278A (ja) * | 2020-02-14 | 2021-09-02 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
EP3929334A1 (de) | 2020-06-23 | 2021-12-29 | Siltronic AG | Verfahren zur herstellung von halbleiterscheiben |
CN113897671B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-05-05 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001274165A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Wacker Nsce Corp | シリコン半導体基板 |
JP2002187794A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコンウェーハおよびこれに用いるシリコン単結晶の製造方法 |
WO2004083496A1 (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-30 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法 |
JP2005060153A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61178495A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-11 | Fujitsu Ltd | 単結晶の成長方法 |
JP4013276B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2007-11-28 | 株式会社Sumco | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JPH11302099A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
US20020142170A1 (en) * | 1999-07-28 | 2002-10-03 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer |
US6517632B2 (en) * | 2000-01-17 | 2003-02-11 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Method of fabricating a single crystal ingot and method of fabricating a silicon wafer |
JP2001199794A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-07-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶インゴット、その製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP2001226195A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶インゴットの製造方法 |
DE10014650A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-10-04 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe |
JP3846627B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2006-11-15 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハ、シリコンエピタキシャルウエーハ、アニールウエーハならびにこれらの製造方法 |
-
2005
- 2005-07-13 JP JP2005204102A patent/JP4797477B2/ja active Active
- 2005-09-14 CN CN2005800494161A patent/CN101160420B/zh active Active
- 2005-09-14 EP EP09008456.7A patent/EP2110466B1/en active Active
- 2005-09-14 KR KR1020077023332A patent/KR100913635B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-14 WO PCT/JP2005/016962 patent/WO2006112054A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2005-09-14 EP EP05783532A patent/EP1887110B1/en active Active
- 2005-09-29 TW TW094134052A patent/TW200636099A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001274165A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Wacker Nsce Corp | シリコン半導体基板 |
JP2002187794A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコンウェーハおよびこれに用いるシリコン単結晶の製造方法 |
WO2004083496A1 (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-30 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法 |
JP2005060153A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010064953A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Siltronic Ag | 単結晶シリコンからなる半導体ウェハ及びその製造方法 |
EP2206809A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-14 | Siltronic AG | Silicon wafer and method for producing the same |
US8524001B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-09-03 | Siltronic Ag | Silicon wafer and method for producing the same |
JP2011020882A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Sumco Corp | シリコン単結晶の育成方法 |
JP2011098883A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-05-19 | Siltronic Ag | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
EP2345752A1 (en) | 2009-12-29 | 2011-07-20 | Siltronic AG | Silicon wafer and method for producing the same |
WO2012089441A1 (en) | 2010-12-29 | 2012-07-05 | Siltronic Ag | Method of manufacturing annealed wafer |
US8835284B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-09-16 | Siltronic Ag | Method of manufacturing annealed wafer |
JP2014034513A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Siltronic Ag | 単結晶シリコンからなる半導体ウエハおよびその製造方法 |
JP2014229872A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
JP2016124756A (ja) * | 2015-01-05 | 2016-07-11 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100913635B1 (ko) | 2009-08-24 |
KR20070112261A (ko) | 2007-11-22 |
WO2006112054A1 (ja) | 2006-10-26 |
EP2110466B1 (en) | 2013-05-29 |
EP1887110A4 (en) | 2009-02-18 |
EP1887110A1 (en) | 2008-02-13 |
EP2110466A3 (en) | 2011-10-05 |
CN101160420A (zh) | 2008-04-09 |
TW200636099A (en) | 2006-10-16 |
CN101160420B (zh) | 2013-05-29 |
JP4797477B2 (ja) | 2011-10-19 |
EP1887110B1 (en) | 2012-07-18 |
TWI315752B (ja) | 2009-10-11 |
EP2110466A2 (en) | 2009-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4797477B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP4742711B2 (ja) | シリコン単結晶育成方法 | |
TWI302952B (en) | Silicon wafer, method for manufacturing the same, and method for growing silicon single crystal | |
TWI310794B (en) | Silicon wafer and manufacturing method for same | |
US7320731B2 (en) | Process for growing silicon single crystal and process for producing silicon wafer | |
JP2007045662A (ja) | 半導体シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP4806975B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP4821179B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
US20090261301A1 (en) | Method for growing silicon single crystal, and silicon wafer | |
JP4806974B2 (ja) | シリコン単結晶育成方法 | |
JP2010126401A (ja) | シリコン単結晶およびその育成方法、シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP6052189B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 | |
JP2006188423A (ja) | シリコンエピタキシャルウエーハ、アニールウエーハならびにこれらの製造方法 | |
JP2007045682A (ja) | シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ | |
JP5262021B2 (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法 | |
JP4577320B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP4715782B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110705 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110718 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4797477 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |