JP2006188423A - シリコンエピタキシャルウエーハ、アニールウエーハならびにこれらの製造方法 - Google Patents
シリコンエピタキシャルウエーハ、アニールウエーハならびにこれらの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】チョクラルスキー(CZ)法によるシリコン単結晶育成時に炭素および窒素をドープして引上げられたCZシリコン単結晶から作製されたシリコンウエーハ表面に、エピタキシャル層を形成したシリコンエピタキシャルウエーハであって、前記シリコンウエーハ中の炭素濃度、窒素濃度、酸素濃度がそれぞれ0.1〜1ppma、1×1013〜1×1014個/cm3 、15〜25ppmaとなるよう前記CZシリコン単結晶を引上げて製造される。
【選択図】なし
Description
先ず、シリコン単結晶に取り込まれるベイカンシイ(Vacancy、以下Vと略記することがある)と呼ばれる空孔型の点欠陥と、インタースティシアル−シリコン(Interstitial−Si、以下Iと略記することがある)と呼ばれる格子間型シリコン点欠陥のそれぞれの取り込まれる濃度を決定する因子について、一般的に知られていることを説明する。
このように炭素とともに窒素をドープすれは、N−領域となる引上げ速度が上昇するとともに、N−領域を拡大させることができるので、結晶全面がN−領域のシリコン単結晶の生産性と歩留りを同時に向上させることができる。
このようにすれば、より一層安定的に高速で結晶全面N−領域のシリコン単結晶を確実に製造することができる。
このように炭素、炭素および窒素をドープした単結晶をウエーハに加工し、600〜1000℃で熱処理を施せば、ウエーハに炭素がドープされているので、バルク部では低温における酸素析出核の形成が促進され、表面は全面N−領域であるウエーハであって、ウエーハ面内で高レベルでIG能力を有するウエーハを製造することができる。
このように、炭素を0.1ppma以上含有することによって、低温で安定な酸素析出核が増加し、全面がN−領域であるとともに、十分なIG能力を有するシリコンウエーハとなる。
このように、窒素も炭素も含有することによって、適度の酸素濃度であれば、高温熱処理でも低温熱処理でも十分に高密度のBMDを有し、IG能力の極めて高いシリコンウエーハとなる。
本発明者等は、バルク部の酸素析出を促進させるために窒素をドープするだけでなく、炭素をドープすることを発想し、これについて調査、検討した。
先ず、N−領域ウエーハへの炭素ドープの影響を調査した。
直径8インチのCZシリコン単結晶を育成する際に、炭素が0.1ppma程度結晶に入るようにドープし、CZシリコン単結晶引上げ装置を全面N−領域ウエーハの育成可能なHZ(Hot Zone:炉内構造)にして、引上速度を0.8〜0.5mm/minに徐々に変化させて引上げを行った(窒素ドープなし)。
次に、エピタキシャル成長用のシリコンウエーハについて、炭素と窒素をドープした場合のBMD密度に対する影響を調査し、実験した。
窒素濃度は1×1014個/cm3 を越えるとOSF領域の拡大が大きく、またLEPも発生し易いため、まずは窒素濃度5×1013個/cm3 となるようにドープし、炭素を0.1ppmaとなるようにドープして、結晶を引上げた。そして、その結晶からウエーハを作製し、800℃/4Hr+1000℃/16Hrの熱処理を施して酸素析出物を顕在化した後にBMD密度をOPP法により評価した。
そして、エピ前又は後に加えられる熱処理としては、このような低温熱処理に限らず、いわゆるIG熱処理(例えば、初段に1100℃以上の高温熱処理を含むもの)やRTA装置(Rapid Thermal Annealer;急速加熱・急速冷却装置)による高温短時間の熱処理を適用することもできる。これらの熱処理プロセスを行えば、ウエーハ表面に発生している2次欠陥の低減も可能なので、炭素、窒素および酸素の濃度を広い範囲で選択することが出来るようになるという効果が得られる。
最後に、炭素と窒素をドープした結晶のアニールウエーハへの影響を調査、実験した。
アニールウエーハの場合も、基本的には上記のエピタキシャル成長用のシリコンウエーハについての調査と同様に、低炭素+低窒素+高酸素、および高炭素+高窒素+低酸素の組み合わせが高BMD密度および2次欠陥の抑制には大変有効であった。また、ウエーハ表面に2次欠陥が発生してもアニールによりその2次欠陥を消滅させることも可能であるため、直接エピタキシャル成長を行う場合とは異なり、低炭素+高窒素+高酸素、および高炭素+高窒素+高酸素の組み合わせでも十分に高密度のBMDを有し、ウエーハ表面に欠陥が少ないアニールウエーハが得られることがわかった。さらに、このようなアニールウエーハであれば、エピタキシャル層を形成してもエピ層に欠陥を発生させることもないし、十分なBMD密度も得られることがわかった。
表1は、エピタキシャルウエーハとアニールウエーハに用いられる窒素および炭素がドープされたウエーハについての上記実験結果をまとめたものである。
Claims (8)
- CZシリコン単結晶育成時に炭素および窒素をドープして引上げられたCZシリコン単結晶から作製されたシリコンウエーハ表面にエピタキシャル層を形成するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法において、前記CZシリコン単結晶の炭素濃度、窒素濃度、酸素濃度がそれぞれ0.1〜1ppma、1×1013〜1×1014個/cm3 、15〜25ppmaとなるように前記CZシリコン単結晶を引上げることを特徴とするシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。
- 請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記CZシリコン単結晶を2次欠陥が発生しないように引上げることを特徴とするシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。
- CZシリコン単結晶育成時に炭素および窒素をドープして引上げられたCZシリコン単結晶から作製されたシリコンウエーハ表面に、エピタキシャル層を形成したシリコンエピタキシャルウエーハであって、前記シリコンウエーハ中の炭素濃度、窒素濃度、酸素濃度がそれぞれ0.1〜1ppma、1×1013〜1×1014個/cm3 、15〜25ppmaであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウエーハ。
- 請求項3に記載のシリコンエピタキシャルウエーハであって、前記窒素ドープして引上げられたCZシリコン単結晶から作製されたシリコンウエーハ中に2次欠陥がないことを特徴とするシリコンエピタキシャルウエーハ。
- CZシリコン単結晶育成時に炭素および窒素をドープして引上げられたCZシリコン単結晶から作製されたCZシリコンウエーハに熱処理を行うことにより、該CZシリコンウエーハの表層部に無欠陥層を形成し、バルク部に1 ×109 個/cm3 以上の酸素析出物を有するアニールウエーハの製造方法において、前記CZシリコン単結晶の炭素濃度、窒素濃度、酸素濃度がそれぞれ、0.1〜1ppma、1×1013〜1×1014個/cm3 、15〜25ppmaとなるように前記CZシリコン単結晶を引上げることを特徴とするアニールウエーハの製造方法。
- 請求項5に記載のアニールウエーハの製造方法であって、前記CZシリコン単結晶を2次欠陥が発生しないように引上げることを特徴とするアニールウエーハの製造方法。
- 炭素濃度、窒素濃度、酸素濃度がそれぞれ、0.1〜1ppma、1×1013〜1×1014個/cm3 、15〜25ppmaであるCZシリコンウエーハに熱処理を施し表層部に無欠陥層を形成したアニールウエーハであって、バルク部のBMD密度が1×109 個/cm3 以上であることを特徴とするアニールウエーハ。
- 請求項7に記載のアニールウエーハであって、ウエーハ中に2次欠陥がないことを特徴とするアニールウエーハ。
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