JP4577320B2 - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4577320B2 JP4577320B2 JP2007061914A JP2007061914A JP4577320B2 JP 4577320 B2 JP4577320 B2 JP 4577320B2 JP 2007061914 A JP2007061914 A JP 2007061914A JP 2007061914 A JP2007061914 A JP 2007061914A JP 4577320 B2 JP4577320 B2 JP 4577320B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- single crystal
- grown
- nitrogen
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(1)CZ法によって育成されるシリコン単結晶中に窒素を1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープし、育成された単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域からなる単結晶を育成し、さらに、当該シリコン単結晶から切り出して作製されたウェーハに酸素外方拡散熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。
(2)上記(1)の製造方法において、育成された単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域および酸素析出領域からなり、またはそれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなる単結晶を育成し、さらに、当該シリコン単結晶から切り出して作製されたウェーハに酸素外方拡散熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。
上記(a)式で、kは窒素の平行偏析係数であり、7×10-4を使用できる。xは固化率であり、結晶引上げ重量を初期チャージ量で割ったものとして表される。
1b:外層保持容器、 1c:支持軸
2:ヒーター、 3:溶融液
4:引上げ軸、 5:種結晶
6:単結晶
Claims (4)
- チョクラルスキー法によって育成されるシリコン単結晶中に窒素を1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープし、
育成された単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域からなる単結晶を育成し、
さらに、当該シリコン単結晶から切り出して作製されたウェーハに酸素外方拡散熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - チョクラルスキー法によって育成されるシリコン単結晶中に窒素を1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープし、
育成された単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域および酸素析出領域からなる単結晶を育成し、
さらに、当該シリコン単結晶から切り出して作製されたウェーハに酸素外方拡散熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - チョクラルスキー法によって育成されるシリコン単結晶中に窒素を1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープし、
育成された単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域、酸素析出領域および酸素析出抑制領域からなる単結晶を育成し、
さらに、当該シリコン単結晶から切り出して作製されたウェーハに酸素外方拡散熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記酸素外方拡散熱処理が1200℃以上の高温雰囲気で行われることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007061914A JP4577320B2 (ja) | 2007-03-12 | 2007-03-12 | シリコンウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007061914A JP4577320B2 (ja) | 2007-03-12 | 2007-03-12 | シリコンウェーハの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08388299A Division JP4750916B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | シリコン単結晶インゴットの育成方法およびそれを用いたシリコンウェーハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007223894A JP2007223894A (ja) | 2007-09-06 |
JP4577320B2 true JP4577320B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=38546039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007061914A Expired - Lifetime JP4577320B2 (ja) | 2007-03-12 | 2007-03-12 | シリコンウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4577320B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6565624B2 (ja) * | 2015-11-16 | 2019-08-28 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの品質評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0656588A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-03-01 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JPH11199386A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ |
JP2000044388A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 |
JP2000053497A (ja) * | 1998-06-04 | 2000-02-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 窒素ド―プした低欠陥シリコン単結晶ウエ―ハおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-12 JP JP2007061914A patent/JP4577320B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0656588A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-03-01 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JPH11199386A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ |
JP2000053497A (ja) * | 1998-06-04 | 2000-02-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 窒素ド―プした低欠陥シリコン単結晶ウエ―ハおよびその製造方法 |
JP2000044388A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007223894A (ja) | 2007-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100582240B1 (ko) | 실리콘 단결정 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
JP4805681B2 (ja) | エピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4224966B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法、エピタキシャルウエーハの製造方法、シリコン単結晶ウエーハの評価方法 | |
JP3783495B2 (ja) | 高品質シリコン単結晶の製造方法 | |
JP5121139B2 (ja) | アニールウエハの製造方法 | |
JP4699675B2 (ja) | アニールウェーハの製造方法 | |
JPWO2007013189A1 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP5163459B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの検査方法 | |
JP2007045662A (ja) | 半導体シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP3589119B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JPH0812493A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP4192530B2 (ja) | パーティクルモニター用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
JP3634133B2 (ja) | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ | |
JP4750916B2 (ja) | シリコン単結晶インゴットの育成方法およびそれを用いたシリコンウェーハ | |
JP4467096B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法および半導体形成用ウェハ | |
JP4577320B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP4715402B2 (ja) | 単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコンウェーハ及びウェーハ検査方法 | |
JP4080657B2 (ja) | シリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
JP4089137B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2001089294A (ja) | 点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の連続引上げ法 | |
JP4715782B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ | |
JP4577319B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP4182640B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP2017050490A (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハ | |
JP2002201091A (ja) | 窒素および炭素添加基板を用いたエピ層欠陥のないエピウエハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100727 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100809 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |