JP4715782B2 - シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ - Google Patents
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(1)酸素濃度が9×10 17 atoms/cm 3 以下であり、窒素が1×10 12 atoms/cm 3 〜5×10 15 atoms/cm 3 の濃度でドープされ、高温酸化処理を施した場合に、表面が酸化誘起積層欠陥領域からなることを特徴とするシリコンウェーハである。
(2)酸素濃度が9×10 17 atoms/cm 3 以下であり、窒素が1×10 12 atoms/cm 3 〜5×10 15 atoms/cm 3 の濃度でドープされ、高温酸化処理を施した場合に、表面が酸化誘起積層欠陥領域および酸素析出領域からなることを特徴とするシリコンウェーハである。
(3)酸素濃度が9×10 17 atoms/cm 3 以下であり、窒素が1×10 12 atoms/cm 3 〜5×10 15 atoms/cm 3 の濃度でドープされ、高温酸化処理を施した場合に、表面が酸化誘起積層欠陥領域、酸素析出領域および酸素析出抑制領域からなることを特徴とするシリコンウェーハである。
上記(a)式で、kは窒素の平行偏析係数であり、7×10-4を使用できる。xは固化率であり、結晶引上げ重量を初期チャージ量で割ったものとして表される。
1b:外層保持容器、 1c:支持軸
2:ヒーター、 3:溶融液
4:引上げ軸、 5:種結晶
6:単結晶
Claims (4)
- 酸素濃度が9×1017atoms/cm3以下であり、
窒素が1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープされ、
高温酸化処理を施した場合に、表面が酸化誘起積層欠陥領域からなることを特徴とするシリコンウェーハ。 - 酸素濃度が9×1017atoms/cm3以下であり、
窒素が1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープされ、
高温酸化処理を施した場合に、表面が酸化誘起積層欠陥領域および酸素析出領域からなることを特徴とするシリコンウェーハ。 - 酸素濃度が9×1017atoms/cm3以下であり、
窒素が1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープされ、
高温酸化処理を施した場合に、表面が酸化誘起積層欠陥領域、酸素析出領域および酸素析出抑制領域からなることを特徴とするシリコンウェーハ。 - 請求項1−3のいずれかに記載のシリコンウェーハをチョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶から製造する方法において、
単結晶中の酸素が9×1017atoms/cm3以下の濃度であり、
窒素が1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープされてシリコン単結晶を育成したのち、
得られたシリコン単結晶から切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
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JPH0656588A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-03-01 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JPH11199386A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ |
JP2000044388A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 |
JP2000053497A (ja) * | 1998-06-04 | 2000-02-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 窒素ド―プした低欠陥シリコン単結晶ウエ―ハおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-12 JP JP2007061912A patent/JP4715782B2/ja not_active Expired - Lifetime
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