JP2016124756A - シリコンウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016124756A JP2016124756A JP2015000046A JP2015000046A JP2016124756A JP 2016124756 A JP2016124756 A JP 2016124756A JP 2015000046 A JP2015000046 A JP 2015000046A JP 2015000046 A JP2015000046 A JP 2015000046A JP 2016124756 A JP2016124756 A JP 2016124756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- silicon
- single crystal
- silicon single
- crystal ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 95
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 95
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 89
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 39
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 155
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 20
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】チョクラルスキー法により、育成するシリコン単結晶インゴット中の酸素を除く不純物のドープ濃度が結晶成長温度における固溶限の1/10以下となるように、石英ルツボに充填したシリコン原料中に前記不純物を添加し、かつ、Grown−in欠陥が生成しないように、引き上げ速度vと引き上げ方向の温度勾配Gの比v/Gを制御してシリコン単結晶インゴットを引き上げ、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハをスライスし、前記ウェーハ表面から前記不純物を熱拡散により導入することによりシリコンウェーハを製造する。
【選択図】なし
Description
MEMSも、同様に、微細構造であり、高強度化のニーズが高まっている。
したがって、これらの用途において、基板として用いられるシリコンウェーハの高強度化が求められている。
また、その後の熱処理でウェーハ内部にBMDを形成するが、酸素をこれ以上高濃度とすると、BMDのサイズも容易に100nmを超えて巨大化する。これにより、BMD周囲に強力な歪場が形成され、BMDを起点としたパンチアウト転位が発生し、その伸展とともに、ウェーハ強度を逆に低下させてしまう。
このため、ウェーハ表面付近における特性が、ウェーハ表面のみならず、ウェーハ全体の強度に及ぼす影響が大きいものと考えられる。すなわち、ウェーハ全体の強度の向上のためには、ウェーハ表面の強度を向上させることが重要である。
すなわち、本発明は、高品質で、かつ、高強度化が図られたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
このような製造方法によれば、シリコン単結晶育成の際に有転位化させることなく、ウェーハ表面付近(表面から少なくとも深さ1μmまで;以下、同様。)の不純物を高濃度とすることができ、シリコンウェーハの品質を低下させることなく、高強度化を図ることができる。
このようなシリコン単結晶を育成した場合においても、上記製造方法と同様に、有転位化させることなく、ウェーハ表面付近の不純物を高濃度とすることができ、シリコンウェーハの品質を低下させることなく、高強度化を図ることができる。
窒素は、ウェーハの曲げ強度を向上させるための不純物として好適である。
このような急速昇降温熱処理によれば、ウェーハ表面付近の窒素濃度を効果的に高めることができる。
ウェーハ表面をこのように除去することにより、表面付近の窒素濃度が高く、高強度化が図られたウェーハが得られる。
このような拡散熱処理によれば、ウェーハ表面付近のホウ素濃度を効果的に高めることができる。
これにより、表面付近のホウ素濃度が高く、高強度化が図られたウェーハが得られる。
上記製造方法によれば、このような欠陥を有しない高品質のシリコンウェーハが得られる。
ここで、レーザ光高角度入射・高角度検出器による光散乱検出により測定されるLPDとは、前記クラスタや析出物を起源として、熱処理によってウェーハ表面に形成される凹状欠陥(ピット)であり、比較的広く用いられているウェーハ表面検査装置の検出条件の1つであるDNNチャネル(暗視野:Darkfield、高角度入射:Normal、高角度検出:Narrow)に因んで、DNN欠陥と呼ばれる(以下、このようなLPDをDNN欠陥という)。このDNN欠陥は、原子間力顕微鏡(AFM)等により、ウェーハ表面に、深さ0.5〜3nm、幅0.5〜2μmの幅広く浅い形状の凹状欠陥(ピット)として観察されることを特徴としている。
したがって、本発明によれば、電子デバイスやMEMS、化合物半導体用エピタキシャル基板等に好適に適用することができる高強度なシリコンウェーハを効率よく提供することができる。
本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、まず、チョクラルスキー法により、育成するシリコン単結晶インゴット中の酸素を除く不純物のドープ濃度が結晶成長温度における固溶限の1/10以下となるように、石英ルツボに充填したシリコン原料中に前記不純物を添加し、かつ、Grown−in欠陥が生成しないように、v/Gを制御してシリコン単結晶インゴットを引き上げる。そして、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハをスライスし、前記ウェーハ表面から前記不純物を熱拡散により導入するものである。
このように、本発明においては、シリコン単結晶育成時に、酸素以外の不純物ドープ濃度を固溶限より十分低くすることにより、転位の発生を防止し、そして、ウェーハの強度を向上させるための不純物は、ウェーハに加工した後、表面からの熱拡散により導入する。
このように、酸素を除く不純物を低濃度ドープすると、Grown−in欠陥生成に関わる前記不純物によるv/G最適値の変動を無視することができるため、チョクラルスキー法における標準的な引き上げ条件におけるv/G制御によって、有転位化せず、かつ、Grown−in欠陥を生成させずに、全長にわたって無欠陥のシリコン単結晶インゴットを容易に得ることができる。
また、前記ドープ濃度がシリコン結晶成長温度における固溶限より十分低いため、不純物種や所望のドープ濃度ごとに引き上げ条件を調整する必要がないという利点も有している。
前記ドープ濃度は、結晶成長温度における固溶限の1/10超であると、シリコン単結晶の成長が不安定となり、有転位化しやすくなるため好ましくない。
ウェーハ表面への不純物の導入方法には、熱拡散の他にイオン注入等の方法もあるが、イオン注入は、基本的に欠陥導入を伴い、かつ、イオン注入後に通常行われる結晶化回復熱処理によっても、該欠陥を完全に消滅させることは困難であるため好ましくない。
すなわち、この製造方法においては、空孔優勢のシリコン単結晶を引き上げ、スライスしたウェーハをアニール処理した後、ウェーハ表面から前記不純物を熱拡散させる。
ただし、ウェーハ表面付近は、十分な結晶性を有する無欠陥層が確保され、また、ウェーハ内部に形成される酸素析出物(BMD)のサイズを100nm以下と小さく保つことができる方法であることが好ましい。上述したように、巨大なBMD周辺では強力な歪場が形成され、このBMDを起点として発生したパンチアウト転位の伸展により、ウェーハ強度が低下するためである。
前記不純物の導入は、曲げ変形に伴う応力が大きいウェーハ表面の表側面又は裏側面のみでも、曲げ強度の向上が図られるが、ウェーハ表面の表側面、裏側面及び端面のいずれの面にも窒素を導入することにより、ウェーハの曲げ強度をより向上させることができる。
ウェーハ表面付近の窒素濃度を高くしたウェーハは、特に、窒化物半導体エピタキシャル膜との親和性が高く、窒化物半導体エピタキシャル基板に好適に適用することができる。
窒素ドープ濃度が2×1015atoms/cm3以下であれば、標準的な引き上げ条件におけるv/G制御によって所望のシリコン単結晶を育成することができ、また、有転位化率も大幅に改善することができる。
前記ドープ濃度が2×1014atoms/cm3以下であれば、さらに、DNN欠陥の発生を抑制することができる。
なお、シリコン結晶成長温度における窒素の固溶限は、諸説あり定まってはいないが、2×1016atoms/cm3程度であると解される。
窒素はシリコン中の固溶度が低いため、熱拡散時の温度が1100℃未満では、窒素濃度を十分に高めることができない。一方、1350℃以上になると、シリコンと窒素が結合して結晶化を起こすため好ましくない。
また、保持時間が5秒間未満では、窒素濃度を十分に高めることは困難である。
降温速度が10℃/s未満では、降温過程で導入した窒素の多くが外方拡散するため好ましくない。一方、150℃/s超では、熱応力が大きく、処理ウェーハにスリップが発生するおそれがある。
前記熱処理によって、ウェーハ全面に窒化膜が形成されるため、この熱窒化膜を除去するため、少なくとも深さ10nmまでウェーハ表面を除去する必要がある。このウェーハ表面の除去においては、前記熱処理の降温時にウェーハ表面から窒素が抜け、該表面付近の窒素濃度が低下している領域も除去する。
このウェーハ表面の除去は、研磨により行うことが好ましいが、ケミカルエッチング等の他の方法で行うこともできる。
前記急速昇降温熱処理後のウェーハにおいて、窒素濃度が最高となる深さ位置は、前記熱処理時の降温速度に大きく依存する。このため、適宜それに合わせた深さ位置までウェーハ表面を除去することが重要である。これにより、電子デバイスやMEMS等に用いた場合にウェーハ表面付近に負荷される局所的な応力や、化合物半導体エピタキシャル基板等に用いた場合の曲げ応力の印加に対して、導入した窒素を有効に機能させることが可能となる。
この場合、前記シリコン単結晶インゴット引き上げ時のドープ濃度は1×1018atoms/cm3以下とすることが好ましい。
ホウ素ドープ濃度が1×1018atoms/cm3以下であれば、標準的な引き上げ条件におけるv/G制御によって所望のシリコン単結晶を育成することができ、また、有転位化率も大幅に改善することができる。
なお、ホウ素源としては、窒化ホウ素(BN)等の固体ソースを使用することができ、それ以外にも、BBr3やBCl3、BF3、B2H6等のガスを、分圧調整して直接、不活性ガス等へ混合することにより、ホウ素系ガス雰囲気を生成させてもよい。
ホウ素濃度をこのようにすることにより、電子デバイスやMEMS等に用いた場合にウェーハ表面付近に負荷される局所的な応力や、化合物半導体エピタキシャル基板等に用いた場合の曲げ応力の印加に対して、導入したホウ素を有効に機能させることが可能となる。
なお、拡散熱処理の方法によっては、ウェーハ表面にホウ素含有膜が形成されることがあり、この場合は、熱処理後、この膜を除去する。
このようなウェーハを用いることにより、電子デバイスでの回路不良、MEMSの構造不良、化合物半導体用エピタキシャル基板において堆積するエピタキシャル膜の欠陥の発生を防止することができる。
前記DNN欠陥は、比較的広く用いられているウェーハ表面検査装置(例えば、KLA−Tencor社製Surfscan(登録商標)SP1、SP2又はSP3)の検出条件の1つであるDNNチャネル(暗視野:Darkfield、高角度入射:Normal、高角度検出:Narrow)に因んだ呼び方である。ただし、このDNN欠陥の検出は、装置形式に依存するものではなく、あくまでも、その形状に起因する光散乱性による。
ただし、DNN欠陥が存在する場合、一般的には、ウェーハ表面に、ウェーハ中心から一定距離の範囲内に、又は、リング状に多数個が分布するため、そのウェーハ面内分布からも判断することが可能である。確実な判断のためにAFM等によって直接観察する場合も、レーザ光高角度入射・高角度検出器による光散乱検出により測定されたLPDすべてを観察する必要はなく、一部を抜き取り観察すれば足りる。
このようにしてDNN欠陥の存在の有無を確認することにより、ウェーハ製造プロセスにおける不良発生の有無を判断することができる。
このように、本発明に係る製造方法によれば、ウェーハの高強度化が図られ、このウェーハを用いれば、電子デバイスでの回路不良、MEMSの強度不足、化合物半導体用エピタキシャル基板におけるエピタキシャル膜の堆積時の基板の破損を防止することができる。
チョクラルスキー法により、窒素をドープせずに、Grown−in欠陥が生成しないようにv/Gを制御して、直径300mmのシリコン単結晶インゴットを引き上げ、このインゴットからウェーハをスライスした。これらのウェーハの酸素濃度は1.2×1018atoms/cm3(old ASTM)であった。
これらのウェーハに、窒素雰囲気下、それぞれ、1100℃、1150℃、1250℃、1300℃で15秒間保持し、降温速度は120℃/sで降温する急速昇降温熱処理による熱拡散により窒素を導入した。
そして、各ウェーハ表面の全面に形成された熱窒化膜を除去するために、深さ1μmまで研磨除去した。
各ウェーハについて、表面から最大深さ約80μmまでの窒素濃度を二次イオン質量分析(SIMS)により測定した。この測定結果を図1にグラフとして示す。
この測定結果に基づいて、各ウェーハの表側面及び裏側面を、さらに、窒素濃度が最高となる深さ位置まで研磨除去した。
なお、表1における研磨除去深さは、熱窒化膜を除去するための深さ1μmの研磨除去も含む。
チョクラルスキー法により、ホウ素をドープせずに、Grown−in欠陥が生成しないようにv/Gを制御して、直径300mmのシリコン単結晶インゴットを引き上げ、このインゴットからウェーハをスライスした。これらのウェーハの酸素濃度は1.2×1018atoms/cm3(old ASTM)であった。
これらのウェーハに、ホウ素の固体ソースとして窒化ホウ素を同封した石英製チューブ型炉内で、窒素ガスと酸素ガスの混合比を調整して、酸化ホウ素(B2O3)ガス分圧を下記表2に示すようにそれぞれ制御し、酸化ホウ素ガス雰囲気下、1100℃で6時間保持した。
そして、各ウェーハ表面の全面に形成されたホウ素含有膜を除去するために、フッ酸含有のエッチング液で表面をエッチングした。
各ウェーハについて、表面から最大深さ約3μmまでのホウ素濃度をSIMSにより測定した。
また、実施例1と同様にして、DNN欠陥の測定を行ったが、いずれのウェーハも、DNN欠陥は検出されなかった。
チョクラルスキー法により、不純物ドープなしで、空孔優勢のGrown−in欠陥が生成するように、v/Gを制御して、直径300mmのシリコン単結晶インゴットを引き上げ、このインゴットからウェーハをスライスした。
これらのウェーハを酸素100%雰囲気下、600℃から昇温速度70℃/秒で昇温し、最高到達温度1350℃で15秒間保持した後、降温速度を90℃/秒で降温する急速昇降温熱処理にて、ウェーハ表面付近のGrown−in欠陥を除去した。
これらのウェーハの酸素濃度は、ウェーハ内部が1.2×1018atoms/cm3(old ASTM)、ウェーハ表層付近が2×1018atoms/cm3(old ASTM)であった。
これらのウェーハに、実施例1と同様にして、急速昇降温熱処理による熱拡散により窒素を導入した後、各ウェーハ表面の全面に形成された熱窒化膜を除去するために、深さ1μmまで研磨除去し、表面から最大深さ約80μmまでの窒素濃度をSIMSにより測定した。これらの測定値に基づいて、各ウェーハの表側面及び裏側面を、さらに、窒素濃度が最高となる深さ位置まで研磨除去した。
また、実施例1と同様にして、DNN欠陥の測定を行ったが、いずれのウェーハも、DNN欠陥は検出されなかった。
Claims (10)
- チョクラルスキー法により、育成するシリコン単結晶インゴット中の酸素を除く不純物のドープ濃度が結晶成長温度における固溶限の1/10以下となるように、石英ルツボに充填したシリコン原料中に前記不純物を添加し、かつ、Grown−in欠陥が生成しないように、引き上げ速度vと引き上げ方向の温度勾配Gの比v/Gを制御して、シリコン単結晶インゴットを引き上げ、
前記シリコン単結晶インゴットからウェーハをスライスし、
前記ウェーハ表面から前記不純物を熱拡散により導入することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - チョクラルスキー法により、育成するシリコン単結晶インゴット中の酸素を除く不純物のドープ濃度が結晶成長温度における固溶限の1/10以下となるように、石英ルツボに充填したシリコン原料中に前記不純物を添加し、かつ、空孔優勢のGrown−in欠陥が生成するように、引き上げ速度vと引き上げ方向の温度勾配Gの比v/Gを制御してシリコン単結晶インゴットを引き上げ、
前記シリコン単結晶インゴットからウェーハをスライスし、
前記ウェーハを1100〜1380℃で熱処理して、ウェーハ表面付近のGrown−in欠陥を除去した後、該ウェーハ表面から前記不純物を熱拡散により導入することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記不純物が窒素であり、前記熱拡散においてウェーハ全面に導入されることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記不純物がホウ素であり、前記熱拡散においてウェーハ全面に導入されることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記不純物が窒素であり、前記シリコン単結晶インゴット引き上げ時のドープ濃度を2×1015atoms/cm3以下とし、
前記熱拡散は、ウェーハに、窒素含有雰囲気下、1100℃以上1350℃未満で、5秒間以上保持する急速昇降温熱処理を施すことにより行い、その後、ウェーハ表面の全面を深さ10nm以上まで除去することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリコンウェーハの製造方法。 - 前記急速昇降温熱処理における降温速度が10〜150℃/sであることを特徴とする請求項5に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記ウェーハ表面の除去において、ウェーハ表面の表側面及び裏側面は、窒素濃度が最高となる深さ位置まで除去することを特徴とする請求項5又は6に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記不純物がホウ素であり、前記シリコン単結晶インゴット引き上げ時のドープ濃度を1×1018atoms/cm3以下とし、
前記熱拡散は、ウェーハに、ホウ素系ガス雰囲気下で熱処理を施すことにより行うことを特徴とする請求項1,2又は4に記載のシリコンウェーハの製造方法。 - 前記熱拡散において、ウェーハ中のホウ素濃度がウェーハ表面で深さ方向における最高濃度となるようにすることを特徴とする請求項1,2,4又は8に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載された製造方法によって得られたシリコンウェーハであって、ウェーハ表面にレーザ光高角度入射・高角度検出器による光散乱検出により測定されるLPDであり、かつ、深さ0.5〜3nm、幅0.5〜2μmの凹状欠陥を有しないことを特徴するシリコンウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015000046A JP6333182B2 (ja) | 2015-01-05 | 2015-01-05 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015000046A JP6333182B2 (ja) | 2015-01-05 | 2015-01-05 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016124756A true JP2016124756A (ja) | 2016-07-11 |
JP6333182B2 JP6333182B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=56358811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015000046A Active JP6333182B2 (ja) | 2015-01-05 | 2015-01-05 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6333182B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116091499A (zh) * | 2023-04-07 | 2023-05-09 | 山东中胜涂料有限公司 | 一种涂料生产异常识别系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63239200A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエ−ハ強化方法 |
JPH02114534A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Fujitsu Ltd | シリコンウエハーおよびその製造方法 |
JPH04295099A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Seiko Instr Inc | 不純物ドーピングの方法 |
JP2006312576A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-11-16 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ |
WO2009151077A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶ウェーハの製造方法およびシリコン単結晶ウェーハ |
JP2013163598A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-22 | Globalwafers Japan Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
-
2015
- 2015-01-05 JP JP2015000046A patent/JP6333182B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63239200A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエ−ハ強化方法 |
JPH02114534A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Fujitsu Ltd | シリコンウエハーおよびその製造方法 |
JPH04295099A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Seiko Instr Inc | 不純物ドーピングの方法 |
JP2006312576A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-11-16 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ |
WO2009151077A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶ウェーハの製造方法およびシリコン単結晶ウェーハ |
JP2013163598A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-22 | Globalwafers Japan Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116091499A (zh) * | 2023-04-07 | 2023-05-09 | 山东中胜涂料有限公司 | 一种涂料生产异常识别系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6333182B2 (ja) | 2018-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5537802B2 (ja) | シリコンウエハの製造方法 | |
JP5072460B2 (ja) | 半導体用シリコンウエハ、およびその製造方法 | |
KR101381299B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
KR101632936B1 (ko) | 에피택셜 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조 방법 | |
TW201527610A (zh) | 矽晶圓及其製造方法 | |
JP5207706B2 (ja) | シリコンウエハ及びその製造方法 | |
US10975496B2 (en) | Single crystal silicon plate-shaped body | |
KR20060040733A (ko) | 웨이퍼의 제조방법 | |
JP4615161B2 (ja) | エピタキシャルウエーハの製造方法 | |
EP1959486B1 (en) | Method of manufacturing a silicon wafer | |
JP6333182B2 (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法 | |
KR101524913B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 | |
JP2006040980A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
US11761118B2 (en) | Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same | |
JPH11283987A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法 | |
JP5211550B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
CN115135817B (zh) | 半导体硅晶片的制造方法 | |
JP2013206981A (ja) | シリコンウェーハ | |
JP3731553B2 (ja) | シリコンウェーハの窒素濃度の評価方法 | |
JP6024710B2 (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法 | |
CN115135816A (zh) | 半导体硅晶片的制造方法 | |
JP2003100759A (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | |
CN111051580A (zh) | 硅晶片 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180424 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6333182 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |