JP2014229872A - 窒化物半導体エピタキシャルウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si単結晶基板(1)と、上記Si単結晶基板(1)の表面に形成された窒化物半導体からなる初期成長層(2)と、上記初期成長層(2)の上に形成された複数の窒化物半導体層(3〜7)とを備え、上記Si単結晶基板(1)内の酸素濃度は2.0×1017cm-3以上且つ1.3×1018cm-3以下であり、上記Si単結晶基板(1)における裏面側の炭素濃度が1.0×1016cm-3以上且つ3.7×1017cm-3以下である。こうして、上記Si単結晶基板(1)の硬さを、エピタキシャルウェハの反りを抑える所望の硬さにする。それと共に、上記窒化物半導体層(3〜7)の成長時に上記Si単結晶基板(1)の裏面側でのアンモニアによる酸素析出を抑制して、上記Si単結晶基板(1)の脆さを改善する。
【選択図】図1
Description
Si単結晶基板と、
上記Si単結晶基板の表面に形成された窒化物半導体からなる初期成長層と、
上記初期成長層の上に形成された複数の窒化物半導体層と
を備え、
上記Si単結晶基板内の酸素濃度は、2.0×1017cm-3以上且つ1.3×1018cm-3以下であり、
上記Si単結晶基板における裏面側の炭素濃度が、1.0×1016cm-3以上且つ3.7×1017cm-3以下である
ことを特徴としている。
図1は、本実施の形態における基板上に窒化物半導体層がエピタキシャル形成された窒化物半導体エピタキシャルウェハの断面図である。
Si単結晶基板1と、
上記Si単結晶基板1の表面に形成された窒化物半導体からなる初期成長層2と、
上記初期成長層2の上に形成された複数の窒化物半導体層3〜7と
を備え、
上記Si単結晶基板1内の酸素濃度は2.0×1017cm-3以上且つ1.3×1018cm-3以下であり、
上記Si単結晶基板1における裏面側の炭素濃度が1.0×1016cm-3以上且つ3.7×1017cm-3以下である
ことを特徴としている。
2…AlN層(初期成長層)、
3…Al0.2Ga0.8N、
4…超格子バッファ層、
5…チャネルGaN層、
6…AlN中間層、
7…Al0.2Ga0.8N障壁層。
Claims (1)
- Si単結晶基板と、
上記Si単結晶基板の表面に形成された窒化物半導体からなる初期成長層と、
上記初期成長層の上に形成された複数の窒化物半導体層と
を備え、
上記Si単結晶基板内の酸素濃度は、2.0×1017cm-3以上且つ1.3×1018cm-3以下であり、
上記Si単結晶基板における裏面側の炭素濃度が、1.0×1016cm-3以上且つ3.7×1017cm-3以下である
ことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハ。
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