JP2007273814A - シリコン基板及びその製造方法 - Google Patents
シリコン基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007273814A JP2007273814A JP2006098638A JP2006098638A JP2007273814A JP 2007273814 A JP2007273814 A JP 2007273814A JP 2006098638 A JP2006098638 A JP 2006098638A JP 2006098638 A JP2006098638 A JP 2006098638A JP 2007273814 A JP2007273814 A JP 2007273814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- main surface
- oxygen
- silicon
- substrate according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン基板1において、窒化物系化合物半導体層2の成長によって凹状に反る方向に応力が加わる主面1aには、窒化物系化合物半導体層2の成長後にその反りを減少させる反り量を有する凸状の湾曲が予め付与されている。
【選択図】図1
Description
(第1の実施の形態)
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係るシリコン基板を示す断面図、図1(b)は、そのシリコン基板上に窒化物系化合物半導体層を成長した状態を示す断面図である。
(第2の実施の形態)
図3(a)は、本発明の第2実施形態に係るシリコン基板を示す断面図、図3(b)は、そのシリコン基板上に窒化物系化合物半導体層を成長した状態を示す断面図である。
(第3の実施の形態)
図4は、本発明の第3実施形態に係るシリコン基板の形成工程を示す断面図である。
(第4の実施の形態)
図6は、本発明の第4実施形態に係るシリコン基板の形成工程を示す断面図である。
1a:主面
2:GaN層(窒化物系化合物半導体層)
3:窒化シリコン膜
4:酸化シリコン膜
Claims (10)
- 窒化物系化合物半導体層の成長によって凹状に反る方向に応力が加わる主面には、前記窒化物系化合物半導体層の成長後に前記応力を減少させる反り量を有する凸状の湾曲が予め付与されていることを特徴とするシリコン基板。
- 前記主面又は主面の所定深さから裏面に向けて連続して減少する濃度分布で酸素を含むことを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板。
- 直径をdとし且つ前記主面の前記反り量をBとした場合に、該Bはd/1000±20%の範囲内であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン基板。
- 直径の0.5%以上の厚みを有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のシリコン基板。
- 前記凸状の湾曲は表面研削及び研磨により前記主面に付与されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のシリコン基板。
- 裏面には、前記凸状の湾曲を付与する応力を発生させる窒化膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のシリコン基板。
- 前記主面又は主面の所定深さから裏面に向けて連続して減少する密度若しくはサイズの分布で酸素析出物が含まれていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン基板。
- 主面側から裏面にかけて厚み方向に酸素の濃度分布を減少させる工程と、
高温熱処理することにより前記酸素の析出物を内部に生成させて前記主面に凸状の湾曲面を付与する工程と
を有することを特徴とするシリコン基板の製造方法。 - 一様に分布した酸素を含む基板の前記主面に酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記基板を加熱することにより前記厚み方向で前記酸素の濃度分布を変化させる工程と
を有することを特徴とする請求項8に記載のシリコン基板の製造方法。 - 前記主面に向けて酸素をイオン注入することにより前記厚み方向に前記酸素の濃度分布を変化させることを特徴とする請求項8に記載のシリコン基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006098638A JP5158833B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 窒化物系化合物半導体装置および窒化物系化合物半導体装置の製造方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006098638A JP5158833B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 窒化物系化合物半導体装置および窒化物系化合物半導体装置の製造方法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273814A true JP2007273814A (ja) | 2007-10-18 |
JP5158833B2 JP5158833B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=38676286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006098638A Active JP5158833B2 (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 窒化物系化合物半導体装置および窒化物系化合物半導体装置の製造方法。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5158833B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008124151A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 単結晶基板及び窒化物半導体単結晶の製造方法 |
JP2008251704A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | シリコン基板及びその製造方法 |
JP2009292669A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Sumco Corp | シリコンウェーハ |
WO2009155122A2 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-23 | Alta Devices, Inc. | Epitaxial lift off stacks and methods |
WO2009157514A1 (ja) * | 2008-06-27 | 2009-12-30 | 住友電気工業株式会社 | 成膜方法 |
WO2010061865A1 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2010192485A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Nichia Corp | 窒化物半導体基板の加工方法 |
JP2010272781A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Sharp Corp | 半導体積層構造体の製造方法 |
JP2012051774A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Covalent Materials Corp | 化合物半導体基板 |
US8592240B2 (en) | 2008-10-03 | 2013-11-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light-emitting element |
JP2014229872A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
JP2016507450A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-03-10 | エレメント シックス リミテッド | 半導体デバイス用基板 |
JP2018011060A (ja) * | 2012-09-13 | 2018-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体構造物 |
JP2018190988A (ja) * | 2009-12-11 | 2018-11-29 | ナショナル セミコンダクター コーポレーションNational Semiconductor Corporation | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP2019206467A (ja) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | インダストリー−ユニバーシティーコオペレーション ファウンデーション ハンヤン ユニバーシティー | 複数のイオン注入を用いた窒化ガリウム基板の製造方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62181421A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンエピタキシヤルウエハの製造方法 |
JPS63142822A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63236308A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体の成長方法 |
JPH01307232A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Seiko Instr Inc | 半導体装置の製造方法 |
JPH02139163A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-29 | Fujitsu Ltd | ウェーハの加工方法 |
JPH02164040A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Nec Corp | シリコン半導体基板の処理方法 |
JPH0794408A (ja) * | 1990-04-13 | 1995-04-07 | Thomson Csf | 2つの結晶化半導体材料を整合させる方法及び半導体素子 |
JPH07249573A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Nippon Steel Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP2003218031A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2005032803A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体製造方法及び半導体ウェハ |
JP2005085852A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2005129856A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2005306680A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Hitachi Cable Ltd | 半導体基板、自立基板及びそれらの製造方法、並びに基板の研磨方法 |
JP2005340348A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Sumco Corp | Simox基板の製造方法及び該方法により得られるsimox基板 |
-
2006
- 2006-03-31 JP JP2006098638A patent/JP5158833B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62181421A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンエピタキシヤルウエハの製造方法 |
JPS63142822A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63236308A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体の成長方法 |
JPH01307232A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Seiko Instr Inc | 半導体装置の製造方法 |
JPH02139163A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-29 | Fujitsu Ltd | ウェーハの加工方法 |
JPH02164040A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Nec Corp | シリコン半導体基板の処理方法 |
JPH0794408A (ja) * | 1990-04-13 | 1995-04-07 | Thomson Csf | 2つの結晶化半導体材料を整合させる方法及び半導体素子 |
JPH07249573A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Nippon Steel Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP2003218031A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2005032803A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体製造方法及び半導体ウェハ |
JP2005085852A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2005129856A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2005306680A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Hitachi Cable Ltd | 半導体基板、自立基板及びそれらの製造方法、並びに基板の研磨方法 |
JP2005340348A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Sumco Corp | Simox基板の製造方法及び該方法により得られるsimox基板 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008124151A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 単結晶基板及び窒化物半導体単結晶の製造方法 |
JP2008251704A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | シリコン基板及びその製造方法 |
US8314011B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-11-20 | Alta Devices, Inc. | Epitaxial lift off stack having a non-uniform handle and methods thereof |
WO2009155122A2 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-23 | Alta Devices, Inc. | Epitaxial lift off stacks and methods |
US8716107B2 (en) | 2008-05-30 | 2014-05-06 | Alta Devices, Inc. | Epitaxial lift off stack having a non-uniform handle and methods thereof |
WO2009155122A3 (en) * | 2008-05-30 | 2010-02-25 | Alta Devices, Inc. | Epitaxial lift off stacks and methods |
JP2009292669A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Sumco Corp | シリコンウェーハ |
US8404571B2 (en) | 2008-06-27 | 2013-03-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Film deposition method |
JP2010010440A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 成膜方法 |
WO2009157514A1 (ja) * | 2008-06-27 | 2009-12-30 | 住友電気工業株式会社 | 成膜方法 |
US8592240B2 (en) | 2008-10-03 | 2013-11-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light-emitting element |
TWI423471B (zh) * | 2008-10-03 | 2014-01-11 | Toyoda Gosei Kk | Manufacturing method of semiconductor light emitting element |
US10388517B2 (en) | 2008-11-27 | 2019-08-20 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Epitaxial substrate for electronic device and method of producing the same |
WO2010061865A1 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2010192485A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Nichia Corp | 窒化物半導体基板の加工方法 |
JP2010272781A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Sharp Corp | 半導体積層構造体の製造方法 |
JP2018190988A (ja) * | 2009-12-11 | 2018-11-29 | ナショナル セミコンダクター コーポレーションNational Semiconductor Corporation | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP2021158391A (ja) * | 2009-12-11 | 2021-10-07 | ナショナル セミコンダクター コーポレーションNational Semiconductor Corporation | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP7273279B2 (ja) | 2009-12-11 | 2023-05-15 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP2012051774A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Covalent Materials Corp | 化合物半導体基板 |
JP2018011060A (ja) * | 2012-09-13 | 2018-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体構造物 |
JP2016507450A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-03-10 | エレメント シックス リミテッド | 半導体デバイス用基板 |
JP2017119624A (ja) * | 2012-12-18 | 2017-07-06 | アールエフエイチアイシー コーポレイション | 半導体デバイス用基板 |
JP2014229872A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
JP2019206467A (ja) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | インダストリー−ユニバーシティーコオペレーション ファウンデーション ハンヤン ユニバーシティー | 複数のイオン注入を用いた窒化ガリウム基板の製造方法 |
CN110544623A (zh) * | 2018-05-29 | 2019-12-06 | 汉阳大学校产学协力团 | 利用多离子注入的氮化镓基板的制造方法 |
US10510532B1 (en) | 2018-05-29 | 2019-12-17 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | Method for manufacturing gallium nitride substrate using the multi ion implantation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5158833B2 (ja) | 2013-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5158833B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体装置および窒化物系化合物半導体装置の製造方法。 | |
JP4954298B2 (ja) | 中間層構造を有する厚い窒化物半導体構造、及び厚い窒化物半導体構造を製造する方法 | |
JP5520056B2 (ja) | 中間層構造を有する窒化物半導体構造、及び中間層構造を有する窒化物半導体構造を製造する方法 | |
US8952419B2 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacturing the same | |
JP4371202B2 (ja) | 窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス | |
JP5907730B2 (ja) | 低減した格子ひずみを備えた半導体材料、同様に包含する半導体構造体、デバイス、および、加工された基板を製造する方法 | |
JP4597259B2 (ja) | Iii族窒化物半導体成長用基板、iii族窒化物半導体エピタキシャル基板、iii族窒化物半導体素子およびiii族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法 | |
JP4818464B2 (ja) | 微細構造の製造方法 | |
JP2012514316A (ja) | 半導体材料、半導体構造、デバイスおよびそれらを含む加工された基板の緩和した層を形成する方法 | |
JP2005528795A (ja) | 格子整合半導体基板の形成 | |
JP5170859B2 (ja) | 基板及びその製造方法 | |
JP2012513113A (ja) | 歪み処理複合半導体基板及びそれを形成する方法 | |
US11705330B2 (en) | Substrate for electronic device and method for producing the same | |
US9337029B2 (en) | Structure including gallium nitride substrate and method of manufacturing the gallium nitride substrate | |
JP2004111848A (ja) | サファイア基板とそれを用いたエピタキシャル基板およびその製造方法 | |
JP6239017B2 (ja) | 窒化物半導体基板 | |
JP2011138971A (ja) | エピタキシャルウェハ、それを用いたトランジスタ、発光素子、およびエピタキシャルウェハの製造方法 | |
JP2007142003A (ja) | Iii族窒化物結晶の作製方法、エピタキシャル基板における反り低減方法、エピタキシャル基板、および半導体素子 | |
US20130171811A1 (en) | Method for manufacturing compound semiconductor | |
JP7142184B2 (ja) | 窒化物半導体ウェーハの製造方法及び窒化物半導体ウェーハ | |
JP5254263B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板 | |
JP2010278470A (ja) | Iii族窒化物半導体成長用基板、iii族窒化物半導体エピタキシャル基板、iii族窒化物半導体素子およびiii族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法 | |
KR101914361B1 (ko) | 복수의 이온 주입을 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법 | |
JP2005045153A (ja) | 窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス | |
JP4208078B2 (ja) | InN半導体及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120528 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120618 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120918 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121207 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5158833 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |