JPH01307232A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01307232A JPH01307232A JP13872788A JP13872788A JPH01307232A JP H01307232 A JPH01307232 A JP H01307232A JP 13872788 A JP13872788 A JP 13872788A JP 13872788 A JP13872788 A JP 13872788A JP H01307232 A JPH01307232 A JP H01307232A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- layer
- oxygen
- semiconductor device
- semiconductor
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- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＦＺ（フローティングゾーン）方式で製造さ
れた半導体基板を用いて半導体装置を製造する際の製造
方法に関する。
れた半導体基板を用いて半導体装置を製造する際の製造
方法に関する。
従来、ＦＺ方式で製造した半導体基板を用いた半導体装
置の５！造工程で、ＩＧ（イントリンシックゲッタリン
グ）効果を得るためには、半導体基板の製造工程で酸素
濃度の高い状態にし、［Ｇ処理（熱処理）を施していた
。
置の５！造工程で、ＩＧ（イントリンシックゲッタリン
グ）効果を得るためには、半導体基板の製造工程で酸素
濃度の高い状態にし、［Ｇ処理（熱処理）を施していた
。
しかし、従来の方法では、ＩＧ処理による酸素の析出が
一様に起こらず、安定したＤ’Ｚ層が得られないという
欠点があった。
一様に起こらず、安定したＤ’Ｚ層が得られないという
欠点があった。
そこで本発明は従来のこの様な欠点を解決するため、半
導体基板中の酸素濃度を精密に再現性よく制御し、安定
したＤＺ層を得ることを目的とする。
導体基板中の酸素濃度を精密に再現性よく制御し、安定
したＤＺ層を得ることを目的とする。
上記課題を解決するために本発明は、ＦＺ方式で酸素濃
度の低い半導体基板を製造した後、大電流のイオン注入
機を用いて、半導体基板に１５〜１６ｘ ｌ Ｑ Ｉ
’１個／ｃｄの酸素イオンを注入する。その後にＩＧ処
理を１１００℃程度の高温で行うことで、安定したＤＺ
ｌｌｉが得られる様にした。
度の低い半導体基板を製造した後、大電流のイオン注入
機を用いて、半導体基板に１５〜１６ｘ ｌ Ｑ Ｉ
’１個／ｃｄの酸素イオンを注入する。その後にＩＧ処
理を１１００℃程度の高温で行うことで、安定したＤＺ
ｌｌｉが得られる様にした。
゛〔作用〕
上記の様に酸素・１オンの注入に大？＋１流のイオン注
入機を用いて、精密かつ再現性よく半導体装置中の酸素
濃度を制御すると、安定したＤＺ層が得られる。これは
、酸素析出の無い層であり、半導体基板にとって半導体
装置の製造される最も重要な層が、精密に再現性よく製
造できるということである。
入機を用いて、精密かつ再現性よく半導体装置中の酸素
濃度を制御すると、安定したＤＺ層が得られる。これは
、酸素析出の無い層であり、半導体基板にとって半導体
装置の製造される最も重要な層が、精密に再現性よく製
造できるということである。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図（ａｌ〜（Ｃ１は、本発明の製造方法の工程順断面図
である。第１図＋ａｌに示す様な酸素濃度の低い半導体
基板ｌに大電流イオン注入機を用いて第１図山）の様に
酸素イオン注入層２を形成する。その後、１１００℃程
度の高温で、１Ｇ処理を行えば、第１図（ｅｌの様な酸
素析出物Ｍ３が形成され半導体基板表面にはＤＺ層４が
形成される。
図（ａｌ〜（Ｃ１は、本発明の製造方法の工程順断面図
である。第１図＋ａｌに示す様な酸素濃度の低い半導体
基板ｌに大電流イオン注入機を用いて第１図山）の様に
酸素イオン注入層２を形成する。その後、１１００℃程
度の高温で、１Ｇ処理を行えば、第１図（ｅｌの様な酸
素析出物Ｍ３が形成され半導体基板表面にはＤＺ層４が
形成される。
本発明は以上説明した様に、半導体基板の内部には半導
体装置の製造過程において半導体基板表面を汚染した重
金属を取込む酸素析出物層が形成され、かつ半導体基板
表面には精密に再現性よく、ＤＺ層が形成されるという
効果がある。
体装置の製造過程において半導体基板表面を汚染した重
金属を取込む酸素析出物層が形成され、かつ半導体基板
表面には精密に再現性よく、ＤＺ層が形成されるという
効果がある。
第１図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明にかかる半導体装置の製
造工程順断面図である。 ｌ・・・半導体基板 ２・・・酸素イオン注入層 ３・・・酸素析出物層 ４・・・ＤＺ層 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
造工程順断面図である。 ｌ・・・半導体基板 ２・・・酸素イオン注入層 ３・・・酸素析出物層 ４・・・ＤＺ層 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- フローティングゾーン方式で製造された半導体基板を
用いて半導体装置を製造する場合に上記半導体基板に酸
素イオンをイオン注入装置を用いてイオン注入したのち
に半導体装置を製造することを特徴とした半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13872788A JPH01307232A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13872788A JPH01307232A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307232A true JPH01307232A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15228744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13872788A Pending JPH01307232A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273814A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | シリコン基板及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP13872788A patent/JPH01307232A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273814A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | シリコン基板及びその製造方法 |
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