JP2011138971A - エピタキシャルウェハ、それを用いたトランジスタ、発光素子、およびエピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エピタキシャルウェハは、基板1と窒化物半導体4,5,6の間に形成されたアルミニウム層2と、アルミニウムを陽極酸化して形成したアルミニウムの陽極酸化(陽極酸化Al)層3によって、熱膨張係数差に起因した応力を緩和することで、ウェハのそりを押さえることが可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明に係るエピタキシャルウェハの製造方法は、基板上にAl層を形成する工程と、前記Al層上に陽極酸化Al層を形成する工程と、前記陽極酸化Al層上に窒化物半導体層を積層する工程とを備えることを特徴としている。
図1は、発明のエピタキシャルウェハの第1実施形態を示す断面図である。このウェハは基板としてのSi基板1と、このSi基板1上に積層されたAl層2、陽極酸化Al層3、低温成長GaNバッファ層4、GaNチャネル層5、AlGaN障壁層6とを備える。
本実施の形態と第1の実施形態と異なる点は、陽極酸化Al層3を安定化させるために、窒化物半導体の成長前にアニールを行っている点である。
図4は、第3の実施形態に係るエピタキシャルウェハを用いたトランジスタ20の断面図である。このトランジスタ20は基板としてのSi基板1とこのSi基板1上に積層されたAl層2、陽極酸化Al層3、低温成長GaNバッファ層4、GaNチャネル層5、コンタクト領域21、ソース電極22、ドレイン電極23、SiO2膜24、ゲート電極25とを備えた構成となっている。
図5は、第4の実施形態に係るエピタキシャルウェハを用いた発光素子40の断面図である。この発光素子40は基板としてのSi基板1と、このSi基板1上に積層されたAl層2、陽極酸化Al層3、低温成長GaNバッファ層4、n型GaN層41、n型InGaN/GaNクラッド層42、InGaN/InGaN発光層43、p型AlGaNクラッド層44、p型GaN層45、p型InGaNコンタクト層46、ITO(インジウム錫酸化物)47、n型電極48、p型電極49を備えた構成となっている。
2 Al層
3 陽極酸化Al層
4 低温成長GaNバッファ層
5 GaNチャネル層
6 AlGaN障壁層
20 トランジスタ
21 コンタクト領域
22 ソース電極
23 ドレイン電極
24 SiO2膜
25 ゲート電極
31 微細孔
40 発光素子
41 n型GaN層
42 n型InGaN/GaNクラッド層
43 InGaN/InGaN発光層
44 p型AlGaNクラッド層
45 p型GaN層
46 p型InGaNコンタクト層
47 ITO(インジウム錫酸化物)
48 n型電極
49 p型電極
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に積層されたAl層と、
前記Al層上に形成された陽極酸化Al層と、
前記陽極酸化Al層上に積層された窒化物半導体層とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェハ。 - 前記基板はSiであることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェハ。
- 前記陽極酸化Al層の構造が、ポーラス型であることを特徴とする請求項1または2に記載のエピタキシャルウェハ。
- 前記Al層の層厚が1μm以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のエピタキシャルウェハ。
- 前記陽極酸化Al層の層厚が100nm以上5μm以下であることを特徴とする請求項1から4に記載のエピタキシャルウェハ。
- 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェハを用いたことを特徴とするトランジスタ。
- 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェハを用いたことを特徴とする発光素子。
- 基板上にAl層を形成する工程と、前記Al層上に陽極酸化Al層を形成する工程と、前記陽極酸化Al層上に窒化物半導体層を積層する工程とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。
- 請求項8に記載のエピタキシャルウェハの製造方法であって、前記Al層上に陽極酸化Al層を形成する工程の後に、酸素雰囲気中にてアニールを行った後、前記窒化物半導体層を積層することを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119581A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2013065630A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法 |
JP2014154840A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | m面窒化物系発光ダイオードの製造方法 |
JP2014195114A (ja) * | 2014-06-02 | 2014-10-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
CN112802745A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-05-14 | 深圳市思坦科技有限公司 | 降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro-LED的制备方法 |
CN112802743A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-05-14 | 深圳市思坦科技有限公司 | 降低外延片翘曲度的方法及外延片 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050585A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体の結晶成長方法 |
-
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050585A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体の結晶成長方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119581A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2013065630A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法 |
US9012888B2 (en) | 2011-09-15 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device, wafer, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing wafer |
JP2014154840A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | m面窒化物系発光ダイオードの製造方法 |
JP2014195114A (ja) * | 2014-06-02 | 2014-10-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
CN112802745A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-05-14 | 深圳市思坦科技有限公司 | 降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro-LED的制备方法 |
CN112802743A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-05-14 | 深圳市思坦科技有限公司 | 降低外延片翘曲度的方法及外延片 |
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