JPH11302099A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH11302099A JPH11302099A JP12834498A JP12834498A JPH11302099A JP H11302099 A JPH11302099 A JP H11302099A JP 12834498 A JP12834498 A JP 12834498A JP 12834498 A JP12834498 A JP 12834498A JP H11302099 A JPH11302099 A JP H11302099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- carbon
- gas
- silicon single
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＺ法にてＣドープによる酸素析出物の発生
を促進したシリコン単結晶の製造に際し、従来法ではイ
ンゴットのＣ濃度を成長軸方向で均一にすること困難で
あったことを解消し、インゴット中のＣ濃度を一定にし
て特性の良いシリコン単結晶を形成する。 【解決手段】 Ｃ及び／又はＣ化合物を含むガスを単独
又は複合したガスとＡｒ等不活性ガスとを混合した雰囲
気中で引き上げを行うと、成長時の偏析係数の影響が大
幅に緩和され、かつ濃度分布は直径方向でもほぼ均一と
なり、Ｃドーピング用ガスを一定流量で導入して引上げ
育成後に測定した単結晶インゴットのＣ濃度勾配をもと
に、引上げ育成時に導入ガス量を変化させて該インゴッ
ト中のＣ濃度を一定にすることができる。
を促進したシリコン単結晶の製造に際し、従来法ではイ
ンゴットのＣ濃度を成長軸方向で均一にすること困難で
あったことを解消し、インゴット中のＣ濃度を一定にし
て特性の良いシリコン単結晶を形成する。 【解決手段】 Ｃ及び／又はＣ化合物を含むガスを単独
又は複合したガスとＡｒ等不活性ガスとを混合した雰囲
気中で引き上げを行うと、成長時の偏析係数の影響が大
幅に緩和され、かつ濃度分布は直径方向でもほぼ均一と
なり、Ｃドーピング用ガスを一定流量で導入して引上げ
育成後に測定した単結晶インゴットのＣ濃度勾配をもと
に、引上げ育成時に導入ガス量を変化させて該インゴッ
ト中のＣ濃度を一定にすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｃドープによる
酸素析出物の発生を促進したシリコン単結晶の製造方法
の改良に係り、チョクラルスキー法（ＣＺ法）におい
て、Ｃ化合物を含むガスを導入した雰囲気を利用してシ
リコン単結晶を引上げ育成し、また導入ガス量を所要の
制御パターンで変化させて該インゴット中のＣ濃度を一
定にして特性の良いシリコン単結晶を形成するシリコン
単結晶の製造方法に関する。
酸素析出物の発生を促進したシリコン単結晶の製造方法
の改良に係り、チョクラルスキー法（ＣＺ法）におい
て、Ｃ化合物を含むガスを導入した雰囲気を利用してシ
リコン単結晶を引上げ育成し、また導入ガス量を所要の
制御パターンで変化させて該インゴット中のＣ濃度を一
定にして特性の良いシリコン単結晶を形成するシリコン
単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺ法とは周知の如く、石英るつぼ内に
生成されたシリコン融液に種結晶を浸け、種結晶と石英
るつぼを相対的に逆方向に回転させながら引き上げるこ
とによってシリコン単結晶を育成させる方法である。
生成されたシリコン融液に種結晶を浸け、種結晶と石英
るつぼを相対的に逆方向に回転させながら引き上げるこ
とによってシリコン単結晶を育成させる方法である。
【０００３】ＣＺ法により引き上げられてウェーハ化さ
れたシリコン単結晶ウェーハには、酸素を核とした酸素
誘起積層欠陥（ＯＳＦという）が発生する。このＯＳＦ
は、引き上げた際から存在するＳｉ格子間原子が微小な
酸素析出物（ＳｉＯ2）等に集まり、＜１１１＞結晶面
に板状に析出する欠陥である。
れたシリコン単結晶ウェーハには、酸素を核とした酸素
誘起積層欠陥（ＯＳＦという）が発生する。このＯＳＦ
は、引き上げた際から存在するＳｉ格子間原子が微小な
酸素析出物（ＳｉＯ2）等に集まり、＜１１１＞結晶面
に板状に析出する欠陥である。
【０００４】このＯＳＦがシリコンウェーハ上のデバイ
ス活性領域に存在すると、リーク電流増大などの不良原
因となっていた。このため、ＯＳＦ密度が低減されたシ
リコン単結晶ウェーハが望まれている。
ス活性領域に存在すると、リーク電流増大などの不良原
因となっていた。このため、ＯＳＦ密度が低減されたシ
リコン単結晶ウェーハが望まれている。
【０００５】また、シリコンデバイス製造の際、表面部
分に付着する汚染物質を捕獲するＩＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓ
ｉｃ Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）効果はシリコンウェーハに
とって重要なパラメータであり、これは半導体デバイス
の絶縁耐圧不良や、キャリアのライフタイム減少等を防
ぐことができるため、このＩＧ効果の優れたウェーハが
望まれている。
分に付着する汚染物質を捕獲するＩＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓ
ｉｃ Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）効果はシリコンウェーハに
とって重要なパラメータであり、これは半導体デバイス
の絶縁耐圧不良や、キャリアのライフタイム減少等を防
ぐことができるため、このＩＧ効果の優れたウェーハが
望まれている。
【０００６】これらの要求に対し、シリコン単結晶中に
Ｃをドープして、ＯＳＦを抑制することが知られてい
る。Ｃ結晶格子はＳｉ結晶格子よりも小さく、発生した
ひずみが吸収され、ウェーハ中に酸素が存在した場合に
も格子間Ｓｉの析出が抑えられるためである。
Ｃをドープして、ＯＳＦを抑制することが知られてい
る。Ｃ結晶格子はＳｉ結晶格子よりも小さく、発生した
ひずみが吸収され、ウェーハ中に酸素が存在した場合に
も格子間Ｓｉの析出が抑えられるためである。
【０００７】また、Ｃドープによって、ウェーハ表面近
傍の活性領域より内部に微小欠陥を発生させ、ＩＧ効果
が向上させるという方法が知られている。このため、従
来はこのＯＳＦ低減の方法として溶融シリコンに直接Ｃ
粉末を添加したり、Ｃを固溶させたシリコン添加してシ
リコン単結晶を引き上げる方法が用いられている。
傍の活性領域より内部に微小欠陥を発生させ、ＩＧ効果
が向上させるという方法が知られている。このため、従
来はこのＯＳＦ低減の方法として溶融シリコンに直接Ｃ
粉末を添加したり、Ｃを固溶させたシリコン添加してシ
リコン単結晶を引き上げる方法が用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】Ｃ等ドーパントを溶融
シリコン中に直接投入した場合、図１に黒四角印でプロ
ットするように偏析のために単結晶インゴットの上端と
下端とで濃度が異なる結果となっていた。
シリコン中に直接投入した場合、図１に黒四角印でプロ
ットするように偏析のために単結晶インゴットの上端と
下端とで濃度が異なる結果となっていた。
【０００９】この単結晶インゴットのＣ濃度を成長軸方
向で均一にすることは、従来困難であった。これは抵抗
値等品質のばらつきにつながり、一本の結晶から一種類
の製品を作ることを困難にしており、Ｃ濃度の変化する
結晶後半部では別の製品用に変更したり、要求される抵
抗範囲を広いものとしなければならなかった。
向で均一にすることは、従来困難であった。これは抵抗
値等品質のばらつきにつながり、一本の結晶から一種類
の製品を作ることを困難にしており、Ｃ濃度の変化する
結晶後半部では別の製品用に変更したり、要求される抵
抗範囲を広いものとしなければならなかった。
【００１０】この発明は、ＣＺ法にてＣドープによる酸
素析出物の発生を促進したシリコン単結晶の製造に際
し、従来法ではインゴットのＣ濃度を成長軸方向で均一
にすること困難であったことを解消し、インゴット中の
Ｃ濃度を一定にして特性の良いシリコン単結晶を形成す
ることが可能なシリコン単結晶の製造方法の提供を目的
としている。
素析出物の発生を促進したシリコン単結晶の製造に際
し、従来法ではインゴットのＣ濃度を成長軸方向で均一
にすること困難であったことを解消し、インゴット中の
Ｃ濃度を一定にして特性の良いシリコン単結晶を形成す
ることが可能なシリコン単結晶の製造方法の提供を目的
としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】発明者は、ＣＺ法等単結
晶製造工程において、インゴットの引き上げ軸方向で均
一なドープ量を得る方法を目的に、Ｃドーピング方法を
種々検討した結果、Ｃ及び／又はＣ化合物を含むガスを
単独又は複合したガスとＡｒ等不活性ガスとを混合した
雰囲気中で引き上げを行った結果、引き上げ軸方向のＣ
分布は従来の方法と比較して成長時の偏析係数の影響が
大幅に緩和され、かつ濃度分布は直径方向でもほぼ均一
となることを知見した。
晶製造工程において、インゴットの引き上げ軸方向で均
一なドープ量を得る方法を目的に、Ｃドーピング方法を
種々検討した結果、Ｃ及び／又はＣ化合物を含むガスを
単独又は複合したガスとＡｒ等不活性ガスとを混合した
雰囲気中で引き上げを行った結果、引き上げ軸方向のＣ
分布は従来の方法と比較して成長時の偏析係数の影響が
大幅に緩和され、かつ濃度分布は直径方向でもほぼ均一
となることを知見した。
【００１２】さらに、発明者は、ガスによるドーピング
方法を検討した結果、Ａｒガス雰囲気中にＣドーピング
用ガスを一定流量で導入して引上げ育成後に測定した単
結晶インゴットのＣ濃度勾配をもとに、引上げ育成時に
導入ガス量を変化させて該インゴット中のＣ濃度を一定
にすることができ、さらにこの方法を使用することによ
って得られたシリコン単結晶ウェーハのＩＧ効果、結晶
強度の向上、ＯＳＦ密度減少等品質の改善効果が得られ
ることを知見し、この発明を完成した。
方法を検討した結果、Ａｒガス雰囲気中にＣドーピング
用ガスを一定流量で導入して引上げ育成後に測定した単
結晶インゴットのＣ濃度勾配をもとに、引上げ育成時に
導入ガス量を変化させて該インゴット中のＣ濃度を一定
にすることができ、さらにこの方法を使用することによ
って得られたシリコン単結晶ウェーハのＩＧ効果、結晶
強度の向上、ＯＳＦ密度減少等品質の改善効果が得られ
ることを知見し、この発明を完成した。
【００１３】
【発明の実施の形態】この発明による製造方法につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。単結晶引き上
げ装置の一例を示すと、図２に示すごとく、石英るつぼ
６を収納したメインチャンバー１上に蓋の機能を有する
トップチャンバー２、引き上げた単結晶インゴット７を
収納するプルチャンバー３がスイングアーム４を介して
支柱５に支持された構成からなり、メインチャンバー１
内に配置された石英るつぼ６の外側にカーボンヒーター
８が設けられている。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。単結晶引き上
げ装置の一例を示すと、図２に示すごとく、石英るつぼ
６を収納したメインチャンバー１上に蓋の機能を有する
トップチャンバー２、引き上げた単結晶インゴット７を
収納するプルチャンバー３がスイングアーム４を介して
支柱５に支持された構成からなり、メインチャンバー１
内に配置された石英るつぼ６の外側にカーボンヒーター
８が設けられている。
【００１４】各チャンバー１，２，３内は真空に減圧さ
れ、メインチャンバー１内にＡｒガス及びＣドーピング
用ガスをそれぞれ導入ノズル９ａ，９ｂより導入する
が、Ｃドーピング用ガスはＣ及び／又はＣ化合物を含む
ガス、例えばＣＯ、ＣＯ2、メタン、エタン等を単独又
は複合したガスで、導入量がマスフローコントローラに
より制御される。
れ、メインチャンバー１内にＡｒガス及びＣドーピング
用ガスをそれぞれ導入ノズル９ａ，９ｂより導入する
が、Ｃドーピング用ガスはＣ及び／又はＣ化合物を含む
ガス、例えばＣＯ、ＣＯ2、メタン、エタン等を単独又
は複合したガスで、導入量がマスフローコントローラに
より制御される。
【００１５】このＣドーピング用ガスは溶融シリコンと
接する際に取り込まれる。この際のドープ量はゲッタリ
ング能力の面から２×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上が
好ましく、さらに５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上が
好ましい。しかしながら、有転移化の要因となるために
上限は５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であることが
望ましい。
接する際に取り込まれる。この際のドープ量はゲッタリ
ング能力の面から２×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上が
好ましく、さらに５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上が
好ましい。しかしながら、有転移化の要因となるために
上限は５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であることが
望ましい。
【００１６】Ｃドーピング用ガスの流量と溶融シリコン
中に取り込まれるＣ量は、溶融シリコン流動も考慮しな
ければならないため、前バッチ引き上げ後の結果を参考
に流量設定を行い、偏析の影響を最小限に減らすように
する必要がある。
中に取り込まれるＣ量は、溶融シリコン流動も考慮しな
ければならないため、前バッチ引き上げ後の結果を参考
に流量設定を行い、偏析の影響を最小限に減らすように
する必要がある。
【００１７】すなわち、Ａｒガス雰囲気中にＣドーピン
グ用ガスを一定流量で導入し引上げ育成した後に、単結
晶インゴットのＣ濃度勾配を測定し、Ｃ濃度勾配結果を
もとに、引上げ育成時に導入ガス量を順次変化させるこ
とにより、該インゴット中のＣ濃度を一定にすることが
できる。
グ用ガスを一定流量で導入し引上げ育成した後に、単結
晶インゴットのＣ濃度勾配を測定し、Ｃ濃度勾配結果を
もとに、引上げ育成時に導入ガス量を順次変化させるこ
とにより、該インゴット中のＣ濃度を一定にすることが
できる。
【００１８】なお、Ｃドーピング用ガスはＡｒガスに容
量比で０．０１〜５％の範囲でガス流量を変化させるこ
とが望ましい。すなわち、０．０１％未満では、ウェー
ハ表面近傍の活性領域より内部に微小欠陥を発生させる
作用が少なく、十分なＩＧ効果を得ることができず、ま
た５％を越えると、単結晶中に取り込まれずに炉外へ排
出されるＣ量がが多く、製造コストの上昇を招く問題が
ある。
量比で０．０１〜５％の範囲でガス流量を変化させるこ
とが望ましい。すなわち、０．０１％未満では、ウェー
ハ表面近傍の活性領域より内部に微小欠陥を発生させる
作用が少なく、十分なＩＧ効果を得ることができず、ま
た５％を越えると、単結晶中に取り込まれずに炉外へ排
出されるＣ量がが多く、製造コストの上昇を招く問題が
ある。
【００１９】この発明において、Ｃドーピング用ガスと
してはシリコン単結晶へＣをドーピングできるガスであ
れば、特に限定しないが、容易に取り扱えることでＣ
Ｏ、ＣＯ2、メタン、エタン等が好ましい。また、メイ
ンチャンバー内に配置されたカーボンヒーターからもシ
リコン単結晶内にＣが取り込まれるため、これを考慮す
る必要があり、Ｃドーピング用ガスの導入流路やチャン
バー内のフロー等とともにドーピング量を適宜選定する
必要がある。
してはシリコン単結晶へＣをドーピングできるガスであ
れば、特に限定しないが、容易に取り扱えることでＣ
Ｏ、ＣＯ2、メタン、エタン等が好ましい。また、メイ
ンチャンバー内に配置されたカーボンヒーターからもシ
リコン単結晶内にＣが取り込まれるため、これを考慮す
る必要があり、Ｃドーピング用ガスの導入流路やチャン
バー内のフロー等とともにドーピング量を適宜選定する
必要がある。
【００２０】
【実施例】前述した図２、図３の単結晶引き上げ装置を
用い、石英るつぼに通常のシリコン多結晶原料を投入
し、その後Ｐ型ドーパントとしてボロン−シリコン合金
を添加した。このようにして原料の装填を行った後にチ
ャンバー内を減圧し、Ｃドーピング用ガスとしてエタン
ガスを流しつつ単結晶引き上げを行った。
用い、石英るつぼに通常のシリコン多結晶原料を投入
し、その後Ｐ型ドーパントとしてボロン−シリコン合金
を添加した。このようにして原料の装填を行った後にチ
ャンバー内を減圧し、Ｃドーピング用ガスとしてエタン
ガスを流しつつ単結晶引き上げを行った。
【００２１】比較のため、Ｃドープをすることなく引き
上げを実施し、また、るつぼ内に投入する従来の方法で
Ｃドープを行い引き上げを実施した。なお、従来法でド
ープを行った例は、シリコン単結晶中にＣ量が５．０×
１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3含まれるようドープ量を調節
した。
上げを実施し、また、るつぼ内に投入する従来の方法で
Ｃドープを行い引き上げを実施した。なお、従来法でド
ープを行った例は、シリコン単結晶中にＣ量が５．０×
１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3含まれるようドープ量を調節
した。
【００２２】この発明によるＣドーピング用ガスを用い
た例では、シリコン単結晶中には量が５．０×１０16ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3含まれるよう一定流量で導入した場合
と、その引き上げを実施した後、単結晶インゴットのＣ
濃度勾配を測定して得られたＣ濃度勾配結果をもとに、
引上げ育成時に導入ガス量を順次変化させガス流量を調
節した場合を実施した。
た例では、シリコン単結晶中には量が５．０×１０16ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3含まれるよう一定流量で導入した場合
と、その引き上げを実施した後、単結晶インゴットのＣ
濃度勾配を測定して得られたＣ濃度勾配結果をもとに、
引上げ育成時に導入ガス量を順次変化させガス流量を調
節した場合を実施した。
【００２３】これら４条件のシリコン単結晶からサンプ
ルウェーハを切り出し、評価を行った。Ｃドープを行わ
なかったシリコンウェーハでもカーボンヒーター等炭素
より作られた部品からの炭素混入があるため、炭素濃度
は０．２×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3存在した。
ルウェーハを切り出し、評価を行った。Ｃドープを行わ
なかったシリコンウェーハでもカーボンヒーター等炭素
より作られた部品からの炭素混入があるため、炭素濃度
は０．２×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3存在した。
【００２４】図１はシリコン単結晶インゴットの成長軸
方向の炭素濃度分布を示すグラフで、従来法でドープを
行った例（黒四角印）、Ｃドーピング用ガスを一定流量
で導入した例（白丸印）、Ｃ濃度勾配結果をもとにガス
流量を調節した例（白四角印）を示す。
方向の炭素濃度分布を示すグラフで、従来法でドープを
行った例（黒四角印）、Ｃドーピング用ガスを一定流量
で導入した例（白丸印）、Ｃ濃度勾配結果をもとにガス
流量を調節した例（白四角印）を示す。
【００２５】すなわち、従来法では成長軸方向でＣ量の
偏析が不可避でかつ大きいが、Ｃドーピング用ガスを用
いるこの発明では、上記偏析が大幅に緩和され、さらに
流量調整を行うと上記の偏折を実質的になくすことが可
能である。
偏析が不可避でかつ大きいが、Ｃドーピング用ガスを用
いるこの発明では、上記偏析が大幅に緩和され、さらに
流量調整を行うと上記の偏折を実質的になくすことが可
能である。
【００２６】
【発明の効果】この発明によるシリコン単結晶の製造方
法は、Ｃ化合物を含むガスを導入した雰囲気を利用して
シリコン単結晶を引上げ育成し、また導入ガス量を所要
の制御パターンで変化させて該インゴット中のＣ濃度を
一定にして特性の良いシリコン単結晶を形成することが
可能で、得られたシリコン単結晶インゴットは成長軸方
向でＣ量の偏析の影響を大幅に減少し、シリコンウェー
ハの直径方向に均一となる。また、この発明によるシリ
コンウェーハは、Ｃドープによって酸素析出物の発生
が、従来のＣドープしない方法と比較して４〜７倍とな
り、ＩＧ効果の増大等の効果が得られる。
法は、Ｃ化合物を含むガスを導入した雰囲気を利用して
シリコン単結晶を引上げ育成し、また導入ガス量を所要
の制御パターンで変化させて該インゴット中のＣ濃度を
一定にして特性の良いシリコン単結晶を形成することが
可能で、得られたシリコン単結晶インゴットは成長軸方
向でＣ量の偏析の影響を大幅に減少し、シリコンウェー
ハの直径方向に均一となる。また、この発明によるシリ
コンウェーハは、Ｃドープによって酸素析出物の発生
が、従来のＣドープしない方法と比較して４〜７倍とな
り、ＩＧ効果の増大等の効果が得られる。
【図１】シリコン単結晶インゴットの成長軸方向の炭素
濃度分布を示すグラフである。
濃度分布を示すグラフである。
【図２】単結晶引き上げ装置の一例を示す外観斜視図で
ある。
ある。
【図３】単結晶引き上げ装置のメインチャンバー内の説
明図である。
明図である。
１ メインチャンバー ２ トップチャンバー ３ プルチャンバー ４ スイングアーム ５ 支柱 ６ 石英るつぼ ７ 単結晶インゴット ８ カーボンヒーター ９ａ，９ｂ 導入ノズル
Claims (4)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法にて結晶引上げを行
い単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法におい
て、Ｃ及び／又はＣ化合物を含むガスを単独又は複合し
たＣドーピング用ガスを導入した雰囲気中でシリコン単
結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、Ａｒガス雰囲気中に
Ｃドーピング用ガスを一定流量で導入し引上げ育成後に
測定した単結晶インゴットのＣ濃度勾配をもとに、引上
げ育成時に導入ガス量を変化させて該インゴット中のＣ
濃度を一定にするシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２において、Ｃドーピング用ガス
をＡｒガスに容量比で０．０１〜５％の範囲でガス流量
を変化させるシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかにおい
て、Ｃドーピング用ガスにＣＯ、ＣＯ2、メタン、エタ
ンを単独又は複合して用いるシリコン単結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12834498A JPH11302099A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12834498A JPH11302099A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11302099A true JPH11302099A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14982495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12834498A Pending JPH11302099A (ja) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11302099A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002011196A1 (fr) * | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de fabrication de plaquette au silicium monocristallin |
| JP2002134511A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-05-10 | Sony Corp | 半導体基板の製造方法および固体撮像装置の製造方法 |
| WO2006112054A1 (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Sumco Corporation | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ |
| US7435294B2 (en) | 2005-04-08 | 2008-10-14 | Sumco Corporation | Method for manufacturing silicon single crystal, and silicon wafer |
| DE112008001201T5 (de) | 2007-05-30 | 2010-08-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Wachsenlassen eines Silizium-Einkristalls |
| US7909930B2 (en) | 2004-05-10 | 2011-03-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing a silicon single crystal and a silicon single crystal |
| JP2018500267A (ja) * | 2014-12-30 | 2018-01-11 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | インゴット界面の形状を制御することができる単結晶成長システム及び方法 |
-
1998
- 1998-04-21 JP JP12834498A patent/JPH11302099A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002011196A1 (fr) * | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de fabrication de plaquette au silicium monocristallin |
| US6805743B2 (en) | 2000-07-28 | 2004-10-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing single-crystal-silicon wafers |
| KR100815625B1 (ko) | 2000-07-28 | 2008-03-21 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법 |
| JP2002134511A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-05-10 | Sony Corp | 半導体基板の製造方法および固体撮像装置の製造方法 |
| US7909930B2 (en) | 2004-05-10 | 2011-03-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing a silicon single crystal and a silicon single crystal |
| WO2006112054A1 (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Sumco Corporation | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ |
| US7435294B2 (en) | 2005-04-08 | 2008-10-14 | Sumco Corporation | Method for manufacturing silicon single crystal, and silicon wafer |
| DE112008001201T5 (de) | 2007-05-30 | 2010-08-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Wachsenlassen eines Silizium-Einkristalls |
| JP2018500267A (ja) * | 2014-12-30 | 2018-01-11 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | インゴット界面の形状を制御することができる単結晶成長システム及び方法 |
| US10214834B2 (en) | 2014-12-30 | 2019-02-26 | Sk Siltron Co., Ltd. | Monocrystal growth system and method capable of controlling shape of ingot interface |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6228164B1 (en) | Process for producing a single crystal | |
| JP4147599B2 (ja) | シリコン単結晶及びその製造方法 | |
| EP1887110B1 (en) | Silicon single crystal manufacturing method and silicon wafer | |
| JPH11302099A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| US7226507B2 (en) | Method for producing single crystal and single crystal | |
| US7323048B2 (en) | Method for producing a single crystal and a single crystal | |
| US7204881B2 (en) | Silicon wafer for epitaxial growth, an epitaxial wafer, and a method for producing it | |
| JP3614019B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ | |
| JP3444178B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP2688137B2 (ja) | シリコン単結晶の引上げ方法 | |
| JPH11322491A (ja) | シリコン単結晶ウエ―ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ―ハ | |
| US7214268B2 (en) | Method of producing P-doped silicon single crystal and P-doped N-type silicon single crystal wafer | |
| US5704974A (en) | Growth of silicon crystal from melt having extraordinary eddy flows on its surface | |
| JP2000086392A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH11195565A (ja) | シリコンウエーハ及び結晶育成方法 | |
| JP4688984B2 (ja) | シリコンウエーハ及び結晶育成方法 | |
| JP5262257B2 (ja) | 窒素ドープシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2000239096A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| EP1666643A1 (en) | Process for producing single crystal and apparatus for single crystal production | |
| JP4360208B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| CN112080791B (zh) | 用于制备硅晶圆的方法 | |
| JP4360069B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
| KR100829061B1 (ko) | 커습 자기장을 이용한 실리콘 단결정 성장 방법 | |
| JP2002234794A (ja) | シリコン単結晶引上方法及びシリコンウェーハ | |
| US20100116195A1 (en) | Method for growing silicon single crystal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Effective date: 20040721 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 |