WO2001098823A1 - Substrat de reseau, unite d'affichage comprenant ledit substrat et procede de fabrication du susbstrat de reseau - Google Patents

Description

明 糸田 ア レイ 基板お よ びそれ を用 い た表示装置 な ら び に ア レイ 基板の製造方法—

' 技術分野

本発明 は、 走査線お よ び信号線 を 形成 し た ア レイ 基板 お よ び こ れ を用 い た表示装置な ら び に ア レイ 基板 の 製造 方法 に 関す る も の で あ る 。 背景技術

液晶表示装置 は、 通常、 対向す る 2 枚 の絶縁性基板の あ い だ に液晶な ど の表示材料が狭持 さ れ る と 共 に 、 こ の 表示材料 に選択的 に電圧が印加 さ れ る よ う に構成 さ れて い る 。 れ ら の基板の 少な く と も 一方 を 構成す る ア レイ 基板 は た と え ば T F Tな ど の ス ィ ツ チ ン グ素子お よ び こ れ と 接 さ れた画素電極があ り 、 こ の ス イ ッ チ ン グ素子 に信号 与 え る た め の走査線 （以下、 ゲー ト 線 と 称す る ） 号茅 ¾ 以下、 デー タ 線 と 称す る ） がマ ト リ ク ス 状 に 形 成 さ れて い る 。

ま た 合 に よ っ て は、 画素電極 と 保持容量 を形成す る た め の補助容量線が形成 さ れ る 場合 も あ る 。

従来 の 液晶表示装置 にお け る T F Tア レ イ 基板内 の ゲー ト 線 に つ い て 、 図 9 を 用 い て 説 明 す る 。 図 9 ( a )は従来 の ァ レィ 基板 に お け る ゲ一 ト 線 の端子部お よ び表示領域 の平面 を示 し 、 図 9 ( b )は 図 9 ( a )に お け る ゲー ト 線 の 端子部 つ い て、 矢視 G— G断面 を示 し て い る 。 図 9 に お い て 、 は絶縁性基板、 2 はゲー ト 線、 3 はゲー ト 絶縁 膜、 4 はデー タ 線、 5 は画素電極、 9 はノ° ッ シベ一 シ ョ ン膜、 10はス イ ッ チ ン グ素子 と し て の TFTの ド レイ ン電 極で あ る 。 外部信号源で あ る ド ラ イ バ IC (図示せず） か ら 出 力 さ れた信号 （走査信号）を パネ ル内 に供給す る た め に 、 図 9 に示すよ う に端子部 に お け る 端子電極 6 と ゲ一 ト 線 2 が直接 あ る い は絶縁層 中 に設 け ら れた コ ン タ ク ト ホール 8 を介 し て接続 さ れた構造 と な る 。 端子電極 6 を 設 けな い場合 も 構成上 は端子部 に な り う る が、 外部 回路 と の接続強度や接続信頼性の点か ら ゲー ト 線 2 と し て使 用 で き る 配線材料が制限 さ れた り 、 端子部 と ド ラ イ バ IC を接続す る プ ロ セ ス に 制約が加わ る な ど性能、 生産性 を 低下 さ せ る 原因 と な る 。 し た が っ て 、 端子電極 6 を 設 け る 場合が一般的 で あ り 、 こ の端子電極 6 に は ITO (Indiu m Tin Oxide)な どの透明導電膜が広 く 用 い ら れてい る 。

ま た 、 ゲー ト 線 に A1、 ゲー ト 線 の 端子電極 に ITOを 用 い た場合 に 、 ゲー ト の端子電極 と ゲー ト 線 を 接続す る た め の パ タ ー ン を 高融点金属 に よ り 設 け る 方式が特 開 平 6 一 160905号公報 に 開示 さ れて い る 。 こ れ は、 低抵抗 の ゲ 一 ト 線 を 端子部近傍 ま で延在 さ せ、 か つ 端子電極 の 直前 で切 断 し たゲー ト 線 と 端子電極 を高融点金属 を用 い て 接 続 さ せ る も の で あ る 。

一方、 画素電極 と 保持容量 を 形成す る た め の補助容量 線 を 設 け る 場合、 こ の補助容量線 に信号 を 与 え る た め の 方法が特 開平 10— 319433号公報 に 開 示 さ れて い る 。 こ れ を 図 10を 用 い て説 明す る 。 図 10 (a)は従来 の ア レ イ 基板 にお け る 補助容量線、 該補助容量線 の全て と 接続 さ れか っ デー 夕.線 と 並行 し て設 け ら れた集合補助容量線、 該集 合補助容量線 と 端子部 と を接続す る 引 き 出 し 補助容量線 お よ びそ の 端子部 の 平面 図 を 示 し 、 図 1 0 ( b )は 図 1 0 ( a ) に お け る 矢視 H— H断面 を示 し て い る 。 図 1 0にお い て 、 図 9 と 同 じ構成部分 に つ い て は同一符号 を 付 し てお り 、 1 1 は補助容量線、 1 3は補助容量線 1 1の全て と 接続 さ れ る集 合補助容量線、 1 5は前記集合補助容量線 1 3と 端子部 と を 接続す る 引 き 出 し 補助容量線、 5 は画素電極、 7 は補助 容量線 1 1と集合補助容量線 1 3と を接続する接続パター ン で あ る 。 補助容量線 1 1はゲー ト 線 2 と 同一層 の導電膜で 形成 さ れて お り 、 さ ら に こ の補助容量線 1 1は、 各配線毎 に透明 導電膜な どで形成 さ れた接続パ タ ー ン 7 に よ り 、 絶縁膜 中 に 設 け ら れた コ ン タ ク ト ホール 8 を介 し て 、 デ 一 夕 線 4 と 同一層 の導電膜で形成 さ れ る 集合補助容量線 1 3と 電気 的 導通 を と る 。 さ ら に こ の 集合補 助容量線 1 3 を 同一層で あ る 引 き 出 し補助容量線 1 5を介 し てパ ネル周 辺 ま で延在 し 、 絶縁膜中 に設 け ら れた コ ンタ ク ト ホール 8 を介 し て端子電極 6 と 導通 さ せ る こ と で外部 回路 と 接 続す る た め の 信号端子部 を形成す る 。

こ の よ う に ア レイ 基板 中 に設 け ら れた各配線 にお いて、 そ の配線抵抗が増加 し た場合、 表示面 内 に設 け ら れたス ィ ツ チ ン グ素子お よ び補助容量線 に 印加 さ れ る 信号 に遅 延が生 じ る 。 こ の遅延 に よ っ て 、 画素電極の電位が所定 の電位 に達せず、 表示面内で の輝度ム ラ な ど表示品位 を 低下 さ せ る と い う 問題点があ っ た 。

一般 に配線抵抗 は、 配線の材料、 膜厚、 配線幅お よ び 配線長 に よ り 決定 さ れ る 抵抗成分 （以下 、 引 き 回 し 抵抗 と 称す る ） と 、 配線 を構成す る 複数 の導電膜が接触する 際 に 生 じ る 抵抗成分 （以下、 コ ン タ ク ト 抵抗 と 称す る ） に依存す る 。 ま ず引 き 回 し抵抗 に 関 し て は、 抵抗率 の よ り 小 さ い材質 を用 レ る 試みがな さ れて い る 。 た と え ばァ ル ミ ニ ゥ ム （ A1) あ る い は A1合金 を用 い た 場合、 従来か ら 配線材料 と し て一般的 に使用 さ れた ク ロ ム （ Cr) に対 し て 、 同一膜厚、 同一配線幅お よ び配線長 に お い て約 1 / 5 へ の低抵抗化が期待でき る 。

一方、 コ ン タ ク ト 抵抗 につ い て は、 そ の抵抗値 は コ ン タ ク ト に 関与す る 配線 の材料 あ る い は ア レ イ 基板の 製造 プ ロ セ ス に大 き く 依存す る 。 た と え ば Crに よ り 形成 さ れ た配線 と ITO、 Sn0₂な ど の透明導電膜 を 、 50 / ni四方程 度 の コ ン タ ク ト ホール 1 個 を介 し て接触 さ せ る 場合、 そ の コ ン タ ク ト 抵抗 を 数百オー ム に抑 え る こ と は比較的容 易 で あ る 。 し 力、 し な が ら 、 A1あ る い は A1系 の合金 を配線 に用 い た と き 、 ITO膜 と の コ ン タ ク ト 抵抗 の低減 は困難 で あ る 。 50 /z m四方程度 の コ ン タ ク ト ホール 1 個 を介 し て 、 A1あ る い は A1系 の合金が透明導電膜 と コ ン タ ク ト す る 場合、 そ の コ ン タ ク ト 抵抗 は著 し く 増加 し 、 数十キ ロ オー ム 以上 と な っ て し ま う 。

こ の コ ン タ ク ト 抵抗 の増加 を レ イ ア ウ ト 上の対策で軽 減す る 手段 と し て 、 コ ン タ ク ト ホール数 を 多 く と る 、 あ る い はコ ン タ ク ト ホール径 を広 く する こ と が考 え ら れる 。 そ の た め に は両者が コ ン タ ク ト を と る 領域 を広 く と る 必 要が あ る 。 し カゝ し なが ら 、 た と え ば端子部 に お い て は、 最近 の画面高精細化 に伴い端子部 の狭 ピ ッ チ化 （ た と え ば、 端子 ピ ッ チ は 60 μ m程度） がすす み、 端子 1 個 あ た り の面積が減少す る 傾向 に あ る 。 端子部で の コ ン タ ク ト 抵抗 は、 配線抵抗 の 1 / 10以下程度 にす る こ と が望 ま し い が、 それ を 実現する た め に必要な コ ン タ ク ト ホール数 あ る い は コ ン タ ク 卜 ホール径 を 各端子部毎 に形成す る こ と は、 実際 上困難 と な っ て い る 。

つ ま り 、 配線の抵抗低減 を 図 る た め 、 そ の配線材料 に 低抵抗材料 を 用 い る こ と で引 き 回 し抵抗 を下 げて も 、 コ ン 夕 ク ト 抵抗が増加す る こ と で、 配線抵抗全体は逆 に増 加す る 結果 に な る 。 と く に端子部領域 は上述 し た よ う に コ ン タ ク ト に寄与で き る 面積が狭 く 、 コ ン タ ク ト 抵抗 の 増加が顕著で あ る 。

し か し な が ら 、 前述 の従来技術で は い ずれ も コ ンタ ク ト 抵抗増加 に対す る 対策が充分でな い 。 ま ず、 一般 に A1 系 の金属が 関与す る コ ン タ ク ト 抵抗は大 き く な る 傾 向 に あ る が、 特 開平 6— 1 6 0 9 0 5号公報 に 開 示 さ れ る 技術で は ゲー ト 端子電極近傍で A 1系 の金属が関与 し た コ ン タ ク ト を 発生 さ せ る た め 、 そ の低抵抗化 は容易 で な い 。 と く に 構造上 A 1と I T Oを導通 さ せ る 必要があ る 場合は、 前述 の よ う に コ ン タ ク ト 抵抗 の増加が著 し い 。 ま た該公報 に 開 示 さ れた技術で は、 補助容量線 と 端子電極の接続に 関 し て も ゲー ト 線 と 同様の方式が示 さ れて お り 、 や は り 端子 部で の コ ン タ ク ト 抵抗増加が生 じ る 。

一方補助容量線 を設 け、 該補助容量線の全て と 接続 さ れた集合補助容量線 を設 け る 方式 につ い て も 、 上述 の特 開平 1 0— 3 1 9 4 3 3号公報 に 開示 さ れて い る 構造の場合、補 助容量線 を 構成す る 材料 あ る い は集合補助容量線 と 透明 導電膜 と の コ ン タ ク ト 抵抗 に起 因す る 補助容量線の配線 抵抗 の 増加が生 じ る 。 補助容量線 と そ の集合補助容量線 は、 該公報 の 図 1 に 開 示 さ れて い る よ う に表示領域近傍 で変換 さ れて い る が、 こ の場合は表示領域 にお け る ゲー ト 線の ピ ッ チ （た と え ば、 2 0 0 μ m程度） に依存 し 、 端子 部領域 に 比 べて数倍広 い面積 を確保で き る た め 、 コ ン 夕 ク ト ホール の数 あ る い はホール径 を 増やすな ど の対応 に よ り 、 端子部領域で の コ ン タ ク ト に 比べて低抵抗化が可 能で あ る 。 し か し なが ら 、 行反転駆動時 に補助容量線の 信号の遅延 に よ り 生 じ る ク ロ ス ト ー ク な ど の表示不 良へ の対策上、 補助容量線 と 集合補助容量線 と の接続部 に要 求 さ れ る 抵抗 は、 前述 のゲー ト 線 に お い て要求 さ れ る コ ン タ ク ト 抵抗 に 比べ、 一層 の 低抵抗化が必要 と な る 。 し か し な が ら 、 前記構造 に お い て は、 補助容量線 と 集合補 助容量線 と の コ ン タ ク ト 抵抗 を 、 上記表示不良 を抑制可 能な数十オー ム レ ベル に低抵抗化す る こ と が困難で あ る と い う 問題点 を有 し て い た。

本発明 は上記 問題点 に鑑みて な さ れた も の で あ っ て 、 と く に低抵抗が要求 さ れ る 配線の抵抗 を低減可能 と し 、 表示品位 に優れた表示装置 を 提供す る こ と を 目 的 と し て い る 。 発 明 の 開示

本発明 の第 1 の ア レイ 基板 は、 複数 の画素電極が形成 さ れた表示領域 と 、 該画素電極間 に配設 さ れた ゲー ト 線 (走査線） と 、 該ゲー ト 線 （走査線） と 絶縁膜 を介 し て 交差す る デー タ 線 （信号線） と 、 走査信号が入力 さ れ る 端子部 と 、 前記ゲー ト 線 （走査線） と は異な る 層 の 導電 膜で形成 さ れかつ 前記ゲー ト 線 （走査線） と 前記端子部 と を電気的 に接続す る 引 き 出 し 走査線 と を備え た こ と を 特徴 と す る も の で あ る 。

本発明 の第 2 の ア レイ 基板 は、 上記第 1 の ア レ イ 基板 に お い て 、 前記ゲー ト 線 （走査線） と 並行 し て配設 さ れ た補助容量線 と 、 前記デー タ 線 （信号線） と 並行 し て配 設 さ れかつ 前記補助容量線 と 電気的 に接続 さ れた集合補 助容量線 と 、 共通信号が入力 さ れ る 端子部 と 、 前記集合 補助容量線 と は異な る 層 の導電膜で形成さ れかつ前記集 合補助容量線 と 前記共通信号が入 力 さ れ る 端子部 と を電 気的 に接続す る 引 き 出 し 補助容量線 と を さ ら に備 え た こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の 第 3 の ア レ イ 基板 は 、 複数 の画素電極が形成 さ れた表示領域 と 、 該画素電極間 に配設 さ れたゲー ト 線 (走査線） と 、 該ゲー ト 線 （走査線） と 並行 し て配設 さ れた補助容量線 と 、 前記ゲ一 卜 線 （走査線） お よ び補助 容量線 と絶縁膜を 介 し て交差す る デー タ 線 （信号線） と 、 該デー タ 線 （信号線） と 並行 し て配設 さ れかつ 前記補助 容量線 と電気的 に接続 さ れた集合補助容量線 と 、 共通信 号が入力 さ れ る 端子部 と 、 前記集合補助容量線 と は異な る 層 の 導電膜で形成 さ れかつ 前記集合補助容量線 と 前記 端子部 と を 電気的 に接続す る 引 き 出 し 補助容量線 と を備 え た こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の 第 4 の ア レイ 基板 は、 上記第 1 ま た は 2 の ァ レ イ 基板に お い て 、 前記 引 き 出 し 走査線は前記デー タ 線 (信号線） と 同一層 の 導電膜で形成 さ れた こ と を特徴 と す る も ので あ る 。

本発 明 の 第 5 の ア レ イ 基板 は、 上記第 1 ま た は 2 の ァ レ イ 基板 に お い て 、 前記引 き 出 し 走査線は前記画素電極 と 同一層 の導電膜で形成 さ れた こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の第 6 の ア レイ 基板は、 上記第 4 ま た は 5 の ァ レイ 基板に お い て 、 前記 引 き 出 し 走査線は、 前記表示領 域 の近傍お よ び前記走査信号が入 力 さ れ る 端子部 の 近傍 に お い て、 それぞれ前記ゲ一 ト 線 （走査線） お よ び前記 走査信号が入力 さ れ る 端子部 と 接続 さ れて い る こ と を特 徵 と す る も の で あ る 。

本発 明 の第 7 の ア レイ 基板は、 上記第 2 ま た は 3 の ァ レイ 基板 に お い て、 前記 引 き 出 し 補助容量線は前記デ一 タ 線 （信号線） と 同一層 の導電膜で形成 さ れた こ と を特 徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の第 8 の ア レイ 基板は、 上記第 2 ま た は 3 の ァ レイ 基板 にお い て 、 前記引 き 出 し補助容量線は前記画素 電極 と 同一層 の 導電膜で形成 さ れた こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の第 9 の ア レイ 基板は、 上記第 7 ま た は 8 の ァ レイ 基板 に お い て 、 前記引 き 出 し補助容量線は、 前記表 示領域の近傍お よ び前記共通信号が入力 さ れ る 端子部 の 近傍 に お い て、 それぞれ前記集合補助容量線お よ び前記 共通信号が入力 さ れ る 端子部 と 電気的 に接続 さ れて い る こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の 第 1 0の ア レ イ 基板 は、 上記第 2〜 9 の い ずれ か の ア レイ 基板 に お い て 、 前記補助容量線お よ び前記集 合補助容量線は、 前記走査線 と 同一層 の 導電膜で形成 さ れた こ と を特徴 と す る も ので あ る 。

本発 明 の 第 1 1の ア レ イ 基板 は、 上記第 2 、 4〜 1 0の い ずれか の ア レイ 基板 に お い て 、 前記集合補助容量線 と 前 記引 き 出 し走査線は絶縁膜を介 し て交差 し て い る こ と を 特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の第 1 2の ア レ イ 基板 は、 上記第 1〜1 1の いずれ か の ア レイ 基板 に お い て 、 前記ゲー ト 線 （走査線） の材 料 と し て 、 ア ル ミ ニ ウ ム ま た は ア ル ミ ニ ウ ム の合金 を用 い る こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の 第 1 3の ア レ イ 基板は、 上記第 1〜 1 1の いずれ か の ア レイ 基板 に お い て 、 前記ゲー ト 線 （走査線） の材 料 と し て、 一部 ま た は全部 を窒化 し た ア ル ミ ニウ ム ま た は一部 ま た は全部 を窒化 し た ア ル ミ ニ ウ ム の 合金 を 用 い る こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の 第 1 4の ア レ イ 基板は、 上記第 1〜 1 3の い ずれ か の ア レイ 基板 に お い て 、 前記デー タ 線 （信号線） の材 料 と し て 、 C rま た は M oな ど の 高融点金属 を 用 い る こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の第 1 5の ア レ イ 基板 は、 上記第 1 、 2 、 4〜1 4 の い ずれか の ア レ イ 基板 に お い て 、 前記ゲー ト 線 （走査 線） と 前記引 き 出 し 走査線は、 前記画素電極 と 同一層 の 導電膜 に よ り 電気的 に 接続 さ れ る こ と を 特徴 と す る も の で あ る 。

本発明 の第 1 6の ァ レ イ 基板は、 上記第 2 〜 1 5の いずれ か の ア レイ 基板 に お い て、 前記集合補助容量線 と 前記引 き 出 し 補助容量線 と は、 前記画素電極 と 同一層 の導電膜 によ り 電気的 に接続 さ れる こ と を特徴 とする も ので あ る 。

本発 明 の第 1 7の ア レイ 基板 は、 上記第 1 、 2 、 4〜1 6 の い ずれか の ア レイ 基板 に お い て 、 前記ゲー ト 線 （走査 線） と 前記引 き 出 し 走査線 と の 接続部 に お い て、 該ゲー ト 線 （走査線） と 該引 き 出 し 走査線が重畳 し た領域で、 該ゲー ト 線 （走査線） ま た は該引 き 出 し 走査線の い ずれ か一方 を格子状 ま た は梯子状 に 形成 し た こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の 第 1 8の ア レ イ 基板 は、 上記第 2〜 1 7の いずれ か の ア レイ 基板 に お い て 、 前記集合補助容量線 と 前記引 き 出 し補助容量線 と の接続部 に お い て 、 該集合補助容量 線 と 該引 き 出 し 補助容量線が重畳 し た領域で 、 該集合補 助容量線 ま た は該引 き 出 し補助容量線の いずれか一方 を 格子状 ま た は梯子状 に 形成 し た こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発 明 の 第 1 の ^： ポ ϊ¾置 は 、 上記第 1 1 8の い ずれか の ァ レィ 基板 と 、 少な く と も 共通電極お よ びカ ラ 一 フ ィ ルタ を具備す る 対向基板 と の あ い だ に液晶が配設 さ れて な る こ と を特徴 と す る も の で あ る 。

本発明 の 第 1 の ア レ イ 基板 の製造方法は、 導電膜 を堆 積 し画 極間 に配設 さ れ るゲ— ト 線 （走查線 ) を 形成

、

す る ェ程 と 、 刖 Bel 7 一 卜 線 （走查線） と は異な る 層 の 導 電膜を堆積 、 m記ゲ一 ト 線 （走査線） と 走査信号が入 力 さ れ る 子部 と を接続す る 配線で あ る 引 さ 出 し 走査線 を形成す る 工程 と、 m ゲー ト 線 （走査線） と IU Βΰ 引 さ 出 し 走査線 と の あ い だ に配設 さ れ、 該ゲ '一 卜 線 (走査線） と 該引 き 出 し 走査線 と を絶縁す る 絶縁膜 を形成す る 工程 と を備 え た こ と を特徴 と す る も の で あ る

本発明 の第 2 の ア レ イ 基板の 製造方法は、 導電膜 を堆 積 し 、 画素電極間 に配設 さ れた ゲ一 卜 線 (走査線ノ 、 該 ゲー ト 線 （走査線 ) と 並行 に配設 さ れた補助容 あ よ び該補助容量線 と 接続 さ れた集合補助容量線 を形成す る 工程 と 、 m 記ゲ一 ト 線 （走査線 ) 、 補助 お よ び集 合補助 線 と は異な る 層 の導電膜を堆積 し 、 前記集合 補助容 と 共通信号が入力 さ れ る 端子部 と を接続す る 配線で あ る 引 さ 出 し補助容量線 を 形成す る 工程 と、 刖記 ゲー ト 線 （走査線 ) 、 刖記補助谷直線お よ び刖記集合補 助容量線 と m記 引 さ 出 し 助容量線 と の あ い だ に配設 さ れ、 該ゲー ト 線 （走査線） 、 該補助容量線お よ び該集合 補助容量線 と 該 引 き 出 し補助容量線 と を絶縁す る 絶縁膜 を形成する 工程 と を備 えた こ と を特徴 とする も ので あ る 。 図面の簡単な説明

1 は、 本発 明 の第 1 の実施の 形態 に お け る 、 引 き 出 し 走査線 （ゲー ト 線） の端子部 を 示す図で あ る 。

図 2 は、 本発 明 の第 1 の実施 の形態 に お け る 、 表示領 域近傍 の ゲー ト 線 と 引 き 出 し 走査線 と の接続部 を 示す 図 で あ る 。

図 3 は、 本発 明 の第 2 の実施 の形態 に お け る 、 引 き 出 し補助容量線 （補助容量線） の端子部 を 示す 図で あ る 。

図 4 は、 本発 明 の第 2 の実施 の形態 に お け る 、 表示領 域近傍 の集合補助容量線 と 引 き 出 し 補助容量線 と の 接続 部 を示す 図で あ る 。

図 5 は、 本発 明 の第 3 の実施の形態 を 説明す る 図で あ る 。

図 6 は、 本発明 の第 4 の実施 の形態 を 説明 す る 図で あ る 。

図 7 は、 本発 明 の第 5 の実施 の形態 に お け る 、 ゲー ト 線 と 引 き 出 し 走査線 と の接続部 を示す図で あ る 。

図 8 は、 本発明 の第 5 の実施 の 形態 に お け る 、 ゲー ト 線 と 引 き 出 し 走査線 と の接続部 を 示す 図で あ る 。

9 は、 従来 の ア レイ 基板 に お け る ゲー ト 線の端子部

¾ よ び表示領域 を 示す 図で あ る 。

図 1 0は、 従来 の ア レイ 基板 に お け る 補助容量線 、 集合 補助容量線、 引 き 出 し 補助容量線お よ び端子部の平面 図 で あ る 。 発明 を実施す る た め の 最良 の 形態 実施の形態 1

図 1 お よ び図 2 は本発明 の第 1 の実施の形態で あ る ァ レイ 基板 の 構造 を 示す 図で あ る 。 図 1 (a)は、 引 き 出 し 走査線 （ゲー ト 線） の 端子部 の 平面 図で あ り 、 図 1 ( b ) は、 図 1 (a)の矢視 A — A 断面 を表わ し て い る 。 図 2 (a) は、 画素電極が形成 さ れた表示領域近傍 の 、 ゲー ト 線 と 引 き 出 し走査線 と の接続部付近 の平面 図で あ り 、図 2 (b) は、 図 2 (a)の矢視 B — B 断面 を あ ら わ し て い る 。

図 に お い て 1 は絶縁性基板、 2 はゲー ト 線 （走査線） 、 3 は第 1 層 の絶縁膜 （ゲー ト 絶縁膜） 、 4 はデー タ 線、 5 は画素電極、 6 は端子電極、 7 はゲー ト 線 2 と 引 き 出 し 走査線 14と を 接続す る た め の接続パ タ ー ン 、 8 は第 1 層 の絶縁膜 中 ま た は第 1 層、 第 2 層 の絶録膜 中 に 設 け ら れた コ ン タ ク ト ホール、 9 は第 2 層 の絶縁膜 （パ ッ シべ — シ ヨ ン膜） 、 14はデー タ 線 と 同一工程で形成 さ れ る 引 き 出 し 走査線 を 示す。 図 1 の よ う に 、 引 き 出 し 走査線 14 の端子部 に お け る 端子電極 6 に よ っ て、 外部信号源で あ る ド ラ イ バ I C ( 図示せず） か ら ゲー ト 線 2 に 、 画素 を 走 査 さ せ る た め の 信号 （走査信号） を入力 す る 。

以下 に 、 本発明 の第 1 の実施の形態 で あ る ア レ イ 基板 の製造方法 を 説明す る 。 ま ず絶縁性基板 1 の上 に 、 第 1 層 の導電膜 を成膜す る 。 第 1 層 の 導電膜 と し て はた と え ば Al、 Cr、 銅 （ Cu) 、 タ ン タ ル （ Ta) 、 モ リ ブデ ン （ M o) や 、 こ れ ら に他 の 物質 を添加 し た合金 な どか ら な る 薄膜が用 い ら れ る 。 第 1 層 の導電膜は後述 の よ う に ゲ一 ト 線 2 と し て用 い ら れ る た め で き る だ け抵抗率の 小 さ い こ と が望ま し い 。 つ ぎに第 1 の写真製版工程 に よ り 第 1 層 の導電膜を パ タ 一 ニ ン グす る こ と でゲー ト 線 2 を 形成 す る 。 こ こ で 、 表示領域近傍 に お い て は 、 図 2 (a)に 示 すよ う に 、 ゲー ト 線 2 と 引 き 出 し 走査線 14と の接続部 は 隣接す る パ タ ー ン と 短絡 し な い程度 に 、 可能な限 り 大き な面積 を有す る よ う 形成 さ れ る 。 そ し て 、 こ の第 1 層 の 導電膜上 の一部 に は、 後述 の 工程で ド ラ イ エ ッ チ ン グ処 理 に よ り 絶縁膜 中 に コ ン タ ク ト ホール 8 が形成 さ れ、 こ の コ ン タ ク ト ホ ール 8 を介 し て導電膜が コ ン タ ク ト を と る 構造 を と る 。

つ ぎ に プ ラ ズマ CVDな ど の 成膜装置 を用 い て 、 第 1 層 の絶縁膜 （ゲー ト 絶縁膜） 3 、 半導体膜 （図示せず） 、 ォー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜 （図示せず） を連続形成す る 。 ゲー ト 絶縁膜 と して用 い ら れる第 1 層 の絶縁膜 と しては、 SiNx、 SiOx、 SiOxNyや こ れ ら の積層膜が用 い ら れ る 。 半導体膜 は ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン （ i一 _a一 _{S i}) 、 ポ リ シ リ コ ン （ i_p_ Si) が用 い ら れ る 。 さ ら に ォー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜に は a— Si膜や p— Si膜に リ ン （ P) な ど を 微量 に ド ー ピ ン グ し た n— a— S i、 n _ p _ S iが用 い ら れ る 。 そ し て第 2 の写真製版工程 に よ り 半導体膜お よ びォー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜 を ド ラ イ エ ッ チ ン グな ど の手法 を用 い て エ ッ チ ン グす る 。

つ ぎに 、 第 2 層 の 導電膜を 成膜す る 。 第 2 層 の 導電膜 と し て は Cr、 Mo、 Ta、 A1や こ れ ら に 他 の 物質 を 微量 に 添加 し た合金な どか ら な る 薄膜、 異種の金属膜を積層 し た も の 、 あ る い は膜厚方向 に組成 の異な る も の を 用 い る こ と がで き る 。 第 2 層 の導電膜上 の一部 に は後述 の 工程 で第 3 の 導電性薄膜が形成 さ れ電気的導通 を と る た め 、 第 2 層 の導電膜は、 少な く と も 第 3 層 の導電膜 と 接す る 領域 に お いて第 3 層 の 導電膜 と の コ ン タ ク ト 抵抗が低 い 材質 で あ る 必要が あ る 。 た と え ば第 3 層 の導電膜 に I T O を 用 い る 場合 、 第 3 層 の 導電膜 と 接す る 領域 は C r、 M o で構成す る こ と が適 当 で あ る 。 そ の の ち 、 第 3 の 写真製 版工程で前記第 2 層 の導電膜を パ タ ー ユ ン グ し 、 デ一 夕 線 4 、 ド レイ ン電極 1 0、 お よ び表示領域近傍か ら 端子部 近傍 にわ た る 引 き 出 し 走査線 1 4を形成す る 。 こ の 引 き 出 し 走査線 1 4は表示領域近傍 と 端子部近傍 にお い て 、 後述 す る 第 3 層 の導電膜に よ り 導通す る 構造 を と る 。

そ の の ち プ ラ ズマ C V Dな ど の 成膜装置 を用 いて第 2 層 の絶縁膜 （パ ッ シベー シ ョ ン膜） 9 を成膜す る 。 そ し て 、 第 4 の写真製版工程 と ド ラ イ エ ッ チ ン グな ど に よ り 第 1 層 の絶縁膜中 ま た は第 1 層、 第 2 層 の絶縁膜 中 に コ ン タ ク 卜 ホール 8 を 形成す る 。 こ の と き 、 表示領域近傍 の ゲ ー ト 線接続部上 に は、 ゲー ト 端子部 に 比べ多 く の コ ン タ ク ト ホール数 あ る い は広 い コ ン タ ク ト 面積 を有す る よ う コ ン タ ク ト ホール を 設 け る こ と がで き る 。 つ ぎに ス パ ッ 夕 リ ン グな ど の方法で第 3 層 の 導電膜を 成膜す る 。 第 3 層 の導電膜は、 透過型表示装置 の 場合は I T Oな ど の 透 明 導電膜 を用 い 、 反射型表示装置で は C rな ど の不透 明金属 膜を用 い る 。 こ の第 3 層 の導電膜 を写真製版お よ びエ ツ チ ン グ処理す る こ と に よ り 、 ゲー ト 線 2 と 引 き 出 し 走査 線 1 4を 接続す る 接続パ タ ー ン 7 、 端子電極 6 、 画素電極 5 を形成す る 。 こ の接続パ タ ー ン を 介 し て、 ゲ一 ト 線 2 と 引 き 出 し走査線 1 4が表示領域近傍 にお いて電気的 に導 通す る 。

以上 の よ う に本実施 の 形態 に よ れ ば、 従来 の方式 にお い て、 ゲー ト 線 に端子電極 と の コ ン タ ク ト 抵抗が著 し く 増加す る 材料 を用 い た場合 に 生 じ た配線抵抗 の 増加が抑 制 さ れ、 表示領域内 に形成 さ れた ス イ ッ チ ン グ素子 に 印 加 さ れ る 走査信号 の遅延 を軽減可能な ァ レイ 基板が作成 で き る 。 し たが っ て本実施 の形態 に よ る ア レイ 基板 を用 い る こ と に よ り 、 た と え ば該ア レイ 基板 と 、 少 な く と も 共通電極お よ びカ ラ ー フ ィ ルタ を備 え た対向基板 と の あ い だ に液晶 を配設 し た表示装置 にお い て 、 走査信号遅延 に起 因 し て生 じ る ム ラ な ど の発生 を抑え 、 表示品位 に優 れた表示装置 を得 る こ と が可能 と な る 。

ま た 、 本実施 の形態で は、 引 き 出 し走査線 を ゲー ト 線 (本実施 の 形態 にお い て は第 1 層 の導電膜で形成） と は 異な る 層 （本実施 の形態 に お い て は第 2 層 の導電膜） で 形成 し て い る の で、 ゲ一 ト 線 に A1ま た は A1合金 を 用 い た 場合 に問題 と な る I T Oと の コ ン タ ク ト 抵抗増加 の影響 を、 コ ン タ ク ト に 関与す る 領域の面積 を表示領域近傍で大き く と る こ と で さ ら に抑制 し 、 配線抵抗 の 一層 の低抵抗化 が可能 と な る 。

さ ら に 、 A 1ま た は A 1合金 を用 い てゲー ト 線 を形成 し た 場合、 そ の ゲー ト 線表面 を窒化処理す る こ と で、 そ の の ち の工程 中 に お け る 表面酸化 の進行 に よ る コ ン タ ク ト 抵 抗増加 を 抑制す る こ と が可能 と な る 。

ま た、 本実施の 形態 にお け る 構造 は、 補助容量線 を 用 い た ア レ イ 基板お よ び補助容量線 を 用 い ず隣接ゲー ト 線 と 画素電極 と の あ い だで補助容量 を形成す る C sオ ンゲ一 ト 方式 の ア レイ 基板な ど に 限定 さ れ る も の で はな く 、 ゲ 一 ト 線を 用 い て駆動す る あ ら ゆ る 表示装置 に適用 可能で あ る の は も ち ろ んで あ る 。 た と え ばパ ッ シ ブ型 の表示装 置 に お け る コ モ ン線な ど に適用 し て も よ い 。 ま た上記で は、 引 き 出 し 走査線 を端子電極お よ び画素 ま た はゲー ト 線の い ずれ と も 異な る 工程で形成 し た が、 引 き 出 し 走査線の抵抗増加が許容 さ れる 範囲で あ れ ば、 引 き 出 し走査線を端子電極お よ び画素電極 と 同 一 の 工程で形成す る こ と も 可能で あ る 。 こ の場合、 ゲー ト 線 と 引 き 出 し走査線 と の 接続は、 そ の層構成 に よ り 、 絶縁 膜中 に 形成 し た コ ン タ ク ト ホール を介す る 場合 と 、 コ ン 夕 ク ト ホール を介 さ ず直接重畳 し て導通 を と る （直接 コ ン タ ク ト ） 場合 と があ る 。 こ の両者 の場合 に お い て も 、 表示領域近傍 に お いて 、 そ の コ ン タ ク ト ホールの数 を増 やす ま た は面積 を大き く と る 、 あ る い は直接 コ ン タ ク ト の面積 を大き く と る こ とで上述 と 同様の効果が得 ら れる 。 実施の 形態 2

図 3 お よ び図 4 は、 本発明 の第 2 の実施の形態で あ る ア レイ 基板の構造 を示す図で あ る 。

図 3 ( a )は 、 引 き 出 し 補助容量線 （補助容量線） の 端 子部の平面 図で あ り 、 図 3 ( b )は、 図 3 ( a )の 矢視 C一 C断 面 を 表 わ し て い る 。 図 4 ( a )は、 表示領域近傍 の 、 補 助 容量線 と 引 き出 し補助容量線 と の接続部 の平面図であ り 、 図 4 ( b )は、 図 4 ( a )の 矢視 D— D断面 を あ ら わ し て レ^ る 。

図 に お い て 、 第 1 の 実施の形態 と 同 じ 構成部分 に つ い て は同一 の符号 を 付 し てお り 、 1 1は補助容量線、 1 2は補 助容量用 絶縁膜、 1 3は補助容量線 1 1の全て と 接続 さ れた 集合補助容量線、 1 5はデー タ 線 4 と 同一工程で形成 さ れ る 引 き 出 し補助容量線、 8 は第 1 層 〜第 3 層 の絶縁膜中 に設 け ら れた コ ン タ ク ト ホール、 9 は第 3 層 の絶縁膜（パ ッ シベー シ ヨ ン膜） を 示す。 図 3 に示す よ う に 、 引 き 出 し補助容量線 1 5の端子部 にお け る 端子電極 6 に よ っ て、 外部信号源で あ る ド ラ イ バ I C (図示せず） か ら 補助容量 線 1 1、 集合補助容量線 1 3お よ び引 き 出 し 補助容量線 1 5 に信号 （共通信号） を入力 す る 。

以下 に 、 本発明 の第 2 の実施の形態 で あ る ア レイ 基板 の製造方法 を 説明する 。 ま ず絶縁性基板 の上 に 、 第 1 層 の導電膜を成膜す る 。 第 1 層 の 導電膜 と し て はた と え ば A l、 C r、 C u、 T a、 M oや 、 こ れ ら に他 の物質 を添加 し た 合金な どか ら な る 薄膜が用 い ら れ る 。 第 1 層 の導電膜は 補助容量線 1 1お よび集合補助容量線 1 3と し て用 い ら れる た め 、 で き る だ け抵抗率 の 小 さ い こ と が望 ま し い 。 つ ぎ に第 1 の写真製版工程 に よ り 第 1 層 の導電膜を パ タ ー 二 ン グす る こ と で補 助容量線 1 1お よ び集合補 助容量線 1 3 を形成す る 。 こ こ で 、 集合補助容量線 1 3は表示領域近傍 にお い て 、 隣接パ タ ー ン と 短絡 し な い程度でかつ 引 き 出 し 補助容量線 1 5 と の 接続部 に お い て コ ン タ ク ト 抵抗 を 低減可能な程度 に大 き な面積 を有す る よ う 形成 さ れ る 。 そ し て 、 こ の第 1 層 の導電膜上 の一部 に は、 後述の 工程 で ド ラ イ エ ッ チ ン グ処理 に よ り 絶縁膜中 に コ ン タ ク ト ホ ール 8 が形成 さ れ、 こ の コ ン タ ク ト ホール 8 を介 し て導 電膜が コ ン タ ク ト を と る 構造 を と る 。

つ ぎに プ ラ ズマ C V Dな ど の 成膜装置 を用 い て 、 補助容 量用 の絶縁膜 1 2を 設 け る 。 さ ら に そ の の ち 、 第 2 層 の 導 電膜 を 成膜す る 。 第 2 層 の 導電膜 と し て は C r、 M o、 T a や こ れ ら に他の物質 を微量 に添加 し た合金な どか ら な る 薄膜、 異種の金属膜を積層 し た も の 、 あ る い は膜厚方 向 に組成 の異な る も の を用 い る こ と がで き る 。 つ ぎに第 2 の写真製版工程 に よ り 第 2 層 の 導電膜 を パ タ ーエ ン グす る こ と でゲー ト 線 2 を形成す る 。さ ら に ゲー ト 絶緣膜 3 、 半導体膜 （図示せず） 、 ォー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜 （図示 せず） を連続形成す る 。 ゲー ト 絶縁膜 と し て は、 SiNx、 SiOx、 SiOxNyや こ れ ら の積層膜が用 い ら れ る 。 半導体 膜は ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン （ i— a— S i ) 、 ポ リ シ リ コ ン ( i-p- Si) が用 レ ら れ る 。 さ ら に ォ ー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜に は a— S i膜や p— S i膜 に リ ン な ど を 微量 に ド ー ピ ン グ し た n— a— Si、 n— p— Siが用 い ら れ る 。 そ し て第 3 の 写真製版工程 に よ り 半導体膜お よ びォー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜を ド ラ イ エ ッ チ ン グな ど の 手法 を用 いて エ ッ チ ン グ する 。

つ ぎ に 、 第 3 層 の導電膜を 成膜す る 。 第 3 層 の 導電膜 と し て は Cr、 Mo、 Ta、 A1や こ れ ら に他 の 物 質 を 微量 に 添加 し た合金な どか ら な る 薄膜、 異種の 金属膜を積層 し た も の 、 あ る い は膜厚方向 に組成 の異な る も の を用 い る こ と がで き る 。 第 3 層 の 導電膜上 の一部 に は後述の 工程 で第 4 の 導電性薄膜が形成さ れ電気的導通 を と る た め 、 第 3 層 の導電膜は、 少な く と も 第 4 層 の導電膜 と 接す る 領域 に お い て第 4 層 の導電膜 と の コ ン タ ク ト 抵抗が低い 材質で あ る 必要が あ る 。 た と え ば第 4 層 の導電膜 に ITO な ど を用 い る 場合、 第 3 層 の導電膜 と 接す る 領域 は Cr、 M oな ど の高融点金属で構成す る こ と が適 当 で あ る 。 つ ぎ に第 4 の写真製版工程で前記第 3 層 の導電膜を パ タ ー 二 ン グ し 、 デー タ 線 4 、 ド レイ ン電極 10、 お よ び表示領域 近傍か ら 端子部近傍 にわた る 引 き 出 し補助容量線 15を形 成す る 。 上記引 き 出 し補助容量線 15は表示領域近傍お よ び端子部近傍で第 4 層 の導電膜 と 導通す る こ と がで き る よ う に レイ ァ ゥ 卜 さ れ る 。

つ ぎに プ ラ ズマ CVDな ど の成膜装置 を用 い て パ ッ シベ ー シ ョ ン膜 と な る 絶縁膜を成膜す る 。 そ の の ち 、 第 5 写真製版ェ程 と ド ラ イ エ ツ チ ン グな ど に よ り 補助 絶縁膜 1 2、 ゲ一 ト 絶縁膜 3 、 パ ッ シベー シ ヨ ン膜 9 の 縁膜中 に コ ン 夕 ク ト ホ ール 8 を 形成する 。 こ の と さ 、 示領域近傍 の集合補助容量線 1 3上 には可能な限 り 多 く コ ン タ ク 卜 ホール数 を 設 け る か広 い面積 を有す る コ ン ク 卜 ホ一ル を 設 け る 。 つ ぎに ス パ ッ タ リ ン グな ど の 方 で第 4 層 の 導電膜 を成膜す る 。 第 4 層 の導電膜は 、 7 型表示 の 場合 は Ι Τ Οな ど の透明 導電膜 を 用 い 、 反 型表示 で は C rな ど の不透明金属膜を用 い る 。 こ の 4 層 の 膜 を 写真製版お よ びエ ッ チ ン グ処理す る に よ り 、 接続パ タ ー ン 7 、 端子電極 6 、 画素電極 5 を 成す る の 接続パ タ ー ン 7 を介 し て集合補助容 量線 と 引 さ 出 し補助容量線 1 5が表示領域近傍 にお いて に導通す る

以上の う に本実施 の形態 に よ れ ば捕助容量線 と 集 補助容 が同 一工程 で形成 さ れ る こ と で、 従来 の構 にお い て 、 補助容量線 と集合補助容量線 と の あ い だ に;^表用絶過合介作法射第造量な形のタ的よののよをと 在 し た抵抗 を な く し 、 かつ端子部で の 引 き 出 し 補助容 線 と 端子電極 間 の コ ン タ ク ト 抵抗 を 低減で き る 。 以上 効果 に よ り 共通信号の 遅延 を軽減可能な ア レイ 基板が 成で き る 。

ま た 実施 の形態 に よ る ア レ イ 基板 を用 い る こ と に り 、 た と え ば該 ア レイ 基板 と 、 少な く と も 共通電極お びカ ラ 一 フ ィ ル 夕 を備 え た対向基板 と の あ い だ に液晶 配設 し た表示装置 にお いて、 共通信号遅延 に よ る ム ラ ど の発生 を抑制 し 、 表示品位 に優れた表示装置 を得 る と が可能 と な る 。 ま た 、 本実施 の形態 の よ う に 引 き 出 し 補助容量線 を 、 補助容里 よ び集合補助容量線 （本実施 の 形態 に お い て は第 1 層 の 膜で形成） と は異な る 層 （本実施 の形 態 にお い て は第 3 層 の導電膜） で形成 し て い る の で 、 補 助 線お よび集合補助容量線 に A1ま た は A 1合金 を 用 い た 场 口 に 問題 と な る I T Oと の コ ン タ ク ト 抵抗増加 の影響 を 、 3 ン タ ク 卜 に 関与す る 領域 の面積 を 表示領域近傍で 大 さ く と る こ と で さ ら に抑制 し 、 配線抵抗 の 一層 の低抵 抗化が可能 と な る

さ ら に A 1ま た は A 1合金 を用 い て形成 し た補助容量線お よ び集合補助 線表面 を窒化処理す る こ と で、 そ の の ち のェ程 中 に お け る 表！] 酸化 の進行 に よ る コ ン 夕 ク ト 抵 抗増加 を抑制す る こ と が可能 と な る 。

ま た 上記で は、 端子電極お よ び画素電極 ま た は集合補 助 線の いずれ と も 異な る ェ程で引 き 出 し 補助容重線 を形成 し た例 に つ い て示 し た が、 引 さ 出 し補助容量線の 抵抗増加が許容 さ れ る 範囲で あ れば、 引 き 出 し補助容量 ¾子電極お よ び画素電極 と 同一のェ程で形成す る こ と も 可能で あ る な ど 、 実施の 形態 1 と 同様の効果 を 奏す る

施の 形態 3

図 5 は本発明 の第 3 の実施 の形態で あ る ア レイ 基板の 造 を 示す 図 で あ り 、 図 5 ( a )は表示領域近傍 の 、 補 助 量線お よ び集合補助容量線 と 引 き 出 し 補助容量線 と の 続部 の 平面 図 、 図 5 ( b )は 引 き 出 し 補助容量線 （補助 量線） の 端子部 の 平面 図で あ る 。 図 5 ( b ) に示す よ う 、 引 き 出 し補助容量線の端子部 に お け る 端子電極 6 に よ つ て 、 外部信号源で あ る ド ラ イ バ I C ( 図示せず） か ら 補助容量線 11に共通信号 を入力 す る 。

以下 に 、 本発 明 の第 3 の実施の形態 で あ る ア レイ 基板 の 製造方法 を説明す る 。 まず絶縁性基板の 上 に 、 第 1 層 の 導電膜を 成膜す る 。 第 1 層 の導電膜 と し て はた と え ば Al、 Cr、 Cu、 Ta、 Moや 、 こ れ ら に 他の 物質 を添加 し た 合金な どか ら な る 薄膜が用 い ら れ る 。 第 1 層 の導電膜は 後述の よ う にゲー ト 線 2 、 補助容量線 11お よ び集合補助 容量線 13と し て用 い ら れ る た め 、 で き る だ け抵抗率 の小 さ レ ^ こ と が望 ま し い 。 つ ぎに第 1 の写真製版工程 に よ り 第 1 層 の導電膜 を パ タ ー エ ン グす る こ と でゲー ト 線 2 、 補助容量線 11お よ び集合補助容量線 13を形成す る 。 本実 施 の形態 に お い て は、 集合補助容量線 13が、 ゲー ト 線 2 の 引 き 出 し 走査線 14が配設 さ れな い側 にお い て形成 さ れ る 例 を 示 し て い る 。 こ こ で表示領域近傍 に お い て、 上記 ゲー ト 線 2 は引 き 出 し 走査線 14と の 接続部 にお い て 、 隣 接パ タ ー ン と 短絡 し な い程度 に大き な面積 を有す る よ う 形成 さ れ、 集合補助容量線 13は、 隣接パ タ ー ン と 短絡 し な い程度でかつ 引 き 出 し補助容量線 15と の接続部 に お い て コ ン タ ク ト 抵抗 を低減可能な程度 に大 き な面積 を 有す る よ う 形成 さ れ る 。 そ し て、 こ の第 1 層 の導電膜上 の一 部 に は、 後述 の 工程で ド ラ イ エ ッ チ ン グ処理 に よ り 絶縁 膜中 に コ ン タ ク ト ホール 8 が形成 さ れ、 こ の コ ン タ ク ト ホール 8 を介 し て導電膜がコ ンタ ク ト を と る 構造 と な る 。

つ ぎ に プ ラ ズマ CVDな ど の 成膜装置 を 用 い て 、 第 1 層 の 絶縁膜、 半導体膜 （ 図示せず） 、 ォー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜 （ 図示せず） を連続形成す る 。 ゲー ト 絶縁膜 と し て 用 い ら れ る 第 1 層 の絶縁膜 と し て は 、 SiNx、 SiOx、 Si OxNyや こ れ ら の 積層 膜が用 い ら れ る 。 半導体膜 は ァ モ ル フ ァ ス シ リ コ ン （ i_a— Si) 、 ポ リ シ リ コ ン （ i一 p— Si) が用 レ ら れ る 。 さ ら に ォー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜に は a— Si 膜や p— S i膜 に リ ンな ど を微量 に ド ー ピ ン グ し た n— a— S i n— p— Siが用 い ら れ る 。 そ し て第 2 の写真製版工程 に よ り 半導体膜お よ びォー ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜 を ド ラ イ エ ツ チ ン グな ど の手法 を 用 い てエ ッ チ ン グす る 。

つ ぎに 、 第 2 層 の 導電膜を 成膜す る 。 第 2 層 の導電膜 と し て は Cr、 Mo、 Ta、 A 1や こ れ ら に他 の 物質 を 微量 に 添加 し た合金な どか ら な る 薄膜、 異種 の 金属膜を積層 し た も の 、 あ る い は膜厚方向 に組成 の 異な る も の を用 い る こ と がで き る 。 第 2 層 の導電膜上 の 一部 に は後述 の 工程 で第 ₃ の導電性薄膜が形成 さ れ電気的導通 を と る た め 、 第 2 層 の 導電膜は、 少な く と も 第 3 層 の 導電膜 と 接す る 領域 にお い て第 3 層 の導電膜 と の コ ン タ ク ト 抵抗が低 い 材質で あ る 必要が あ る 。 た と え ば第 3 層 の導電膜 に ITO を用 い る 場合、 第 3 層 の導電膜 と 接す る 領域は C r 、 Mo な ど の 高融点金属で構成す る こ と が適 当 で あ る 。 つ ぎ に 第 3 の写真製版工程で前記第 2 層 の導電膜 をパ タ ー ニ ン グ し 、 デー タ 線 4 、 ド レイ ン電極 10お よ び表示領域近傍 か ら 端子部近傍 に 引 き 出 し走査線 14、 引 き 出 し補助容量 線 15を形成す る 。 上記 引 き 出 し 走査線 14お よ び引 き 出 し 補助容量線 15は、 表示領域近傍 に お い て 、 後述す る 第 3 層 の導電膜に よ っ てゲ一 ト 線 2 お よ び集合補助容量線 13 と 電気的 に導通 し 、 端子部近傍 に お い て 、 後述す る 第 3 層 の 導電膜に て形成 さ れ る 端子電極 6 と 電気的 に導通す る 構造 を と る 。

つ ぎに プ ラ ズマ CVDな ど の 成膜装置 を用 い てパ ッ シベ ー シ ヨ ン膜 と な る 第 2 層 の絶縁膜 （ 図示せず） を成膜す る 。 そ の の ち 、 第 4 の 写真製版工程 と ド ラ イ エ ッ チ ン グ な ど に よ り 第 1 層 の絶縁膜中 ま た は第 1 層、 第 2 層 の絶 中 に ：： ン 夕 ク ト ホ ール 8 を 形成す る 。 こ の と き 、 表 示領域近傍 のゲ一 ト 線 2 お よ び集合補助容量線 1 3上 に は 可能な限 り 多 く の コ ン タ ク ト ホール数 を 設 け る か 、 あ る い は広 い 面積 を有する コ ン タ ク ト ホール を設 ける 。 つ ぎ に ス パ ッ タ リ ン グな ど の方法で第 3 層 の 導電膜を成膜す る 。 第 3 層 の導電膜は、 透過型表示装置 の場合 は I T Oな ど の透明導電膜を用 い 、 反射型表示装置で は C rな ど の 不 透明金属膜 を用 い る 。 こ の第 3 層 の 導電膜を 写真製版お よ びエ ッ チ ン グ処理す る こ と に よ り 、 接続パ タ ー ン 7 、 端子電極 6 、 画素電極 5 を形成す る 。 こ の接続パ タ ー ン

7 を介 し て 、 ゲ― ト 線 2 と 引 き 出 し 走査線 1 4が、 あ る い は集合補助容量 線 1 3と 引 き 出 し 補助容量線 1 5が表示 領 域近傍 にお い て電気的 に導通す る 。

以上 の よ う に本実施 の 形態 に よ れ ば、 第 2 の実施 の 形 態 の効果で あ る 共通信号の遅延 に よ る ム ラ な ど の抑制 に 加 え て 、 第 1 の実施の 形態 と 同 様 に ゲ一 卜 信号遅延 に よ る ム ラ な ど も 抑制可能 と な り 、 さ ら に補助容量線、 集合 捕助容量線お よ びゲー 卜 線 を 同一 の工程で形成す る こ と がで き る た め 、 生産性 の 向上 に も 寄与す る こ と が可能 と な る

ま た本実施 の形態 に よ る ア レイ 基板 を 用 い る こ と に よ

Ό 、 た と え ば該ア レイ 基板 と 、 少な く と も共通電極お よ び力 ラ ー フ ィ ルタ を備 え た対向基板 と の あ い だ に液晶 を 配設 し た表示装置 にお い て 、 ゲー ト 信号遅延 に起因 し て 生 じ る ム ラ な ど の発生 を抑 え る と と も に 、 共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の発生 を抑 え る こ と に よ り 、 表示品位 に 優れた表示装置 を 得る こ と が可能 と な る 。

ま た上記で は、 端子電極お よ び画素電極 ま た は集合補 助容量線の い ずれ と も 異な る 工程で 引 き 出 し 走査線 ま た は引 き 出 し 補助容量線 を形成 し た例 に つ いて示 し たが、 引 き 出 し走査線 ま た は引 き 出 し 補助容量線の抵抗増加が 許容 さ れ る 範囲で あ れば、 引 き 出 し 走査線ま た は引 き 出 し補助容量線 を端子電極お よ び画素電極 と 同一の工程で 形成 し て も よ い 。

実施の形態 4

図 6 は本発 明 の第 4 の実施の形態で あ る ア レイ 基板の 構造 を 示す 図 で あ り 、 図 6 ( a )は、 表示領域近傍 の集合 補助容量線お よ び引 き 出 し補助容量線 と の接続部の平面 図 、 図 6 ( b )は 引 き 出 し 補助容量線 の 端子部 の平面 図 で あ る 。 図 6 ( b )に 示す よ う に 、 引 き 出 し 補助容量線 の 端 子部 に お け る 端子電極 6 に よ っ て 、 外部信号源で あ る ド ラ イ バ I C ( 図示せず） か ら 補助容量線 1 1に共通信号 を 入 力 す る 。

以下 に 、 本発明 の第 4 の実施 の形態 で あ る ア レイ 基板 の 製造方法 を 説明す る 。 まず絶縁性基板 の 上 に、 第 1 層 の導電膜 を 成膜す る 。 第 1 層 の 導電膜 と し て はた と え ば A l、 C r、 C u、 T a、 M oや 、 こ れ ら に 他 の 物質 を添加 し た 合金な どか ら な る 薄膜が用 い ら れ る 。 第 1 層 の導電膜は 後述 の よ う に ゲー ト 線 2 、 補助容量線 1 1お よ び集合補助 容量線 1 3と し て用 い ら れ る た め 、 で き る だ け抵抗率の 小 さ レゝ こ と が望 ま し い 。 つ ぎに第 1 の写真製版工程 に よ り 第 1 層 の導電膜をパ タ ーニ ン グす る こ と でゲー ト 線 2 、 補助容量線 1 1お よ び集合補助容量線 1 3を形成す る 。 本実 施 の形態 にお い て は、 集合補助容量線 1 3は、 引 き 出 し 走 査線 14が配設 さ れる 側 にお いて形成 さ れる 例 を示 し て い る 。 ま た ゲー ト 線 2 は表示領域近傍 に お い て 、 集合補助 容量線 13と 短絡 し な い位置 ま で延在 さ せ る が、 こ の と き 隣接パ タ ー ン と 短絡 し な い程度 に大 き な面積を有す る よ う 形成す る こ と が望ま し い 。 さ ら に集合補助容量線 13は 隣接パ タ ー ン と 短絡 し な い程度 に かつ 引 き 出 し補助容量 線 15と の接続部 にお いて コ ンタ ク ト 抵抗 を低減可能な程 度 に大き な 面積 を有す る よ う 形成 さ れ る 。 そ し て、 こ の 第 1 層 の 導電膜上 の一部 に は、 後述 の工程で ド ラ イ エ ツ チ ン グ処理 に よ り 絶縁膜中 に コ ン タ ク ト ホール 8 が形成 さ れ、 こ の コ ン タ ク ト ホール 8 を介 し て導電膜が コ ン タ ク ト を と る 構造 を と る 。

つ ぎに プ ラ ズマ CVDな ど の成膜装置 を用 い て、 第 1 層 の絶縁膜、 半導体膜 （ 図示せず） 、 ォ一 ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜 （図示せず） を 連続形成す る 。 ゲー ト 絶縁膜 と し て 用 い ら れ る 第 1 層 の 絶縁膜 と し て は 、 SiNx、 SiOx、 Si OxNyや こ れ ら の 積層膜が用 い ら れ る 。 半導体膜 は ァ モ ル フ ァ ス シ リ コ ン （ i_a— Si) 、 ポ リ シ リ コ ン （ i一 p _Si) が用 い ら れ る 。 さ ら に ォ一 ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜に は a— Si 膜や p - S i膜 に リ ンな ど を微量 に ド ー ピ ン グ し た n— a— S i n_p— Siが用 い ら れ る 。 そ し て第 2 の写真製版工程 に よ り 半導体膜お よ びォ一 ミ ッ ク コ ン タ ク ト 膜 を ド ラ イ エ ツ チ ン グな ど の手法 を用 いてエ ッ チ ン グす る 。

つ ぎ に 、 第 2 層 の導電膜を成膜す る 。 第 2 層 の 導電膜 と し て は Cr、 Mo、 Ta、 A1や こ れ ら に他 の 物質 を 微量 に 添加 し た合金な どか ら な る 薄膜、 異種の 金属膜を積層 し た も の 、 あ る い は膜厚方向 に組成 の 異な る も の を用 い る こ と がで き る 。 第 2 層 の導電膜上 の 一部 に は後述 の 工程 で第 3 の導電性薄膜が形成 さ れ電気的導通 を と る た め 、 第 2 層 の導電膜は、 少な く と も 第 3 層 の 導電膜 と 接す る 領域 に お い て第 3 層 の 導電膜 と の コ ン タ ク ト 抵抗が低 い 材質で あ る 必要が あ る 。 た と え ば第 3 層 の導電膜 に I T O を 用 い る 場合 、 第 2 層 の 導電膜は C r、 M oな ど の 高 融 点 金属が適当 で あ る 。 つ ぎに第 3 の写真製版工程で前記第 2 層 の 導電膜 を パ タ ー ニ ン グ し 、 デー タ 線 4 、 ド レ イ ン 電極 1 0およ び表示領域近傍か ら 端子部近傍 に 引 き 出 し 走 査線 1 4、 引 き 出 し補助容量線 1 5を 形成す る 。 こ の 引 き 出 し補助容量線 1 5は表示領域近傍 と端子部近傍 にお いて、 後述する第 3 層 の導電膜 と電気的 に導通する構造 を と る。

つ ぎ に プ ラ ズマ C V Dな ど の 成膜装置 を用 い てパ ッ シベ — シ ヨ ン膜 と な る 第 2 層 の絶縁膜 （ 図示せず） を 成膜す る 。 そ の の ち 、 第 4 の 写真製版工程 と ド ラ イ エ ッ チ ン グ な ど に よ り 第 1 層 の絶縁膜中 ま た は第 1 層 、 第 2 層 の絶 縁膜中 に コ ン タ ク ト ホール 8 を 形成す る 。 こ の と き 、 表 示領域近傍 のゲー ト 線 2 お よ び集合補助容量線 1 3上 に は 可能な 限 り 多 く の コ ン タ ク ト ホ 一ル数 あ る い は広 い 面積 を有す る コ ン タ ク ト ホール を 設 け る 。 つ ぎに ス パ ッ タ リ ン グな ど の 方法で第 3 層 の導電膜 を 成膜す る 。 第 3 層 の 導電膜は、 透過型表示装置 の 場合 は I T Oな ど の透 明 導電 膜 を用 い 、 反射型表示装置で は C rな ど の 不透明金属膜 を 用 い る 。 こ の第 3 層 の導電膜 を 写真製版お よ びエ ツ チ ン グ処理する こ と に よ り 、 接続パ タ ー ン 7 、 端子電極 6 、 画素電極 5 を形成す る 。 こ の接続パ タ ー ン 7 を介 し て、 ゲー ト 線 2 と 引 き 出 し 走査線 1 4が、 あ る い は集合補助容 量線 1 3と 引 き出 し補助容量線 1 5が表示領域近傍 にお いて 電気的 に導通す る 。 以上 の よ う に本実施 の形態 に よ れば、 第 3 の実施 の 形 態 の効果 に加 え て、 ゲー ト 線 と 端子部 と の 引 き 出 し 走査 線が配設 さ れて い る 側 にお い て も 、 集合補助容量線 と 引 き 出 し補助容量線 を 形成す る こ と が可能 と な り 、 さ ら に 該引 き 出 し 走査線が配設 さ れて い な い側 にお いて も 集合 補助容量線 と 引 き 出 し 補助容量線 を 形成 し て も よ く （ 図 示せず） 、 こ の場合、 表示領域 に 形成 さ れ る 補助容量線 へ の信号 を伝達す る 経路が増やす こ と がで き る 。 こ れ に よ り 補助容量線 に 印加 さ れ る 共通信号の遅延が一層 軽減 さ れ る 。

さ ら に本実施 の形態 に よ る ア レイ 基 を用 い る こ と に よ り 、 た と え ば該 ア レイ 基板 と 、 少な < と ¾ 共通電極お よ びカ ラ 一 フ ィ ル 夕 を 備 え た対向基板 と の あ い だ に液晶 を配設 し た表示装置 に お い て 、 ゲー ト 信号遅延 に起 因 し て 生 じ る ム ラ な ど の発生 を抑 え る と と も に 、 共通信号遅 延 に よ る ム ラ な ど の発生 を一層抑 え る こ と に よ り 表示品 位の極 め て優れた表示装置 を得 る こ と が可能 と な る 。

ま た 上記で は、 端子電極お よ び画素電極 ま た は集合補 助容量線の い ずれ と も 異な る ェ程で引 さ 出 し 走査線 ま た は引 き 出 し 補助容量線 を 形成 し た例 につ い て示 し た が、 引 き 出 し 走査線 ま た は 引 き 出 し 補助容量線の抵抗増加が 許容 さ れ る 範 囲 で あ れ ば、 引 き 出 し走査線 ま た は 引 さ 出 し 補助容量線 を 端子電極お よ び画素電極 と 同一の工程で 形成 し て も よ い 。

実施 の 形態 5

図 7 お よ び図 8 は本発明 の第 5 の実施の形態で あ る 表 示領域近傍 の配線 の接続 を示す図で あ る 。

図 7 ( a )お よ び図 8 ( a )は、 ゲー ト 線 2 と 引 き 出 し 走査 れゲ状状容分配寄にとのがるしとレト

1 4と の接続部分 の平面 を 、 図 7 ( b )お よ び図 8 ( b )はそ ぞれ図 7 ( a )の矢視 E— E断面 と 図 8 ( a )の矢視 F— F断面 を表わ し て い る 。

上記第 1〜 4 の実施の形態 にお い て 、 図 7 に示す よ う に 一 卜 線 2 と 引 き 出 し 走査線 1 4と の変換部分（接続部分） お い て両配線 を重畳 さ せ、 か つ一方の配線形状 を格子 にす る 。 あ る い は、 図 8 に示す よ う に 、 一方の配線形 を梯子形状 にす る 。 こ れ に よ り 、 両配線が絶縁膜 を介 て別 の層 に 形成 さ れ る 場合 に お い て、 接続パ タ ー ン 7 抵抗成分 の寄与 を減 ら す こ と で き 、 さ ら な る コ ン タ ク 抵抗 の低減が期待で き 、 走査信号の遅延 を 軽減 し た ァ ィ 基板 を得 る こ と がで き る 。

図 7 お よ び図 8 で は、 ゲー ト 線 2 と 引 き 出 し 走査線 1 4 の変換部分 （接続部分） を例示 し て い る が、 集合補助

1 3と 引 き 出 し補助容量線 1 5と の 変換部分 （接続部

) に つ い て も 、 ま っ た く 同様 の格子状 あ る い は梯子状 線 と す る こ と がで き る 。 接続パ タ ー ン 7 の抵抗成分 の 与 を減 ら す こ と で き 、 さ ら な る コ ン タ ク ト 抵抗 の 低減 期待で き 、 共通信号の遅延 を軽減 し た ア レイ 基板 を得 こ と がで き る 。

ま た本実施 の 形態 に よ る ア レ イ 基板 を 用 い る こ と に よ 、 た と え ば該ア レイ 基板 と 、 少な く と も 共通電極お よ ぴ力 ラ — フ ィ ル 夕 を備 え た対向基板 と の あ い だ に液晶 を 配 P レ た表示装置 にお い て、 ゲー ト 信号遅延 に起 因 し て 生 じ る ム ラ な ど 、 お よ び共通信号遅延 に起 因 し て生 じ る ム ラ な ど の 発生 を さ ら に抑制す る こ と に よ り 、 表示品位 優れた表示装置 を得 る こ と が可能 と な る 。

以上、 本発明 を 上記第 1 〜第 5 の実施 の形態 に基づい て説明 し た が、 本発明 は上記第 1 〜第 5 の実施の 形態 の 構成 に 限定 さ れ る も の で はな く 、 そ の 要 旨 を 逸脱 し な い 範囲 に お い て種々 変更可能で あ る の は い う ま で も な い 。 た と え ば、 上記第 1 〜第 5 の実施の形態 に よ る 絶縁性基 板上 に形成 さ れ る 層構成 に 限定 さ れ る こ と な く 、 ゲー ト 線 （走査線） ま た は補助容量線 を 用 い て駆動す る 表示装 置すべて に適用 可能で あ る 。

ま た 、 上記第 1 〜第 5 の実施 の 形態 に お い て は い ずれ も ソ ー ス 電極お よ び ド レイ ン電極がゲ一 ト 線 （走査線） よ り も 上層 に形成 さ れ る 逆ス タ ガー型（ポ 卜 ム ゲ一 ト 型） の構成 につ い て説明 を行 っ て い る が、 ゲー 卜 線 （走査線） が ソ 一 ス 電極お よ び ド レイ ン電極 よ り も 上層 に形成 さ れ る 正ス 夕 ガー型 （ ト ッ プゲ一 ト 型） の構成 に適用 し て も 、 それぞれ 同様 の効果 を奏す る 。 産業上 の利用 可能性

本発 明 の第 1 の ア レ イ 基板は、 複数 の画素電極が形成 さ れた表示領域 と 、該画素電極間 に配設 さ れた走査線 と 、 該走査線 と 絶縁膜 を介 し て交差す る 信号線 と 、 走査信号 が入力 さ れ る 端子部 と 、 前記走査線 と は異な る 層 の 導電 膜で形成 さ れか つ 前記走査線 と 前記端子部 と を電気的 に 接続す る 引 き 出 し 走査線 と を備 え て い る の で 、 走査線 に A 1ま た は A 1合金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ンタ ク ト 抵 抗 の増加 を抑制可能 と な る 。

本発 明 の第 2 の ア レイ 基板は、 上記第 1 の ア レ イ 基板 に お い て、 前記走査線 と 並行 し て配設 さ れた補助容量線 と 、 前記信号線 と 並行 し て配設 さ れか つ 前記補助容量線 と 電気的 に接続 さ れた集合補助容量線 と 、 共通信号が入 力 さ れる 端子部 と 、 前記集合補助容量線 と は異な る 層 の 導電膜で形成 さ れかつ 前記集合補助容量線 と 前記共通信 号が入力 さ れ る 端子部 と を電気的 に接続す る 引 き 出 し補 助容量線 と を さ ら に備 え て い る の で、 補助容量を 用 い た ア レイ 基板 に お い て 、 走査線、 補助容量線お よ び集合補 助容量線 に A 1ま た は A 1合金 を用 い た 場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗 の 増加 を 抑制可能 と な る 。

本発明 の第 3 の ア レ イ 基板は、 複数 の画素電極が形成 さ れた表示領域 と 、該画素電極間 に配設 さ れた走査線 と 、 該走査線 と 並行 し て配設 さ れた補助容量線 と 、 前記走査 線および補助容量線 と絶縁膜を介 して交差する信号線 と 、 該信号線 と 並行 し て配設 さ れか つ 前記補助容量線 と 電気 的 に接続 さ れた集合補助容量線 と 、 共通信号が入力 さ れ る 端子部 と 、 前記集合補助容量線 と は異な る 層 の導電膜 で形成 さ れか つ 前記集合補助容量線 と 前記端子部 と を 接 続す る 引 き 出 し 補助容量線 と を備 え て い る の で、 補助容 量 を 用 い た ア レイ 基板に お いて 、 補助容量線お よ び集合 補助容量線 に A 1ま た は A 1合金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗 の 増加 を抑制可能 と な る 。

本発 明 の 第 4 の ア レイ 基板は、 上記第 1 ま た は 2 の ァ レイ 基板 に お い て 、 前記引 き 出 し 走査線は前記信号線 と 同 一層 の導電膜で形成 さ れて い る の で、 工程 を増やす こ と な く 、 走査線 ま た は補助容量線お よ び集合補助容量線 に A 1ま た は A1合金 を 用 い た場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗 の増加 を抑制可能 と な る 。

本発 明 の 第 5 の ア レイ 基板は、 上記第 1 ま た は 2 の ァ レイ 基板に お い て 、 前記引 き 出 し 走査線は前記画素電極 と 同 一層 の導電膜で形成 さ れて い る の で 、 工程 を増やす こ と な く 、 走査線 ま た は補助容量線お よ び集合補助容量 線 に A lま た は A 1合金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗 の増加 を抑制可能 と な る 。

本発明 の第 6 の ァ レ イ 基板は、 上記第 4 ま た は 5 の ァ レイ 基板 にお い て 、 前記引 き 出 し 走査線は、 前記表示領 域の近傍お よ び m 走査信号が入力 さ れ る 端子部 の近傍 にお い て 、 それぞれ m 記走查線お よ び前記走査信号が入 力 さ れ る 端子部 と 電気的 に接続 さ れて い る の で、 走査線 ま た は補助容量線お よ び集合補助容量線 に A 1または A1合 金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ン 夕 ク ト 抵抗 の増加 を抑 制可能 と な る

本発明 の第 7 の ア レイ 基板は、 上記第 2 ま た は 3 の ァ レイ 基板 に お い て 、 前記引 き 出 し 補助容量線は前記信号 線 と 同一層 の 導電膜で形成 さ れて い る の で、 補助容量 を 用 い た ア レ イ 基板 にお い て、 工程 を増やす こ と な く 、 走 査線 ま た は補助容量線お よ び集合補助容量線 に A 1ま た は A 1合金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗 の増加 を抑制可能 と な る 。

本発明 の第 8 の ア レイ 基板 は、 上記第 2 ま た は 3 の ァ レイ 基板 に お い て 、 前記引 き 出 し 補助容量線は前記画素 電極 と 同一層 の導電膜で形成 さ れて い る の で、 補助容量 を 用 い た ァ レ ィ 基板 に お いて 、 工程 を 増やす こ と な く 、 走査線 ま た は補助容量線お よ び集合補助容量線 に A 1ま た は A 1合金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗 の増 加 を抑制可能 と な る 。

本発明 の第 9 の ア レ イ 基板は、 上記第 7 ま た は 8 の ァ レイ 基板 に お い て、 前記 引 き 出 し補助容量線は、 前記表 示領域 の近傍お よ び前記共通信号が入力 さ れる 端子部の 近傍 に お い て 、 それぞれ前記集合補助容量線お よ び前記 共通信号が入力 さ れる 端子部 と 電気的 に接続 さ れて い る の で 、 補助容量 を 用 い た ア レイ 基板 に お い て 、 走査線 ま た は補助容量線お よ び集合補助容量線 に A 1ま たは A 1合金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗の 増加 を抑制 可能 と な る 。

本発 明 の第 1 0の ア レ イ 基板 は、 上記第 2〜 9 の い ずれ か の ア レイ 基板 に お い て 、 前記補助容量線お よ び前記集 合補助容量線は、 前記走査線 と 同 一層 の 導電膜で形成 さ れて い る の で、 補助容量 を用 い た ア レイ 基板 にお い て 、 走査線 ま た は補助容量線お よ び集合補助容量線に A 1ま た は A 1合金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗 の増 加 を抑制可能 と な る 。

本発 明 の第 1 1の ア レ イ 基板 は、 上記第 2 、 4〜 1 0の い ずれか の ア レ イ 基板 に お い て 、 前記集合補助容量線 と 前 記 引 き 出 し 走査線 は絶縁膜を介 し て交差 し て い る の で、 補助容量 を用 い た ア レ イ 基板 に お い て 、 走査線ま た は補 助容量線お よ び集合補助容量線 に A 1ま た は A 1合金 を用 い た場合 に 問題 と な る コ ン タ ク ト 抵抗 の増加 を抑制可能 と な る 。

本発 明 の第 1 2の ア レイ 基板 は、 上記第 1〜1 1の いずれ か の ア レイ 基板 にお い て、 前記走査線の材料 と し て、 ァ ル ミ ニゥ ム ま た はアル ミ ニウ ム の合金 を用 いてい る ので、 走査線 の信号遅延 に起 因 し て 生 じ る ム ラ な ど の発生 ま た は共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の 発生 を 抑制す る こ と が でき る 。

本発 明 の第 1 3の ア レイ 基板 は、 上記第 1〜1 1の い ずれ か の ア レイ 基板 にお い て、 前記走査線の材料 と し て、 一 部 ま た は全部 を 窒化 し た ア ル ミ ニ ウ ム ま た は ア ル ミ ニ ゥ ム の合金 を用 い て い る の で、 走査線 の信号遅延 に起 因 し て生 じ る ム ラ な どの発生 ま た は共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の発生 を さ ら に抑制す る こ と ができ る 。

本発明 の第 1 4の ア レ イ 基板 は 、 上記第 1〜 1 3の い ずれ か の ア レイ 基板 にお い て 、 前記信号線の材料 と し て 、 C r ま た は M oを 用 い て い る の で 、 走査線の信号遅延に起因 し て生 じ る ム ラ な ど の発生 ま た は共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の発生 を抑制す る こ と がで き る 。

本発 明 の第 1 5の ア レ イ 基板は、 上記第 1 、 2 、 4〜 1 4 の いずれか の ア レイ 基板 に お い て 、 前記走査線 と 前記 引 き 出 し 走査線は、 前記画素電極 と 同一層 の導電膜に よ り 電気的 に接続 さ れて い る の で、 工程 を増やす こ と な く 、 走査線 の信号遅延 に起 因 し て生 じ る ム ラ な ど の発生 ま た は共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の 発生 を抑制す る こ と が で き る 。

本発明 の第 1 6の ア レイ 基板 は、 上記第 2〜 1 5の い ずれ か の ア レイ 基板 に お い て 、 前記集合補助容量線 と 前記引 き 出 し 補助容量線 と は、 前記画素電極 と 同一層 の導電膜 に よ り 電気的 に接続 さ れて い る の で、 工程 を増やす こ と な く 、 走査線 の信号遅延 に起因 し て生 じ る ム ラ な ど の発 生 ま た は共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の発生 を抑制す る こ と がで き る 。

本発 明 の第 1 7の ア レ イ 基板 は、 上記第 1 、 2 、 4〜1 6 の いずれか の ア レイ 基板に お い て 、 前記走査線 と 前記 引 き 出 し走査線 と の接続部に お い て、 該走査線 と 該引 き 出 し 走査線が重畳 し た領域で 、 該走査線 ま た は該 引 き 出 し 走査線 の い ずれか一方 を格子状 ま た は梯子状 に 形成 し て い る の で、 走査線 の信号遅延 に起因 し て 生 じ る ム ラ な ど の発生 ま た は共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の発生 を さ ら に抑制す る こ と がで き る 。

本発 明 の第 1 8の ア レ イ 基板 は、 上記第 2〜1 7の い ずれ か の ア レイ 基板 に お い て、 前記集合補助容量線 と 前記 引 き 出 し 補助容量線 と の接続部 に お い て 、 該集合補助容量 線 と 該引 き 出 し補助容量線が重畳 し た領域で 、 該集合補 助容量線 ま た は該 引 き 出 し補助容量線の いずれか一方 を 格子状 ま た は梯子状 に 形成 し て い る の で 、 補助容量 を用 い た ア レイ 基板 に お い て、 補助容量線の信号遅延 に 起 因 し て生 じ る ム ラ な ど の 発生 ま た は共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の発生 を さ ら に抑制す る こ と がで き る 。

本発 明 の 第 1 の 表示装置 は 、 上記第 1〜1 8の い ずれ か に記載の ア レ イ 基板 と 、 少な く と も 共通電極お よ びカ ラ 一フ ィ ルタ を 具備す る 対向基板 と の あ い だ に 液晶が配設 さ れて い る の で、 走査線の信号遅延 に起 因 し て生 じ る ム ラ な ど の発生 ま た は共通信号遅延 に よ る ム ラ な ど の発生 を抑制 し 、 優れた表示品位 を得る こ と が可能 と な る 。

本発 明 の第 1 の ア レ イ 基板の製造方法 は、 導電膜 を堆 積 し 、画素電極間 に配設 さ れ る 走査線 を 形成す る 工程 と 、 前記走査線 と は異な る 層 の導電膜 を堆積 し 、 前記走査線 と 走査信号が入力 さ れ る 端子部 と を 接続す る 配線で あ る 引 き 出 し走査線 を 形成す る 工程 と 、 前記走査線 と 前記 引 き 出 し 走査線 と の あ い だ に配設 さ れ、 該走査線 と 該引 き 出 し 走査線 と を 絶縁す る 絶縁膜を 形成す る 工程 と を備 え て い る の で、 走査線 の 信号遅延 に起 因 し て生 じ る ム ラ な ど の発生 を抑制可能な ア レイ 基板 を得 る こ と がで き る 。

本発 明 の第 2 の ア レイ 基板の 製造方法 は、 導電膜を堆 積 し 、 画素電極間 に配設 さ れた走査線、 該走査線 と 並行 に配設 さ れた補助容量線お よ び該補助容量線 と 接続 さ れ た集合補助容量線 を形成す る 工程 と 、 前記走査線、 補助 容量線お よ び集合補助容量線 と は異な る 層 の導電膜 を堆 積 し 、 前記集合補助容量線 と共通信号が入力 さ れ る 端子 部 と を接続す る 配線で あ る 引 き 出 し 補助容量線を 形成す る 工程 と 、 前記走査線、 前記補助容量線お よ び前記集合 補助容量線 と 前記引 き 出 し補助容量線 と の あ い だ に配設 さ れ、 該走査線、 該補助容量線お よ び該集合補助容量線 と 該引 き 出 し 補助容量線 と を絶縁す る 絶縁膜 を形成す る 工程 と を備 えて い る の で、 補助容量を 用 い た ア レ イ 基板 に お い て 、 共通信号遅延 に起 因 し て生 じ る ム ラ な ど の発 生 を抑制可能な ア レイ 基板 を得 る こ と がで き る 。

Claims

言青 求 の 範 囲 複数 の画素電極が形成 さ れた表示領域 と 、

該画素電極 間 に配設 さ れた走査線 と 、

該走査線 と 絶縁膜を介 し て交差す る 信号線 と 、 走査信号が入力 さ れる 端子部 と 、

前記走査線 と は異な る 層 の導電膜で形成 さ れか つ 前記 走査線 と 前記端子部 と を電気的 に接続す る 引 き 出 し 走 査線 と 、

を備え た こ と を 特徴 と す る ア レイ 基板。

前記走査線 と 並行 し て配設 さ れた補助容量線 と 、 前記信号線 と 並行 し て配設 さ れか つ 前記補助容量線 と 電気的 に接続 さ れた集合補助容量線 と 、

共通信号が入力 さ れ る 端子部 と 、

前記集合補助容量線 と は異な る 層 の 導電膜で形成 さ れ か つ前記集合補助容量線 と 前記共通信号が入力 さ れ る 端子部 と を電気的 に 接続す る 引 き 出 し補助容量線 と 、 を さ ら に備 え た こ と を特徴 と す る 請求の 範囲第 1 項記 載 の ア レイ 基板。

複数の画素電極が形成 さ れた表示領域 と 、

該画素電極 間 に配設 さ れた走査線 と 、

該走査線 と 並行 し て配設 さ れた補助容量線 と 、 前記走査線お よ び補助容量線 と 絶縁膜 を介 し て交差す る 信号線 と 、

該信号線 と 並行 し て配設 さ れか つ 前記補助容量線 と 電 気的 に接続 さ れた集合補助容量線 と 、

共通信号が入力 さ れ る 端子部 と 、

前記集合補助容量線 と は異な る 層 の導電膜で形成 さ れ か つ 前記集合補助容量線 と 前記端子部 と を 電気的 に 接 続す る 引 き 出 し 補助容量線 と 、

を備 え た こ と を特徴 と す る ア レイ 基板。

4 . 前記引 き 出 し 走査線 は前記信号線 と 同一層 の 導電膜 で形成 さ れた こ と を特徴 と す る 請求 の範囲第 1 項記載 の ア レイ 基板。

5 . 前記 引 き 出 し 走査線は前記画素電極 と 同一層 の導電 膜で形成 さ れた こ と を特徴 と す る 請求の範囲第 1 項記 載 の ア レイ 基板。

6. 前記引 き 出 し走査線は、 前記表示領域 の 近傍お ょ ぴ 前記走査信号が入力 さ れる 端子部 の近傍 に お い て、 そ れぞれ前記走査線お よ び前記走査信号が入力 さ れ る 端 子部 と 電気的 に接続 さ れて い る こ と を 特徴 とす る 請求 の範囲第 4 項記載の ア レイ 基板。

7 . 前記引 き 出 し 補助容量線は前記信号線 と 同一層 の 導 電膜で形成 さ れた こ と を特徴 と す る 請求の範囲第 2 項 記載 の ア レイ 基板。

8 . 前記 引 き 出 し 補助容量線 は前記画素電極 と 同一層 の 導電膜で形成 さ れた こ と を 特徴 と す る 請求の範囲第 2 項記載の ア レイ 基板。

9 . 前記 引 き 出 し補助容量線 は、 前記表示領域の近傍お よび前記共通信号が入 力 さ れる端子部 の近傍 において、 それぞれ前記集合補助容量線お よ び前記共通信号が入 力 さ れ る 端子部 と 電気的 に 接続 さ れて い る こ と を特徴 と す る 請求の範囲第 7 項記載の ア レイ 基板。

1 0 . 前記補助容量線お よ び前記集合補助容量線は、 前記 走査線 と 同一層 の 導電膜で形成 さ れた こ と を特徴 と す る 請求 の範囲第 2 項記載 の ア レイ 基板。

. 刖 2集合補助容量線 と 前記引 き 出 し 走査線は絶縁膜 を介 し て交差 し て い る こ と を特徴 と す る 請求 の範 囲第 2 項記載の ァ レイ 基板。

. 前記走査線の材料 と し て 、 ア ル ミ ニ ウ ム ま た はァ ル ミ ニ ゥ ム の合金 を用 い る こ と を特徴 と す る 請求の範 囲 第 1 項記載 の ア レイ 基板。

. 前記走査線の材料 と し て 、 一部 ま た は全部を窒化 し た ァル ミ ニ ゥ ム ま た は ア ル ミ ニ ウ ム の合金 を用 い る こ と を特徴 と す る 請求の範囲第 1 項記載の ァ レイ 基板。. 刖記信号 ^の材料 と し て 、 C rま た は M oな ど の 高融点 金属 を用 い る こ と を特徴 と す る 請求 の範 囲第 1 項記載 の ァ レィ 基板

. 前記走査線 と 前記引 き 出 し 走査線は、 前記画素電極 と 同 一層 の導電膜 に よ り 電気的 に 接続 さ れ る こ と を 特 徴 と す る 請求の 範囲第 1 項記載 の ア レイ 基板。

. 前記集合補助容量線 と 前記引 き 出 し補助容量線 と は 前記画素電極 と 同 一層 の導電膜 に よ り 電気的 に接続 さ れ る し と を特徴 と す る 請求 の範 囲第 2 項記載 の ア レ イ 基板。

. 前記走査線 と 前記 引 き 出 し 走査線 と の接続部 に お い て 、 該走查線 と 該 引 き 出 し 走査線が重畳 し た領域で 、 該走査 I ま た は該 引 き 出 し 走査線の いずれか一方 を格 子状 ま た は梯子状 に形成 し た こ と を特徴 と す る 請求 の 範 囲第 1 項記載の ア レ イ 基板。

. 前記集合補助容量線 と 前記引 き 出 し補助容量線 と の 接続部 に お い て、 該集合補助容量線 と 該 引 き 出 し補助 容量線が重畳 し た領域で、 該集合補助容量線 ま た は該 引 さ 出 し補助容量線の いずれか一方 を格子状 ま た は梯 子状 に形成 し た こ と を特徴 と す る 請求の 範 囲第 2 項記 の ァ レ イ 基板。

. 請求の 範囲第 1 項記載の ァ レィ 基板 と 、 少な く と も せ 極お よ びカ ラ ー フ ィ ル夕 を 具備す る 対向基板 と の あ い だ に液晶 が配設 さ れてな る こ と を 特徴 と す る 表 示

. 導電膜 を堆積 し 、 画素電極間 に配設 さ れ る 走査線 を 形成す る ェ程 と 、

査線 と は異な る 層 の導電膜 を堆積 し 、 前記走査 線 と 走查信号が入力 さ れ る 端子部 と を接続す る 配線で あ る 引 き 出 し 走査線 を 形成す る 工程 と 、

査線 と 刖 Βΰ 引 き 出 し 走査線 と の あ い だ に配設 さ れ 、 該走査線 と 該 引 き 出 し 走査線 と を絶縁する 絶縁膜 を形成す る 工程 と

を備え た こ と を特徵 と す る ァ レ ィ 基板 の製造方法。 . 導電膜 を堆積 し 、 画素電極間 に配設 さ れた走査線、 走查線 と 並行 に 配設 さ れた補助容量線お よ び該補助 容 と接続 された集合補助容 :匱線 を形成する工程 と、 刖 id走查線、 補助容量線お よ び集合補助容量線 と は異 な る 層 の 導電膜を堆積 し 、 前記集合補助容量線 と 共通 信号が入力 さ れる 端子部 と を接続す る 配線で あ る 引 き 出 し 補助容量 ¾ 形成する 工程 と 、

ø己 査線 、 刖 補助容量線お よ び前記集合補助容量 と m記 引 さ 出 し 補助容量線 と の あ い だ に配設 さ れ、 走査線、 該補助容量線お よ び該集合補助容量線 と 該 さ 出 し 補助容量線 と を絶縁す る 絶縁膜 を 形成す る ェ と 、

を備え た こ と を特徴 と する ア レイ 基板の製造方法。