WO1997027598A1 - Pieces electroniques et leur procede de fabrication - Google Patents

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WO1997027598A1
WO1997027598A1 PCT/JP1997/000146 JP9700146W WO9727598A1 WO 1997027598 A1 WO1997027598 A1 WO 1997027598A1 JP 9700146 W JP9700146 W JP 9700146W WO 9727598 A1 WO9727598 A1 WO 9727598A1
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resin
electronic component
insulating layer
electronic
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PCT/JP1997/000146
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Riho Jinno
Kazuyuki Nakamura
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/12Protection against corrosion
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    • H01C1/034Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
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    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49099Coating resistive material on a base

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component such as, for example, a laminated resistor and a method of manufacturing the same.
  • the DD had a configuration in which only the non-electrode-formed surface of the body surface was impregnated with resin.
  • the moisture resistance is improved by the resin impregnated in the element body, but there is a problem that the moisture and the like infiltrate from the end of the electrode and the characteristic is deteriorated. Had.
  • the present invention aims to provide an electronic component that can prevent entry of moisture and the like from the electrode end by covering the electrode end with an insulating layer. That is.
  • the electronic component of the present invention comprises a body and at least one pair formed at a predetermined interval on an outer surface of the body. And an insulating member provided so as to cover a portion of the element body surface where the electrode is not formed and an end of the electrode, and at least a portion of the insulating layer is provided. Since the inner surface of the element body is impregnated with the insulating layer, the insulating layer provided on the outer surface covers the electrode end portion. In addition to preventing peeling, it is possible to prevent penetration of moisture and the like from the electrode end caps.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a laminated varistor according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the laminated varistor according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the ballast element after impregnating the Si varnish in one embodiment of the present invention, and
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the varistor element after immersion in toluene according to an embodiment of the present invention, and
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the varistor element according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the ballast element after hardening the Si resin in the embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the ballast element after polishing according to the embodiment of the present invention.
  • Numeral 1 denotes a transistor element, in which a plurality of internal electrodes 2 having Ni as a main component are provided. These internal electrodes 2 are alternately drawn out to both end faces of the varistor element 1, and are electrically connected to the external electrodes 3 at the both end faces.
  • the outer electrode 3 has at least a double structure.
  • the inner employee 3a has Ni as a main component, and the outer layer 3b has Ag as a main component.
  • the S r T i 0 3 as a main component, and a sub Ingredients, N b 2 0 5, S i 0 2 etc. are included.
  • Numeral 30 denotes an inner surface insulating material, which is made of Si resin and formed by filling the pore surface inside the varistor element 1 or filling the pore.
  • Reference numeral 31 denotes an outer surface insulating member which covers the end of the outer electrode 3 and is formed of Si resin.
  • Ni plating 4a On the surface of the external electrode 3, Ni plating 4a, A plating layer 4 composed of the Handa plating 4b is formed.
  • ceramic sheet 1a is obtained by mixing raw materials, calcining, pulverizing, slurrying, and sheet forming as shown in (11). Can be made. Next, the ceramic sheet la and the internal electrode 2 are laminated (12), cut (13), depiked (14), and cut off (1). 5) Then, make the ends curved.
  • the inner layer 3 a of the outer electrode 3 is applied (16), reduced at 120 to 130 ° C. (17), and the outer layer 3 b is applied (17). Then, heat (19) for re-oxidation at 800-850. Next, the completely dried varistor element 1 is immersed as a solvent in a silicon dioxide containing 75% of toluene (20), and the varistor element IS i Impregnate with grease.
  • the ballast element 1 is immersed in the Si varnish, it is pressurized to 6 to 150 kg Zoif (21), and the Si varnish is further squeezed.
  • the pressure is held for 2 minutes, for example, and then returned to the atmospheric pressure in which the laminated resistor is used.
  • the entire surface of the ballast element 1 at this time is thickly covered with the Si varnish 5 as shown in FIG. Also, the Si varnish 5 is impregnated in the external electrode 3.
  • the pressing force at this time is determined by the density of the ballast element 1. In other words, the larger the density of the PAL 1, the greater the pressure and the easier it is to impregnate it.
  • the density is high, so increase the pressing force to 500 to 150 kg "cnf".
  • a metal net basket or net, etc.
  • centrifuge it for example, with an inner diameter of 60 on.
  • Set in the device Operate at 500 to 1500 rZmin (22 in Fig. 2), and as shown in Fig. 4, unnecessary Si water attached to the outer surface of the PAL 1 Eliminate most of Nis 5.
  • the par- sistor element 1 is arranged on a metal net, and the temperature is higher than the curing temperature of the Si resin contained in the Si varnish 5 (about 125 to 200 ° C). Heating to cure the Si resin (24), at this time, a part of the Si resin impregnated in the external electrode 3 and the inside of the transistor element 1 precipitates. Then, the surface of the transistor is covered to obtain a transistor element 1 as shown in FIG. Then, for example, a ballistic element 1, a SiC abrasive, and water are placed in a polyethylene container and sealed, and the container is moved by a mechanical method such as rotation or vibration. As a result, the surface is polished (25), and as shown in FIG.
  • the 'Si resin on the surface of the external electrode 3 has an effect on the post-process such as plating. Remove to the extent not necessary.
  • the mechanical stress applied to the transistor element 1, and the bonding strength with the cured Si resin are more variable than those of the external electrode 3. Since element 1 is superior, Si resin on the outer surface of external electrode 3 Can be selectively removed. At this time, Si resin may be left on the inner surface of the external electrode 3, and this Si resin does not hinder the electrical connection of the external electrode 3. No.
  • a plating (26) is performed on the surface of the external electrode 3 of the transistor element 1 to obtain a laminated transistor as shown in FIG.
  • the moisture resistance is excellent and the outer surface insulating layer is formed.
  • exfoliation of the end of the external electrode 3 does not occur, and in the external electrode 3, a later process such as a plating (26) is affected. It will be possible to obtain a hiring list that is not needed.
  • the outer surface insulating layer 31 is formed so as to cover the end of the external electrode 3 formed so as to cover the side surface of the transistor element 1. Accordingly, it is possible to prevent the penetration of the plating liquid, moisture, and the like from the boundary between the external electrode 3 and the varistor element 1 into the varistor element 1.
  • the outer surface insulation layer 31 and the inner surface insulation layer 30 are glossy, by checking the gloss of the surface of the laminated resistor, the inner surface insulation layer 3 1 can be determined. It is possible to visually judge whether or not the 0 and the outer surface insulating layer 31 have been formed, so that the selection can be easily performed.
  • m-Si resin was used to form the outer surface insulation layer 31 and inner surface insulation layer 30, but after curing, it has heat resistance, high insulation, high water repellency, and low water absorption. Any resin can be used. In addition to Si resin, There are boxy resin, acrylic resin, polybutadiene resin, phenolic resin, etc., and one or more of these are used. It doesn't matter.
  • silicone, titanium, aluminum, ginolenium, yttrium instead of resin or mixed with resin, silicone, titanium, aluminum, ginolenium, yttrium
  • silicone, titanium, aluminum, ginolenium, yttrium instead of resin or mixed with resin, silicone, titanium, aluminum, ginolenium, yttrium
  • metal alcohols selected from magnesium instead of resin or mixed with resin, silicone, titanium, aluminum, ginolenium, yttrium
  • metal alcohol make the impregnating solution using a solvent that can dissolve metal alcohol such as alcohol. .
  • the thickness of the inner surface insulation layer 30 should be as large as possible without affecting the characteristics of the multilayer varistor. It is desirable that the inner surface insulating layer 30 of the cured Si resin has a thickness of 10 m or more where the thickness is the thinnest. This can be adjusted by selecting the viscosity, solvent ratio, and pressure of the Si Varnish 5.
  • the solvent contained in the Si element 5 is heated to a temperature at which bumping does not occur. After sufficient removal, the hardening treatment of the Si resin allows the formation of a high-density outer surface insulating layer 31.
  • VI.S 1 By repeating the process from immersion in the die 5 to the surface polishing a plurality of times, preferably twice, the Si resin inside the ballast element 1 is reduced. Can be further impregnated, so that the moisture resistance can be further improved.
  • the end of the element be curved so that when the organic matter on the external electrode 3 is removed by polishing, a part of the external electrode 3 may be cut off. It can reduce the concentration of stress
  • the laminated varistor mainly composed of sodium titanate has been described as an example, but it is mainly composed of zinc oxide.
  • the same effect is obtained in the electronic parts such as the thermostat, the capacitor, and the resistor, even if the laminated varistor uses the ceramic element as well as the ceramic element. Is obtained.
  • the shape may be not only a laminate type but also a shape such as a disk type.
  • the insulating layer impregnated on the inner surface prevents the moisture resistance from being deteriorated, and the electrode strength is improved by the insulating layer on the outer surface.
  • the exfoliation of the extreme part can be prevented.

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Description

明 加 発明 の 名 称
電十 ΡΙ^ ΠΠ と そ の製造方法
技術分野
本発明 は 、 例 え ば積層 パ リ ス タ な ど の電子部品 と そ の 製造方 法 に 関 す る も の で あ る 。
背景技術
素体 の 外 ¾ϊ に 少 な く と も 一対の電極 を有 す る 従来 の 電子部
DD は 、 こ の 体 面 の電極非形成面 の み に樹脂 を 含浸 さ せ た 構 成 と な っ て い た 。
の 構成 に よ る と 、 素体中 に 含浸 さ れ た 樹脂 に よ り 耐湿性 は 向上 す る が、 電極端部 か ら水分 な ど が浸入 し 、 特性劣化 を起 こ す と い う 問題点を有 し て い た 。
発明 の 開示
そ こ で本発明 は 、 電極端部 を絶縁層で被覆す る こ と に よ り 、 電極端部か ら の水分 な ど の浸入 を防止で き る 電子部品を提供 す る こ と を 目 的 と す る も の で あ る 。
そ し て こ の 目 的 を達成 す る た め に 、 本発明 の電子部品 は 、 素 体 と 、 こ の素体の外表面 に所定 の間隔 を設 け て形成 し た 少 な く と も 一対 の電極 と 、 前記素体表面の前記電極の 非形成部分及 び 前記電極 の端部 を覆 う よ う に設 け た絶縁雇 と を備 え 、 前記絶縁 層の少 な く と も ~ '部 は 、 前記素体の 内表面 に 含浸 さ れ て い る も の で こ の構成 に よ り 、 外表面 に設 け た絶縁層が電極端部 を被覆 し て い る の で、 電極端部 の剥離を防 ぐ と と も に 電極端部 カヽ ら の水分 な ど の浸入 を防止す る こ と が で き る も の で あ る 。 図面 の 簡単 な 説明
第 1 図 は本発明 の一実施例 に お け る 積層 バ リ ス タ の 断面図、 第 2 図 は 本 発 明 の一実施 例 に お け る 積層 パ リ ス タ の 製 造 工程 図、 第 3 図 は 本発明 の一実施例 に お け る S i ワ ニ ス に 含浸後 の バ リ ス タ 素子 の断面図、 第 4 図 は本発明 の一実施例 に お け る 遠 、分離工程後 の バ リ ス タ 素子 の断面図、 第 5 図 は 本発明 の一実 施例 に お け る ト ル エ ン に 浸漬後 の バ リ ス タ 素子 の 断面図 、 第 6 図 は 本発明 の一実施例 に お け る S i 樹脂硬化後 の パ リ ス タ 素子 の 断面図、 第 7 図 は本発明 の一実施例 に お け る 研磨後 の バ リ ス タ 素子 の断面 図 で あ る 。
発明 を 実施す る た め の 最良 の形態
以下、 本発明 の電子部品 と そ の 製造方法 の一実施例 に つ い て 図面 を 参照 し な が ら 詳細 に 説明 す る 。
1 は パ リ ス タ 素子で 、 内部 に N i を主成分 と す る 内部電極 2 が複数設 け ら れ て い る 。 こ れ ら の 内部電極 2 は 、 交互 に バ リ ス タ 素子 1 の両端面 に 引 き 出 さ れ、 そ の両端面 に お い て外部電極 3 と 電気的 に 接続 さ れ て い る 。 外部電極 3 は少 な く と も 二重構 造 と な っ てお り 、 内雇 3 a は N i を主成分 と し 、 外層 3 b は A g を主成分 と し て い る 。 ま た、 内部電極 2 間、 及 び そ の 外側 の セ ラ ミ ッ ク シ ー ト l a は 、 S r T i 0 3を 主 成分 と し 、 副 成 分 と し て 、 N b 205, S i 02等 を 含 ん で い る 。 3 0 は 内 表面絶縁 雇で 、 S i 樹脂 よ り な り 、 バ リ ス タ 素子 1 内部の 気孔表面 を 被 ¾ あ る い は 気孔 に充填 さ せ て形成 し た餍 で あ る 。 3 1 は 外表面 絶縁雇 で外部電極 3 の端部を被 し て お り 、 S i 樹脂 で形成 さ れた も の で あ る 。 ま た 外部電極 3 の 表面 に は N i メ ツ キ 4 a 、 半 田 メ ツ キ 4 b よ り な る メ ツ キ 層 4 を形成 し て い る 。 第 2 図 に お い て 、 セ ラ ミ ッ ク シ ー ト 1 a は ( 1 1 ) で示 す ご と く 原料 の 混合、 仮焼、 粉砕、 ス ラ リ ー 化 、 シ ー ト 成形 に よ り 作 ら れ る 。 次 に 、 こ の セ ラ ミ ッ ク シ ー ト l a と 、 内部電極 2 と を積層 ( 1 2 ) し 、 そ れを切断 ( 1 3 ) 、 脱パ イ ( 1 4 ) 、 面 と り ( 1 5 ) し 、 端部 を 曲線状 に す る 。 次 に 、 外部電極 3 の 内 層 3 a を 塗布 ( 1 6 ) し 、 1 2 0 0 〜 1 3 0 0 °C で 還 元焼 成 ( 1 7 ) し 、 そ の後外層 3 b を塗布 ( 1 8 ) し 、 8 0 0 〜 8 5 0 で で再酸化の た め に加熱 ( 1 9 ) す る 。 次 に 、 完全 に乾燥 さ せ た バ リ ス タ 素子 1 を溶剤 と し て ト ル エ ン 7 5 % を 含む S i ヮ ニ ス に 浸漬 し ( 2 0 ) 、 パ リ ス タ 素子 I S i ワ ニ ス を含浸 さ せ る 。
そ の 後 、 バ リ ス タ 素 子 1 を S i ワ ニ ス に 浸 漬 し た ま ま 6 〜 1 5 0 0 kg Z oif に 加圧 し ( 2 1 ) 、 S i ワ ニ ス を さ ら に バ リ ス タ 素子 1 に 含浸 さ せ る た め、 例 え ば 2 分間保持 し た後積層 パ リ ス 夕 が使用 さ れ る 状態で あ る 大気圧 に も どす。 こ の 時 の バ リ ス 夕 素子 1 は第 3 図 に示 す よ う に 表面全体が S i ワ ニ ス 5 に 厚 く 覆 わ れ て い る と と も に 、 バ リ ス タ 素子 1 及 び外部電極 3 内 に も S i ワ ニ ス 5 が含浸 さ れて い る 。 こ の 時の加圧力 は バ リ ス タ 素 子 1 の密度 に よ り 決定 す る 。 つ ま り 密度の大 き い パ リ ス タ 素子 1 ほ ど加圧力 も 大 き く し て含浸 さ せ や す く す る 。 例 え ば Z n O を主成分 と す る パ リ ス タ 素子 の場合、 密度が高 い の で 5 0 0 〜 1 5 0 0 kg " cnf と 加圧力 を高 く す る 。 そ の後、 S i ワ ニ ス よ り パ リ ス タ 素子 1 を 取 り 出 し 、 金属 製 網 か ご ( あ る い は ネ ッ 卜 等) に 入 れて 、 例 え ば内 径 6 0 on の遠心分離装置 に セ ッ ト し 、 5 0 0 〜 1 5 0 0 r Zminで作動 さ せ ( 第 2 図 の 2 2 ) 、 第 4 図 に 示 す よ う に パ リ ス タ 素子 1 の外表面 に 付着 し た 不要 な S i ワ ニ ス 5 の大部分 を 除去 す る 。 さ ら に 、 金属製網 か ご ご と ト ル ェ ン に 浸 漬 し ( 2 3 ) 、 5 ~ 6 0 秒 間振動 を 与 え た 後 取 り 出 し 、 例 え ば 6 0 °C で速 や か に加熱 し て 、 第 5 図 に 示す よ う に バ リ ス タ 素子 1 外表面 に 付着 し て い る ト ル ヱ ン を除去す る 。 ま た ト ノレ エ ン に浸漬 さ せ る 代わ り に、 パ リ ス タ 素子 1 を金属製網か ご か ら 取 り 出 し 、 S i ワ ニ ス 5 と 反応 し な い粉 末 で あ る S i 02 粉末 を パ リ ス タ 素子 1 に 接触 さ せ て、 S i 02粉末 に バ リ ス タ 素 子 1 外表面 の 不要 な S i ワ ニ ス 5 を吸 い 込 ま せ た 後、 ふ る い 等 を利用 し て バ リ ス タ 素子 1 を分離す る 方法を と つ て も 良 い 。 以 上 の 方法 に よ り 、 バ リ ス タ 素子 1 表面上 の不要 な S i ワ ニ ス 5 は除去 さ れ る 。 そ の後パ リ ス タ 素子 1 を金属製網上に並べ、 S i ワ ニ ス 5 中 に含 ま れ る S i 樹脂の硬化温度以上の温度 (約 1 2 5 〜 2 0 0 。C )で S i 樹脂硬化の た め の加熱を行 い ( 2 4 )、 こ の 時、 外部電極 3 及 びパ リ ス タ 素子 1 内部 に 含浸 さ れて い た S i 樹脂 の一部 が析出 し 、 表面を覆 い第 6 図 に示す よ う な パ リ ス タ 素子 1 を 得 る 。 そ の後、 例 え ば ボ リ ヱ チ レ ン の容器 に バ リ ス タ 素子 1 、 S i C製研磨材、 水を入れて密閉 し、 回転、 振動等の機 械的 な方法で運動 さ せ る こ と に よ り 、 表面研磨を行い ( 2 5 ) 、 第 7 図 に 示 す よ う に 外部電極 3 表面上 の ' S i 樹脂 を メ ツ キ 等 の 後工 程 に 影響 を 及 ぼ さ な い 程度 ま で 除去 す る 。 こ の 表面研磨 ( 2 5 ) に よ り 、 パ リ ス タ 素子 1 に加わ る 機械 ス ト レ ス 、 及 び 硬化後 の S i 樹脂 と の接着強度が外部電極 3 よ り も バ リ ス タ 素 子 1 の 方が優位 な こ と に よ り 、 外部電極 3 外表面上の S i 樹脂 を選択的 に 除去 す る こ と がで き る 。 こ の 時外部電極 3 の 内 表面 に は 、 S i 樹脂 は残 っ て い て も 良 く 、 こ の S i 樹脂 に よ り 外部 電極 3 の電気的接続が妨 げ ら れ る こ と は な い 。
次いで こ の パ リ ス タ素子 1 の外部電極 3 の表面に メ ツ キ ( 2 6 ) を 行 い 第 1 図 に 示 す よ う な積層 パ リ ス タ を得 る 。
以上 の よ う に 、 パ リ ス タ 素子 1 内部 に S i 榭脂 を 含浸 さ せ た 内 表面絶縁層 3 0 を形成す る こ と に よ り 耐湿性 に 優れ、 且 つ 、 外表面絶縁層 3 1 を形成 す る こ と に よ り 、 外部電極 3 の 端部 の 剥離が起 き ず、 外部電極 3 に お い て 、 メ ツ キ ( 2 6 ) 等 の 後ェ 程 に影響 を 及 ぼ さ な い積雇 パ リ ス タ を 得 る こ と が可能 と な る 。
こ こ で 、 本実施例 に お け る 積層パ リ ス タ 及 び こ の製造方法 に お い て 、 特徴 と な る こ と を以下 に示す。
I . 第 1 図 に 示す よ う に 外表面絶縁層 3 1 は 、 パ リ ス タ 素子 1 の側面 に かか る よ う に 形成 し た外部電極 3 の端部を覆 う よ う に形成す る こ と に よ り 、 外部電極 3 と バ リ ス タ 素子 1 の 境界 か ら バ リ ス タ 素子 1 内部へ の メ ツ キ 液、 水分等 の浸入 を 防 ぐ こ と が で き る 。
Π . 外表面絶縁層 3 1 、 内表面絶縁雇 3 0 は光沢 を有 し て い る の で 、 積層 パ リ ス タ 表面 の 光沢 を確認す る こ と に よ り 、 内表 面絶縁層 3 0 及 び外表面絶縁層 3 1 を形成済み か ど う か を視 覚的 に 判 断 す る こ と が で き 、 選 別 を 容易 に 行 う こ と が で き る 。
m - 外表面絶縁層 3 1 、 内表面絶縁屢 3 0 の形成 に S i 樹脂 を 用 い た が、 硬化後、 耐熱性 を有 し 、 絶縁性、 撥水性が高 く 、 吸水率が小 さ い樹脂 で あ れ ば構わ ず、 S i 樹脂 の ほ か に 、 ェ ボ キ シ 系 樹脂 、 ア ク リ ル系樹 脂 、 ボ リ ブ タ ジ エ ン 系 樹脂 、 フ エ ノ ー ル系樹脂等 が あ り 、 こ れ ら の 中 か ら 一種類以上を 用 い て も 構 わ な い 。
ま た 樹 脂 の 代 わ り に 、 あ る い は 樹脂 と 混 合 し て 、 シ リ コ ン 、 チ タ ン 、 ア ル ミ ニ ウ ム 、 ジ ノレ コ ニ ゥ ム 、 イ ッ ト リ ウ ム 、 マ グ ネ シ ゥ ム か ら 選 ばれ る 少 な く と も 一種類以上 の 金属 ア ル コ キ シ ド を 用 い て も 同様 の効果 が得 ら れ る 。
金属 ア ル コ キ シ ド を 用 い る 場合 は 、 ア ル コ ー ノレ な ど金属 ァ ノレ コ キ シ ド が溶解す る こ と がで き る 溶媒を 用 い て含浸液 を作 製 す る 。
IV . 内 表面絶縁曆 3 0 の厚 み は 、 積層バ リ ス タ と し て の 特性 に 影響 を与 え な い範囲で 出来 る だ け大 き い方が望 ま し く 、 さ ら に は 硬化後 の S i 樹脂 の 内表面絶縁層 3 0 の厚 み が一番薄 い と こ ろ で 1 0 m以上 と な る こ と が望 ま し い 。 こ れ は 、 S i ワ ニ ス 5 の粘度、 溶剤率、 加圧力 の選択 に よ り 調整す る こ と がで き る 。
V . バ リ ス タ 素子 1 を S i ワ ニ ス 5 に 含浸 さ せ て 加 圧 す る 前 に 、 大気圧 よ り も 低 く し た状態 を設 け て、 加圧 の効果 を 高 め て も よ い 。
VI . S i ワ ニ ス 5 と 反 応 し な い 粉 末 と し て S i 0 2を 用 い た が、 パ リ ス タ 素子 1 に 含浸 さ せ る 含浸液 と 反応 し な い 粉末 で あ れ ば よ く 、 Z r 0 2, A 1 20 a , M g O や あ る い は こ れ ら を 混合 し た も の な ど も 用 い る こ と がで き る 。
VH . S i ワ ニ ス 5 を パ リ ス タ 素子 1 に 含浸 さ せ て硬化 さ せ る 前 に 、 S i ワ ニ ス 5 に 含 ま れ る 溶剤を 、 突沸 し な い温度 に加熱 し て 充分 に 除去 し て か ら 、 S i 樹脂 の硬化処理 を行 う こ と に よ り 、 密度 の 高 い 外表面絶縁層 3 1 を 形成 す る こ と が で き る 。
VI . S 1 ヮ 二 ス 5 へ の 浸漬か ら 表面研磨 ま で を複数回、 好 ま し く は 2 回繰 り 返す こ と に よ り 、 バ リ ス タ 素子 1 内部に よ り S i 樹脂 を 含浸 さ せ る こ と がで き る の で、 さ ら に 耐湿特性 を 向上 さ せ る こ と がで き る
κ . 素体の端部 は 曲線状 で あ る 方が望 ま し く 、 こ れ に よ り 外部 電極 3 上 の有機物 を研磨 に よ り 除去す る 場合、 外部電極 3 の 一部へ の ス ト レ ス の集中 を緩和す る こ と がで さ る
な お、 本実施例 に お い て は チ タ ン酸 ス ト 口 ン チ ウ ム を主成 分 と す る 積層バ リ ス タ を例 に 説明 し た が、 酸化亜鉛 を主成分 と す る 積層 バ リ ス 夕 は も ち ろ ん 、 セ ラ ミ ッ ク 素子を用 い る も の で も 、 サ — ミ ス タ 、 コ ン デ ン サ 、 抵抗等電子部品全般 に お い て 同様の効果が得 ら れ る 。 ま た 、 形伏 も 積層型だ け で な く ァ ィ ス ク 型 な ど ど の よ う な 形状 で も 構わ な い
産業上 の禾 IJ用 可能性
以上本発明 に よ る と 、 内 表面 に含浸 さ れ た絶縁雇 に よ り 耐湿 特性が劣化を 防 ぐ と 共 に 、 外表面 の絶縁層 に よ り 電極強度が向 上 す る の で 、 電極端部の剥離 も 防 ぐ こ と がで き る 。 ま た 電極端 部か ら の水分 な ど の浸入 を 防 ぐ こ と も で き る の で さ ら に 耐湿特 性が向上す る

Claims

請 求 の 範 囲
素体 と 、 こ の素体 の外表面 に 所定の 間隔 を設 け て形成 し た 少 な く と も 一対の 電極 と 、 前記素体表面の前記電極 の 非形 成部分及 び前記電極の端部 を 覆 う よ う に 設 け た 絶縁層 と を ϋ え 、 言己糸色縁層 の 少 な く と も 一部は 、 前記素体の 内 表面 に 含浸 さ れて い る 電子部
2 請 求 の範囲第 1 項 に お い て 、 絶縁層 は 、 金属 ア ル コ キ シ ド ま た は樹脂 の少 な く と も 一方 を 用 い て形成 さ れ た こ と を特 徵 と す る 電子口 | ΠΠ 0
3 請求の範囲第 1 項 に お い て 、 絶縁雇 を金属 ア ル コ キ シ ド に よ り 形成 し 、 こ の 金 属 ア ル コ キ シ ド は 、 シ リ コ ン 、 チ タ ン 、 ア ル ミ 二 ゥ ム 、 ジ ル コ ニ ウ ム 、 イ ッ ト リ ウ ム 、 マ グ ネ シ ゥ ム か ら 選 ばれ る 少 な く と も 一種類以上の金属 を有 す る こ と を特徴 と す る 電子部品。
4 請求 の範囲第 1 項 に お い て 、 絶縁層 を樹脂 に よ り 形成 し 、 こ の樹脂 は 、 シ リ コ ン 系樹脂、 ヱ ボ キ シ系樹脂、 ア ク リ ル 系樹脂、 ポ リ ブ タ ジ エ ン 系樹脂、 フ ノ ー ル系樹脂 の う ち の少な く と も一種類以上で あ る こ と を特徴 と す る電子部品。
5 請求の範囲第 1 項 に お い て、 素体の 内表面 に含浸 さ れて い る 絶縁雇 は 、 1 0 m以上 で あ る こ と を特徴 と す る 電子部
6 請 求 の 範 囲第 1 項 に お い て 、 素体外表面 の 絶縁層 の 厚 み は 、 こ の 絶縁雇 に 隣接す る 電極 の最大の厚み よ り も 小 さ い こ と を特徴 と す る 電子部品。
7 請求の範囲第 1 項 に お い て、 素体 の端部 は 曲線状で あ る こ と を特徴 と す る 電子部品。
素体 と 、 こ の素体 の 外表面 に所定の間隔 を 設 け て形成 し た 少 な く と も 一対の 電極 と 、 前記素体の 表面 の 少 な く と も 電 極 の 非形成部分 に 設 け た 絶縁層 と を備 え 、 前記素体外表面 は 光沢 を有す る こ と を特徴 と す る 電子部品。
素体 の外表面 に 所定 の間隔 を設 け て少 な く と も 一対 の電極 を形成す る 工程 と 、 次 に前記素体の外表面を 少 な く と も 有 機物を 含 む含浸液 に 接触 さ せ て前記含浸液 で前記素体外表 面 を被覆 す る 工程 と 、 次 に 前記素体外表面 を被覆 す る 含浸 液 の一部 を 除去す る 工程 と 、 次 い で前記含浸液中 の 有機物 を 硬化 さ せ る 工程 と 、 そ の後前記素体の前記電極外表面 の 硬化 し た有機物を研磨 に よ り 除去す る 工程 と を有 す る こ と を特徴 と す る 電子部品の製造方法。
請求 の範囲第 9 項 に お い て、 素体を含浸液 に 接触 さ せ る ェ 程を複数回繰 り 返す こ と を特徴 と す る 電子部品の製造方法。 請求の範囲第 9 項 に お い て、 有機物は 、 金属 ア ル コ キ シ ド ま た は樹脂 の少 な く と も 一方 を 含ん で い る こ と を特徴 と す る 電子部品の製造方法。
求の範囲第 9 項 に お い て 、 有機物は金属 ア ル コ キ シ ド を み 、 こ の金属 ア ル コ キ シ ド は 、 シ リ コ ン 、 チ タ ン 、 ア ル 二 ゥ ム 、 ジ ル コ ニ ウ ム 、 イ ッ ト リ ウ ム 、 マ グ ネ シ ウ ム の つ ち の少 な く と も 一種類以上 の金属 ア ル コ キ シ ド で あ る こ と を特徴 と す る 電子部品 の製造方法。
求の範囲第 9 項 に お い て 、 有機物 は 樹脂 を 含 み 、 こ の樹 脂 は 、 シ リ コ ン 系樹脂 、 エ ポ キ シ 系樹脂 、 ア ク リ ル系樹 脂 、 ボ リ ブ タ ジ エ ン 系樹脂、 フ ノ ー ル系樹脂 の う ち の 少 な く と も 一種類以上で あ る こ と を特徴 と す る 電子部品 の 製 造方法。
14 . 請求の範囲第 9 項 に お い て 、 素体を 含浸液 に 接触 さ せ た 状 態 で加圧 す る こ と を特徴 と す る 電子部品の製造方法。
1 5 . 請求 の 範 囲第 9 項 ί: : お い て 、 素体外 表面 の 有機物 の 除 去 は 、 遠心 分離 、 有機物 が可溶 な 液体 に よ る 洗浄、 含浸液 と 反応 し な い粉末 と の接触 の う ち 少な く と も 一 つ を用 い て 行 う こ と を特徴 と す る 電子部品の製造方法。
1 6 . 請求 の範囲第 1 5 項 に お い て、粉末は、 S i 0 2 , Z r 0 2 , A 1 2 0 3 , M g 0 の う ち 少な く と も 一種類以上 を含 ん で い る こ と を 特徵 と す る 電子部品 の 製造方法。
1 7 . 請求の範囲第 9 項 に お い て、 研磨は、 少 な く と も 素体 と 液 体 と を 入 れた容器 を運動 さ せ て 行 う こ と を特徴 と す る 電子 部品の製造方法。
18 . 請求の範囲第 9 項 に お い て 、 素体の端部を 曲線状 に し て か ら 電極 を形成す る こ と を特徴 と す る 電子部品 の製造方法。
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DE69733863T DE69733863T2 (de) 1996-01-24 1997-01-23 Elektronische bauteile und verfahren zu ihrer herstellung
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6005015A (en) * 1997-04-02 1999-12-21 Sealed Air Coporation Polyolefin products and process additives therefor having reduced transfer to substrates
US6156813A (en) * 1997-10-06 2000-12-05 Sealed Air Corporation Polyolefin products and process additives therefor having reduced transfer to substrates

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154301A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Murata Mfg Co Ltd チップ型サーミスタ
JP3736602B2 (ja) * 1999-04-01 2006-01-18 株式会社村田製作所 チップ型サーミスタ
DE19931056B4 (de) 1999-07-06 2005-05-19 Epcos Ag Vielschichtvaristor niedriger Kapazität
DE10062293A1 (de) * 2000-12-14 2002-07-04 Epcos Ag Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3636075B2 (ja) * 2001-01-18 2005-04-06 株式会社村田製作所 積層ptcサーミスタ
KR100444888B1 (ko) * 2002-02-18 2004-08-21 주식회사 쎄라텍 칩타입 바리스터 및 그 제조방법
KR20030068350A (ko) * 2002-03-14 2003-08-21 조인셋 주식회사 칩 부품에서 외부전극 도금 방법
US20060152330A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-13 Jong-Sung Kang PTC current limiting device having molding part made of insulating material
JP4715248B2 (ja) * 2005-03-11 2011-07-06 パナソニック株式会社 積層セラミック電子部品
WO2007119281A1 (ja) * 2006-03-15 2007-10-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層型電子部品およびその製造方法
DE102006017796A1 (de) * 2006-04-18 2007-10-25 Epcos Ag Elektrisches Kaltleiter-Bauelement
JP5104030B2 (ja) * 2007-05-22 2012-12-19 パナソニック株式会社 多層セラミック基板およびその製造方法
EP2019395B1 (en) * 2007-07-24 2011-09-14 TDK Corporation Stacked electronic part and method of manufacturing the same
JP5038950B2 (ja) * 2007-07-24 2012-10-03 Tdk株式会社 積層電子部品およびその製造方法
KR100975105B1 (ko) * 2008-05-08 2010-08-11 온라인 테크놀로지스 리미티드 칩 smt 부품용 절연 방법
JP5768471B2 (ja) * 2010-05-19 2015-08-26 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法
US8508325B2 (en) 2010-12-06 2013-08-13 Tdk Corporation Chip varistor and chip varistor manufacturing method
KR101253893B1 (ko) 2010-12-27 2013-04-16 포스코강판 주식회사 내산화성 및 내열성이 우수한 알루미늄 도금강판
JP5730638B2 (ja) 2011-03-28 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の処理室内構成部材及びその温度測定方法
JP5696623B2 (ja) * 2011-08-29 2015-04-08 Tdk株式会社 チップバリスタ
JP5799672B2 (ja) * 2011-08-29 2015-10-28 Tdk株式会社 チップバリスタ
JP6107062B2 (ja) * 2012-11-06 2017-04-05 Tdk株式会社 チップサーミスタ
JP6015779B2 (ja) * 2013-01-29 2016-10-26 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
KR101444615B1 (ko) 2013-08-09 2014-09-26 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR20150118385A (ko) * 2014-04-14 2015-10-22 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터, 그 제조 방법 및 그 실장 기판
US10134510B2 (en) 2014-04-24 2018-11-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Chip resistor and method for manufacturing same
CN106463239B (zh) * 2014-07-25 2018-12-04 株式会社村田制作所 电子部件及其制造方法
JP6274045B2 (ja) * 2014-07-28 2018-02-07 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
JP6060945B2 (ja) 2014-07-28 2017-01-18 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
JP6274044B2 (ja) 2014-07-28 2018-02-07 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
KR101607027B1 (ko) * 2014-11-19 2016-03-28 삼성전기주식회사 칩 전자 부품 및 칩 전자 부품의 실장 기판
US10431365B2 (en) 2015-03-04 2019-10-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing electronic component
US10875095B2 (en) 2015-03-19 2020-12-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component comprising magnetic metal powder
JP2018049883A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP2018049881A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2020061391A (ja) * 2016-12-27 2020-04-16 株式会社村田製作所 電子部品への被覆素材の選択的被覆方法および電子部品の製造方法
US11037710B2 (en) 2018-07-18 2021-06-15 Avx Corporation Varistor passivation layer and method of making the same
KR102101932B1 (ko) * 2018-10-02 2020-04-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102096464B1 (ko) * 2018-11-16 2020-04-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102068804B1 (ko) * 2018-11-16 2020-01-22 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
CN109741939A (zh) * 2019-01-29 2019-05-10 维沃移动通信有限公司 一种陶瓷电容器和终端设备
KR102254876B1 (ko) * 2019-06-03 2021-05-24 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
JP7345778B2 (ja) * 2019-07-17 2023-09-19 三菱マテリアル株式会社 電子部品の製造方法
KR102276514B1 (ko) 2019-08-28 2021-07-14 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
KR20190116162A (ko) 2019-08-28 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
US20240013955A1 (en) * 2020-11-25 2024-01-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Multilayer varistor and method for manufacturing the same
JP2024507087A (ja) * 2021-02-01 2024-02-16 キョーセラ・エーブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション フレキシブルな終端部を有するバリスタ
JP2023035178A (ja) * 2021-08-31 2023-03-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 バリスタ及びその製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH027401A (ja) * 1988-06-27 1990-01-11 Toshiba Corp 非直線抵抗体の製造方法
JPH03240202A (ja) * 1990-02-19 1991-10-25 Opt D D Meruko Lab:Kk サーミスタ
JPH04127401A (ja) * 1990-06-08 1992-04-28 Mitsubishi Materials Corp チップ型サーミスタおよびその製造方法
JPH05308003A (ja) * 1992-03-30 1993-11-19 Taiyo Yuden Co Ltd チップ型サーミスタの製造方法
JPH06295803A (ja) * 1993-04-07 1994-10-21 Mitsubishi Materials Corp チップ型サーミスタ及びその製造方法
JPH0766006A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Koa Corp 角形チップサーミスタ
JPH07201533A (ja) * 1994-01-11 1995-08-04 Tama Electric Co Ltd チップ部品

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2253376A (en) * 1939-06-23 1941-08-19 Westinghouse Electric & Mfg Co Lightning-arrester block
US2253360A (en) * 1939-07-26 1941-08-19 Westinghouse Electric & Mfg Co Coated lighting-arrester block
US2305577A (en) * 1940-08-04 1942-12-15 Line Material Co Resistor
US2501322A (en) * 1946-11-07 1950-03-21 Westinghouse Electric Corp Moisture-resistant lightning arrester valve block
US2914742A (en) * 1957-06-06 1959-11-24 Ohio Brass Co Valve block for lightning arresters
US3720543A (en) * 1971-04-12 1973-03-13 Corning Glass Works Coated porous ceramic article and method of making
US3791863A (en) * 1972-05-25 1974-02-12 Stackpole Carbon Co Method of making electrical resistance devices and articles made thereby
JPS6054761B2 (ja) * 1979-01-16 1985-12-02 株式会社日立製作所 電圧非直線抵抗体
US4371860A (en) * 1979-06-18 1983-02-01 General Electric Company Solderable varistor
JPH0754784B2 (ja) 1987-07-02 1995-06-07 ニッセイ電機株式会社 チップ形電子部品及びその製造方法
US5075665A (en) * 1988-09-08 1991-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated varistor
JP2827333B2 (ja) * 1989-10-13 1998-11-25 住友電気工業株式会社 耐熱絶縁コイルの製造方法
US5455554A (en) * 1993-09-27 1995-10-03 Cooper Industries, Inc. Insulating coating
KR100255906B1 (ko) 1994-10-19 2000-05-01 모리시타 요이찌 전자부품과 그 제조방법
US5614074A (en) * 1994-12-09 1997-03-25 Harris Corporation Zinc phosphate coating for varistor and method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH027401A (ja) * 1988-06-27 1990-01-11 Toshiba Corp 非直線抵抗体の製造方法
JPH03240202A (ja) * 1990-02-19 1991-10-25 Opt D D Meruko Lab:Kk サーミスタ
JPH04127401A (ja) * 1990-06-08 1992-04-28 Mitsubishi Materials Corp チップ型サーミスタおよびその製造方法
JPH05308003A (ja) * 1992-03-30 1993-11-19 Taiyo Yuden Co Ltd チップ型サーミスタの製造方法
JPH06295803A (ja) * 1993-04-07 1994-10-21 Mitsubishi Materials Corp チップ型サーミスタ及びその製造方法
JPH0766006A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Koa Corp 角形チップサーミスタ
JPH07201533A (ja) * 1994-01-11 1995-08-04 Tama Electric Co Ltd チップ部品

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0821374A4 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6005015A (en) * 1997-04-02 1999-12-21 Sealed Air Coporation Polyolefin products and process additives therefor having reduced transfer to substrates
US6156813A (en) * 1997-10-06 2000-12-05 Sealed Air Corporation Polyolefin products and process additives therefor having reduced transfer to substrates
US6232355B1 (en) 1997-10-06 2001-05-15 Sealed Air Corporation Polyolefin products and process additives therefor having reduced transfer to substrates
US6406645B1 (en) 1997-10-06 2002-06-18 Sealed Air Corporation Polyolefin products and process additives therefor having reduced transfer to substrates
US6518320B1 (en) 1997-10-06 2003-02-11 Sealed Air Corporation (U.S) Polyolefin products and process additives therefor having reduced transfer to substrates
US6559194B2 (en) 1997-10-06 2003-05-06 Sealed Air Corporation (U.S.) Polyolefin products and process additives therefor having reduced transfer to substrates

Also Published As

Publication number Publication date
KR100281244B1 (ko) 2001-02-01
CN1128453C (zh) 2003-11-19
CN1178030A (zh) 1998-04-01
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