JPH0766006A - 角形チップサーミスタ - Google Patents
角形チップサーミスタInfo
- Publication number
- JPH0766006A JPH0766006A JP21397493A JP21397493A JPH0766006A JP H0766006 A JPH0766006 A JP H0766006A JP 21397493 A JP21397493 A JP 21397493A JP 21397493 A JP21397493 A JP 21397493A JP H0766006 A JPH0766006 A JP H0766006A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- electrode
- face
- surface electrode
- thermistor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値が大幅に低い角形チップサーミスタを
得る。 【構成】 サーミスタ素子１の両端面に対をなす端面電
極２，３を形成する。サーミスタ素子１の上下面に両端
面電極２，３の一方にそれぞれ接続して上下面電極４，
５を形成する。絶縁被膜６，７にて上下面電極４，５と
この上下面電極４，５に対向する端面電極２，３とを絶
縁するとともに上下面電極４，５を被覆する。 【効果】 電極面積を拡大することにより抵抗値が大幅
に低下する。
得る。 【構成】 サーミスタ素子１の両端面に対をなす端面電
極２，３を形成する。サーミスタ素子１の上下面に両端
面電極２，３の一方にそれぞれ接続して上下面電極４，
５を形成する。絶縁被膜６，７にて上下面電極４，５と
この上下面電極４，５に対向する端面電極２，３とを絶
縁するとともに上下面電極４，５を被覆する。 【効果】 電極面積を拡大することにより抵抗値が大幅
に低下する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は角形チップサーミスタに
係り、特に電極に関する。
係り、特に電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のチップサーミスタは、素
子の両端面にそれぞれ電極を形成した構造が採られてい
た。そして、サーミスタの抵抗値を低下させるには素子
の比抵抗を下げることによって行っていた。
子の両端面にそれぞれ電極を形成した構造が採られてい
た。そして、サーミスタの抵抗値を低下させるには素子
の比抵抗を下げることによって行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のサーミスタ
は素子の比抵抗を下げることによってサーミスタの抵抗
値を低下させるため、例えば、チタン酸バリウム系サー
ミスタの抵抗値を低下させるとしても数10Ω程度まで
で、10Ω以下に抵抗値を下げることはできなかった。
は素子の比抵抗を下げることによってサーミスタの抵抗
値を低下させるため、例えば、チタン酸バリウム系サー
ミスタの抵抗値を低下させるとしても数10Ω程度まで
で、10Ω以下に抵抗値を下げることはできなかった。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、抵抗値を大幅に低くできる角形チップサーミスタを
提供するものである。
で、抵抗値を大幅に低くできる角形チップサーミスタを
提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の角形チップサー
ミスタは、チタン酸バリウム系磁器などのサーミスタ素
子と、このサーミスタ素子の両端面に形成された対をな
す端面電極と、前記サーミスタ素子の上下面に前記両端
面電極の一方にそれぞれ接続して形成された上下面電極
と、前記上下面電極とこの上下面電極に対向する端面電
極とを絶縁するとともに上下面電極を被覆する絶縁被膜
とからなるものである。
ミスタは、チタン酸バリウム系磁器などのサーミスタ素
子と、このサーミスタ素子の両端面に形成された対をな
す端面電極と、前記サーミスタ素子の上下面に前記両端
面電極の一方にそれぞれ接続して形成された上下面電極
と、前記上下面電極とこの上下面電極に対向する端面電
極とを絶縁するとともに上下面電極を被覆する絶縁被膜
とからなるものである。
【０００６】
【作用】本発明の角形チップサーミスタは、サーミスタ
素子の両端面に形成された対をなす端面電極とこの端面
電極の一方にそれぞれ接続された上下面電極とにて電極
面積が拡大され、抵抗値が大幅に低下される。
素子の両端面に形成された対をなす端面電極とこの端面
電極の一方にそれぞれ接続された上下面電極とにて電極
面積が拡大され、抵抗値が大幅に低下される。
【０００７】
【実施例】次にこの発明の一実施例の構成を製造工程と
ともに図に基いて説明する。
ともに図に基いて説明する。
【０００８】図１および図２において、１はチタン酸バ
リウム系磁器または、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ酸
化物よりなるサーミスタ素子などのバルク形のサーミス
タ素子で、このサーミスタ素子１は偏平矩形状のチップ
体にて形成され、このサーミスタ素子１の両端面には図
３に示すように、銀膜層からなる端面電極２，３がそれ
ぞれ形成され、この端面電極２，３はサーミスタ素子１
の上下面の両端縁部まで延長形成されている。そして、
この端面電極２，３は銀印刷または転写して乾燥、焼成
して形成する。
リウム系磁器または、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ酸
化物よりなるサーミスタ素子などのバルク形のサーミス
タ素子で、このサーミスタ素子１は偏平矩形状のチップ
体にて形成され、このサーミスタ素子１の両端面には図
３に示すように、銀膜層からなる端面電極２，３がそれ
ぞれ形成され、この端面電極２，３はサーミスタ素子１
の上下面の両端縁部まで延長形成されている。そして、
この端面電極２，３は銀印刷または転写して乾燥、焼成
して形成する。
【０００９】次いで、図４に示すように、端面電極２，
３を形成したサーミスタ素子１の上下面に前記両端面電
極２，３の一方にそれぞれ接続して銀膜層からなる上下
面電極４，５を形成する。すなわち、一方の端面電極２
に連続して上面電極４、他方の端面電極３に連続して下
面電極５が形成されている。そして、この上下面電極
４，５は銀印刷または転写して乾燥、焼成して形成す
る。
３を形成したサーミスタ素子１の上下面に前記両端面電
極２，３の一方にそれぞれ接続して銀膜層からなる上下
面電極４，５を形成する。すなわち、一方の端面電極２
に連続して上面電極４、他方の端面電極３に連続して下
面電極５が形成されている。そして、この上下面電極
４，５は銀印刷または転写して乾燥、焼成して形成す
る。
【００１０】なお、前記端面電極２，３と上下面電極
４，５とはそれぞれ乾燥させた後に同時に焼成すること
もできる。
４，５とはそれぞれ乾燥させた後に同時に焼成すること
もできる。
【００１１】次いで、図５に示すように、前記上面電極
４とこの上面電極４に対向する端面電極３とを絶縁する
エポキシ樹脂からなる絶縁被膜６を上面電極４と端面電
極３との間および上面電極４の外面に形成する。また、
前記下面電極５とこの下面電極５に対向する端面電極２
とを絶縁するエポキシ樹脂からなる絶縁被膜７を下面電
極５と端面電極２との間および下面電極５の外面に形成
する。このようにして絶縁被膜６，７は上下面電極４，
５とこの上下面電極４，５に対向する端面電極３，２と
を絶縁するとともに上下面電極４，５を被覆する。
４とこの上面電極４に対向する端面電極３とを絶縁する
エポキシ樹脂からなる絶縁被膜６を上面電極４と端面電
極３との間および上面電極４の外面に形成する。また、
前記下面電極５とこの下面電極５に対向する端面電極２
とを絶縁するエポキシ樹脂からなる絶縁被膜７を下面電
極５と端面電極２との間および下面電極５の外面に形成
する。このようにして絶縁被膜６，７は上下面電極４，
５とこの上下面電極４，５に対向する端面電極３，２と
を絶縁するとともに上下面電極４，５を被覆する。
【００１２】さらに、前記両端面電極２，３の外面には
表面実装に適するために、図６に示すように、電解ニッ
ケル鍍金膜８と電解はんだ鍍金膜９とを形成する。
表面実装に適するために、図６に示すように、電解ニッ
ケル鍍金膜８と電解はんだ鍍金膜９とを形成する。
【００１３】次にこの実施例の作用を説明する。
【００１４】サーミスタ素子１の両端面に形成された対
をなす端面電極２，３とこの端面電極２，３の一方にそ
れぞれ接続された上下面電極４，５とにて電極面積が拡
大されるため、10Ω以下の抵抗値とすることができる。
また、一方側の端面電極２、上面電極４と他方側の端面
電極３、下面電極５との間の絶縁は絶縁被膜６，７にて
確保される。
をなす端面電極２，３とこの端面電極２，３の一方にそ
れぞれ接続された上下面電極４，５とにて電極面積が拡
大されるため、10Ω以下の抵抗値とすることができる。
また、一方側の端面電極２、上面電極４と他方側の端面
電極３、下面電極５との間の絶縁は絶縁被膜６，７にて
確保される。
【００１５】また、電解ニッケル鍍金膜８と電解はんだ
鍍金膜９は絶縁被膜６，７により必要以外の部分には形
成されない。
鍍金膜９は絶縁被膜６，７により必要以外の部分には形
成されない。
【００１６】なお、前記絶縁被膜６，７はエポキシ樹脂
に限らず、ガラスコートにて形成することもできる。
に限らず、ガラスコートにて形成することもできる。
【００１７】また、前記サーミスタ素子１は短冊状の長
方体形状の素子体の長手方向に沿う端面に端面電極２，
３を形成し、さらに、上面電極４、下面電極５、絶縁被
覆６，７、電解ニッケル鍍金膜８と電解はんだ鍍金膜９
を形成し、次いで、素子体を所定寸法幅で切断して形成
することにより、大量生産に適する。
方体形状の素子体の長手方向に沿う端面に端面電極２，
３を形成し、さらに、上面電極４、下面電極５、絶縁被
覆６，７、電解ニッケル鍍金膜８と電解はんだ鍍金膜９
を形成し、次いで、素子体を所定寸法幅で切断して形成
することにより、大量生産に適する。
【００１８】上記実施例による角形チップサーミスタと
従来の角形チップサーミスタとの抵抗値を測定した結
果、２Ｂタイプでは、サーミスタ素子１の比抵抗が10Ω
の場合、この実施品では抵抗値が５Ωで、従来品の80Ω
に比して大幅に抵抗値が低下されることが確認できた。
従来の角形チップサーミスタとの抵抗値を測定した結
果、２Ｂタイプでは、サーミスタ素子１の比抵抗が10Ω
の場合、この実施品では抵抗値が５Ωで、従来品の80Ω
に比して大幅に抵抗値が低下されることが確認できた。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、サーミスタ素子の両端
面に形成された対をなす端面電極とこの端面電極の一方
にそれぞれ接続された上下面電極とにて電極面積が拡大
され、抵抗値を大幅に低下させることができる。
面に形成された対をなす端面電極とこの端面電極の一方
にそれぞれ接続された上下面電極とにて電極面積が拡大
され、抵抗値を大幅に低下させることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す角形チップサーミスタ
の一部を切り欠いた斜視図である。
の一部を切り欠いた斜視図である。
【図２】同上素子の正面図である。
【図３】同上端面電極を形成した状態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】同上上下面電極を形成した状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】同上絶縁被膜を形成した状態を示す断面図であ
る。
る。
【図６】図１の断面図である。
１ サーミスタ素子 ２，３ 端面電極 ４，５ 上下面電極 ６，７ 絶縁被膜
Claims (1)
- 【請求項１】 サーミスタ素子と、 このサーミスタ素子の両端面に形成された対をなす端面
電極と、 前記サーミスタ素子の上下面に前記両端面電極の一方に
それぞれ接続して形成された上下面電極と、 前記上下面電極とこの上下面電極に対向する端面電極と
を絶縁するとともに上下面電極を被覆する絶縁被膜とか
らなることを特徴とする角形チップサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21397493A JPH0766006A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 角形チップサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21397493A JPH0766006A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 角形チップサーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766006A true JPH0766006A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16648154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21397493A Pending JPH0766006A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 角形チップサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997027598A1 (fr) * | 1996-01-24 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pieces electroniques et leur procede de fabrication |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP21397493A patent/JPH0766006A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997027598A1 (fr) * | 1996-01-24 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pieces electroniques et leur procede de fabrication |
| US6171644B1 (en) | 1996-01-24 | 2001-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacture therefor |
| US6400253B1 (en) | 1996-01-24 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacture therefor |
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