SU1084907A1 - Способ изготовлени алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора - Google Patents

Способ изготовлени алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора Download PDF

Info

Publication number
SU1084907A1
SU1084907A1 SU823519980A SU3519980A SU1084907A1 SU 1084907 A1 SU1084907 A1 SU 1084907A1 SU 823519980 A SU823519980 A SU 823519980A SU 3519980 A SU3519980 A SU 3519980A SU 1084907 A1 SU1084907 A1 SU 1084907A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
case
same
anode
capacitor
manganese
Prior art date
Application number
SU823519980A
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Семенович Круглов
Александр Федорович Учуваткин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8981
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8981 filed Critical Предприятие П/Я В-8981
Priority to SU823519980A priority Critical patent/SU1084907A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1084907A1 publication Critical patent/SU1084907A1/ru

Links

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АЛЮМИНИЕВОГО ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий нанесение катодного полупроводникового сло  оксида марганца путем многократной пропитки предварительно оксидированного объемно-пористого анода в растворе нитрата марганца с последующим его пиролитическим разложением, отличающийс  тем, что, с целью повышени  электрической и механической прочности конденсатора, между циклами пиролитического разложени  нитрата марганца на торец анода нанос т жидкий органосиликатный материал с последующим его отверждением .

Description

эо 4; X)
sl
Изобретение относитс  к электронике и радиоэлектронике и может бглть использовано при изготовлении оксид но-полупроводниковых; конденсаторов .
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результате к изобретению  вл етс  способ изготовлени  алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора, включающий нанесение катодного полупроводникового сло , оксида марганца путем многократной пропитки предварительно оксидированного объемнопористого анода в растворе нитрата марганца с последующим его пиролитическим разложением СП.
В результате формируетс  катодньй слой оксида марганца внутри пор объемно-пористого анода (внутренний слой) и на образующей поверхности анода (внешний слой).
Внешний слой оксида марганца должен обладать прочностью, достаточно дл  сохранени  его целостности при механических воздействи х на конденсаторную структуру, имеющих место при последующих технологических операци х и в процессе эксплуатации „
Объемно-пористые аноды изготавливаютс  прессованием мелкодисперсного алюминиевого порошка и в силу специфики процесса прессовани  (аксиально направленное усилие передаетс  на формируемый анод стальными пуансонами) и высокой пластичности алюмини  торцовые поверхности анода
т.е. открыта  позадавливаютс 
ристость на торцовых поверхност х существенно меньше открытой пористости на боковой поверхности, что в результате приводит к ослаблению св зи внешнего и внутреннего слоев MnO|2 на торцах анодов.
Это приводит к отслаиванию внешнего сло  МпО от торцовой поверхности при механических воздействи х (в частности при вибрации, ударах, знакопеременных линейных нагрузках как следстви  циклической смены температур ) на конденсаторную структуру , имеющих место при последующих технологических операци х в процессе эксплуатации. Возникающие в результате нарушени  целостности внешнего сло  оксида марганца дефекты инициируют пробой окисной пленки при последующих термопотенциальных воздействи х , что приводит к выходу конденсатора из стро .
Кроме того, в месте пересечени  боковой поверхности анода с торцом в силу малого радиуса закруглени  такого перехода напр женность электрического пол  существенно больше среднего по поверхности анода., что ослабл ет электрическую прочность Q конденсатора в целом и также может приводить к пробою окисной пленки. Указанные пробои окисной пленки происход т на нижнем торце анода, так как в готовом конденсаторе катодный токоподвод осуществл етс  через боковую поверхность и нижний торец.
Целью изобретени   вл етс  повышение электрической и механической прочности конденсатора.
Указанна  цель достигаетс  тем, что согласно способу изготовлени  алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора, включающему на5 несение катодного пол гпроводникового сло  оксида марганца путем многократной пропитки предварительно оксидированного объемно-пористого анода в растворе нитрата марганца с последующим его пиролитическим разложением , между циклами пиролитического разложени  нитрата марганца на торец анода нанос т жидкий органосиликатный материал с последующим его отверждением. .
При изготовлении объемно-пористых анодов (OIIA) конденсаторов рассматриваемого типа в формируемый ОПА впрессовываетс  анодный вывод (обычно из материала, однородного с материалом ОПА)
- Окиснал пленка, создаваема  в процессе электрохимического анодировани  поверхности ОПА, обладает большой концентрацией пор, что во избежании коротких замыканий диктует необходимость использовани  в качестве катодной обкладки достаточно высокоомного материала (обычно окисного полупроводника MnQ) . Нанесение полупроводниковой MnOj осуществл етс  путем многократной пропитки в растворе нитрата марганца , с последующим (после кажДой пропитки ) его пиролитическим разложением . При этом образующийс  слой MnOj можно условно разделить на два сло : внутренний толшиной 1-10 мкм, обеспечивающий контакт с окисной пленкой и реализацию емкости, который формируетс  в основном после вт рого цикла пиролиза, и внешний слой .толщиной 200-400 мкм, служащий дл  защиты нижележащего контакта окисна пленка/внутренний слой Кп02 от проникновени  провод щих частиц (например , графита) при последующих операци х нанесени  переходных покрытий (например, графитизации). Кр ме того, при пропитке в нитрате марганца за счет капилл рных  влени нитрат марганца нат гиваетс  на анодньй вывод и осаждаетс  на нем после пиролитического разложени  в виде Мп02. В результате в сформированной таким образом конденсаторной структуре имеютс  два электрически и механически напр женных места: верхн  торцова  поверхность ОПА с местом выхода анодного вывода из ОПА и нижн   торцова  поверхность. При этом различие в механических характеристиках Та и А1 (пластичность, твердость и т.д.) обуславливает раз личный вклад указанных опасных мест в электрическую и механическую прочность танталовых и алюминиевых конденсаторов в целом. Дл  алюминиевых ОПА, в силу высокой пластичности А1, торцовые поверхности ОПА при их изготовлении задавливаютс , что в результате приводит к снижению адгезии внешнег сло  MnOj к поверхности ОПА на торцовых поверхност х (особо критично дл  нижней торцовой поверхности, так как именно через нее осзтцествл  етс  катодный токоподвод) и как сл ствие к снижению механической прочности внешнего сло  Мп02И конденсатора в целом. Механические же на пр жени  в районе анодного вывода гас тс  высокой пластичностью А1 (т.е. поскольку твердость AI-O и МпО у Bbmie твердости собственно А1 при механических нагрузках на внеш ний слой МпО 2 осалэденный на анодный вывод, микровыступы МпО2 вдавливаютс  вместе с пленкой , н разрыва  ее сплошности, в А1), и не привод т к ухудшению параметров конденсаторов. В тоже врем  механические нагрузки в районе нижнего торца ОПА привод т к разрушению внешнего сло  МпО и снижают надежность готовых изделий. В предлагаемом способе предотвращение отслаивани  внешнего сло  Мп02 и его разрушени  при механических нагрузках в районе нижнего торца ОПА достигаетс  нанесением защитного сло  из органосиликатной композиции после второго цикла пиролиза, т.е. защищаетс  нижележащей внутренний слой МпО2 и контакт внутренний слой МпО j/o CLHaH пленка от возможного проникновени  провод щих частиц (например, графита) при последующих операци х, с целью повьщ1ени  электрической и механической прочности алюминиевых конденсаторов, и снижением веро тности отказов. Нанесение защитного материала на ОПА до их пропитки в растворе нитрата марганца с неизбежностью приведет к тому, что при пропитке нитрат марганца не будет проникать через нанесенный защитный слой к поверхности окисной пленки и в результате в этом месте контакт Мп02ок сна  пленка образоватьс  не может, что в свою очередь приведет к потере емкости конденсатора примерно на 2030% . Поэтому предложено осуществл ть нанесение защитного сло  между циклами пиролиза. Материал дл  защитного покрыти  должен удовлетвор ть следующим основным требовани м: иметь хорош то смачиваемость поверхности; обладать достаточной адгезией; выдерживать без разрушени  воздействие термоудара при пиролизах. В качестве диэлектрического материала была выбрана органосиликатна  композици  ОС-12-01 зелена  ТУ 84-725-78, обеспечивающа  смачиваемость поверхности и дающа  после сушки механически прочный слой с хорошей адгезией к подложке. Наличие в составе органосиликатной композиции полимерного св зующего обеспечивает одновременно достаточную эластичность и хорошие электроизол ционные свойства покрыти . Образующа с  при последующих циклах пиролиза двуокись марганца закрывает торец и диэлектрическое покрытие включаетс  во внешнее покрытие оксида марганца, однако в этом случае при отслоении оксида марганца торцова  поверхность закрыта изол ционным материалом и пробой окисной пленки не происходит. Кроме того, наличие электроизол ционного сло  на торце анода существенно повьш1ает и электрическую прочность конденсатора в целом. Пример. Брали 15 партий оксидированных анодов (6 партий по 117 тот в каждой габарита 0 7x12 мм, 6 партий по 156 шт габарита 0 5,5x12 мм, 3 партии по 240 шт габарита 0 2,7x6,3 мм). На оксидированные объемно-пористые аноды наносили два сло  оксида марганца и после каждого цикла нанесени  проводили электрохимическую обработку (подформовку) с последующей промывкой и сушкой, В ванночку наливали жидкую органо силикатную композицию ОС-12-1 запе . ую ТУ-84-725-78. Аноды на планках после сушки погружали в ванночку так. чтобы глубина погружени  анодов не превышала 1 мм от нижнего торца. Излишки органосиликатной композиции удал ли фильтровальной бумагой. Затем аноды помещали в термошкаф и выдерживали при в течение 15 мин дл  отверждени  органосиликатной композиции о Операции нанесени  оксида марганца, подформовки, промывки, сушки и дальнейшее изготовление конденсаторов проводили по известной технологии. Данные сравнительных испытаний конденсаторов; изготовленных по действующей технологии и с применением предлагаемого- способа, представлены в табх(ице.
Продолжение таблицы
710849078
Использование предлагаемого спо- механическим воздействи м и соба позвол ет повысить качество и увеличени  электрической прочности надежность алюминиевых оксидно-полу- „ существенно снизить тем самым вепроводниковых конденсаторов за счет ро тность отказа конденсаторов в проводниковых конденсаторов за счет повьшени  устойчивости конденсатопроцессе эксплуатации.

Claims (1)

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АЛЮМИНИЕВОГО ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий нанесение катодного полупроводникового слоя оксида марганца путем многократной пропитки предварительно оксидированного объемно-пористого анода в растворе нитрата марганца с последующим его пиролитическим разложением, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической и механической прочности конденсатора, между циклами пиролитического раз- с ложения нитрата марганца на торец анода наносят жидкий органосиликатный материал с последующим его отверждением.
    1 1084907
SU823519980A 1982-11-30 1982-11-30 Способ изготовлени алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора SU1084907A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823519980A SU1084907A1 (ru) 1982-11-30 1982-11-30 Способ изготовлени алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823519980A SU1084907A1 (ru) 1982-11-30 1982-11-30 Способ изготовлени алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1084907A1 true SU1084907A1 (ru) 1984-04-07

Family

ID=21038546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823519980A SU1084907A1 (ru) 1982-11-30 1982-11-30 Способ изготовлени алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1084907A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1.Л.Н. Закгейм Электролитические конденсаторы. М.-Л., Госэнергоиздат 1963, с. 229-242. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6324050B1 (en) Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same
US6171644B1 (en) Electronic component and method of manufacture therefor
JP3881480B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製法
US5455736A (en) Tantalum solid-state electrolytic capacitor and fabrication process therefor
US6671167B2 (en) Solid electrolytic capacitor, and method for preparing the same
JPH05121274A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3304798B2 (ja) 電子部品およびその製造方法
US3337429A (en) Solid electrolytic capacitor and process therefor
US6878483B2 (en) Separator for solid electrolyte condenser and solid electrolyte condenser using the same
US3818581A (en) Capacitor electrode
US5938797A (en) Low impedance solid electrolytic capacitor and method for fabricating the same
SU1084907A1 (ru) Способ изготовлени алюминиевого оксидно-полупроводникового конденсатора
US3260904A (en) Electrical capacitor having an oxide dielectric and a cooperating dielectric material
US3079536A (en) Film-forming metal capacitors
US3538395A (en) Solid electrolyte capacitor and method for making same
US3697822A (en) Electrolytic capacitor having an electrode with a metallized cracked oxide surface
US3302074A (en) Capacitor with solid oxide electrolyte pyrolytically produced in wet atmosphere
US2989447A (en) Manufacture of dry electrolytic devices
JP2615712B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造法
US2322353A (en) Dielectric material
EP3531431B1 (en) Bushing electrode with edges having field grading properties and method for manufacturing such a bushing
JPH02301113A (ja) 積層セラミック電子部品およびその製造法
JPH02267915A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP3123772B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサ
JPH04324612A (ja) 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法