JP6274044B2 - セラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、セラミック電子部品に関する。

電子部品に用いられているセラミックは、電子部品の機能の高度化による材料改良によって、酸やアルカリなどによる化学的浸食に対して弱くなり易くなる場合がある。

そこで、この対策として、電子部品のセラミック素子表面を、特許文献１および特許文献２に示すように樹脂でコーティングする技術が提案されている。

電子部品のセラミック素子表面をコーティングすることによって、めっき処理時のめっき液や実装時のフラックスによるセラミック素子への化学的浸食の影響が軽減できる。そして、セラミック素子表面をコーティングすることによって、めっき処理時において、セラミック素子表面へのめっき成長が抑制され、電子部品の導電性不具合が低減できる。

さらに、セラミック素子表面をコーティングすることによって、電子部品の内部に水分、めっき液、フラックスなどが浸入することを防止でき、電子部品の信頼性の劣化、あるいは、内部電極へのめっき析出による電気特性劣化を防ぐことができる。

特表２００４−５００７１９号公報 米国特開２０１２／０２２３７９８号公報

しかしながら、特許文献１に示すように、電子部品のセラミック素子表面を樹脂でコーティングする場合は、樹脂コーティングは、電子部品の全面に施される（塗布される）ため、セラミック素子表面のみに選択的に膜形成することができない。従って、外部電極の形成前に電子部品の全面に樹脂コーティング膜を形成して、外部電極を形成する電子部品の端面の樹脂コーティング膜を除去する工程が必要になり、製造コストがアップする。

また、特許文献２に示すように、外部電極形成後に樹脂コーティングが行われる場合は、外部電極がマスキングされた後、セラミック素子表面にのみ樹脂コーティング膜が形成されるけれども、作業が煩雑であり、製造コストが高価になる。

さらに、電子部品のセラミック素子表面を樹脂でコーティングすると、電子部品のサイズが大きくなる。特に、めっき液などの侵入を完全に防止するためには、樹脂コーティング膜の厚みはある程度必要であり、樹脂コーティング膜の表面が、電子部品の側面に形成されている外部電極の回り込み部分の表面よりも突出している場合がある。

この場合、電子部品を回路基板などに実装すると、ツームストーン現象が発生して実装不良となる心配がある。

それゆえに、本発明の目的は、良好な耐化学的浸食性を有するコーティング膜を安価に形成することができ、かつ、ツームストーン現象などの実装不良が発生し難いセラミック電子部品を提供することである。

本発明は、
セラミック素子と、セラミック素子表面に設けられたコーティング膜およびセラミック素子の端部に設けられた外部電極と、を備えたセラミック電子部品であって、
コーティング膜が、樹脂と、セラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含み、
コーティング膜の表面が、セラミック素子の側面に形成されている外部電極の回り込み部分の表面より後退していること、
を特徴とする、セラミック電子部品である。

セラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック素子から溶け出して析出された状態で、コーティング膜に含まれている。そして、セラミック素子の構成元素は、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｉのうち少なくとも１種を含む。また、外部電極には、めっき皮膜が形成されていてもよい。

本発明では、コーティング膜が、樹脂と、セラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含んでおり、電子部品のセラミック素子表面にのみ選択的にコーティング膜が形成される。

また、本発明では、コーティング膜が外部電極の回り込み部分より後退しているため、ツームストーン現象などの実装不良が発生し難い。

また、本発明のセラミック電子部品は、セラミック素子の側面に形成されている外部電極の回り込み部分が、セラミック素子表面に接していることが好ましい。これにより、外部電極の回り込み部分が、セラミック素子表面に堅固に接合される。

また、本発明のセラミック電子部品は、コーティング膜がセラミック素子の表面に形成された凹部に設けられていることが好ましい。これにより、凹部の深さ寸法分だけ、セラミック素子表面上のコーティング膜の厚みが見かけ上薄くなるため、耐化学的浸食性を高めるためにコーティング膜の厚みを厚くしても、コーティング膜が外部電極の回り込み部分より後退し、ツームストーン現象などの実装不良が発生し難い。

また、本発明のセラミック電子部品は、樹脂の熱分解温度が２４０℃以上であることが好ましい。そして、樹脂は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂のうち少なくとも１種を含むことが好ましい。これにより、セラミック電子部品は高耐熱性を有する。

また、本発明のセラミック電子部品は、コーティング膜が加熱により架橋したものであることが好ましい。これにより、短時間でコーティング膜を形成することができる。

本発明によれば、セラミック素子表面にのみ選択的にコーティング膜を形成することができ、製造コストが安価なセラミック電子部品を得ることができる。また、コーティング膜が外部電極の回り込み部分より後退しているため、ツームストーン現象などの実装不良が発生し難いセラミック電子部品を得ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

本発明に係るセラミック電子部品の一実施の形態を示す断面図である。 図１に示したセラミック電子部品の製造方法の一例を示すフローチャートである。 本発明に係るセラミック電子部品の変形例を示す断面図である。

本発明に係るセラミック電子部品の一実施の形態を説明する。
１．セラミック電子部品
本発明に係るセラミック電子部品について、バリスタを例にして説明する。

図１は、本発明に係るセラミック電子部品であるバリスタ１０を示す断面図である。バリスタ１０は、略直方体のセラミック素子１と、セラミック素子１の左右の端部に形成された外部電極６ａ，６ｂと、セラミック素子１の４つの側面を覆うように形成されているコーティング膜８と、を備えている。

セラミック素子１は、厚み方向において、複数のセラミック層２と、セラミック層２を介して互いに対向している複数対の内部電極４ａ，４ｂと、を積み重ねた積層体である。

セラミック層２は、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒが固溶したＺｎＯ結晶粒子の焼結体の粒界に、Ｂｉ₂Ｏ₃が第２相として存在するセラミック材料からなる。

内部電極４ａは、その端部がセラミック素子１の左端面に引き出され、外部電極６ａに電気的に接続されている。内部電極４ｂは、その端部がセラミック素子１の右端面に引き出され、外部電極６ｂに電気的に接続されている。そして、内部電極４ａ，４ｂの対向している部分にて、バリスタ機能が発揮される。内部電極４ａ，４ｂは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、または、これら金属の合金などからなる。

外部電極６ａ，６ｂは、それぞれ、セラミック素子１の４つの側面に延在して形成されている回り込み部分１２ａ，１２ｂを有している。回り込み部分１２ａ，１２ｂは、セラミック素子１の表面に直接に形成されている。これにより、回り込み部分１２ａ，１２ｂは、セラミック素子１の表面に堅固に接合される。

外部電極６ａ，６ｂの表面には、めっき皮膜７ａ，７ｂが形成されている。めっき皮膜７ａ，７ｂは、外部電極６ａ，６ｂを保護し、かつ、外部電極６ａ，６ｂのはんだ付け性を良好にする。

外部電極６ａ，６ｂ以外の領域のセラミック素子１の表面上には、コーティング膜８が形成されている。コーティング膜８は、外部電極６ａ，６ｂ以外の領域のセラミック素子１の表面にエッチングによって形成された凹部１４に設けられている。これにより、エッチングによって粗面化された凹部１４の表面に接して設けられたコーティング膜８は、凹部１４の表面にアンカー効果によって堅固に接合される。

コーティング膜８は、樹脂と、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含んでいる。コーティング膜８に含まれているセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック素子１のセラミック層２の一部が溶け出して析出したものである。より具体的には、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック層２のＺｎＯ、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＭｎＯ、Ｃｏ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃などからそれぞれ溶け出して析出したＺｎ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒなどである。

コーティング膜８に含まれている樹脂は、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂などである。バリスタ１０は、通常、はんだによる実装工程を経るため、コーティング膜８は高耐熱性（２４０℃以上）を有することが好ましい。従って、熱分解温度が２４０℃以上である樹脂が好ましい。ここで、耐熱性は、（ポリ塩化ビニリデン系樹脂、アクリル系樹脂）＜エポキシ系樹脂＜（ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂）の関係になる。

以上の構成からなるバリスタ１０は、コーティング膜８が、樹脂と、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含んでおり、バリスタ１０のセラミック素子表面にのみ選択的にコーティング膜８を形成することができる。従って、製造コストが安価なバリスタ１０を得ることができる。

さらに、凹部１４の深さ寸法分だけ、セラミック素子１の表面上のコーティング膜８の厚みが見かけ上薄くなるため、耐化学的浸食性を高めるためにコーティング膜８の厚みを厚くしても、コーティング膜８の表面を外部電極６ａ，６ｂの回り込み部分１２ａ，１２ｂの表面より後退させることができるので、ツームストーン現象などの実装不良が発生し難い。

２．セラミック電子部品の製造方法
次に、バリスタ１０の製造方法の一例を、図２を参照して説明する。図２は、バリスタ１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。

工程Ｓ１で、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒが固溶したＺｎＯ結晶粒子の焼結体の粒界に、Ｂｉ₂Ｏ₃が第２相として存在するセラミック材料に、有機バインダ、分散剤および可塑剤などが添加されて、シート成形用スラリーが作製される。

次に、工程Ｓ２で、シート成形用スラリーは、ドクターブレード法によりシート状に成形され、矩形のセラミックグリーンシートとされる。

次に、工程Ｓ３で、セラミックグリーンシート上に、Ａｇを含有する内部電極ペーストがスクリーン印刷法で塗布され、内部電極４ａ，４ｂとなるべき電極ペースト膜が形成される。

次に、工程Ｓ４で、電極ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートは、電極ペースト膜の端部の引き出し方向が互い違いになるように複数枚積層され、圧着される。この積層セラミックグリーンシートは、個々のセラミック素子１となるべき寸法に切断され、複数の未焼成のセラミック素子１とされる。

次に、工程Ｓ５で、未焼成のセラミック素子１は、４００〜５００℃の温度で脱バインダ処理される。その後、未焼成のセラミック素子１は、９００〜１０００℃の温度で２時間焼成され、焼結したセラミック素子１とされる。セラミックグリーンシートと電極ペースト膜とは同時焼成され、セラミックグリーンシートはセラミック層２となり、電極ペースト膜は内部電極４ａ，４ｂとなる。

次に、工程Ｓ６で、焼結したセラミック素子１の両端部に、外部電極ペースト（ＡｇＰｄ合金ペースト）が塗布される。その後、焼結したセラミック素子１は、９００℃の温度で外部電極ペーストが焼き付けられ、内部電極４ａ，４ｂにそれぞれ電気的に接続された外部電極６ａ，６ｂが形成される。

次に、工程Ｓ７で、セラミック素子１は、エッチング液に浸漬され、外部電極６ａ，６ｂ以外の領域のセラミック素子１の表面がエッチングされて凹部１４が形成される。エッチング液には、セラミック素子１を溶解するけれども、外部電極６ａ，６ｂは溶解しないものが使用される。具体的には、硫酸、塩酸、フッ酸、リン酸などの無機酸を含む溶液が使用される。

次に、工程Ｓ８で、セラミック素子１は、樹脂含有溶液が浸漬法により付与され、もしくは、スピンコーティングにより塗布される。樹脂含有溶液は、セラミック素子１の表面を微細にエッチングして、セラミック素子１の構成元素をイオン化する機能を有し、かつ、水系の溶媒に溶解もしくは分散した樹脂成分を含む。さらに、樹脂含有溶液は、樹脂成分を溶解もしくは分散するための中和剤および必要に応じて溶解したセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素と反応させるための界面活性剤などを含む。なお、樹脂含有溶液が付与された後、セラミック素子１は、必要に応じて純水などの極性溶媒により洗浄される。

従って、樹脂含有溶液は、セラミック素子１の表面を微細にエッチングして（溶解して）セラミック素子１の構成元素をイオン化する。樹脂含有溶液のエッチング（溶解）作用は、バリスタ１０の場合、主成分がＺｎＯであるため、ハロゲンなどのエッチング促進成分を添加しなくても、樹脂含有溶液の構成成分だけで、エッチング（溶解）反応を起こすことができる。すなわち、樹脂含有溶液のｐＨが、Ｚｎがイオンとして安定に存在するｐＨ領域（ｐＨ＜５、ｐＨ＞１１）に設定されることにより、エッチング（溶解）反応は進行する。

そして、樹脂含有溶液に溶解（分散）している樹脂成分が、イオン化したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と反応することによって、樹脂成分の電荷が中和される。その結果、樹脂成分が、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と共に沈降し、セラミック素子表面のみに選択的に析出する。従って、析出した樹脂成分には、溶解してイオン化したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素が取り込まれている。

一方、樹脂成分は、外部電極６ａ，６ｂが形成されている部分には析出しない。この場合、セラミック素子１と外部電極６ａ，６ｂとの界面では、樹脂成分が外部電極６ａ，６ｂの表面に若干延在していることがある。これは、析出反応が、外部電極６ａ，６ｂの表面にて進行しているのではなく、セラミック素子表面に析出した樹脂成分が、外部電極６ａ，６ｂ側に若干延在している状態であると見られる。

樹脂含有溶液に含まれる樹脂は、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂などであるけれども、基本的には本処理によって析出する樹脂であればよく、その種類は問わない。

こうして、セラミック素子１からイオン化されて析出したセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と樹脂とを含むコーティング膜８が、セラミック素子表面に形成される。その後、コーティング膜８は加熱処理がされる。加熱処理は、析出した樹脂含有溶液の樹脂成分同士の架橋反応を促進するためであり、樹脂成分の種類によって加熱条件は異なる。一般的に、架橋反応は高温下で進行し易い。しかし、高温になり過ぎると、樹脂成分の分解反応が大きくなってしまう。従って、樹脂成分に合わせて、最適な温度と時間を設定する必要がある。

次に、工程Ｓ９で、めっき皮膜７ａ，７ｂが、電解または無電解めっき法により、外部電極６ａ，６ｂの上に形成される。めっき皮膜７ａ，７ｂは、例えば、下層のＮｉめっき膜と上層のＳｎめっき膜とで構成された２重構造を採用している。

こうして、セラミック素子表面にのみ選択的にコーティング膜８を形成することができる。従って、製造コストが安価なバリスタ１０が、量産性良く製造できる。また、化学的作用によりコーティング膜８が形成されるため、複雑な形状や微細構造の外部電極６ａ，６ｂを有しているバリスタ１０にも適応できる。

３．セラミック電子部品の変形例
図３は、バリスタ１０の変形例を示す断面図である。

バリスタ１０Ａは、セラミック素子１の表面に凹部１４が形成されていないことを除いて、図１に示した前記バリスタ１０と同様の構造を有しているため、その詳細な説明を省略する。

このバリスタ１０Ａでは、外部電極６ａ，６ｂ以外の領域のセラミック素子１の表面上に、コーティング膜１８が形成されている。コーティング膜１８は、樹脂と、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含んでおり、バリスタ１０Ａのセラミック素子１の表面にのみ選択的に形成されている。

コーティング膜１８は、樹脂と、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含んでいる。コーティング膜１８に含まれているセラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック素子１のセラミック層２の一部が溶け出して析出したものである。より具体的には、セラミック素子１の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック層２のＺｎＯ、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＭｎＯ、Ｃｏ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃などからそれぞれ溶け出して析出したＺｎ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｃｒなどである。

さらに、コーティング膜１８の表面は、外部電極６ａ，６ｂの回り込み部分１２ａ，１２ｂの表面より後退しており、回り込み部分１２ａ，１２ｂの高さ寸法が、コーティング膜１８の厚み寸法より大きいので、ツームストーン現象などの実装不良が発生し難い。

なお、バリスタ１０Ａのコーティング膜１８の厚みは、前記バリスタ１０のコーティング膜８の厚みより薄く設定されている。これは、バリスタ１０Ａの場合、セラミック素子１の表面に凹部１４が設けられていないため、コーティング膜８が外部電極６ａ，６ｂの回り込み部分１２ａ，１２ｂより確実に後退し易いようにするためである。

１．実施例および比較例の作製
実施例のバリスタ１０（凹部１４有り）と、比較例のバリスタ（凹部無し）が、それぞれ、前記実施の形態の製造方法によって作製された。ただし、比較例のバリスタの場合は、工程Ｓ７のセラミック素子のエッチング液浸漬は省略された。

樹脂含有溶液としては、樹脂成分が水系の溶媒に分散した市販のラテックスに、必要に応じてエッチング促進成分と界面活性剤を添加したものが使用された。

樹脂含有溶液は、樹脂成分としてのアクリル系樹脂（商品名：Ｎｉｐｏｌ ＬＸ８１４Ａ（日本ゼオン製））に、エッチング促進成分としての硫酸を添加して、ｐＨを４．０に調整したものを用いた。これに界面活性剤としてニューレックス（登録商標、日油製）を１ｖｏｌ％添加した。樹脂含有溶液は固形分濃度が１０ｗｔ％になるように調整した。

実施例のバリスタ１０の凹部１４は、セラミック素子１を室温で５％硫酸に１分間浸漬してエッチングした後、純水で水洗し、乾燥して形成された。凹部１４のエッチング深さは約５μｍである。

実施例のバリスタ１０のコーティング膜８と、比較例のバリスタのコーティング膜とは、それぞれ、セラミック素子１を室温の樹脂含有溶液に１０分間浸漬した後、純水で水洗して、１５０℃で３０分間乾燥することによって、セラミック素子１の表面に形成された。両者のコーティング膜の厚みは、いずれも約１２μｍである。

外部電極６ａ，６ｂの回り込み部分１２ａ，１２ｂの高さ（厚み）寸法は、約１０μｍである。従って、実施例のバリスタ１０（凹部１４有り）の場合、外部電極６ａ，６ｂの回り込み部分１２ａ，１２ｂの高さはコーティング膜８の高さより高く、コーティング膜１８は外部電極６ａ，６ｂの回り込み部分１２ａ，１２ｂより後退している。一方、比較例のバリスタ（凹部無し）の場合、外部電極の回り込み部分はコーティング膜より約２μｍ低く、コーティング膜は外部電極の回り込み部分より突出している。

２．実施例および比較例の特性評価方法および評価結果
作製された実施例および比較例のバリスタに対して、以下の特性評価が行なわれた。

（ａ）酸に対する溶解性
ＩＣＰ−ＡＥＳ分析法を用いて、バリスタを室温で０．３％硝酸溶液５ｍｌに３分浸漬したときのＺｎ成分の溶解量から耐酸性が評価された。評価サンプル数は１０個である。その結果、実施例のバリスタ１０（凹部１４有り）のＺｎ溶解量は、０．０２６ｍｇと少なかった。一方、比較例のバリスタ（凹部無し）のＺｎ溶解量は、０．５２５ｍｇと多かった。

（ｂ）実装性
クリームはんだを塗布した回路基板にバリスタを実装して、ツームストーン発生率が評価された。評価サンプル数は１００００個である。その結果、実施例のバリスタ１０（凹部１４有り）のツームストーン発生率は０％と良好であった。一方、比較例のバリスタ（凹部無し）のツームストーン発生率は０．２％と悪かった。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。セラミック電子部品としては、バリスタ以外に、積層セラミックコンデンサ、積層コイル、ＰＴＣサーミスタ、ＮＴＣサーミスタなどがある。

積層セラミックコンデンサの場合、セラミック素子を構成しているセラミック層は、主成分のＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃−ＰｂＴｉＯ₃−Ｐｂ（Ｃｕ，Ｗ）−ＺｎＯ−ＭｎＯ₂に、還元防止剤のＬｉ₂Ｏ−ＢａＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂を混合したセラミック材料や、ＣａＺｒＯ₃−ＣａＴｉＯ₃を主成分とするセラミック材料などからなる。従って、コーティング膜に含まれているセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック層のＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃−ＰｂＴｉＯ₃−Ｐｂ（Ｃｕ，Ｗ）−ＺｎＯ−ＭｎＯ₂、Ｌｉ₂Ｏ−ＢａＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂、ＣａＺｒＯ₃−ＣａＴｉＯ₃などからそれぞれ溶け出して析出したＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｚｒなどである。

積層コイルの場合、セラミック素子を構成しているセラミック層は、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどの磁性セラミック材料からなる。従って、コーティング膜に含まれているセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック層のＣｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどからそれぞれ溶け出して析出したＳｒ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏなどである。

ＰＴＣサーミスタの場合、セラミック素子を構成しているセラミック層は、例えば、主成分としてのＢａＴｉＯ₃に、半導体化剤としてのＹ₂Ｏ₃、硬化剤としてのＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃、特性改善剤としてのＭｎＯ₂をそれぞれ添加して混合したセラミック材料からなる。従って、ＰＴＣサーミスタのコーティング膜に含まれているセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック層のＢａＴｉＯ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｎＯ₂からそれぞれ溶け出して析出したＢａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｓｉ、Ｍｎなどである。

ＮＴＣサーミスタの場合、セラミック素子を構成しているセラミック層は、例えば、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、Ｃｏ₂Ｏ₃などを混合したセラミック材料からなる。従って、ＮＴＣサーミスタのコーティング膜に含まれているセラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素は、セラミック層のＭｎ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、Ｃｏ₂Ｏ₃などからそれぞれ溶け出して析出したＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏなどである。

１ セラミック素子
２ セラミック層
４ａ，４ｂ 内部電極
６ａ，６ｂ 外部電極
８、１８ コーティング膜
１０，１０Ａ バリスタ
１２ａ，１２ｂ 外部電極の回り込み部分
１４ 凹部

Claims (8)

1. 複数のセラミック層を含むセラミック素子と、前記セラミック素子表面に設けられたコーティング膜および前記セラミック素子の端部に設けられた外部電極と、を備えたセラミック電子部品であって、
   前記コーティング膜が、樹脂と、前記セラミック素子の構成元素のうちカチオン性の元素と、を含み、
   前記カチオン性の元素は、前記セラミック素子の前記セラミック層の一部から溶け出たものであり、
   前記コーティング膜の表面が、前記セラミック素子の側面に形成されている前記外部電極の回り込み部分の表面より後退していること、
   を特徴とする、セラミック電子部品。
2. 前記セラミック素子の側面に形成されている前記外部電極の回り込み部分は、前記セラミック素子表面に接していること、を特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記コーティング膜は、前記セラミック素子の表面に形成された凹部に設けられていること、を特徴とする、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 前記セラミック素子の構成元素は、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｉのうち少なくとも１種を含むこと、を特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
5. 前記樹脂の熱分解温度は、２４０℃以上であること、を特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
6. 前記樹脂は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂のうち少なくとも１種を含むこと、を特徴とする、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
7. 前記コーティング膜は、加熱により架橋したものであること、を特徴とする、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
8. 前記外部電極にめっき皮膜が形成されていること、を特徴とする、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。