JPS6237525B2 - - Google Patents
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- JPS6237525B2 JPS6237525B2 JP52087019A JP8701977A JPS6237525B2 JP S6237525 B2 JPS6237525 B2 JP S6237525B2 JP 52087019 A JP52087019 A JP 52087019A JP 8701977 A JP8701977 A JP 8701977A JP S6237525 B2 JPS6237525 B2 JP S6237525B2
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- ceramic capacitor
- multilayer ceramic
- capacitor
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は積層セラミツクコンデンサに関し、と
くに実装時の接続の信頼度を向上させる構造に関
する。
くに実装時の接続の信頼度を向上させる構造に関
する。
従来、積層セラミツクコンデンサは、第１図の
斜視図および第２図の一部拡大断面図に示す如
く、例えばセラミツク絶縁基板１の表面に設けら
れた導電性ランド２の上にはんだ付けなどにより
実装されていた。この導電性ランド２の幅は、積
層セラミツクコンデンサ３の外部電極４の幅より
も広い場合もあるが、一般には隣接する他の部品
との間に所定の間隔が必要となり、限られた実装
スペースの問題から第２図に示されるように外部
電極４の幅に対応した幅のランド２が設けられて
いた。
斜視図および第２図の一部拡大断面図に示す如
く、例えばセラミツク絶縁基板１の表面に設けら
れた導電性ランド２の上にはんだ付けなどにより
実装されていた。この導電性ランド２の幅は、積
層セラミツクコンデンサ３の外部電極４の幅より
も広い場合もあるが、一般には隣接する他の部品
との間に所定の間隔が必要となり、限られた実装
スペースの問題から第２図に示されるように外部
電極４の幅に対応した幅のランド２が設けられて
いた。
一方、第３図に積層セラミツクコンデンサ３の
一部断面を含む斜視図を示すように内部電極６は
外部電極４の側面に引出されているので外部電極
４の上下面は引出し面の一辺の稜を越えて電気的
に接続されていた。直方体構造においては一辺の
稜やコーナ部の角の接触摩耗が激しく、また機械
的強度も他の個所より弱いため、第４図に一部拡
大断面図として示されるように突出部の外部電極
４は削り取られ、丸みを帯びた部分７で電気的接
続は開放状態になつてしまう欠点があつた。ま
た、開放状態とならずに第１図の如く実装された
部品であつても、第４図の丸みを帯びた部分７の
電極被着層は薄く、したがつて電気抵抗も大きく
なるため接続の信頼度は極めて低いものであつ
た。
一部断面を含む斜視図を示すように内部電極６は
外部電極４の側面に引出されているので外部電極
４の上下面は引出し面の一辺の稜を越えて電気的
に接続されていた。直方体構造においては一辺の
稜やコーナ部の角の接触摩耗が激しく、また機械
的強度も他の個所より弱いため、第４図に一部拡
大断面図として示されるように突出部の外部電極
４は削り取られ、丸みを帯びた部分７で電気的接
続は開放状態になつてしまう欠点があつた。ま
た、開放状態とならずに第１図の如く実装された
部品であつても、第４図の丸みを帯びた部分７の
電極被着層は薄く、したがつて電気抵抗も大きく
なるため接続の信頼度は極めて低いものであつ
た。
本発明の目的は電気的接続の信頼度が高い積層
セラミツクコンデンサの構造を提供することにあ
る。
セラミツクコンデンサの構造を提供することにあ
る。
本発明によれば、複数の電極層を磁器誘電体に
内包して２つの端面と４つの側面とを有する角柱
状の積層セラミツクコンデンサにおいて、前記誘
電体の各端面と４つの側面とで構成される角およ
び稜部に丸みを有し、かつ前記丸みを介して前記
各端面と前記側面の該各端面近傍領域とを共通に
覆うように外部電極が設けられていることを特徴
とする積層セラミツクコンデンサが得られる。
内包して２つの端面と４つの側面とを有する角柱
状の積層セラミツクコンデンサにおいて、前記誘
電体の各端面と４つの側面とで構成される角およ
び稜部に丸みを有し、かつ前記丸みを介して前記
各端面と前記側面の該各端面近傍領域とを共通に
覆うように外部電極が設けられていることを特徴
とする積層セラミツクコンデンサが得られる。
以下、第５図〜第８図を参照して本発明を詳述
する。第５図ａ〜ｄは本発明の実施に際して用い
る研摩剤の外観形状の具体例を示す斜視図であ
る。研摩効果は第１図ａに示す三角柱の形状が最
も優れており次に第１図ｂの立方体、第１図ｃの
円柱、第１図ｄの球体の形状の順に劣つていく。
積層セラミツクコンデンサ自体も研摩剤としての
働きがあり第１図ｂの形状と同程度の効果があ
る。研摩作業中にこれらの研摩剤も削られ、その
削られた粉末が積層セラミツクコンデンサに付着
し、外部電極焼付処理における高温条件下でコン
デンサの特性を低下させることになる。このため
研摩剤の材料としては、後述するように積層セラ
ミツクコンデンサの誘電体磁器を構成する原材料
や、酸化珪素（SiO2）などの磁器誘電体と高温で
反応しない材料もしくはこれらを組合せたものが
適当であり、これらの粉末または所定の形状にプ
レス加工して焼結したものが用いられる。研摩剤
の大きさは積層セラミツクコンデンサの約10倍の
大きさのものまで選定できるが、研摩後のコンデ
ンサと研摩剤の分離の容易性から、最大粒径を
1.0mm以下にする必要がある。すなわち積層セラ
ミツクコンデンサの最小形状は、1.0×1.25×2.0
mm程度であり、適当なふるいを使用することによ
つて最大粒径1.0mm以下の研摩剤と容易に分離で
きることになる。第６図に研摩処理前の積層セラ
ミツクコンデンサの外観を示しておく。研摩条件
の一例としては、プラスチツク製の円筒状回転ポ
ツトの全内容積に対して、約50％まで第６図の如
き形状の高誘電率系磁器コンデンサを入れ、その
上に約10〜20％容積比の酸化珪素（SiO2）などの
研摩剤を投入する。次に緩衝液として純水を加
え、全内容積の80〜90％まで満たして、蓋を閉め
回転速度30〜60rpmで１時間〜５時間回転させた
後取り出す。
する。第５図ａ〜ｄは本発明の実施に際して用い
る研摩剤の外観形状の具体例を示す斜視図であ
る。研摩効果は第１図ａに示す三角柱の形状が最
も優れており次に第１図ｂの立方体、第１図ｃの
円柱、第１図ｄの球体の形状の順に劣つていく。
積層セラミツクコンデンサ自体も研摩剤としての
働きがあり第１図ｂの形状と同程度の効果があ
る。研摩作業中にこれらの研摩剤も削られ、その
削られた粉末が積層セラミツクコンデンサに付着
し、外部電極焼付処理における高温条件下でコン
デンサの特性を低下させることになる。このため
研摩剤の材料としては、後述するように積層セラ
ミツクコンデンサの誘電体磁器を構成する原材料
や、酸化珪素（SiO2）などの磁器誘電体と高温で
反応しない材料もしくはこれらを組合せたものが
適当であり、これらの粉末または所定の形状にプ
レス加工して焼結したものが用いられる。研摩剤
の大きさは積層セラミツクコンデンサの約10倍の
大きさのものまで選定できるが、研摩後のコンデ
ンサと研摩剤の分離の容易性から、最大粒径を
1.0mm以下にする必要がある。すなわち積層セラ
ミツクコンデンサの最小形状は、1.0×1.25×2.0
mm程度であり、適当なふるいを使用することによ
つて最大粒径1.0mm以下の研摩剤と容易に分離で
きることになる。第６図に研摩処理前の積層セラ
ミツクコンデンサの外観を示しておく。研摩条件
の一例としては、プラスチツク製の円筒状回転ポ
ツトの全内容積に対して、約50％まで第６図の如
き形状の高誘電率系磁器コンデンサを入れ、その
上に約10〜20％容積比の酸化珪素（SiO2）などの
研摩剤を投入する。次に緩衝液として純水を加
え、全内容積の80〜90％まで満たして、蓋を閉め
回転速度30〜60rpmで１時間〜５時間回転させた
後取り出す。
こうして得られた第７図の斜視図に示す如く、
丸みを帯びた積層セラミツクコンデンサの端部に
外部電極を塗布し、焼付けを行なえば第８図に実
装状態の一部断面に示すように外部電極４の全面
にわたり均等な厚さの電極が形成でき、ランド２
との電極接続の信頼度は著しく向上する。
丸みを帯びた積層セラミツクコンデンサの端部に
外部電極を塗布し、焼付けを行なえば第８図に実
装状態の一部断面に示すように外部電極４の全面
にわたり均等な厚さの電極が形成でき、ランド２
との電極接続の信頼度は著しく向上する。
ここに外部電極の焼付処理は、温度500℃〜800
℃の高温中で行なわれるもので、積層セラミツク
コンデンサの表面および内部電極引出し部からの
侵入部に付着している研摩剤の微粉末が磁器誘電
体と化学反応を起こすと、磁器誘電体の組成が変
化し、所望の特性が損なわれるのみならず、積層
セラミツクコンデンサの信頼度が著しく低下す
る。このため、研摩剤の材料としては、磁器誘電
体を構成する組成に含まれる材料粉末がその焼結
物が最も良く、その他の材料については、試作評
価の結果少なくとも500℃乃至800℃の高温中で磁
器誘電体と化学的反応を起こさない材料、例えば
酸化珪素（SiO2）、酸化ジルコニウム（ZrO2）、
アルミナ（Al2O3）などを選定することによつ
て、良好な特性の得られることが判つた。上記の
他にも酸化チタン、チタン酸バリウム、炭酸バリ
ウムなども研摩材料として使えよう。
℃の高温中で行なわれるもので、積層セラミツク
コンデンサの表面および内部電極引出し部からの
侵入部に付着している研摩剤の微粉末が磁器誘電
体と化学反応を起こすと、磁器誘電体の組成が変
化し、所望の特性が損なわれるのみならず、積層
セラミツクコンデンサの信頼度が著しく低下す
る。このため、研摩剤の材料としては、磁器誘電
体を構成する組成に含まれる材料粉末がその焼結
物が最も良く、その他の材料については、試作評
価の結果少なくとも500℃乃至800℃の高温中で磁
器誘電体と化学的反応を起こさない材料、例えば
酸化珪素（SiO2）、酸化ジルコニウム（ZrO2）、
アルミナ（Al2O3）などを選定することによつ
て、良好な特性の得られることが判つた。上記の
他にも酸化チタン、チタン酸バリウム、炭酸バリ
ウムなども研摩材料として使えよう。
以上説明したとおり、本発明によれば外部電極
形成前の積層セラミツクコンデンサに対して量産
可能な比較的簡単な研摩処理で角および稜部に丸
みを付け、その後外部電極を形成させることによ
り、電気的接続の信頼性が高い積層セラミツクコ
ンデンサが達成される。研摩による曲率半径とし
ては、もとの直方体の最小辺の長さの1/5〜1/10
以上にすれば本願の目的が達成されよう。
形成前の積層セラミツクコンデンサに対して量産
可能な比較的簡単な研摩処理で角および稜部に丸
みを付け、その後外部電極を形成させることによ
り、電気的接続の信頼性が高い積層セラミツクコ
ンデンサが達成される。研摩による曲率半径とし
ては、もとの直方体の最小辺の長さの1/5〜1/10
以上にすれば本願の目的が達成されよう。
第１図および第２図は従来の積層セラミツクコ
ンデンサの実装例を示す斜視図および一部拡大断
面図。第３図は内部電極の状態を示すための部分
的断面を含む従来のコンデンサの斜視図、第４図
は従来のコンデンサの外部電極部の拡大断面図。
第５図ａ〜ｄは本発明の実施例である研摩材形状
の具体例を示す斜視図。第６図は外部電極形成前
の積層セラミツクコンデンサを示す斜視図。第７
図は第６図の本発明による研摩後の外観を示す斜
視図。第８図は本発明の一実施例を示す実装部の
拡大断面図。 １……セラミツク絶縁基板、２……導電性ラン
ド、３……積層セラミツクコンデンサ、４……外
部電極、５……はんだ、６……内部電極、７……
丸みを帯びた部分。
ンデンサの実装例を示す斜視図および一部拡大断
面図。第３図は内部電極の状態を示すための部分
的断面を含む従来のコンデンサの斜視図、第４図
は従来のコンデンサの外部電極部の拡大断面図。
第５図ａ〜ｄは本発明の実施例である研摩材形状
の具体例を示す斜視図。第６図は外部電極形成前
の積層セラミツクコンデンサを示す斜視図。第７
図は第６図の本発明による研摩後の外観を示す斜
視図。第８図は本発明の一実施例を示す実装部の
拡大断面図。 １……セラミツク絶縁基板、２……導電性ラン
ド、３……積層セラミツクコンデンサ、４……外
部電極、５……はんだ、６……内部電極、７……
丸みを帯びた部分。
Claims (1)
- １ 複数の電極層を磁器誘電体に内包して２つの
端面と４つの側面とを有する角柱状の積層セラミ
ツクコンデンサにおいて、前記誘電体の各端面と
４つの側面とで構成される角および稜部に丸みを
有し、かつ前記丸みを介して前記各端面と前記側
面の該各端面近傍領域とを共通に覆うように外部
電極が設けられていることを特徴とする積層セラ
ミツクコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8701977A JPS5421565A (en) | 1977-07-19 | 1977-07-19 | Laminated ceramic capacitor and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8701977A JPS5421565A (en) | 1977-07-19 | 1977-07-19 | Laminated ceramic capacitor and method of making same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5421565A JPS5421565A (en) | 1979-02-17 |
| JPS6237525B2 true JPS6237525B2 (ja) | 1987-08-13 |
Family
ID=13903239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8701977A Granted JPS5421565A (en) | 1977-07-19 | 1977-07-19 | Laminated ceramic capacitor and method of making same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5421565A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552828U (ja) * | 1978-09-30 | 1980-04-09 | ||
| JPS599239U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-20 | 三菱電機株式会社 | 熱交換器 |
| JPS61183911A (ja) * | 1985-02-09 | 1986-08-16 | 株式会社村田製作所 | 角型チツプ状電子部品 |
| JPH0316251Y2 (ja) * | 1985-03-04 | 1991-04-08 | ||
| JPH02250391A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Ngk Insulators Ltd | 給電用セラミック基板の製造法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3665267A (en) * | 1970-09-16 | 1972-05-23 | Sprague Electric Co | Ceramic capacitor terminals |
| JPS4829276A (ja) * | 1971-08-20 | 1973-04-18 | ||
| JPS51108269A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
-
1977
- 1977-07-19 JP JP8701977A patent/JPS5421565A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3665267A (en) * | 1970-09-16 | 1972-05-23 | Sprague Electric Co | Ceramic capacitor terminals |
| JPS4829276A (ja) * | 1971-08-20 | 1973-04-18 | ||
| JPS51108269A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5421565A (en) | 1979-02-17 |
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