CN111584234B - 介电组合物和包括该介电组合物的多层电容器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种介电组合物和包括该介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包括基体材料粉末，所述基体材料粉末包括钛酸钡(BaTiO3)和锆(Zr)，并且相对于100mol的所述基体材料粉末，所述锆(Zr)在大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围内。此外，所述多层电容器包括所述介电组合物。

Description

介电组合物和包括该介电组合物的多层电容器
本申请要求于2019年2月15日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0018061号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种介电组合物和包括介电组合物的多层电容器。
背景技术
多层电容器是一种使用介电材料的电子组件，并可根据其预期用途和电容而具有各种尺寸和形式。与电子产品的近来趋势一致，对多层电容器的小型化和具有更高的集成密度的需求已经增加。
为实现多层电容器的小型化和更高的集成密度，有必要减小构成多层电容器的介电层和内电极的厚度。
然而，介电层和内电极的厚度越小，在相同电压条件下施加到介电层的电场的强度越大。因此，多层电容器的DC偏置特性可能随着多层电容器中的介电层和内电极的厚度减小而劣化。
此外，响应于温度的变化，多层电容器中使用的介电材料的介电常数通常经历显著的变化，因此，可能出现(特别是在高温下)多层电容器的电容的损失。
发明内容
根据本公开的一方面，一种介电组合物包括：基体材料粉末，所述基体材料粉末包含钛酸钡(BaTiO3)；以及锆(Zr)，相对于100mol的所述基体材料粉末，所述锆(Zr)在大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围内。
根据示例实施例，相对于100mol的所述基体材料粉末，所述介电组合物还可包括0.3mol至2.0mol的钆(Gd)。
在示例实施例中，所述介电组合物还可包括铝(Al)的氧化物。
在示例实施例中，所述介电组合物还可包括镁(Mg)的氧化物或镁(Mg)的碳酸盐。
在示例实施例中，所述介电组合物还可包括铝(Al)的氧化物以及镁(Mg)的氧化物，或者还可包括铝(Al)的氧化物以及镁(Mg)的碳酸盐。
根据本公开的另一方面，一种多层电容器包括主体，所述主体包括介电层和内电极，所述介电层具有0.4μm或更小的平均厚度，并且每个内电极具有0.4μm或更小的平均厚度。外电极设置在所述主体上并与所述内电极接触。所述介电层包括介电晶粒和壳部，所述介电晶粒包括基体材料粉末，所述基体材料粉末包含钛酸钡(BaTiO3)，所述壳部包括应用在所述壳部中的添加剂，并且晶界存在于所述介电晶粒之间，并且相对于100mol的所述基体材料粉末，所述介电层的所述壳部包含在大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围内的锆(Zr)。
在示例实施例中，相对于100mol的所述基体材料粉末，所述多层电容器还可包括在所述介电层的所述壳部中的0.3mol至2.0mol的钆(Gd)。
在示例实施例中，所述多层电容器还可包括在所述介电层的所述介电晶粒中的铝(Al)的氧化物。
在示例实施例中，所述多层电容器还可包括在所述介电层的所述介电晶粒中的镁(Mg)的氧化物或镁(Mg)的碳酸盐。
在示例实施例中，所述多层电容器还可包括在所述介电层的所述介电晶粒中的铝(Al)的氧化物以及镁(Mg)的氧化物，或者铝(Al)的氧化物以及镁(Mg)的碳酸盐。
在示例实施例中，所述多层电容器可具有1.0mm或更小的长度和0.5mm或更小的宽度。
根据本公开的另一方面，一种多层电容器包括：主体以及第一外电极和第二外电极，所述主体具有多个第一内电极和多个第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替堆叠且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述第一外电极和所述第二外电极分别连接到所述多个第一内电极和所述多个第二内电极。所述介电层包括A离子大于B离子的钙钛矿材料，所述钙钛矿材料中，多个B离子位由具有与所述B离子的化合价相同的化合价以及与所述B离子的半径不同的半径的离子所占据。
所述介电层可包括作为Ti4+离子位由具有与所述B离子的化合价相同的化合价以及与所述B离子的半径不同的半径的离子所占据的所述钙钛矿材料的钛酸钡BT(BaTiO3)。
所述介电层可包括作为Ti4+离子位由Zr4+离子所占据的所述钙钛矿材料的钛酸钡BT(BaTiO3)。
所述钙钛矿材料的具有与所述B离子的化合价相同的化合价并且占据所述B离子位的所述离子可具有比所述钙钛矿材料的所述B离子的半径大的半径。
相对于100mol的所述介电层的材料，可包含所述钙钛矿材料中的具有与所述B离子的化合价相同的化合价并且占据所述B离子位的大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围内的所述离子。
所述介电层还可包括钆(Gd)，相对于100mol的所述介电层的材料，所述钆在0.3mol至2.0mol的范围内。
所述介电层还可包括铝(Al)的氧化物。
所述介电层还可包括镁(Mg)的氧化物或镁(Mg)的碳酸盐。
所述介电层还可包括铝(Al)的氧化物以及镁(Mg)的氧化物，或者还可包括铝(Al)的氧化物以及镁(Mg)的碳酸盐。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征及优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是根据本公开的示例实施例的多层电容器的透视图；
图2是沿着图1的线I-I’截取的截面图；
图3是示出根据本公开的示例实施例的主体的介电层和内电极的分解透视图；
图4是示出根据包含在多层电容器的主体中的不同的含量的锆(Zr)，多层电容器的电容的相对于温度的变化的曲线图；
图5是示出根据包含在多层电容器的主体中的不同的含量的锆(Zr)，电容的与DC偏置相关的变化的曲线图；
图6是图5的曲线图的一部分(对比示例和实施例之间的电容差异非常大的部分)的放大图；以及
图7是示出具有壳部的介电晶粒的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例实施例。
然而，在不脱离本公开的范围的情况下，可在形式和细节方面对这些示例实施例做出各种改变。
此外，提供这些示例实施例以帮助本领域的普通技术人员获得本公开的全面理解。
因此，为了清楚，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘，并且在整个附图和具体实施方式中，同样的附图标记指示同样的元件。
此外，在各个附图中，同样的附图标记指示具有类似功能和效果的同样的元件。
此外，在整个说明书中，术语“包含”、“包括”、“具有”和它们的任何其他变型以它们的非限制性的意义被使用以表示包括这些术语后面的项目，但不排除未具体地提及的项目。
根据示例实施例，本公开涉及一种介电组合物以及一种包括介电组合物的多层电容器。
在下文中，为了以提高的清楚性描述示例实施例的目的，可定义多层电容器的方向，使得附图中的X、Y和Z分别被定义为主体110的长度方向、宽度方向和厚度方向。
此外，在示例实施例中，Z方向可视为堆叠介电层111的堆叠方向。
图1是根据示例实施例的多层电容器的示意性透视图，图2是沿着图1的线I-I’截取的截面图，并且图3是示出根据示例实施例的多层电容器的主体中的介电层和内电极的结构的分解透视图。
参照图1至图3，多层电容器100包括：主体110，包括多个介电层111、多个第一内电极121和多个第二内电极122；以及第一外电极131和第二外电极132。
多层电容器100可具有在X方向上的小于或等于1.0mm的长度和在Y方向上的小于或等于0.5mm的宽度。
主体110可通过在Z方向上堆叠多个介电层111并烧结堆叠的介电层111形成，其中，主体110内部的介电层111彼此成为一体，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以辨认相邻的介电层之间的边界。
主体110不限于任何具体的形状，而可以是大体上六面体的形状，而不限于此。
此外，主体110的形状和尺寸以及堆叠的介电层111的数量不限于附图中示出的主体的形状和尺寸以及堆叠的介电层的数量。
为了说明的方便，在主体110的Z方向上彼此面对的两个表面定义为第一表面1和第二表面2，连接到第一表面1和第二表面2且在X方向上彼此面对的两个表面定义为第三表面3和第四表面4，并且连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4且在Y方向上彼此面对的两个表面定义为第五表面5和第六表面6。
在本示例实施例中，多层电容器100的安装表面可以是主体110的第一表面1。
此外，包含在主体110中的介电层111可被制造为包含介电组合物。
这里，介电组合物包括：介电晶粒，包含钛酸钡(BaTiO3)；以及壳部，包含应用在壳部中的添加剂，并且晶界存在于介电晶粒之间，其中，相对于100mol的基体材料粉末，介电层的壳部包括在大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围内的锆(Zr)。例如，如图7中示意性地示出，介电晶粒701可具有设置在介电晶粒的表面上的壳部703。虽然在图7中介电晶粒701示意性地示出为圆形/球形并且壳部703示意性地示出为在介电晶粒701的外表面上具有均匀的厚度，但介电晶粒701更一般地可具有诸如不规则形状的不同形状并且壳部703在介电晶粒701上可具有可变的或不均匀的厚度或布置。
此外，主体110可包括：有效区域115，用作对形成电容器的电容有贡献的部分；以及上覆盖部112和下覆盖部113，分别设置在有效区域115的在Z方向上的上部和下部中，并分别用作上边缘部和下边缘部。
上覆盖部112和下覆盖部113除了不包括内电极之外可具有与有效区域115的介电层111的材料和构造相同的材料和构造。
这里，上覆盖部112和下覆盖部113可通过分别在有效区域115的上表面和下表面上沿Z方向堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层形成。
上覆盖部112和下覆盖部113可起到主要保护第一内电极121和第二内电极122免受物理应力或化学应力的影响的作用。
第一内电极121和第二内电极122可具有彼此不同的极性并可沿着Z方向交替设置，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122中的每个的一端可分别通过主体110的第三表面3和第四表面4暴露。
这里，第一内电极121和第二内电极122可通过介于其间的介电层111彼此电绝缘。
第一内电极121的端部通过主体110的第三表面3暴露，并且可与设置在主体110的第三表面3上的第一外电极131接触并从而电连接到设置在主体110的第三表面3上的第一外电极131，第二内电极122的端部通过主体110的第四表面4暴露，并且可与设置在主体110的第四表面4上的第二外电极132接触并从而电连接到设置在主体110的第四表面4上的第二外电极132。
通过上述构造，当预定的电压施加在第一外电极131和第二外电极132之间时，电荷在第一内电极121和第二内电极122之间累积。
这里，多层电容器100的电容与有效区域115中通过在Z方向上彼此重叠的第一内电极121和第二内电极122形成的重叠区域成比例。
第一外电极131和第二外电极132可供应有具有彼此不同的极性的电压，并可分别地设置在主体110的在X方向上的两个端部上。此外，第一外电极131和第二外电极132可设置为分别与分别通过主体110的第三表面3和第四表面4交替暴露的第一内电极121的端部和第二内电极122的端部接触，并因此可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122，从而形成电容器电路。
第一外电极131可包括第一头部131a和第一带部131b。
第一头部131a是第一外电极131的形成在主体110的第三表面3上并设置为与第一内电极121的暴露的部分接触的部分，并且第一带部131b是第一外电极131的从第一头部131a延伸到主体110的安装表面(例如，第一表面1)的一部分上的部分。
这里，第一带部131b可进一步延伸到主体110的第五表面5的一部分和第六表面6的一部分以及第二表面2的一部分上，以增加粘合强度等。
第二外电极132可包括第二头部132a和第二带部132b。
第二头部132a是第二外电极132的形成在主体110的第四表面4上并设置为与第二内电极122的暴露的部分接触的部分，并且第二带部132b是第二外电极132的从第二头部132a延伸到主体110的安装表面(例如，第一表面1)的一部分上的部分。
这里，第二带部132b可进一步延伸到电容器的主体110的第五表面5的一部分和第六表面6的一部分以及第二表面2的一部分上，以增加粘合强度等。
此外，如果必要，第一外电极131和第二外电极132可还包括形成在(例如，直接形成在)主体110的第三表面3和第四表面4上的导电层以及形成在导电层上的镀层。
这里，镀层可包括形成在导电层上的Ni镀层以及形成在Ni镀层上的Sn镀层。
此外，在本示例实施例中，包括在主体110中的介电层111可包含抗还原的介电组合物，其中，介电组合物还可包含各种氧化物和碳酸盐添加剂。
在下文中，将更加详细地描述根据本公开的示例实施例的介电组合物的每种成分。
根据本示例实施例的介电组合物的基体材料粉末包括作为介电材料的主成分的钛酸钡BT(BaTiO3)。
此外，相对于100mol的基体材料粉末，本示例实施例的介电组合物可包括大于0.5mol且小于或等于1.5mol的量的锆(Zr)。
这里，如上所述，当锆(Zr)的含量小于或等于0.5mol时，改善多层电容器的温度变化系数(TCC)的效果可能不足。
此外，当锆(Zr)的含量大于1.5mol时，介电主体的致密化可能降低，因此导致对多层电容器的各种不利效果。
此外，本示例实施例的介电组合物还可包括钆(Gd)。具体地，可以以氧化物形式或碳酸盐形式包含作为稀土元素的钆(Gd)，其中，氧化物形式或碳酸盐形式不限于任何具体的形式。例如，钆(Gd)可包括在壳部703中。
钆(Gd)可起到控制介电晶粒的晶粒生长并且使晶粒的分布均匀的作用，并且钆(Gd)可应用在BT的晶格中并作为施主，从而改善多层电容器的可靠性。
这里，相对于100mol的基体材料粉末，介电组合物可包括0.3mol至2.0mol的钆(Gd)。
当钆(Gd)的含量小于0.3mol时，可靠性的改善可能不足，然而，钆(Gd)的含量大于2.0mol可能会使密度和TCC不利地劣化。
此外，本示例实施例的介电组合物还可包括铝(Al)和镁(Mg)中的任意一种或两种。例如，所述介电组合物(例如，介电晶粒)还可包括铝(Al)的氧化物。例如，所述介电组合物(例如，介电晶粒)还可包括镁(Mg)的氧化物或镁(Mg)的碳酸盐。例如，介电层(例如，介电晶粒)还可包括铝(Al)的氧化物和镁(Mg)的氧化物，或者还可包括铝(Al)的氧化物和镁(Mg)的碳酸盐。
在本示例实施例中，铝(Al)和镁(Mg)可起到控制介电晶粒的均匀的晶粒生长的作用。
当介电晶粒的晶粒生长控制为均匀的时，可改善多层电容器的DC偏置特性以及多层电容器的耐受电压和可靠性。
通常，在多层电容器中使用的传统的介电组合物通过在介电组合物的主成分(钛酸钡(BaTiO3))中应用钙(Ca)、锰(Mn)、镁(Mg)、稀土元素等来制造。
然而，由于如果介电层的厚度减小，则由相同施加电压施加到介电层的电场的强度提高，因此在这种情况下，DC偏置特性可能劣化。
此外，介电材料是介电常数随着温度的变化经历显著的变化的铁电材料，因此可能使多层电容器在高温下的性质大幅度地劣化。
在这种情况下，为使多层电容器的介电材料的介电常数的与温度相关的变化最小化，有利的是：在介电材料的钙钛矿结构中应用具有彼此不同的化合价和离子半径的元素从而引起介电弛豫。
这样的介电弛豫现象可以使介电材料的介电常数的温度引起的变化最小化，并且还可由于弛豫铁电行为而使介电常数的由外电场引起的变化最小化。
然而，利用具有与介电材料的B位中的元素的化合价不同的化合价的元素的取代可能导致缺陷并因此使可靠性和绝缘电阻劣化。
为解决上述问题，有利的是，被取代到介电材料中的元素与介电材料的B位中的元素具有不同离子半径但具有相同的化合价。
此外，根据本示例实施例的多层电容器，介电层的平均厚度可小于或等于0.4μm，并且第一内电极和第二内电极的平均厚度可小于或等于0.4μm。
通常，多层电容器的介电层的平均厚度越小，多层电容器变得对温度和外电场的变化越敏感。
然而，根据本示例实施例，通过在主体的介电层的壳部中包括大于0.5mol且小于或等于1.5mol范围内的锆(Zr)，即使当介电层的平均厚度小于或等于0.4μm时，也可使主体的介电常数的由于外部环境的变化导致的变化最小化。
在多层电容器的制造工艺期间，可能发生少量的锆(Zr)污染；然而，为了实现如上面所述的使介电常数的变化最小化的效果，有利的是，多层电容器的介电层包含大于污染水平的量的锆(Zr)。例如，介电层可包含锆(Zr)以至能够通过电感耦合等离子体(ICP)分析从多层电容器的整个主体中检测到大于或等于0.5mol的量的锆(Zr)的水平。
介电层111可包括A离子大于B离子的钙钛矿材料，钙钛矿材料中，多个B离子位由具有与B离子的化合价相同的化合价以及与B离子的半径不同的半径的离子所占据。介电层111可包括作为Ti4+离子位由具有与B离子的化合价相同的化合价以及与B离子的半径不同的半径的离子所占据的钙钛矿材料的钛酸钡BT(BaTiO3)。
本示例实施例中使用的介电组合物是钛酸钡BT(BaTiO3)，钛酸钡BT(BaTiO3)是包含A位中的Ba2+和B位中的Ti4+的钙钛矿材料，其中，Ba2+/A位离子大于Ti4+/B位离子。
这里，由于Zr4+(0.72nm)具有与Ti4+(0.60nm)的化合价相同的化合价而具有与Ti4+的离子半径(0.60nm)极大地不同的离子半径(0.72nm)，因此锆是用于上述用途的合适的材料。
本示例实施例的介电组合物可通过将介电材料的钛酸钡BT(BaTiO3)的B位的元素钛(Ti)替换为具有与钛(Ti)的化合价相同的化合价而与钛(Ti)的离子半径不同的离子半径的锆(Zr)来使介电常数的与温度和外电场的变化相关的变化最小化。例如，钙钛矿材料的具有与B离子的化合价相同的化合价并且占据B离子位的离子可具有比钙钛矿材料的B离子的半径大的半径。
因此，多层电容器可具有低的温度变化系数(TCC)以及优异的DC偏置特性和高的可靠性。
在下文中，将参照实施例和对比示例更详细地描述本公开。然而，提供这些示例实施例是为了使读者全面理解本公开，并因此应该理解的是，本公开的精神和范围不由在此描述的示例实施例限制。
试验中使用的多层电容器的制造工艺如下：
首先，作为介电组合物的基体材料粉末，使用具有100nm级或更小级的平均粒径的BT。
对比示例1是主体的介电层不包括锆(Zr)的情况；对比示例2是相对于100mol的基体材料粉末，主体的介电层包括0.2mol的锆(Zr)的情况；实施例1是相对于100mol的基体材料粉末，主体的介电层包括0.6mol的锆(Zr)的情况；实施例2是相对于100mol的基体材料粉末，主体的介电层包括1.5mol的锆(Zr)的情况。这里，包括氧化物形式或碳酸盐形式的锆(Zr)。
此外，在本试验中，在对比示例2、实施例1和实施例2中，基体材料粉末和锆一经制备，就通过使用氧化锆球作为混合和分散媒介并通过使用乙醇和甲苯作为溶剂与分散剂混合，并进行球磨大约20小时，并随后与用于实现介电片的强度的粘合剂混合，从而制备浆料。
接下来，使用小的刮刀型涂布机将这样制备的浆料形成为具有0.6μm或更大的厚度的片。
接下来，在这样形成的片上用镍(Ni)印刷内电极，并随后将具有3μm厚度的15个片分别堆叠在上覆盖部和下覆盖部上，以制备堆叠主体，并随后，对堆叠主体进行压制工艺以制备棒。
随后，通过使用切割机，将棒切割成具有在X方向上的0.6mm的长度和在Y方向上的0.3mm的宽度的尺寸的片。
接下来，在400℃的气氛下焙烧片，用来去除粘合剂，并随后在包含2.0％或更少的氢(H2)的气氛下在约1300℃下烧结大约一个小时。
此后，利用铜(Cu)膏执行封端工艺和电极烧结以完成多层电容器。
此外，如图4和图5中示出，测量每个示例的多层电容器的性质。
图4是示出根据包含在多层电容器的主体中的锆(Zr)的含量的与温度相关的电容的变化的曲线图。
参照图4，相比于不包括锆(Zr)的对比示例1，在介电层中均包括大于0.5mol的锆(Zr)的实施例1和实施例2表现出增加到更大程度并在室温(25℃)下保持的电容，从而表现出多层电容器的电容的与温度相关的变化减小。
相比于对比示例1，包括标准污染水平以下的0.2mol的锆(Zr)的对比示例2表现出更高的电容的增加；然而，这种增加不是非常大，因此，认为的是，相比于实施例1和实施例2，对比示例2在室温或低于室温时没有表现出明显的电容的增加。因此，认为的是，在对比示例2中，电容的与温度相关的变化仍然非常大。
换句话说，在将介电材料的钛(Ti)替换为具有与钛(Ti)的离子半径不同的离子半径的锆(Zr)的情况下，并且在相对于100mol的基体材料粉末，锆(Zr)的含量是0.5mol或更少的情况下，表现为没有明显的介电弛豫行为。
因此，本示例实施例通过将包含在主体中的锆(Zr)的含量限制为大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围(例如，相对于100mol的基体材料粉末)，可诱发这样的介电弛豫行为，以减少介电常数的与温度相关的变化。
图5是示出用于对比目的的在多层电容器的主体中包含的锆(Zr)的含量不同的多层电容器的电容的变化与DC偏置的曲线图，并且图6是图5的曲线图的一部分(在对比示例和实施例之间的电容差异非常大的部分)的放大图。
在图5和图6中，对比示例1是主体的介电层中不包括锆(Zr)的情况，对比示例2是相对于100mol的基体材料粉末，主体的介电层中包括0.2mol的锆(Zr)的情况，实施例1是相对于100mol的基体材料粉末，主体的介电层中包括0.6mol的锆(Zr)的情况，实施例2是相对于100mol的基体材料粉末，主体的介电层中包括1.5mol的锆(Zr)的情况。
参照图5和图6，介电层包含多于0.5mol的锆的实施例1和实施例2，当介电常数彼此相似且在室温下时，可以确认的是，由于施加的DC电压导致的它们的各自的介电常数的变化已经减小。
这是因为由于钛(Ti)和锆(Zr)的离子半径的差异引起的介电弛豫行为，并且当在介电材料中的锆(Zr)的含量是0.5mol或更少(见对比示例2)时，由于弛豫行为是可忽略的，因此，由于施加的DC电压引起的介电常数的变化是显著的。
因此，通过将包含在主体中的锆(Zr)的含量限制在大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围，可以使由于施加的DC电压导致的介电常数的变化最小化。
根据在此描述的示例实施例，即使当多层电容器中的介电层相对薄时，介电组合物也可使DC偏置特性的劣化、介电常数的与温度相关的变化以及在高温下电容的损失最小化。
本公开的范围不通过本公开的具体实施方式或附图限定，而是通过所附权利要求限定。
虽然上面已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以进行修改和改变。

Claims (23)

1.一种多层电容器，所述多层电容器包括：
主体，所述主体包括介电层和内电极，所述介电层的平均厚度为0.4μm或更小；以及
外电极，设置在所述主体上以连接到所述内电极，
其中，所述介电层包含介电晶粒和壳部，所述介电晶粒包括包含钛酸钡的基体材料，所述壳部包括添加剂，并且晶界存在于所述介电晶粒之间，其中，相对于100mol的所述基体材料，所述介电层的所述壳部包括在大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围内的锆。
2.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述介电层的所述壳部还包括钆，相对于100mol的所述基体材料，所述钆在0.3mol至2.0mol的范围内。
3.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述介电层的所述介电晶粒还包括铝的氧化物。
4.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述介电层的所述介电晶粒还包括镁的氧化物或镁的碳酸盐。
5.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述介电层的所述介电晶粒还包括铝的氧化物以及镁的氧化物，或者还包括铝的氧化物以及镁的碳酸盐。
6.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述多层电容器的长度小于或等于1.0mm，并且所述多层电容器的宽度小于或等于0.5mm。
7.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述内电极的平均厚度为0.4μm或更小。
8.一种多层电容器，所述多层电容器包括：
主体，包括多个第一内电极和多个第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替堆叠且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及
第一外电极和第二外电极，分别连接到所述多个第一内电极和所述多个第二内电极，
其中，所述介电层的平均厚度为0.4μm或更小，
其中，所述介电层包含介电晶粒和壳部，所述介电晶粒包括包含钛酸钡的基体材料，所述壳部包括添加剂，并且晶界存在于所述介电晶粒之间，其中，相对于100mol的所述基体材料，所述介电层的所述壳部包括在大于0.5mol且小于或等于1.5mol的范围内的锆。
9.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述多层电容器的长度小于或等于1.0mm，并且所述多层电容器的宽度小于或等于0.5mm。
10.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述介电层包括作为Ti4+离子位由Zr4+离子所占据的钙钛矿材料的钛酸钡。
11.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述介电晶粒具有圆形或球形。
12.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述介电层还包括钆，相对于100mol的所述基体材料，所述钆在0.3mol至2.0mol的范围内。
13.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述介电层还包括铝的氧化物。
14.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述介电层还包括镁的氧化物或镁的碳酸盐。
15.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述介电层还包括铝的氧化物以及镁的氧化物，或者还包括铝的氧化物以及镁的碳酸盐。
16.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度为0.4μm或更小。
17.根据权利要求12所述的多层电容器，其中，钆包括在所述介电层的所述壳部中。
18.根据权利要求16所述的多层电容器，其中，所述介电层包括作为Ti4+离子位由Zr4+离子所占据的钙钛矿材料的钛酸钡。
19.根据权利要求16所述的多层电容器，其中，所述介电晶粒具有圆形或球形。
20.根据权利要求16所述的多层电容器，其中，所述介电层还包括钆，相对于100mol的所述基体材料，所述钆在0.3mol至2.0mol的范围内。
21.根据权利要求16所述的多层电容器，其中，所述介电层还包括铝的氧化物。
22.根据权利要求16所述的多层电容器，其中，所述介电层还包括镁的氧化物或镁的碳酸盐。
23.根据权利要求16所述的多层电容器，其中，所述介电层还包括铝的氧化物以及镁的氧化物，或者还包括铝的氧化物以及镁的碳酸盐。
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