KR101452077B1 - 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시형태는 유전체 층을 포함하는 세라믹 본체; 상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체 층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부전극; 상기 제1 내부전극과 전기적으로 연결된 제1 외부전극; 및 상기 제2 내부전극과 전기적으로 연결된 제2 외부전극; 을 포함하며, 상기 유전체 층은 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2 부성분, 평균입경이 0.1μm 내지 0.8μm인 티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 wt% 및 평균입경이 0.2μm 초과 및 2.0μm 이하인 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3) 1 내지 60 wt%를 포함하는 적층 세라믹 커패시터를 제공한다.

Description

유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터{Dielectric composition and multi-layered ceramic capacitor}
본 발명은 전기적 특성이 우수한 유전체 조성물과 이를 적용한 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다.
일반적으로 커패시터, 인턱터, 압전 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등의 세라믹 재료를 사용하는 전자부품은 세라믹 재료로 이루어진 세라믹 소체, 소체 내부에 형성된 내부전극 및 상기 내부전극과 접속되도록 세라믹 소체 표면에 설치된 외부전극을 구비한다.
세라믹 전자부품 중 적층 세라믹 커패시터는 적층된 복수의 유전체층, 일 유전체층을 사이에 두고 대향 배치되는 내부전극, 상기 내부전극에 전기적으로 접속된 외부전극을 포함한다.
적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고, 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 컴퓨터, PDA, 휴대폰 등의 이동 통신장치의 부품으로서 널리 사용되고 있다.
적층 세라믹 커패시터는 통상적으로 내부 전극용 도전성 페이스트와 유전체페이스트를 시트법이나 인쇄법 등에 의해 적층하고 동시 소성하여 제조된다.
유전체 페이스트에 포함되는 유전체 분말의 종류 및 특징에 따라 적층 세라믹 커패시터의 전기적 특징이 달라진다.
따라서 고신뢰성의 적층 세라믹 커패시터를 제조하기 위해 고유전율을 가지고 고온특성이 우수한 유전체 조성물이 필요하다.
대한민국 공개 특허 공보 제 2012-0089549 호
본 발명은 전기적 특성이 우수한 유전체 조성물과 이를 적용한 적층 세라믹 커패시터를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시형태는 유전체 층을 포함하는 세라믹 본체; 상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체 층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부전극; 상기 제1 내부전극과 전기적으로 연결된 제1 외부전극; 및 상기 제2 내부전극과 전기적으로 연결된 제2 외부전극; 을 포함하며, 상기 유전체 층은 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2 부성분, 평균입경이 0.1μm 내지 0.8μm인 티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 wt% 및 평균입경이 0.2μm 초과 및 2.0μm 이하인 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3) 1 내지 60 wt%를 포함하고, 상기 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)에서 Zr의 성분비인 x의 범위는 0<x<1인 적층 세라믹 커패시터를 제공한다.
상기 유전체 층은 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제1 부성분을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1 중량부 포함될 수 있다.
삭제
상기 제2 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부 포함될 수 있다.
상기 유전체 층에 포함된 유전체 입자의 입도 분포는 1.1≤D100/D1≤30 을 만족할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시형태는 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2 부성분, 티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 wt%; 및
평균 입경이 0.2μm 초과 및 2.0μm 이하인 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3) 1 내지 60 wt%; 를 포함하고, 상기 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)에서 Zr의 성분비인 x의 범위는 0<x<1인 유전체 조성물을 제공한다.
상기 유전체 조성물은 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제1 부성분을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1 중량부 포함될 수 있다.
삭제
상기 제2 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1 -xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부 포함될 수 있다.
본 발명에 의하면 세라믹 모재 분말로 티탄산바륨과 티탄산지르콘산바륨을 일정비율 혼합함으로써 고용량 고신뢰성의 적층 세라믹 커패시터를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 티탄산바륨과 티탄산지르콘산바륨의 혼합비에 따른 적층 세라믹 커패시터의 고온 열화 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4a 내지 도 4f는 티탄산바륨과 티탄산지르콘산바륨의 혼합비에 따른 유전체층의 미세구조를 나타내는 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 유전체 조성물 및 이를 적용한 적층 세라믹 커패시터를 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 적층 세라믹 커패시터(100)는 세라믹 본체(110); 및 제1 및 제2 외부전극(131, 132);을 포함할 수 있다.
상기 세라믹 본체(110)의 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 상기 세라믹 본체(110)는 육면체 형상으로 이루어질 수 있다. 칩 소성 시 세라믹 분말의 소성 수축으로 인하여, 세라믹 본체(110)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.
상기 세라믹 본체(110)의 분해 사시도인 도 2에 나타난 바와 같이 상기 세라믹 본체는 복수의 유전체층(111)과 유전체층(111)상에 형성된 제1 및 제2 내부전극(121,122)을 포함하며, 내부전극이 형성된 복수의 유전체층이 적층되어 형성될수 있다. 또한 제1 및 제2 내부전극은 일 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 본체(110)를 구성하는 복수의 유전체층(111)은 소결된 상태로서, 인접하는 유전체층끼리의 경계는 확인할 수 없을 정도로 일체화되어 있을 수 있다.
상기 유전체층(111)은 티탄산바륨(BaTiO3); 및
티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3);을 포함하는 유전체 조성물에 의해 형성될 수 있다.
상기 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)에서 Zr의 성분비인 x의 범위는 0<x<1 이다.
티탄산바륨의 B 위치(Ti 위치)에 지르코늄(Zr)이 치환된 티탄산지르콘산바륨의 경우 순수 티탄산바륨에 비해 큐리(curie)온도에서 유전율이 증가하고 큐리온도가 낮은 온도로 이동(shift)하는 경향이 있어 유전율 상승에 효과적이다. 또한 지르코늄의 치환으로 밴드갭 에너지가 증가하여 동일 입자크기를 가지는 조건에서 절연특성이 향상된다. 하지만 티탄산지르콘산바륨의 경우 동일한 소성 온도에서 순수 티탄산바륨에 비해 입자성장이 크게 발생하는 문제점이 있으며, 이러한 미세구조 효과가 지배적으로 작용할 경우 오히려 큰 결정립에 의해 정전용량의 온도 안정성(TCC 특성), DC-바이어스 특성 저하 및 층당 입자 개수 감소에 의한 신뢰성 저하 등의 문제가 발생할 수 있다.
따라서 본 발명의 세라믹 분말은 티탄산바륨 40 내지 99 wt% 및 티탄산지르콘산바륨 1 내지 60 wt%; 를 포함하여 상기의 문제를 해결할 수 있다.
티탄산지르콘산바륨이 1wt% 미만으로 포함되는 경우 유전율 상승효과가 나타나지 않으며 티탄산지르콘산바륨이 60wt%를 초과하여 포함되는 경우 과도한 입자성장으로 인한 전하 캐리어(charge carrier)의 이동도 억제 효과가 불리하여 절연특성이 저하된다. 따라서 티탄산바륨 및 티탄산지르콘산바륨의 혼합비가 티탄산바륨 40 내지 99 wt% 및 티탄산지르콘산바륨 1 내지 60 wt%인 경우 유전율 상승 및 절연특성이 모두 향상된 유전체 조성물을 얻을 수 있다.
본 발명의 유전체 조성물은 제1 부성분으로 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 원자가 가변 억셉터 원소를 더 포함할 수 있으며, 상기 원자가 가변 억셉터 원소는 상기 티탄산바륨 및 티탄산지르콘산바륨으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1 중량부 포함될 수 있다.
상기 원자가 가변 억셉터 원소가 0.1 중량부 미만으로 포함되는 경우 내환원성 및 신뢰성이 저하될 수 있으며, 1 중량부를 초과하는 경우 소성온도 증가 및 용량 저하와 같은 부효과가 발생한다.
또한 본 발명의 유전체 조성물은 제2 부성분으로 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 원자가 고정 억셉터 원소를 더 포함할 수 있으며, 상기 원자가 고정 억셉터 원소는 상기 티탄산바륨 및 티탄산지르콘산바륨으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1 중량부 포함될 수 있다.
상기 원자가 고정 억셉터 원소가 0.1 중량부 미만으로 포함되는 경우 내환원성 및 신뢰성이 저하될 수 있으며, 1 중량부를 초과하여 포함되는 경우 소성온도 증가 및 에이징(aging) 속도가 빨라지는 문제가 발생한다.
상기 제1 및 제2 부성분은 원자가 가변 억셉터 원소 및 원자가 고정 억셉터 원소의 산화물 또는 탄산염의 형태로 포함될 수 있다.
나아가 원하는 특성을 구현하기 위해 첨가제로 세슘(Ce), 니오븀(Nb), 란타넘(La), 안티몬(Sb), 실리콘(Si), 바륨(Ba), 칼슘(Ca) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 원소, 또는 이들의 산화물, 탄산염 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다.
상기 유전체 층은 상술한 유전체 조성물, 용매 및 유기 바인더를 더 포함하는 세라믹 그린시트의 소성에 의해 형성될 수 있다
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제1 및 제2 내부전극은 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트에 의하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 금속은 이에 제한되는 것은 아니나,니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금일 수 있다.
나아가 이에 제한되는 것은 아니나, 유전체층을 형성하는 세라믹 그린시트 상에 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법과 같은 인쇄법을 통하여 도전성 페이스트로 내부전극을 인쇄할 수 있다. 내부전극이 인쇄된 세라믹 그린시트를 번갈아가며 적층하고 소성하여 세라믹 본체(110)를 형성할 수 있다.
다음으로 상기 제1 및 제2 내부전극과 각각 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2 외부전극(131,132)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 외부전극(131, 132)은 도전성 금속을 포함할 수 있으며, 상기 도전성 금속은 이에 제한되는 것은 아니나, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn), 또는 이들의 합금일 수 있다.
상기와 같은 방법으로 제조된 적층 세라믹 커패시터(100)의 유전체 층(111)은 티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 wt%; 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1 - xZrx)O3) 1 내지 60 wt%;을 포함할 수 있다. 상기 티탄산바륨은 평균입경이 0.1μm 내지 0.8μm일 수 있으며, 상기 티탄산지르콘산바륨은 평균입경이 0.2μm 내지 2.0μm일 수 있다. 티탄산바륨의 평균입경이 0.1μm 미만인 경우는 대부분 미소성에 의한 충분한 입성장이 일어나지 않는 경우로 유전율이 매우 낮고 손실계수(DF)가 증가하며, 평균입경이 0.8μm 을 초과하는 경우 유전율은 증가하나 신뢰성이 매우 저하되고 TCC 및 DC-바이어스 특성 역시 떨어지게 된다.
또한 상기 티탄산지르콘산바륨의 평균입경이 0.2μm 미만인 경우 충분한 입성장이 일어나지 않은 경우로 유전율이 낮고 손실계수(DF)가 증가하며, 평균입경이 2.0μm 를 초과하는 경우 신뢰성, TCC 및 DC-바이어스 특성의 저하를 초래하게 된다.
상기 유전체 층(111)은 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제1 부성분을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1 중량부 포함될 수 있다.
상기 유전체 층(111)은 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2 부성분을 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부 포함될 수 있다.
본 실시형태의 적층 세라믹 커패시터에 관한 내용 중 상술한 유전체 조성물과 중복되는 내용은 설명을 중복을 피하기 위해 여기서는 생략하도록 한다.
상기 유전체 층(111)에 포함된 유전체 입자의 입도 분포는 1.1≤D100/D1≤30 을 만족할 수 있다. 소결 후 유전체 층에 포함된 유전체 입자 100개를 100개의 크기로 나누어 정렬할 경우, 입자크기가 가장 큰 100번째 입자의 크기를 D100, 입자 크기가 가장 작은 1번째 입자의 크기를 D1으로 정의한다. 즉 가장 큰 입자와 가장 작은 입자의 차이가 30배를 초과하지 않음으로써 고신뢰성의 적층 세라믹 커패시터를 얻을 수 있다.
본 발명의 경우, 티탄산바륨과 고유전 특성을 갖는 티탄산지르콘산바륨을 혼합하여 적층 세라믹 커패시터의 전기적 특성 및 신뢰성 열화를 제어할 수 있다. 다시 말해 상대적으로 입성장 정도가 크지 않은 티탄산바륨을과 높은 유전율확보가 가능한 티탄산지르콘산바륨을 혼합하여 티탄산지르콘산바륨의 높은 유전 특성을 구현하면서도 과대 결정립의 발생을 억제하여 신뢰성, TCC특성 및 DC-바이어스 특성의 저하를 방지할 수 있다.
실험 예
하기 표 1에 명시된 조성으로 티탄산바륨과 지르코늄이 5mol로 도핑된 티탄산지르콘산바륨을 혼합한 후 에탄올과 톨루엔을 용매로하여 분산제와 함께 교반하여 세라믹 시트를 제작하였다.
상하 커버는 10-15μm 두께의 커버용 시트를 30층으로 적층하여 제작하였고, 니켈(Ni) 내부전극이 인쇄된 3-5μm의 시트를 20층 적층하여 액티브층을 제작하여 3.2mm×1.6mm (3216사이즈) 크기의 칩을 마련하였다. 상기 칩을 탈바인더를 위해 가소한 뒤 약 1100℃에서 1시간 동안 소성을 실시하고 터미네이션 공정을 거친 후 전기적 특성을 측정하였다.
하기 표 1은 티탄산바륨(BT로 표기) 티탄산지르콘산바륨(BTZ로 표기)의 비율에 따른 적층 세라믹 커패시터의 전기적 특성을 나타낸다.
샘플 혼합비율 유전율 STEP-IR
BT BTZ
1* 100 0 3225 ○
2* 99.6 0.4 3226 ○
3* 99.2 0.8 3248 ○
4 99 1 3310 ○
5 90 10 3485 ○
6 80 20 3526 ○
7 60 40 3668 ○
8 50 50 3648 ○
9 40 60 4017 ○
10* 38 62 4542 ×
11* 35 65 4668 ×
12* 30 70 4687 ×
13* 20 80 4723 ×
14* 0 100 4408 ×
*는 비교예를 나타냄.
STEP-IR은 고온 저항 열화 거동 평가를 나타낸 것으로, 150℃ 고온에서 1분당 직류전압을 1V/μm 씩 승압하여 35분 이상 견디는 경우를 ○, 35분 이내에서 열화가 발생하는 경우 ×로 판정기준을 정하였다.
티탄산지르콘산바륨이 1wt% 미만인 경우 유전율 상승효과가 거의 없었으나, 그 이상의 혼합조성에서는 유전율이 상승하는 결과를 보이고 있다. 다만, 티탄산지르콘산바륨이 60wt%를 초과하여 포함되는 경우 고온열화특성에서 칩 열화가 발생하는 것을 알 수 있다.
순수한 티탄산바륨에 비하여 순수한 티탄산지르콘산바륨의 경우 높은 밴드갭 에너지를 가지므로 절연특성 측면에서의 장점은 있으나 입자 성장이 큰 문제가 있기 때문에 입계에 의한 전하 캐리어의 이동 억제 효과 측면에서는 불리하게 작용하여 고온에서의 절연특성에서 다소 열세를 보인다.
하지만 상기 표 1의 샘플 4 내지 9에 나타난 바와 같이 혼합비가 티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 wt% 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1 - xZrx)O3) 1 내지 60 wt% 범위에서는 유전율이 향상되며 고온 절연 특성 또한 확보되는 것을 알 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 티탄산바륨과 티탄산지르콘산바륨의 혼합비에 따른 적층 세라믹 커패시터의 고온 열화 특성을 나타내는 그래프이다. 구체적으로 도 3a는 티탄산바륨100%, 도 3b는 티탄산바륨60wt%-티탄산지르콘산바륨40wt%, 도 3c는 티탄산바륨40wt%-티탄산지르콘산바륨60wt%, 도 3d는 티탄산지르콘산바륨100wt%의 혼합비를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3d에 나타난 바와 같이 티탄산지르콘산바륨이 60wt% 이하로 포함되는 경우 고온 절연특성이 양호하게 나타나는 것을 알 수 있다.
도 4a 내지 도 4f는 티탄산바륨과 티탄산지르콘산바륨의 혼합비에 따른 유전체층의 미세구조를 나타내는 주사전자현미경(SEM) 사진이다. 구체적으로 도 4a는 티탄산바륨100%, 도 4b는 티탄산바륨60wt%-티탄산지르콘산바륨40wt%, 도 4c는 티탄산바륨50wt%-티탄산지르콘산바륨50wt%, 도 4d는 티탄산바륨40wt%-티탄산지르콘산바륨60wt%, 도 4e는 티탄산바륨20wt%-티탄산지르콘산바륨80wt%,도 3d는 티탄산지르콘산바륨100wt%의 혼합비를 나타낸다.
도 4a 내지 도 4f에 도시된 바와 같이 티탄산지르콘산바륨이 60wt%를 초과하여 포함되는 경우 티탄산바륨에 의한 입자성장의 제어에 한계가 있어, 유전체 층에 조대입자가 다수 포함되어 있는 것을 알 수 있다.
따라서 용량, 고온열화특성, 미세구조에 따른 신뢰성 등을 모두 고려할 때, 티탄산바륨과 티탄산지르콘산바륨의 혼합비는 티탄산바륨 40 내지 99 wt% 및 티탄산지르콘산바륨 1 내지 60 wt% 범위를 만족해야 하는 것을 알 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100 : 적층 세라믹 커패시터
110 : 세라믹 본체
111 : 유전체 층
121, 122 : 제1 및 제2 내부전극
131, 132 : 제1 및 제2 외부전극

Claims (11)

  1. 유전체 층을 포함하는 세라믹 본체;
    상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체 층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부전극;
    상기 제1 내부전극과 전기적으로 연결된 제1 외부전극; 및
    상기 제2 내부전극과 전기적으로 연결된 제2 외부전극; 을 포함하며,
    상기 유전체 층은 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2 부성분, 평균입경이 0.1μm 내지 0.8μm인 티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 wt% 및 평균입경이 0.2μm 초과 및 2.0μm 이하인 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3) 1 내지 60 wt%를 포함하고,
    상기 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)에서 Zr의 성분비인 x의 범위는 0<x<1인 적층 세라믹 커패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 층은 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제1 부성분을 더 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1 -xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1 중량부 포함되는 적층 세라믹 커패시터.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부 포함되는 적층 세라믹 커패시터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 층에 포함된 유전체 입자의 입도 분포는 1.1≤D100/D1≤30 을 만족하는 적층 세라믹 커패시터.
  7. 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2 부성분;
    티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 wt%; 및
    평균입경이 0.2μm 초과 및 2.0μm이하인 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3) 1 내지 60 wt%; 를 포함하고,
    상기 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)에서 Zr의 성분비인 x의 범위는 0<x<1인 유전체 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제1 부성분을 더 포함하는 유전체 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1 중량부 포함되는 유전체 조성물.
  10. 삭제
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제2 부성분은 상기 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)으로 이루어진 티탄산 바륨계 모재 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부 포함되는 유전체 조성물.
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