KR102083990B1 - 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 13
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 claims description 11
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 10
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 10
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical class [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/06—Solid dielectrics
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
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Abstract
본 발명의 일 실시형태는 제1 유전체 분말; 및 평균 입경이 상기 제1 유전체 분말의 평균 입경보다 작으며, 상기 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1.5 중량부로 포함되는 제2 유전체 분말; 을 포함하는 유전체 조성물을 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 전기적 특성이 우수한 유전체 조성물과 이를 적용한 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다.
일반적으로 커패시터, 인턱터, 압전 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등의 세라믹 재료를 사용하는 전자부품은 세라믹 재료로 이루어진 세라믹 소체, 소체 내부에 형성된 내부전극 및 상기 내부전극과 접속되도록 세라믹 소체 표면에 설치된 외부전극을 구비한다.
세라믹 전자부품 중 적층 세라믹 커패시터는 적층된 복수의 유전체층, 일 유전체층을 사이에 두고 대향 배치되는 내부전극, 상기 내부전극에 전기적으로 접속된 외부전극을 포함한다.
적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고, 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 컴퓨터, PDA, 휴대폰 등의 이동 통신장치의 부품으로서 널리 사용되고 있다.
적층 세라믹 커패시터는 통상적으로 내부 전극용 도전성 페이스트와 유전체페이스트를 시트법이나 인쇄법 등에 의해 적층하고 동시 소성하여 제조된다.
유전체 페이스트에 포함되는 유전체 분말의 종류 및 특징에 따라 적층 세라믹 커패시터의 전기적 특징이 달라진다.
따라서 고신뢰성의 적층 세라믹 커패시터를 제조하기 위해 고유전율을 가지고 전기적특성이 우수한 유전체 조성물이 필요하다.
본 발명은 전기적 특성이 우수한 유전체 조성물과 이를 적용한 적층 세라믹 커패시터를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시형태는 제1 유전체 분말; 및 평균 입경이 상기 제1 유전체 분말의 평균 입경보다 작으며, 상기 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1.5 중량부로 포함되는 제2 유전체 분말; 을 포함하는 유전체 조성물을 제공할 수 있다.
상기 제1 유전체 분말의 평균 입경을 a, 상기 제2 유전체 분말의 평균 입경을 b라고 할 때, b/a ≤ 1/10 을 만족할 수 있다.
상기 유전체 조성물은 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 이루어지는 제1 부성분을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함될 수 있다.
상기 유전체 조성물은 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 이루어지는 제2 부성분을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시형태는 유전체 층을 포함하는 세라믹 본체; 상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체 층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부전극; 및 상기 제1 및 제2 내부전극과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 외부전극; 을 포함하고, 상기 유전체 층은 제1 유전체 분말 및 평균 입경이 상기 제1 유전체 분말의 평균 입경보다 작으며, 상기 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1.5 중량부로 포함되는 제2 유전체 분말을 포함하는 유전체 조성물로 형성된 적층 세라믹 커패시터를 제공할 수 있다.
상기 제1 유전체 분말의 평균 입경을 a, 상기 제2 유전체 분말의 평균 입경을 b라고 할 때, b/a ≤ 1/10 을 만족할 수 있다.
상기 유전체 층은 유전체 그레인을 포함하며, 상기 유전체 그레인의 평균 입경은 0.1 내지 2.0μm일 수 있다.
상기 유전체 조성물은 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 이루어지는 제1 부성분을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함될 수 있다.
상기 유전체 조성물은 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 이루어지는 제2 부성분을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함될 수 있다.
본 발명에 의하면 전기적 특성이 우수한 유전체 조성물 및 이를 적용한 적층 세라믹 커패시터를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 본 발명 실험 예의 유전체 조성물의 온도에 따른 부피변화를 나타내는 그래프이다.
도 4a 내지 도 4e는 실험 예의 유전체 조성물을 이용하여 형성된 유전체 층의 미세구조를 나타내는 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 본 발명 실험 예의 유전체 조성물의 온도에 따른 부피변화를 나타내는 그래프이다.
도 4a 내지 도 4e는 실험 예의 유전체 조성물을 이용하여 형성된 유전체 층의 미세구조를 나타내는 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 유전체 조성물 및 이를 적용한 적층 세라믹 커패시터를 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 적층 세라믹 커패시터(100)는 세라믹 본체(110); 및 제1 및 제2 외부전극(130);을 포함할 수 있다.
상기 세라믹 본체(110)의 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 상기 세라믹 본체(110)는 육면체 형상으로 이루어질 수 있다. 칩 소성 시 세라믹 분말의 소성 수축으로 인하여, 세라믹 본체(110)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.
상기 세라믹 본체(110)의 분해 사시도인 도 2에 나타난 바와 같이 상기 세라믹 본체는 복수의 유전체층(111)과 유전체층(111)상에 형성된 제1 및 제2 내부전극(120)을 포함하며, 내부전극이 형성된 복수의 유전체층이 적층되어 형성될 수 있다. 또한 제1 및 제2 내부전극은 일 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 본체(110)를 구성하는 복수의 유전체층(111)은 소결된 상태로서, 인접하는 유전체층끼리의 경계는 확인할 수 없을 정도로 일체화되어 있을 수 있다.
상기 유전체층(111)은 제1 유전체 분말; 및 제2 유전제 분말을 포함하는 유전체 조성물로 형성될 수 있다.
상기 제2 유전체 분말의 평균 입경은 상기 제1 유전체 분말의 평균 입경보다 작을 수 있다. 상기 제2 유전체 분말이 상기 제1 유전체 분말 사이의 공간에 배치되어 유전체 조성물의 충진 밀도를 향상시킬 수 있다.
나아가 유전체 분말의 평균 입경을 a, 상기 제2 유전체 분말의 평균 입경을 b라고 할 때, b/a ≤ 1/10 을 만족할 수 있다.
상기 제2 유전체 분말의 평균 입경이 상기 제1 유전체 분말의 평균 입경의 1/10을 초과하는 경우, 제1 유전체 분말 사이의 공간에 배치되기 어렵고 제1 유전자 분말 사이에 배치되더라도 제1 유전체 분말 간의 간격을 증가시키게 되어 충진 밀도를 향상시키기 어렵다.
상기 제2 유전체 분말은 상기 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1.5 중량부로 포함될 수 있다.
상기 제2 유전체 분말이 상기 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 0.01 미만으로 유전체 조성물에 포함되는 경우 유전체 조성물을 사용하여 형성된 유전체층의 밀도가 증가하는 효과가 나타나지 않았으며, 제2 유전체 분말이 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 1.5 중량부를 초과하여 포함되는 경우 미세구조 제어가 어려워지고 손실계수(D.F) 값이 크게 증가하는 문제가 발생한다.
즉, 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 제2 유전체 분말이 0.01 중량부 이상으로 포함되는 유전체 조성물을 사용하는 경우 형성된 유전체 층의 밀도가 향상되고 유전율이 증가하며, 제2 유전체 분말이 1.5 중량부 이하로 포함되는 경우 밀도와 유전율의 향상이 가능하면서, 미세구조 제어가 용이하여 비정상 입성장이 발생하지 않고 손실계수(D.F)가 증가하지 않는다.
상기 제1 및 제2 유전체 분말은 유전체 주성분으로 고유전률을 갖는 세라믹 분말을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 예를 들어 티탄산바륨(BaTiO3)계 또는 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 분말을 포함할 수 있다.
또한 본 발명은 유전체 주성분으로 티탄산바륨(BaTiO3) 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3)을 티탄산바륨 40 내지 99 wt% 및 티탄산지르콘산바륨 1 내지 60 wt%의 범위에서 포함할 수 있다.
티탄산바륨의 B 위치(Ti 위치)에 지르코늄(Zr)이 치환된 티탄산지르콘산바륨의 경우 순수 티탄산바륨에 비해 큐리(curie)온도에서 유전율이 증가하고 큐리온도가 낮은 온도로 이동(shift)하는 경향이 있어 유전율 상승에 효과적이다. 또한 지르코늄의 치환으로 밴드갭 에너지가 증가하여 동일 입자크기를 가지는 조건에서 절연특성이 향상된다. 하지만 티탄산지르콘산바륨의 경우 동일한 소성 온도에서 순수 티탄산바륨에 비해 입자성장이 크게 발생하는 문제점이 있으며, 이러한 미세구조 효과가 지배적으로 작용할 경우 오히려 큰 결정립에 의해 정전용량의 온도 안정성(TCC 특성), DC-바이어스 특성 저하 및 층당 입자 개수 감소에 의한 신뢰성 저하 등의 문제가 발생할 수 있다.
따라서 본 발명의 유전체 조성물은 유전체 주성분으로 티탄산바륨 40 내지 99 wt% 및 티탄산지르콘산바륨 1 내지 60 wt%를 포함하여 상기의 문제를 해결할 수 있다.
티탄산지르콘산바륨이 1wt% 미만으로 포함되는 경우 유전율 상승효과가 나타나지 않으며 티탄산지르콘산바륨이 60wt%를 초과하여 포함되는 경우 과도한 입자성장으로 인한 전하 캐리어(charge carrier)의 이동도 억제 효과가 불리하여 절연특성이 저하된다. 따라서 티탄산바륨 및 티탄산지르콘산바륨의 혼합비가 티탄산바륨 40 내지 99 wt% 및 티탄산지르콘산바륨 1 내지 60 wt%인 경우 유전율 상승 및 절연특성이 모두 향상된 유전체 조성물을 얻을 수 있다.
나아가 본 발명의 유전체 조성물은 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 원자가 가변 억셉터 원소를 포함하는 제1 부성분을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함될 수 있다.
상기 제1 부성분이 0.1 중량부 미만으로 포함되는 경우 내환원성 및 신뢰성이 저하될 수 있으며, 1.0 중량부를 초과하는 경우 소성온도 증가 및 용량 저하와 같은 부효과가 발생한다.
또한 본 발명의 유전체 조성물은 제2 부성분으로 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 원자가 고정 억셉터 원소를 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함될 수 있다.
상기 제2 부성분이 0.1 중량부 미만으로 포함되는 경우 내환원성 및 신뢰성이 저하될 수 있으며, 1.0 중량부를 초과하여 포함되는 경우 소성온도 증가 및 에이징(aging) 속도가 빨라지는 문제가 발생한다.
상기 제1 및 제2 부성분은 원자가 가변 억셉터 원소 및 원자가 고정 억셉터 원소의 산화물 또는 탄산염의 형태로 포함될 수 있다.
나아가 원하는 특성을 구현하기 위해 첨가제로 세슘(Ce), 니오븀(Nb), 란타넘(La), 안티몬(Sb), 실리콘(Si), 바륨(Ba), 칼슘(Ca) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 원소, 또는 이들의 산화물, 탄산염 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다.
상기 유전체 층은 상술한 유전체 조성물, 용매 및 유기 바인더를 더 포함하는 세라믹 그린시트의 소성에 의해 형성될 수 있다
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제1 및 제2 내부전극은 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트에 의하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 금속은 이에 제한되는 것은 아니나,니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금일 수 있다.
나아가 이에 제한되는 것은 아니나, 유전체층을 형성하는 세라믹 그린시트 상에 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법과 같은 인쇄법을 통하여 도전성 페이스트로 내부전극을 인쇄할 수 있다. 내부전극이 인쇄된 세라믹 그린시트를 번갈아가며 적층하고 소성하여 세라믹 본체(110)를 형성할 수 있다.
다음으로 상기 제1 및 제2 내부전극(120)과 각각 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2 외부전극(130)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 외부전극(130)은 도전성 금속을 포함할 수 있으며, 상기 도전성 금속은 이에 제한되는 것은 아니나, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn), 또는 이들의 합금일 수 있다.
상기와 같은 방법으로 제조된 적층 세라믹 커패시터(100)의 유전체 층(111)은 유전체 그레인을 포함하며, 상기 유전체 그레인은 평균 입경이 0.1μm 내지 2.0μm일 수 있다.
상기 유전체 그레인의 평균 입경이 0.1μm 미만인 경우는 미소성에 의한 충분한 입성장이 일어나지 않는 경우로 유전율이 매우 낮고 손실계수(DF)가 증가하며, 평균 입경이 2.0μm 을 초과하는 경우 유전율은 증가하나 신뢰성이 매우 저하되고 TCC 및 DC-바이어스 특성 역시 떨어지게 된다.
본 실시형태의 적층 세라믹 커패시터에 관한 내용 중 상술한 유전체 조성물과 중복되는 내용은 설명을 중복을 피하기 위해 여기서는 생략하도록 한다.
상기 유전체 층(111)에 포함된 유전체 입자의 입도 분포는 1.1≤D100/D1≤30 을 만족할 수 있다. 소결 후 유전체 층에 포함된 유전체 입자 100개를 100개의 크기로 나누어 정렬할 경우, 입자크기가 가장 큰 100번째 입자의 크기를 D100, 입자 크기가 가장 작은 1번째 입자의 크기를 D1으로 정의한다. 즉 가장 큰 입자와 가장 작은 입자의 차이가 30배를 초과하지 않음으로써 고신뢰성의 적층 세라믹 커패시터를 얻을 수 있다.
본 발명의 경우, 서로 다른 크기의 유전체 분말을 혼합한 유전체 조성물을 이용하여 유전체층을 형성함으로써, 유전체층의 밀도를 증가시키고, 적층 세라믹 커패시터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
실험 예
하기 표 1에 명시된 조성으로 제1 유전체 분말과 제2 유전체 분말을 혼합한 후 에탄올과 톨루엔을 용매로 분산제와 함께 교반하여 세라믹 시트를 제작하였다. 실험 예에서 제1 유전체 분말은 평균 입경이 180nm인 티탄산 바륨 분말을 사용하였고, 제2 유전체 분말은 평균 입경이 10nm인 티탄산 바륨 분말을 사용하였다.
상하 커버는 10-15μm 두께의 커버용 시트를 30층으로 적층하여 제작하였고, 니켈(Ni) 내부전극이 인쇄된 3-5μm의 시트를 20층 적층하여 액티브층을 제작하여 3.2mm×1.6mm (3216사이즈) 크기의 칩을 마련하였다. 상기 칩을 탈바인더를 위해 가소한 뒤 약 1100℃에서 1시간 동안 소성을 실시하고 1160℃ 및 1170℃에서 소결하여 전기적 특성을 측정하였다.
하기 표 1은 유전체 조성물 내 포함된 제1 유전체 분말에 대한 제2 유전체 분말의 혼합비에 따라 형성된 적층 세라믹 커패시터의 특성을 나타내는 자료이며, 상기 특성은 1160℃ 및 1170℃에서 소결된 세라믹 본체의 소결 후 밀도, 유전특성 및 손실계수 특성을 측정하였다.
샘플 | 제1 유전체 분말 (중량부) |
제2 유전체 분말 (중량부) |
1160℃소성 | 1170℃소성 | ||||
소체 밀도 (g/cm3) |
유전특성 |
손실계수 특성 | 소체 밀도 (g/cm3) |
유전특성 | 손실계수특성 |
|||
1* | 100 | 0 | 5.78 | ○ | ○ | 5.83 | ○ | ○ |
2 | 100 | 0.01 | 5.80 | ○ | ○ | 5.85 | ○ | ○ |
3 | 100 | 0.1 | 5.82 | ○ | ○ | 5.85 | ○ | ○ |
4 | 100 | 0.5 | 5.85 | ○ | ○ | 5.86 | ○ | ○ |
5 | 100 | 1.0 | 5.88 | ○ | ○ | 5.89 | ○ | ○ |
6 | 100 | 1.5 | 5.92 | ○ | ○ | 5.93 | ○ | ○ |
7* | 100 | 1.7 | 5.93 | ○ | ○ | 5.95 | × | × |
8* | 100 | 2.0 | 5.93 | ○ | ○ | 5.95 | × | × |
* :비교예
○ : 만족, ×: 불만족
상기 표 1에 나타난 바와 같이 1170℃ 소성에서 제2 유전체 분말이 1.5 중량부를 초과하여 첨가되는 경우 과잉 입성장이 발생하여 유전특성 및 손실계수 특성이 감소하였다. 유전체의 평균 입경이 일정 크기에 도달할 때까지는 유전율이 꾸준히 상승하나 일정 크기 이상으로 증가하게 되면 오히려 유전율이 감소되는 경향을 나타낸다. 특히 제2 유전체 분말의 함량이 1.5 중량부를 초과하는 경우 과입성장에 의한 유전특성의 저하가 발생하여 손실계수가 증가하는 부효과가 나타나게 된다.
특히 소성온도가 증가하게 되면 제2 유전체 분말의 함량에 따른 영향이 더 커지며, 1160℃에서 소성하는 경우 제2 유전체 분말이 1.7 중량부를 초과하여 첨가될 때 유전특성 및 손실계수 저하가 발생하며 1170℃에서 소성하는 경우 제2 유전체 분말이 1.5 중량부를 초과하여 첨가될 때 유전특성 및 손실계수 저하가 발생하였다.
다시 말해 표 1에 나타난 바와 같이 제2 유전체 분말이 1.5 중량부를 초과하여 유전체 조성물에 포함되는 경우, 형성된 적층 세라믹 커패시터의 유전특성 및 손실계수 특성이 저하되는 결과가 나타난다.
도 3은 표 1의 샘플 1, 샘플 4 및 샘플 5의 유전체 조성물의 온도에 따른 부피변화를 나타내는 그래프이다. 제2 유전체 분말이 포함되지 않은 샘플 1과 달리 샘플 4 및 5는 소성 후 부피가 많이 감소하여 높은 충진 밀도를 가짐을 알 수 있다.
도 4a 내지 도 4e는 각각 표 1의 샘플 1, 샘플 4, 샘플 5, 샘플 7 및 샘플 8의 유전체 조성물을 이용하여 형성된 유전체층의 미세구조를 나타내는 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 4a 내지 도 4e에 나타난 바와 같이 제2 유전체 분말이 1.5 중량부를 초과하여 첨가되는 경우 과입성장에 의한 조대입자가 형성됨을 확인할 수 있다.
따라서 유전체 조성물에서 제2 유전체 분말은 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1.5 중량부로 포함되는 것이 바람직한 것을 알 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100 : 적층 세라믹 커패시터
110 : 세라믹 본체
111 : 유전체 층
120 : 제1 및 제2 내부전극
130 : 제1 및 제2 외부전극
110 : 세라믹 본체
111 : 유전체 층
120 : 제1 및 제2 내부전극
130 : 제1 및 제2 외부전극
Claims (13)
- 제1 유전체 분말; 및
평균 입경이 상기 제1 유전체 분말의 평균 입경보다 작으며, 상기 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1.5 중량부로 포함되는 제2 유전체 분말; 을 포함하며,
티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 중량% 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3) 1 내지 60 중량%를 포함하는 유전체 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 유전체 분말의 평균 입경을 a, 상기 제2 유전체 분말의 평균 입경을 b라고 할 때, b/a ≤ 1/10 을 만족하는 유전체 조성물.
- 제1항에 있어서,
망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 이루어지는 제1 부성분을 더 포함하는 유전체 조성물.
- 제3항에 있어서,
상기 제1 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함되는 유전체 조성물.
- 제1항에 있어서,
마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 이루어지는 제2 부성분을 더 포함하는 유전체 조성물.
- 제5항에 있어서,
상기 제2 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함되는 유전체 조성물.
- 유전체 층을 포함하는 세라믹 본체;
상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체 층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부전극; 및
상기 제1 및 제2 내부전극과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 외부전극;
을 포함하고, 상기 유전체 층은 제1 유전체 분말 및 평균 입경이 상기 제1 유전체 분말의 평균 입경보다 작으며, 상기 제1 유전체 분말 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1.5 중량부로 포함되는 제2 유전체 분말을 포함하며,
티탄산바륨(BaTiO3) 40 내지 99 중량% 및 티탄산지르콘산바륨(Ba(Ti1-xZrx)O3) 1 내지 60 중량%를 포함하는 유전체 조성물로 형성된 적층 세라믹 커패시터.
- 제7항에 있어서,
상기 제1 유전체 분말의 평균 입경을 a, 상기 제2 유전체 분말의 평균 입경을 b라고 할 때, b/a ≤ 1/10 을 만족하는 적층 세라믹 커패시터.
- 제7항에 있어서,
상기 유전체 층은 유전체 그레인을 포함하며, 상기 유전체 그레인의 평균 입경은 0.1μm 내지 2.0μm인 적층 세라믹 커패시터.
- 제7항에 있어서,
상기 유전체 조성물은 망간(Mn), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 이루어지는 제1 부성분을 더 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
- 제10항에 있어서,
상기 제1 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함되는 적층 세라믹 커패시터.
- 제7항에 있어서,
상기 유전체 조성물은 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 이루어지는 제2 부성분을 더 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
- 제12항에 있어서,
상기 제2 부성분은 상기 제1 유전체 분말 및 제2 유전체 분말에 포함된 유전체 주성분 100 중량부에 대해여 0.1 내지 1.0 중량부로 포함되는 적층 세라믹 커패시터.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130076985A KR102083990B1 (ko) | 2013-07-02 | 2013-07-02 | 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 |
US14/322,521 US9330845B2 (en) | 2013-07-02 | 2014-07-02 | Dielectric composition and multi-layered ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130076985A KR102083990B1 (ko) | 2013-07-02 | 2013-07-02 | 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150004046A KR20150004046A (ko) | 2015-01-12 |
KR102083990B1 true KR102083990B1 (ko) | 2020-03-03 |
Family
ID=52276903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130076985A KR102083990B1 (ko) | 2013-07-02 | 2013-07-02 | 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9330845B2 (ko) |
KR (1) | KR102083990B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102550172B1 (ko) * | 2016-12-20 | 2023-07-03 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650367A (en) * | 1994-01-28 | 1997-07-22 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition |
US6268054B1 (en) * | 1997-02-18 | 2001-07-31 | Cabot Corporation | Dispersible, metal oxide-coated, barium titanate materials |
KR100449894B1 (ko) | 2002-01-31 | 2004-09-22 | 한국과학기술원 | 상이한 분말크기분포를 이용한 고 유전상수 및 저오차특성을 가지는 내장형 캐패시터 필름조성물 및 그제조방법 |
JP4529358B2 (ja) | 2003-02-27 | 2010-08-25 | 株式会社村田製作所 | セラミックグリーンシート |
JP2005145761A (ja) | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
JP4191138B2 (ja) * | 2003-12-29 | 2008-12-03 | 三星電機株式会社 | セラミック粉末の解砕方法、これに使用される解砕ミル及び解砕されたセラミック粉末を利用した高分散スラリーの製造方法 |
US7433173B2 (en) * | 2004-11-25 | 2008-10-07 | Kyocera Corporation | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
DE112006000710B4 (de) * | 2005-03-25 | 2014-05-28 | Kyocera Corp. | Mehrschicht-Keramikkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2007331956A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
KR101064243B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2011-09-14 | 쿄세라 코포레이션 | 적층 세라믹 콘덴서 |
JP5217405B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2013-06-19 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
2013
- 2013-07-02 KR KR1020130076985A patent/KR102083990B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-07-02 US US14/322,521 patent/US9330845B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9330845B2 (en) | 2016-05-03 |
KR20150004046A (ko) | 2015-01-12 |
US20150016017A1 (en) | 2015-01-15 |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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