JPH0322883Y2 - - Google Patents
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- JPH0322883Y2 JPH0322883Y2 JP1985124915U JP12491585U JPH0322883Y2 JP H0322883 Y2 JPH0322883 Y2 JP H0322883Y2 JP 1985124915 U JP1985124915 U JP 1985124915U JP 12491585 U JP12491585 U JP 12491585U JP H0322883 Y2 JPH0322883 Y2 JP H0322883Y2
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は電極および絶縁構造を改良したチツプ
バリスタに関する。
バリスタに関する。
近年、バリスタの用途拡大に伴いプリント基板
に組込み使用される小形で高密度実装化に適した
チツプバリスタの需要が増大してきている。
に組込み使用される小形で高密度実装化に適した
チツプバリスタの需要が増大してきている。
従来、これらチツプバリスタの一般構造として
は第５図に示すように例えば酸化亜鉛を主成分と
したセラミツク粉末を成形焼結した角形状のバリ
スタ素体２１の対向両側面を介して反対面の一部
分まで連接するよう電極２２，２３を形成しバリ
スタ素体２１厚さt1を介して垂直に対向する電極
２２，２３間Ｗを特性有効部としたものがある。
は第５図に示すように例えば酸化亜鉛を主成分と
したセラミツク粉末を成形焼結した角形状のバリ
スタ素体２１の対向両側面を介して反対面の一部
分まで連接するよう電極２２，２３を形成しバリ
スタ素体２１厚さt1を介して垂直に対向する電極
２２，２３間Ｗを特性有効部としたものがある。
しかして、このように構成してなるチツプバリ
スタの場合電極２２，２３間距離t2はバリスタ素
体２１厚さt1より大きくなるように設定しなけれ
ばならない。つまりこれが逆の関係になつた場合
バリスタ特性はt2間のみしか機能せず、サージ吸
収能力が低くなる。ところでチツプ部品として実
用に供し得るためにはバリスタ素体の割れなどを
考慮しバリスタ素体２１の厚さとして一定の厚み
を確保しなければならないが、前述のようにt2＞
t1の関係、すなわち同一面で相対する電極の間隔
を素体の厚みより大きくする必要がある結果、バ
リスタ素体にしめるバリスタとして機能する特性
有効部はバリスタ素体自体の大きさに比し少なく
なり必ずしも小形で高密度実装化の市場要求を十
分に満足するものとは言えなかつた。
スタの場合電極２２，２３間距離t2はバリスタ素
体２１厚さt1より大きくなるように設定しなけれ
ばならない。つまりこれが逆の関係になつた場合
バリスタ特性はt2間のみしか機能せず、サージ吸
収能力が低くなる。ところでチツプ部品として実
用に供し得るためにはバリスタ素体の割れなどを
考慮しバリスタ素体２１の厚さとして一定の厚み
を確保しなければならないが、前述のようにt2＞
t1の関係、すなわち同一面で相対する電極の間隔
を素体の厚みより大きくする必要がある結果、バ
リスタ素体にしめるバリスタとして機能する特性
有効部はバリスタ素体自体の大きさに比し少なく
なり必ずしも小形で高密度実装化の市場要求を十
分に満足するものとは言えなかつた。
本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、バ
リスタ素体の面積をより有効に活用し、より小形
で同じバリスタ特性を得ることができるチツプバ
リスタを提供することを目的とするものである。
リスタ素体の面積をより有効に活用し、より小形
で同じバリスタ特性を得ることができるチツプバ
リスタを提供することを目的とするものである。
本考案のチツプバリスタは、角板状に成形焼結
したバリスタ素体両面の三周辺に外周縁を残して
内部電極を対称に形成し、該内部電極それぞれの
先端部に位置する前記外周縁面に無機絶縁層をそ
れぞれ対称に形成し、前記バリスタ素体両側面そ
れぞれを介して内部電極および該内部電極と反対
面に位置した無機絶縁層の一部と連接して外部電
極を形成し、該外部電極部を除いた全面を無機ま
たは高分子絶縁材に被覆し絶縁外装を形成した構
造とすることを特徴とするものである。
したバリスタ素体両面の三周辺に外周縁を残して
内部電極を対称に形成し、該内部電極それぞれの
先端部に位置する前記外周縁面に無機絶縁層をそ
れぞれ対称に形成し、前記バリスタ素体両側面そ
れぞれを介して内部電極および該内部電極と反対
面に位置した無機絶縁層の一部と連接して外部電
極を形成し、該外部電極部を除いた全面を無機ま
たは高分子絶縁材に被覆し絶縁外装を形成した構
造とすることを特徴とするものである。
以下、本考案の一実施例につき図面を参照して
説明する。すなわち第１図〜第３図に示すように
例えば酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ス
トロンチウム、炭化硅素、酸化鉄などを主成分と
し、他に数種類の金属酸化物を添加混合したセラ
ミツク粉末を角板状に成形焼結してなるバリスタ
素体１両面の三周辺に外周縁２を残して内部電極
３，４を対称に形成し、該内部電極３，４それぞ
れの先端部５，６に位置する前記外周縁２面に硼
硅酸鉛、硼硅酸亜鉛、硅酸鉛などを主成分とし、
これにコバルト、マンガン、ニツケル、アンチモ
ン、クローム、鉄などの添加物を少なくとも一種
添加したガラス材、または例えば酸化亜鉛にリチ
ウム、銅、ナトリウム、銀などを一種以上含む高
絶縁性セラミツク材を塗布焼付けし無機絶縁層
７，８をそれぞれ対称に形成する。つぎに前記バ
リスタ素体１両側面それぞれを介して前記内部電
極３，４および該内部電極３，４とそれぞれ反対
面に位置した前記無機絶縁層７，８の一部面と連
接して例えば銀または銀−パナジウム合金からな
る外部電極９，１０を形成し、しかるのち該外部
電極９，１０部を除いた全面を硼硅酸鉛、硼硅酸
亜鉛、硅酸鉛などを主成分とし、これにコバル
ト、マンガン、ニツケル、アンチモン、クロー
ム、鉄などの添加物を少なくとも１種以上添加し
たガラス材、または例えば酸化亜鉛にリチウム、
銅、ナトリウム、銀などを１種以上含む高絶縁性
セラミツク材からなる無機絶縁材、あるいはエポ
キシ系、シリコン系、ウレタン系、ポリイミド
系、フエノール系の一種からなる高分子絶縁材に
て被覆し絶縁外装１１を形成してなるものであ
る。
説明する。すなわち第１図〜第３図に示すように
例えば酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ス
トロンチウム、炭化硅素、酸化鉄などを主成分と
し、他に数種類の金属酸化物を添加混合したセラ
ミツク粉末を角板状に成形焼結してなるバリスタ
素体１両面の三周辺に外周縁２を残して内部電極
３，４を対称に形成し、該内部電極３，４それぞ
れの先端部５，６に位置する前記外周縁２面に硼
硅酸鉛、硼硅酸亜鉛、硅酸鉛などを主成分とし、
これにコバルト、マンガン、ニツケル、アンチモ
ン、クローム、鉄などの添加物を少なくとも一種
添加したガラス材、または例えば酸化亜鉛にリチ
ウム、銅、ナトリウム、銀などを一種以上含む高
絶縁性セラミツク材を塗布焼付けし無機絶縁層
７，８をそれぞれ対称に形成する。つぎに前記バ
リスタ素体１両側面それぞれを介して前記内部電
極３，４および該内部電極３，４とそれぞれ反対
面に位置した前記無機絶縁層７，８の一部面と連
接して例えば銀または銀−パナジウム合金からな
る外部電極９，１０を形成し、しかるのち該外部
電極９，１０部を除いた全面を硼硅酸鉛、硼硅酸
亜鉛、硅酸鉛などを主成分とし、これにコバル
ト、マンガン、ニツケル、アンチモン、クロー
ム、鉄などの添加物を少なくとも１種以上添加し
たガラス材、または例えば酸化亜鉛にリチウム、
銅、ナトリウム、銀などを１種以上含む高絶縁性
セラミツク材からなる無機絶縁材、あるいはエポ
キシ系、シリコン系、ウレタン系、ポリイミド
系、フエノール系の一種からなる高分子絶縁材に
て被覆し絶縁外装１１を形成してなるものであ
る。
以上のように構成してなるチツプバリスタによ
れば、内部電極３，４それぞれの先端部５，６に
位置する外周縁２面に無機絶縁層７，８を形成し
ているが、該無機絶縁層７，８の耐電圧はバリス
タ素体１より高いのでａ−ｂ間距離をバリスタ素
体１厚さｔより小さくでき、それだけ小形化が可
能である。すなわちバリスタ素体１の同一面で内
部電極３，４と対向電極となる外部電極９，１０
がバリスタ素体１に直接でなく無機絶縁層７，８
を介して形成しているため、実質的絶縁距離はａ
−ｃ間とすることができ、したがつてバリスタ素
体１厚さｔ以上のａ−ｃ間距離を確保すれば十分
に電極間の沿面放電を防止できる。よつて同一大
きさのバリスタ素体において第１図〜第３図に示
す構成からなる本考案のものと第５図に示す構成
からなる従来例のものとを比較した場合、本考案
のものの特性有効部は従来例のもつ特性有効部よ
り大きくできサージ吸収能力を高めることができ
る。
れば、内部電極３，４それぞれの先端部５，６に
位置する外周縁２面に無機絶縁層７，８を形成し
ているが、該無機絶縁層７，８の耐電圧はバリス
タ素体１より高いのでａ−ｂ間距離をバリスタ素
体１厚さｔより小さくでき、それだけ小形化が可
能である。すなわちバリスタ素体１の同一面で内
部電極３，４と対向電極となる外部電極９，１０
がバリスタ素体１に直接でなく無機絶縁層７，８
を介して形成しているため、実質的絶縁距離はａ
−ｃ間とすることができ、したがつてバリスタ素
体１厚さｔ以上のａ−ｃ間距離を確保すれば十分
に電極間の沿面放電を防止できる。よつて同一大
きさのバリスタ素体において第１図〜第３図に示
す構成からなる本考案のものと第５図に示す構成
からなる従来例のものとを比較した場合、本考案
のものの特性有効部は従来例のもつ特性有効部よ
り大きくできサージ吸収能力を高めることができ
る。
なお、上記実施例では内部電極の形状としては
第３図に示すものを前提にして説明したが、第４
図に示すようにバリスタ素体１の両面に凸字形の
内部電極３形状としたとしても同効であることは
勿論である。
第３図に示すものを前提にして説明したが、第４
図に示すようにバリスタ素体１の両面に凸字形の
内部電極３形状としたとしても同効であることは
勿論である。
本考案によれば対向電極間の沿面放電を防止し
より小形化で高密度実装化に貢献できる実用的価
値の高いチツプバリスタを得ることができる。
より小形化で高密度実装化に貢献できる実用的価
値の高いチツプバリスタを得ることができる。
第１図〜第３図は本考案の一実施例に係るチツ
プバリスタを示すもので第１図は斜視図、第２図
は第１図Ａ−Ａ断面図、第３図は内部電極を形成
した状態の製造途中の斜視図、第４図は本考案の
他の実施例に係る内部電極を形成した状態の製造
途中のチツプバリスタを示す斜視図、第５図は従
来例に係るチツプバリスタを示す正断面図であ
る。 １……バリスタ素体、２……外周縁、３，４…
…内部電極、５，６……先端部、７，８……無機
絶縁層、９，１０……外部電極、１１……絶縁外
装。
プバリスタを示すもので第１図は斜視図、第２図
は第１図Ａ−Ａ断面図、第３図は内部電極を形成
した状態の製造途中の斜視図、第４図は本考案の
他の実施例に係る内部電極を形成した状態の製造
途中のチツプバリスタを示す斜視図、第５図は従
来例に係るチツプバリスタを示す正断面図であ
る。 １……バリスタ素体、２……外周縁、３，４…
…内部電極、５，６……先端部、７，８……無機
絶縁層、９，１０……外部電極、１１……絶縁外
装。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 角板状に成形焼結したバリスタ素体と、該素
体の両面の三周辺に外周縁を残して対称に形成
した内部電極と、該内部電極それぞれの先端部
に位置する前記外周縁面に形成した無機絶縁層
と、前記素体両側面それぞれを介して前記内部
電極および該内部電極と反対面に位置した前記
無機絶縁層の一部と連接して形成した外部電極
と、該外部電極部を除いた全面に形成した絶縁
外装とを具備したことを特徴とするチツプバリ
スタ。 (2) 絶縁外装が無機または高分子絶縁材からなる
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)
項記載のチツプバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985124915U JPH0322883Y2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985124915U JPH0322883Y2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232505U JPS6232505U (ja) | 1987-02-26 |
| JPH0322883Y2 true JPH0322883Y2 (ja) | 1991-05-20 |
Family
ID=31017351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985124915U Expired JPH0322883Y2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322883Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2171749C (en) * | 1993-09-15 | 2005-11-08 | Shou-Mean Fang | Electrical assembly comprising a ptc resistive element |
| CN1054941C (zh) * | 1994-05-16 | 2000-07-26 | 雷伊化学公司 | 有聚合物正温度系数电阻元件的电路保护器件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550964U (ja) * | 1978-09-29 | 1980-04-03 | ||
| JPS56148802A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip type varistor and method of manufacturing same |
| JPS5832765A (ja) * | 1981-08-22 | 1983-02-25 | ユニ・チヤ−ム株式会社 | 使い捨て衛生用品 |
| JPS609203B2 (ja) * | 1978-03-29 | 1985-03-08 | 川崎重工業株式会社 | 過給ボイラの構造 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59191708U (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-19 | 松下電器産業株式会社 | チツプバリスタ |
| JPS609203U (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-22 | 松下電器産業株式会社 | セラミツクバリスタ |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP1985124915U patent/JPH0322883Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609203B2 (ja) * | 1978-03-29 | 1985-03-08 | 川崎重工業株式会社 | 過給ボイラの構造 |
| JPS5550964U (ja) * | 1978-09-29 | 1980-04-03 | ||
| JPS56148802A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip type varistor and method of manufacturing same |
| JPS5832765A (ja) * | 1981-08-22 | 1983-02-25 | ユニ・チヤ−ム株式会社 | 使い捨て衛生用品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6232505U (ja) | 1987-02-26 |
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