JPH0322884Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0322884Y2 JPH0322884Y2 JP1985126952U JP12695285U JPH0322884Y2 JP H0322884 Y2 JPH0322884 Y2 JP H0322884Y2 JP 1985126952 U JP1985126952 U JP 1985126952U JP 12695285 U JP12695285 U JP 12695285U JP H0322884 Y2 JPH0322884 Y2 JP H0322884Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- sides
- inorganic insulating
- section
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は電極および絶縁構造を改良したチツプ
バリスタに関する。
バリスタに関する。
近年、バリスタの用途拡大に伴いプリント基板
に組込み使用される小形で高密度実装化に適した
チツプバリスタの需要が増大してきている。
に組込み使用される小形で高密度実装化に適した
チツプバリスタの需要が増大してきている。
従来、これらチツプバリスタの一般構造として
は第５図に示すように例えば酸化亜鉛を主成分と
したセラミツク粉末を成形焼結した角形状のバリ
スタ素体１１の対向両側面を介して反対面の一部
分まで連接するよう電極１２，１３を形成しバリ
スタ素体１１厚さt1を介して垂直に対向する電極
１２，１３間W1を特性有効部としたものがある。
は第５図に示すように例えば酸化亜鉛を主成分と
したセラミツク粉末を成形焼結した角形状のバリ
スタ素体１１の対向両側面を介して反対面の一部
分まで連接するよう電極１２，１３を形成しバリ
スタ素体１１厚さt1を介して垂直に対向する電極
１２，１３間W1を特性有効部としたものがある。
しかして、このように構成してなるチツプバリ
スタの場合電極１２，１３間距離t2はバリスタ素
体１１厚さt1より大きくなるように設定しなけれ
ばならない。つまりこれが逆の関係になつた場合
バリスタ特性はt2間のみしか機能せず、サージ吸
収能力が低くなる。ところでチツプ部分として実
用に供し得るためにはバリスタ素体の割れなどを
考慮しバリスタ素体１１の厚さとして一定の厚み
を確保しなければならないが、前述のようにt2＞
t1の関係、すなわち同一面で相対する電極の間隔
を素体の厚みより大きくする必要がある結果、バ
リスタ素体にしめるバリスタとして機能する特性
有効部はバリスタ素体自体の大きさに比し少なく
なり必ずしも小形で高密度実装化の市場要求を十
分に満足するものとは言えなかつた。
スタの場合電極１２，１３間距離t2はバリスタ素
体１１厚さt1より大きくなるように設定しなけれ
ばならない。つまりこれが逆の関係になつた場合
バリスタ特性はt2間のみしか機能せず、サージ吸
収能力が低くなる。ところでチツプ部分として実
用に供し得るためにはバリスタ素体の割れなどを
考慮しバリスタ素体１１の厚さとして一定の厚み
を確保しなければならないが、前述のようにt2＞
t1の関係、すなわち同一面で相対する電極の間隔
を素体の厚みより大きくする必要がある結果、バ
リスタ素体にしめるバリスタとして機能する特性
有効部はバリスタ素体自体の大きさに比し少なく
なり必ずしも小形で高密度実装化の市場要求を十
分に満足するものとは言えなかつた。
本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、バ
リスタ素体の面積をより有効に活用し、より小形
で同じバリスタ特性を得ることができるチツプバ
リスタを提供することを目的とするものである。
リスタ素体の面積をより有効に活用し、より小形
で同じバリスタ特性を得ることができるチツプバ
リスタを提供することを目的とするものである。
〔考案の概要〕
本考案のチツプバリスタは、角板状に成形焼結
したバリスタ素体両側面それぞれを介して表裏両
面および正面・背面の一部に連接して断面コ字状
の無機絶縁層を形成し、前記素体両面に一方端を
前記無機絶縁層の一方面上まで延びて内部電極を
対称に形成し、前記素体両側面上を構成する前記
無機絶縁層上を介して前記内部電極端縁面および
該内部電極端縁面と反対面に位置した前記無機絶
縁層の一部と連接した断面コ字状の外部電極を形
成し、該外部電極部を除いた全面を無機または高
分子絶縁材に被覆し絶縁外装を形成した構造とす
ることを特徴とするものである。
したバリスタ素体両側面それぞれを介して表裏両
面および正面・背面の一部に連接して断面コ字状
の無機絶縁層を形成し、前記素体両面に一方端を
前記無機絶縁層の一方面上まで延びて内部電極を
対称に形成し、前記素体両側面上を構成する前記
無機絶縁層上を介して前記内部電極端縁面および
該内部電極端縁面と反対面に位置した前記無機絶
縁層の一部と連接した断面コ字状の外部電極を形
成し、該外部電極部を除いた全面を無機または高
分子絶縁材に被覆し絶縁外装を形成した構造とす
ることを特徴とするものである。
以下、本考案の一実施例につき図面を参照して
説明する。すなわち第１図〜第３図に示すように
例えば酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ス
トロンチウム、炭化硅素、酸化鉄などを主成分と
し、他に数種類の金属酸化物を添加混合したセラ
ミツク粉末を角板状に成形焼結してなるバリスタ
素体１の両側面と表裏両面および正面・背面の一
部に例えば硼硅酸鉛、硼硅酸亜鉛、硅酸鉛などを
主成分とし、これにコバルト、マンガン、ニツケ
ル、アンチモン、クローム、鉄などの添加物を少
なくとも一種添加したガラス材、または例えば酸
化亜鉛にリチウム、銅、ナトリウム、銀などを一
種以上含む高絶縁性セラミツク材を塗布焼付けし
バリスタ素体１両側面それぞれを介して表裏両面
および正面・背面の一部に連接した断面コ字状の
無機絶縁層２，３を形成し、前記バリスタ素体１
両面に一方端を前記無機絶縁層２，３それぞれの
一方面上まで延びた内部電極４，５を対称に形成
し、つぎに前記バリスタ素体１両側面上を構成す
る無機絶縁層２，３上を介して前記内部電極４，
５端縁面および該内部電極４，５端縁面それぞれ
と反対面に位置した前記無機絶縁層２，３の一部
と連接した断面コ字状の外部電極６，７を形成
し、しかるのち該外部電極６，７部を除いた全面
を硼硅酸鉛、硼硅酸亜鉛、硅酸鉛などを主成分と
し、これにコバルト、マンガン、ニツケル、アン
チモン、クローム、鉄などの添加物を少なくとも
１種添加したガラス材、または例えば酸化亜鉛に
リチウム、銅、ナトリウム、銀などを１種以上含
む高絶縁性セラミツク材からなる無機絶縁材、あ
るいはエポキシ系、シリコン系、ウレタン系、ポ
リイミド系、フエノール系の一種からなる高分子
絶縁材にて被覆し絶縁外装８を形成してなるもの
である。
説明する。すなわち第１図〜第３図に示すように
例えば酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ス
トロンチウム、炭化硅素、酸化鉄などを主成分と
し、他に数種類の金属酸化物を添加混合したセラ
ミツク粉末を角板状に成形焼結してなるバリスタ
素体１の両側面と表裏両面および正面・背面の一
部に例えば硼硅酸鉛、硼硅酸亜鉛、硅酸鉛などを
主成分とし、これにコバルト、マンガン、ニツケ
ル、アンチモン、クローム、鉄などの添加物を少
なくとも一種添加したガラス材、または例えば酸
化亜鉛にリチウム、銅、ナトリウム、銀などを一
種以上含む高絶縁性セラミツク材を塗布焼付けし
バリスタ素体１両側面それぞれを介して表裏両面
および正面・背面の一部に連接した断面コ字状の
無機絶縁層２，３を形成し、前記バリスタ素体１
両面に一方端を前記無機絶縁層２，３それぞれの
一方面上まで延びた内部電極４，５を対称に形成
し、つぎに前記バリスタ素体１両側面上を構成す
る無機絶縁層２，３上を介して前記内部電極４，
５端縁面および該内部電極４，５端縁面それぞれ
と反対面に位置した前記無機絶縁層２，３の一部
と連接した断面コ字状の外部電極６，７を形成
し、しかるのち該外部電極６，７部を除いた全面
を硼硅酸鉛、硼硅酸亜鉛、硅酸鉛などを主成分と
し、これにコバルト、マンガン、ニツケル、アン
チモン、クローム、鉄などの添加物を少なくとも
１種添加したガラス材、または例えば酸化亜鉛に
リチウム、銅、ナトリウム、銀などを１種以上含
む高絶縁性セラミツク材からなる無機絶縁材、あ
るいはエポキシ系、シリコン系、ウレタン系、ポ
リイミド系、フエノール系の一種からなる高分子
絶縁材にて被覆し絶縁外装８を形成してなるもの
である。
以上のように構成してなるチツプバリスタによ
れば、内部電極４，５のバリスタ素体１厚さｔを
介して垂直に対向する特性有効部Ｗ以外はバリス
タ素体１に直接でなく該バリスタ素体１より高い
耐電圧を有する断面コ字状の無機絶縁層２，３部
を介して形成した構造となつており、しかも内部
電極４，５の先端部９，１０に位置するバリスタ
素体１部にも断面コ字状の無機絶縁層２，３が形
成され、さらに外部電極６，７が直接バリスタ素
体１部とタツチしない構造となつているため内部
電極４，５の特性有効部すなわちａ−ｃ間以外に
電界がかからずバリスタ素体１厚さよりａ−ｂ間
距離を小さくでき、大幅に小形化したとしても同
一サージ吸収能力を得ることができる。
れば、内部電極４，５のバリスタ素体１厚さｔを
介して垂直に対向する特性有効部Ｗ以外はバリス
タ素体１に直接でなく該バリスタ素体１より高い
耐電圧を有する断面コ字状の無機絶縁層２，３部
を介して形成した構造となつており、しかも内部
電極４，５の先端部９，１０に位置するバリスタ
素体１部にも断面コ字状の無機絶縁層２，３が形
成され、さらに外部電極６，７が直接バリスタ素
体１部とタツチしない構造となつているため内部
電極４，５の特性有効部すなわちａ−ｃ間以外に
電界がかからずバリスタ素体１厚さよりａ−ｂ間
距離を小さくでき、大幅に小形化したとしても同
一サージ吸収能力を得ることができる。
よつて同一大きさのバリスタ素体において第１
図〜第３図に示す構成からなる本考案のものと第
５図に示す構成からなる従来例のものとを比較し
た場合、本考案のものの特性有効部は従来例のも
つ特性有効部より大きくできサージ吸収能力を高
めることができる。
図〜第３図に示す構成からなる本考案のものと第
５図に示す構成からなる従来例のものとを比較し
た場合、本考案のものの特性有効部は従来例のも
つ特性有効部より大きくできサージ吸収能力を高
めることができる。
なお、上記実施例では内部電極の形状としては
第３図に示すものを前提にして説明したが、第４
図に示すようにバリスタ素体１の両面に凸字形の
内部電極４形状としたとしても同効であることは
勿論である。
第３図に示すものを前提にして説明したが、第４
図に示すようにバリスタ素体１の両面に凸字形の
内部電極４形状としたとしても同効であることは
勿論である。
本考案によれば対向電極間の沿面放電を防止し
より小形化で高密度実装化に貢献できる実用的価
値の高いチツプバリスタを得ることができる。
より小形化で高密度実装化に貢献できる実用的価
値の高いチツプバリスタを得ることができる。
第１図〜第３図は本考案の一実施例に係るチツ
プバリスタを示すもので第１図は斜視図、第２図
は第１図Ａ−Ａ断面図、第３図は内部電極を形成
した状態の製造途中の斜視図、第４図は本考案の
他の実施例に係る内部電極を形成した状態の製造
途中のチツプバリスタを示す斜視図、第５図は従
来例に係るチツプバリスタを示す正断面図であ
る。 １……バリスタ素体、２，３……断面コ字状の
無機絶縁層、４，５……内部電極、６，７……断
面コ字状の外部電極、８……絶縁外装、９，１０
……先端部。
プバリスタを示すもので第１図は斜視図、第２図
は第１図Ａ−Ａ断面図、第３図は内部電極を形成
した状態の製造途中の斜視図、第４図は本考案の
他の実施例に係る内部電極を形成した状態の製造
途中のチツプバリスタを示す斜視図、第５図は従
来例に係るチツプバリスタを示す正断面図であ
る。 １……バリスタ素体、２，３……断面コ字状の
無機絶縁層、４，５……内部電極、６，７……断
面コ字状の外部電極、８……絶縁外装、９，１０
……先端部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 角板状に成形焼結したバリスタ素体と、該素
体の両側面それぞれを介して表裏両面および正
面・背面の一部に連接して形成した断面コ字状
の無機絶縁層と、前記素体両面に一方端を前記
無機絶縁層の一方面上まで延びて対称に形成し
た内部電極と、前記素体両側面上を構成する前
記無機絶縁層上を介して前記内部電極端縁面お
よび該内部電極端縁面と反対面に位置した前記
無機絶縁層の一部と連接して形成した断面コ字
状の外部電極と、該外部電極部を除いた全面に
形成した絶縁外装とを具備したことを特徴とす
るチツプバリスタ。 (2) 絶縁外装が無機または高分子絶縁材からなる
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)
項記載のチツプバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985126952U JPH0322884Y2 (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985126952U JPH0322884Y2 (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234404U JPS6234404U (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0322884Y2 true JPH0322884Y2 (ja) | 1991-05-20 |
Family
ID=31021239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985126952U Expired JPH0322884Y2 (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322884Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550964U (ja) * | 1978-09-29 | 1980-04-03 | ||
| JPS5552643U (ja) * | 1978-10-05 | 1980-04-08 | ||
| JPS56148802A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip type varistor and method of manufacturing same |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP1985126952U patent/JPH0322884Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550964U (ja) * | 1978-09-29 | 1980-04-03 | ||
| JPS5552643U (ja) * | 1978-10-05 | 1980-04-08 | ||
| JPS56148802A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip type varistor and method of manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6234404U (ja) | 1987-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6147587A (en) | Laminated-type varistor | |
| JPH0322884Y2 (ja) | ||
| JPH0322883Y2 (ja) | ||
| JP3286855B2 (ja) | チップ型ｐｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JP3039005B2 (ja) | チップバリスタ | |
| JPH0319205Y2 (ja) | ||
| JPS6015277Y2 (ja) | 厚膜バリスタ | |
| JPS6015275Y2 (ja) | 複合厚膜バリスタ | |
| JPH0316242Y2 (ja) | ||
| JPS6015276Y2 (ja) | 複合厚膜バリスタ | |
| CN214410896U (zh) | 一种压敏电阻 | |
| JPH0319204Y2 (ja) | ||
| JP2949910B2 (ja) | 積層バリスタ | |
| JPH0319203Y2 (ja) | ||
| JP2002033203A (ja) | 複合電子部品 | |
| JP3265667B2 (ja) | チップサーミスタ | |
| JP3606467B2 (ja) | 積層形電圧非直線抵抗器の製造方法 | |
| JP2504281B2 (ja) | 複合部品 | |
| JPH0661014A (ja) | 積層型サ−ミスタ | |
| JPH0195714U (ja) | ||
| JPS6311699Y2 (ja) | ||
| JPS5919364Y2 (ja) | バリスタ | |
| JP2023133879A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH04127602U (ja) | ノイズフイルタ | |
| JPH05326204A (ja) | チップ型ｐｔｃサーミスタ |