WO1991007643A1 - Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel - Google Patents

Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel Download PDF

Info

Publication number
WO1991007643A1
WO1991007643A1 PCT/JP1989/001189 JP8901189W WO9107643A1 WO 1991007643 A1 WO1991007643 A1 WO 1991007643A1 JP 8901189 W JP8901189 W JP 8901189W WO 9107643 A1 WO9107643 A1 WO 9107643A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thermocouple
temperature sensor
tube
metal
type temperature
Prior art date
Application number
PCT/JP1989/001189
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yoshiaki Shia
Hideaki Mori
Otoziro Kida
Hiroshi Taketsugu
Original Assignee
Nippon Steel Corporation
Asahi Glass Company Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corporation, Asahi Glass Company Ltd. filed Critical Nippon Steel Corporation
Priority to AU46379/89A priority Critical patent/AU622743B2/en
Priority to US07/730,849 priority patent/US5181779A/en
Priority to DE68927182T priority patent/DE68927182T2/de
Priority to EP89913072A priority patent/EP0454846B1/en
Priority to PCT/JP1989/001189 priority patent/WO1991007643A1/ja
Publication of WO1991007643A1 publication Critical patent/WO1991007643A1/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01K7/04Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples the object to be measured not forming one of the thermoelectric materials
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08Protective devices, e.g. casings
    • G01K1/10Protective devices, e.g. casings for preventing chemical attack
    • G01K1/105Protective devices, e.g. casings for preventing chemical attack for siderurgical use

Definitions

  • the present invention relates to a thermocouple type temperature sensor for continuously measuring the temperature of molten metal and the like, and a method for measuring the temperature of molten metal such as hot metal and molten steel using the same.
  • thermocouple thermometer Conventionally, radiation thermometers, optical pyrometers, thermocouple thermometers, etc. have been used as means for measuring the temperature of hot molten metal such as hot metal, molten steel, etc. Most preferably, a thermocouple thermometer is used.
  • the most commonly used thermocouple thermometer for measuring the temperature of hot metal and molten steel is a platinum-mouth type thermocouple (hereinafter abbreviated as PR thermocouple) with a quartz glass tip. It is a consumable thermometer having a thermosensitive part protected by a tube.
  • thermometer If this thermometer is immersed in hot metal, molten steel, etc., the heat-sensitive part will be melted down in a very short time (10 to 20 seconds), making it unusable, so the temperature measurement must be completed in a short time. In addition, it was necessary to replace the heat-sensitive part for each measurement. As a result, the temperature can be measured continuously for a long period of time.If the measurement is performed frequently, the cost of measuring the temperature is high, and the characteristics of the thermocouples of the replaced thermocouple vary. There was a problem that the accuracy could not be increased sufficiently. Therefore, a temperature that can be measured continuously for a long time with one thermometer The realization of a degree meter was strongly desired.
  • thermocouple thermometer As a protective tube for such a submerged thermocouple thermometer, for example, as shown in Japanese Utility Model Publication No. 55-38290, an outer portion of a protective tube inserted into a high-temperature molten metal to be measured.
  • a protection tube that uses a nitride as a main component
  • an internal protection tube that uses alumina as a main component inside the protection tube.
  • metal molybdenum and zirconium A protective tube made of a composite of Aceramix is known.
  • thermometer using such a metal boride-based ceramic in a protective tube is disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-189629.
  • this metal boride-based ceramic is a non-oxide type
  • the protective tube when used at a high temperature, the protective tube is oxidized by the surrounding atmosphere, and at the same time, the protective tube is used. Reducing gas is generated in the inside.
  • PR thermocouples used as temperature measuring sensors are easily degraded by sublimation, recrystallization or alloying in a reducing gas atmosphere.
  • the deterioration of the thermocouple causes a sudden change in electromotive force or disconnection, which is extremely short compared to the life due to erosion of the protective tube. There was a problem that the temperature could not be measured in a short time.
  • the present invention prevents deterioration of a PR thermocouple due to a reducing gas generated when a protective tube made of a metal boride ceramic is oxidized at a high temperature, and reduces the length of molten metal, particularly hot metal.
  • An object of the present invention is to provide a thermocouple-type temperature sensor that enables continuous temperature measurement over time and a method for measuring the temperature of molten metal such as hot metal or molten steel using the thermocouple-type temperature sensor. Structure of the invention
  • thermocouple-type temperature sensor includes a protective tube made of a metal boride-based ceramic, a platinum single-ported dime-based thermocouple disposed in the protective tube, and the thermocouple.
  • thermocouple type temperature sensor of the present invention In a preferred embodiment of the thermocouple type temperature sensor of the present invention, the upper end of the protection tube is open to the external system.
  • the insulating tube is a ceramic mainly composed of alumina, and has two through-holes each, The overall length is approximately equal to or longer than the overall length of the protective tube.
  • thermocouple-type temperature sensor of the present invention a protective tube comprising an insulating tube and the metal boride-based ceramic, particularly preferably a zirconium boride-based ceramic is used.
  • An inner protective tube mainly composed of alumina is provided between the protective tubes. Examples of zirconium boride ceramics include, for example,
  • Z r B 2 70 ⁇ 95wt%, SiC l ⁇ 15wt%, BN 4 ⁇ 29wt%, bulk Specific gravity 3.0 to 6 0, flexural resistance of; lOkgZmm 2 or more, about coefficient of thermal expansion 6 X 10- 6 Bruno
  • a material having a composition and characteristics such as heat shock resistance ( ⁇ ) of 250 to 1000 ° C can be used.
  • Alumina is less likely to generate reducing gas even at high temperatures, and is also effective in preventing the deterioration of thermocouples because it prevents the ingress of reducing gas generated from the protective tube.
  • the material of the insulating tube ceramics containing zirconia-magnesia as a main component can also be used.
  • the inner protective tube is also made of ceramics whose main component is magnesium. good.
  • thermocouple type temperature sensor of the present invention the upper end of the protection tube is open to an external system, and is provided above the protection tube. Ventilation for forcibly venting gas in the protection tube Means are provided.
  • the temperature of the protection tube becomes high.
  • the reducing gas generated when the gas enters the state moves to the upper part of the protection tube by convection and is ventilated to introduce the external air into the protection tube, so that the thermocouple is less likely to deteriorate.
  • a ventilation means for forcibly venting the gas in the protection tube is provided above the protection tube, the ventilation effect will be further enhanced and the thermocouple will be less likely to deteriorate.
  • the method for measuring the temperature of molten iron according to the present invention is a temperature measurement method using the thermocouple-type temperature sensor for measuring the temperature of molten iron such as hot metal or molten steel. This makes it possible to measure the temperature of molten iron continuously and accurately without replacing the temperature sensor.
  • FIG. 1 is a side view schematically showing a thermocouple-type temperature sensor according to an embodiment of the present invention, in which a part is shown as a cross-sectional view.
  • FIG. 2 is a partial sectional view of the upper end showing another embodiment of the thermocouple type temperature sensor of the present invention.
  • FIG. 3 is a partial sectional view of the upper end showing another embodiment of the thermocouple type temperature sensor of the present invention.
  • FIG. 4 is a partially cut-away perspective view showing another embodiment of the thermocouple-type temperature sensor of the present invention.
  • FIG. 5 is a partial sectional view of the upper end of the embodiment of FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a side view schematically showing one embodiment of a thermocouple type temperature sensor according to the present invention, in which a part is shown in a sectional view.
  • alumina ceramics (Hereinafter referred to as alumina ceramics) and an insulating pipe 3 made of alumina ceramics disposed inside the internal protection pipe 2.
  • Boride zirconate two ⁇ beam quality cell composition of La Mi click scan is ⁇ ⁇ ⁇ 2 85wt% is a material of the protective tube 1 in this, BN 10 t% - a SiC 5 wt%, the dimensions of the protective tube 1 The outer diameter is 25mm, the inner diameter is 15nm, and the length is 850.
  • the alumina canceller mission-box which is the material of the inner protective tube 2 and the insulating tube 3, with a dense including kH 2 Q 3 or more 96 wt%, the length of each of substantially the same as the protective pipe 1 Of length.
  • a silica glass fiber 16 in the form of a tape is spirally wound around the outer periphery of the protective tube 1 to cover the outer periphery.
  • the glass fiber 6 melts when the thermocouple type temperature sensor S of the present embodiment is inserted into the molten metal to be measured, and forms a glass coating on the outer periphery of the protection tube 1.
  • the protective tube 1 serves to prevent oxidation of the protective tube 1 and to relieve a severe thermal shock applied to the protective tube 1 when the thermocouple type temperature sensor S of this embodiment is inserted into the molten metal.
  • thermocouple-type temperature sensor since the tape-shaped silica-based glass fiber is simply wound in a spiral shape, the manufacturing process of the thermocouple-type temperature sensor is simple, and the thermocouple-type temperature of the glass layer is high. Outside the sensor The formation on the periphery can be easily performed.
  • This glass phosphor 6 is not necessarily a glass phosphor, but may be a material capable of relieving the severe thermal shock applied to the protective tube 1 when inserted into the molten metal. .
  • a slurry obtained by mixing refractory powder and glass powder with water may be applied to the surface, baked by heating as appropriate, or a ceramic fiber may be previously placed outside the protective tube 1.
  • the same effect as in the case of the glass fiber 16 can be obtained even with a tube formed according to the shape and formed so as to cover the protective tube 1 before use.
  • the insulating tube 3 is provided with inlet holes 3a and 3b for inserting the metal wires 5a and 5b of the platinum single-ported thermocouple 5 therein. Therefore, the first metal wire 5a and the second metal wire 5b that constitute the thermocouple 5 are inserted into the insertion holes 3a and 3b, and the above-described metal is inserted into the open end of the insulating tube 3.
  • a connection point 5c of the lines 5a and 5b is arranged.
  • the connection point 5c is connected by welding or the like in an inert gas.
  • the open end of the insulating tube 3 is further completely covered with a noble metal cap 4 mainly composed of a platinum group metal, whereby the connection point 5c of the thermocouple S is directly connected to the inner protective tube.
  • the material of the c- cap 4 that prevents contact with the reducing gas that has penetrated into the inside 2 is preferably made of a precious metal such as rhodium or iridium, or an alloy thereof, in addition to platinum.
  • One of the metal wires 5a and 5b constituting the thermocouple 5 operates as a brass electrode wire, and the other operates as a negative electrode wire.
  • brass electrode wire is made of 70% platinum alloy and 30% orifice alloy.
  • the negative electrode wire uses an alloy of 94% platinum and 6% rhodium. This increases durability at high temperatures.
  • an alloy of 87% platinum and 13% rhodium may be used for the positive electrode wire, and pure platinum may be used for the negative electrode wire.
  • the other ends of the metal wires 5 a and 5 b of the thermocouple 5 are connected to output terminals 5 d and 5 e.
  • the output terminals 5 d and 5 e are connected to a temperature recorder 8 etc.
  • thermocouple type temperature sensor S is in molten metal such as pig iron.
  • the voltage corresponding to the temperature of the tip is obtained at the output terminals 5d and 5e.
  • thermocouple-type temperature sensor S When the tip of the thermocouple-type temperature sensor S is inserted into molten metal such as molten steel, the temperature of the molten steel reaches several hundred degrees Celsius, so zirconium boride having a melting point of 3060 ° C is used. Even the system ceramics are gradually oxidized and generate reducing gas inside the protection tube 1. However, in the thermocouple type temperature sensor S according to the first embodiment of the present invention, the internal protection tube 2 prevents the reducing gas from entering the inside. However, when the thermocouple type temperature sensor S is exposed to a high temperature for a long time, the reducing gas generated from the protection tube 1 gradually penetrates the internal protection tube 2 and reaches the position of the insulation tube 3.
  • the noble metal cap 4 and the insulating tube 3 prevent the connecting point 5c of the thermocouple from coming into contact with the reducing gas.
  • the life of the thermocouple 5 is drastically extended.
  • thermocouple type temperature sensor S of the present embodiment the internal protection is provided.
  • the protection tube 1 and the noble metal cap 4 and the insulated green tube 3 prevent the invasion of the reducing gas and extend the life of the thermocouple 5, and the protection tube 1 is provided with, for example, zirconium boride ( ⁇ 2 ). Since the life of the protective tube 1 is extended by using high quality ceramics, a thermocouple type temperature sensor S that can measure temperature for a long time with the tip inserted in molten metal such as molten metal is used. Can be provided.
  • a continuous thermometer is constructed by using the thermocouple type temperature sensor of the embodiment shown in FIG. 1 of the present invention, and a temperature of 1520 to 1580 is obtained in a tundish of a continuous steelmaking machine. ⁇ Measurement of temperature 'resulted in accurate temperature measurement for about 70 hours without interruption due to thermocouple deterioration. In addition, when the temperature of hot metal between 1400 and 1550 was measured with a thermocouple thermometer of the same configuration, the temperature was measured accurately over approximately 85 hours. The interruption of the temperature measurement in these cases is because the protective tube made of zirconium boride ceramics was eroded by molten steel or hot metal.
  • the temperature of the molten steel was measured under the same conditions as above with the configuration in which the upper end of the protection tube 1 was opened and the noble metal cap was removed. Approximately 5 hours later, the thermocouple was disconnected, making measurement impossible. The upper end of the protective tube 1 was sealed, and a platinum cap was attached to the tip of the insulating tube. The temperature of the molten steel was measured under the same conditions as above, and after approximately 40 hours of use. The thermocouple was disconnected, making measurement impossible.
  • thermowell 1 Using ceramics containing boron nitride as the main component for thermowell 1, the other configuration was the same as in Fig. 1, and the temperature of the molten steel was measured under the same conditions as above, about 10 hours Later, the protection tube 1 is damaged It became impossible to measure the temperature. In addition, when a composite made of metal molybdenum and zirconia was used for the protective tube 1 and the temperature of the molten steel was measured under the same conditions as above, the protective tube 1 was melted after about 5 hours, and the temperature could not be measured. It became.
  • the protection tube 1 made of zirconium boride ceramics is open at the upper end and a platinum cap is attached to the end of the insulation tube (however, the internal protection tube 2 is excluded).
  • the thermocouple was disconnected after about 10 hours, and the measurement could not be continued.
  • the life of the platinum-thermoelectric thermocouple can be extended beyond the life of the protection tube made of boride ceramics.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the upper end of another embodiment of the thermocouple type temperature sensor of the present invention.
  • a means for ventilating the reducing gas generated in the protective tube 1 is added to the upper end of the embodiment shown in FIG. That is, a terminal box 9 having an opening 9 g for ventilating the reducing gas at the upper part of the protective tube 1 made of zirconium boride-based ceramic is fixed to the upper end of the protective tube 1.
  • the terminal box 9, which is detachably attached to the flange portion 10a, is configured as follows.
  • connection terminals 5f for fixing the output terminals 5d and 5e connected to the metal wires 5a and 5b of the PR thermocouple 5, and the connection terminals 5f.
  • An air introduction pipe 11 for introducing air 12 for cooling the air is provided.
  • Side wall 9 b is located from the upper end of protection tube 1 It has a height that can fix the connection terminal 5 f at a fixed distance, and has an opening 9 g in the direction in which the air 12 is blown out.
  • the bottom plate 9c of the terminal box 9 is integrally formed with the flange portion 9e via a cylindrical portion 9d having an opening 9f.
  • the holder 10 is composed of a cylindrical portion 10a fitted and fixed to the upper end of the protective tube 1 and a flange 10b having an opening 10c in the center through which the internal protective tube 2 penetrates.
  • air 12 introduced from the air inlet pipe 11 is blown toward the connection terminal 5 f in the terminal box 9 to cool the connection terminal 5 f. Then, it is discharged out of the terminal box 9 through the opening 9 g. At this time, the reducing gas generated in the protective tube 1 is more effective through the holder opening 10c and the terminal box cylinder 9d because the terminal box 9 is constantly ventilated with fresh air. Is discharged outside.
  • thermocouple was disconnected, making measurement impossible.
  • FIG. 3 is a partial sectional view of an upper end portion of another embodiment of the thermocouple type temperature sensor of the present invention.
  • a bypass pipe 13 is added to the air inlet pipe 11 of the embodiment of FIG.
  • the open end of the tube 13 is arranged between the inner peripheral surface of the protective tube 1 and the outer peripheral surface of the inner protective tube 2.
  • the bypass pipe 13 is based on the relationship with the cross-sectional area of the air introduction pipe 11 so that when the air flows through the air introduction pipe 11, the bypass pipe 13 sucks the ambient gas near the opening end of the protection pipe 1. Designed and arranged. With such a configuration, the reducing gas generated in the protection tube 1 is positively sucked, and the reducing gas can be efficiently discharged.
  • thermocouple type temperature sensor of this configuration.
  • the temperature of the molten steel of C was measured, it could be measured accurately for about 75 hours continuously.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view of a whole of a part of another embodiment of the thermocouple type temperature sensor of the present invention.
  • the terminal box 9 is further improved, and details of the upper end are shown in FIG.
  • FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the upper end of the thermocouple-type temperature sensor 1 of FIG.
  • the terminal box 9 is integrated with the handle 14, the upper lid 9a, the side wall 9b, the slope 9h, the cylinder 9d, and the flange 9e of the upper lid 9 to which the air inlet tube 11 and the connection terminal 5f are fixed.
  • the present embodiment is characterized in that two openings 9i for venting gas are provided in the bottom plate 9c.
  • An open portion 9i (one of the two open portions in the figure) is provided below the connection terminal 5f.
  • the opening 9i for degassing is provided on the bottom plate 9c of the terminal box 9, so that it is used in an environment with a lot of dust. Open part 9 i More dust and the like do not enter the inside of the terminal box 9, and the use time of the thermocouple type temperature sensor can be further extended. In addition, the flow of the air blown to the connection terminal 5 f becomes smooth, and the reducing gas generated in the protection tube 1 can be efficiently discharged. Industrial use results
  • thermocouple when a temperature sensor using a protective tube made of boride-based ceramics is used, a platinum gas dimming due to a reducing gas generated as the protective tube is oxidized.
  • the system thermocouple can be prevented from deteriorating. Therefore, a protective tube composed mainly of boride and a platinum single-ported dither thermocouple are combined to make full use of the corrosion resistance of the protective tube composed of boride-based ceramics to make hot metal. It has become possible to measure temperature continuously for a long time.
  • thermocouple type temperature sensor of the present invention By using the thermocouple type temperature sensor of the present invention, for example, in the steel making process, frequent replacement of the thermometer is not required, and moreover, stable temperature measurement with higher accuracy than before can be continuously performed. As a result, it became possible to control the temperature of the hot metal and the molten steel in detail. That is, the present invention contributes not only to labor saving and resource saving, but also to the improvement of the quality of steel products, and has a great industrial application effect.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Description

明 細 熱電対式温度センサ一および溶鉄の測温方法 技術分野
本発明は、 溶融金属等の温度を連続的に測定する熱電対式 温度セ ンサ一およびこれを用いる溶銑や溶鋼などの溶欽の測 温方法に関するものである。 背景技術
従来、 溶銑、 溶鋼などの高温の溶融金属の温度を測定する 手段と して、 放射温度計、 光高温計、 熱電対温度計等が利用 されているが、 これ等のうち測定精度の点から熱電対温度計 を用いるのが最も好ま しい。 熱電対温度計と して溶銑や溶綱 の温度測定に最も一般的に使用されているのは、 白金—口ジ ゥム系熱電対 (以下、 P R熱電対と略称する) の先端を石英 ガラス管で保護した感熱部を有する消耗型温度計である。 こ の温度計を溶銑、 溶綱などに浸漬すると、 極めて短時間 (10 〜20秒間) のうちに感熱部が溶損し、 使用不能になるので、 短時間で測温を終了しなければならず、 かつ測定 1 回毎に感 熱部の交換を必要と していた。 このため長時間連続して測温 することができす、 頻繁に測定する場合には測温のコス トが 高くつく と共に、 交換した感熱部の各熱電対の特性にバラッ キがあるため温度測定精度を十分に高く できないという問題 があった。 そこで、 一つの温度計で長時間連続測温できる温 度計の実現が強く望まれていた。 かかる浸漬型熱電対温度計 の保護管として、 例えば、 日本公開実用新案昭和 55-38290号 公報に示されているように、 高温の被測温溶融金属中に挿入 される保護管の外側部分にボ σ ンナイ ト ライ ドを主成分とす る保護管を使用し、 保護管の内側にアルミナを主成分とする 内部保護管を用いたものがあり、 また他に、 金属モ リブテ ン とジルコ二アセ ラ ミ ッ クスの複合体を材質とした保護管が知 られている。
しかし、 これらの保護管を用いた熱電対温度計の場合、 溶 銑、 溶鋼の連続測温では、 5〜10時間にて保護管が浸食によ り損傷するため寿命が不十分である。 しかし、 最近、 このよ うな保護管の材質として好ま しい特性、 すなわち溶銑、 溶鐧 等の溶融金属ゃスラグに対する耐食性に優れ、 かつ十分な強 度、 耐熱性、 熱伝導性を有する金属硼化物系セラ ミ ッ タスの 入手が可能となった。 このような金属硼化物系セ ラ ミ ッ ク ス と しては、 Z rB 2 , T i B 2 . TaB 2などがある。 これ等のうち特に Z r B 2は前記の好ま しい特性を最も多く具備している。
か る金属硼化物系セラ ミ ッ クスを保護管に用いた温度計 が実開昭 62— 189629号公報に開示されている。
しかるに、 この金属硼化物系セラ ミ ッ ク スは、 非酸化物系 であるため、 これを保護管に用いた場合、 高温で使用すると 該保護管が周囲の雰囲気により酸化され、 同時に該保護管の 内部に還元性ガスが発生する。 一方、 測温セ ンサーと して用 いられる P R熱電対は還元性ガス雰囲気下で昇華や再結晶化 或いは合金化により劣化しやすく、 これ等の保護管と組合せ て溶銑、 溶鐧等の溶融金属の温度測定に用いた場合、 この熱 電対の劣化により、 起電力の急激な変化や断線が発生し、 保 護管の浸食による寿命に比して極めて短時間のうちに温度の 測定が不能となる問題があった。
本発明は、 金属硼化物系セラ ミ ッ クスからなる保護管が高 温下で酸化される時発生する還元性ガスによる P R熱電対の 劣化を防止し、 溶融金属、 特に溶鐧ゃ溶銑の長時間の連続測 温を可能とする熱電対式温度セ ンサ一および、 この熱電対式 温度セ ンサ一を用いる溶銑や溶鋼などの溶 の測温方法を提 供する事を目的とする。 発明の構成
上記目的を達成するために、 本発明の熱電対式温度センサ 一は、 金属硼化物系セラ ミ ッ クスからなる保護管と、 該保護 管内に配置された白金一口ジゥム系熱電対と、 該熱電対を構 成する第 1、 第 2の金属線を収納する酸化物からなる絶緣管 とを有する測温計であって、 絶緣管先端部に配設された該熱 電対の接続点が白金族の金属を主成分とする貴金属製キャ ッ プで覆われていることを特徴とする。 該貴金属製キャ ップは 熱電対の接続点を保護管内部の還元性ガス雰囲気から隔離す るので該熱電対の還元性ガス雰囲気による劣化を防止出来る。 また、 貴金属製キャ ップからの例えば白金成分の昇華による 白金蒸気が白金一 ϋジゥム系熱電対の昇華による損傷を抑制 する働きをしているとも考えられる。
本発明の熱電対式温度センサ一の好ま しい態様では、 該保 護管の上端部が外系に開放されている。
本発明の熱電対式温度セ ンサ一の他の好ま しい態様では、 該絶緣管がアル ミナを主成分とするセラ ミ ッ クスであり、 か つ一本に 2つの貫通孔を有し、 その全長が概ね該保護管の全 長と等しいか全長より長い。
本発明の熱電対式温度セ ンサ一の他の好ま しい実施態様で は、 絶縁管と該金属硼化物系セラ ミ ッ タスからなる保護管、 特に好ま しく は硼化ジルコニゥ厶質セラ ミ ックスからなる保 護管の間にアルミ ナを主成分とする内部保護管が設けられて いる。 硼化ジルコ ニウ ム質セ ラ ミ ッ ク スと しては、 例えば
ZrB2 70〜95wt% , SiC l〜15wt% , BN 4〜29wt%、 嵩比 重 3. 0〜6. 0、 抗析強度 ; lOkgZmm2 以上、 熱膨張率約 6 X 10— 6ノ 、 耐熱衝擊性 (Δ Τ) 250〜 1000°Cのような組成と 特性を有するものが使用できる。 アルミ ナは高温下でも還元 性ガスを発生しにく く、 かつ保護管より発生した還元性ガス の侵入を防ぐので更に熱電対の劣化防止に効果がある。
前記絶縁管の材質としては他にジルコニァゃマグネシアを 主成分とするセラ ミ ッ クスも使用でき、 この場合には前記内 部保護管もマグネシ了を主成分とするセラ ミ ッ クスとするの が良い。
本発明の熱電対式温度セ ンサ一の他の好ま しい態様では、 該保護管上端部が外系に開放されており、 かつ保護管上部に. 該保護管内のガスを強制的に換気する換気手段が設けられて いる。
保護管上部を外系に開放とする事により、 保護管が高温状 態になる時発生する還元性ガスは対流により保護管の上方に 移動し、 換気されて外系の空気が保護管内に導入されるので 熱電対が劣化しにく く なる。 更に、 保護管上部に保護管内の ガスを強制的に換気する換気手段を設ければ換気効果が一層 高まり、 熱電対がより劣化しにく く なる。
本発明の溶鉄の測温方法は前記熱電対式温度センサーを溶 銑や溶鋼などの溶鉄の温度測定に用いる測温方法であり、 こ の溶鉄の測温方法により、 数十時間を超える長時間にわたつ て溶鉄の温度を温度セ ンサーを交換しないで連続して精度良 く測定することを可能と したものである。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明の熱電対式温度セ ンサーの 1実施例の概 略を示す一部分を断面図と した側面図である。
第 2図は、 本発明の熱電対式温度セ ンサ一の他の実施例を 示す上端部の部分断面図である。
第 3図は、 本発明の熱電対式温度セ ンサーの他の実施例を 示す上端部の部分断面図である。
第 4図は、 本発明の熱電対式温度セ ンサ—の他の実施例を 示す一部分を切断した全体の斜視図である。
第 5図は、 第 4図の実施例の上端部の部分断面図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の熱電対式温度セ ンサ一の実施例を以下に図面を用 いて説明する。 第 1図は本発明の熱電対式温度セ ンサ一の 1実施例の概略 を示す一部分を断面図とした側面図である。
第 1図において熱電対式温度セ ンサー Sは、 硼化ジルコ ニ ゥ ム (ZrB2)を主成分とするセ ラ ミ ッ ク ス (以下、 硼化ジルコ 二ゥム質セラ ミ ッ クスという) からなる保護管 1 と、 保護管 1の内部に配置されたアルミ ナを主成分とするセラ ミ ッ ク ス
(以下、 アルミナ質セラ ミ ッ ク スという) からなる内部保護 管 2 と、 内部保護管 2の内部に配置されたアル ミナ質セラ ミ ッ ク スからなる絶緣管 3を備える。 こ において保護管 1の 材質である硼化ジルコ二ゥム質セ ラ ミ ッ ク スの組成は ΖΓΒ2 85wt% , BN 10 t% - SiC 5 wt%であり、 保護管 1の寸法は、 外径 25mm、 内径 15nmi、 長さ 850誦である。 また、 内部保護管 2 と絶縁管 3の材質であるアルミナ質セラ ミ ッ クスとしては, kH 2Q3 を 96wt%以上含む緻密なものを用い、 その各々の長 さは概ね保護管 1 と同じ長さのものである。 保護管 1の外周 にはテープ状としたシリカ系のグラスファイバ一 6がスパィ ラル状に巻かれ外周を覆つている。 このグラ スフ ァ イ バー 6 は本実施例の熱電対式温度セ ンサー Sが被測定物である溶融 金属に挿入された場合に溶融して、 保護管 1 の外周にガラ ス 被覆を形成し、 保護管 1の酸化を防止するとともに本実施例 の熱電対式温度セ ンサ一 Sを溶融金属に挿入した場合に保護 管 1 に加わる激しい熱衝撃を和らげる働きをする。 本実施例 ではテープ状としたシリカ系のグラスフ ァ イ バーを単にスパ ィ ラル状に巻いて用いているので、 熱電対式温度センサ一の 製造工程が簡単で、 かつガラス層の熱電対式温度センサ一外 周への形成を容易に行う ことができる。
このグラ ス フ ア イ ノ ー 6 は必ずしもグラ スフ ァ イ ノ、'—でな くても同様に溶融金属に挿入した場合に保護管 1 に加わる激 しい熱衝撃を和らげることができる物質でよい。 例えば耐火 物粉末とガラス粉末を水と混ぜてスラ リ ー状としたものを表 面に塗布し、 適宜加熱して焼付けたものでも良く、 またセ ラ ミ ッ クフアイバ ーを予め保護管 1の外側形状に合わせて筒状 に成形したものを作り、 使用前に保護管 1 を覆うように取り 付けたものでも、 グラスフ ァイバ一 6の場合と同じ熱衝撃を 和らげる効果が得られる。
絶縁管 3には白金一 口ジゥム系熱電対 5の金属線 5 a , 5 bを揷入する揷入孔 3 a , 3 bが設けられている。 従って 熱電対 5を構成する第 1 の金属線 5 a と第 2の金属線 5 bは 挿入孔 3 a , 3 b内に挿入されており、 更に、 絶緣管 3の先 端開放部分に上記金属線 5 a , 5 bの接続点 5 cが配置され ている。 接続点 5 cは不活性ガス中での溶接等により接続さ れたものである。 前記絶縁管 3の先端開放部分は更に白金族 の金属を主成分とする貴金属製のキ ヤ ップ 4で完全に覆われ ており、 これにより熱電対 Sの接続点 5 cが直接内部保護管 2内に浸透している還元性ガスに触れないようになつている c キャ ップ 4の材質は白金の他ロジウム、 イ リ ジウム等の貴 金属あるいはこれ等の合金が適している。
熱電対 5を構成する金属線 5 a , 5 bは一方がブラス電極 線と して動作し、 他方がマイ ナス電極線と して動作する。 例 えばブラス電極線には白金 70 %、 口ジゥム 30 %の合金が用い られ、 マイナス電極線には白金 94%、 ロジウム 6 %の合金が 用いられている。 これにより高温での耐久性が増す。 なお、 金属線 5 a > 5 bと してプラス電極線に白金 87 %、 ロジウム 13 %の合金を用い、 マイナス電極線に純白金を用いても良い。 熱電対 5の金属線 5 a , 5 bのそれぞれの他端は出力端子 5 d . 5 eに接続されている。 出力端子 5 d , 5 eは補償導 線 7 によって温度記録計 8等に接続されて測温装置を構成す 温度計測時には、 熱電対式温度セ ンサー Sの先端部分が銑 鉄等の溶融金属内に挿入され、 該先端部分の温度に応じた電 圧が出力端子 5 d , 5 eに得られる。
熱電対式温度セ ンサー Sの先端部分が溶鋼等の溶融金属内 に挿入されると、 溶鋼の温度は摂氏千数百度にもなるので、 3060 °Cという髙融点を持つ硼化ジルコ二ゥ厶系セ ラ ミ ッ クス であっても徐々に酸化され、 保護管 1の内部に還元性ガスを 発生するようになる。 しかし本発明の第 1の実施例の熱電対 式温度セ ンサー Sでは内部保護管 2が該還元性ガスの内部へ の侵入を防止する。 しかし熱電対式温度セ ンサー Sが長時間 高温にさ らされると、 保護管 1から発生した還元性ガスが徐 々に内部保護管 2を浸透して絶緣管 3の位置に到達するよう になり、 第 1 の実施例では前記貴金属製のキヤ ップ 4 と絶縁 管 3が熱電対の接続点 5 cを該還元性ガスと接触するのを防 止している。 この結果、 本発明の熱電対式温度セ ンサ一では 熱電対 5の寿命が飛躍的に延びることになる。
このよ う に本実施例の熱電対式温度セ ンサー Sでは内部保 護管 2 と貴金属製キヤ ッ プ 4および絶緑管 3により該還元性 ガスの侵入を防いで熱電対 5の寿命を延ばすと供に、 保護管 1 に例えば硼化ジルコニゥム(Ζ Γ Β 2 )質セラ ミ ッ クスを使用し 保護管 1の寿命を延ばしているので、 溶鐧等の溶融金属中に 該先端部を挿入した状態で長時間測温が可能な熱電対式温度 セ ンサー Sを提供することが出来る。
本発明の第 1 図に示した実施例の熱電対式温度セ ンサーを 用いて連続測温計を構成し、 溶鋼の連続鍩造設備のタ ンディ ッ シュ内にて、 1 520〜1580 の溶鐧温度を測定'したところ、 熱電対の劣化による中断がなく約 70時間にわたり精度よく温 度の測定ができた。 また、 1400 ~ 1550 の溶銑の温度を、 同 じ構成の熱電対式温度計で測定した所、 約 85時間にわたり精 度よく測定できた。 これ等の場合の測温の中断は、 硼化ジル コニゥ厶質セラ ミ ッ クスからなる保護管が溶鋼又は溶銑によ り侵食されたためである。
本実施例の効果を検証するために、 保護管 1 の上端部を開 放と し、 貴金属製のキ ャ ッ プを除いた構成で、 前記と同一の 条件で溶鋼の温度を測定した所、 約 5時間後に熱電対が断線 して測定不能となった。 また保護管 1 の上端部を密閉と し、 白金製のキ ヤ ップを絶縁管の先に取り付けた構成で、 前記と 同一の条件で溶鋼の温度を測定をした所、 約 40時間使用後に 熱電対が断線して測定不能となつた。
保護管 1 にボロ ンナイ ト ライ ドを主成分とするセラ ミ ッ ク スを用い、 他は第 1図と同じ構成と し、 前記と同一の条件で 溶鋼の温度を測定した所、 約 10時間後に保護管 1 が溶損して 測温不能となつた。 また、 保護管 1 に金属モリブテンとジル コニァからなる複合体を用い、 前記と同一の条件で溶鋼の温 度を測定した場合には、 約 5時間の後に保護管 1が溶損し、 測温不能となった。
これに対し、 硼化ジルコニウム質セラ ミ ッ ク スからなる保 護管 1の上端部を開放とし、 白金製のキヤ ップを絶縁管の先 に取り付けた構成で (但し内部保護管 2は除いてある。 ) 前 記と同一の条件で溶鋼の温度を測定した所、 約 10時間後に熱 電対が断線して測定が継続不能となった。
このように本実施例によれば白金一 ジゥム系熱電対の寿 命を硼化物系セラ ミ ッ ク スからなる保護管の寿命以上に延ば すことができる。
次に本発明の第 2図に示した実施例について説明する。
第 2図は本発明の熱電対式温度セ ンサ一の他の実施例の上 端部の部分断面図である。 本実施例は、 第 1図の実施例の上 端部に保護管 1 内に発生する還元性ガスを換気するための手 段を付加したものである。 すなわち、 硼化ジルコ ニウム質セ ラ ミ ッ クスからなる保護管 1 の上部に還元性ガスを換気する 開放部 9 gを有する端子箱 9を、 保護管 1の上端部に固設し たホルダー 10のフラ ンジ部 10 aに着脱自在に取り付けてある, 端子箱 9 は次のように構成されている。 すなわち、 端子箱 9 の上蓋 9 aには P R熱電対 5の金属線 5 a , 5 bと連結する 出力端子 5 d , 5 eを固定する接続端子 5 f が設けられ、 ま た接続端子 5 f を冷却するための空気 12を導入する空気導入 管 11が設けられている。 側壁 9 bは保護管 1の上端部より所 定の距離を隔て、接続端子 5 f を固定できる高さを有し、 ま た空気 12の吹出方向に開放部 9 gが設けられている。 端子箱 9の底板 9 cは開口 9 f を有する筒部 9 dを介してフ ラ ンジ 部 9 eと一体に構成されている。
一方、 ホルダー 10は保護管 1の上端部に嵌合固定されてい る筒部 10 a と内部保護管 2が貫通する開口部 10 cを中央に有 するフ ラ ンジ 10 bより構成されている。
本実施例はこの様に構成されていることにより、 空気導入 管 11から導入される空気 12が端子箱 9内で接続端子 5 f に向 けて吹付けられ、 接続端子 5 f を冷却しつ、開放部 9 gを通 つて端子箱 9外へ排出される。 この際、 保護管 1 内で発生し た還元性ガスは、 端子箱 9内が常に新鮮な空気と換気されて いることにより、 ホルダー開口部 10 c及び端子箱筒部 9 dを 経てより効果的に外部へ排出される。
本実施例の効果を検証するために、 空気導入管から空気を 導入しないで、 連続錢造設備のタ ンディ ッ シュ内にて 1520〜 1580 °Cの溶鋼温度を測定したところ、 約 50時間の測定の後熱 電対の断線が生じ、 測定不能となった。
一方、 本実施例に基づき、 空気を 0. 05m2 Z分、 測定時間中 端子箱 9内へ導入したところ、 上述と同様の条件において約 65時間にわたり精度良く正常に温度の測定が行われた。
次に第 3図に示した実施例について説明する。
第 3図は本発明の熱電対式温度セ ンサ一の他の実施例の上 端部の部分断面図である。 本実施例は第 2図の実施例の空気 導入管 11にバイパス管 13を付け加えたものであり、 バイパス 管 13の開口端部を保護管 1の内周面と内部保護管 2の外周面 の間に向けて配置されている。 バイパス管 13は空気導入管 11 内を空気が流通する際、 バイパス管 13が、 保護管 1の開口端 部近傍の雰囲気ガスを吸引するように、 空気導入管 11の断面 積との関係に基づいて設計され、 配置されている。 このよう な構成にすると、 保護管 1 内に発生した還元性ガスが積極的 に吸引され、 効率的に還元性ガスを排出することができる。
この構成の熱電対式温度セ ンサ一により、 1520〜; 1580。Cの 溶鋼の温度を測定した所、 約 75時間連続して精度良く測定が できた。
次に第 4図に示した実施例を説明する。
第 4図は本発明の熱電対式温度セ ンサ一の他の実施例の一 部を切断した全体の概略斜視図である。 本実施例は端子箱 9 を更に改良したものであり、 その上端部の詳細を第 5図に示 す。 第 5図は第 4図の熱電対式温度センサ一の上端部の部分 断面図である。 図において、 端子箱 9は取手 14、 上蓋 9 a、 側壁 9 b、 空気導入管 11及び接続端子 5 f を固着した上蓋 9 の斜面部 9 h及び筒部 9 d、 フラ ンジ部 9 e と一体に形 成された底板 9 cから構成されているが、 本実施例の特徴は ガス抜き用の開放部 9 i を底板 9 cに 2 ケ所設けたことであ る。 また、 開放部 9 i (図では 2 ケ所の開放部の内の一方) が接続端子 5 f の下側に設けられている。
以上のような構成とすることにより、 本実施例では、 ガス 抜き用の開放部 9 i が端子箱 9の底板 9 cに設けられている ので、 粉塵の多い悪環境内で使用される場合にも開放部 9 i より粉塵等が端子箱 9の内側に入らず熱電対式温度セ ンサー の使用時間を更に延長することができる。 また、 接続端子 5 f に吹き付けた空気の流れがスムースになって、 保護管 1 内に発生した還元性ガスを効率良く排出することができる。 産業上の利用劲果
以上のように本発明によれば硼化物系セラ ミ ッ クスからな る保護管を用いた温度セ ンサ一の使用時において、 保護管の 酸化に伴って発生する還元性ガスによる白金一 口ジゥム系熱 電対の劣化を防止できる。 したがって硼化物を主成分とする 保護管と白金一口ジゥム系熱電対とを組み合わせ、 硼化物系 セ ラ ミ ツ タスからなる保護管の耐食性を充分に生かして溶銑. 溶鋼等の高温の溶融金属の測温を長時間連続して行う ことが 可能となつた。
本発明の熱電対式温度センサーを用いることにより、 例え ば製鋼プロセスにおいては、 測温計の頻繁な交換作業が不要 となり、 しかも従来より精度の良い安定した温度測定が連続 してできるようになったことにより、 溶銑、 溶綱のきめ細か い温度管理が可能となった。 即ち本発明は、 省力化や省資源 においてだけでなく、 鋼製品の品質の向上の面においても寄 与するものであり、 産業上の利用効果が大である。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 第 1及び第 2の金属線と該金属線の接続点で感熱部を 構成した白金一 n ジゥ ム系熱電対と、
前記金属線を内包すると共に、 その先端部より前記熱電対 感熱部を露出して構成した酸化物からなる絶縁管と、 前記絶 縁管の先端部を覆った白金族の金属を主成分とする貴金属製 キ ャ ッ プと、 前記絶縁管及び貴金属製キャ ップを収納する金 属硼化物系のセラ ミ ッ ク スからなる保護管とから構成されて いることを特徴とする熱電対式温度セ ンサ一。
2. 前記保護管の上端部が外系に開放された状態としてあ る請求の範囲 1 に記載の熱電対式温度セ ンサ一。
3. 前記絶縁管がアルミ ナを主成分とするセラ ミ ッ ク スか らなり、 かつ一個に二つの金属線を通す挿入孔を有し、 その 一個の全長が概ね前記保護管の全長と等しいか全長より長く してある請求の範囲 1記載の熱電対式温度セ ンサ一。
4. 前記保護管と前記絶縁管の間にアルミ ナを主成分とす る内部保護管を配置してある請求の範囲 1記載の熱電対式温 度セ ンサー。
5. 前記保護管が硼化ジルコ ニゥ ム (Z r B 2)を主成分とする セ ラ ミ ッ ク スである請求の範囲 1記載の熱電対式温度セ ンサ
6. 前記熱電対の金属線を連結する出力端子を固定した接 続端子と、 前記接続端子を取り付けてあり、 かつ前記保護管 の上端部に取り付けられ、 かつ内側を外系に対して開放とす る開放部が設けられている端子箱と、 前記端子箱に取り付け られた換気手段が設けられている請求の範囲 1 に記載の熱電 対式温度セ ンサ一。
7. 前記換気手段が空気導入管であり、 前記空気導入管か ら導入される空気が前記接続端子に向けて吹き付けられるよ うに前記空気導入管が配置されている請求の範囲 6に記載の 熱電対式温度セ ンサ一。
8. 前記換気手段が前記保護管の開口端部近傍の雰囲気ガ スを吸引する構成となっている請求の範囲 6又は 7に記載の 熱電対式温度セ ンサ一。
9. 前記端子箱の側壁に前記開放部を設けた請求の範囲 6 記載の熱電対式温度センサ一。
10. 前記端子箱の底板に前記開放部を設けた請求の範囲 6 記載の熱電対式温度セ ンサ一。
11. 前記保護管の外周面にグラ ス フ アイバーの被覆を施し てある請求の範囲 1又は 6記載の熱電対式温度セ ンサ一。
12. 第 1及び第 2の金属線と該金属線の接続点で感熱部を 構成した白金一 口ジゥム系熱電対と、 前記金属線を内包する と共に、 その先端部より前記熱電対感熱部を露出して構成し た酸化物からなる絶縁管と、 前記絶縁管の先端部を覆った白 金族の金属を主成分とする貴金属製キャ ップと、 前記絶縁管 及び貴金属製キ ャ ッ プを収納するアル ミ ナを主成分とする内 部保護管と、 更にこの内部保護管を収納する金属硼化物系の セ ラ ミ ッ クスからなる保護管とから構成される熱電対式温度 センサ一の先端を溶鉄中に挿入して温度を測定することを特 徴とする溶鉄の測温方法,
PCT/JP1989/001189 1989-11-22 1989-11-22 Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel WO1991007643A1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU46379/89A AU622743B2 (en) 1989-11-22 1989-11-22 Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel
US07/730,849 US5181779A (en) 1989-11-22 1989-11-22 Thermocouple temperature sensor and a method of measuring the temperature of molten iron
DE68927182T DE68927182T2 (de) 1989-11-22 1989-11-22 Thermoelementähnliche temperaturfühler und verfahren zur temperaturmessung flüssigen stahles
EP89913072A EP0454846B1 (en) 1989-11-22 1989-11-22 Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel
PCT/JP1989/001189 WO1991007643A1 (en) 1989-11-22 1989-11-22 Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP1989/001189 WO1991007643A1 (en) 1989-11-22 1989-11-22 Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1991007643A1 true WO1991007643A1 (en) 1991-05-30

Family

ID=13958959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1989/001189 WO1991007643A1 (en) 1989-11-22 1989-11-22 Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5181779A (ja)
EP (1) EP0454846B1 (ja)
AU (1) AU622743B2 (ja)
DE (1) DE68927182T2 (ja)
WO (1) WO1991007643A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007057528A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Heraeus Electro-Nite Internatl Nv 溶融金属の温度測定装置
CN109752108A (zh) * 2019-02-14 2019-05-14 安徽天康(集团)股份有限公司 一种可更换高寿命热电偶

Families Citing this family (333)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4016404A1 (de) * 1990-05-22 1991-11-28 Koertvelyessy Laszlo Fluessigstahl-thermoelement mit linearer drift
US5474618A (en) * 1994-04-19 1995-12-12 Rdc Controle Ltee Protective ceramic device for immersion pyrometer
US5709474A (en) * 1994-11-15 1998-01-20 L&N Metallurgical Products Co. Refractory sheath for sensors
US5755056A (en) * 1996-07-15 1998-05-26 Remington Arms Company, Inc. Electronic firearm and process for controlling an electronic firearm
US6679627B1 (en) * 1997-11-04 2004-01-20 Rdc Controle Ltee Self-floating device for measuring the temperature of liquids
US6050723A (en) * 1998-04-14 2000-04-18 Amra; Lutfi H. High temperature thermocouple assembly for measuring molten metal temperatures
US6059453A (en) * 1998-04-20 2000-05-09 Rosemount Inc. Temperature probe with sapphire thermowell
KR20010071587A (ko) 1998-06-26 2001-07-28 홀 케네스 알. 가스화공정에 사용되는 열전쌍
JP5331282B2 (ja) * 1999-10-13 2013-10-30 ジーイー・エナジー・ユーエスエー・エルエルシー サファイア強化熱電対保護管
CN1116593C (zh) * 2000-07-12 2003-07-30 东北大学 钢水温度连续测量方法和测温管
DE10106475C1 (de) * 2001-02-13 2002-09-12 Fraunhofer Ges Forschung Thermoelementanordnung zur Temperaturmessung in chemisch aggressiven Medien und bei Temperaturen größer 1000 Grad C
EP1298423A1 (en) * 2001-10-01 2003-04-02 Vesuvius Crucible Company Pyrometer
US7080941B1 (en) * 2001-11-13 2006-07-25 Lam Research Corporation Temperature sensing system for temperature measurement in a high radio frequency environment
US7004623B2 (en) * 2002-03-21 2006-02-28 Jon Nakagawa Disposable sheath for data logger probe and method for measuring and recording temperature in a closed container
JP2003344169A (ja) * 2002-05-22 2003-12-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱電対保護管
DE10238628B4 (de) * 2002-08-19 2006-01-19 Temperaturmeßtechnik Geraberg GmbH Keramisch isolierter Hochtemperatursensor
DE102004032561B3 (de) * 2004-07-05 2006-02-09 Heraeus Electro-Nite International N.V. Behälter für Metallschmelze sowie Verwendung des Behälters
FR2894024B1 (fr) * 2005-11-30 2008-01-18 Cogema Canne de mesure de temperature
US7874726B2 (en) * 2007-05-24 2011-01-25 Asm America, Inc. Thermocouple
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
US8007170B2 (en) * 2007-09-04 2011-08-30 Pepperl + Fuchs Electronic sensor and method for the manufacture of a sensor
US7946762B2 (en) * 2008-06-17 2011-05-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8262287B2 (en) 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8100583B2 (en) * 2009-05-06 2012-01-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US8382370B2 (en) 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
EP2386843B1 (de) * 2010-05-11 2016-08-03 Innovatherm Prof. Dr. Leisenberg GmbH & Co. KG Thermoelement
US20120090890A1 (en) * 2010-10-15 2012-04-19 Honeywell International Inc. Rapidly self-drying rectifying flame rod
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
WO2013109439A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-25 Honeywell International Inc. A flare pilot detection and ignition system
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103105240A (zh) * 2013-01-30 2013-05-15 上海安可泰环保科技有限公司 一种基于热敏陶瓷的高电压环境测量温度的方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
CN103278255B (zh) * 2013-05-21 2016-03-02 天津市中环温度仪表有限公司 测量烟气用的耐腐蚀热电偶
EP3032231B1 (en) * 2013-08-08 2018-12-19 Furuya Metal Co., Ltd. Thermometer
EP3047247B1 (de) * 2013-09-16 2017-03-15 SMS group GmbH Messsonde für hochtemperaturmessungen in flüssigen medien
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
WO2015111094A1 (ja) * 2014-01-21 2015-07-30 株式会社岡崎製作所 高温用温度センサ
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
FR3031177B1 (fr) * 2014-12-31 2017-02-10 Areva Nc Canne de mesure de temperature, a thermocouple facilement remplacable
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10656024B2 (en) * 2016-04-05 2020-05-19 Corning Incorporated Molten material thermocouple methods and apparatus
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
GB201615272D0 (en) * 2016-09-08 2016-10-26 Johnson Matthey Plc Method
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
JP6992553B2 (ja) * 2018-01-31 2022-01-13 株式会社デンソー 温度センサ及び温度測定装置
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51136186U (ja) * 1975-04-24 1976-11-02
JPS5347883A (en) * 1976-10-13 1978-04-28 Toshiba Corp Temperature detector
JPS57101730A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Sumitomo Alum Smelt Co Ltd Protecting tube for measuring temperature of fused salt bath
JPS63187018U (ja) * 1987-05-25 1988-11-30

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1215823A (fr) * 1958-11-19 1960-04-20 Materiel Electr De Controle Et Perfectionnements aux cannes pyrométriques
US3647558A (en) * 1967-06-26 1972-03-07 Carborundum Co Protected thermocouple and protection tube
US3580744A (en) * 1969-02-04 1971-05-25 Us Air Force Immersion thermocouple for atmospheric and vacuum environments
US3791209A (en) * 1971-11-11 1974-02-12 W Norburn High temperature recording lance
GB1370465A (en) * 1972-04-27 1974-10-16 British Iron Steel Research Temperature measurement
US4018624A (en) * 1973-08-22 1977-04-19 Engelhard Minerals & Chemicals Corporation Thermocouple structure and method of manufacturing same
JPS51136186A (en) * 1975-05-21 1976-11-25 Hitachi Ltd Automatic wire processing device
JPS5376975U (ja) * 1976-11-30 1978-06-27
US4238957A (en) * 1977-07-04 1980-12-16 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Pyrometric sheath and process
US4167403A (en) * 1977-11-07 1979-09-11 Nitto Boseki Co., Ltd. Apparatus and method for maintaining calibration of a thermocouple used in a bushing for the drawing of glass fiber
DE2825648A1 (de) * 1978-06-12 1979-12-13 Jagenberg Werke Ag Senk- und schwenkschienenanordnung fuer eine faltschachtelpackmaschine
US4290306A (en) * 1979-03-05 1981-09-22 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Method and apparatus for probing into a refining furnace or the like for temperature measurement for sampling, or for both
JPH0244186Y2 (ja) * 1980-11-07 1990-11-22
US4358630A (en) * 1981-01-02 1982-11-09 Falk Richard A Replacement cap for repeating use thermocouple
US4396792A (en) * 1981-04-17 1983-08-02 Falk Richard A Reusable thermocouple assembly
JPS61246636A (ja) * 1985-04-25 1986-11-01 Japan Metals & Chem Co Ltd 溶鋼連続測温用保護管
US4721534A (en) * 1985-09-12 1988-01-26 System Planning Corporation Immersion pyrometer
JPS62189629A (ja) * 1986-02-14 1987-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダビング装置
US4863283A (en) * 1986-04-24 1989-09-05 Falk Richard A Thermocouple connector
GB2196430A (en) * 1986-09-22 1988-04-27 Electro Nite Probe for measuring in molten metal
JPH0823502B2 (ja) * 1986-11-18 1996-03-06 株式会社明電舎 位置検出装置
JPH0812076B2 (ja) * 1986-11-19 1996-02-07 株式会社日立製作所 変調式光フアイバジヤイロ
JP2556499B2 (ja) * 1987-01-28 1996-11-20 バブコツク日立株式会社 流動層式ごみ焼却炉の制御装置
JP2596789B2 (ja) * 1988-05-16 1997-04-02 新日本製鐵株式会社 保護管式測温計
JPH0629789B2 (ja) * 1988-05-16 1994-04-20 新日本製鐵株式会社 熱電対保護管
JP2572630B2 (ja) * 1988-05-16 1997-01-16 新日本製鐵株式会社 熱電対保護管ならびにその製造法
JP2613086B2 (ja) * 1988-05-16 1997-05-21 新日本製鐵株式会社 熱電対保護管およびその製造法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51136186U (ja) * 1975-04-24 1976-11-02
JPS5347883A (en) * 1976-10-13 1978-04-28 Toshiba Corp Temperature detector
JPS57101730A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Sumitomo Alum Smelt Co Ltd Protecting tube for measuring temperature of fused salt bath
JPS63187018U (ja) * 1987-05-25 1988-11-30

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0454846A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007057528A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Heraeus Electro-Nite Internatl Nv 溶融金属の温度測定装置
US8033717B2 (en) 2005-08-24 2011-10-11 Heraeus Electro-Nite International N.V. Device for measuring temperature in molten metals
CN109752108A (zh) * 2019-02-14 2019-05-14 安徽天康(集团)股份有限公司 一种可更换高寿命热电偶

Also Published As

Publication number Publication date
AU622743B2 (en) 1992-04-16
EP0454846A1 (en) 1991-11-06
AU4637989A (en) 1991-06-13
EP0454846B1 (en) 1996-09-11
DE68927182T2 (de) 1997-01-30
EP0454846A4 (en) 1993-05-12
US5181779A (en) 1993-01-26
DE68927182D1 (de) 1996-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1991007643A1 (en) Thermocouple-type temperature sensor and method of measuring temperature of molten steel
US5360269A (en) Immersion-type temperature measuring apparatus using thermocouple
EP0818671A2 (en) A ceramic sheath type thermocouple
JPH06317480A (ja) 熱電対組立体
JPH0648217B2 (ja) 溶融金属の連続測温装置
JPH0333212B2 (ja)
US5232286A (en) Long lasting thermocouple for high temperature measurements of liquid metals, mattes and slags
JPH01299423A (ja) 保護管式連続測温計
JP3306426B2 (ja) 金属溶湯測温用熱電対
GB2054139A (en) Apparatus for picking up a molten metal sample and measuring its cooling curve
US4102708A (en) Self-healing thermocouple
JP2000035364A (ja) 溶融金属連続測温装置
JP3603557B2 (ja) 金属溶湯測温用セラミック熱電対
US20030011112A1 (en) Refractory nozzle
JP3550915B2 (ja) 高温測温用セラミック熱電対
JP3627317B2 (ja) 熱電対の構造
CA2102969C (en) Immersion-type temperature measuring apparatus using thermocouple
JP2881434B2 (ja) 保護管式連続測温計の熱電対劣化防止方法
JP2001183239A (ja) 連続測温装置
JP2001215156A (ja) 接触式温度測定装置
JP2000088668A (ja) 熱電対
JP3533944B2 (ja) 破壊検知機能付き熱電対用保護管の構造
JPH0339701Y2 (ja)
JP3014093U (ja) 熱電対と保護管が一体となった測温センサー
JP3641759B2 (ja) 熱電対と保護管が一体となった測温センサーの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AU US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE FR GB IT

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1989913072

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1989913072

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1989913072

Country of ref document: EP