TWI837319B - 膠質氧化矽及其製造方法 - Google Patents

膠質氧化矽及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI837319B
TWI837319B TW109107191A TW109107191A TWI837319B TW I837319 B TWI837319 B TW I837319B TW 109107191 A TW109107191 A TW 109107191A TW 109107191 A TW109107191 A TW 109107191A TW I837319 B TWI837319 B TW I837319B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
silicon oxide
alkoxysilane
particles
colloidal
colloidal silica
Prior art date
Application number
TW109107191A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202043150A (zh
Inventor
根岸佑馬
大槻英希
山下宏明
千葉年輝
Original Assignee
日商扶桑化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商扶桑化學工業股份有限公司 filed Critical 日商扶桑化學工業股份有限公司
Publication of TW202043150A publication Critical patent/TW202043150A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI837319B publication Critical patent/TWI837319B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
    • C01B33/145—Preparation of hydroorganosols, organosols or dispersions in an organic medium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
    • C01B33/141—Preparation of hydrosols or aqueous dispersions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10—Solid density

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本發明之目的係提供一種真比重適當且聚集比(association ratio)高、以高純度含有烷氧基含量高的氧化矽粒子之膠質氧化矽、及可輕易地製造該膠質氧化矽且可減低製造成本之製造方法。 本發明係關於一種膠質氧化矽，其係膠質氧化矽，其特徵在於，前述膠質氧化矽所含之氧化矽粒子，平均一次粒徑為33nm以上，聚集比為1.2以上，真比重為1.95以上，在每1g的氧化矽粒子中含有1000質量ppm以上的烷氧基，圓當量直徑(equivalent circle diameter)小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%，在每1g的氧化矽粒子中含有5μmol以上的一級胺。

Description

膠質氧化矽及其製造方法
本發明係關於膠質氧化矽及其製造方法，尤其係關於含有平均一次粒徑為33nm以上且聚集比(association ratio)為1.2以上且真比重為1.95以上的包含烷氧基的氧化矽粒子之膠質氧化矽及其製造方法。
膠質氧化矽係使氧化矽微粒子分散在水等介質中者，除了在紙、纖維、鋼鐵等領域中被使用作為物性改良劑以外，亦被使用作為半導體晶圓等電子材料的研磨劑。對於在此種用途所使用之膠質氧化矽中分散的氧化矽粒子，要求高真比重及高聚集。
作為能因應上述要求的膠質氧化矽的製造方法，例如，已揭示一種將水解烷氧基矽烷而得之水解液添加至包含鹼觸媒等的母液之製造方法(例如，參照專利文獻1)。
然而，根據專利文獻1所記載之製造方法，在製備暫時水解烷氧基矽烷而得之水解液後，將該水解液添加至母液，可形成真比重高且緻密的粒子，但有所謂因真比重過高而在為被研磨物之基板等的表面上的缺陷(例如刮痕)增加之問題。又，因製造步驟變成長時間及多階段，故有所謂繁雜、成本變高的問題。
另外，已揭示一種將未水解的烷氧基矽烷添加至母液而製造膠質氧化矽的製造方法(例如，參照專利文獻2)。
然而，在專利文獻2中，未記載獲得聚集比高、且真比重高的氧化矽粒子的製法，且藉由專利文獻2所記載之製造方法而得之膠質氧化矽難以獲得高研磨性，針對研磨性的再提升仍有探討的餘地。
因此，正期望開發研磨性優異的膠質氧化矽，且正期望開發可輕易地製造該膠質氧化矽、可減低製造成本的製造方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2010/035613號 [專利文獻2]日本特開2016-008157號公報
[發明欲解決之課題]
本發明之目的在於提供一種含有包含烷氧基且具有適當真比重的氧化矽粒子之膠質氧化矽、及可輕易地製造該膠質氧化矽且可減低製造成本之製造方法。 [用以解決課題之手段]
本發明人為了達成上述目的而專心致志地反覆研究的結果，發現根據含有平均一次粒徑為33nm以上、聚集比為1.2以上、真比重為1.95以上、在每1g的氧化矽粒子中含有1000質量ppm以上的烷氧基、圓當量直徑(equivalent circle diameter)小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%、在每1g的氧化矽粒子中含有5μmol以上的一級胺之氧化矽粒子的膠質氧化矽，可達成上述目的，進而完成本發明。
具代表性的本發明係如同以下所述。 項1. 一種膠質氧化矽，其係膠質氧化矽，其特徵在於， 前述膠質氧化矽所含之氧化矽粒子， 平均一次粒徑為33nm以上， 聚集比為1.2以上， 真比重為1.95以上， 在每1g的氧化矽粒子中含有1000質量ppm以上的烷氧基， 圓當量直徑小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%， 在每1g的氧化矽粒子中含有5μmol以上的一級胺。 項2. 如項1所記載之膠質氧化矽，其中，前述氧化矽粒子的真比重為1.95以上且2.20以下。 項3. 如項1或2所記載之膠質氧化矽，其中，在前述氧化矽粒子的表面具有由下述通式(1)所示之有機官能基， -(CH2 )n -R3 (1) (式(1)中，n表示0以上的任意整數，R3 表示任意的官能基)。 項4. 如項1至3中任一項所記載之膠質氧化矽，其中，在前述氧化矽粒子的表面具有陽離子性有機官能基。 項5. 如項4所記載之膠質氧化矽，其中，在前述氧化矽粒子的表面具有胺基。 項6. 如項1至3中任一項所記載之膠質氧化矽，其中，在前述氧化矽粒子的表面具有陰離子性有機官能基。 項7. 如項6所記載之膠質氧化矽，其中，在前述氧化矽粒子的表面具有磺酸基。 項8. 一種膠質氧化矽的製造方法，其依序具有以下步驟， (1)製備包含鹼觸媒及水的母液之步驟1； (2)將烷氧基矽烷添加至前述母液而製備混合液之步驟2； (3)在前述混合液中添加鹼觸媒，製備種粒子分散液之步驟3；及 (4)在前述種粒子分散液中，添加水及有機溶劑，接著添加烷氧基矽烷之步驟4， 前述鹼觸媒為一級胺。 項9. 如項8所記載之製造方法，其中，在前述步驟3及步驟4之間具有(3.5)在由步驟3所得之種粒子分散液中添加水，接著添加烷氧基矽烷而製備種粒子分散液之步驟3.5。 [發明之效果]
本發明的膠質氧化矽所含之氧化矽粒子，因平均一次粒徑為33nm以上，聚集比高，真比重適當，烷氧基量高，圓當量直徑小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%，包含一級胺，故在被使用作為研磨劑之際，可顯示高研磨速度、低缺陷性。又，本發明的膠質氧化矽的製造方法可輕易地製造該膠質氧化矽，且可減低製造成本。
[用以實施發明的形態]
以下，針對本發明的膠質氧化矽及其製造方法進行詳細地說明。
本發明的膠質氧化矽，關於氧化矽粒子，因平均一次粒徑為33nm以上，聚集比為1.2以上，真比重為1.95以上，圓當量直徑小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%，故研磨性優異。又，本發明的膠質氧化矽因氧化矽粒子的烷氧基量高，故可減低為被研磨物之基板等的表面的缺陷(例如刮痕)。又，本發明的膠質氧化矽可含有經異形化的氧化矽粒子。
又，本發明的製造方法，因在步驟1中製備包含鹼觸媒及水的母液，在步驟2中在該母液中添加烷氧基矽烷而製備混合液，故不需要將烷氧基矽烷進行水解而暫時製備矽酸水溶液並將該液添加至母液。因此，可輕易地製造一種含有氧化矽粒子的膠質氧化矽，該氧化矽粒子的聚集比高，真比重適當，烷氧基含量高，包含一級胺，圓當量直徑小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%。又，本發明的製造方法因步驟少故減低製造成本。又，本發明的製造方法，因在步驟1所製備之包含鹼觸媒及水的母液中，在步驟2中添加烷氧基矽烷，接著，在步驟3中進一步添加鹼觸媒而製備種粒子，故種粒子容易被異形化，因在步驟4中使該種粒子成長，故可輕易地製造以高純度含有平均一次粒徑為33nm以上且聚集比為1.2以上、真比重為1.95以上、在每1g的氧化矽粒子中含有1000質量ppm以上的烷氧基、圓當量直徑小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%、在每1g的氧化矽粒子中含有5μmol以上的一級胺的氧化矽粒子且研磨性優異的膠質氧化矽。
1.膠質氧化矽 本發明的膠質氧化矽的特徵在於包含氧化矽粒子，該氧化矽粒子的平均一次粒徑為33nm以上，聚集比為1.2以上，真比重為1.95以上，在每1g的氧化矽粒子中含有1000質量ppm以上的烷氧基，圓當量直徑小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%，在每1g的氧化矽粒子中含有5μmol以上的一級胺。
膠質氧化矽中的氧化矽粒子的平均一次粒徑，較佳為33nm以上，更佳為38nm以上。若氧化矽粒子的平均一次粒徑的下限為上述範圍，則本發明的膠質氧化矽的研磨性更加提升。又，氧化矽粒子的平均一次粒徑，較佳為200nm以下，更佳為100nm以下。若氧化矽粒子的平均一次粒徑的上限為上述範圍，則更加減低被研磨物的損傷的產生。
本說明書中，上述膠質氧化矽中的氧化矽粒子的平均一次粒徑可藉由以下的測定方法而測定。亦即，將膠質氧化矽在熱板上進行預先乾燥後，以800℃熱處理1小時，製備測定用樣本。使用所製備之測定用樣本，測定BET比表面積。將氧化矽的真比重設為2.2，換算2727/BET比表面積(m2 /g)的値，作為膠質氧化矽中的氧化矽粒子的平均一次粒徑(nm)。
膠質氧化矽中的氧化矽粒子的平均二次粒徑，較佳為40nm以上，更佳為50nm以上，再佳為60nm以上。若氧化矽粒子的平均二次粒徑的下限為上述範圍，則本發明的膠質氧化矽的研磨性更加提升。又，氧化矽粒子的平均二次粒徑，較佳為400nm以下，更佳為300nm以下。藉由氧化矽粒子的平均二次粒徑的上限為上述範圍，更加減低被研磨物的損傷的產生。
本說明書中，上述膠質氧化矽中的氧化矽粒子的平均二次粒徑可藉由以下的測定方法而進行測定。亦即，作為動態光散射法的測定用樣本，製備將膠質氧化矽添加至0.3重量%檸檬酸水溶液並均勻化者。使用該測定用樣本，藉由動態光散射法(大塚電子股份有限公司製「ELSZ-2000S」)測定二次粒徑。
膠質氧化矽中的氧化矽粒子的聚集比，較佳為1.2以上，更佳為1.4以上，再佳為1.5以上，特佳為1.8以上。若氧化矽粒子的聚集比的下限為上述範圍，則本發明的膠質氧化矽的研磨性更加提升。又，氧化矽粒子的聚集比，較佳為5.5以下，更佳為5.0以下。若氧化矽粒子的聚集比的上限為上述範圍，則更加減低被研磨物的損傷的產生。
本說明書中，上述膠質氧化矽中的氧化矽粒子的聚集比係藉由算出膠質氧化矽中的氧化矽粒子的平均二次粒徑/平均一次粒徑而得之値。
氧化矽粒子含有的烷氧基的量，在每1g的氧化矽粒子中較佳為1000質量ppm以上，更佳為2500質量ppm以上，再佳為4000質量ppm以上。若烷氧基量的下限為上述範圍，則更加減低被研磨物的損傷的產生。又，氧化矽粒子含有的烷氧基量，較佳為15000質量ppm以下，更佳為12000質量ppm以下，再佳為10000質量ppm以下。若烷氧基量的上限為上述範圍，則本發明的膠質氧化矽的研磨性更加提升。
此外，上述烷氧基量可藉由以下方法進行測定。亦即，將膠質氧化矽以215000G、90分鐘的條件進行離心分離後，廢棄上澄清液，使固體成分以60℃、90分鐘的條件進行真空乾燥。秤量所得之氧化矽乾固物0.5g，置入1M氫氧化鈉水溶液50mL，一邊使其攪拌一邊以50℃加熱24小時，藉此使氧化矽溶解。將前述氧化矽溶解液藉由氣相層析法進行分析，求取醇含量，作為烷氧基量。氣相層析法的偵檢器係使用氫焰游離化偵檢器(FID)。氣相層析法分析係遵循JIS K0114而進行。
本發明的膠質氧化矽中之圓當量直徑為小於20nm的氧化矽粒子數之比例，較佳為全部氧化矽粒子數的小於15%，更佳為小於10%。若圓當量直徑小於20nm的氧化矽粒子數之比例的上限為上述範圍，則小粒子變少，本發明的膠質氧化矽的研磨性更加提升。
圓當量直徑為小於20nm的氧化矽粒子數之比例，可藉由以下的測定方法進行測定。亦即，將膠質氧化矽所含之一次粒子100個藉由掃描式電子顯微鏡(SEM；5萬倍)進行觀察，藉由影像分析而求取一次粒子的圓當量直徑為小於20nm的粒子的數量，將其相對於以SEM測定一次粒子的圓當量直徑的粒子的數量之個數比例以%表示。
本發明的膠質氧化矽所含之氧化矽粒子，較佳為含有一級胺。作為一級胺，並未被特別限定，較佳為由下述通式(2)所示之胺。
NH2 -R1 (2) (式中，R1 表示可被取代的碳數1～12的烷基)。
在上述通式(2)中，R1 表示可被取代的碳數1～12的烷基。該烷基可為直鏈狀、分支狀、環狀之任一者。 直鏈狀或分支狀的烷基的碳數可為1～12，較佳為1～8，更佳為1～6。作為直鏈狀的烷基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等。作為分支狀的烷基，可列舉異丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基、1,1-二甲基丁基、1,2-二甲基丁基、1,3-二甲基丁基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、1-甲基-1-乙基丙基、2-甲基-2-乙基丙基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-乙基己基、2-乙基己基、3-乙基己基、4-乙基己基、5-乙基己基等。較佳為直鏈狀或分支狀的烷基為n-丙基、n-己基、2-乙基己基、n-辛基等。 環狀的烷基的碳數，例如可為3～12，較佳為3～6。作為環狀的烷基，可列舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等。較佳為環狀的烷基為環己基。
上述通式(2)中的R1 中，烷基可被取代。作為取代基的數量，例如可為0個、1個、2個、3個、4個等，較佳為0個、1個或2個，更佳為0個或1個。此外，所謂取代基的數為0個的烷基，係指未被取代的烷基。作為取代基，可列舉例如碳數1～3的烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基)等。惟，作為取代基，排除羥基、未被取代的胺基。在具有複數的取代基的烷基中，取代基可相同亦可不同。
在一實施形態中，上述通式(2)中的R1 係可被取代的碳數1～8(較佳為碳數1～6)的直鏈狀或分支狀的烷基。又，在另一實施形態中，該R1 係可被碳數1～3的烷氧基取代的碳數1～8(較佳為碳數1～6)的直鏈狀或分支狀的烷基。
在一實施形態中，一級胺係選自包含3-乙氧基丙基胺、戊基胺、己基胺、及環己基胺之群組的至少一種胺。此等之中，由容易將氧化矽粒子進行異形化的觀點而言，較佳為3-乙氧基丙基胺。
一級胺可為單獨亦可被混合二種以上。
一級胺的氧化矽粒子中之含量，在每1g的氧化矽粒子中，較佳為5μmol以上，更佳為10μmol，再佳為20μmol以上。若一級胺的含量的下限為上述範圍，則變得容易控制粒徑。又，一級胺的氧化矽粒子中之含量，在每1g的氧化矽粒子中，較佳為100μmol以下，更佳為90μmol以下。藉由一級胺的含量的上限為上述範圍，而氧化矽粒子容易異形化。
此外，一級胺的含量可藉由以下方法而測定。亦即，將膠質氧化矽以215000G、90分鐘的條件進行離心分離後，廢棄上澄清液，使固體成分以60℃、90分鐘的條件進行真空乾燥。秤量所得之氧化矽乾固物0.5g，置入1M氫氧化鈉水溶液50ml，一邊使其攪拌一邊以50℃加熱24小時，藉此使氧化矽溶解。將氧化矽溶解液藉由離子層析法進行分析，求取胺量。離子層析法分析係遵循JIS K0127而進行。
一級胺的沸點較佳為85℃以上，更佳為90℃以上。若沸點為上述範圍，則反應溫度更高，抑制在反應中途的氣化。又，上述沸點，較佳為500℃以下，更佳為300℃以下。
本發明的膠質氧化矽所含之氧化矽粒子，其真比重較佳為1.95以上，更佳為2.00以上。若真比重的下限為上述範圍，則本發明的膠質氧化矽的研磨性更加提升。又，真比重較佳為2.20以下，更佳為2.16以下。若真比重的上限為上述範圍，則更加減低被研磨物的損傷的產生。此外，真比重可在將試料在150℃的熱板上進行乾固後，在300℃爐內保持1小時後，藉由以使用乙醇的液相取代法進行測定的測定方法而進行測定。
膠質氧化矽中的氧化矽粒子的矽烷醇基密度，較佳為1.9個/nm2 以上，更佳為2.0個/nm2 以上，再佳為2.1個/nm2 以上。若矽烷醇基密度的下限為上述範圍，則更加減低被研磨物的損傷的產生。又，矽烷醇基密度較佳為5.0個/nm2 以下，更佳為4.5個/nm2 以下，再佳為3.4個/nm2 以下。若矽烷醇基密度的上限為上述範圍，則本發明的膠質氧化矽的研磨性更加提升。此外，膠質氧化矽中的氧化矽粒子的矽烷醇基密度可藉由西耳斯法(Sears method)而求取。西耳斯法係參照G.W.Sears,Jr.,“Determination of Specific Surface Area of Colloidal Silica by Titration with Sodium Hydroxide”,Analytical Chemistry,28(12),1981(1956).的記載而實施。在測定中，使用1wt%氧化矽分散液，以0.1mol/L的氫氧化鈉水溶液進行滴定，基於下述式，算出矽烷醇基密度。 ρ=(a×f×6022)÷(c×S) 上述式中，ρ：矽烷醇基密度(個/nm2 )，a：pH4~9的0.1mol/L氫氧化鈉水溶液的滴下量(mL)，f：0.1mol/L氫氧化鈉水溶液的因子，c：氧化矽粒子的質量(g)，S：BET比表面積(m2 /g)。
本發明的膠質氧化矽，除了在例如紙、纖維、鋼鐵等領域中可使用作為物性改良劑以外，亦可使用作為半導體晶圓等電子材料的研磨劑。又，藉由使其乾燥而做成粉末，而可使用作為填料用添加劑、調色劑(toner)外部添加劑等。
膠質氧化矽中的氧化矽粒子，較佳為在表面具有由下述通式(1)所示之有機官能基， -(CH2 )n -R3 (1)。藉由具有由上述通式(1)所示之有機官能基，更加抑制膠質氧化矽的凝聚。又，藉由具有由上述通式(1)所示之有機官能基，例如，作為研磨劑而利用與研磨對象物的靜電引力/斥力而調整研磨性能；作為填料而在添加至聚合物樹脂內之際使分散性提升等，可調整與其他物質的相互作用。
上述通式(1)中，n表示0以上的任意整數。n較佳為1以上的整數。又，n較佳為20以下的整數，更佳為12以下的整數，再佳為6以下的整數，特佳為4以下的整數。
上述通式(1)中，R3 表示任意的官能基。作為R3 ，只要為官能基則未被特別限定，可列舉陽離子、陰離子、極性、非極性等的官能基。本發明的膠質氧化矽，較佳為在氧化矽粒子的表面具有陽離子性有機官能基、陰離子性有機官能基、極性有機官能基、非極性有機官能基等，更佳為具有陽離子性有機官能基、陰離子性有機官能基。
作為陽離子性有機官能基，並未被特別限定，可列舉胺基等。
作為陰離子性有機官能基，並未被特別限定，可列舉磺酸基、羧基等。此等之中，較佳為磺酸基。
作為極性有機官能基或非極性有機官能基，並未被特別限定，可列舉甲基、乙基、丙基、己基、癸基、十二基、十八基、乙烯基、環氧基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基等。
此外，可藉由下述XPS測定及ζ電位測定而確認在膠質氧化矽中的氧化矽粒子的表面已被賦予由上述通式(1)所示之有機官能基。
(XPS測定) 將膠質氧化矽以5℃、77,000G離心分離90分鐘。使所得之沉澱物以60℃乾燥12小時後，使用乳鉢與乳棒磨碎，以60℃減壓乾燥2小時，製備乾燥粉末。
將所製備之乾燥粉藉由XPS進行測定，確認源自粒子表面的有機官能基之峰。
(ζ電位測定) ζ電位可藉由使用電泳光散射法、膠體振動電流法、電聲法、超音波衰減法等測定原理的裝置而測定。
2.膠質氧化矽的製造方法 本發明的膠質氧化矽的製造方法的特徵在於依序具有以下步驟： (1)製備包含鹼觸媒及水的母液之步驟1； (2)將烷氧基矽烷添加至該母液而製備混合液之步驟2； (3)在該混合液中添加鹼觸媒，製備種粒子分散液之步驟3；及 (4)在前述種粒子分散液中，添加水及有機溶劑，接著添加烷氧基矽烷之步驟4， 前述鹼觸媒為一級胺。
(步驟1) 步驟1係製備包含鹼觸媒及水的母液之步驟。
鹼觸媒可為一級胺。作為該胺，只要使用上述膠質氧化矽中所說明的胺即可。
母液中的胺的含量較佳為0.30mmol/kg以上，更佳為0.50mmol/kg以上。若胺的含量的下限為上述範圍，則變得容易控制粒徑。又，母液中的胺的含量，較佳為20.0mmol/kg以下，更佳為15.0mmol/kg以下。藉由胺的含量的上限為上述範圍，氧化矽粒子容易異形化。
作為製備母液的方法，並未被特別限定，只要在水中藉由以往公知的方法添加鹼觸媒並進行攪拌即可。
母液的pH並未被特別限定，較佳為9.5以上，更佳為10.0以上。若母液的pH的下限為上述範圍，則變得容易控制粒徑。又，母液的pH較佳為12.0以下，更佳為11.5以下。若母液的pH的上限為上述範圍，則氧化矽粒子容易異形化。
(步驟2) 步驟2係將烷氧基矽烷添加至上述母液而製備混合液之步驟。
作為烷氧基矽烷，並未被特別限定，可列舉由下述通式(3)所示之烷氧基矽烷， Si(OR2 )4 (3) (式中，R2 表示烷基)。
在上述通式(3)中，R2 表示烷基。R2 只要為烷基則未被特別限定，較佳為碳數1～8的低級烷基，更佳為碳數1～4的低級烷基。作為上述烷基，具體而言，可例示甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基等。作為由上述通式(3)所示之烷氧基矽烷，較佳為R2 為甲基的四甲氧基矽烷(四甲基正矽酸鹽)、R2 為乙基的乙氧基矽烷(四乙基正矽酸鹽)、R2 為異丙基的四異丙氧基矽烷，更佳為R2 為甲基的四甲氧基矽烷、R2 為乙基的四乙氧基矽烷，再佳為四甲氧基矽烷。
烷氧基矽烷可單獨使用亦可混合二種以上使用。又，烷氧基矽烷可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。
步驟2中之烷氧基矽烷的添加量並未被特別限定，步驟2中之烷氧基矽烷的添加量s2(mol)與母液中的鹼觸媒的量c1(mol)之莫耳比(s2/c1)，較佳為10以上，更佳為100以上，再佳為150以上。藉由s2/c1的下限為上述範圍，種粒子變得更加容易異形化。又，s2/c1較佳為8500以下，更佳為8000以下。若s2/c1的上限為上述範圍，則在反應中難以凝膠化。
烷氧基矽烷的添加所需時間，較佳為5分鐘以上，更佳為10分鐘以上。若添加時間的下限為上述範圍，則在反應中難以凝膠化。又，烷氧基矽烷的添加所需時間，較佳為1000分鐘以下，更佳為600分鐘以下。若添加時間的上限為上述範圍，則生產性提升，可抑制製造成本。
混合液的pH，較佳為8.5以下，更佳為8.0以下。若混合液的pH的上限為上述範圍，則種粒子變得更加容易異形化。又，混合液的pH，較佳為4.5以上，更佳為4.9以上。若混合液的pH的下限為上述範圍，則難以凝膠化。
步驟2中之混合液的溫度，較佳為70℃以上，更佳為75℃以上。若混合液的溫度的下限為上述範圍，則在反應時難以凝膠化。又，混合液的溫度較佳為95℃以下，更佳為90℃以下。若混合液的溫度的上限為上述範圍，則容易抑制烷氧基矽烷的氣化。
(步驟3) 步驟3係在混合液中添加鹼觸媒而製備種粒子分散液之步驟。
從烷氧基矽烷的添加結束起至步驟3的鹼觸媒添加開始為止的時間(以下，表示為「熟成時間」)較佳為0分鐘以上且1500分鐘以下。可依據熟成時間的調整而控制異形度，若熟成時間為上述範圍，則可確保生產性且獲得所期望的聚集比的粒子。
熟成中的混合液的溫度，較佳為70℃以上，更佳為75℃以上。若該溫度的下限為上述範圍，則容易控制粒徑。又，該溫度較佳為95℃以下，更佳為90℃以下。若該溫度的上限為上述範圍，則難以凝膠化。
鹼觸媒為一級胺，且可被取代。作為該胺，只要使用在上述膠質氧化矽中所說明的胺即可。又，在步驟3中所使用的鹼觸媒，可使用與在步驟1中所使用的鹼觸媒相同者，亦可使用不同者。
步驟3中之鹼觸媒的添加量並未被特別限制，上述步驟2中之烷氧基矽烷的添加量s2(mol)、與步驟3中之鹼觸媒的添加量c3(mol)之莫耳比(s2/c3)，較佳為500以下，更佳為400以下，再佳為300以下。藉由s2/c3的上限為上述範圍，變得更加容易控制氧化矽粒子的一次粒徑。又，s2/c3，較佳為30以上，更佳為35以上。藉由s2/c3的下限為上述範圍，更加抑制凝膠化。又，鹼觸媒可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。
又，在步驟3中，鹼觸媒可在利用水等溶劑進行稀釋後，作為稀釋液而被添加。
種粒子分散液的pH，較佳為8.0以上，更佳為8.5以上。若種粒子分散液的pH的下限為上述範圍，則難以凝膠化。又，種粒子分散液的pH，較佳為12.0以下，更佳為11.0以下。若種粒子分散液的pH的上限為上述範圍，則氧化矽難以溶解。
步驟3中之鹼觸媒添加時的種粒子分散液的溫度，並未被特別限制。該溫度，較佳為70℃以上，更佳為75℃以上。若該溫度的下限為上述範圍，則容易控制粒徑。又，該溫度較佳為95℃以下，更佳為90℃以下。若該溫度的上限為上述範圍，則難以凝膠化。
(步驟4) 步驟4係在種粒子分散液中添加水及有機溶劑，接著添加烷氧基矽烷之步驟。在步驟4中，可進一步任意地添加鹼觸媒。
種粒子分散液可為由上述步驟3所得者，亦可為由後述的步驟3.5所得者。
步驟4中之水的添加量，將種粒子分散液中的種粒子的量設為1質量份，較佳為10質量份以上，更佳為15質量份以上。若水的添加量的下限為上述範圍，則抑制新的核粒子的生成，其結果，促進種粒子的成長，氧化矽粒子的平均二次粒徑變得更大。又，水的添加量，將種粒子分散液中的種粒子的量設為1質量份，較佳為250質量份以下，更佳為220質量份以下。若水的添加量的上限為上述範圍，則種粒子變得更加容易成長。又，水可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。
作為步驟4中之有機溶劑，可使用例如親水性的有機溶劑，具體而言，可例示甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇等醇類、丙酮、甲基乙基酮等酮類、乙酸乙酯等酯類。有機溶劑可單獨使用，亦可混合二種以上而使用。又，有機溶劑可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。 尤其，在本發明中，較佳為使用醇類，更佳為使用甲醇、乙醇、異丙醇，再佳為使用甲醇、乙醇，特佳為甲醇。醇類係因為在後述的水取代之際，藉由加熱蒸餾會輕易地與水進行取代。 再者，作為有機溶劑，更佳為使用與藉由烷氧基矽烷的水解而產生的醇為相同的醇。例如，在使用四甲基正矽酸鹽作為烷氧基矽烷之情形中，因藉由該矽酸鹽的水解而在反應系統中產生甲醇，故使用該甲醇作為有機溶劑。藉由如此般進行，可輕易地進行溶劑的回收、再利用。
步驟4中之有機溶劑的添加量，將種粒子分散液中的種粒子量設為1質量份，較佳為0.3質量份以上，更佳為0.5質量份以上。若有機溶劑的添加量的下限為上述範圍，則抑制新的核粒子的生成，其結果，促進種粒子的成長，氧化矽粒子的平均一次粒徑變得更大。又，有機溶劑的添加量，將種粒子分散液中的種粒子量設為1質量份，較佳為55.0質量份以下，更佳為50.0質量份以下。若有機溶劑的添加量的上限為上述範圍，則可抑制真比重的降低。
作為步驟4中之烷氧基矽烷，除了在上述步驟2中所說明之為不具有有機官能基的四烷氧基矽烷之由上述通式(3)所示之烷氧基矽烷以外，更可使用具有有機官能基的烷氧基矽烷
作為上述具有有機官能基的烷氧基矽烷，可列舉由下述通式(4)、下述通式(5)所示之烷氧基矽烷。 (OR2 )3 Si[(CH2 )n -R3 ]   (4) (OR2 )2 Si[(CH2 )n -R3 ][(CH2 )n -R4 ]   (5)
上述通式(4)及(5)中，R2 係與上述通式(3)的R2 同樣定義的基，R3 及R4 係相同或不同且與上述通式(1)的R3 同樣定義的基，n係與上述通式(1)的n同樣定義的整數。
作為由上述通式(4)或(5)所示之烷氧基矽烷，具體而言，可列舉甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苄基三乙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、二乙氧基甲基苯基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-三甲氧基矽基丙基-N,N,N-三甲基銨氯化、3-巰丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基甲基二甲氧基矽烷、3-磺酸丙基三甲氧基矽烷、3-乙二醇氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等在分子中具有一種或二種以上的有機官能基的烷氧基矽烷類；三甲基氯矽烷、二乙基二氯矽烷等氯矽烷類等。
在步驟4中，烷氧基矽烷可單獨使用亦可混合二種以上使用。相對於由上述通式(3)所示之烷氧基矽烷的添加量，具有有機官能基的烷氧基矽烷的添加量較佳為0.0004～0.03莫耳倍，更佳為0.001～0.03莫耳倍。若由上述通式(3)所示之烷氧基矽烷的添加量之比例過少，則被導入粒子內部的有機官能基變少，有無法賦予所期望的特性之虞。若具有有機官能基的烷氧基矽烷的添加量之比例過多，則有二次粒徑的增大、凝聚物的生成、產生凝膠化之虞。
又，在步驟4添加烷氧基矽烷之際，可將烷氧基矽烷先以有機溶劑進行稀釋後再添加。作為步驟4中之有機溶劑，使用例如親水性的有機溶劑，具體而言，可例示甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇等醇類、丙酮、甲基乙基酮等酮類、乙酸乙酯等酯類。有機溶劑可單獨使用，亦可混合二種以上而使用。尤其，在本發明中，由工業上容易取得的觀點而言，較佳為使用醇類，更佳為甲醇、乙醇，再佳為甲醇。醇類是因為在水取代之際，藉由加熱蒸餾會輕易地與水進行。再者，作為有機溶劑，更佳為使用與藉由矽酸烷基的水解而產生的醇為相同的醇。例如，在使用四甲基正矽酸鹽作為烷氧基矽烷之情形中，因藉由該矽酸鹽的水解而在反應系統中產生甲醇，故使用該甲醇作為有機溶劑。藉由如此般進行，可輕易地進行溶劑的回收、再利用。
步驟4中之有機溶劑的添加量，相對於烷氧基矽烷添加量的總量，較佳為0～3倍的質量，更佳為0～1.5倍的質量。若有機溶劑的添加量為上述範圍，則可抑制真比重的降低。
步驟4中之上述通式(3)的烷氧基矽烷的添加量未被特別限制，步驟4中之上述通式(3)的烷氧基矽烷的添加量s4(mol)與種粒子分散液中的種粒子量sp4(mol)之莫耳比(s4/sp4)，較佳為3以上。若烷氧基矽烷的添加量的下限為上述範圍，則可效率更佳地獲得膠質氧化矽。又，s4/sp4較佳為30以下，更佳為26以下。若烷氧基矽烷的添加量的上限為上述範圍，則在反應中途難以生成新的核粒子，促進主粒子的成長。此外，上述莫耳比係將種粒子的分子量設為60.08g/mol而規定的値。
步驟4中之烷氧基矽烷的添加所需時間，較佳為5分鐘以上，更佳為10分鐘以上。若添加時間的下限為上述範圍，則在反應中難以凝膠化。又，烷氧基矽烷的添加所需時間，較佳為1000分鐘以下，更佳為600分鐘以下。若添加時間的上限為上述範圍，則生產性提升，可抑制製造成本。
步驟4中之烷氧基矽烷添加時的種粒子分散液的pH，較佳為12.0以下，更佳為11.5以下。若pH的上限為上述範圍，則氧化矽粒子難以溶解。又，烷氧基矽烷添加時的種粒子分散液的pH，較佳為7.0以上，更佳為7.5以上。若pH的下限為上述範圍，則難以凝膠化。又，為了將pH保持在上述範圍，亦可在烷氧基矽烷添加中添加鹼觸媒。
步驟4中之烷氧基矽烷添加時的種粒子分散液的溫度，較佳為70℃以上，更佳為75℃以上。若溫度的下限為上述範圍，則在反應時難以凝膠化。又，烷氧基矽烷添加時的種粒子分散液的溫度較佳為90℃以下，更佳為85℃以下。若溫度的上限為上述範圍，則烷氧基矽烷難以氣化。
在步驟4中，亦可添加鹼觸媒。藉由添加鹼觸媒，可將反應系統的pH調整成所期望的範圍。又，藉由添加鹼觸媒，而在反應中途難以生成新的核粒子，由促進主粒子的成長的觀點而言為有利。步驟4中之鹼觸媒為一級胺。作為該胺，只要使用上述膠質氧化矽中所說明的胺即可。又，在步驟4中使用的鹼觸媒，可為與在步驟1或3中使用的鹼觸媒為相同者，亦可為不同者。
步驟4中之鹼觸媒係以烷氧基矽烷添加時的種粒子分散液的pH較佳成為7.0～12.0、更佳成為7.5～11.5之方式添加。鹼觸媒可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。鹼觸媒的添加，通常在烷氧基矽烷的添加時及/或添加前進行，但只要烷氧基矽烷添加時的反應系統的pH為上述範圍，則亦可在烷氧基矽烷的添加後進行。又，在將鹼觸媒分成數次(例如2次、3次等)添加之情形，可在選自包含與烷氧基矽烷的添加同時、添加前及添加後之群組的2個以上的時期進行添加。
(步驟3.5) 本發明的膠質氧化矽的製造方法，係在上述步驟3之後、步驟4之前，更具有步驟3.5，其在由步驟3所得之種粒子分散液中添加水，接著添加烷氧基矽烷而製備種粒子分散液。在步驟3.5中，可任意地再添加鹼觸媒及/或有機溶劑。可將由步驟3.5所製備之種粒子分散液供至上述步驟4。藉由設置步驟3.5，可促進種粒子的成長而更增大一次粒徑。
步驟3.5中之水的添加量，將種粒子分散液中的種粒子的量設為1質量份，較佳為10質量份以上，更佳為15質量份以上。若水的添加量的下限為上述範圍，則抑制新的核粒子的生成，其結果，促進種粒子的成長，氧化矽粒子的平均二次粒徑變得更大。又，水的添加量，將種粒子分散液中的種粒子的量設為1質量份，較佳為250質量份以下，更佳為220質量份以下。若水的添加量的上限為上述範圍，則種粒子變得更容易成長。又，水可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。
在步驟3.5中，可在種粒子分散液中添加有機溶劑。有機溶劑較佳為在烷氧基矽烷添加前被添加至種粒子分散液。又，有機溶劑可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。 作為步驟3.5中之有機溶劑，只要使用在上述步驟4中所說明的有機溶劑即可。又，在步驟3.5中使用的有機溶劑，可使用與在步驟4中使用的有機溶劑為相同者，亦可為不同者。
步驟3.5中之有機溶劑的添加量，將種粒子分散液中的種粒子量設為1質量份，較佳為0.3質量份以上，更佳為0.5質量份以上。若有機溶劑的添加量的下限為上述範圍，則抑制新的核粒子的生成，其結果，促進種粒子的成長，氧化矽粒子的平均一次粒徑變得更大。又，有機溶劑的添加量，將種粒子分散液中的種粒子量設為1質量份，較佳為55.0質量份以下，更佳為50.0質量份以下。若有機溶劑的添加量的上限為上述範圍，則可抑制真比重的降低。
在步驟3.5中，烷氧基矽烷可單獨使用亦可混合二種以上使用。又，烷氧基矽烷可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。再者，在步驟3.5添加烷氧基矽烷之際，可將烷氧基矽烷先以有機溶劑進行稀釋後再添加。
作為步驟3.5中之烷氧基矽烷，只要使用在上述步驟4中所說明的烷氧基矽烷即可。又，在步驟3.5中使用的烷氧基矽烷，可為與在步驟2或4中使用的烷氧基矽烷為相同者，亦可為不同者。
步驟3.5中之烷氧基矽烷的添加量未被特別限制，步驟3.5中之烷氧基矽烷的添加量s3.5(mol)與種粒子分散液中的種粒子量sp3.5(mol)之莫耳比(s3.5/sp3.5)，較佳為3以上。若烷氧基矽烷的添加量的下限為上述範圍，則可效率更佳地獲得膠質氧化矽。又，s3.5/sp3.5較佳為30以下，更佳為26以下。若烷氧基矽烷的添加量的上限為上述範圍，則在反應中途難以生成新的核粒子，促進主粒子的成長。
步驟3.5中之烷氧基矽烷的添加所需時間，較佳為5分鐘以上，更佳為10分鐘以上。若添加時間的下限為上述範圍，則在反應中難以凝膠化。又，烷氧基矽烷的添加所需時間，較佳為1000分鐘以下，更佳為600分鐘以下。若添加時間的上限為上述範圍，則生產性提升，可抑制製造成本。
步驟3.5中之烷氧基矽烷添加時的種粒子分散液的pH，較佳為12.0以下，更佳為11.5以下。若pH的上限為上述範圍，則氧化矽粒子難以溶解。又，烷氧基矽烷添加時的種粒子分散液的pH，較佳為7.0以上，更佳為7.5以上。若pH的下限為上述範圍，則難以凝膠化。又，為了將pH保持在上述範圍，亦可在烷氧基矽烷添加中添加鹼觸媒。
步驟3.5中之烷氧基矽烷添加時的種粒子分散液的溫度，較佳為70℃以上，更佳為75℃以上。若種粒子分散液的溫度的下限為上述範圍，則難以凝膠化。又，種粒子分散液的溫度較佳為90℃以下，更佳為85℃以下。若種粒子分散液的溫度的上限為上述範圍，則烷氧基矽烷難以氣化。
在步驟3.5中，亦可在種粒子分散液中添加鹼觸媒。藉由添加鹼觸媒，可將反應系統的pH調整成所期望的範圍。又，藉由添加鹼觸媒，在反應中途難以生成新的核粒子，由促進主粒子的成長的觀點而言為有利。步驟3.5中之鹼觸媒為一級胺。作為該胺，只要使用在上述膠質氧化矽中所說明的胺即可。又，在步驟3.5中使用的鹼觸媒，可為與在步驟1、3或4中使用的鹼觸媒為相同者，亦可為不同者。
步驟3.5中之鹼觸媒可以烷氧基矽烷添加時的反應系統的pH較佳成為7.0～12.0、更佳成為7.5～11.5之方式添加。鹼觸媒可一次添加全部量，亦可分成數次(例如2次、3次等)添加。鹼觸媒的添加，通常在烷氧基矽烷的添加時及/或添加前進行，但只要烷氧基矽烷添加時的反應系統的pH為上述範圍，則亦可在烷氧基矽烷的添加後進行。又，在將鹼觸媒分成數次(例如2次、3次等)添加之情形，可在選自包含與烷氧基矽烷的添加同時、添加前及添加後之群組的2個以上的時期進行添加。
又，本發明的膠質氧化矽的製造方法，在上述步驟4後，可進一步具有濃縮膠質氧化矽之步驟。作為濃縮的方法，並未被特別限定，可藉由以往公知的方法進行濃縮。作為此種濃縮方法，可列舉例如以65～100℃左右的溫度進行加熱濃縮的方法，藉由超過濾進行濃縮的方法。
濃縮後的膠質氧化矽的氧化矽粒子的濃度並未被特別限定，較佳為將膠質氧化矽設為100質量%時為1～50質量%左右。
在本發明的膠質氧化矽的製造方法中，在步驟4或5所得之膠質氧化矽中，包含在反應時所副產的醇及在步驟3.5、4或5所添加之有機溶劑。因此，在步驟4或5、或上述的膠質氧化矽的濃縮步驟後可接著具有將有機溶劑進行系統外餾去之步驟。作為將有機溶劑進行系統外餾去的方法，並未被特別限定，可列舉例如，一邊加熱膠質氧化矽一邊滴下純水，將容量維持固定，藉此以純水取代分散媒的方法。又，作為其他方法，可例示在將膠質氧化矽藉由沉澱、分離、離心分離等而與溶劑分離後，使其再分散於水中的方法，由超過濾所致之取代成水的溶劑取代。
(步驟5) 本發明的膠質氧化矽具有由上述通式(1)所示之有機官能基之情形，本發明的膠質氧化矽的製造方法，在上述步驟4後，可進一步具有添加具有有機官能基的烷氧基矽烷之步驟5。 在步驟5中，作為具有有機官能基的烷氧基矽烷，可使用由上述通式(4)或(5)所示之具有有機官能基的烷氧基矽烷。
在步驟5中，有機官能基為陽離子性有機官能基之情形，作為具有陽離子性官能基的烷氧基矽烷，可列舉例如，胺基丙基三甲氧基矽烷、(胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、(胺基乙基)胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基二甲基乙氧基矽烷、胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、胺基丁基三乙氧基矽烷等。
有機官能基為陽離子性有機官能基之情形，步驟5中之具有有機官能基的烷氧基矽烷的添加量並未被特別限定，相對於具有有機官能基的烷氧基矽烷添加前的膠質氧化矽的固體成分1g，較佳為0.5～350μmol，更佳為5.5～170μmol。藉由具有有機官能基的烷氧基矽烷的添加量的下限為上述範圍，膠質氧化矽的改質的程度變得更加充分，可獲得能更長期間穩定分散的改質膠質氧化矽，又因在酸性的膠質氧化矽的正電荷變大，故可使與研磨對象物的靜電引力/斥力更加增大。藉由具有有機官能基的烷氧基矽烷的添加量的上限為上述範圍，更加抑制二次粒徑的增大、凝聚物的生成、凝膠化。
在步驟5中，有機官能基為陰離子性有機官能基尤其為磺酸基之情形，例如，作為具有有機官能基的烷氧基矽烷，較佳為具有可化學性變換成磺酸基的官能基之具有有機官能基的烷氧基矽烷。作為此種具有有機官能基的烷氧基矽烷，可列舉例如，1)具有可藉由水解而變換成磺酸基的磺酸酯基之具有有機官能基的烷氧基矽烷、2)具有可藉由氧化而變換成磺酸基的巰基及/或硫化物基之具有有機官能基的烷氧基矽烷。此外，膠質氧化矽表面的磺酸修飾因係在溶液中進行，故為了提高修飾效率，較佳為使用具有後者的巰基及/或硫化物基之具有有機官能基的烷氧基矽烷。
作為具有巰基之具有有機官能基的烷氧基矽烷，可列舉例如，3-巰丙基三甲氧基矽烷、2-巰丙基三乙氧基矽烷、2-巰乙基三甲氧基矽烷、2-巰乙基三乙氧基矽烷等。
作為具有硫化物基之具有有機官能基的烷氧基矽烷，可列舉例如，雙(3-三乙氧基矽基丙基)二硫化物。
有機官能基為陰離子性有機官能基尤其為磺酸基之情形，步驟5中之具有有機官能基的烷氧基矽烷的使用量並未被特別限定，相對於具有有機官能基的烷氧基矽烷添加後的膠質氧化矽的固體成分1g，較佳為0.5～350μmol，更佳為5.5～170μmol。藉由具有有機官能基的烷氧基矽烷的添加量的下限為上述範圍，酸性中之ζ電位更充分地穩定。藉由具有有機官能基的烷氧基矽烷的添加量的上限為上述範圍，更加抑制二次粒徑的增大、凝聚物的生成、凝膠化。
作為將已修飾氧化矽粒子表面的巰基及硫化物基進行氧化的方法，可列舉使用氧化劑的方法。例如，可列舉硝酸、過氧化氫、氧、臭氧、有機過酸(過羧酸)、溴、次亞氯酸鹽、過錳酸鉀、鉻酸等。在此等氧化劑之中，由比較容易操作處理且氧化產率亦良好之觀點而言，較佳為過氧化氫及有機過酸(過乙酸、過苯甲酸類)。此外，若考慮反應所副產的物質，則最佳為使用過氧化氫。
氧化劑的添加量，較佳為具有有機官能基的烷氧基矽烷的3倍莫耳至100倍莫耳。氧化劑的添加量的上限並未被特別限定，更佳為50倍莫耳左右。此外，關於膠質氧化矽及具有有機官能基的烷氧基矽烷，因除了被氧化(變換)成磺酸基的官能基以外係在氧化反應中具有穩定的結構，故可抑制副產物。
在步驟5中，添加具有有機官能基的烷氧基矽烷劑之際的溫度未被限定，但較佳為常溫(約20℃)至沸點。反應時間亦未被限定，但較佳為10分鐘～10小時，更佳為30分鐘～2小時。添加時的pH亦未被限定，但較佳為3以上且11以下。藉由pH為上述範圍內，更加促進具有有機官能基的烷氧基矽烷與氧化矽表面的反應，更加抑制具有有機官能基的烷氧基矽烷彼此的自我縮合。又，用於調整pH的酸性、鹼性物質的添加量少便可完成，能穩定地保持氧化矽粒子。
具有有機官能基的烷氧基矽烷，較佳為以有機溶劑進行稀釋而添加至膠質氧化矽。藉由使用以有機溶劑進行稀釋之具有有機官能基的烷氧基矽烷，可抑制二次粒徑的增大及凝聚物的生成。將具有有機官能基的烷氧基矽烷以有機溶劑進行稀釋之情形，並未被特別限定，但只要以具有有機官能基的烷氧基矽烷之比例成為0.1～100質量%，較佳為成為1～100質量%的濃度之方式以有機溶劑進行稀釋即可。 作為有機溶劑，並未被特別限定，較佳為親水性有機溶劑，更佳可列舉甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等低級醇等。
本發明的膠質氧化矽，較佳為鈉、鉀、鐵、鋁、鈣、鎂、鈦、鎳、鉻、銅、鋅、鉛、銀、錳、鈷等金屬不純物的含量為1ppm以下。藉由金屬不純物的含量為1ppm以下，可適合地使用於電子材料等的研磨。
本發明的膠質氧化矽、及藉由本發明的製造方法所製造的膠質氧化矽，可使用在研磨劑、紙的塗布劑等各種用途。包含上述膠質氧化矽的研磨劑亦為本發明之一。本發明的膠質氧化矽，針對氧化矽粒子，因可平均一次粒徑為33nm以上，聚集比為1.2以上，真比重為1.95以上，烷氧基含量多，圓當量直徑小於20nm的粒子數之比例係小於15%，包含一級胺，使鈉等金屬不純物的含量為1ppm以下而成為高純度，故可特別適合使用作為半導體晶圓的化學機械研磨的研磨劑。 [實施例]
以下，參照實施例等而具體地說明本發明，但本發明不受限於此等。
實施例1 (步驟1)在燒瓶中，置入純水7500g作為溶劑，添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)0.38685g作為鹼觸媒，藉此製備母液。母液的pH為10.2。 (步驟2)將母液加熱至內溫85℃為止後，在該母液中以內溫不變動之方式溫調四甲基正矽酸鹽2740g，且耗費120分鐘進行定速滴下，製備混合液。 (步驟3)攪拌60分鐘後，在混合液中添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)50.124g，製備種粒子分散液。種粒子分散液的pH為10.3。 (步驟4)在別的燒瓶中，置入純水6061g、甲醇930g、種粒子分散液581g、及3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)8.761g。接著，加熱至內溫80℃為止，一邊以內溫不變動之方式進行溫調，一邊耗費360分鐘將四甲基正矽酸鹽2000g定速滴下，滴下結束後攪拌15分鐘，製備膠質氧化矽。接著，採取800mL的膠質氧化矽作為常壓下基量，一邊將容量維持固定一邊饋入膠質氧化矽，進行加熱濃縮直到氧化矽濃度成為20質量%為止。接著，為了將甲醇進行系統外餾去，一邊將容量維持固定，一邊利用純水500mL取代分散媒，製備膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的物性揭示於表1，將ζ電位揭示於圖1。
實施例2 在燒瓶中，置入純水6103g作為溶劑，置入甲醇1142g、作為成為芯的氧化矽粒子的實施例1的種粒子分散液296g、及作為鹼觸媒的3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)10.148g。接著，加熱至內溫80℃為止後，一邊以內溫不變動之方式進行溫調，一邊耗費360分鐘將四甲基正矽酸鹽2000g定速滴下，滴下結束後攪拌15分鐘，製備膠質氧化矽。採取800mL的所得之膠質氧化矽作為常壓下基量，一邊將容量維持固定一邊饋入膠質氧化矽，進行加熱濃縮直到氧化矽濃度成為20質量%為止。接著，為了將甲醇進行系統外餾去，一邊將容量維持固定，一邊利用純水500mL取代分散媒，製備膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的物性揭示於表1。
實施例3 (步驟1)在燒瓶中，置入純水6250g作為溶劑，添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)0.32238g作為鹼觸媒，藉此製備母液。母液的pH為10.2。 (步驟2)將母液加熱至內溫80℃為止後，在該母液中，以內溫不變動之方式溫調四甲基正矽酸鹽3107.9g，且耗費100分鐘進行定速滴下，製備混合液。 (步驟3)攪拌15分鐘後，在混合液中添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)56.8680g，製備種粒子分散液。種粒子分散液的pH為10.3。 (步驟3.5)在別的燒瓶中，置入純水5840g及種粒子分散液1921g。接著，加熱至內溫80℃為止，一邊以內溫不變動之方式進行溫調，一邊耗費360分鐘將四甲基正矽酸鹽2000g定速滴下，滴下結束後攪拌15分鐘。接著，置入3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)36.6280g，製備種粒子分散液。此種粒子分散液的pH為10.3。 (步驟4)在別的燒瓶中，置入純水4719g、甲醇665g、作為成為芯的氧化矽粒子之由步驟3.5所得之種粒子分散液2366g。接著，加熱至內溫80℃為止，一邊以內溫不變動之方式進行溫調，一邊耗費360分鐘將四甲基正矽酸鹽2000g定速滴下，滴下結束後攪拌15分鐘，製備膠質氧化矽。接著，採取2600mL的膠質氧化矽作為常壓下基量，一邊將容量維持固定一邊饋入膠質氧化矽，進行加熱濃縮直到氧化矽濃度成為20質量%為止。接著，為了將甲醇進行系統外餾去，一邊將容量維持固定，利用純水2000mL取代分散媒，製備膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的物性揭示於表1。
實施例4 (步驟1)在燒瓶中，置入純水6250g作為溶劑，添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)0.32240g作為鹼觸媒，藉此製備母液。母液的pH為10.2。 (步驟2)將母液加熱至內溫80℃為止後，在該母液中，以內溫不變動之方式溫調四甲基正矽酸鹽3729.5g，且耗費120分鐘進行定速滴下，製備混合液。 (步驟3)將利用純水將3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)68.0110g稀釋成20質量%濃度的胺稀釋水，耗費30分鐘添加至混合液，製備種粒子分散液。種粒子分散液的pH為10.4。 (步驟3.5)在別的燒瓶中，置入純水5989g及種粒子分散液1761g。接著，加熱至內溫80℃為止，一邊以內溫不變動之方式進行溫調，一邊耗費360分鐘將四甲基正矽酸鹽2000g定速滴下，滴下結束後攪拌15分鐘。接著，置入3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)10.0010g，製備種粒子分散液。此種粒子分散液的pH為10.3。 (步驟4)在別的燒瓶中，置入純水4389g、甲醇1005g、作為成為芯的氧化矽粒子之由步驟3.5所得之種粒子分散液2356g、及3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)6.432g。接著，加熱至內溫80℃為止，一邊以內溫不變動之方式進行溫調，一邊耗費360分鐘將四甲基正矽酸鹽2000g定速滴下，滴下結束後攪拌15分鐘，製備膠質氧化矽。接著，採取2700mL的膠質氧化矽作為常壓下基量，一邊將容量維持固定一邊饋入膠質氧化矽，進行加熱濃縮直到氧化矽濃度成為20質量%為止。接著，為了將甲醇進行系統外餾去，一邊將容量維持固定，利用純水1350mL取代分散媒，製備膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的物性揭示於表1。
實施例5 (步驟1)在燒瓶中，置入純水7500g作為溶劑，添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)0.62300g作為鹼觸媒，藉此製備母液。母液的pH為10.4。 (步驟2)將母液加熱至內溫85℃為止後，在該母液中，以內溫不變動之方式溫調四甲基正矽酸鹽2740g，且耗費120分鐘進行定速滴下，製備混合液。 (步驟3)60分鐘攪拌後，在混合液中添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)50.124g，製備種粒子分散液。種粒子分散液的pH為10.3。 (步驟4)在別的燒瓶中，置入純水6061g、甲醇930g、種粒子分散液581g、及3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)8.761g。接著，加熱至內溫80℃為止，一邊以內溫不變動之方式進行溫調，一邊耗費360分鐘將四甲基正矽酸鹽2000g定速滴下，滴下結束後攪拌15分鐘，製備膠質氧化矽。接著，採取800mL的膠質氧化矽作為常壓下基量，一邊將容量維持固定一邊饋入膠質氧化矽，進行加熱濃縮直到氧化矽濃度成為20質量%為止。接著，為了將甲醇進行系統外餾去，一邊將容量維持固定，一邊利用純水500mL取代分散媒，製備膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的物性揭示於表1。
實施例6 與實施例1同樣地進行，製備膠質氧化矽(氧化矽濃度20質量%)。 (步驟5) 在所製備之膠質氧化矽750g中，添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)0.7g，調整成pH9。在室溫下，添加3-胺基丙基三甲氧基矽烷0.7g及甲醇74.1g的混合液。接著，為了將液中的甲醇進行系統外餾去，一邊將容量維持固定一邊以純水200mL取代分散媒，製備氧化矽粒子中陽離子性有機官能基經表面修飾的膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的ζ電位揭示於圖1。
實施例7 與實施例1同樣地進行，製備氧化矽(氧化矽濃度20質量%)。 (步驟5) 在所製備之膠質氧化矽830g中，添加3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)0.8g，調整成pH9。接著，添加3-巰丙基三甲氧基矽烷9.9g，接著，添加30%過氧化氫水21.1g。接著，為了將液中的甲醇進行系統外餾去，一邊將容量維持固定一邊以純水200mL取代分散媒，加熱回流3小時，製備在氧化矽粒子中陰離子性有機官能基經表面修飾的膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的ζ電位揭示於圖1。
比較例1 在水1732g中添加25%氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液0.151g並進行攪拌而製備母液，進行加熱直到進行回流為止。又，將四甲基正矽酸鹽進行水解，製備9%的矽酸水溶液。在回流下，耗費3小時在母液中滴下矽酸水溶液346.5g後，回流30分鐘。接著，滴下1.26g之25%氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液，製備種粒子分散液。接著，在種粒子分散液中添加水2910g，進行攪拌並加熱回流。接著，一邊耗費2.5小時滴下9%矽酸水溶液500g與25%氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液1.21g，一邊萃取600g之水與甲醇的混合物。將此操作進行26次，藉此製備膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的物性揭示於表1。由比較例1所得之膠質氧化矽，未被偵檢到一級胺。
比較例2 在水2000g中添加25%氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液0.365g並進行攪拌而製備母液，進行加熱直至80℃為止。一邊將母液的溫度維持在80℃，一邊耗費3小時滴下四甲基正矽酸鹽228g。接著，立刻添加25%氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液2.92g。一邊將溫度維持在80℃，一邊耗費3小時滴下四甲基正矽酸鹽228g與25%氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液3.19g。將此操作進行4次，藉此製備膠質氧化矽。將所得之膠質氧化矽的物性揭示於表1。由比較例2所得之膠質氧化矽，相較於實施例1～4，關於氧化矽粒子，聚集比低，且未被偵檢到一級胺。
比較例3 評價由甲醇的添加所致之影響。在燒瓶中，置入純水6991g作為溶劑，添加作為成為芯的粒子之實施例1的種粒子分散液581g、作為鹼觸媒的3-乙氧基丙基胺(3-EOPA)8.761g，製備母液。母液的pH為10.2。將母液加熱至內溫80℃為止後，在該母液中，以內溫不變動之方式溫調四甲基正矽酸鹽2000g，且耗費360分鐘進行定速滴下。滴下結束後攪拌15分鐘，製備混合液。在比較例3中未見到主粒子的成長。原因在於，因在母液中未添加甲醇，而無法抑制新的核粒子(小粒子)的生成，其結果，阻礙主粒子的成長。將所得之膠質氧化矽的物性揭示於表1。
如上述般進行所得之實施例及比較例的膠質氧化矽的特性，係藉由以下方法進行評價。
(平均一次粒徑) 將膠質氧化矽在熱板上進行預先乾燥後，以800℃進行熱處理1小時而製備測定用樣本。使用所製備的測定用樣本，測定BET比表面積。將氧化矽的真比重設為2.2，換算2727/BET比表面積(m2 /g)的値，作為膠質氧化矽中的氧化矽粒子的平均一次粒徑(nm)。
(平均二次粒徑) 作為動態光散射法的測定用樣本，製備將膠質氧化矽添加至0.3重量%檸檬酸水溶液並均勻化者。使用該測定用樣本，藉由動態光散射法(大塚電子股份有限公司製「ELSZ-2000S」)而測定平均二次粒徑。
(聚集比) 將藉由平均二次粒徑/平均一次粒徑所算出的値作為聚集比。
(真比重) 將試料在150℃的熱板上進行乾固後，在300℃爐內保持1小時後，藉由以使用乙醇的液相取代法進行測定的測定方法，測定真比重。
(胺含量) 將膠質氧化矽以215000G、90分鐘的條件進行離心分離後，廢棄上澄清液，使固體成分以60℃、90分鐘的條件進行真空乾燥。秤量所得之氧化矽乾固物0.5g，置入1M氫氧化鈉水溶液50ml，一邊進行攪拌一邊以50℃加熱24小時，藉此使氧化矽溶解。將氧化矽溶解液藉由離子層析法進行分析，求取胺量。離子層析法分析係遵循JIS K0127。
(烷氧基量) 將膠質氧化矽以215000G、90分鐘的條件進行離心分離後，廢棄上澄清液，使固體成分以60℃、90分鐘的條件進行真空乾燥。秤量所得之氧化矽乾固物0.5g，置入1M氫氧化鈉水溶液50ml，一邊進行攪拌一邊以50℃加熱24小時，藉此使氧化矽溶解。將前述氧化矽溶解液藉由氣相層析法進行分析，求取醇含量，作為烷氧基的含量。氣相層析法的偵檢器係使用氫焰游離化偵檢器(FID)。氣相層析法分析係遵循JIS K0114。
(圓當量直徑小於20nm的粒子數之比例) 藉由掃描式電子顯微鏡(SEM；5萬倍)觀察100個一次粒子，藉由影像分析而求取一次粒徑的圓當量直徑小於20nm的粒子的數量，其相對於以SEM測定一次粒子的圓當量直徑的粒子的數量之個數比例，只要小於15%則評價為「○」，只要為15%以上則評價為「×」。
(矽烷醇基密度) 膠質氧化矽中的氧化矽粒子的矽烷醇基密度可藉由西耳斯法而求取。西耳斯法係參照G.W.Sears,Jr.,“Determination of Specific Surface Area of Colloidal Silica by Titration with Sodium Hydroxide”,Analytical Chemistry, 28(12), 1981(1956).的記載而實施。在測定中，使用1wt%氧化矽分散液，以0.1mol/L的氫氧化鈉水溶液進行滴定，基於下述式，算出矽烷醇基密度。 ρ=(a×f×6022)÷(c×S) 上述式中，ρ：矽烷醇基密度(個/nm2 )，a：pH4~9的0.1mol/L氫氧化鈉水溶液的滴下量(mL)，f：0.1mol/L氫氧化鈉水溶液的因子，c：氧化矽粒子的質量(g)，S：BET比表面積(m2 /g)。
[表1]
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 比較例3
一次粒徑(nm) 44 48 53 53 42 45 26 32
聚集比 2.0 2.1 2.3 2.6 1.5 1.7 1.6 2.4
真比重 2.05 2.02 2.06 2.08 2.06 2.22 2.12 2.10
含有胺種類 3-EOPA 3-EOPA 3-EOPA 3-EOPA 3-EOPA TMAH TMAH 3-EOPA
胺含量 (μmol/g) 72 80 49 53 75 55 106 75
烷氧基量 (ppm) 5359 6503 7536 7672 6021 6679 13127 8691
圓當量直徑小於20nm的 粒子數之比例 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
矽烷醇基密度 (個/nm2 ) 2.5 3.1 2.9 3.2 2.3 1.8 - -
將由實施例1、6及7所得之膠質氧化矽的ζ電位測定及XPS測定藉由下述方法進行。
(ζ電位測定) 將膠質氧化矽的ζ電位使用利用超音波衰減法的測定裝置進行測定。
(XPS測定) 將膠質氧化矽以5℃、77,000G進行離心分離90分鐘。使所得之沉澱物以60℃乾燥12小時後，使用乳鉢與乳棒磨碎，以60℃減壓乾燥2小時，製備乾燥粉末。
將所製備之乾燥粉末藉由XPS進行測定，確認源自粒子表面的有機官能基之峰。
將由實施例1、6及7所得之膠質氧化矽的ζ電位的測定結果揭示於圖1。又，將由實施例6所得之膠質氧化矽的由XPS所致之分析結果揭示於圖2，將由實施例7所得之膠質氧化矽的由XPS所致之分析結果揭示於圖3。
在圖1中，相對於由實施例1所得之膠質氧化矽的ζ電位，由實施例6所得之膠質氧化矽的ζ電位往正偏移。尤其，實施例6的等電點成為5以上。並且，由在圖2的XPS測定結果偵檢到N原子可知，已在氧化矽粒子表面賦予為陽離子性官能基之胺基。
又，在圖1中，相對於由實施例1所得之膠質氧化矽的ζ電位，由實施例7所得之膠質氧化矽的ζ電位往負偏移。尤其，實施例7的ζ電位在pH3～9的全區域成為負。並且，由在圖3的XPS測定結果偵檢到S原子可知，已在氧化矽粒子表面賦予為陰離子性官能基之磺酸基。
無。
圖1係揭示由實施例1、6及7所得之膠質氧化矽的ζ電位的測定結果之圖。 圖2係揭示由實施例6所得之膠質氧化矽的由XPS所致之分析結果之圖。 圖3係揭示由實施例7所得之膠質氧化矽的由XPS所致之分析結果之圖。
無。

Claims (10)

  1. 一種膠質氧化矽，其特徵在於，該膠質氧化矽所含之氧化矽粒子，平均一次粒徑為33nm以上，聚集比(association ratio)為1.2以上，真比重為1.95以上，在每1g的氧化矽粒子中含有1000質量ppm以上的烷氧基，圓當量直徑(equivalent circle diameter)小於20nm的氧化矽粒子數之比例係小於15%，在每1g的氧化矽粒子中含有5μmol以上的一級胺，該平均一次粒徑(nm)係藉由將膠質氧化矽在熱板上進行預先乾燥後，以800℃熱處理1小時，製備測定用樣本，接著，使用所製備之測定用樣本，測定BET比表面積之後，將氧化矽的真比重設為2.2，換算2727/BET比表面積(m2/g)的值而獲得者。
  2. 如請求項1之膠質氧化矽，其中，該氧化矽粒子的真比重為1.95以上且2.20以下。
  3. 如請求項1或2之膠質氧化矽，其中，該氧化矽粒子的表面具有由下述通式(1)所示之有機官能基，-(CH2)n-R3 (1)(式(1)中，n表示0以上的任意整數，R3表示任意的官能基)。
  4. 如請求項1或2之膠質氧化矽，其中，在該氧化矽粒子的表面具有陽離子性有機官能基。
  5. 如請求項4之膠質氧化矽，其中，在該氧化矽粒子的表面具有胺基。
  6. 如請求項1或2之膠質氧化矽，其中，在該氧化矽粒子的表面具有陰離子性有機官能基。
  7. 如請求項6之膠質氧化矽，其中，在該氧化矽粒子的表面具有磺酸基。
  8. 如請求項1或2之膠質氧化矽，其中，該一級胺為由下述通式(2)所示之胺，NH2-R1 (2)(式中，R1表示可被取代的碳數1~12的烷基)。
  9. 一種如請求項1至8中任一項之膠質氧化矽的製造方法，其特徵在於，依序具有以下步驟，(1)製備包含鹼觸媒及水的母液之步驟1；(2)將烷氧基矽烷添加至該母液而製備混合液之步驟2；(3)在該混合液中添加鹼觸媒，製備種粒子分散液之步驟3；及(4)在該種粒子分散液中，添加水及有機溶劑，接著添加烷氧基矽烷之步驟4，該鹼觸媒為一級胺。
  10. 如請求項9之製造方法，其中，在該步驟3及步驟4之間具有(3.5)在由步驟3所得之種粒子分散液中添加水，接著添加烷氧基矽烷而製備種粒子分散液之步驟3.5。
TW109107191A 2019-03-06 2020-03-05 膠質氧化矽及其製造方法 TWI837319B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-040718 2019-03-06
JP2019040718 2019-03-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202043150A TW202043150A (zh) 2020-12-01
TWI837319B true TWI837319B (zh) 2024-04-01

Family

ID=72338013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109107191A TWI837319B (zh) 2019-03-06 2020-03-05 膠質氧化矽及其製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220144649A1 (zh)
JP (1) JP7119209B2 (zh)
KR (1) KR20210132178A (zh)
CN (2) CN118561285A (zh)
TW (1) TWI837319B (zh)
WO (1) WO2020179556A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023233512A1 (ja) * 2022-05-31 2023-12-07 扶桑化学工業株式会社 コロイダルシリカおよびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06316407A (ja) * 1993-03-03 1994-11-15 Nissan Chem Ind Ltd シリカゾルの製造方法
CN102164853A (zh) * 2008-09-26 2011-08-24 扶桑化学工业株式会社 含有具有弯曲结构和/或分支结构的二氧化硅二次颗粒的胶体二氧化硅及其制造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3746301B2 (ja) * 1991-11-14 2006-02-15 触媒化成工業株式会社 球状シリカ粒子の製造方法
TWI436947B (zh) * 2007-03-27 2014-05-11 Fuso Chemical Co Ltd 膠體矽石及其製法
WO2010052945A1 (ja) * 2008-11-07 2010-05-14 日揮触媒化成株式会社 非球状シリカゾル、その製造方法および研磨用組成物
JP5602358B2 (ja) * 2007-11-30 2014-10-08 日揮触媒化成株式会社 非球状シリカゾル、その製造方法および研磨用組成物
KR101565513B1 (ko) * 2008-02-12 2015-11-03 닛산 가가쿠 고교 가부시키가이샤 실리카콜로이드입자, 이의 제조방법, 유기용매분산실리카졸, 중합성화합물분산실리카졸 및 디카르본산무수물분산실리카졸
JP5084670B2 (ja) * 2008-09-01 2012-11-28 日揮触媒化成株式会社 シリカゾルおよびその製造方法
JP5399801B2 (ja) * 2009-07-22 2014-01-29 日本化学工業株式会社 イオン性液体含有ゲル、その製造方法及びイオン伝導体
JP5495880B2 (ja) * 2010-03-25 2014-05-21 扶桑化学工業株式会社 コロイダルシリカの二次粒子径調整方法
WO2012138365A1 (en) * 2011-04-05 2012-10-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Amine-accelerated process for the surface treatment of colloidal silica and products thereof
JP5838083B2 (ja) * 2011-12-09 2015-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法
JP5627662B2 (ja) * 2012-12-05 2014-11-19 株式会社トクヤマ 表面処理シリカ系粒子の製造方法
KR102205327B1 (ko) * 2013-06-10 2021-01-19 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 실리카 졸 및 실리카 졸의 제조 방법
JP6207345B2 (ja) * 2013-10-30 2017-10-04 日揮触媒化成株式会社 シリカ粒子の製造方法
WO2015087965A1 (ja) * 2013-12-12 2015-06-18 日産化学工業株式会社 シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾル
JP6284443B2 (ja) * 2014-06-25 2018-02-28 扶桑化学工業株式会社 コアシェル型シリカ粒子を含有するコロイダルシリカの製造方法
EP3161859B1 (en) * 2014-06-25 2023-03-08 CMC Materials, Inc. Methods for fabricating a chemical-mechanical polishing composition
JP6507655B2 (ja) * 2015-01-14 2019-05-08 リコーイメージング株式会社 多孔質膜用塗工液及びその製造方法
US10604411B2 (en) * 2015-07-31 2020-03-31 Fujimi Incorporated Method for producing silica sol
JP6269903B2 (ja) * 2015-09-01 2018-01-31 日立化成株式会社 エアロゲル複合体、エアロゲル複合体付き支持部材及び断熱材
CN109071238B (zh) * 2016-03-30 2023-04-04 福吉米株式会社 阳离子改性二氧化硅的制造方法和阳离子改性二氧化硅分散体
TWI762528B (zh) * 2016-12-02 2022-05-01 日商日揮觸媒化成股份有限公司 研磨用氧化矽系粒子及研磨材
JP6968632B2 (ja) * 2017-09-07 2021-11-17 扶桑化学工業株式会社 疎水性シリカ粉末
CN112299425B (zh) * 2020-10-30 2021-12-07 石家庄优士科电子科技有限公司 一种胶体表面呈凸起状的硅溶胶及其制备方法和应用

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06316407A (ja) * 1993-03-03 1994-11-15 Nissan Chem Ind Ltd シリカゾルの製造方法
CN102164853A (zh) * 2008-09-26 2011-08-24 扶桑化学工业株式会社 含有具有弯曲结构和/或分支结构的二氧化硅二次颗粒的胶体二氧化硅及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220144649A1 (en) 2022-05-12
WO2020179556A1 (ja) 2020-09-10
TW202043150A (zh) 2020-12-01
CN118561285A (zh) 2024-08-30
KR20210132178A (ko) 2021-11-03
CN113544092A (zh) 2021-10-22
JP7119209B2 (ja) 2022-08-16
JPWO2020179556A1 (zh) 2020-09-10
CN113544092B (zh) 2024-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI837318B (zh) 膠質氧化矽及其製造方法
JP6893261B2 (ja) 変性コロイダルシリカおよびその製造方法、並びにこれを用いた研磨剤
JP4577755B2 (ja) 変性コロイダルシリカの製造方法
JP5644789B2 (ja) 粉体組成物
JP5811620B2 (ja) シリカ粒子の製造方法
JP2016008157A (ja) コアシェル型シリカ粒子を含有するコロイダルシリカの製造方法
TWI837319B (zh) 膠質氧化矽及其製造方法
WO2020116307A1 (ja) ４級アンモニウム基で表面修飾された金属酸化物粒子およびその製造方法
WO2020218089A1 (ja) 金属研磨用コロイダルシリカ
JP4458396B2 (ja) 高純度親水性有機溶媒分散シリカゾルの製造方法及びその方法で得られる高純度親水性有機溶媒分散シリカゾル並びに高純度有機溶媒分散シリカゾルの製造方法及びその方法で得られる高純度有機溶媒分散シリカゾル
JPWO2021215285A5 (zh)
JP2012031044A (ja) 疎水性シリカ粒子の製造方法
JP7061000B2 (ja) シリカ粒子又はその分散体の製造方法
TW202430470A (zh) 膠質氧化矽
JP7007982B2 (ja) コロイダルシリカ
TW202430469A (zh) 膠質氧化矽
JP2008290914A (ja) 表面修飾金属酸化物微粒子の製造方法
JP2021195275A (ja) 中空シリカ粒子の製造方法
JP2021151938A (ja) シリカ複合粒子及びその製造方法
JP4819322B2 (ja) 金属酸化物微粒子分散体及びその製造方法
JP6209072B2 (ja) シリカ粒子の製造方法
JP5975589B2 (ja) 半導体装置実装用ペースト
JP2011190120A (ja) 粉末状のシリカコンポジット粒子及びその製造方法