TWI835718B - 光學堆疊體、圓偏光板、觸控面板及影像顯示裝置 - Google Patents

光學堆疊體、圓偏光板、觸控面板及影像顯示裝置 Download PDF

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Abstract

一種光學堆疊體,包括一基材層及含有至少一層液晶硬化層之一光學各向異性層。基材層之於波長390nm之光線穿透率為1%以下。光學堆疊體於氙氣燈曝光前之於波長450nm之面內延遲Re0(450)、光學堆疊體於氙氣燈曝光前之於波長550nm之面內延遲Re0(550)、光學堆疊體於氙氣燈曝光300小時後之於波長450nm之面內延遲Re300(450)及光學堆疊體於氙氣燈曝光300小時後之於波長550nm之面內延遲Re300(550)滿足下列式(1)及式(2):0.95≦Re300(450)/Re0(450)≦1.05 (1),0.95≦Re300(550)/Re0(550)≦1.05 (2)。

Description

光學堆疊體、圓偏光板、觸控面板及影像顯示裝置
本發明係關於一種光學堆疊體以及具備其之圓偏光板、觸控面板及影像顯示裝置。
金融機關之自動存提款機(ATM);自動販賣機;以及行動電話、個人數位助理(PDA)、數位音頻播放器、可攜式遊戲機、汽車導航系統等之數位資訊設備多具備影像顯示裝置。於此影像顯示裝置中,通常設置有觸控面板作為輸入裝置。尤其於行動電話中,具備觸控面板之智慧型行動電話正成為主流。如此之觸控面板通常具有薄膜感測器組件,所述薄膜感測器組件具備透明基材及形成於此基材上之透明導電層(參照專利文獻1及2,專利文獻1:日本專利公開第2013-152690號公報,專利文獻2:美國專利第9158143號說明書)。
作為觸控面板之運作方式,已知例如有電容式、光學式、超音波式、電磁感應式、電阻膜式等。其中,捕捉指尖與透明導電層間之電容變化而進行輸入之電容式觸控面板,以及電阻式觸控面板,正成為現在觸控面板的主流。尤其於被稱為平板電腦之設備中,一般搭載有電容式觸控面板。作為電容式觸控面板之薄膜感測器組件之基材,雖於以往廣泛使用玻璃基材,但最近考量基材之厚度及可撓性,而正對樹脂薄膜進行研究。
此外,於影像顯示裝置一般設置有λ/4板及λ/2板等之光 學薄膜。自以往針對如此之光學薄膜及影像顯示裝置正進行有各式各樣的研究(參照專利文獻3~18,專利文獻3:國際專利公開第2010/131387號,專利文獻4:日本專利公開第H05-100114號公報,專利文獻5:日本專利公開第2003-114325號公報,專利文獻6:日本專利公開第H10-68816號公報,專利文獻7:日本專利公開第2005-181615號公報,專利文獻8:日本專利公開第2015-31753號公報,專利文獻9:日本專利公開第H10-10523號公報,專利文獻10:日本專利公開第H1-204092號公報,專利文獻11:日本專利公開第H3-174512號公報,專利文獻12:日本專利公開第2009-122454號公報,專利文獻13:日本專利公開第2004-109171號公報,專利文獻14:日本專利公開第2001-4837號公報,專利文獻15:日本專利公開第H11-52131號公報,專利文獻16:日本專利公開第2005-181615號公報,專利文獻17:日本專利公開第2015-031753號公報,專利文獻18:國際專利公開第2010/137200號)。
一般而言,於形成含有液晶化合物之層體且聚合此層體所含有之液晶化合物時,固定前述液晶化合物之配向狀態,而可獲得具有指定光學特性之液晶硬化層。此液晶硬化層即使很薄,卻有容易發現大幅延遲(retardation)之傾向。因此,申請人基於薄化光學薄膜之目的,而試圖於光學薄膜設置液晶硬化層。
然而,將前述光學薄膜設置於具備觸控面板之影像顯示裝置時,液晶硬化層會因外部光線而劣化,而使光學薄膜之延遲等之光學 特性有所變化。尤其於近年來,觸控面板的使用環境正在擴大,於大量外部光線之環境使用具備觸控面板之影像顯示裝置之機會正在增加。因此,期望開發出可抑制因外部光線所致之光學特性變化之技術。
本發明係鑑於前述課題所創而成,其目的在於提供能抑制因外部光線所致之光學特性變化之光學堆疊體;以及具備前述光學堆疊體之圓偏光板、觸控面板及影像顯示裝置。
本案發明者們為了解決前述課題而專心致志研究之結果,發現藉由組合光線穿透率於波長390nm為低之基材層及液晶硬化層,而可實現能抑制因外部光線所致之光學特性變化之光學堆疊體,進而完成本發明。
亦即,本發明包含以下內容。
〔1〕一種光學堆疊體,為具備基材層及含有至少一層液晶硬化層光學各向異性層之光學堆疊體,前述基材層之於波長390nm之光線穿透率為1%以下,前述光學堆疊體於氙氣燈曝光前之於波長450nm之面內延遲Re0(450)、前述光學堆疊體於氙氣燈曝光前之於波長550nm之面內延遲Re0(550)、前述光學堆疊體於氙氣燈曝光300小時後之於波長450nm之面內延遲Re300(450)及前述光學堆疊體於氙氣燈曝光300小時後之於波長550nm之面內延遲Re300(550)滿足下列式(1)及式(2):0.95≦Re300(450)/Re0(450)≦1.05 (1),0.95≦Re300(550)/Re0(550)≦1.05 (2)。
〔2〕如〔1〕所記載之光學堆疊體,其中前述光學堆疊體於氙氣燈曝光前之於波長650nm之面內延遲Re0(650)及前述光學堆 疊體於氙氣燈曝光300小時後之於波長650nm之面內延遲Re300(650)滿足下列式(3):0.95≦Re300(650)/Re0(650)≦1.05 (3)。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之光學堆疊體,其中前述基材層之面內延遲為5nm以下,前述基材層之厚度方向之延遲為15nm以下。
〔4〕如〔1〕~〔3〕之任一項所記載之光學堆疊體,其中前述基材層依序具備第一外側層、含紫外線吸收劑之中間層及第二外側層。
〔5〕如〔1〕~〔4〕之任一項所記載之光學堆疊體,具備導電層。
〔6〕如〔1〕~〔5〕之任一項所記載之光學堆疊體,其中前述光學各向異性層用以作為λ/4板之功能。
〔7〕如〔1〕~〔5〕之任一項所記載之光學堆疊體,其中前述光學各向異性層用以作為λ/2板之功能。
〔8〕如〔1〕~〔6〕之任一項所記載之光學堆疊體,其中前述光學各向異性層具備前述液晶硬化層及層體,所述液晶硬化層用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能,所述層體用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能,所述光學各向異性層用以作為寬帶λ/4板之功能。
〔9〕如〔1〕~〔8〕之任一項所記載之光學堆疊體,其中前述液晶硬化層之於波長390nm之光線穿透率為70%以上。
〔10〕一種圓偏光板,具備如〔1〕~〔9〕之任一項所記 載之光學堆疊體及直線偏光件。
〔11〕一種觸控面板,具備如〔10〕所記載之圓偏光板。
〔12〕一種影像顯示裝置,具備影像顯示元件及如〔10〕所記載之圓偏光板,所述圓偏光板設置於前述影像顯示元件之觀看側。
〔13〕如〔12〕所記載之影像顯示裝置,其中前述影像顯示元件為液晶晶胞或有機電致發光元件
若根據本發明,可提供能抑制因外部光線所致之光學特性變化之光學堆疊體;以及具備前述光學堆疊體之圓偏光板、觸控面板及影像顯示裝置。
10:光學堆疊體
20:液晶顯示層
30:有機EL顯示裝置
100:基材層
110:第一外側層
120:第二外側層
130:中間層
200:光學各向異性層
210:液晶硬化層
310:光源
320:光源側直線偏光件
330:液晶晶胞
340:圓偏光板
350:直線偏光件
360:導電層
370:光學堆疊體
410:有機EL元件
420:圓偏光板
430:導電層
440:光學堆疊體
450:直線偏光件
圖1係概略表示本發明之光學堆疊體之一例的剖面圖。
圖2係概略表示作為一例之基材層的剖面圖。
圖3係概略表示作為關於本發明之一實施型態之影像顯示裝置之液晶顯示裝置之一例的剖面圖。
圖4係概略表示作為關於本發明之一實施型態之影像顯示裝置之有機EL顯示裝置之一例的剖面圖。
以下將揭示關於本發明之實施型態及例示物並詳細說明。然而,本發明並非限定於以下所示之實施型態及例示物,在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍內得以任意變更並實施。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂的「紫外線」表 示波長為10nm~400nm之光線。
於以下說明中,所謂「長條狀」之形狀,係稱為相對於幅寬具有5倍以上之長度之形狀,以具有10倍或以上之長度為佳,具體係稱為具有收捲成捲筒狀以儲存或運輸程度之長度之薄膜的形狀。長條狀之形狀之長度上限並無特別限制,例如可為相對於幅寬之10萬倍以下。
於以下說明中,除非另有註明,否則薄膜及層體之面內延遲Re為以Re=(nx-ny)×d表示之值。而且,除非另有註明,否則薄膜及層體之厚度方向之延遲Rth為以Rth={(nx+ny)/2-nz}×d表示之值。於此,nx表示為垂直於薄膜及層體之厚度方向之方向(面內方向)且賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示為薄膜及層體之前述面內方向且正交於nx之方向之方向的折射率。nz表示薄膜及層體之厚度方向的折射率。d表示薄膜及層體之厚度。除非另有註明,否則量測波長為550nm。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂某個面的正面方向意謂該面之法線方向,具體指示前述面之極角0°且方位角0°之方向。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂某個面之傾斜方向意指既非平行、亦非垂直於該面之方向,具體指示前述面之極角為大於0°且小於90°之範圍的方向。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂「順向波長色散特性」係指於波長450nm及550nm之面內延遲Re(450)及Re(550)滿足Re(450)>Re(550)之關係的特性。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂「逆向波長色散特性」係稱為於波長450nm及550nm之面內延遲Re(450)及Re(550)滿足Re(450)<Re(550)之關係的特性。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂層體之慢軸表示於該層體之面內中之慢軸。
於以下說明中,除非另有註明,否則具備多層薄膜或層體之組件中之各薄膜或層體之光學軸(偏光吸收軸、偏光穿透軸、慢軸等)所夾成之角度,表示自厚度方向觀看前述薄膜或層體時之角度。
於以下說明中,除非另有註明,否則用語「(甲基)丙烯醯基」包含丙烯醯基、甲基丙烯醯基及此些之組合。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂具有正的固有雙折射值(intrinsic birefringence value)之樹脂意謂延伸方向之折射率大於其正交方向之折射率之樹脂。而且,除非另有註明,否則所謂具有負的固有雙折射值之樹脂意謂延伸方向之折射率小於其正交方向之折射率之樹脂。得以由電容率分布計算固有雙折射值。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂長條狀薄膜之傾斜方向表示為此薄膜之面內方向且既非平行於、亦非垂直於此薄膜之幅寬方向之方向。
於以下說明中,除非另有註明,否則所謂「偏光板」、「λ/2板」及「λ/4板」不僅為剛直的組件,亦可包含例如樹脂製之薄膜般之具有可撓性的組件。
〔1.光學堆疊體之概要〕
圖1係概略表示本發明之光學堆疊體之一例的剖面圖。
如圖1所示,光學堆疊體10具備基材層100及包含至少一層液晶硬化層210之光學各向異性層200。於圖1中,所揭示之光學堆疊體10之例雖具備僅包含一層液晶硬化層210之光學各向異性層200,但光學各向異性層200之構造並非限定於圖1所示之例。
基材層100具有抑制紫外線穿透之功能。具體而言,基材層100於波長390nm之光線穿透率為小。如此一來,由於基材層100抑制所謂波長390nm之以往未受到注目之波長之紫外線的穿透,故於光學堆疊體10中,可抑制光學各向異性層200所含有之液晶硬化層210之因紫外線所致之光學特性變化。是以,能抑制光學堆疊體10本身的光學特性變化。
〔2.基材層〕
基材層於波長390nm之光線穿透率為小。基材層之於波長390nm之具體光線穿透率通常為1%以下,以0.5%以下為佳,以0.2%以下為較佳,理想為0%。如此於波長390nm之光線穿透率為小的基材層,由於可弱化穿透基材層而進入液晶硬化層之紫外線,故可抑制因紫外線所致之液晶硬化層的光學特性變化。因此,能抑制含有此液晶硬化層之光學堆疊體之因紫外線所致之光學特性變化。而且,於製造具備此光學堆疊體之圓偏光板之情況下,通常可抑制直線偏光件之偏光度降低,且可抑制直線偏光件之著色。再者,一般有機電致發光元件(以下有時適當稱為「有機EL元件」)所含有之有機成分,尤其易因長波長的紫外線而劣化。不過,具備於波長390nm之光線穿透率為低之前 述基材層之光學堆疊體可尤有效抑制有機EL元件所含有之有機成分因紫外線所致之劣化。因此,於有機電致發光顯示裝置(以下有時適當稱為「有機EL顯示裝置」)設置前述圓偏光板之情況下,可延長此有機EL顯示裝置之壽命。
如此之基材層可藉由具有紫外線吸收功能而實現,例如可作為含有紫外線吸收劑之樹脂層而獲得。尤其於抑制紫外線吸收劑自基材層滲出(bleed out)之觀點中,基材層以依序具備第一外側層、含有紫外線吸收劑之中間層及第二外側層為佳。以下展示圖面以說明如此具備第一外側層、中間層及第二外側層之基材層之例。
圖2係概略表示作為一例之基材層100的剖面圖。如圖2所示,此基材層具備第一外側層110、第二外側層120及設置於前述第一外側層110與第二外側層120間之中間層130。通常,第一外側層110與中間層130間未夾設其他層體而直接接觸,中間層130與第二外側層120間未夾設其他層體而直接接觸。
如此之基材層100中,由於中間層130含有紫外線吸收劑,故可抑制紫外線穿透。而且,由於第一外側層110及第二外側層120妨礙中間層130所含有之紫外線吸收劑之移動,而可抑制中間層130所含有之紫外線吸收劑之滲出。如此之基材層100中,由於可提高位在中間層130之紫外線吸收劑之濃度,亦可擴大紫外線吸收劑之種類的選擇幅度,故基材層100之厚度即使很薄,亦能提升抑制紫外線穿透之能力。
〔2.1 中間層130〕
通常以含有紫外線吸收劑之樹脂形成中間層130。是以, 前述之樹脂通常含有聚合物及紫外線吸收劑。
作為前述之聚合物,因容易製造基材層100而以使用熱塑性的聚合物為佳。作為如此聚合物之例,可列舉:聚乙烯(polyethylene)、聚丙烯(polypropylene)等之聚烯烴(polyolefin);聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate)等之聚酯(polyester);聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)等之聚芳硫醚(polyarylene sulfide);聚乙烯醇(polyvinyl alcohol);聚碳酸酯(polycarbonate);聚芳酯(polyarylate);纖維素酯聚合物(cellulose ester polymer)、聚醚碸(polyethersulfone);聚碸(polysulfone);聚烯丙基碸(polyallyl sulfone);聚氯乙烯;降莰烯(norbornene)系聚合物等之含脂環結構的聚合物;棒狀液晶聚合物;苯乙烯或苯乙烯衍生物的聚合物;聚丙烯腈(polyacrylonitrile);聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)等。聚合物亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。而且,聚合物亦可為均聚物,亦可為共聚物。其中,因機械特性、耐熱性、透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性優異而以含脂環結構的聚合物為佳。
含脂環結構的聚合物例如可列舉:(1)降莰烯系聚合物、(2)單環之環狀烯烴聚合物、(3)環狀共軛二烯聚合物、(4)乙烯基脂環烴聚合物及此些之氫化物等。其中,由透明性及成形性之觀點來看,以降莰烯系聚合物及其氫化物為較佳。
作為降莰烯系聚合物,例如可列舉:降莰烯單體之開環聚 合物、降莰烯單體與能開環共聚之其他單體的開環共聚物,以及其氫化物;降莰烯單體加成聚合物、降莰烯單體與能共聚之其他單體的加成共聚物等。其中,由透明性之觀點來看,尤以降莰烯單體之開環聚合物之氫化物為佳,以及尤以降莰烯單體與能開環共聚之其他單體的開環共聚物之氫化物為佳。
上述含脂環結構的聚合物可選自例如揭示於日本專利公開第2002-321302號公報之聚合物。
由於現正市售有各式各樣的商品作為含有含脂環結構的聚合物之樹脂,故得以於其中適當選擇具期望特性者而使用。作為此市售品之例,可列舉:商品名「ZEONOR」(日本瑞翁股份有限公司製)、「ARTON」(JSR股份有限公司製)、「APEL」(三井化學股份有限公司製)、「TOPAS」(POLYPLASTICS公司製)之製品群。
聚合物之重量平均分子量(Mw)以10,000以上為佳,以15,000以上為較佳,以20,000以上為更佳,且以100,000以下為佳,以80,000以下為較佳,以50,000以下為更佳。重量平均分子量於如此之範圍中時,可令含有此聚合物之層體之機械強度及成形加工性取得高度平衡。
聚合物之分子量分布(Mw/Mn)以1.2以上為佳,以1.5以上為較佳,以1.8以上為更佳,且以3.5以下為佳,以3.0以下為較佳,以2.7以下為更佳。於此,Mn表示數量平均分子量。藉由分子量分布定為前述範圍之下限值以上,則可提升聚合物之生產性,而可抑制製造成本。而且,藉由定為上限值以下,由於減少低分子量成分之份量, 故可抑制高溫暴露時之鬆弛,而可提升含有此聚合物之層體之穩定性。
藉由使用環己烷作為溶劑之凝膠滲透層析術(gel permeation chromatography),而得以量測前述之重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)作為聚異戊二烯或聚苯乙烯換算之重量平均分子量。然而,試料未溶解於環己烷之情況下,亦可使用甲苯作為溶劑。
聚合物之玻璃轉移溫度以100℃以上為佳,以110℃以上為較佳,以120℃以上為更佳,且以190℃以下為佳,以180℃以下為較佳,以170℃以下為更佳。藉由聚合物之玻璃轉移溫度為前述範圍之下限值以上,則可提升基材層100在高溫環境下之耐久性,藉由為前述範圍之上限值以下,則可優化基材層100之操作性。
中間層130之樹脂中之聚合物之份量以80.0重量%以上為佳,以82.0重量%以上為較佳,以84.0重量%以上為更佳,且以97.0重量%以下為佳,以96.0重量%以下為較佳,以95.0重量%以下為更佳。藉由聚合物之份量落入前述範圍中,則可有效發揮上述聚合物之優點,例如可有效提升基材層100之耐濕熱性。是以,於製造具備光學堆疊體之圓偏光板之情況下,可提升圓偏光板之於高濕度條件下之耐久性。
作為紫外線吸收劑,得以使用可吸收紫外線之化合物。使用落入所謂基材層100之於波長390nm之光線穿透率為1%以下之指定範圍者作為此紫外線吸收劑。通常使用有機化合物作為如此之紫外線吸收劑。以下有時將作為有機化合物之紫外線吸收劑稱為「有機紫外線吸收劑」。藉由使用有機紫外線吸收劑,通常可提升基材層100之於可見光波長之光線穿透率,且可降低基材層100之霧度。因此,可優化具 備光學堆疊體之影像顯示裝置之顯示性能。
作為有機紫外線吸收劑,例如可列舉:三
Figure 106141672-A0305-02-0014-14
(triazine)系紫外線吸收劑、二苯基甲酮(benzophenone)系紫外線吸收劑、苯并三唑(benzotriazole)系紫外線吸收劑、丙烯腈(acrylonitrile)系紫外線吸收劑、水楊酸酯(salicylate)系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯(cyanoacrylate)系紫外線吸收劑、甲亞胺(azomethine)系紫外線吸收劑、吲哚(indole)系紫外線吸收劑、萘二甲醯亞胺(naphthalimide)系紫外線吸收劑、酞青(phthalocyanine)系紫外線吸收劑等。
作為三
Figure 106141672-A0305-02-0014-15
系紫外線吸收劑例如以具有1,3,5-三
Figure 106141672-A0305-02-0014-16
環之化合物為佳。作為三
Figure 106141672-A0305-02-0014-17
系紫外線吸收劑之具體例,可列舉:2-(4,6-二苯基-1,3,5-三
Figure 106141672-A0305-02-0014-18
-2-基)-5-[(己基)氧基]苯酚、2,4-雙(2-羥基-4-丁氧基苯基)-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三
Figure 106141672-A0305-02-0014-19
等。作為如此之三
Figure 106141672-A0305-02-0014-20
系紫外線吸收劑之市售品,例如可列舉:CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製之「TINUVIN 1577」、ADEKA公司製之「LA-F70」、「LA-46」等。
作為苯并三唑系紫外線吸收劑,可列舉:2,2’-亞甲基雙[4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2H-苯并三唑-2-基)苯酚](2,2’-methylene bis[4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl)-6-(2H-benzotriazol-2-yl)phenol])、2-(3,5-二-三級丁基-2-羥基苯基)-5-氯苯并三唑(2-(3,5-di-tert-butyl-2-hydroxyphenyl)-5-chlorobenzotriazole)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-對-甲酚(2-(2H-benzotriazol-2-yl)-p-cresol)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚(2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(1-methyl-1-phenylethyl)phenol)、2-苯并三唑-2-基-4,6-二-三級丁基苯 酚(2-benzotriazol-2-yl-4,6-di-tert-butylphenol)、2-[5-氯(2H)-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(三級丁基)苯酚(2-[5-chloro(2H)-benzotriazol-2-yl]-4-methyl-6-(tert-butyl)phenol)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二-三級丁基苯酚(2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-di-tert-butylphenol)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚(2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氫鄰苯二甲醯亞胺基甲基)苯酚(2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-methyl-6-(3,4,5,6-tetrahydrophthalimidyl methyl)phenol)、3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸甲酯(methyl 3-(3-(2H-benzotriazol-2-yl)-5-tert-butyl-4-hydroxy phenyl)propionate)/聚乙二醇(polyethyleneglycol)300之反應生成物、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(直鏈及側鏈十二烷基)-4-甲基苯酚(2-(2H-benzotriazol-2-yl)-6-(linearandsidechaindodecyl)-4-methyl phenol)等。作為如此之苯并三唑系紫外線吸收劑之市售品,例如可列舉:ADEKA公司製之「ADEKA STAB LA-31」、CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製之「TINUVIN 326」等。
作為甲亞胺系紫外線吸收劑,可例示例如記載於日本專利第3366697號公報之材料,作為市售品例如可列舉:ORIENT化學公司製之「BONASORB UA-3701」等。
作為吲哚系紫外線吸收劑,可例示例如記載於日本專利第2846091號公報之材料,作為市售品例如可列舉:ORIENT化學工業公司製之「BONASORB UA-3911」、「BONASORB UA-3912」等。
作為酞青系紫外線吸收劑,可例示例如記載於日本專利第4403257號公報、日本專利第3286905號公報之材料,作為市售品例如可列舉:山田化學工業公司製之「FDB001」、「FDB002」等。
作為更佳的紫外線吸收劑,可列舉:屬於三
Figure 106141672-A0305-02-0016-22
系紫外線吸收劑之ADEKA公司製之「LA-F70」;屬於甲亞胺系紫外線吸收劑之ORIENT化學工業公司製之「UA-3701」;以及屬於苯并三唑系紫外線吸收劑之BASF公司製之「TINUVIN 326」與ADEKA公司製之「LA-31」。由於此些材料於波長390nm附近之紫外線吸收能力尤其優異,故即使份量少,亦可特別降低基材層100之於波長390nm之光線穿透率。
紫外線吸收劑亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
於中間層130之樹脂中之紫外線吸收劑之份量以3重量%以上為佳,以4重量%以上為較佳,以5重量%以上為更佳,且以20重量%以下為佳,以18重量%以下為較佳,以16重量%以下為更佳。藉由紫外線吸收劑之份量為前述範圍之下限值以上,則可令基材層100有效抑制紫外線之穿透。而且,藉由紫外線吸收劑之份量為前述範圍之上限值以下,則容易提高基材層100之於可見光波長之光線穿透率。而且,於基材層100之製造時,由於可抑制因紫外線吸收劑所致之樹脂的凝膠化,而容易抑制於基材層100之魚眼的發生。於此,所謂的魚眼,意指發生於基材層100內部之異物。
中間層130之樹脂得以更含有任意的成分而組合於聚合 物及紫外線吸收劑。作為任意的成分,例如可列舉:顏料、染料等之著色劑;塑化劑;螢光增白劑;分散劑;熱穩定劑;光穩定劑;抗靜電劑;抗氧化劑;界面活性劑等之摻合劑。此些材料亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
中間層130之厚度以設定成中間層130之厚度T130相對於基材層100之厚度T100之比值T130/T100落入指定範圍中為佳。具體而言,前述之厚度比值T130/T100以1/4以上為佳,以2/4以上為較佳,且以80/82以下為佳,以79/82以下為較佳,以78/82以下為更佳。藉由厚度比值為前述下限值以上,則可令基材層100有效抑制紫外線之穿透。而且,藉由厚度比值為前述上限值以下,由於可增厚第一外側層110及第二外側層120,故可穩定且抑制紫外線吸收劑之滲出,且可容易進行基材層100之製造。
光學堆疊體所含有之各層體之厚度,得以由以下方法量測。以環氧樹脂包埋光學堆疊體,以準備試料片。使用切片機(microtome)將此試料片切成厚度0.05μm。之後,使用顯微鏡觀察藉由切片而呈現之剖面,而得以量測光學堆疊體所含有之各層體之厚度。
〔2.2 第一外側層〕
第一外側層110通常以樹脂形成。此樹脂比起中間層130之樹脂,以紫外線吸收劑之含有率較低為佳,以未含有紫外線吸收劑為較佳。是以,第一外側層110之樹脂以含有聚合物,且視需求而含有紫外線吸收劑以外之任意成分為佳。
作為第一外側層110之樹脂所含有之聚合物,得以使用 選自作為中間層130之樹脂所含有之聚合物而說明之範圍之任意聚合物。藉此,可獲得與中間層130之樹脂所含有之聚合物之說明中所記載者相同的優點。其中,作為第一外側層110之樹脂所含有之聚合物,以使用與中間層130之樹脂所含有之聚合物相同的聚合物為佳。藉此,容易提升中間層130與第一外側層110之接合強度,且容易抑制於中間層130與第一外側層110之界面之光線反射。
第一外側層110之樹脂中之聚合物之份量,以90.0重量%~100重量%為佳,以95.0重量%~100重量%為較佳。藉由聚合物之份量定於前述範圍中,則可有效提升基材層100之耐濕熱性及機械強度。
第一外側層110之樹脂得以更含有任意的成分而組合於聚合物。作為任意的成分,例如可列舉:與作為中間層130之樹脂所得以含有之任意成分而列舉者同樣的成分。此些材料亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
第一外側層110之厚度以3μm以上為佳,以5μm以上為較佳,以7μm以上為更佳,且以15μm以下為佳,以13μm以下為較佳,以10μm以下為更佳。藉由第一外側層110之厚度為前述範圍之下限值以上,則可有效抑制中間層130所含有之紫外線吸收劑之滲出。而且,藉由第一外側層110之厚度為前述範圍之上限值以下,則可薄化光學堆疊體。
〔2.3 第二外側層〕
第二外側層120通常以樹脂形成。作為此樹脂,得以使用 選自作為第一外側層110之樹脂而說明之範圍之任意樹脂。因此,第二外側層120之樹脂之含有成分及特性,得以適用選自作為第一外側層110之樹脂之含有成分及特性而說明之範圍。藉此,可獲得與第一外側層110之樹脂之說明中所記載者相同的優點。
第二外側層120之樹脂亦可為與第一外側層110之樹脂相異的樹脂,亦可為與第一外側層110之樹脂相同的樹脂。其中,以使用相同樹脂作為第一外側層110之樹脂及第二外側層120之樹脂為佳。藉由使用相同樹脂作為第一外側層110之樹脂及第二外側層120之樹脂,可抑制基材層110之製造成本,且可抑制基材層100之翹曲。
第二外側層120之厚度,得以定為選自作為第一外側層110之厚度範圍而說明之範圍之任意厚度。藉此,可獲得與第一外側層110之厚度範圍之說明中所記載者相同的優點。其中,為了抑制基材層100之翹曲,第二外側層120之厚度定為與第一外側層110相同為佳。
〔2.4 基材層所得以包含之任意層體〕
具備第一外側層110、中間層130及第二外側層120之基材層100,得以視需求而具備上述第一外側層110、中間層130及第二外側層120以外之任意層體。然而,自薄化光學堆疊體之觀點來看,基材層100以不具備任意層體而為三層構造之層體為佳。
〔2.5 基材層之物性及厚度〕
基材層以不僅390nm之波長之紫外線且關於390nm以外之波長之紫外線之穿透率皆為低者為佳。舉例而言,基材層之於波長380nm之光線穿透率以1.5%以下為佳,以1%以下為較佳。藉此,可 更為提升基材層之遮斷紫外線之能力。
基材層以光學各向同性之層體為佳。是以,基材層之面內延遲及厚度方向之延遲以較小者為佳。具體而言,基材層之面內延遲以5nm以下為佳,以4nm以下為較佳,以2nm以下為更佳,理想為0nm。而且,基材層之厚度方向之延遲以15nm以下為佳,以13nm以下為較佳,以10nm以下為更佳。下限無特別限制,雖理想為0nm,但通常為5nm以上。藉由基材層為如此光學各向同性,而在使用於顯示裝置之情況下可抑制顯示影像之著色,且可改善視角特性。
自穩定發揮於光學堆疊體中作為光學組件之功能之觀點來看,基材層以於可見光波長之光線穿透率為高者為佳。舉例而言,於波長400nm~700nm之範圍中之基材層之光線穿透率以85%~100%為佳,以87%~100%為較佳,以90%~100%為更佳。
而且,自將光學堆疊體設置於影像顯示裝置之情況中抑制非意圖影像之顏色附著的觀點來看,基材層以對於特別接近紫外線波長之可見光具有高穿透率為佳。具體而言,於波長430nm之基材層之光線穿透率以80%以上為佳,以85%以上為較佳,以90%以上為更佳,理想為100%。
自提升已組合光學堆疊體之影像顯示裝置之影像清晰度之觀點來看,基材層以霧度為小者為佳。基材層之具體霧度以1%以下為佳,以0.8%以下為較佳,以0.5%以下為更佳。霧度得以使用濁度儀以JIS K7361-1997為基準而量測。
基材層所含有揮發性成分之份量,以0.1重量%以下為佳, 以0.05重量%以下為較佳,以0.02重量%以下為更佳。藉由揮發性成分之份量為於前述範圍中,可提升基材層之尺寸穩定性,且可縮小延遲等之光學特性之隨時間而變化之情形。再者,可抑制圓偏光板及影像顯示裝置之劣化,且可長期穩定且良好地保持影像顯示裝置之顯示。於此,揮發性成分為分子量200以下之物質。作為揮發性成分,例如可列舉:殘留單體及溶劑等。揮發性成分之份量作為分子量200以下之物質之總量,得以藉由使用氣相層析術(gas chromatography)之分析而定量。
基材層之飽和吸水率以0.05%以下為佳,以0.03%以下為較佳,以0.01%以下為更佳,理想為0%。藉由基材層之飽和吸水率為如此低,而可抑制基材層之光學特性之隨時間的變化。
基材層之飽和吸水率得以遵循JIS K7209而以下列順序量測。
於50℃乾燥基材層24小時,並放置於乾燥器中冷卻。接下來,量測經過乾燥之基材層之重量(M1)。
於溫度23℃且相對濕度50%之室內中,將此基材層浸漬於水中24小時,用水令基材層飽和。之後,自水中取出基材層,量測於24小時浸漬後之基材層之重量(M2)。
藉由下式而自此些重量之量測值求得基材層之飽和吸水率。
飽和吸水率(%)=[(M2-M1)/M1]×100(%)
基材層之厚度以15μm以上為佳,以20μm以上為較佳,以25μm以上為更佳,且以50μm以下為佳,以45μm以下為較佳, 以40μm以下為更佳。藉由基材層之厚度大於前述之下限值,則可降低基材層之於波長390nm之光線穿透率。而且,藉由基材層之厚度為前述之上限值以下,則可實現光學堆疊體之輕量化及空間節省化。
〔2.6 基材層之製造方法〕
基材層之製造方法未有限制。舉例而言,得以藉由含有將用以形成各層體之樹脂成形為薄膜狀之步驟之製造方法,而製造如圖2所示之具備第一外側層110、中間層130及第二外側層120之基材層100。作為樹脂之成形方法,例如可列舉:共擠出法及共流延法等。此些成形方法中,由於製造效率優異且揮發性成分難以殘留於薄膜中,而以共擠出法為佳。
〔3.光學各向異性層〕
光學各向異性層為具有至少一層液晶硬化層之層體。光學各向異性層亦可具有二層以上之液晶硬化層。而且,光學各向異性層亦可含有任意的層體而組合於液晶硬化層。通常由於液晶硬化層具有光學各向異性,故光學各向異性層亦具有光學各向異性。
〔3.1 液晶硬化層〕
液晶硬化層為使用含液晶化合物之材料之硬化物而形成之層體。於以下說明中,含液晶化合物之前述材料有時稱為「液晶組成物」。然而,此用語「液晶組成物」不僅包含為含有二種以上成分之材料,還包含僅含有一種液晶化合物之材料。
液晶化合物為摻合於液晶組成物而配向之際得以呈現液晶相之化合物。作為如此之液晶化合物,通常可使用聚合性液晶化合物。 於此,所謂的聚合性液晶化合物,為以呈現液晶相之狀態下聚合於液晶組成物中而得以成為於液晶相中維持分子配向之聚合物之液晶化合物。
作為聚合性液晶化合物,可列舉:具聚合性基團之液晶化合物、得以形成側鏈型液晶聚合物之化合物、圓盤狀液晶化合物等之化合物,其中以藉由照射可見光、紫外線及紅外線等之光線而得以聚合之光聚合性化合物為佳。作為具聚合性基團之液晶化合物,例如可列舉:記載於日本專利公開H11-513360號公報、日本專利公開2002-030042號公報、日本專利公開2004-204190號公報、日本專利公開2005-263789號公報、日本專利公開2007-119415號公報、日本專利公開2007-186430號公報等之具聚合性基團之棒狀液晶化合物等。而且,作為側鏈型液晶聚合物化合物,例如可列舉:記載於日本專利公開2003-177242號公報等之側鏈型液晶聚合物化合物等。而且,以製品名列舉較佳液晶化合物之例時,可列舉:BASF公司製之「LC242」等。作為圓盤狀液晶化合物之具體例,被記載於日本專利公開第H8-5020號公報、文獻(C.Destrade et al.,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,vol.71,page 111(1981);日本化學會編,季刊化學總說,No.22,液晶的化學,第5章,第10章第2節(1994);J.Zhang et al.,J.Am.Chem.Soc.,vol.116,page 2655(1994);J.Lehn et al.,J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,page 1794(1985))。液晶化合物亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
液晶化合物亦可為逆向波長色散特性液晶化合物。於此,所謂的逆向波長色散特性液晶化合物,為於平行配向(homogeneous alignment)之情況下顯示逆向波長色散特性之液晶化合物所稱者。而且,所謂的令液晶化合物平行配向,為形成含有該液晶化合物之層體,且將此層體中之液晶化合物之分子之液晶原(mesogen)之長軸方向配向於與前述層體之面平行之某一方向上所稱者。於液晶化合物含有配向方向相異之多種液晶原之情況中,其中最長種類之液晶原進行配向之方向,稱為前述之配向方向。使用如AxoScan(Axometrics公司製)代表之相位差儀量測慢軸方向時,藉由量測每個入射角於慢軸方向之延遲分布,而得以確認液晶化合物是否平行配向及其配向方向。作為液晶組成物所含有之液晶化合物之一部分或全部,藉由使用逆向波長色散性液晶化合物,而可容易獲得顯示逆向波長色散特性之液晶硬化層。
舉例而言,該化合物之分子中,以使用含有主鏈液晶原與結合至前述主鏈液晶原之側鏈液晶原之化合物作為液晶化合物為佳,以使用作為逆向波長色散性液晶化合物為較佳。含有主鏈液晶原及側鏈液晶原之前述逆向波長色散性液晶化合物,於該逆向波長色散性液晶化合物為已配向之狀態中,側鏈液晶原得以配向於與主鏈液晶原相異之方向。於如此情況下,由於發現雙折射現象作為對應於主鏈液晶原之折射率與對應於側鏈液晶原之折射率之差異,故結果為逆向波長色散性液晶化合物於平行配向之情況下,可顯示逆向波長色散特性。
作為具有聚合性之逆向波長色散特性液晶化合物,例如可列舉:由以下式(Ia)所表示之化合物中顯示液晶性之化合物。於以下說明中,由式(Ia)所表示之化合物有時適當稱為「化合物(Ia)」。
Figure 106141672-A0305-02-0025-2
於前述式(Ia)中,A1a表示具有碳數1~67之有機基作為置換基之芳香族烴環基,其中所述碳數1~67之有機基具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環而成之群組之至少一個芳環;或者表示具有碳數1~67之有機基作為置換基之芳香族雜環基,其中所述碳數1~67之有機基具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環而成之群組之至少一個芳環。
作為A1a之具體例,可列舉:被由式:-RfC(=N-N(Rg)Rh)或式:-RfC(=N-N=C(Rf1)Rh)所表示之基團置換之伸苯基(phenylene);被1-苯并呋喃-2-基(1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基(benzothiazole-4,7-diyl);被5-(2-丁基)-1-苯并呋喃-2-基(5-(2-butyl)-1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4,6-二甲基-1-苯并呋喃-2-基(4,6-dimethyl-1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被6-甲基-1-苯并呋喃-2-基(6-methyl-1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4,6,7-三甲基-1-苯并呋喃-2-基(4,6,7-trimethyl-1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4,5,6-三甲基-1-苯并呋喃-2-基(4,5,6-trimethyl-1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被5-甲基-1-苯并呋喃-2-基(5-methyl-1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被5-丙基-1-苯并呋喃-2-基(5-propyl-1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被7-丙基-1-苯并呋喃-2-基(7-propyl-1-benzofuran-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被5-氟-1-苯并呋喃-2-基(5-fluoro-1-benzofuran-2-yl)置 換之苯并噻唑-4,7-二基;被苯基(phenyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-氟苯基(4-fluorophenyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-硝基苯基(4-nitrophenyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-三氟甲基苯基(4-trifluoromethylphenyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-氰基苯基(4-cyanophenyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-甲磺醯基苯基(4-methanesulfonylphenyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被噻吩-2-基(thiophen-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被噻吩-3-基(thiophen-3-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被5-甲基噻吩-2-基(5-methylthiophen-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被5-氯噻吩-2-基(5-chlorothiophen-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被噻吩並[3,2-b]噻吩-2-基(thieno[3,2-b]thiophen-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被2-苯并噻唑基(2-benzothiazolyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-聯苯基團(4-biphenyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-丙基聯苯基團(4-propylbiphenyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-噻唑基(4-thiazolyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被1-苯基乙烯-2-基(1-phenylethylene-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被4-吡啶基(4-pyridyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被2-呋喃基(2-furyl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被萘並[1,2-b]呋喃-2-基(naphtho[1,2-b]furan-2-yl)置換之苯并噻唑-4,7-二基;被5-甲氧基-2-苯并噻唑基(5-methoxy-2-benzothiazolyl)置換之1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基(1H-isoindole-1,3(2H)-dione-4,7-diyl);被苯基置換之1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基;被4-硝基苯基置換之1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基;或者被2-噻唑基(2- thiazolyl)置換之1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮-4,7-二基;等。於此,Rf及Rf1係分別獨立、且表示與後述Q1相同的意義。Rg表示與後述Ay相同的意義,Rh表示與後述Ax相同的意義。
前述式(Ia)中,Y1a~Y8a係分別獨立、且表示化學的單鍵、-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR1a-C(=O)-、-C(=O)-NR1a-、-O-C(=O)-NR1a-、-NR1a-C(=O)-O-、-NR1a-C(=O)-NR1a-、-O-NR1a-或-NR1a-O-。於此,R1a表示氫原子或碳數1~6之烷基。
前述式(Ia)中,G1a及G2a係分別獨立、且表示亦可具有置換基之碳數1~20之二價脂基。而且,前述脂族基亦可於每一個脂族基介入有一個以上的-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR2a-C(=O)-、-C(=O)-NR2a-、-NR2a-或-C(=O)-。然而,排除分別鄰接介入有二個以上-O-或-S-的情況。於此,R2a表示氫原子或碳數1~6之烷基。
前述式(Ia)中,Z1a及Z2a係分別獨立、且表示亦可被鹵素原子置換之碳數2~10之烯基。
前述式(Ia)中,A2a及A3a係分別獨立、且表示亦可具有置換基之碳數3~30之二價脂環烴基。
前述式(Ia)中,A4a及A5a係分別獨立、且表示亦可具有置換基之碳數6~30之二價芳香族基。
前述式(Ia)中,k及l係分別獨立、且表示0或1。
作為逆向波長色散液晶化合物之尤為合適的具體例,可列 舉:由以下式(I)所表示之化合物。
Figure 106141672-A0305-02-0028-4
前述式(I)中,Y1~Y8係分別獨立、且表示化學的單鍵、-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-、-C(=O)-NR1-、-O-C(=O)-NR1-、-NR1-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-NR1-、-O-NR1-或-NR1-O-。於此,R1表示氫原子或碳數1~6之烷基。
前述式(I)中,G1及G2係分別獨立、且表示亦可具有置換基之碳數1~20之二價脂族基。而且,前述脂族基亦可於每一個脂族基介入有一個以上的-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR2-C(=O)-、-C(=O)-NR2-、-NR2-或-C(=O)-。然而,排除分別鄰接介入有二個以上-O-或-S-的情況。於此,R2表示氫原子或碳數1~6之烷基。
前述式(I)中,Z1及Z2係分別獨立、且表示亦可被鹵素原子置換之碳數2~10之烯基。
前述式(I)中,Ax表示具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環而成之群組之至少一個芳環之碳數2~30之有機基。「芳環」意謂遵循休克耳(Hückel)規則之廣義的具芳香性之環狀結構,亦即具有(4n+2)個π電子之環狀共軛結構,以及由噻吩、呋喃、苯并噻唑等所代 表且硫、氧、氮等雜原子之孤電子對參與於π電子系而顯示芳香性之環狀結構。
前述式(I)中,Ay表示氫原子、亦可具有置換基之碳數1~20之烷基、亦可具有置換基之碳數2~20之烯基、亦可具有置換基之碳數3~12之環烷基、亦可具有置換基之碳數2~20之炔基、-C(=O)-R3、-SO2-R4、-C(=S)NH-R9,或者表示具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環而成之群組之至少一個芳環之碳數2~30之有機基。於此,R3表示亦可具有置換基之碳數1~20之烷基、亦可具有置換基之碳數2~20之烯基、亦可具有置換基之碳數3~12之環烷基,或者表示碳數5~12之芳香族烴環基。R4表示碳數1~20之烷基、碳數2~20之烯基、苯基或4-甲基苯基。R9表示亦可具有置換基之碳數1~20之烷基、亦可具有置換基之碳數2~20之烯基、亦可具有置換基之碳數3~12之環烷基,或者表示亦可具有置換基之碳數5~20之芳香族基。具有前述Ax及Ay之芳環亦可具有置換基。而且,前述Ax及Ay亦可一起形成為環。
前述式(I)中,A1表示亦可具有置換基之三價芳香族基。
前述式(I)中,A2及A3係分別獨立、且表示亦可具有置換基之碳數3~30之二價脂環烴基。
前述式(I)中,A4及A5係分別獨立、且表示亦可具有置換基之碳數6~30之二價芳香族基。
前述式(I)中,Q1表示氫原子或亦可具有置換基之碳數1~6之烷基。
前述式(I)中,m係分別獨立、且表示0或1。
作為由式(I)表示之液晶化合物,例如可列舉:記載於國際專利公開第2014/069515號、國際專利公開第2015/064581號等之化合物。
而且,液晶化合物亦可為順向波長色散性液晶化合物。於此,所謂的順向波長色散性液晶化合物,意指於平行配向之情況下顯示順波長色散特性之液晶化合物。作為液晶組成物所含有之液晶化合物之一部分或全部,藉由使用順向波長色散性液晶化合物,而可容易獲得顯示順向波長色散特性之液晶硬化層。
作為具有聚合性之順向波長色散特性液晶化合物,例如可列舉:由以下式(II)所表示之化合物。
R3x-C3x-D3x-C5x-Mx-C6x-D4x-C4x-R4x 式(II)
式(II)中,R3x及R4x分別獨立,且表示反應性基。R3x及R4x例如可列舉:(甲基)丙烯醯基((meth)acryloyl)、環氧基(epoxy)、硫代環氧基(thioepoxy)、氧環丁烷(oxetane)基、硫環丁烷基(thietanyl)、氮丙啶基(aziridinyl)、吡咯基(pyrrolyl)、富馬酸基(fumarate)、桂皮醯基(cinnamoyl)、異氰酸酯(isocyanate)基、異硫氰酸酯(isothiocyanate)基、胺基、羥基、羧基、烷氧矽基(alkoxysilyl)、
Figure 106141672-A0305-02-0030-23
唑啉基(oxazolinyl)、巰基(mercapto)、乙烯基(vinyl)、烯丙基(allyl)等。
於式(II)中,D3x及D4x係分別獨立、且表示選自由單鍵、碳數1~20個之直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基以及碳原子數1~20個之直鏈狀或分支鏈狀之氧化伸烷基而成之群組之基團。
於式(II)中,C3x~C6x係分別獨立、且表示選自由單鍵、-O-、-S-、-S-S-、-CO-、-CS-、-OCO-、-CH2-、-OCH2-、-CH=N-N=CH-、-NHCO-、-OCOO-、-CH2COO-及-CH2OCO-而成之群組之基團。
於式(II)中,Mx表示液晶原基。合適的液晶原基Mx可為非置換或具有置換基,且藉由-O-、-S-、-S-S-、-CO-、-CS-、-OCO-、-CH2-、-OCH2-、-CH=N-N=CH-、-NHCO-、-OCOO-、-CH2COO-、及-CH2OCO-等之鍵結基結合選自由甲亞胺類、氧化偶氮類、苯類、聯苯類、三聯苯類、萘類、蒽類、苯甲酸酯類、環己烷羧酸苯基酯類、氰基苯基環己烷類、氰基置換苯基嘧啶類、烷氧基置換苯基嘧啶類、苯基二
Figure 106141672-A0305-02-0031-24
烷類、二苯乙炔類、烯基環己基苯甲腈類而成之群組之2~4個之主鏈而形成。
作為得以具有液晶原基Mx之置換基,例如可列舉:鹵素原子、亦可具有置換基之碳數1~10之烷基、氰基、硝基、-O-R5x、-O-C(=O)-R5x、-C(=O)-O-R5x、-O-C(=O)-O-R5x、-NR5x-C(=O)-R5x、-C(=O)-NR5xR7x或-O-C(=O)-NR5xR7x。於此,R5x及R7x表示氫原子或碳數1~10之烷基。R5x及R7x為烷基之情況下,亦可於該烷基介入有-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR6x-C(=O)-、-C(=O)-NR6x-、-NR6x-或-C(=O)-(然而,排除分別鄰接介入有二個以上-O-及-S-的情況)。於此,R6x表示氫原子或碳數1~6之烷基。
作為前述「亦可具有置換基之碳數1~10個之烷基」中之置換基,例如可列舉:鹵素原子、羥基、羧基、氰基、胺基、碳原子數1~6個之烷氧基、碳原子數2~8個之烷氧基烷氧基、碳原子數3~15 之烷氧基烷氧基烷氧基、碳原子數2~7個之烷氧基羰基、碳原子數2~7個之烷基羰氧基、碳原子數2~7個之烷氧基羰氧基等。
作為由式(II)表示之液晶化合物,例如可列舉:記載於國際專利公開第2016/002765號等之棒狀液晶性化合物。
而且,液晶化合物亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
液晶組成物中之液晶化合物之份量,可於得以獲得期望液晶硬化層之範圍中任意設定,以1重量%以上為佳,以5重量%以上為較佳,以10重量%以上為更佳,而且以100重量%以下為佳,以80重量%以下為較佳,以60重量%以下為更佳。
液晶組成物亦可含有任意的成分而組合於液晶化合物中。作為任意的成分,例如可列舉:聚合起始劑、界面活性劑、溶劑、金屬、金屬錯合物、染料、顏料、螢光材料、磷光材料、均染劑、觸變劑、膠凝劑、多醣類、紅外線吸收劑、抗氧化劑、離子交換樹脂、氧化鈦等之金屬氧化物等。關於任意的成分得以參照國際專利公開第2015/064581號。
液晶硬化層為由含有前述液晶化合物之液晶組成物之硬化物而形成之層體,通常含有得以自液晶化合物獲得之硬化液晶分子。於此,所謂的「硬化液晶分子」,意謂將得以呈現液晶相之化合物於呈現液晶相之狀態就此固體化之際之該化合物分子。液晶硬化層所含有之硬化液晶分子通常為令液晶化合物聚合而成之聚合物。是以,液晶硬化層通常含有令液晶化合物聚合而成之聚合物,且作成視需求而得以含有 任意成分之樹脂層體。而且,如此之液晶硬化層得以具有依照前述硬化液晶分子之配向狀態的光學各向異性。液晶硬化層光學各向異性可藉由面內延遲而表示。液晶硬化層之具體的面內延遲,可依照光學各向異性層應具有之面內延遲而設定。
於有效抑制因紫外線所致之液晶硬化層之光學特性變化之觀點中,液晶硬化層為難以吸收紫外線之層體為佳。是以,液晶硬化層為以紫外線之穿透率高者為佳。尤其於由基材層妨礙穿透之波長390nm中,若液晶硬化層具有高度光線穿透率,則可尤有效果地抑制該液晶硬化層之光學特性變化。自如此之觀點來看,液晶硬化層之於波長390nm之光線穿透率以70%以上為佳,以80%以上為較佳,以85%以上為更佳。如此於波長390nm具有高度光線穿透率之液晶硬化層,可藉由例如使用順向波長色散特性液晶化合物而實現。
自穩定發揮於光學堆疊體中作為光學組件之功能之觀點來看,液晶硬化層以於可見光波長之光線穿透率為高者為佳。舉例而言,於波長400nm~700nm之範圍中之液晶硬化層之光線穿透率以85%~100%為佳,以87%~100%為較佳,以90%~100%為更佳。
自提升已組合光學堆疊體之影像顯示裝置之影像清晰度之觀點來看,液晶硬化層以霧度為小者為佳。液晶硬化層之具體霧度以1%以下為佳,以0.8%以下為較佳,以0.5%以下為更佳。
液晶硬化層之厚度可於得以令延遲等之光學特性在期望範圍中而適當調整,以0.5μm以上為佳,以1.0μm以上為較佳,且以10μm以下為佳,以7μm以下為較佳,以5μm以下為更佳。
通常可藉由含有於塗布基材上形成液晶組合物之層體之步驟及硬化液晶組成物之層體而獲得液晶硬化層之步驟之製造方法,而製造前述之液晶硬化層。
於此製造方法中,準備塗布基材,且於此塗布基材之表面形成液晶組成物之層體。作為塗布基材,通常使用樹脂薄膜。作為樹脂,可使用熱塑性樹脂。其中,自透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性之觀點來看,以含有含脂環結構之聚合物的樹脂及纖維素酯樹脂為佳。
為了促進於液晶組成物之層體之液晶化合物之配向,亦可於塗布基材之表面施加用以賦予配向調整力之處理。於此,所謂的某個面的配向調整力,為得以令液晶組成物中之液晶化合物配向之此表面之性質所稱者。
作為用以賦予配向調整力之處理,例如可列舉:摩擦處理、配向層形成處理、離子束配向處理、延伸處理等,其中以延伸處理為佳。藉由在適當條件下於塗布基材施加延伸處理,可令塗布基材所含有之聚合物之分子配向。藉此,可於塗布基材之表面賦予令液晶化合物沿塗布基材所含有之聚合物之分子之配向方向配向的配向調整力。
塗布基材之延伸係以賦予塗布基材各向異性,且令該塗布基材發現有慢軸之方式進行者為佳。藉此,通常將令液晶化合物沿與塗布基材之慢軸平行或垂直的方向配向之配向調整力賦予至塗布基材之表面。舉例而言,使用具有正的固有雙折射值之樹脂作為塗布基材之材料的情況下,由於通常發現有因塗布基材所含有之聚合物分子沿延伸方向配向所致之平行於延伸方向之慢軸,故將令液晶化合物沿與塗布基材 之慢軸平行的方向配向之配向調整力賦予至塗布基材之表面。因此,塗布基材之延伸方向得以按照以令液晶化合物配向之方式訂定之期望的配向方向而設定。
延伸倍率得以設定成令延伸後之塗布基材之雙折射△n成為期望範圍。延伸後之塗布基材之雙折射△n以0.000050以上為佳,以0.000070以上為較佳,且以0.007500以下為佳,以0.007000以下為較佳。藉由延伸後之塗布基材之雙折射△n為前述範圍之下限值以上,則可於該塗布基材之表面賦予良好的配向調整力。前述之延伸得以使用拉幅延伸機等之延伸機進行。
作為如前所述之塗布基材,以使用長條狀薄膜為佳。藉由使用作為塗布基材之長條狀薄膜,則可提升液晶硬化層之生產性。此時,自容易提升生產性、薄型化及輕量化之觀點來看,塗布基材之厚度以1μm以上為佳,以5μm以上為較佳,以30μm以上為更佳,且以1000μm以下為佳,以300μm以下為較佳,以100μm以下為更佳。
液晶組成物之層體的形成係通常藉由塗布法進行。具體而言,於塗布基材之表面塗布液晶組成物,而形成液晶組成物之層體。作為塗布方法,例如可列舉:簾式塗布法、擠出塗布法、輥塗法、旋塗法、浸塗法、棒塗法、噴塗法、斜板塗布法、印刷塗布法、凹版塗布法、模塗法、間隙塗布法及浸漬法。所塗布之液晶組成物之層體之厚度,得以按照液晶硬化層所要求之期望厚度而適當設定。
於形成液晶組成物之層體之後,亦可視需求而進行令液晶組成物之層體乾燥之步驟。此乾燥得以使用自然乾燥、加熱乾燥、減壓 乾燥、減壓加熱乾燥等之乾燥方法而達成。藉由此乾燥,可自液晶組成物之層體去除溶劑。
而且,於形成液晶組成物之層體之後,亦可視需求而進行令該層所含有之液晶化合物配向之步驟。於此步驟中,通常藉由對於液晶組成物之層體施加配向處理,而令液晶化合物沿著按照塗布基材之表面之配向調整力之方向配向。配向處理通常藉由將液晶組成物之層體加熱至指定溫度而進行。此配向處理之條件得以按照所使用之液晶組成物之性質而適當設定。列舉配向處理之條件之具體例時,得以定為於50℃~160℃之溫度條件中持續處理30秒鐘~5分鐘之條件。
然而,液晶化合物之配向可能有藉由液晶組成物之塗布而即刻達成之情況。因此,即使於欲令液晶化合物配向之情況下,亦可不必對液晶組成物之層體施加配向處理。
於進行視需求之液晶組成物之層體的乾燥及液晶化合物之配向之後,進行令前述液晶組成物之層體硬化而獲得液晶硬化層之步驟。於此步驟中,通常令液晶化合物聚合而令液晶組成物之層體硬化。作為液晶化合物之聚合方法,得以選擇適合於液晶組成物所含有之成分之性質的方法。作為聚合方法,例如可列舉:照射活性能量射線之方法及熱聚合法。其中,由於不需要加熱而可於室溫令聚合反應進行,而以照射活性能量射線之方法為佳。於此,所照射之活性能量射線得以包含可見光、紫外線及紅外線等之光線,以及得以包含電子束等之任意的能量射線。
其中,因操作簡便,而以照射紫外線等之光線的方法為佳。 紫外線照射時之溫度以定為塗布基材之玻璃轉移溫度以下為佳,以150℃以下為佳,以100℃以下為較佳,以80℃以下為更佳。紫外線照射時之溫度之下限得以定為15℃以上。紫外線之照射強度以0.1mW/cm2以上為佳,以0.5mW/cm2以上為較佳,且以1000mW/cm2以下為佳,以600mW/cm2以下為較佳。
〔3.2 光學各向異性層所得以含有之任意層體〕
光學各向異性層亦可含有任意的層體而組合於液晶硬化層。舉例而言,光學各向異性層亦可含有作為任意層體之相位差膜層。相位差膜層為由液晶液化物以外之材料形成且具有光學各向異性之層體,通常具有指定的面內延遲。藉由與液晶硬化層組合而使用相位差膜層,則可於廣泛的範圍中調製光學各向異性層之光學特性。
作為相位差膜層,通常使用由樹脂形成之延伸薄膜。此延伸薄膜為對樹脂薄膜施加延伸處理而獲得之薄膜,該薄膜中之聚合物藉由前述之延伸處理而配向。因此,延伸薄膜可具有按照聚合物之配向之光學各向異性。
作為形成相位差膜層之樹脂,得以使用聚合物與視需求而含有聚合物以外之任意成分之樹脂。
作為聚合物,例如得以使用選自作為基材層之樹脂所含有之聚合物而說明之範圍之任意聚合物。而且,相位差膜層之樹脂中之聚合物的份量,以90.0重量%~100重量%為佳,以95.0重量%~100重量%為較佳。藉由聚合物之份量定於前述範圍中,則可有效提升相位差膜層之耐濕熱性及機械強度。
而且,作為任意的成分,例如可列舉:與作為基材層之樹脂所得以含有之任意成分而列舉者同樣的成分。此些材料亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
相位差膜層之厚度以10μm以上為佳,以13μm以上為較佳,以15μm以上為更佳,且以60μm以下為佳,以58μm以下為較佳,以55μm以下為更佳。藉由相位差膜層之厚度為前述範圍之下限值以上,則可發現有期望的延遲,而且藉由相位差膜層之厚度為前述範圍之上限值以下,則可予以薄膜化。
再者,光學各向異性層亦可含有作為任意層體之黏合層、接合層等。
〔3.3 光學各向異性層之光學特性〕
光學各向異性層為具有按照光學堆疊體之用途之光學特性之層體。是以,光學各向異性層得以具有按照光學堆疊體之用途之任意的光學特性。
舉例而言,光學各向異性層亦可為用以作為λ/2板之功能的層體。於此,所謂用以作為λ/2板之功能的層體,為於波長550nm具有指定範圍之面內延遲之層體所稱者。具體而言,用以作為λ/2板之功能的層體之於波長550nm之面內延遲,以240nm以上為佳,以250nm以上為較佳,且以300nm以下為佳,以280nm以下為較佳,以265nm以下為更佳。
如前所述之用以作為λ/2板之功能的光學各向異性層,可例如作為僅含用以作為λ/2板之功能的液晶硬化層之層體而實現。
而且,光學各向異性層亦可為用以作為λ/4板之功能的層體。於此,所謂用以作為λ/4板之功能的層體,為於波長550nm具有指定範圍之面內延遲之層體所稱者。具體而言,用以作為λ/4板之功能的層體之於波長550nm之面內延遲,以110nm以上為佳,以120nm以上為較佳,以125nm以上為更佳,且以165nm以下為佳,以155nm以下為較佳,以150nm以下為更佳。藉由將用以作為λ/4板之功能的光學堆疊體與直線偏光件組合,則可獲得圓偏光板。
如前所述之用以作為λ/4板之功能的光學各向異性層,可例如作為僅含用以作為λ/4板之功能的液晶硬化層之層體而實現。
用以作為λ/4板之功能的光學各向異性層,尤以為用以作為寬帶λ/4板之功能之層體為佳。於此,所謂用以作為寬帶λ/4板之功能之層體,係指用以作為λ/4板之功能之層體且為顯示逆向波長色散特性之層體。用以作為寬帶λ/4板之功能之層體,由於在寬廣波長範圍中可發揮用以作為λ/4板之功能,故於將光學堆疊體設置於影像顯示裝置之情況中,尤可抑制自正面方向觀察之影像之非意圖顏色附著。而且,藉由將包含用以作為寬帶λ/4板之功能之光學各向異性層之光學堆疊體與直線偏光件組合,則可實現在寬廣波長範圍中具有功能之圓偏光板。
如前所述之用以作為寬帶λ/4板之功能之光學各向異性層,可例如作為僅含有使用逆向波長色散性液晶化合物而製造之用以作為λ/4板之功能液晶硬化層之層體而實現。
而且,用以作為寬帶λ/4板之功能之光學各向異性層,可例如作為多層構造之層體而實現,所述多層構造包含用以作為λ/4板及 λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層,以及包含用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體。舉具體例而言,可組合用以作為λ/4板之功能之液晶硬化層及用以作為λ/2板之功能之液晶硬化層,而實現用以作為寬帶λ/4板之功能之光學各向異性層。另舉例而言,可組合用以作為λ/4板之功能之液晶硬化層及用以作為λ/2板之功能之相位差膜層,而實現用以作為寬帶λ/4板之功能之光學各向異性層。再舉例而言,可組合用以作為λ/4板之功能之相位差膜層及用以作為λ/2板之功能之液晶硬化層,而實現用以作為寬帶λ/4板之功能之光學各向異性層。
一般而言,組合具有相對於某基準方向夾成角度θλ/4之慢軸的λ/4板與具有相對於前述基準方向夾成角度θλ/2之慢軸的λ/2板而成之多層薄膜,於滿足式(X):「θλ/4=2θλ/2+45°」之情況下,此多層薄膜可成為寬帶λ/4板,所述寬帶λ/4板得以對於寬廣波長範圍中之穿透該多層薄膜之正面方向的光線提供其光波長之約1/4波長之面內延遲(參照日本專利公開第2007-004120號公報)。是以,自組合用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層及用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體而獲得用以作為寬帶λ/4板之功能之光學各向異性層之觀點來看,用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸與用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸之間,以滿足接近於前述式(X)所表示之關係為佳。自如此觀點來看,用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸與用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸所夾成之交叉角,以55°以上為佳,以57°以上為較佳,以59°以上為更佳, 且以65°以下為佳,以63°以下為較佳,以61°以下為更佳。
而且,自光學堆疊體為長條狀薄膜之場合且能製造使用輥對輥法而與長條狀的直線偏光件貼合之圓偏光板之觀點來看,用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸與用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸間的關係,以滿足下列(X1)、(X2)及(X3)之任一關係為佳。
(X1)用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸相對於光學堆疊體之幅寬方向而夾成之配向角,以75°±5°為佳,以75°±3°為較佳,以75°±1°為更佳,且用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸相對於光學堆疊體之幅寬方向而夾成之配向角,以15°±5°為佳,以15°±3°為較佳,以15°±1°為更佳。
(X2)用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸相對於光學堆疊體之幅寬方向而夾成之配向角,以15°±5°為佳,以15°±3°為較佳,以15°±1°為更佳,且用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸相對於光學堆疊體之幅寬方向而夾成之配向角,以75°±5°為佳,以75°±3°為較佳,以75°±1°為更佳。
(X3)用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸相對於光學堆疊體之幅寬方向而夾成之配向角,以22.5°±5°為佳,以22.5°±3°為較佳,以22.5°±1°為更佳,且用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸相對於光學堆疊體之 幅寬方向而夾成之配向角,以90°±5°為佳,以90°±3°為較佳,以90°±1°為更佳。
一般而言,長條狀之直線偏光件具有於其幅寬方向之偏光穿透軸。是以,滿足前述(X1)、(X2)及(X3)之任一關係之場合中,由於可藉由令光學堆疊體之λ/2板及直線偏光件之二者縱向方向平行而貼合二者以獲得圓偏光板,故令使用輥對輥法製造圓偏光板之方式成為可能。
於此,令用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸相對於光學堆疊體之幅寬方向夾成前述配向角之方向,通常與用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸相對於光學堆疊體之幅寬方向夾成前述配向角之方向為相同方向。因此,例如自厚度方向觀看,於用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸相對於光學堆疊體之幅寬方向以順時針方向夾成前述配向角之情況下,用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸通常相對於光學堆疊體之幅寬方向以順時針方向夾成前述配向角。
自穩定發揮於光學堆疊體中作為光學組件之功能之觀點來看,光學各向異性層以於可見光波長之光線穿透率為高者為佳。舉例而言,於波長400nm~700nm之範圍中之光學各向異性層之光線穿透率以85%~100%為佳,以87%~100%為較佳,以90%~100%為更佳。
自提升已組合光學堆疊體之影像顯示裝置之影像清晰度之觀點來看,光學各向異性層以霧度為小者為佳。光學各向異性層之具 體霧度以1%以下為佳,以0.8%以下為較佳,以0.5%以下為更佳。
光學各向異性層之厚度可於得以令延遲等之光學特性在期望範圍中而適當調整,以0.5μm以上為佳,以1.0μm以上為較佳,以1.2μm以上為更佳,且以100μm以下為佳,以80μm以下為較佳,以60μm以下為更佳。
〔3.4 光學各向異性層之製造方法〕
光學各向異性層之製造方法可為任意的製造方法。舉例而言,以上述方法使用液晶組成物於塗布基材上製造液晶硬化層之後,視需要剝離塗布基材,而可製造僅由一層之液晶硬化層而成之光學各向異性層。而且,舉例而言,於準備液晶硬化層及任意層體之後,視需要使用黏合劑或接合劑貼合液晶硬化層及任意層體,而可製造含有液晶硬化層及任意層體之光學各向異性層。
〔4.光學堆疊體所得以含有之任意層體〕
光學堆疊體得以更含有任意的層體而組合於上述基材層及光學各向異性層。作為任意層體可列舉有導電層。如此具備導電層之光學堆疊體可使用作為薄膜感測器組件。將光學堆疊體設置於觸控面板或影像顯示裝置而作為薄膜感測器組件之情況下,導電層得以作為觸控面板之電極、配線等之電路組件之功能。
導電層通常設置於基材層之單面或雙面。此時,若以樹脂形成基材層,則此基材層比玻璃基材更難破裂。是以,具備導電層之光學堆疊體可使用作為機械耐久性優異之薄膜感測器組件。而且,一般樹脂製之基材層之可撓性優異。是以,藉由使用具備導電層之光學堆疊體 作為薄膜感測器組件,而可實現手指輸入為圓滑的觸控面板。尤其,若使用由包含含有脂環結構之聚合物之樹脂所形成之基材層,則由於可活用此聚合物之優異耐熱性及低吸濕性,而可獲得於高溫或高濕之環境中難以發生翹曲等之變形的薄膜感測器組件。其中,若使用玻璃轉移溫度高之材料作為樹脂,則可更有效果地獲得前述優點。
舉例而言,得以使用包含選自由導電性金屬氧化物、導電性奈米線、金屬網及導電性聚合物而成之群組之至少一種導電材料之層體作為導電層。
作為導電性金屬氧化物,例如可列舉:ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、ZnO(氧化鋅)、IWO(氧化銦鎢)、ITiO(氧化銦鈦)、AZO(氧化鋁鋅)、GZO(氧化鎵鋅)、XZO(鋅系特殊氧化物)、IGZO(氧化銦鎵鋅)等。其中,自光線穿透性及耐久性之觀點來看,尤以ITO為佳。此些材料亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
含有導電性金屬氧化物之導電層,係得以藉由蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、離子束輔助蒸鍍法、電弧放電電漿蒸鍍法、熱CVD法、電漿CVD法、鍍金法及此些組合等之成膜方法而形成。其中,以蒸鍍法、濺射法為佳,以濺射法為更佳。於濺射法中,由於可形成厚度均勻的導電層,故可抑制於導電層產生局部較薄的部分。
所謂的導電性奈米線,意指其形狀為針狀或絲狀且外徑為奈米尺度之導電性物質。導電性奈米線亦可為直線狀,亦可為曲線狀。如此之導電性奈米線藉由導電性奈米線彼此形成間隙而成為網目狀,即 使為少量的導電性奈米線亦可形成良好的導電路徑,而可實現電阻為小的導電層。而且,導電性奈米線藉由成為網目狀,由於在網目的間隙形成開口部,而可獲得光線穿透率為高的導電層。再者,藉由使用含有導電性奈米線之導電層,通常可獲得耐曲折性優異的光學堆疊體。
導電性奈米線之粗細d及長度L之比值(縱橫比:L/d)以10~100,000為佳,以50~100,000為較佳,以100~10,000為更佳。若使用如此之縱橫比為大之導電性奈米線,導電性奈米線為良好地交叉,而可發現由少量的導電性奈米線所致之高度導電性。其結果,可獲得透明性優異的光學堆疊體。於此,所謂「導電性奈米線之粗細」,於導電性奈米線之剖面為圓形之情況中意謂其直徑,於導電性奈米線之剖面為橢圓形之情況中意謂其短徑,於為多角形之情況中意謂最長對角線。導電性奈米線之粗細及長度,得以藉由掃描式電子顯微鏡或穿透式電子顯微鏡而量測。
導電性奈米線之粗細以未達500nm為佳,以未達200nm為較佳,以10nm~100nm為更佳,尤以10nm~50nm為佳。藉此,可提升導電層之透明性。
導電性奈米線之長度以2.5μm~1000μm為佳,以10μm~500μm為較佳,以20μm~100μm為更佳。藉此,可提升導電層之導電性。
作為導電性奈米線,例如可列舉:由金屬構成之金屬奈米線、含奈米碳管之導電性奈米線等。
於導電層中相對於導電層之總重量,導電性奈米線之比例 以80重量%~100重量%為佳,以85重量%~99重量%為較佳。藉此,可獲得導電性及光線穿透性優異的導電層。
藉由塗布將導電性奈米線分散於溶劑中而獲得之導電性奈米線分散液,且令其乾燥,而得以製造含有導電性奈米線之導電層。
所謂的金屬網,係形成為格子狀的金屬細線。作為金屬網所含有之金屬,以具高導電性之金屬為佳。作為適當的金屬例,可列舉有金、鉑、銀及銅。其中以銀、銅及金為佳,以銀為較佳。此些金屬亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
舉例而言,塗布含有銀鹽之導電層形成用組成物,藉由曝光處理及顯影處理,而將金屬細線形成為指定的格子圖案,藉此可形成含有金屬網之導電層。而且,亦可藉由將含有金屬微粒子之導電層形成用組成物印刷成指定圖案,而可形成包含金屬網之導電層。關於如此之導電層及其形成方法之細節,得以參照日本專利公開第2012-18634號公報、日本專利公開第2003-331654號公報。
作為導電性聚合物,例如可列舉:聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚對伸苯系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚對伸苯伸乙烯系聚合物、聚吡咯系聚合物、聚苯系聚合物、以丙烯酸聚合物改質之聚酯系聚合物等。其中,以聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚對伸苯系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚對伸苯伸乙烯系聚合物及聚吡咯系聚合物為佳。在其中,尤以聚噻吩系聚合物為佳。藉由使用聚噻吩系聚合物,則可獲得透明性及化學穩定性優異的導電層。作為聚噻吩系聚合物之具體例,可列舉:聚噻吩(polythiophene);聚(3-己基噻吩)(poly(3-hexyl thiophene))等之聚(3-C1-8烷基-噻吩)(poly(3-C1-8 alkyl-thiophene));聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)(poly(3,4-ethylene dioxy thiophene))、聚(3,4-伸丙基二氧噻吩)(poly(3,4-propylene dioxy thiophene))、聚[3,4-(1,2-亞環己基)二氧噻吩](poly[3,4-(1,2-cyclohexylene)dioxy thiophene]等之聚(3,4-(環)伸烷基二氧噻吩)(poly(3,4-(cyclo)alkylene dioxy thiophene));聚噻吩乙烯(poly thienylene vinylene)等。
而且,前述導電性聚合物亦可單獨使用一種,亦可用任意比例組合二種以上使用。
舉例而言,得以藉由塗布含有導電性聚合物之導電性組成物且予以乾燥,而形成包含導電性聚合物之導電層。關於包含導電性聚合物之導電層,得以參照日本專利公開第2011-175601號公報。
導電層雖亦可形成於光學堆疊體之面內方向之整體,但亦可令其圖案化成指定的圖案。導電層之圖案之形狀,以良好作動作為觸控面板(例如電容式觸控面板)之圖案為佳,例如可列舉:記載於國際專利申請公表第2011-511357號公報、日本專利公開第2010-164938號公報、日本專利公開第2008-310550號公報、國際專利申請公表第2003-511799號公報、國際專利申請公表第2010-541109號公報之圖案。
導電層之表面電阻值以2000Ω/□以下為佳,以1500Ω/□以下為較佳,以1000Ω/□以下為更佳。藉由導電層之表面電阻值為如此之低,而可實現使用光學堆疊體作為薄膜感測器組件之高性能的觸控 面板。導電層之表面電阻值之下限無特別限制,因容易製造而以100Ω/□以上為佳,以200Ω/□以上為較佳,以300Ω/□以上為更佳。
導電層之於波長400nm~700nm之範圍中之光線穿透率以85%以上為佳,以90%以上為較佳,以95%以上為更佳。
導電層之厚度以0.01μm~10μm為佳,以0.05μm~3μm為較佳,以0.1μm~1μm為更佳。
而且,作為光學堆疊體得以具備之任意層體,例如可列舉有黏合層、接合層等。
〔5.光學堆疊體之特性及尺寸〕
光學堆疊體由於具備妨礙紫外線穿透之基材層,該光學堆疊體對於紫外線具有高度耐受性。因此,即使光學堆疊體受到含有紫外線之光線照射,其面內延遲之變化亦小。尤其是上述光學堆疊體於可見光波長範圍中,能縮小其面內延遲之變化。因此,可抑制具備此光學堆疊體之影像顯示裝置之顯示性能因紫外線降低,例如能抑制藉由因紫外線之劣化導致影像發生非意圖的顏色附著。
具體而言,光學堆疊體之於氙氣燈曝光前之於波長450nm之面內延遲Re0(450)、光學堆疊體之於氙氣燈曝光前之於波長550nm之面內延遲Re0(550)、光學堆疊體之於氙氣燈曝光300小時後之於波長450nm之面內延遲Re300(450)及光學堆疊體之於氙氣燈曝光300小時後之於波長550nm之面內延遲Re300(550)滿足下列式(1)及式(2)。
0.95≦Re300(450)/Re0(450)≦1.05 (1)
0.95≦Re300(550)/Re0(550)≦1.05 (2)
關於式(1),若更詳細描述,則Re300(450)/Re0(450)通常為0.95以上,以0.96以上為佳,以0.97以上為較佳,且通常為1.05以下,以1.04以下為佳,以1.03以下為較佳。
而且,關於式(2),若更詳細描述,則Re300(550)/Re0(550)通常為0.95以上,以0.96以上為佳,以0.97以上為較佳,且通常為1.05以下,以1.04以下為佳,以1.03以下為較佳。
再者,光學堆疊體之於氙氣燈曝光前之於波長650nm之面內延遲Re0(650)及光學堆疊體之於氙氣燈曝光300小時後之於波長650nm之面內延遲Re300(650)滿足下列式(3)。
0.95≦Re300(650)/Re0(650)≦1.05 (3)
關於式(3),若更詳細描述,則Re300(650)/Re0(650)通常為0.95以上,以0.96以上為佳,以0.97以上為較佳,且通常為1.05以下,以1.04以下為佳,以1.03以下為較佳。
於此,前述所謂的氙氣燈曝光,意謂自氙氣燈對於光學堆疊體之基材層側之表面照射光線。作為前述之氙氣燈,係使用於波長420nm之分光放射照度為0.8W/m2/nm且與波長300nm~400nm之積算量為48W/m2之氙氣燈。
而且,由於光學堆疊體對於紫外線具有高度耐受性,故可抑制因紫外線所致之光學堆疊體之波長色散特性之程度之變化。於此,波長色散特性之程度可藉由於波長450nm及550nm之面內延遲 Re(450)及Re(550)之Re(450)/Re(550)。因此,即使受到含有紫外線之光線照射,前述光學堆疊體之面內延遲之比值Re(450)/Re(550)亦難以發生大幅變化。具體而言,可縮小氙氣燈曝光前之光學堆疊體之面內延遲之比值Re0(450)/Re0(550)與氙氣燈曝光300小時後之光學堆疊體之面內延遲之比值Re300(450)/Re300(550)之差值的絕對值|{Re300(450)/Re300(550)}-{Re0(450)/Re0(550)}|。而且,可令氙氣燈曝光前之光學堆疊體之面內延遲之比值Re0(450)/Re0(550)與氙氣燈曝光300小時後之光學堆疊體之面內延遲之比值Re300(450)/Re300(550)之差值的比值{Re300(450)/Re300(550)}/{Re0(450)/Re0(550)}接近於1。
而且,由於光學堆疊體對於紫外線具有高度耐受性,故即使受到含有紫外線之光線照射,通常亦難以發生著色。具體而言,可抑制即使光學堆疊體於300小時之氙氣燈曝光之後,亦可抑制因劣化所致之液晶硬化層之黃變。
如前所述之可抑制因紫外線所致之光學特性變化及著色,於光學堆疊體含有導電層之情況下尤為有用。含有導電層之光學堆疊體能使用作為觸控面板用之薄膜感測器組件。一般而言,觸控面板用之薄膜感測器組件容易曝露在含有紫外線之外部光線之照射,尤於外掛式(out cell)觸控面板中此傾向顯著。相對於此,藉由基材層而提升對於紫外線之耐受性之前述光學堆疊體,由於即使曝露於外部光線亦可抑制光學特性變化及著色,故能實現觸控面板之長壽命化。
自穩定發揮作為光學組件之功能的觀點來看,光學堆疊體以於可見光之光線穿透率為高者為佳。舉例而言,於波長400nm~700 nm之範圍之光學堆疊體之光線穿透率以85%~100%為佳,以87%~100%為較佳,以90%~100%為更佳。
自提升已組合光學堆疊體之影像顯示裝置之影像清晰度之觀點來看,光學堆疊體以霧度為小者為佳。光學堆疊體之具體霧度以1%以下為佳,以0.8%以下為較佳,以0.5%以下為更佳。
光學堆疊體之厚度以1.0μm以上為佳,以3.0μm以上為較佳,以5.0μm以上為更佳,且以100μm以下為佳,以90μm以下為較佳,以80μm以下為更佳。
光學堆疊體亦可具有長條狀之形狀,亦可具有單片狀之形狀。光學堆疊體通常製造成作為具有長條狀之形狀之組件。接下來,於將長條狀的光學堆疊體貼合於直線偏光件而獲得圓偏光板之後,將此圓偏光板切出成單片狀之形狀。
〔6.光學堆疊體之製造方法〕
光學堆疊體之製造方法可為任意的製造方法。舉例而言,於準備基材層及光學各向異性層之後,視需要使用黏合劑或接合劑貼合基材層及光學各向異性層,而可製造光學堆疊體。如此之貼合以使用長條狀的基材層及長條狀的光學各向異性層藉由輥對輥法進行者為佳。
尤其於製造具備導電層之光學堆疊體之情況下,亦可於貼合基材層及光學各向異性層之後形成導電層。然而,於形成導電層之際不對光學各向異性層造成損傷之觀點中,以於基材層上形成導電層之後,進行與光學各向異性層之貼合為佳。
〔7.圓偏光板〕
藉由將上述光學堆疊體組合於直線偏光件,而可獲得圓偏光板。如此的圓偏光板具備光學堆疊體及直線偏光件,且得以視需求更具備任意層體。此時,圓偏光板亦可依序具備直線偏光件、基材層及光學各向異性層,而且亦可依序具備直線偏光件、光學各向異性層及基材層。
舉例而言,藉由具備用以作為λ/4板之功能之光學各向異性層之光學堆疊體,以其光學各向異性層之慢軸方向與直線偏光件之偏光穿透軸夾成指定角度之方式,組合於直線偏光件,而可獲得圓偏光板。於此,前述之特定角度,以45°±5°為佳,以45°±3°為較佳,以45°±1°為更佳。
尤其是光學堆疊體以滿足下列(X4)、(X5)及(X6)之任一關係之方式組合於直線偏光件者為佳,其中所述光學堆疊體具備用以作為寬帶λ/4板之功能之光學各向異性層,所述光學各向異性層含有用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸與用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體。藉此,可獲得可在寬廣波長範圍具有功能的圓偏光板。
(X4)用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸相對於直線偏光件之偏光穿透軸而夾成之角度,以75°±5°為佳,以75°±3°為較佳,以75°±1°為更佳,且用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸相對於直線偏光件之偏光穿透軸而夾成之角度,以15°±5°為佳,以15°±3°為較佳,以15°±1°為更佳。
(X5)用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸相對於直線偏光件之偏光穿透軸而夾成之角度,以15°±5°為佳,以15°±3°為較佳,以15°±1°為更佳,且用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸相對於直線偏光件之偏光穿透軸而夾成之角度,以75°±5°為佳,以75°±3°為較佳,以75°±1°為更佳。
(X6)用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能之液晶硬化層之慢軸相對於直線偏光件之偏光穿透軸而夾成之角度,以22.5°±5°為佳,以22.5°±3°為較佳,以22.5°±1°為更佳,且用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能之層體之慢軸相對於直線偏光件之偏光穿透軸而夾成之角度,以90°±5°為佳,以90°±3°為較佳,以90°±1°為更佳。
而且舉例而言,藉由具備用以作為λ/2板之功能之光學各向異性層之光學堆疊體,與得以作為λ/4板之功能之任意層體共同組合於直線偏光件,而可獲得圓偏光板。具體而言,具備用以作為λ/2板之功能之光學各向異性層之光學堆疊體,與得以作為λ/4板之功能之任意層體組合而獲得寬帶λ/4板,藉由將此寬帶λ/4板組合於直線偏光件,而能獲得圓偏光板。此時,以將寬帶λ/4板之λ/2板配置於直線偏光件側者為佳,各層體之慢軸及偏光穿透軸之方向得以設定成與前述(X4)、(X5)及(X6)之關係相同。
與光學堆疊體組合之直線偏光件,為具有偏光穿透軸及偏光吸收軸之光學組件,得以吸收具有與偏光吸收軸平行之振動方向之直 線偏光,且得以令具有與偏光穿透軸平行之振動方向之直線偏光穿透。
作為直線偏光件,得以例如使用對於聚乙烯醇、部分縮醛化聚乙烯醇等之適當的乙烯醇聚合物之薄膜,以適當之順序及方式實施藉由碘元素及二色性染料等之二色性物質之染色處理、延伸處理、交聯處理等之適當的處理而成之薄膜。通常,於用以製造直線偏光件之延伸處理中,由於令薄膜沿縱向方向延伸,故所獲得的直線偏光件中,得以發現平行於該直線偏光件之縱向方向之偏光吸收軸及平行於該直線偏光件之幅寬方向之偏光穿透軸。此直線偏光軸以偏光度優異者為佳。直線偏光件之厚度雖一般為5μm~80μm,但並非限定於此。
圓偏光板組合於光學堆疊體及直線偏光件,更亦可具備保護膜、液晶晶胞用之光學補償膜、有機EL顯示裝置用之反射防止膜等之任意薄膜。作為保護膜之例,可列舉:由含有脂環結構之聚合物、三醋酸纖維素等之纖維素樹脂等而成之樹脂薄膜。而且,作為液晶晶胞用之光學補償膜之例,可列舉:記載於日本專利公開第2008-517344號公報、日本專利公開第2006-285208號公報、日本專利公開第H11-133408號公報等之光學薄膜。再者,作為有機EL顯示裝置用之反射防止膜之例,可列舉:記載於前述專利文獻4~6等之寬帶λ/4板等。而且,圓偏光板更得以具備用以令光學堆疊體與直線偏光件貼合之接合層或黏合層。
圓偏光板製造方法雖為任意方法,但得以例如為貼合光學堆疊體與直線偏光件而製造之方法。如此之貼合以使用長條狀的光學各向異性層及長條狀的基材層藉由輥對輥法進行者為佳。
如前所述之圓偏光板,由於具備可抑制紫外線之穿透之基材層,而可抑制含有光學各向異性層之液晶硬化層因紫外線所致之劣化,更通常亦可抑制直線偏光件因紫外線所致之劣化。因此,此圓偏光板由於具有高度耐光性,故能抑制因紫外線所致之偏光度降低,更可抑制因光線照射所致之著色。
〔8.觸控面板〕
可使用上述圓偏光板而獲得觸控面板。此情況下,作為圓偏光板,通常使用含有導電層者。藉此,可獲得具備含有導電層之圓偏光板的觸控面板。
於此,所謂的觸控面板,係設置於影像顯示裝置,且設置成視需求於參照影像顯示裝置之顯示面所顯示之影像的同時,藉由使用者觸碰於指定位置而進行資訊輸入之輸入裝置。作為觸控面板之操作檢測方式之例,可列舉:電阻膜、電磁感應式及電容式等之方式,尤其於電容式之觸控面板中,以可適用上述圓偏光板為佳。
設置有觸控面板之影像顯示裝置之影像顯示方式並未特別受到限定,得以採用液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等之任意顯示裝置之方式。舉例而言,觸控面板設置於液晶顯示裝置之情況下,此液晶顯示裝置通常具備液晶晶胞及一對偏光板,其中液晶晶胞含有一對基板及封入於其間之液晶化合物,偏光板設置於液晶晶胞之正面側及背面側。此裝置中,圓偏光板之設置導電層之位置並未特別受到限定。舉例而言,導電層亦可設置於比顯示裝置之觀看側之偏光板更外側(觀看側)之位置(外掛式),亦可設置於顯示裝置之觀看側之偏光板與液 晶晶胞之間之位置(間胞式(Mid Cell)或外嵌式(on cell)),亦可設置於比液晶晶胞更內側(顯示面之相反側)之位置(內嵌式(in cell))。
其中,於有效活用支撐導電層之基材層之紫外線穿透抑制功能,而抑制設置於裝置內之組件之因紫外線所致之劣化之觀點中,以導電層可使用於外掛式之位置中者為佳。是以,於獲得使用上述圓偏光板之觸控面板之情況下,以將上述光學堆疊體使用作為外掛式觸控面板之薄膜感測器組件之方式設置圓偏光板者為佳。
〔9.影像顯示裝置〕
影像顯示裝置具備影像顯示元件及設置於前述影像顯示元件之觀看側之前述圓偏光板。而且,於前述影像顯示裝置中,圓偏光板設置成該圓偏光板所含有之光學各向異性層及基材層自影像顯示元件側依此順序配位。如此之影像顯示裝置中,由於藉由基材層保護光學各向異性層抵禦含有紫外線之外部光線,故可抑制光學各向異性層因外部光線所致之光學特性變化,其結果亦可抑制光學堆疊體自身的光學特性變化。再者,由於基材層抑制紫外線之穿透,故通常可抑制影像顯示元件所含有之成分之因紫外線所致之劣化,其結果可實現影像顯示裝置之長壽命化。
而且,將圓偏光板設置於影像顯示裝置之方向,得以按照訴求於該圓偏光板之功能而設定。舉例而言,自影像顯示裝置依序配置光學堆疊體及直線偏光件之情況下,可令圓偏光板發揮抑制外部光線之反射之功能。而且,舉例而言,自影像顯示元件依序配置直線偏光件及光學堆疊體之情況下,由於能由穿透圓偏光板之圓偏光顯示影像,故可 令圓偏光板可發揮提升通過偏光太陽眼鏡之影像之可見性之功能。
作為影像顯示裝置,雖按照影像顯示元件之種類而有各種態樣,但作為代表例,可列舉:具備作為影像顯示元件之液晶晶胞之液晶顯示裝置,以及具備作為影像顯示元件之有機EL元件之有機EL顯示裝置。以下,雖說明此些影像顯示裝置之實施型態,但影像顯示裝置之構造並非限定於下述之實施型態。
圖3係概略表示作為關於本發明之一實施型態之影像顯示裝置之液晶顯示裝置20之一例的剖面圖。
如圖3所示,液晶顯示裝置20依序具備:光源310;光源側直線偏光件320;作為影像顯示元件之液晶晶胞330;以及圓偏光板340。而且,圓偏光板340自液晶晶胞330側依序具備直線偏光件350;以及具備光學各向異性層200、基材層100及導電層360之光學堆疊體370。
於液晶顯示裝置20中,藉由自光源310發出且穿透光源側直線偏光件320、液晶晶胞330、直線偏光件350及用以作為λ/4板之功能之層體之光學各向異性層200之光線,而顯示影像。顯示影像之光線,雖於穿透直線偏光件350之時間點為直線偏光,但可藉由穿透光學各向異性層200而變換為圓偏光。因此,於前述之液晶顯示裝置20中,由於藉由圓偏光顯示影像,故於通過偏光太陽眼鏡而觀看之情況下,而能觀看影像。而且,於此液晶顯示裝置20中,導電層360可用以作為觸控面板用之導電層之功能。是以,能實現具備觸控面板之液晶顯示裝置20。
舉例而言,液晶晶胞330得以使用面內切換(In-Plane Switching,IPS)模式、垂直取向(Vertical Alignment,VA)模式、多域垂直取向(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)模式、連續針輪取向(Continuous Pin wheel Alignment,CPA)模式、混合取向向列(Hybrid Alignment Nematic,HAN)模式、扭曲向列(Twisted Nematic,TN)模式、超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN)模式、光學補償彎曲(Optical Compensated Bend,OCB)模式等之任意模式之液晶晶胞。
圖4係概略表示作為關於本發明之一實施型態之影像顯示裝置之有機EL顯示裝置30之一例的剖面圖。如圖4所示,有機EL顯示裝置30具備作為影像顯示元件之有機EL元件410及圓偏光板420。而且,圓偏光板420自有機EL元件410側依序具備包含光學各向異性層200、基材層100及導電層430之光學堆疊體440;以及直線偏光件450。
有機EL顯示裝置30中,自裝置外部入射之光線僅其一部分之直線偏光穿透直線偏光件450,且藉由其穿透光學各向異性層200而成為圓偏光。藉由反射顯示裝置內之光線之構成要素(有機EL元件410中之反射電極(圖未繪示)等)之反射,且再藉由穿透光學各向異性層200,而使圓偏光成為具有與入射之直線偏光之振動方向正交之振動方向之直線偏光,而不會穿透直線偏光件450。藉此,達成反射防止之功能(有機EL顯示裝置中之反射防止之原理,係參照日本專利公開第H9-127885號公報)。而且,於此有機EL顯示裝置30中,導電 層430可用以作為觸控面板用之導電層之功能。是以,能實現具備觸控面板之有機EL顯示裝置30。
有機EL元件410依序具備透明電極層、發光層及電極層,且藉由自透明電極層及電極層施加電壓,而得以產生發光層。作為構成有機發光層之材料之例,可列舉:聚對伸苯伸乙烯(polyparaphenylene vinylene)系、聚茀(polyfluorene)系及聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)系之材料。而且,發光層亦可具有多個發光色相異之層體之堆疊體,或者亦可具有摻雜有與某色素之層體相異之色素之混合層。再者,有機EL元件410亦可具備阻障層、正電洞注入層、正電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等之電位面形成層、電荷產生層等之功能層。
以下,將展示實施例而具體說明關於本發明。然而,本發明並非限定於以下所示之實施例,於未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍中得以任意變更實施。於以下之說明中,除非另有註明,否則表示份量之「%」及「份」以重量為基準。而且,除非另有註明,否則說明於以下之操作於常溫常壓之大氣中進行。再者,於以下之說明中,「sccm」為氣體流量單位,將每分鐘期間流通氣體之份量以此氣體為25℃且1大氣壓之情況之體積(cm3)進行表示。
〔評價方法〕
〔延遲之量測方法〕
薄膜之面內延遲及厚度方向之延遲係使用相位差儀(Axometrics公司製之「AXO SCAN」)而量測。
〔光線穿透率之量測方法〕
具備塗布基材及液晶硬化層之多層薄膜之光線穿透率,係於波長380nm及390nm中使用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光公司製之「V-7200」)而量測。使用於後述之實施例及比較例之塗布基材,係不吸收波長380nm及390nm。是以,前述之多層薄膜之於波長380nm及390nm之光線穿透率,係分別採用作為此多層薄膜所含有之液晶硬化層之於波長380nm及390nm之光線穿透率。
另外,使用於實施例5及6之相位差薄膜之於波長380nm及390nm之光線穿透率,係使用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光公司製之「V-7200」)而量測。
〔具備導電層之光學堆疊體之翹曲量之評價方法〕
將具備導電層之光學堆疊體切出縱5cm×橫5cm之矩形而獲得試驗片。以導電層側朝下之方式將試驗片放置於平坦工作台上。以定規量測自工作台浮起之試驗片之四角隅之自工作台之高度。將所量測之高度之量測值之平均作為翹曲量。
〔氙氣燈曝光試驗之方法〕
將光學堆疊體之光學各向異性層側之表面經由黏合劑(日東電工公司製之「CS9621T」)貼合於玻璃板(厚度0.7mm),而獲得樣品。
使用所獲得之樣品,量測氙氣燈曝光前之光學堆疊體之於波長450nm、550nm及650nm之面內延遲Re0(450)、Re0(550)及Re0(650)。
接下來,對於前述樣品之光學堆疊體之基材層側之表面照射來自氙氣燈之光線300小時,此氙氣燈於波長420nm之分光放射照度為0.8W/m2/nm,且與波長300nm~400nm之積算量為48W/m2
之後,使用前述樣品,量測氙氣燈曝光後之光學堆疊體之於波長450nm、550nm及650nm之面內延遲Re300(450)、Re300(550)及Re300(650)。
〔製造例1. 基材層之製造〕
(熱塑性樹脂之調製)
令非晶性之降莰烯系聚合物COP之顆粒(日本瑞翁公司製,玻璃轉移溫度Tg=126℃)於100℃乾燥5小時。藉由二軸擠出機混合經過乾燥之顆粒89.0份及苯并三唑系紫外線吸收劑(ADEKA公司製之「LA-31」)11.0份。將所獲得之混合物投入連接於單軸擠出機之料斗,且自單軸擠出機熔融擠出而獲得熱塑性樹脂(J1)。此熱塑性樹脂(J1)中之紫外線吸收劑之含有量為11.0重量%。
(層體形成)
準備雙螺紋型單軸擠出機(螺桿直徑D=50mm,螺桿有效長度L與螺桿直徑D之比值L/D=28),其具備篩目3μm之葉盤形狀之聚合物過濾器。將作為中間層形成用之樹脂之熱塑性樹脂(J1)導入於此單軸擠出機,使其熔融,於擠出機出口溫度為260℃且擠出機之齒輪泵之轉速為10rpm之條件下,經由進料區而供給至模唇(deis lip)之表面粗糙度為0.1μm之單層模具。
另外,準備單軸擠出機(螺桿直徑D=50mm,螺桿有 效長度L與螺桿直徑D之比值L/D=28),其具備篩目3μm之葉盤形狀之聚合物過濾器。將與使用於前述熱塑性樹脂(J1)之調製相同的非晶性降莰烯系聚合物之顆粒(日本瑞翁公司製,玻璃轉移溫度Tg=126℃),作為第一外側層及第二外側層形成用之熱塑性樹脂(J2),而導入於此單軸擠出機。接下來,於擠出機出口溫度為285℃且擠出機之齒輪泵之轉速為4rpm之條件下,將已導入之熱塑性樹脂(J2)經由進料區而供給至前述單層模具。
接下來,以吐出成包含第一外側層形成用之樹脂之層體、中間層形成用之樹脂之層體及第二外側層形成用之樹脂之層體之三層之薄膜狀之方式,自前述之單層模具於280℃共同擠出前述之熱塑性樹脂(J1)及(J2)。接下來,所吐出之熱塑性樹脂(J1)及(J2)拋射(cast)至溫度調整成150℃冷卻輥,而獲得作為由熱塑性樹脂(J2)而成之第一外側層(厚度10μm)/由熱塑性樹脂(J1)而成之中間層(厚度20μm)/由熱塑性樹脂(J2)而成之第二外側層(厚度10μm)之二種三層體而成之薄膜之基材層。所謂的由二種三層體而成之薄膜,即由二種類之樹脂而成之三層構造之薄膜所稱者。於前述之共同擠出之際,氣隙量為50mm。而且,作為將熔融狀態之薄膜狀之樹脂拋射於冷卻輥之方法,係採用壓邊定位法(edge pinning)。所獲得的基材層之幅寬為1450mm,且厚度為40μm。之後,分別修剪基材層之兩端50mm,而將幅寬調整為1350mm。收捲如此獲得之基材層,而獲得長條狀的捲輪(roll)。基材層之面內延遲為4nm,厚度方向之延遲為13nm。
〔製造例2. 基材層之製造〕
於中間層形成用之熱塑性樹脂之調製中,將非晶性之降莰烯系聚合物COP之顆粒與苯并三唑系紫外線吸收劑之混合比例變更成經過乾燥之顆粒100.0份、苯并三唑系紫外線吸收劑5.5份。除了以上事項之外,其餘藉由與製造例1相同之操作而製造基材層。所獲得之基材層之中間層中之紫外線吸收劑之含有量為5.2重量%。而且,基材層之面內延遲為5nm,厚度方向之延遲為14nm。
〔製造例3. 液晶組成物A之製造〕
準備由下列式(A1)所表示之聚合性液晶化合物。此聚合性液晶化合物為逆向波長色散性液晶化合物。混合由此式(A1)所表示之聚合性液晶化合物21.25部、界面活性劑(AGC清美化學公司製之「SURFLON S420」)0.11份、聚合起始劑(BASF公司製之「IRGACURE 379」)0.64份及溶劑(環戊酮,日本瑞翁公司製)78.00份,而調製液晶組成物A。
Figure 106141672-A0305-02-0063-5
〔製造例4. 液晶組成物B之製造〕
準備由下列式(B1)所表示之聚合性液晶化合物。此聚合性液晶化合物為順向波長色散性液晶化合物。混合由此式(B1)所表示 之聚合性液晶化合物22.00部、界面活性劑(NEOS公司製之「FTERGENT FTX-209F」)0.12份、聚合起始劑(BASF公司製之「IRGACURE 379」)0.77份及溶劑(甲基乙基酮)77.11份,而調製液晶組成物B。
Figure 106141672-A0305-02-0064-7
〔製造例5. 液晶組成物C之製造〕
準備由下列式(C1)所表示之聚合性液晶化合物(BASF公司製之「LC242」)。此聚合性液晶化合物為順向波長色散性液晶化合物。混合由此式(C1)所表示之聚合性液晶化合物24.15部、界面活性劑(NEOS公司製之「FTERGENT FTX-209F」)0.12份、聚合起始劑(BASF公司製之「IRGACURE 379」)0.73份及溶劑(甲基乙基酮)75.00份,而調製液晶組成物C。
Figure 106141672-A0305-02-0064-8
〔製造例6:接合劑之製造〕
混合丙烯酸-2-羥丁酯(共榮社化學公司製之「LIGHT ACRYLATE HOB-A」)70份、丙烯酸異莰酯(大阪有機化學工業公司製之「IBXA」)22份、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚(共榮社化學公司製之「EPOLIGHT 100MF」)5份及光聚合起始劑(BASF公司製之 「IRGACURE 2959」)3份,進行充分攪拌,進行充分脫泡,而獲得紫外線硬化型之接合劑D。
〔實施例1〕
(光學各向異性層之形成)
準備由降莰烯系化合物COP(日本瑞翁公司製)而成之長條狀傾斜延伸薄膜作為塗布基材。此塗布基材為將降莰烯系聚合物COP之薄膜沿其傾斜方向延伸而獲得之薄膜,且具有相對於薄膜幅寬方向夾成45°角度之慢軸。而且,此塗布基材之厚度為60μm,面內延遲為141nm。前述之塗布基材準備作為以將掩蔽膜(masking film)貼合於該塗布基材之單面之狀態下收捲之捲輪。
自捲輪拉出前述塗布基材,於剝離掩蔽膜的同時於室溫25℃中沿其縱向方向運送。使用模塗機將製造例3中所製造之液晶組成物A直接塗布於所運送之塗布基材之掩蔽剝離面,而形成液晶組成物A之層體。
之後,於110℃且於2.5分鐘期間之條件下,對液晶組成物A之層體實施配向處理。之後,於氮氣環境下(氧氣濃度0.1%以下),藉由將積算光量1000mJ/cm2之紫外線照射於塗布基材之與液晶組成物A之層體相反之側,而照射於液晶組成物A,以令液晶組成物A硬化。藉此,於塗布基材上形成乾燥膜厚2.2μm之經過平行配向之液晶硬化層,而獲得具備塗布基材及由液晶硬化層而成之光學各向異性層之多層薄膜。光學各向異性層之慢軸方向與塗布基材之慢軸方向之偏差為1°。
使用如此獲得之多層薄膜,藉由上述方法量測液晶硬化層之光線穿透率時,於380nm之光線穿透率為4.4%。於390nm之光線穿透率為16.4%。
(光學堆疊體之製造)
經由製造例6中所製造之黏合劑D貼合製造例1中所製造之基材層及前述之多層薄膜之光學各向異性層,且自光學各向異性層側照射紫外線。之後,剝離塗布基材,而製造依序具備基材層、接合層及由液晶硬化層而成之光學各向異性層之光學堆疊體。
所獲得之光學堆疊體,係藉由上述方法進行評價。
〔實施例2〕
使用製造例4中所製造之液晶組成物B取代液晶組成物A。而且,液晶組成物B之塗布厚度變更成可獲得厚度1.2μm之液晶硬化層。除了以上事項之外,藉由與實施例1相同的操作,而進行液晶液化層之形成及評價,且進行光學堆疊體之製造及評價。
〔實施例3〕
使用製造例5中所製造之液晶組成物C取代液晶組成物A。而且,液晶組成物C之塗布厚度變更成可獲得厚度1.0μm之液晶硬化層。除了以上事項之外,藉由與實施例1相同的操作,而進行液晶液化層之形成及評價,且進行光學堆疊體之製造及評價。
〔實施例4〕
使用由降莰烯系聚合物COP(日本瑞翁公司製)而成之其他長條狀傾斜延伸薄膜(慢軸相對於薄膜幅寬方向所夾成之角度為 15°,厚度55μm,面內延遲為145nm)取代使用於實施例1之塗布基材,而作為塗布基材。而且,使用製造例5中所製造之液晶組成物C取代液晶組成物A。再者,液晶組成物C之塗布厚度變更成可獲得乾燥厚度1.1μm之液晶硬化層。除了以上事項之外,藉由與實施例1之步驟(光學各向異性層之形成)相同的操作,而獲得具備塗布基材及由液晶組成物C之硬化物形成之液晶硬化層之多層薄膜。所獲得之液晶硬化層為平行配向,其慢軸方向與塗布基材之慢軸方向之偏差為1°,於380nm之光線穿透率為81.2%。於390nm之光線穿透率為85.3%。所獲得之液晶硬化層具有用以作為λ/4板之功能。
而且,準備由降莰烯系聚合物COP(日本瑞翁公司製)而成之長條狀傾斜延伸薄膜,以成為用以作為λ/2板之功能之相位差薄膜此相位差薄膜具有相對於薄膜幅寬方向夾成75°角度之慢軸,厚度為50μm,面內延遲為265nm。
經由黏合劑(日東電工公司製之「CS 9621T」)而貼合前述之相位差薄膜及前述之多層薄膜之液晶硬化層。此貼合以相位差薄膜之慢軸與液晶硬化層之慢軸之交叉角成為60°之方式進行。之後,剝離塗布基材,而獲得依序具備液晶硬化層、黏合層及相位差薄膜之光學各向異性層。
經由製造例6中所製造之黏合劑D貼合製造例1中所製造之基材層及前述之光學各向異性層之液晶硬化層側之表面,且自光學各向異性層側照射紫外線,而獲得依序具備基材層;接合層;具備液晶硬化層、黏合層及相位差薄膜之光學各向異性層;之光學堆疊體。
所獲得之光學堆疊體,係藉由上述方法進行評價。
〔實施例5〕
使用由降莰烯系聚合物COP(日本瑞翁公司製)而成之其他長條狀傾斜延伸薄膜(慢軸相對於薄膜幅寬方向所夾成之角度為75°,厚度25μm,面內延遲為145nm)取代使用於實施例1之塗布基材,而作為塗布基材。而且,使用製造例5中所製造之液晶組成物C取代液晶組成物A。再者,液晶組成物C之塗布厚度變更成可獲得乾燥厚度2.1μm之液晶硬化層。除了以上事項之外,藉由與實施例1之步驟(光學各向異性層之形成)相同的操作,而獲得具備塗布基材及由液晶組成物C之硬化物形成之液晶硬化層之多層薄膜。所獲得之液晶硬化層為平行配向,其慢軸方向與塗布基材之慢軸方向之偏差為0.8°,於380nm之光線穿透率為80.3%。於390nm之光線穿透率為84.6%。所獲得之液晶硬化層具有用以作為λ/2板之功能。
而且,準備由降莰烯系聚合物COP(日本瑞翁公司製)而成之長條狀傾斜延伸薄膜,以成為用以作為λ/4板之功能之相位差薄膜。此相位差薄膜具有相對於薄膜幅寬方向夾成15°角度之慢軸,厚度為22μm,面內延遲為142nm。
經由黏合劑(日東電工公司製之「CS 9621T」)而貼合前述之相位差薄膜及前述之多層薄膜之液晶硬化層。此貼合以相位差薄膜之慢軸與液晶硬化層之慢軸之交叉角成為60°之方式進行。之後,剝離塗布基材,而獲得依序具備液晶硬化層、黏合層及相位差薄膜之光學各向異性層。
經由製造例6中所製造之黏合劑D貼合製造例1中所製造之基材層及前述之光學各向異性層之液晶硬化層側之表面,且自光學各向異性層側照射紫外線,而獲得依序具備基材層;接合層;具備液晶硬化層、黏合層及相位差薄膜之光學各向異性層;之光學堆疊體。
所獲得之光學堆疊體,係藉由上述方法進行評價。
〔實施例6〕
使用實施例5中所使用之塗布基材(慢軸相對於薄膜幅寬方向所夾成之角度為75°)取代使用於實施例1之塗布基材。而且,液晶組成物A之塗布厚度變更成可獲得乾燥厚度4.4μm之液晶硬化層。除了以上事項之外,藉由與實施例1之步驟(光學各向異性層之形成)相同的操作,而獲得具備塗布基材及由液晶組成物A之硬化物形成之用以作為λ/2板之功能之液晶硬化層之第一多層薄膜。所獲得之液晶硬化層為平行配向,其慢軸方向與塗布基材之慢軸方向之偏差為1.0°,於380nm之光線穿透率為3.8%。於390nm之光線穿透率為15.8%。
再者,使用實施例4中所使用之塗布基材(慢軸相對於薄膜幅寬方向所夾成之角度為15°)取代使用於實施例1之塗布基材。而且,液晶組成物A之塗布厚度變更成可獲得乾燥厚度2.2μm之液晶硬化層。除了以上事項之外,藉由與實施例1之步驟(光學各向異性層之形成)相同的操作,而獲得具備塗布基材及由液晶組成物A之硬化物形成之用以作為λ/4板之功能之液晶硬化層之第二多層薄膜。所獲得之液晶硬化層為平行配向,其慢軸方向與塗布基材之慢軸方向之偏差為0.7°,於380nm之光線穿透率為4.4%。於390nm之光線穿透率為16.4%。
經由黏合劑(日東電工公司製之「CS 9621T」)而貼合前述之第一多層薄膜之液晶硬化層及前述之第二多層薄膜之液晶硬化層。此貼合以第一多層薄膜之液晶硬化層之慢軸與第二多層薄膜之液晶硬化層之慢軸之交叉角成為60°之方式進行。藉此,於二層塗布基材之間,形成依序具備用以作為λ/4板之功能之液晶硬化層、黏合層及用以作為λ/2之功能之液晶硬化層之光學各向異性層。
剝離位於前述之光學各向異性層之一側之塗布基材。接下來,經由黏合劑(日東電工公司製之「CS 9621T」)而將所出現的光學各向異性層貼合於製造例1中所製造之基材層。之後,剝離位於光學各向異性層之另一側之塗布基材,而製造依序具備基材層;接合層;以及具備用以作為λ/2板之功能之液晶硬化層、黏合層及用以作為λ/4板之功能之液晶硬化層之光學各向異性層;之光學堆疊體。
所獲得之光學堆疊體,係藉由上述方法進行評價。
〔比較例1〕
使用製造例2中所製造之基材層取代製造例1中所製造之基材層。除了以上事項之外,藉由與實施例1相同的操作,而進行光學堆疊體之製造及評價。
〔比較例2〕
使用製造例2中所製造之基材層取代製造例1中所製造之基材層。除了以上事項之外,藉由與實施例2相同的操作,而進行光學堆疊體之製造及評價。
〔比較例3〕
使用製造例2中所製造之基材層取代製造例1中所製造之基材層。除了以上事項之外,藉由與實施例3相同的操作,而進行光學堆疊體之製造及評價。
〔結果〕
上述實施例及比較例之結果,表示於下列表格。於下列表格中,簡稱之意義如以下所述。
Re:面內延遲。
Rth:厚度方向延遲。
T380:於波長380nm之光線穿透率。
T390:於波長390nm之光線穿透率。
A1:含有由式(A1)所表示之聚合性液晶化合物之液晶組成物A。
B1:含有由式(B1)所表示之聚合性液晶化合物之液晶組成物B。
C1:含有由式(C1)所表示之聚合性液晶化合物之液晶組成物C。
COP:降莰烯系聚合物。
塗布基材之慢軸方向:使用作為塗布基材之傾斜延伸薄膜之慢軸相對於薄膜幅寬方向所夾成之角度。
Figure 106141672-A0305-02-0071-9
Figure 106141672-A0305-02-0072-10
Figure 106141672-A0305-02-0072-11
Figure 106141672-A0305-02-0073-12
〔實施例7〕
(圓偏光板之製造)
使用實施例4中所製造之光學堆疊體,準備氙氣燈曝光前之樣品及氙氣燈曝光後之樣品之二者成為氙氣燈曝光試驗用之樣品。對於此些樣品之玻璃板之表面實施電暈(corona)處理。經由紫外線硬化型之接合劑(日立化成公司製之「LE-3000系列」)貼合已實施電暈處理之玻璃板之表面與作為直線偏光件之偏光膜(SANRITZ公司製之「HLC2-5618S」,厚度180μm,具有平行於縱向方向之偏光吸收軸及平行於幅寬方向之偏光穿透軸)之單面。前述之貼合,係以令光學各向 異性層中用以作為λ/2板之功能之相位差薄膜之慢軸與偏光膜之偏光吸收軸之交叉角成為15°之方式進行。之後,藉由自偏光膜側照射紫外線而令接合劑硬化,而分別獲得依序具備:基材層;接合層;具備液晶硬化層、黏合層及相位差薄膜之光學各向異性層;黏合層;玻璃板;接合層;以及直線偏光件;之圓偏光板。
(影像顯示裝置之製造)
準備二個依序具備光源、光源側直線偏光板、液晶晶胞及觀看側直線偏光板之市售的液晶顯示裝置(蘋果公司製之「iPad」(註冊商標))。分解此液晶顯示裝置之顯示面部分,剝離液晶顯示裝置之觀看側直線偏光板,且取而代之地裝設前述之各個圓偏光板。藉此獲得自觀看側依序具備:基材層;接合層;具備液晶硬化層、黏合層及相位差薄膜之光學各向異性層;黏合層;玻璃板;接合層;直線偏光件;以及作為影像顯示元件之液晶晶胞;之影像顯示裝置(液晶顯示裝置)。
自所獲得之各個影像顯示裝置之顯示面之正面方向觀察所獲得之各個影像顯示裝置。作為此觀察,進行不配戴偏光太陽眼鏡之觀察及配戴偏光太陽眼鏡之觀察。接下來,評價所觀察之影像之色調、該色調之偏移、亮度及該亮度之偏移。
其結果,即使於配戴偏光太陽眼鏡之情況及不配戴偏光太陽眼鏡之情況之任一者中,於使用氙氣燈曝光前之樣品而製造之影像顯示裝置(液晶顯示裝置)與使用氙氣燈曝光後之樣品而製造之影像顯示裝置(液晶顯示裝置)之間,幾乎沒有色調、該色調之偏移、亮度及該亮度之偏移之差異。
〔實施例8〕
準備二個於顯示面具備圓偏光板之市售的有機EL顯示裝置(LG電子公司製之「G FlexLGL23」)。取出此有機EL顯示裝置之圓偏光板,且取而代之地以實施例7之步驟(圓偏光板之製造)中所製造之各個圓偏光板之偏光膜朝向觀看側之方式裝設該圓偏光板。量測如此獲得之有機EL顯示裝置之黑顯示時及白顯示時之亮度。使用氙氣燈曝光前之樣品而製造之有機EL顯示裝置,其黑顯示時之亮度為6.2cd/m2,其白顯示時之亮度為305cd/m2。而且,使用氙氣燈曝光後之樣品而製造之有機EL顯示裝置,其黑顯示時之亮度為6.4cd/m2,其白顯示時之亮度為310cd/m2
於晴朗天氣之外部光線下,於令前述之各個有機EL顯示裝置處於黑顯示之狀態,且自正面方向目視顯示面時,二者之顯示面皆未反射外部光線,顯示面為黑色。再者,自傾斜方向(極角45°,所有方位)目視顯示面時,皆未發現因二者之方位角所致之反射率及色調差異。
〔比較例4〕
使用比較例1中所製造之光學堆疊體取代實施例4中所製造之光學堆疊體。除了以上事項之外,藉由與實施例7相同的操作,而獲得液晶顯示裝置。
自所獲得之各個影像顯示裝置之顯示面之正面方向觀察所獲得之各個影像顯示裝置。作為此觀察,進行不配戴偏光太陽眼鏡之觀察及配戴偏光太陽眼鏡之觀察。接下來,評價所觀察之影像之色調、 該色調之偏移、亮度及該亮度之偏移。
其結果,即使於配戴偏光太陽眼鏡之情況及不配戴偏光太陽眼鏡之情況之任一者中,於使用氙氣燈曝光前之樣品而製造之影像顯示裝置與使用氙氣燈曝光後之樣品而製造之影像顯示裝置之間,明顯具有色調、該色調之偏移、亮度及該亮度之偏移之差異。再者,使用氙氣燈曝光後之樣品而製造之影像顯示裝置之顯示性能較為劣化。
〔實施例9:具備導電層之光學堆疊體之製造〕
準備得以利用濺射法而於實施例1中所製造之光學堆疊體之基材層側之表面形成導電層之成膜裝置。此成膜裝置為得以於光學堆疊體之基材側之表面形成期望導電層之薄膜收捲式之磁控濺射裝置,其中光學堆疊體固定於連續運送經過該裝置內之長條狀載膜上。而且,使用聚對苯二甲酸乙二酯膜作為載膜。
以聚醯亞胺膠帶將光學堆疊體固定於載膜。而且,將此載膜供給至成膜裝置,而於光學堆疊體之基材層側之單面形成導電層。此時,使用In2O3-SnO2陶瓷靶材作為濺射之靶材。而且,成膜條件定為氬氣(Ar)流量150sccm,氧氣(O2)流量10sccm,輸出4.0kW,真空度0.3Pa,薄膜運送速度0.5m/min。
其結果,由ITO而成之厚度100nm之透明的導電層係形成於光學堆疊體之基材層側之表面,而獲得具備導電層之光學堆疊體。量測此堆疊體之翹曲量之結果,翹曲量為5mm。
〔實施例10〕
除了使用實施例4中所製造之光學堆疊體取代實施例1 中所製造之光學堆疊體以外,藉由與實施例9相同的操作,進行導電層之形成及翹曲量之量測。其結果,翹曲量為3mm。
10:光學堆疊體
100:基材層
200:光學各向異性層
210:液晶硬化層

Claims (12)

  1. 一種光學堆疊體,包括:基材層;以及光學各向異性層,含有至少一層液晶硬化層;其中,該基材層之於波長390nm之光線穿透率為1%以下;該液晶硬化層之於波長390nm之光線穿透率為70%以上;該光學堆疊體於氙氣燈曝光前之於波長450nm之面內延遲Re0(450)、該光學堆疊體於氙氣燈曝光前之於波長550nm之面內延遲Re0(550)、該光學堆疊體於氙氣燈曝光300小時後之於波長450nm之面內延遲Re300(450)及該光學堆疊體於氙氣燈曝光300小時後之於波長550nm之面內延遲Re300(550)滿足下列式(1)及式(2):0.95≦Re300(450)/Re0(450)≦1.05 (1),0.95≦Re300(550)/Re0(550)≦1.05 (2)該液晶硬化層由包含由以下式(Ia)所表示之液晶化合物或由以下式(II)所表示之液晶化合物的液晶組成物之硬化物而形成,
    Figure 106141672-A0305-02-0079-13
    R3x-C3x-D3x-C5x-Mx-C6x-D4x-C4x-R4x 式(II)(於前述式(Ia)中,A1a表示具有碳數1~67之有機基作為置換基之芳香族烴環基,其中所述碳數1~67之有機基具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環 而成之群組之至少一個芳環;或者A1a表示具有碳數1~67之有機基作為置換基之芳香族雜環基,其中所述碳數1~67之有機基具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環而成之群組之至少一個芳環,Y1a~Y8a分別獨立表示化學的單鍵、-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR1a-C(=O)-、-C(=O)-NR1a-、-O-C(=O)-NR1a-、-NR1a-C(=O)-O-、-NR1a-C(=O)-NR1a-、-O-NR1a-或-NR1a-O-;R1a表示氫原子或碳數1~6之烷基,G1a及G2a分別獨立表示亦可具有置換基之碳數1~20之二價脂基;前述脂族基亦可於每一個脂族基介入有一個以上的-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR2a-C(=O)-、-C(=O)-NR2a-、-NR2a-或-C(=O)-(其中排除分別鄰接介入有二個以上-O-或-S-的情況);R2a表示氫原子或碳數1~6之烷基,Z1a及Z2a分別獨立表示亦可被鹵素原子置換之碳數2~10之烯基,A2a及A3a分別獨立表示亦可具有置換基之碳數3~30之二價脂環烴基,A4a及A5a分別獨立表示亦可具有置換基之碳數6~30之二價芳香族基,k及l分別獨立表示0或1;式(II)中,R3x及R4x分別獨立表示反應性基,D3x及D4x分別獨立表示選自由單鍵、碳數1~20個之直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基以及碳原子數1~20個之直鏈狀或分支鏈狀之環 氧烷基而成之群組之基團,C3x~C6x分別獨立表示選自由單鍵、-O-、-S-、-S-S-、-CO-、-CS-、-OCO-、-CH2-、-OCH2-、-CH=N-N=CH-、-NHCO-、-OCOO-、-CH2COO-及-CH2OCO-而成之群組之基團,Mx表示液晶原基,前述液晶原基Mx為非置換或亦可具有置換基之藉由鍵結基結合選自由甲亞胺類、氧化偶氮類、苯類、聯苯類、三聯苯類、萘類、蒽類、苯甲酸酯類、環己烷羧酸苯基酯類、氰基苯基環己烷類、氰基置換苯基嘧啶類、烷氧基置換苯基嘧啶類、苯基二
    Figure 106141672-A0305-02-0081-25
    烷類、二苯乙炔類、烯基環己基苯甲腈類而成之群組之2~4個之主鏈而形成,構成前述液晶原基之2~4個之主鏈之至少一者具有置換基,液晶原基Mx所具有之置換基選自鹵素原子、具有置換基之碳數1~10之烷基、氰基、硝基、-O-R5x、-O-C(=O)-R5x、-C(=O)-O-R5x、-O-C(=O)-O-R5x、-NR5x-C(=O)-R5x、-C(=O)-NR5xR7x或-O-C(=O)-NR5xR7x;R5x及R7x表示氫原子或碳數1~10之烷基;R5x及R7x為烷基之情況下,亦可於該烷基介入有-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR6x-C(=O)-、-C(=O)-NR6x-、-NR6x-或-C(=O)-(其中排除分別鄰接介入有二個以上-O-及-S-的情況);R6x表示氫原子或碳數1~6之烷基)。
  2. 如請求項1所述之光學堆疊體,其中該光學堆疊體於氙氣燈曝光前之於波長650nm之面內延遲Re0(650)及該光學堆疊體於氙氣燈曝光300小時後之於波長650nm之面內延遲Re300(650)滿足下 列式(3):0.95≦Re300(650)/Re0(650)≦1.05 (3)。
  3. 如請求項1所述之光學堆疊體,其中該基材層之於量測波長550nm之面內延遲為5nm以下,該基材層之於量測波長550nm之厚度方向之延遲為15nm以下。
  4. 如請求項1所述之光學堆疊體,其中該基材層依序包括第一外側層、含紫外線吸收劑之中間層及第二外側層。
  5. 如請求項1所述之光學堆疊體,更具備導電層。
  6. 如請求項1所述之光學堆疊體,其中該光學各向異性層用以作為λ/4板之功能。
  7. 如請求項1所述之光學堆疊體,其中該光學各向異性層用以作為λ/2板之功能。
  8. 如請求項1所述之光學堆疊體,其中該光學各向異性層包括該液晶硬化層及一層體,該液晶硬化層用以作為λ/4板及λ/2板之其中一者之功能,該層體用以作為λ/4板及λ/2板之其中另一者之功能,該光學各向異性層用以作為寬帶λ/4板之功能。
  9. 一種圓偏光板,具備如請求項1~8之任一項所述之光學堆疊體及直線偏光件。
  10. 一種觸控面板,具備如請求項9所述之圓偏光板。
  11. 一種影像顯示裝置,具備影像顯示元件及如請求項9所述之圓偏光板,該圓偏光板設置於該影像顯示元件之觀看側。
  12. 如請求項11所述之影像顯示裝置,其中該影像顯示元件 為液晶晶胞或有機電致發光元件。
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