TWI632970B - Wafer manufacturing method - Google Patents

Wafer manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI632970B
TWI632970B TW104113061A TW104113061A TWI632970B TW I632970 B TWI632970 B TW I632970B TW 104113061 A TW104113061 A TW 104113061A TW 104113061 A TW104113061 A TW 104113061A TW I632970 B TWI632970 B TW I632970B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
workpiece
plate
shield
shaped workpiece
Prior art date
Application number
TW104113061A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201607654A (zh
Inventor
森數洋司
武田昇
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201607654A publication Critical patent/TW201607654A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI632970B publication Critical patent/TWI632970B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/55—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for creating voids inside the workpiece, e.g. for forming flow passages or flow patterns
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/03—Glass cutting tables; Apparatus for transporting or handling sheet glass during the cutting or breaking operations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/033—Apparatus for opening score lines in glass sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/08—Severing cooled glass by fusing, i.e. by melting through the glass
    • C03B33/082—Severing cooled glass by fusing, i.e. by melting through the glass using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/04—Cutting or splitting in curves, especially for making spectacle lenses
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本發明之課題是提供一種可以有效率地由玻璃基板等之板狀被加工物生成所期望形狀之晶片的晶片之製造方法。解決手段為一種由板狀被加工物生成所期望形狀之晶片的晶片之製造方法，其包含屏蔽通孔形成步驟以及晶片生成步驟。該屏蔽通孔形成步驟是以具備有照射雷射光線之聚光器的脈衝雷射光線照射組件將對板狀被加工物具有穿透性之波長的脈衝雷射光線的聚光點從板狀被加工物的上表面定位到預定位置而沿著用來生成晶片的輪廓進行照射，藉此在板狀被加工物之內部沿著用來生成晶片的輪廓使細孔和屏蔽該細孔之非晶質成長而形成屏蔽通孔。該晶片生成步驟是藉由對已實施過屏蔽通孔形成步驟之板狀被加工物賦予超音波，以破壞形成有屏蔽通孔之晶片的輪廓而由板狀被加工物生成晶片。

Description

晶片之製造方法 發明領域
本發明是有關於由玻璃基板等之板狀被加工物生成所期望形狀之晶片的晶片之製造方法。
發明背景
智慧型手機等之操作畫面是藉由玻璃基板所形成，而且可以看著畫面來選擇各種應用程式。又，智慧型手機等攜帶式機器裝配有相機功能，因此為了不使相機的物鏡受到損傷而裝設有石英玻璃或藍寶石基板等之護罩玻璃。
上述之護罩玻璃等之晶片，是透過蝕刻處理加工而被製造的(參照例如專利文獻1及專利文獻2)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2012-148955號公報
專利文獻2：日本專利特開2013-71854號公報
發明概要
然而，蝕刻處理加工需要長時間而有生產性差的問題。
本發明是有鑒於上述事實而作成的發明，其主要技術課題在於提供一種可以有效率地由玻璃基板等之板狀被加工物生成所期望形狀之晶片的晶片之製造方法。
為了解決上述主要的技術課題，根據本發明所提供的晶片之製造方法，是由板狀被加工物生成所期望形狀之晶片的晶片之製造方法，特徵在於，其包含：屏蔽(shield)通孔形成步驟，以具備有照射雷射光線之聚光器的脈衝雷射光線照射組件將對板狀被加工物具有穿透性之波長的脈衝雷射光線的聚光點從板狀被加工物的上表面定位到預定位置而沿著用來生成晶片的輪廓進行照射，藉此在板狀被加工物之內部沿著用來生成晶片的輪廓使細孔和屏蔽該細孔之非晶質成長而形成屏蔽通孔；以及晶片生成步驟，藉由對已實施過該屏蔽通孔形成步驟之板狀被加工物賦予超音波，以破壞形成有屏蔽通孔之晶片的輪廓而由板狀被加工物生成晶片。
較理想的是，將上述聚光器之聚光透鏡的數值孔徑(NA)設定成除以板狀被加工物之折射率(N)之值在0.05~0.2的範圍。
較理想的是，上述板狀被加工物為石英玻璃基板，且將聚光透鏡之數值孔徑(NA)設定在0.1~0.25的範圍。或者，上述板狀被加工物為藍寶石基板，且將聚光透鏡之數值孔 徑(NA)設定在0.1~0.35的範圍。
本發明的晶片之製造方法，因為是由屏蔽通孔形成步驟與晶片生成步驟所形成，且該屏蔽通孔形成步驟是以具備有照射雷射光線之聚光器的脈衝雷射光線照射組件將對板狀被加工物具有穿透性之波長的脈衝雷射光線的聚光點從板狀被加工物的上表面定位到預定位置而沿著用來生成晶片的輪廓進行照射，藉此在板狀被加工物之內部沿著用來生成晶片的輪廓使細孔和屏蔽該細孔之非晶質成長而形成屏蔽通孔，而該晶片生成步驟是藉由對已實施過該屏蔽通孔形成步驟之板狀被加工物賦予超音波，以破壞形成有屏蔽通孔之晶片的輪廓而由板狀被加工物生成晶片，因此與上述以往的晶片之製造方法相比較可以在短時間內形成所期望之形狀的晶片。
374b、384b‧‧‧讀取頭
2‧‧‧雷射加工裝置
38‧‧‧第2加工進給組件
20‧‧‧靜止基台
384‧‧‧Y軸方向檢測組件
81‧‧‧基台
4‧‧‧雷射光線照射單元
3‧‧‧工作夾台機構
42‧‧‧套殼
31、322、811、812、823、824‧‧‧導軌
5‧‧‧雷射光線照射組件
51‧‧‧聚光器
32‧‧‧第1滑塊
511‧‧‧聚光透鏡
321‧‧‧被導引溝
6‧‧‧攝像組件
33‧‧‧第2滑塊
7‧‧‧矽氧橡膠台
34‧‧‧圓筒構件
70‧‧‧超音波賦予墊
36‧‧‧工作夾台
8‧‧‧屏蔽通孔破壞裝置
361‧‧‧吸附夾頭
811a、823a‧‧‧導引溝
362、865‧‧‧夾具
82‧‧‧第1桌台
37‧‧‧第1加工進給組件
821‧‧‧開口
371、381、841、851‧‧‧公螺桿
822、832‧‧‧被導引軌
372、382、843、853‧‧‧脈衝馬達
83‧‧‧第2桌台
831‧‧‧孔
373、383‧‧‧軸承塊
834、854‧‧‧母螺塊
374‧‧‧X軸方向位置檢測組件
84‧‧‧第1移動組件
374a、384a‧‧‧線性尺規
842、852‧‧‧軸承
85‧‧‧第2移動組件
10‧‧‧板狀被加工物
86‧‧‧框架保持組件
10a‧‧‧板狀被加工物的正面
861‧‧‧筒狀部
10b‧‧‧板狀被加工物的背面
862‧‧‧框架保持部
100‧‧‧晶片
862a‧‧‧載置面
101‧‧‧晶片的輪廓
863‧‧‧裝設部
101a‧‧‧加工開始位置
864‧‧‧支撐凸緣部
110‧‧‧屏蔽通孔
87‧‧‧超音波賦予組件
111‧‧‧細孔
871‧‧‧氣缸
112‧‧‧非晶質
872‧‧‧活塞桿
F‧‧‧環狀框架
873‧‧‧超音波振動器
LB‧‧‧脈衝雷射光線
88‧‧‧冷氣吹送組件
P‧‧‧聚光點
881‧‧‧旋繞臂
T‧‧‧保護膠帶
882‧‧‧冷氣吹送噴嘴
X、Y‧‧‧方向
89‧‧‧攝像組件
θ、α‧‧‧角度
圖1是顯示將板狀被加工物貼附於已裝設在環狀框架上的切割膠帶上之狀態的立體圖。
圖2是用以實施屏蔽通孔形成步驟之雷射加工裝置的立體圖。
圖3(a)~(d)是以圖2所示之雷射加工裝置所實施之屏蔽通孔形成步驟的說明圖。
圖4是顯示透鏡之數值孔徑(NA)和板狀被加工物之折射率(N)和將數值孔徑(NA)除以折射率(N)之值(S=NA/N)之間的關係之圖。
圖5(a)~(c)是顯示晶片生成步驟之第1實施形態的說明圖。
圖6是顯示從已實施過圖5所示之晶片生成步驟的狀態拾取晶片之步驟的說明圖。
圖7是顯示用以實施晶片生成步驟之第2實施形態之屏蔽通孔破壞裝置的立體圖。
圖8是將圖7所示之屏蔽通孔破壞裝置的主要部位分解而顯示之立體圖。
圖9是顯示構成圖7所示之屏蔽通孔破壞裝置的第2桌台和框架保持組件的剖面圖。
圖10(a)~(c)是使用圖7所示之屏蔽通孔破壞裝置實施之晶片生成步驟的說明圖。
用以實施發明之形態
以下，將參照附加之圖式，針對本發明之板狀被加工物之加工方法的較佳實施形態，作更詳細的說明。
圖1中所示為以本發明的晶片之製造方法所加工之板狀被加工物的立體圖。圖1所示之板狀被加工物10，是以石英玻璃基板或藍寶石基板所構成且形成為例如厚度為500μm的圓形，並且設定有用來形成複數個晶片的輪廓101及加工開始位置101a。再者，用來形成複數個晶片的輪廓101及加工開始位置101a，是儲存在裝配於後述之雷射加工裝置上之控制組件的記憶體中。如此所形成之由石英玻璃基板或藍寶石基板所構成之板狀被加工物10，是被貼附在 裝設於環狀框架F上之保護膠帶T的正面。
圖2中所示為本發明的晶片之製造方法中用以實施屏蔽通孔形成步驟之雷射加工裝置2的立體圖。圖2所示之雷射加工裝置2具備有靜止基台20、配置成可在該靜止基台20上於箭頭X所示之X軸方向上移動並用於保持被加工物的工作夾台機構3，及配置在基台20上之作為雷射光線照射組件的雷射光線照射單元4。
上述工作夾台機構3具備有在靜止基台20上沿著X軸方向平行地配置的一對導軌31、31、在該導軌31、31上配置成可在X軸方向上移動之第1滑塊32、在該第1滑塊32上配置成可在與X軸方向直交之以箭頭Y所示之Y軸方向上移動的第2滑塊33、在該第2滑塊33上藉由圓筒構件34而受到支撐的支撐台35，以及作為被加工物保持組件的工作夾台36。此工作夾台36具備有由多孔性材料所形成之吸附夾頭361，並形成為可藉由使圖未示之吸引組件作動而透過保護膠帶T將成為被加工物之板狀被加工物10吸引保持在成為吸附夾頭361的上表面之保持面上。如此所構成之工作夾台36是透過配置於圓筒構件34內之圖未示的脈衝馬達而使其旋轉。再者，工作夾台36上配置有用於固定環狀框架F之夾具362，該環狀框架F是透過保護膠帶T來支撐板狀被加工物10等之被加工物。
上述第1滑塊32，於其下表面設有與上述一對導軌31、31嵌合的一對被導引溝321、321，並且於其上表面設有沿著Y軸方向平行地形成的一對導軌322、322。如此所 構成的第1滑塊32是藉由將被導引溝321、321嵌合在一對導軌31、31上，而構成為可沿一對導軌31、31在X軸方向上移動。工作夾台機構3具備有用於使第1滑塊32沿著一對導軌31、31在X軸方向上移動之第1加工進給組件37。第1加工進給組件37包含有在上述一對導軌31和31之間平行地配置的公螺桿371，和用於旋轉驅動該公螺桿371之脈衝馬達372等驅動源。公螺桿371，其一端受到固定於上述靜止基台2上的軸承塊373支撐成旋轉自如，其另一端則被上述脈衝馬達372的輸出軸傳動連結。再者，是將公螺桿371螺合於突出於第1滑塊32之中央部下表面而設置之圖未示的母螺塊所形成之貫通螺孔中。因此，透過以脈衝馬達372正轉及逆轉驅動公螺桿371，就能使第1滑塊32沿著導軌31、31在X軸方向上移動。
雷射加工裝置2具備用於檢測上述工作夾台36之X軸方向位置的X軸方向位置檢測組件374。X軸方向位置檢測組件374是由沿著導軌31配置之線性尺規(linear scale)374a，和配置於第1滑塊32上且與第1滑塊32一起沿著線性尺規374a移動之讀取頭374b所構成。在本實施形態中，此X軸方向位置檢測組件374的讀取頭374b是將每1μm發出1個脈衝的脈衝信號傳送至圖未示之控制組件。然後，圖未示之控制組件，可藉由計算輸入之脈衝信號來檢測工作夾台36的X軸方向位置。再者，在上述第1進給加工組件37之使用了脈衝馬達372作為驅動源的情況中，也可以藉由計算對脈衝馬達372輸出驅動信號之圖未示的控制組件的 驅動脈衝，來檢測工作夾台36的X軸方向位置。又，在上述第1加工進給組件37之使用了伺服馬達作為驅動源的情況中，也可以藉由將用以檢測伺服馬達之旋轉數的旋轉編碼器所輸出之脈衝信號傳送到圖未示之控制組件，並使控制組件計算所輸入之脈衝信號，來檢測工作夾台36的X軸方向位置。
上述第2滑塊33，在其下表面設置有可與設置在上述第1滑塊32之上表面的一對導軌322、322嵌合的一對被導引溝331、331，並藉由將此被導引溝331、331嵌合至一對導軌322、322而構成為可在Y軸方向上移動。工作夾台機構3具備有用來使第2滑塊33沿著設置在第1滑塊32上的一對導軌322、322在Y軸方向上移動的第2加工進給組件38。第2加工進給組件38包含有在上述一對導軌322和322之間平行地配置的公螺桿381，和用於旋轉驅動該公螺桿381之脈衝馬達382等驅動源。公螺桿381，其一端是受到固定於上述第1滑塊32之上表面的軸承塊383支撐成旋轉自如，其另一端則被上述脈衝馬達382的輸出軸傳動連結。再者，是將公螺桿381螺合於突出於第2滑塊33之中央部下表面而設置之圖未示的母螺塊所形成之貫通螺孔中。因此，透過以脈衝馬達382正轉及逆轉驅動公螺桿381，就能使第2滑塊33沿著導軌322、322在Y軸方向上移動。
雷射加工裝置2具備有用於檢測上述第2滑塊33之Y軸方向位置的Y軸方向位置檢測組件384。Y軸方向位置檢測組件384是由沿著導軌322配置之線性尺規384a，和配 置於第2滑塊33上並且與第2滑塊33一起沿線性規尺384a移動之讀取頭384b所構成。在本實施形態中，此Y軸方向位置檢測組件384的讀取頭384b是將每1μm發出1個脈衝的脈衝信號傳送至圖未示之控制組件。然後，圖未示之控制組件，可藉由計算輸入之脈衝信號來檢測工作夾台36之Y軸方向位置。再者，在上述第2加工進給組件38之使用了脈衝馬達382作為驅動源的情況中，也可以藉由計算對脈衝馬達382輸出驅動信號之圖未示的控制組件的驅動脈衝，來檢測工作夾台36之Y軸方向位置。又，在上述第2加工進給組件38之使用了伺服馬達作為驅動源的情況中，也可以藉由將用以檢測伺服馬達之旋轉數的旋轉編碼器所輸出之脈衝信號傳送到圖未示之控制組件，並使控制組件計算所輸入之脈衝信號，來檢測工作夾台36之Y軸方向位置。
上述雷射光線照射單元4具備有配置於上述靜止基台20上之支撐構件41、被該支撐構件41所支撐且實質上水平延伸之套殼42、配置於該套殼42上之雷射光線照射組件5，以及配置於套殼42之前端部且可檢測用來雷射加工之加工區域的攝像組件6。
上述雷射光線照射組件5具備有配置於套殼42內之具備圖未示之脈衝雷射光線振盪器及重複頻率設定組件的脈衝雷射光線振盪組件，與配置於套殼42的前端部且具備有用於將由圖未示之脈衝雷射光線振盪組件所振盪發出之脈衝雷射光線聚光之聚光透鏡511的聚光器51。此聚光器51的聚光透鏡511，是將數值孔徑(NA)設定如下。亦即，聚 光透鏡511之數值孔徑(NA)是設定成使數值孔徑(NA)除以單結晶基板之折射率(N)之值在0.05~0.2的範圍(數值孔徑設定步驟)。再者，雷射光線照射組件5具備有用以調整透過聚光器51之聚光透鏡511所聚光的脈衝雷射光線之聚光點位置的聚光點位置調整組件(圖未示)。
裝設於配置有上述雷射光線照射組件5之套殼42之前端部的攝像組件6，具備有照明被加工物的照明組件、捕捉以該照明組件所照明之區域的光學系統，以及拍攝以該光學系統所捕捉到之影像的攝像元件(CCD)等，並可將所拍攝到的影像信號傳送至圖未示之控制組件。
雷射加工裝置2是如以上地構成，並且針對藉由使用此雷射加工裝置2而沿著被設定於上述已實施晶圓支撐步驟的板狀被加工物10上之用來生成晶片的輪廓101照射對板狀被加工物具有穿透性之波長的脈衝雷射光線，以在板狀被加工物的內部沿著用來生成晶片的輪廓101使細孔和屏蔽該細孔之非晶質成長而形成屏蔽通孔的屏蔽通孔形成步驟進行說明。再者，在構成雷射加工裝置2之圖未示的控制組件的記憶體中，儲存用來生成複數個晶片的輪廓101的座標及加工開始位置101a的座標。為了要沿著被設定於板狀被加工物10上之用來生成晶片的輪廓101形成屏蔽通孔，首先要將貼附有板狀被加工物10之保護膠帶T側載置在上述圖2所示之雷射加工裝置2的工作夾台36上。然後，藉由作動圖未示之吸引組件，以隔著保護膠帶T將板狀被加工物10保持於吸附夾頭361上(晶圓保持步驟)。
實施了上述之晶圓保持步驟後，圖未示之控制組件會作動第1加工進給組件37及第2加工進給組件38以將被設定於保持在工作夾台36的板狀被加工物10上之預定的晶片的輪廓101的加工開始位置101a如圖3(a)所示地定位到雷射光線照射組件5之聚光器51的正下方。其次，作動圖未示之聚光點位置調整組件而在光軸方向上移動聚光器51，以將透過聚光器51的聚光透鏡511所聚光之脈衝雷射光線LB的聚光點定位到板狀被加工物10之厚度方向的所期望的位置上(定位步驟)。再者，在圖示之實施形態中，是將脈衝雷射光線的聚光點，從板狀被加工物10之供脈衝雷射光線入射的上表面(正面10a側)設定到所期望位置(例如距離正面10a為5~10μm之背面10b側的位置)上。
如上述地實施了定位步驟後，就可以作動雷射光線照射組件5而在從聚光器51照射出脈衝雷射光線LB時，作動第1加工進給組件37及第2加工進給組件38以根據被設定於板狀被加工物10之用來生成晶片的輪廓101使工作夾台36移動。然後，當加工開始位置101a到達聚光器51之正下方時，即停止脈衝雷射光線的照射，並停止第1加工進給組件37及第2加工進給組件38的作動以停止工作夾台36的移動(屏蔽通孔形成步驟)。並根據設定於板狀被加工物10之所有的晶片的輪廓101實施此屏蔽通孔形成步驟。
藉由實施上述屏蔽通孔形成加工，以在板狀被加工物10的內部，如圖3(b)所示地從脈衝雷射光線LB之聚光點P被定位的正面(上表面)側涵蓋到背面(下表面)使細孔 111和形成於該細孔111之周圍的非晶質112成長，並在板狀被加工物10中沿著用來形成晶片的輪廓101以預定之間隔(本實施形態中為10μm的間隔(加工進給速度：500mm/秒)/重複頻率：50kHz))形成非晶質的屏蔽通孔110。此屏蔽通孔110，如圖3(c)及(d)所示，是由形成於中心之直徑為φ 1μm左右之細孔111和形成於該細孔111周圍之直徑為φ 10μm之非晶質112所構成，在本實施形態中，是成為使互相鄰接之非晶質112彼此形成為連接的形態。再者，由於在上述之屏蔽通孔形成加工中所形成之非晶質的屏蔽通孔110，可以從板狀被加工物10的正面(上表面)側涵蓋到背面(下表面)來形成，因此即使晶圓的厚度增厚也只需要照射1次脈衝雷射光線即可，因而可使生產性變得極為良好。
在上述之屏蔽通孔形成加工中，為了要形成良好的屏蔽通孔110，如上述地將聚光透鏡511之數值孔徑(NA)設定成，使數值孔徑(NA)除以石英玻璃基板或藍寶石基板等單結晶基板之折射率(N)之值(S)在0.05~0.2的範圍內是很重要的。
此處，針對數值孔徑(NA)和折射率(N)和將數值孔徑(NA)除以折射率(N)之值(S=NA/N)的關係，參照圖4進行說明。圖4中，入射至聚光透鏡511之脈衝雷射光線LB是以相對於光軸形成角度(θ)而被聚光。此時，sin θ為聚光鏡511之數值孔徑(NA)(NA=sin θ)。當將被聚光透鏡511所聚光之脈衝雷射光線LB照射至由單結晶基板所構成之板狀被加工物10上時，因為構成板狀被加工物10之單結晶基板之密度 比空氣還高，所以脈衝雷射光線LB會由角度(θ)折射成角度(α)而聚光成聚光點P。此時，相對於光軸的角度(α)，會因為構成板狀被加工物10之單結晶基板的折射率(N)而不同。因為折射率(N)是(N=sin θ/sin α)，所以數值孔徑(NA)除以單結晶基板之折射率(N)之值(S=NA/N)會變成sin α。因此，將sin α設定在0.05~0.2的範圍(0.05≦sin α≦0.2)是很重要的。
以下，說明將聚光透鏡511的數值孔徑(NA)除以單結晶基板之折射率(N)之值(S=NA/N)設定在0.05~0.2之範圍的理由。
[實驗1-1]
將作為板狀被加工物10之厚度為500μm的石英玻璃基板(折射率：1.45)以如下的加工條件形成屏蔽通孔，並判定屏蔽通孔的良窳。
加工條件
波長：1064nm
重複頻率：50kHz
脈衝寬度：10ps
平均輸出：2W
聚光點徑：φ 10μm
加工進給速度：500mm/秒
如以上，在石英玻璃基板(折射率：1.45)中，是藉由將聚光脈衝雷射光線之聚光透鏡511的數值孔徑(NA)除以單結晶基板之折射率(N)之值(S=NA/N)設定在0.05~0.2的範圍內，而形成屏蔽通孔。因此，在石英玻璃基板(折射率：1.45)中，將聚光脈衝雷射光線之聚光透鏡511的數值孔徑(NA)設定在0.1~0.25是很重要的。
由上述之實驗1-1，能夠確認到藉由將聚光脈衝雷射光線之聚光透鏡511的數值孔徑(NA)除以單結晶基板之折射率(N)之值(S=NA/N)設定在0.05~0.2的範圍內，可形成屏蔽通孔。
[實驗1-2]
將作為板狀被加工物10之厚度為500μm的藍寶石(AL2O3)基板(折射率：1.76)以下列的加工條件形成屏蔽通孔，並判定屏蔽通孔的良窳。
加工條件
波長：1064nm
重複頻率：50kHz
脈衝寬度：10ps
平均輸出：2W
聚光點徑：φ 10μm
加工進給速度：500mm/秒
如以上，在藍寶石基板(折射率：1.76)中，是藉由將聚光脈衝雷射光線之聚光透鏡511的數值孔徑(NA)設定成使數值孔徑(NA)除以單結晶基板之折射率(N)之值(S=NA/N)在0.05~0.2的範圍內，而形成屏蔽通孔。因此，在藍寶石基板(折射率：1.76)中，將聚光脈衝雷射光線之聚光透鏡511的數值孔徑(NA)設定在0.1~0.35是很重要的。
由上述之實驗1-1、實驗1-2，能夠確認到藉由將聚光脈衝雷射光線之聚光透鏡511的數值孔徑(NA)除以單 結晶基板之折射率(N)之值(S=NA/N)設定在0.05~0.2的範圍內，可形成屏蔽通孔。
當實施了上述屏蔽通孔形成步驟後，就可以實施晶片生成步驟，其為藉由賦予板狀被加工物10超音波，以破壞形成有屏蔽通孔110的晶片的輪廓101而由板狀被加工物10生成晶片。參照圖5來說明晶片生成步驟的第1實施形態。
圖5所示之晶片生成步驟的第1實施形態，首先如圖5(a)所示地將已實施過上述屏蔽通孔形成步驟的板狀被加工物10的保護膠帶T側載置於矽氧橡膠台7上。因而，透過保護膠帶T而被載置在矽氧橡膠台7上的板狀被加工物10會成為正面在上側。其次，如圖5(b)所示，將超音波賦予墊70的下表面載置於透過保護膠帶T而被載置在矽氧橡膠台7上之板狀被加工物10的正面上。然後，將配置於超音波賦予墊70之圖未示的超音波發生組件作動以使其對板狀被加工物10賦予超音波。其結果，板狀被加工物10會如圖5(c)所示地使形成有屏蔽通孔110的晶片的輪廓101被破壞而生成晶片100。如此進行而形成有屏蔽通孔110之晶片的輪廓101已被破壞的晶片100，就可以如圖6所示地從保護膠帶T剝離而拾取。
其次，參照圖7乃至圖10來說明晶片生成步驟的第2實施形態。此晶片生成步驟的第2實施形態，是利用圖7乃至圖9所示之屏蔽通孔破壞裝置8而實施。圖7中所示為屏蔽通孔破壞裝置8的立體圖，且圖8中所示為將圖7所示之屏 蔽通孔破壞裝置8的主要部位分解而顯示的立體圖。
本實施形態中的屏蔽通孔破壞裝置8具備有基台81、配置成可在該基台81上於箭頭Y所示之方向上移動的第1桌台82，以及配置成可在該第1桌台82上於與箭頭Y直交之以箭頭X所示之方向上移動的第2桌台83。基台81形成為矩形，其兩側部上表面在以箭頭Y所示的方向上相互平行地配置有2條導軌811、812。再者，在2條導軌之其中一邊的導軌811上，在其上表面形成有剖面為V字形的導引溝811a。
上述第1桌台82，是如圖8所示地形成為在中央部具備了矩形之開口821的窗框狀。此第1桌台82之一邊的側部下表面設置有可滑動地嵌合於設置於上述基台81之其中一邊之導軌811上所形成的導引溝811a的被導引軌822。又，在第1桌台82的兩側部上表面，在與上述被導引軌822直交的方向上配置有2條互相平行的導軌823、824。又，在2條導軌之其中一邊的導軌823上，在其上表面形成有剖面為V字形的導引溝823a。如此所構成之第1桌台82，如圖7所示地，是將被導引軌822嵌合於設置於基台81上之其中一邊之導軌811上所形成的導引溝811a，並將另一邊之側部下表面載置於設置在基台81上之另一邊的導軌812上。屏蔽通孔破壞裝置8具備有用於使第1桌台82沿著設置在基台81上的導軌811、812在以箭頭Y所示之方向上移動的第1移動組件84。此第1移動組件84，如圖8所示地是由公螺桿841、軸承842、脈衝馬達843與母螺塊834所構成，該公螺桿841是與設置於基台81上之另一邊的導軌812平行地配置，該軸承 842是配置於基台81上且將公螺桿841的一端部支撐成可旋轉，該脈衝馬達843是與公螺桿841的另一端連結並用於旋轉驅動公螺桿841，該母螺塊834是設置在上述第1桌台82之下表面並螺合於公螺桿841。如此所構成之第1移動組件84，是藉由驅動脈衝馬達843將公螺桿841旋動，而使第1桌台82在圖7中在以箭頭Y所示之方向上移動。
上述第2桌台83，是如圖8所示地形成為矩形，且中央部具備有圓形的孔831。在此第2桌台83之一邊的側部下表面設置有可滑動地嵌合於設置於上述第1桌台82之其中一邊之導軌823上所形成的導引溝823a的被導引軌832。如此所構成之第2桌台83，如圖7所示地，是將被導引軌832嵌合於設置於第1桌台82之其中一邊之導軌823上所形成的導引溝811a，並將另一邊之側部下表面載置於設置在第1桌台82上之另一邊的導軌824上。屏蔽通孔破壞裝置8具備有用於使第2桌台83沿著設置在第1桌台82上的導軌823、824在以箭頭X所示之方向上移動的第2移動組件85。此第2移動組件85，如圖8所示地是由公螺桿851、軸承852、脈衝馬達853與母螺塊854所構成，該公螺桿851是與設置於第1桌台82上之另一邊的導軌824平行地配置，該軸承852是配置於第1桌台82上且將公螺桿851的一端部支撐成可旋轉，該脈衝馬達853是與公螺桿851的另一端連結並用於旋轉驅動公螺桿851，該母螺塊854是設置在上述第2桌台83之下表面並螺合於公螺桿851。如此所構成之第2移動組件85，是藉由驅動脈衝馬達853將公螺桿851旋動，而使第2桌台83在圖7 中在以箭頭X所示之方向上移動。
屏蔽通孔破壞裝置8具備有保持上述環狀框架F之框架保持組件86。如圖7及圖9所示，框架保持組件86是由筒狀部861、形成於該筒狀部861之上端的環狀的框架保持部862、設置於筒狀部861之下端部的裝設部863，以及設置於該裝設部863之上側的環狀支撐凸緣部864所構成。筒狀部861具有比環狀框架F之內徑還小且比貼附在裝設於環狀框架F之保護膠帶T上的板狀被加工物10的外徑還大的內徑。上述環狀的框架保持部862，是在筒狀部861的上端朝徑向外側突出而形成，且上表面形成有載置環狀框架F的載置面862a。在如此所形成的環狀的框架保持部862上，裝設有用於將載置於載置面862a上之環狀框架F固定的複數個夾具865。上述裝設部863是構成為可將外周可旋動地嵌合在設置於第2桌台83上之孔831的內周面。上述環狀的支撐凸緣部864，是在裝設部863的上側朝徑向外側突出而形成，且是以已將裝設部863嵌合於設置在第2桌台83之孔831中的狀態而被載置於第2桌台83上。
屏蔽通孔破壞裝置8具備有對板狀被加工物10賦予超音波的超音波賦予組件87，其中該板狀被加工物10是透過保護膠帶T而受到被保持於上述環狀的框架保持組件86上的環狀框架F所支撐。超音波賦予組件87，是如圖7及圖8所示地被配置在上述基台81上並被配置於框架保持組件86內。如圖8所示，此超音波賦予組件87是由配置於基台81上之氣缸871，和配置於該氣缸871的活塞桿872之前端的 超音波振動器873所構成。超音波振動器873是形成為可藉由圖未示之高頻電壓施加組件而被施加預定頻率的高頻電壓。再者，在本實施形態中超音波振動器873雖然是形成為球形，但也可以形成為圓形或半圓柱形。
屏蔽通孔破壞裝置8具備有對板狀被加工物10吹送冷氣的冷氣吹送組件88，其中該板狀被加工物10是透過保護膠帶T而受到被支撐於框架保持組件86上的環狀框架F所支撐。冷氣吹送組件88具備有配置於基台81上的旋繞臂881，和裝設於該前端之冷氣吹送噴嘴882，且將該冷氣吹送噴嘴882連接至未圖示之冷氣供給組件。又，是透過圖未示之驅動組件使旋繞臂881旋轉。再者，旋繞臂881被構成為可上下活動。
屏蔽通孔破壞裝置8具備有對板狀被加工物10進行拍攝的攝像組件89，其中該板狀被加工物10是透過保護膠帶T而受到被支撐於上述框架保持組件86上的環狀框架F所支撐。此攝像組件89是由光學系統及攝像元件等所構成，且是安裝在藉由配置在基台81上之氣缸891而使其在圖中於上下方向上作動之L字形的支撐構件892上，並配置在構成上述框架保持組件86之環狀的框架保持部862的上方位置處。如此所構成之攝像組件89，對透過保護膠帶T而受到被保持於上述環狀的框架保持部862上的環狀框架F所支撐之板狀被加工物10進行拍攝，並將拍攝到的影像信號傳送到圖未示之控制組件。
屏蔽通孔破壞裝置8是如上述地被構成，以下主 要參照圖10說明其作動。將透過保護膠帶T支撐已實施過上述屏蔽通孔形成步驟之板狀被加工物10的環狀框架F，如圖10(a)所示地載置於構成框架保持組件86之環狀的框架保持部862的載置面862a上，並以夾具865固定於環狀的框架保持部862上。
其次，作動攝像組件89及圖未示之控制組件，而在上述之已實施過屏蔽通孔形成步驟之板狀被加工物10中求出形成有屏蔽通孔110之各個晶片的輪廓101之中心位置，並儲存在圖未示之控制組件的記憶體中。又，作為求出各個晶片的輪廓101之中心位置的方法，可以藉由作動第1移動組件84及第2移動組件85，而在將板狀被加工物10中的形成有屏蔽通孔110之各個晶片的輪廓101的中心定位於攝像組件89之中心時的施加於第1移動組件84之脈衝馬達843及第2移動組件85之脈衝馬達853的脈衝數，來求出XY座標(校準步驟)。
當實施了上述之校準步驟後，圖未示之控制組件就會將冷氣吹送組件88的冷氣吹送噴嘴882定位到構成超音波賦予組件87之超音波振動器873的正上方，並且會朝下方移動而如圖10(a)所示地在和板狀被加工物10的上表面之間設置預定的間隙而定位在上方位置。其次，根據儲存在圖未示之控制組件之記憶體中的資料，作動第1移動組件84及第2移動組件85，如圖10(a)所示地將板狀被加工物10中的形成有屏蔽通孔110的預定之晶片的輪廓101的中心位置定位到構成超音波賦予組件87之超音波振動器873的正上 方，並且作動氣缸871而將超音波振動器873的上端抵接於貼附有板狀被加工物10的保護膠帶T。然後，如圖10(b)所示地由冷氣吹送組件88的冷氣吹送噴嘴882噴出冷氣，並對超音波振動器873施加預定頻率的高頻電壓以使其在超音波振動器873上產生超音波振動。其結果，如圖10(b)所示，在被設定於板狀被加工物10上之晶片的輪廓101上所形成的屏蔽通孔110會被超音波振動破壞而生成晶片100。此時，晶片的輪廓101內的區域會因為受到從冷氣吹送噴嘴882所噴出的冷氣而被冷卻並產生收縮，所以可以促進屏蔽通孔110的破壞。如此進行而使被設定於板狀被加工物10上之晶片的輪廓101上所形成的屏蔽通孔110被超音波振動破壞而生成晶片100後，晶片100就可以如圖10(c)所示地從保護膠帶T剝離而拾取。
如以上所述，上述實施形態中的晶片之製造方法，因為是由屏蔽通孔形成步驟與晶片生成步驟所形成，且該屏蔽通孔形成步驟是以具備有照射雷射光線之聚光器51的脈衝雷射光線照射組件5將對板狀被加工物10具有穿透性之波長的脈衝雷射光線的聚光點從板狀被加工物10的上表面定位到預定位置並沿著用來生成晶片的輪廓101進行照射，藉此在板狀被加工物10之內部沿著用來生成晶片的輪廓101使細孔和屏蔽該細孔之非晶質成長而形成屏蔽通孔110，而該晶片生成步驟是藉由對已實施過該屏蔽通孔形成步驟之板狀被加工物10賦予超音波，以破壞形成有屏蔽通孔110之晶片的輪廓101而由板狀被加工物10生成晶片 100，因此與上述之以往的晶片之製造方法相比較可以在短時間內形成所期望之形狀的晶片。

Claims (5)

  1. 一種晶片之製造方法，是由板狀被加工物生成所期望形狀之晶片的晶片之製造方法，特徵在於包含下述步驟：將保護膠帶貼附到該板狀被加工物；在脈衝雷射光線的聚光點被設置在距離前述板狀被加工物的上表面預定深度的情況下，沿著所要形成的前述晶片的輪廓從被包括在脈衝雷射光線照射組件中的聚光器照射對前述板狀被加工物具有穿透性之波長的前述脈衝雷射光線，藉此沿著所要形成的前述晶片的該輪廓在前述板狀被加工物內形成複數個屏蔽通孔，每個屏蔽通孔由細孔和圍繞前述細孔形成且用於屏蔽前述細孔的非晶質構成；將透過該保護膠帶被支撐在環狀框架的該板狀被加工物載置在矽氧橡膠台上，其中該板狀被加工物的正面朝上；將超音波賦予墊的下表面載置在該板狀被加工物的該正面上；以及向前述超音波賦予墊施加超音波，以破壞已形成前述屏蔽通孔的前述晶片的該輪廓，而由前述板狀被加工物形成前述晶片。
  2. 如請求項1的晶片之製造方法，其中，是將該聚光器之聚光透鏡的數值孔徑(NA)設定成除以板狀被加工物之折射率(N)之值在0.05~0.2的範圍。
  3. 如請求項2的晶片之製造方法，其中，板狀被加工物為石英玻璃基板，且是將該聚光器的聚光透鏡之數值孔徑(NA)設定在0.1~0.25的範圍。
  4. 如請求項2的晶片之製造方法，其中，板狀被加工物為藍寶石基板，且是將該聚光器的聚光透鏡之數值孔徑(NA)設定在0.1~0.35的範圍。
  5. 一種晶片之製造方法，是由板狀被加工物生成所期望形狀之晶片的晶片之製造方法，特徵在於包含下述步驟：將保護膠帶貼附到該板狀被加工物；透過該保護膠帶將該板狀被加工物支撐在環狀框架保持部的載置面上並透過夾具固定該環狀框架；在脈衝雷射光線的聚光點被設置在距離前述板狀被加工物的上表面預定深度的情況下，沿著所要形成的前述晶片的輪廓從被包括在脈衝雷射光線照射組件中的聚光器照射對前述板狀被加工物具有穿透性之波長的前述脈衝雷射光線，藉此沿著所要形成的前述晶片的該輪廓在前述板狀被加工物內形成複數個屏蔽通孔，每個屏蔽通孔由細孔和圍繞前述細孔形成且用於屏蔽前述細孔的非晶質構成；作動攝像元件和控制組件以求出各晶片輪廓的中心位置，其中前述屏蔽通孔是已沿著該各晶片輪廓在前述板狀被加工物中形成；將該中心位置儲存在該控制組件中的記憶體中，該中心位置是通過下述方式求出：使用該攝像元件與每個 晶片的輪廓中心對準，並且計數施加到第1移動組件的脈衝馬達的脈衝的數量和施加到第2移動組件的第2脈衝馬達的脈衝的數量，從而根據計數的脈衝數來求出每個晶片的該輪廓的該中心位置的X和Y座標；根據儲存在該記憶體中的資料來作動該第1移動組件和該第2移動組件，以將在該板狀被加工物中所要形成的該晶片中被選定的一個晶片的該輪廓的該中心位置設置在位於該板狀被加工物的背面下方的超音波振動器正上方的位置；作動氣缸以使該超音波振動器的上端抵接於貼附到該板狀被加工物的下表面的該保護膠帶；以及向該超音波振動器施加具有預定頻率的電壓以斷開所選擇的晶片，並且同樣地對該板狀被加工物上的所有其他晶片的該輪廓進行斷開以形成另外的晶片。
TW104113061A 2014-06-02 2015-04-23 Wafer manufacturing method TWI632970B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-113789 2014-06-02
JP2014113789A JP6301203B2 (ja) 2014-06-02 2014-06-02 チップの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201607654A TW201607654A (zh) 2016-03-01
TWI632970B true TWI632970B (zh) 2018-08-21

Family

ID=54481742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104113061A TWI632970B (zh) 2014-06-02 2015-04-23 Wafer manufacturing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9682440B2 (zh)
JP (1) JP6301203B2 (zh)
KR (1) KR102251261B1 (zh)
CN (1) CN105269159B (zh)
DE (1) DE102015210030A1 (zh)
TW (1) TWI632970B (zh)

Families Citing this family (275)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
JP2018063407A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ディスコ 貼り合わせ基板の加工方法
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
JP7098284B2 (ja) * 2017-07-06 2022-07-11 株式会社ディスコ レーザー加工装置およびレーザー加工方法
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
JP6858455B2 (ja) * 2017-07-24 2021-04-14 株式会社ディスコ チップの製造方法
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
JP6925945B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019125688A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 株式会社ディスコ 被加工物のレーザー加工方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) * 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
KR102209714B1 (ko) 2018-12-13 2021-01-29 (주)미래컴퍼니 취성재료로 구성된 구조물의 절단 방법 및 장치
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7286238B2 (ja) * 2019-02-20 2023-06-05 株式会社ディスコ 複数のチップを製造する方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP7218056B2 (ja) * 2019-02-20 2023-02-06 株式会社ディスコ チップ及び枠体の少なくともいずれかを製造する方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7285694B2 (ja) * 2019-05-23 2023-06-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置の光軸調整方法
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
JP2021015840A (ja) * 2019-07-10 2021-02-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
KR102380777B1 (ko) * 2020-09-03 2022-03-30 주식회사 시스템알앤디 유리제품 분리장치 및 이를 이용한 분리방법
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090081851A1 (en) * 2004-11-12 2009-03-26 Takeshi Sakamoto Laser processing method
WO2014079570A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3930825A (en) 1974-11-29 1976-01-06 Ford Motor Company Method of laser beam cutting of a ribbon of hot glass
US4467168A (en) 1981-04-01 1984-08-21 Creative Glassworks International Method of cutting glass with a laser and an article made therewith
US5387776A (en) 1993-05-11 1995-02-07 General Electric Company Method of separation of pieces from super hard material by partial laser cut and pressure cleavage
IT1284082B1 (it) 1996-06-27 1998-05-08 Calp Spa Metodo e dispositivo per il taglio mediante un raggio laser di articoli cavi in vetro
KR100606955B1 (ko) 1999-09-21 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 절단장치 및 그것에 의한 유리기판 절단방법
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US20030134734A1 (en) 2001-08-08 2003-07-17 Shiro Nishimoto Press molding method for glass and manufacturing method for glass substrate using this method
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2004304066A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4574251B2 (ja) * 2003-09-17 2010-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2005222989A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2007173475A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
WO2008035679A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
DE102007035717A1 (de) * 2006-12-27 2008-07-03 Robert Bosch Gmbh Laserstrahlschweißvorrichtung sowie Laserstrahlschweißverfahren
US7757742B2 (en) * 2007-07-31 2010-07-20 Asm Assembly Automation Ltd Vibration-induced die detachment system
KR101588576B1 (ko) 2008-07-10 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP2011078984A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP5710133B2 (ja) * 2010-03-16 2015-04-30 株式会社ディスコ ワークの分割方法
JP2011210915A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 単結晶基板の切断装置、および単結晶基板の切断方法
HUE065575T2 (hu) 2010-09-25 2024-06-28 Ipg Photonics Canada Inc Koherens képalkotó és visszacsatolásos vezérlõ eljárás anyagok módosításához
US9434644B2 (en) 2010-09-30 2016-09-06 Avanstrate Inc. Cover glass and method for producing cover glass
KR101232008B1 (ko) * 2010-11-29 2013-02-08 한국과학기술원 깊이에 따른 개질면의 특성 조합을 통한 절단 장치
US9278886B2 (en) * 2010-11-30 2016-03-08 Corning Incorporated Methods of forming high-density arrays of holes in glass
JP2013071854A (ja) 2011-09-27 2013-04-22 Hoya Corp 携帯機器用カバーガラスの製造方法
JP5671436B2 (ja) 2011-10-26 2015-02-18 三菱製紙株式会社 ガラス基板の製造方法
US20130216779A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 University Of Tennessee Research Foundation Nanostructures from Laser-Ablated Nanohole Templates
EP2705812A1 (de) * 2012-09-05 2014-03-12 Universität zu Lübeck Vorrichtung zum Laserschneiden innerhalb transparenter Materialien
EP2754524B1 (de) * 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) * 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6162827B2 (ja) * 2013-04-04 2017-07-12 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト 基板を分離する方法及び装置
JP6151557B2 (ja) * 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
US20150034613A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Rofin-Sinar Technologies Inc. System for performing laser filamentation within transparent materials
US9676167B2 (en) * 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US20150165560A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US20150166393A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
US20150165563A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US10442719B2 (en) * 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9517963B2 (en) * 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9815730B2 (en) * 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9850160B2 (en) * 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9701563B2 (en) * 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
JP6262039B2 (ja) * 2014-03-17 2018-01-17 株式会社ディスコ 板状物の加工方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090081851A1 (en) * 2004-11-12 2009-03-26 Takeshi Sakamoto Laser processing method
WO2014079570A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials

Also Published As

Publication number Publication date
KR102251261B1 (ko) 2021-05-11
CN105269159B (zh) 2018-09-11
CN105269159A (zh) 2016-01-27
KR20150138827A (ko) 2015-12-10
JP6301203B2 (ja) 2018-03-28
US20150343559A1 (en) 2015-12-03
US9682440B2 (en) 2017-06-20
DE102015210030A1 (de) 2015-12-03
JP2015226924A (ja) 2015-12-17
TW201607654A (zh) 2016-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI632970B (zh) Wafer manufacturing method
TWI626107B (zh) Plate processing method
CN106041327B (zh) 激光加工装置
TWI577486B (zh) Laser processing device
TWI657497B (zh) 晶圓之加工方法
TWI566285B (zh) Wafer processing method and laser processing device
KR101058800B1 (ko) 레이저 다이싱장치
TWI657495B (zh) 晶圓的加工方法
KR102008532B1 (ko) 가공 장치
CN107301974B (zh) 晶片的加工方法
TW201341097A (zh) 雷射加工裝置
TWI736760B (zh) 晶圓加工方法
KR20190024683A (ko) 레이저 가공 장치
KR102537095B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
KR20170107900A (ko) 피가공물의 내부 검출 장치 및 내부 검출 방법
JP7339031B2 (ja) レーザー加工装置
JP6935314B2 (ja) レーザー加工方法
JP2013058534A (ja) 板状物の加工方法