CN105269159A - 芯片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种芯片的制造方法，能够从玻璃基板等板状被加工物高效地生成所希望的形状的芯片。芯片的制造方法是从板状被加工物生成所希望的形状的芯片的方法，其中，包括：遮护隧洞形成工序，利用照射激光光线并具备聚光器的脉冲激光光线照射构件，将对于板状被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从板状被加工物的上表面定位于规定的位置，并沿着待生成的芯片的轮廓进行照射，由此，在板状被加工物的内部沿着待生成的芯片的轮廓使细孔和遮护该细孔的非晶质生长而形成遮护隧洞；和芯片生成工序，通过对实施了遮护隧洞形成工序的板状被加工物施加超声波，来破坏形成有遮护隧洞的芯片的轮廓，从板状被加工物生成芯片。

Description

芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及从玻璃基板等板状被加工物生成所希望的形状的芯片的芯片的制造方法。
背景技术
智能手机等的操作画面由玻璃基板形成，可以一边观看画面一边选择各种应用。另外，智能手机等便携设备中配备有照相机功能，并安装有石英玻璃或蓝宝石基板等罩玻璃，以免损伤照相机的物镜。
上述的罩玻璃等的芯片通过蚀刻处理加工进行制造(例如参照专利文献1和专利文献2)。
专利文献1：日本特开2012-148955号公报
专利文献2：日本特开2013-71854号公报
可是，蚀刻处理加工中存在需要较长的时间从而使得生产率较低这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种芯片的制造方法，能够从玻璃基板等板状被加工物高效地生成所希望的形状的芯片。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种芯片的制造方法，所述芯片的制造方法是从板状被加工物生成所希望的形状的芯片的制造方法，其特征在于，所述芯片的制造方法包括：遮护隧洞形成工序，利用照射激光光线并具备聚光器的脉冲激光光线照射构件，将对于板状被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从板状被加工物的上表面定位于规定的位置，并沿着待生成的芯片的轮廓进行照射，由此，在板状被加工物的内部沿着待生成的芯片的轮廓使细孔和遮护该细孔的非晶质生长而形成遮护隧洞；和芯片生成工序，通过对实施了该遮护隧洞形成工序的板状被加工物施加超声波，来破坏形成有遮护隧洞的芯片的轮廓，从板状被加工物生成芯片。
优选的是，上述聚光器的聚光透镜的数值孔径NA除以板状被加工物的折射率N所得到的值被设定在0.05～0.2的范围内。
优选的是，上述板状被加工物为石英玻璃基板，聚光透镜的数值孔径NA被设定在0.1～0.025的范围内。或者，上述板状被加工物为蓝宝石基板，聚光透镜的数值孔径NA被设定在0.1～0.035的范围内。
由于本发明的芯片的制造方法由下述工序构成：遮护隧洞形成工序，利用可照射激光光线并具备聚光器的脉冲激光光线照射构件，将对于板状被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从板状被加工物的上表面定位于规定的位置，并沿着待生成的芯片的轮廓进行照射，由此，在板状被加工物的内部沿着待生成的芯片的轮廓使细孔和遮护该细孔的非晶质生长从而形成遮护隧洞；和芯片生成工序，通过对实施了该遮护隧洞形成工序的板状被加工物施加超声波，来破坏形成有遮护隧洞的芯片的轮廓，从板状被加工物生成芯片,因此，与上述以往的芯片的制造方法相比较，能够在短时间内形成期望的形状的芯片。
附图说明
图1是示出将板状被加工物粘贴至在环状的框架上安装的切割带后的状态的立体图。
图2是用于实施遮护隧洞形成工序的激光加工装置的立体图。
图3是利用图2所示的激光加工装置实施的遮护隧洞形成工序的说明图。
图4是示出透镜的数值孔径NA、板状被加工物的折射率N、以及数值孔径NA除以折射率N所得到的值S＝NA/N之间的关系的图。
图5是示出芯片生成工序的第1实施方式的说明图。
图6是示出从实施了图5所示的芯片生成工序的状态开始拾取芯片的工序的说明图。
图7是用于实施芯片生成工序的第2实施方式的遮护隧洞破坏装置的立体图。
图8是将图7所示的遮护隧洞破坏装置的重要部分分解后示出的立体图。
图9是示出构成图7所示的遮护隧洞破坏装置的第2工作台和框架保持构件的剖视图。
图10是利用图7所示的遮护隧洞破坏装置实施的遮护隧洞形成工序的说明图。
标号说明
2：激光加工装置；
3：卡盘工作台机构；
36：卡盘工作台；
37：第1加工进给构件；
374:X轴方向位置检测构件；
384：Y轴方向位置检测构件；
38：第2加工进给构件；
4：激光光线照射单元；
5：激光光线照射构件；
51：聚光器；
6：摄像构件；
7：硅橡胶工作台；
70：超声波施加垫；
8：遮护隧洞破坏装置；
81：基座；
82：第1工作台；
83：第2工作台；
84：第1移动构件；
85：第2移动构件；
86：框架保持构件；
87：超声波施加构件；
88：冷气喷射构件；
89：摄像构件；
10：板状被加工物；
F：环状的框架；
T：保护带。
具体实施方式
以下，对于本发明的板状被加工物的加工方法的优选实施方式，参照附图更加详细地进行说明。
图1中示出了要通过本发明的芯片的制造方法加工的板状被加工物的立体图。图1所示的板状被加工物10由石英玻璃基板或蓝宝石基板构成，并形成为例如厚度为500μm的圆形状，在该板状被加工物10上设定有待形成的多个芯片的轮廓101和加工开始位置101a。并且，待形成的多个芯片的轮廓101和加工开始位置101a存储于在后述的激光加工装置上装备的控制单元的存储器中。这样形成的由石英玻璃基板或蓝宝石基板构成的板状被加工物10被粘贴于保护带T的表面上，该保护带T被安装于环状的框架F上。
图2中示出了用于实施本发明的芯片的制造方法中的遮护隧洞形成工序的激光加工装置2的立体图。图2所示的激光加工装置2具备：静止基座20；保持被加工物的卡盘工作台机构3，其以能够沿箭头X所示的X轴方向移动的方式配设于该静止基座20上；以及作为激光光线照射构件的激光光线照射单元4，其被配设于静止基座20上。
上述卡盘工作台机构3具备：一对导轨31、31，其沿X轴方向平行地配设在静止基座20上；第1滑块32，其以能够沿X轴方向移动的方式配设在该导轨31、31上；第2滑块33，其以能够沿与X轴方向垂直的由箭头Y所示的Y轴方向移动的方式配设在该第1滑块32上；支承工作台35，其被圆筒部件34被支承在该第2滑块33上；以及作为被加工物保持构件的卡盘工作台36。该卡盘工作台36具备由多孔性材料形成的吸附卡盘361，通过使未图示的抽吸构件动作，从而经由保护带T将作为被加工物的板状被加工物10抽吸保持于吸附卡盘361的上表面即保持面上。这样构成的卡盘工作台36借助配设在圆筒部件34内的未图示的脉冲马达进行旋转。并且，在卡盘工作台36上配设有用于固定环状的框架F的夹紧件362，该环状的框架F经由保护带T支承板状被加工物10等被加工物。
在上述第1滑块32的下表面设有与上述一对导轨31、31嵌合的一对被引导槽321、321，并且，在上述第1滑块32的上表面上设有沿Y轴方向平行地形成的一对导轨322、322。这样构成的第1滑块32构成为通过使被引导槽321、321与一对导轨31、31嵌合而能够沿一对导轨31、31在X轴方向上移动。卡盘工作台机构3具备用于使第1滑块32沿一对导轨31、31在X轴方向上移动的第1加工进给构件37。第1加工进给构件37包括：平行地配设在上述一对导轨31、31之间的外螺纹杆371；以及用于驱动该外螺纹杆371旋转的脉冲马达372等驱动源。外螺纹杆371的一端以能够旋转自如的方式被支承于轴承块373，该轴承块373固定于上述静止基座20，外螺纹杆371的另一端与上述脉冲马达372的输出轴传动连结。并且，外螺纹杆371螺合于在未图示的内螺纹块上形成的贯穿内螺纹孔中，所述未图示的内螺纹块突出地设置在第1滑块32的中央部下表面。因此，通过借助脉冲马达372驱动外螺纹杆371正转和反转，由此使得第1滑块32沿导轨31、31在X轴方向上移动。
激光加工装置2具备用于检测上述卡盘工作台36的X轴方向位置的X轴方向位置检测构件374。X轴方向位置检测构件374由下述部分构成：线性标尺374a，其沿导轨31配设；以及读取头374b，其配设于第1滑块32上，且与第1滑块32一起沿线性标尺374a移动。在本实施方式中，该X轴方向位置检测构件374的读取头374b每隔1μm向未图示的控制单元发送1个脉冲的脉冲信号。并且，未图示的控制单元通过对输入的脉冲信号进行计数来检测出卡盘工作台36的X轴方向位置。并且，在采用脉冲马达372作为上述第1加工进给构件37的驱动源的情况下，也能够通过对向脉冲马达372输出驱动信号的未图示的控制单元的驱动脉冲进行计数，来检测出卡盘工作台36的X轴方向位置。另外，在采用伺服马达作为上述第1加工进给构件37的驱动源的情况下，将检测伺服马达的转速的旋转编码器所输出的脉冲信号发送至未图示的控制单元，控制单元对所输入的脉冲信号进行计数，由此也能够检测出卡盘工作台36的X轴方向位置。
在上述第2滑块33的下表面设有一对被引导槽331、331，该一对被引导槽331、331与在上述第1滑块32的上表面上设置的一对导轨322、322嵌合，上述第2滑块33构成为通过使该被引导槽331、331嵌合于一对导轨322、322而能够沿Y轴方向移动。卡盘工作台机构3具备第2加工进给构件38，该第2加工进给构件38用于使第2滑块33沿着设在第1滑块32上的一对导轨322、322在Y轴方向上移动。第2加工进给构件38包括：平行地配设在上述一对导轨322、322之间的外螺纹杆381；以及用于驱动该外螺纹杆381旋转的脉冲马达382等驱动源。外螺纹杆381的一端以能够旋转自如的方式支承于轴承块383，该轴承块383固定在上述第1滑块32的上表面上，外螺纹杆381的另一端与上述脉冲马达382的输出轴传动连结。并且，外螺纹杆381螺合于在未图示的内螺纹块上形成的贯穿内螺纹孔，所述未图示的内螺纹块突出地设置在第2滑块33的中央部下表面。因此，通过借助脉冲马达382驱动外螺纹杆381正转和反转，由此使得第2滑块33沿导轨322、322在Y轴方向上移动。
激光加工装置2具备用于检测上述第2滑块33的Y轴方向位置的Y轴方向位置检测构件384。Y轴方向位置检测构件384由下述部分构成：线性标尺384a，其沿导轨322配设；以及读取头384b，其配设于第2滑块33上，且与第2滑块33一起沿线性标尺384a移动。在本实施方式中，该Y轴方向位置检测构件384的读取头384b每隔1μm向未图示的控制单元发送1个脉冲的脉冲信号。并且，未图示的控制单元对输入的脉冲信号进行计数，由此检测出卡盘工作台36的Y轴方向位置。并且，在采用脉冲马达382作为上述第2加工进给构件38的驱动源的情况下，也能够通过对向脉冲马达382输出驱动信号的未图示的控制单元的驱动脉冲进行计数，来检测出卡盘工作台36的Y轴方向位置。另外，在采用伺服马达作为上述第2加工进给构件38的驱动源的情况下，将用于检测伺服马达的转速的旋转编码器所输出的脉冲信号发送至未图示的控制单元，控制单元对所输入的脉冲信号进行计数，由此也能够检测出卡盘工作台36的Y轴方向位置。
上述激光光线照射单元4具备：支承部件41，其配设在上述静止基座20上；壳体42，其被该支承部件41支承，并实质上水平地延伸；激光光线照射构件5，其配设在该壳体42上；摄像构件6，其配设在壳体42的前端部，用于检测待进行激光加工的加工区域。
上述激光光线照射构件5具备：脉冲激光光线振荡构件，其配设在壳体42内，并具备未图示的脉冲激光振荡器和重复频率设定构件；以及聚光器51，其配设在壳体42的末端部，具备用于使从未图示的脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线聚光的聚光透镜511。该聚光器51的聚光透镜511的数值孔径NA如下那样进行设定。即，关于聚光透镜511的数值孔径NA，以数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值被设定在0.05～0.2的范围内(数值孔径设定工序)。并且，激光光线照射构件5具备聚光点位置调整构件(未图示)，该聚光点位置调整构件用于调整通过聚光器51的聚光透镜511聚集的脉冲激光光线的聚光点位置。
在配设有上述激光光线照射构件5的壳体42的末端部安装的摄像构件6具备：对被加工物进行照明的照明构件；能够捕捉被该照明构件照明的区域的光学系统；以及对该光学系统捕捉到的图像进行拍摄的摄像元件(CCD)等，该摄像构件6将拍摄的图像信号发送至未图示的控制单元。
激光加工装置2如以上那样构成，接下来对遮护隧洞形成工序进行说明，在该遮护隧洞形成工序中，使用该激光加工装置2，沿着在已实施了上述的晶片支承工序的板状被加工物10上设定的、待生成的芯片的轮廓101，照射对于板状被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，由此，使细孔和遮护该细孔的非晶质在板状被加工物的内部沿着待生成的芯片的轮廓101生长，从而形成遮护隧洞。并且，在构成激光加工装置2的未图示的控制单元的存储器中储存有待生成的多个芯片的轮廓101的坐标和加工开始位置101a的坐标。为了沿着设定在板状被加工物10上的待生成芯片的轮廓101形成遮护隧洞，首先，将粘贴有板状被加工物10的保护带T侧载置在上述的图2所示的激光加工装置2的卡盘工作台36上。然后，通过使未图示的抽吸构件动作，将板状被加工物10经由保护带T保持在吸附卡盘361上(晶片保持工序)。
在实施了上述的晶片保持工序后，未图示的控制单元使第1加工进给构件37和第2加工进给构件38动作，将在保持于卡盘工作台36的板状被加工物10上设定的、规定的芯片的轮廓101的加工开始位置101a如图3的(a)所示那样定位于激光光线照射构件5的聚光器51的正下方。接下来，使未图示的聚光点位置调整构件动作，使聚光器51沿光轴方向移动，以便将通过聚光器51的聚光透镜511聚光的脉冲激光光线LB的聚光点定位于板状被加工物10的厚度方向的期望的位置(定位工序)。并且，在图示的实施方式中，脉冲激光光线的聚光点被从板状被加工物10的入射脉冲激光光线的上表面(正面10a侧)设定在期望的位置(例如与正面10a相距5～10μm的背面10b侧的位置)。
如上所述那样实施了定位工序后，使激光光线照射构件5动作，一边从聚光器51照射脉冲激光光线LB，一边使第1加工进给构件37和第2加工进给构件38动作，以使卡盘工作台36根据设定在板状被加工物10上的待生成芯片的轮廓101移动。然后，在加工开始位置101a到达聚光器51的正下方时，停止脉冲激光光线的照射，并使第1加工进给构件37和第2加工进给构件38停止动作，从而使卡盘工作台36的移动停止(遮护隧洞形成工序)。根据设定在板状被加工物10上的所有的芯片的轮廓101实施该遮护隧洞形成工序。
通过实施上述遮护隧洞形成加工，如图3的(b)所示，在板状被加工物10的内部，细孔111和形成在该细孔111的周围的非晶质112从定位脉冲激光光线LB的聚光点P的正面(上表面)侧开始遍及背面(下表面)地生长，从而在板状被加工物10中沿着待形成的芯片的轮廓101以规定的间隔(在本实施方式中为10μm的间隔(加工进给速度：500mm/秒)/(重复频率：50kHz))形成非晶质的遮护隧洞110。如图3的(c)和(d)所示，该遮护隧洞110由在中心形成的直径为左右的细孔111、和在该细孔111的周围形成的直径为的非晶质112构成，在本实施方式中，该遮护隧洞110成为以相邻的非晶质112彼此连接的方式形成的形态。并且，由于在上述的遮护隧洞形成加工中形成的非晶质的遮护隧洞110能够从板状被加工物10的正面(上表面)侧遍及背面(下表面)地形成，因此，即使晶片的厚度较厚，也仅照射1次脉冲激光光线即可，因此，生产率非常高。
在上述的遮护隧洞形成加工中，为了形成良好的遮护隧洞110，如上所述，关于聚光透镜511a的数值孔径NA，将以数值孔径NA除以石英玻璃基板或蓝宝石基板等单晶基板的折射率N所得到的值S设定在0.05～0.2的范围内是重要的。
在此，参照图4，对数值孔径NA、折射率N以及、以数值孔径NA除以折射率N得到的值S＝NA/N之间的关系进行说明。在图4中，入射至聚光透镜511中的脉冲激光光线LB相对于光轴以角度θ聚光。此时，sinθ为聚光透镜511的数值孔径NA(NA＝sinθ)。当被聚光透镜511聚集的脉冲激光光线LB照射至由单晶基板构成的板状被加工物10时，由于构成板状被加工物10的单晶基板的密度比空气高，因此脉冲激光光线LB从角度θ折射为角度α而在聚光点P处聚光。此时，相对于光轴的角度α根据构成板状被加工物10的单晶基板的折射率N不同而不同。由于折射率N为N＝sinθ/sinα，因此，以数值孔径NA除以单晶基板的折射率N得到的值S＝NA/N为sinα。因此，将sinα设定在0.05～0.2的范围内(0.05≦sinα≦0.2)是重要的。
以下，对于将以聚光透镜511的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S＝NA/N设定在0.05～0.2的范围内的理由进行说明。
[实验1-1]
在作为板状被加工物10的厚度为500μm的石英玻璃基板(折射率：1.45)上以下述的加工条件形成遮护隧洞，并判定了遮护隧洞是否良好。
加工条件
如上所述，在石英玻璃基板(折射率：1.45)中，通过将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜511的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S＝NA/N设定在0.05～0.2的范围内，由此形成遮护隧洞。因此，对于蓝宝石基板(折射率：1.45)，将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜511的数值孔径NA设定为0.1～0.25是重要的。
根据上述的实验1-1确认到：通过将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜511的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S＝NA/N设定在0.05～0.2的范围内，由此能够形成遮护隧洞。
[实验1-2]
在作为板状被加工物10的厚度为500μm的蓝宝石(Al2O3)基板(折射率：1.76)上以下述加工条件形成遮护隧洞，并判定了遮护隧洞是否良好。
加工条件
如上所述，在蓝宝石基板(折射率：1.76)中，关于使脉冲激光光线聚光的聚光透镜511的数值孔径NA，通过将数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S＝NA/N设定在0.05～0.2的范围内，由此形成遮护隧洞。因此，对于蓝宝石基板(折射率：1.76)，将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜51a的数值孔径NA设定为0.1～0.35是重要的。
根据上述的实验1-1、实验1-2确认到：通过将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜511的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S＝NA/N设定在0.05～0.2的范围内，由此能够形成遮护隧洞。
实施了上述遮护隧洞形成工序后，实施芯片生成工序，在该芯片生成工序中，通过对板状被加工物10施加超声波，从而破坏形成有遮护隧洞110的芯片的轮廓101，从板状被加工物10生成芯片。参照图5对芯片生成工序的第1实施方式进行说明。
在图5所示的芯片生成工序的第1实施方式中，首先，如图5的(a)所示，将实施了上述遮护隧洞形成工序的板状被加工物10的保护带T侧载置于硅橡胶工作台7上。因此，经由保护带T载置于硅橡胶工作台7上的板状被加工物10的正面成为上侧。接着，如图5的(b)所示，将超声波施加垫70的下表面载置于板状被加工物10的正面上，该板状被加工物10经由保护带T载置于硅橡胶工作台7上。然后，使配设在超声波施加垫70中的未图示的超声波产生构件动作，使超声波施加于板状被加工物10。其结果是，如图5的(c)所示，在板状被加工物10中，形成有遮护隧洞110的芯片的轮廓101被破坏而生成芯片100。这样，如图6所示，能够将形成有遮护隧洞110的芯片的轮廓101被破坏而成的芯片100从保护带T剥离并拾取。
接着，参照图7至图10对芯片生成工序的第2实施方式进行说明。利用图7至图9所示的遮护隧洞破坏装置8来实施该芯片生成工序的第2实施方式。图7中示出了遮护隧洞破坏装置8的立体图，图8中示出了将图7所示的遮护隧洞破坏装置8的重要部分分解后示出的立体图。
本实施方式中的遮护隧洞破坏装置8具备：基座81；第1工作台82，其以能够沿着箭头Y所示的方向移动的方式配设在该基座81上；以及第2工作台83，其以能够沿着与箭头Y垂直的箭头X所示的方向移动的方式配设在该第1工作台82上。基座81形成为矩形状，在其两侧部上表面上沿箭头Y所示的方向相互平行地配设有2个导轨811、812。并且，在2个导轨中的1个导轨811的上表面上形成有截面为V字状的引导槽811a。
如图8所示，上述的第1工作台82形成为在中央部具备矩形状的开口821的窗框状。在该第1工作台82的一个侧部下表面设有被引导轨道822，所述被引导轨道822能够滑动地嵌合于在1个导轨811上形成的引导槽811a中，该导轨811被设置在上述基座81上。另外，2个导轨823、824沿着与上述被引导轨道822垂直的方向相互平行地配设在第1工作台82的两侧部上表面上。并且，在2个导轨中的1个导轨823的上表面上形成有截面为V字状的引导槽823a。如图7所示，在这样构成的第1工作台82使被引导轨道822与在设置于基座81的1个导轨811上形成的引导槽811a嵌合，并且，将另一个侧部下表面载置于在基座81上设置的另1个导轨812上。遮护隧洞破坏装置8具备第1移动构件84，所述第1移动构件84使第1工作台82沿着设在基座81上的导轨811、812在箭头Y所示的方向上移动。如图8所示，该第1移动构件84由下述部分构成：外螺纹杆841，其与在基座81上设置的另1个导轨812平行地配设；轴承842，其配设在基座81上，并将外螺纹杆841的一端部支承成能够旋转；脉冲马达843，其与外螺纹杆841的另一端连结，用于驱动外螺纹杆841旋转；以及内螺纹块834，其设置于上述第1工作台82的下表面上，并与外螺纹杆841螺合。这样构成的第1移动构件84通过驱动脉冲马达843使外螺纹杆841转动，由此使第1工作台82沿着在图7中以箭头Y所示的方向移动。
如图8所示，上述第2工作台83形成为矩形状，并在中央部具备圆形的孔831。在该第2工作台83的一个侧部下表面上设有被引导轨道832，所述被引导轨道832能够滑动地嵌合于在1个导轨823上形成的导槽823a中，所述导轨823被设置于上述的第1工作台82上。如图7所示，在这样构成的第2工作台83使被引导轨道832与在设置于第1工作台82的1个导轨823上形成的引导槽823a嵌合，并且将另一个侧部下表面载置于在第1工作台82上设置的另1个导轨824上。遮护隧洞破坏装置8具备第2移动构件85，所述第2移动构件85使第2工作台83沿着在第1工作台82上设置的导轨823、824在箭头X所示的方向上移动。如图8所示，该第2移动构件85由下述部分构成：外螺纹杆851，其与在第1工作台82上设置的另1个导轨824平行地配设；轴承852，其配设在第1工作台82上，并将外螺纹杆851的一端部支承成能够旋转；脉冲马达853，其与外螺纹杆851的另一端连结，用于驱动外螺纹杆851旋转；以及内螺纹块854，其设置于上述第2工作台83的下表面上，并与外螺纹杆851螺合。这样构成的第2移动构件85通过驱动脉冲马达853使外螺纹杆851转动，由此使第2工作台83沿着在图7中以箭头X所示的方向移动。
遮护隧洞破坏装置8具备用于保持上述环状的框架F的框架保持构件86。如图7和图9所示，框架保持构件86由下述部分构成：筒状部861；环状的框架保持部862，其形成在该筒状部861的上端；安装部863，其设置在筒状部861的下端部；以及环状的支承凸缘部864，其设置在该安装部863的上侧。筒状部861具有这样的内径：比环状的框架F的内径小，且比粘贴在安装于环状的框架F的保护带T上的板状被加工物10的外径大。上述环状的框架保持部862向径向外侧突出地形成在筒状部861的上端，上表面形成用于载置环状的框架F的载置面862a。在这样形成的环状的框架保持部862上安装有多个夹紧件865，所述夹紧件865用于对载置于载置面862a上的环状的框架F进行固定。上述安装部863构成为：其外周以能够转动的方式与设置在上述第2工作台83上的孔831的内周面嵌合。上述环状的支承凸缘部864向径向外侧突出地形成在安装部863的上侧，安装部863以与设置在第2工作台83上的孔831嵌合的状态载置于第2工作台83上。
遮护隧洞破坏装置8具备超声波施加构件87，该超声波施加构件87对板状被加工物10施加超声波，所述板状被加工物10经由保护带T被支承在由上述环状的框架保持部件86进行保持的环状的框架F上。如图7和图8所示，超声波施加构件87配设在上述基座81上，且配置在框架保持构件86内。如图8所示，该超声波施加构件87由下述部分构成：配设在基座81上的气缸871；以及配设在该气缸871的活塞杆872的末端的超声波振子873。超声波振子873被未图示的高频电压施加构件施加规定频率的高频电压。并且，超声波振子873在本实施方式中形成为球形，但也可以形成为圆形或半圆锥状。
遮护隧洞破坏装置8具备冷气喷射构件88，该冷气喷射构件88对板状被加工物10喷射冷气，所述板状被加工物10经由保护带T被支承在由框架保持构件86支承的环状的框架F上。冷气喷射构件88具备：配设在基座81上的回转臂881；以及安装在回转臂881的末端的冷气喷射喷嘴882，该冷气喷射喷嘴882与未图示的冷气供给构件连接。另外，回转臂881借助未图示的驱动构件回转。并且，回转臂881构成为能够上下移动。
遮护隧洞破坏装置8具备摄像构件89，该摄像构件89对板状被加工物10进行摄像，所述板状被加工物10经由保护带T被支承在由上述框架保持构件86支承的环状的框架F上。该摄像构件89由光学系统和摄像元件等构成，且安装于L字状的支承部件892上，该L字状的支承部件892借助配设在基座81上的气缸891在图中沿上下方向动作，该摄像构件89被配置在构成上述框架保持构件86的环状的框架保持部862的上方位置。这样构成的摄像构件89对经由保护带T支承在由上述环状的框架保持部862保持的环状的框架F上的板状被加工物10进行摄像，并将所拍摄的图像信号发送至未图示的控制单元。
遮护隧洞破坏装置8如上述那样构成，下面，主要参照图10对其动作进行说明。如图10的(a)所示，将环状的框架F载置于构成框架保持构件86的环状的框架保持部862的载置面862a上，并利用夹紧件865将其固定于环状的框架保持部862上，所述环状的框架F经由保护带T支承着被实施了上述遮护隧洞形成工序的板状被加工物10。
接下来，使摄像构件89和未图示的控制单元动作，求得实施了上述遮护隧洞形成工序的板状被加工物10中的、形成有遮护隧洞110的各芯片的轮廓101的中心位置，并储存于未图示的控制单元的存储器中。并且，作为求得各芯片的轮廓101的中心位置的方法，可以根据下述脉冲数求得XY坐标(校准工序)，该脉冲数是在使第1移动构件84和第2移动构件85动作而将板状被加工物10中的形成有遮护隧洞110的各芯片的轮廓101的中心定位于摄像构件89的中心时的、对第1移动构件84的脉冲马达843和第2移动构件85的脉冲马达853施加的脉冲数。
在实施了上述校准工序后，未图示的控制单元将冷气喷射构件88的冷气喷射喷嘴882定位在构成超声波施加构件87的超声波振子873的正上方，并使该冷气喷射喷嘴882向下方移动，如图10的(a)所示这样与板状被加工物10的上表面之间设置规定的间隙而定位于上方位置。接下来，基于储存于未图示的控制单元的存储器中的数据，使第1移动构件84和第2移动构件85动作，如图10的(a)所示这样将板状被加工物10中的形成有遮护隧洞110的规定的芯片的轮廓101的中心位置定位于构成超声波施加构件87的超声波振子873的正上方，并且，使气缸871动作，使超声波振子873的上端与粘贴有板状被加工物10的保护带T抵接。然后，如图10的(b)所示，从冷气喷射构件88的冷气喷射喷嘴882喷出冷气，并且，向超声波振子873施加规定频率的高频电压，使超声波振子873产生超声波振动。其结果是，如图10的(b)所示，在设定于板状被加工物10中的芯片的轮廓101处形成的遮护隧洞110由于超声波振动而被破坏，从而生成芯片100。此时，由于芯片的轮廓101内的区域被从冷气喷射喷嘴882喷出的冷气冷却而收缩，因此，能够促进遮护隧洞110的破坏。这样，在设定于板状被加工物10中的芯片的轮廓101处形成的遮护隧洞110由于超声波振动被破坏而生成芯片100后，如图10的(c)所示，能够将芯片100从保护带T剥离并拾取。
如以上那样，上述本实施方式中的芯片的制造方法由下述工序构成：遮护隧洞形成工序，在该遮护隧洞形成工序中，利用可照射激光光线并具备聚光器51的脉冲激光光线照射构件5，将对于板状被加工物10具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从板状被加工物10的上表面定位于规定的位置，并沿着待生成的芯片的轮廓101进行照射，由此，在板状被加工物10的内部沿着待生成的芯片的轮廓101使细孔和遮护该细孔的非晶质生长从而形成遮护隧洞110；和芯片生成工序，在该芯片生成工序中，通过对实施了该遮护隧洞形成工序的板状被加工物10施加超声波，来破坏形成有遮护隧洞110的芯片的轮廓101，从而从板状被加工物生成芯片100，因此，与上述以往的芯片的制造方法相比较，能够在短时间内形成期望的形状的芯片。

Claims (4)

1.一种芯片的制造方法，所述芯片的制造方法是从板状被加工物生成所希望的形状的芯片的制造方法，其特征在于，
所述芯片的制造方法包括：
遮护隧洞形成工序，利用照射激光光线并具备聚光器的脉冲激光光线照射构件，将对于板状被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从板状被加工物的上表面定位于规定的位置，并沿着待生成的芯片的轮廓进行照射，由此，在板状被加工物的内部沿着待生成的芯片的轮廓使细孔和遮护该细孔的非晶质生长而形成遮护隧洞；和
芯片生成工序，通过对实施了该遮护隧洞形成工序的板状被加工物施加超声波，来破坏形成有遮护隧洞的芯片的轮廓，从板状被加工物生成芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其中，
该聚光器的聚光透镜的数值孔径NA除以板状被加工物的折射率N所得到的值被设定在0.05～0.2的范围内。
3.根据权利要求2所述的芯片的制造方法，其中，
板状被加工物为石英玻璃基板，该聚光器的聚光透镜的数值孔径NA被设定在0.1～0.25的范围内。
4.根据权利要求2所述的芯片的制造方法，其中，
板状被加工物为蓝宝石基板，该聚光器的聚光透镜的数值孔径NA被设定在0.1～0.35的范围内。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107953034A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 株式会社迪思科 贴合基板的加工方法
CN109202309A (zh) * 2017-07-06 2019-01-15 株式会社迪思科 激光加工装置和激光加工方法
CN110911324A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 Asm Ip控股有限公司 用于储存和处理盒的盒供应系统及配备其的处理设备
CN111590222A (zh) * 2019-02-20 2020-08-28 株式会社迪思科 制造片和框体中的至少任意一方的方法

Families Citing this family (252)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
JP6858455B2 (ja) * 2017-07-24 2021-04-14 株式会社ディスコ チップの製造方法
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP6925945B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
JP2019125688A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 株式会社ディスコ 被加工物のレーザー加工方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP7286238B2 (ja) * 2019-02-20 2023-06-05 株式会社ディスコ 複数のチップを製造する方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7285694B2 (ja) * 2019-05-23 2023-06-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置の光軸調整方法
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
JP2021015840A (ja) * 2019-07-10 2021-02-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
KR102380777B1 (ko) * 2020-09-03 2022-03-30 주식회사 시스템알앤디 유리제품 분리장치 및 이를 이용한 분리방법
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101195190A (zh) * 2000-09-13 2008-06-11 浜松光子学株式会社 激光加工方法和装置,以及半导体芯片及其制造方法
US20090081851A1 (en) * 2004-11-12 2009-03-26 Takeshi Sakamoto Laser processing method
JP2013091582A (ja) * 2011-10-26 2013-05-16 Mitsubishi Paper Mills Ltd ガラス基板の製造方法
EP2121235B1 (de) * 2006-12-27 2013-06-26 Robert Bosch GmbH Laserstrahlschweissvorrichtung mit einer optikeinrichtung zum umwandeln des laserstrahles in einen ringförmigen laserstrahl sowie entsprechendes laserstrahlschweissverfahren
WO2014079570A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3930825A (en) 1974-11-29 1976-01-06 Ford Motor Company Method of laser beam cutting of a ribbon of hot glass
US4467168A (en) 1981-04-01 1984-08-21 Creative Glassworks International Method of cutting glass with a laser and an article made therewith
US5387776A (en) 1993-05-11 1995-02-07 General Electric Company Method of separation of pieces from super hard material by partial laser cut and pressure cleavage
IT1284082B1 (it) 1996-06-27 1998-05-08 Calp Spa Metodo e dispositivo per il taglio mediante un raggio laser di articoli cavi in vetro
KR100606955B1 (ko) 1999-09-21 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 절단장치 및 그것에 의한 유리기판 절단방법
US20030134734A1 (en) 2001-08-08 2003-07-17 Shiro Nishimoto Press molding method for glass and manufacturing method for glass substrate using this method
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2004304066A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4574251B2 (ja) * 2003-09-17 2010-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2005222989A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2007173475A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US8188404B2 (en) * 2006-09-19 2012-05-29 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US7757742B2 (en) * 2007-07-31 2010-07-20 Asm Assembly Automation Ltd Vibration-induced die detachment system
KR102026604B1 (ko) 2008-07-10 2019-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP2011078984A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP5710133B2 (ja) * 2010-03-16 2015-04-30 株式会社ディスコ ワークの分割方法
JP2011210915A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 単結晶基板の切断装置、および単結晶基板の切断方法
US8822875B2 (en) 2010-09-25 2014-09-02 Queen's University At Kingston Methods and systems for coherent imaging and feedback control for modification of materials
US9434644B2 (en) 2010-09-30 2016-09-06 Avanstrate Inc. Cover glass and method for producing cover glass
KR101232008B1 (ko) * 2010-11-29 2013-02-08 한국과학기술원 깊이에 따른 개질면의 특성 조합을 통한 절단 장치
US9278886B2 (en) * 2010-11-30 2016-03-08 Corning Incorporated Methods of forming high-density arrays of holes in glass
JP2013071854A (ja) 2011-09-27 2013-04-22 Hoya Corp 携帯機器用カバーガラスの製造方法
US20130216779A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 University Of Tennessee Research Foundation Nanostructures from Laser-Ablated Nanohole Templates
EP2705812A1 (de) * 2012-09-05 2014-03-12 Universität zu Lübeck Vorrichtung zum Laserschneiden innerhalb transparenter Materialien
EP2754524B1 (de) * 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) * 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
ES2959429T3 (es) * 2013-04-04 2024-02-26 Lpkf Laser & Electronics Se Procedimiento para la separación de un sustrato
JP6151557B2 (ja) * 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
US10442719B2 (en) * 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9676167B2 (en) * 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US20150165563A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US9850160B2 (en) * 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9701563B2 (en) * 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9815730B2 (en) * 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9517963B2 (en) * 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US20150165560A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US20150166393A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
JP6262039B2 (ja) * 2014-03-17 2018-01-17 株式会社ディスコ 板状物の加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101195190A (zh) * 2000-09-13 2008-06-11 浜松光子学株式会社 激光加工方法和装置,以及半导体芯片及其制造方法
US20090081851A1 (en) * 2004-11-12 2009-03-26 Takeshi Sakamoto Laser processing method
EP2121235B1 (de) * 2006-12-27 2013-06-26 Robert Bosch GmbH Laserstrahlschweissvorrichtung mit einer optikeinrichtung zum umwandeln des laserstrahles in einen ringförmigen laserstrahl sowie entsprechendes laserstrahlschweissverfahren
JP2013091582A (ja) * 2011-10-26 2013-05-16 Mitsubishi Paper Mills Ltd ガラス基板の製造方法
WO2014079570A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107953034A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 株式会社迪思科 贴合基板的加工方法
CN109202309A (zh) * 2017-07-06 2019-01-15 株式会社迪思科 激光加工装置和激光加工方法
CN109202309B (zh) * 2017-07-06 2022-02-18 株式会社迪思科 激光加工装置和激光加工方法
CN110911324A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 Asm Ip控股有限公司 用于储存和处理盒的盒供应系统及配备其的处理设备
CN110911324B (zh) * 2018-09-14 2023-03-24 Asm Ip控股有限公司 用于储存和处理盒的盒供应系统及配备其的处理设备
CN111590222A (zh) * 2019-02-20 2020-08-28 株式会社迪思科 制造片和框体中的至少任意一方的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6301203B2 (ja) 2018-03-28
TWI632970B (zh) 2018-08-21
TW201607654A (zh) 2016-03-01
US20150343559A1 (en) 2015-12-03
KR20150138827A (ko) 2015-12-10
US9682440B2 (en) 2017-06-20
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