TWI621157B - 共形摻雜的方法與設備 - Google Patents

共形摻雜的方法與設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI621157B
TWI621157B TW101104938A TW101104938A TWI621157B TW I621157 B TWI621157 B TW I621157B TW 101104938 A TW101104938 A TW 101104938A TW 101104938 A TW101104938 A TW 101104938A TW I621157 B TWI621157 B TW I621157B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
dopant region
dopant
forming
processing chamber
Prior art date
Application number
TW101104938A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201239954A (en
Inventor
山塔那卡堤
西爾肯馬汀Ａ
維拉卡爾馬諾傑
李馬克Ｒ
史寇特尼凱瑟馬修Ｄ
波須尼夫彼得Ｉ
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201239954A publication Critical patent/TW201239954A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI621157B publication Critical patent/TWI621157B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H01L21/2236—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase from or into a plasma phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32669—Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

在此提供用於處理基材的方法與設備。一些實施例中，摻雜基材的方法可包括以下步驟：透過使用電漿摻雜製程將一或多種摻質元素佈植進入基材的摻質區域而在該基材上形成該摻質區域；在該摻質區域頂上形成覆蓋層；形成該覆蓋層後退火該摻質區域；以及退火該摻質區域後移除該覆蓋層。

Description

共形摻雜的方法與設備
本發明的實施例大體上關於半導體製造，詳言之，關於用於摻雜基材的方法。
用於目標為共形FINFET、共形DRAM與共形快閃記憶體摻雜應用的N型佈植製程之典型摻質包括砷與磷。在習知上，離子束佈植製程用於摻雜基材，稱為束線(beamline)製程。在束線製程中，必須使用各種基材傾斜的組合以確保基材上形成的特徵結構的側壁表面能令人滿意地受到佈植。然而，在基材的高傾斜角度下，緊密封裝的側壁可能不會完全暴露至離子束，此現象會非所期望地導致摻質材料不均勻分佈。此狀況已知為遮蔽效應。
因此，發明人已提供改善的共形摻雜方法。
在此提供用於共形摻雜基材的方法與設備。一些實施例中，本發明之方法可有利地限制摻質損失並且達成強化的摻質擴散。在此提供用於處理基材的方法與設備。一些實施例中，摻雜基材的方法可包括以下步驟：透過使用電漿摻雜製程將一或多種摻質元素佈植進入基材的 摻質區域而在該基材上形成該摻質區域；在該摻質區域頂上形成覆蓋層；形成該覆蓋層後退火該摻質區域；以及退火該摻質區域後移除該覆蓋層。
一些實施例中，一種摻雜基材的方法可包含以下步驟：透過在電漿摻雜製程中將一或多種摻質元素佈植進入基材的摻質區域而在該基材上形成該摻質區域；在該摻質區域頂上形成覆蓋層；減少該覆蓋層的厚度；減少該覆蓋層的厚度後退火該摻質區域；以及退火該摻質區域後從該摻質層頂上移除該覆蓋層。
下文中將描述本發明的其他與進一步的實施例。
本發明的實施例提供用於摻雜基材的改善方法。本發明的實施例可有利地限制摻質損失且可達成強化的摻質擴散。可使用本發明的實施例的示範性(但為非限制性)應用範例包括邏輯、DRAM、快閃記憶體與FINFET結構與元件的製造。改善的共形摻雜製程的示範性(但為非限制性)目標區域的範例可包括多晶矽、超淺接面(USJ)、源汲區域與矽深溝槽區域。
發明人已經觀察到，由於電漿摻雜技術簡單且具高生產力，故電漿摻雜技術是一項吸引人的傳統束線離子佈植的替代方案。然而，發明人已觀察到，電漿摻雜的基材傾向具有非常高表面濃度的摻質。所以，發明人相信 該等摻質在後摻雜處理(例如，在長時間暴露至高溫的時候)中可能會損失。摻質的損失可能取決於許多因素，該等因素包括摻雜與後續製程(諸如退火製程)之間的時間延遲、退火溫度與周圍大氣。此外，發明人相信含砷(As)或磷(P)的表面膜會對安全有害，此狀況是由於該等元素的高毒性與前述的摻質損失問題結合所致。例如，砷佈植的基材暴露至大氣時，將會驅除氣體並且釋放砷化氫(AsH3)，該砷化氫具有低於50 ppb的門檻極限值(threshold limit value(TLV))。
發明人已經進一步觀察到，在摻雜的基材上執行退火製程之後，除去(或大幅限制)了驅除氣體的風險，因此使得砷與磷摻雜的基材能更安全地受到操作。此外，發明人已經觀察到，退火過的基材在暴露到大氣時，不會損失摻質。
第1圖描繪根據本發明一些實施例用於摻雜基材的方法100。第2A圖至第2C圖根據本發明一些實施例說明第1圖中所繪的本發明之方法100的不同階段期間基材的剖面視圖。
方法100大體上始於102，其中摻質區域202形成在基材200上，如第2A圖所繪。摻質區域202可以透過在佈植製程(諸如電漿輔助佈植製程)中將一或多種摻質佈植進入基材200而形成。以替代方式或結合之方式，也可透過沉積摻質前驅物於基材200的表面上而執行摻雜製程。任一製程皆可在任何適合的摻雜腔室(例如第 一處理腔室)中執行，該摻雜腔室諸如為電漿輔助摻雜腔室。適合的摻雜腔室的範例包括電漿離子浸潤佈植反應器，該反應器包括可購自美國加州聖克拉拉市的應用材料公司的CONFORMATM反應器，但不以此為限。在下文中，將針對第3圖描述一種此類適合的處理腔室。儘管可在此提供特定的處理腔室以說明本發明的實施例，然而，應考量也可使用其他適合的處理腔室，包括來自其他製造商的處理腔室。
基材200可包含適合用於製造半導體元件的材料。例如在一些實施例中，基材可包含半導體材料及/或半導體材料與非半導體材料的組合，以用於形成半導體結構及/或元件。例如，該基材可包含一或多種含矽材料，諸如結晶矽(例如Si<100>或Si<111>)、氧化矽、應變矽、多晶矽、矽晶圓、玻璃、藍寶石或類似物。該基材可進一步具有任何期望的幾何形狀，諸如200或300 mm的晶圓、方形或矩形的平板或類似物。在一些實施例中，基材200可以是半導體晶圓(例如200 mm、300 mm或類似的矽晶圓)。
一些實施例中，基材可為無摻雜，或可含有後續將受到摻雜的無摻雜區域。如在此所用，無摻雜意味著在該區域中不含有n型或p型摻質。或者，在一些實施例中，該基材可以受到摻雜，且待執行進一步地摻雜該基材或該基材的幾個部分。基材200可包含一或多層，且在一些實施例中，基材200可進一步包括配置在該基材中或 上的完成的或部分完成的電子元件。
當摻雜基材時，基材的整個表面可受到摻雜，或者若基材的一些選擇區域待受摻雜時，可沉積圖案化遮罩層(諸如圖案化光阻層)於基材頂上以保護基材不受摻雜的區域。例如在一些實施例中，可提供遮罩層(諸如一層光阻)並且將該遮罩層圖案化，使得摻質區域202僅在部分的基材200上形成。
待佈植的一或多種摻質可包含一般用在半導體摻雜製程中的任何適合的一或多種元素。適合的摻質的範例包括一或多種三族元素或五族元素，在非限制性的範例中，該適合的摻質包括砷(As)、硼(B)、銦(In)、磷(P)、銻(Sb)或類似元素。N型摻質的範例可包括磷、砷或類似元素之至少一者。例如，砷化氫(AsH3)、氟化二砷(As2F5)、磷化氫(PH3)或三氟化磷(PF3)是一般用於目標為共形FINET(FIN場效電晶體)、共形DRAM(動態隨機存取記憶體)與共形快閃記憶體摻雜應用的n型佈植製程的典型摻質前驅物。對於p型摻雜而言，可使用含硼前驅物，諸如三氟化硼(BF3)、二硼烷(B2H6)或類似物。其他適合用於基材(或基材的幾個部分)的材料修飾的摻質之範例包括鍺烷(GeH4)、甲烷(CH4)、二氧化碳(CO2)、四氟化碳(CF4)、矽烷(SiH4)、四氟化矽(SiF4)、氮氣(N2)與氧氣(O2)。
一些實施例中，可透過使用低能量的佈植製程在非常低的壓力下以最小氣體流量佈植該一或多種摻質。此類 製程可有利地增加中性離子在佈植期間的分佈，此舉減緩投劑速率。或者，可增加佈植壓力且可減少處理氣體流量，以增加在低能量佈植製程中摻質離子的滯留時間。
例如，可以透過提供包含一或多種前驅物氣體的第一處理氣體形成摻質區域202。該一或多種前驅物氣體包含待佈植的元素，例如前文所述的任何摻質元素。可以適合的流率提供第一處理氣體，該流率例如為約0.5 sccm至約400 sccm。一些實施例中，第一處理氣體可進一步包含載氣，例如惰氣，包括氬氣、氦氣、氮氣或類似氣體，但不以此為限。提供載氣的實施例中，載氣可構成高達約90百分比的第一處理氣體，或者是構成約1%至約99%之間的第一處理氣體。
可從第一處理氣體生成電漿以將一或多種摻質佈植進入基材而形成摻質區域，或者將一或多種摻質沉積在基材頂上而形成摻質區域。電漿可透過以下步驟形成：施加適合形成電漿的頻率(例如在MHz或GHz範圍)的源功率。
基材200可在佈植及/或沉積期間受到偏壓，以控制離子朝向基材200的通量，且在一些實施例中，控制離子滲透進入基材200的深度。例如，一些實施例中，可提供高達約50至3000瓦的基材偏壓功率，該基材偏壓功率的頻率介於約0.5 MHz至約60 MHz之間或約2 MHz。佈植及/或沉積期間，源RF功率可以是約100至3000瓦，而頻率介於約0.5 MHz至約60 MHz之間，或約13.5 MHz。
可在低壓製程中形成電漿，因而減少基材200中雜質誘發缺陷的可能性及/或任何下伏層(諸如含矽層)不定形化的可能性。例如，一些實施例中，可在約1 mTorr至約500 mTorr之間的壓力下執行離子佈植。再者，透過使用遠端電漿源(或視情況透過脈衝該電漿源功率)，可進一步限制或防止甚至在如此低壓的層級下可能發生的離子轟擊誘導的缺陷。
以替代方式取代佈植製程，或除了佈植製程之外以結合方式，可沉積該一或多種摻質於基材200的頂部上以形成摻質區域202。例如在適合執行前述佈植製程的相同腔室中，可將該一或多種摻質沉積在基材200頂上。例如，透過減少或消除基材偏壓電壓，可將一或多種摻質沉積在基材頂部上。沉積膜的厚度可由無(或減少的)基材偏壓電壓之製程歷時、一或多種摻質之流率、處理腔室中的壓力以及電漿源功率層級控制。
接著，在104，覆蓋層204沉積成覆於摻質區域202上，如第2B圖所繪。發明人已經觀察到，當用電漿技術佈植摻質時，摻質傾向損失劑量，此狀況是由於後續退火期間摻質與周圍大氣交互作用所致。例如，退火期間，在氧氣(O2)的周圍環境中可能損失大約50%的劑量，且在氮氣(N2)的周圍環境中可能損失大約90%的劑量。因此，覆蓋層204可有利地做為摻質區域202與大氣之間的物理阻障物，以防止源自摻質區域202的摻質損 失。摻質包含毒性或其他不安全材料的實施例中，覆蓋層使基材能安全地受到操作。
一些實施例中，覆蓋層204是由含矽膠材料形成，該材料諸如為二氧化矽(SiO2)、矽烷(SiH4)、碳化矽(SiC)或類似材料。一些實施例中，覆蓋層204可具有範圍高達約100埃之厚度。可透過任何適合的製程沉積覆蓋層204，該製程諸如為化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)或類似製程。覆蓋層204可以在沉積腔室中形成。一些實施例中，沉積腔室可以是摻質區域202所形成的第一處理腔室，即覆蓋層204可以原位形成。或者，覆蓋層204可在摻質區域202所形成的腔室之外的不同處理腔室中形成。在此類實施例中，基材可被傳送到覆蓋層沉積腔室，同時例如透過使用下文中針對第4圖所述的群集工具維持在真空下。
接著，在106可視情況而定蝕刻覆蓋層204以減少覆蓋層204的厚度。減少覆蓋層的厚度有助於更容易且更快速地在退火基材(如下文所討論)後移除覆蓋層204。覆蓋層204可在蝕刻腔室中受到蝕刻。該蝕刻腔室可以是覆蓋層204所形成的相同處理腔室(例如，第一處理腔室或覆蓋層沉積腔室)或不同的處理腔室。一些實施例中，因為覆蓋層204保護摻質區域202免於驅除氣體及/或與大氣反應，基材200可傳送到處理腔室以供蝕刻而無須維持在真空下。
在摻雜製程期間使用遮罩層保護基材200的實施例 中，遮罩層可在退火基材200之前移除。例如，一些實施例中，基材200可在真空下傳送至遮罩移除腔室，在該腔室中，可移除遮罩層。一些實施例中，可在電漿摻雜腔室中或蝕刻腔室(例如，用於蝕刻覆蓋層204的蝕刻腔室)中原位將遮罩層從基材200移除，而無須將基材200傳送到另一腔室。一些實施例中，因為覆蓋層204保護摻質區域202免於驅除氣體及/或與大氣反應，基材200可傳送到遮罩移除腔室而無須維持在真空下。
一些實施例中，遮罩層可包含一層光阻。可例如透過暴露至電漿而剝除該遮罩層，該電漿包含氧氣(O2)、三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF4)、氫氣(H2)或氮氣(N2)之一或多者。取決於任何對遮罩層的損害、電漿化學性質與電漿密度，可在類似摻雜腔室(例如P3I處理腔室)的腔室中移除該遮罩層。例如，可經調整以助於遮罩層移除的處理參數可包括RF源功率(例如提供給電漿的RF功率)、氣體流量、腔室壓力與時間。遮罩移除腔室可以是任何能夠執行視情況任選的遮罩移除製程的腔室。此類適合的腔室的非限制性範例包括前述的P3I處理腔室或Axiom處理腔室，該處理腔室也可購自應用材料公司。也可使用包括可購自其他製造商的其他處理腔室。
接著，在108，將基材200退火以活化配置在摻質區域中的摻質。在一或多種摻質沉積在摻質區域202頂上的實施例中，該製程可助於將該一或多種摻質驅入基材 200。可在摻質活化腔室中退火基材。在一些實施例中，可在真空下傳送基材至摻質活化腔室，在該腔室中，該基材可被退火以活化佈植在基材中或配置在基材上的摻質。一些實施例中，因為覆蓋層204保護摻質區域202免於驅除氣體及/或與大氣反應，基材200可傳送到摻質活化腔室而無須維持在真空下。
一些實施例中，可透過將基材加熱到第一溫度而退火基材，該第一溫度介於約攝氏600至1300度之間，或為約攝氏1000度。一些實施例中，可在兩個步驟的製程中退火基材，該製程包含首先將基材加熱到約攝氏200度至約攝氏800度的第一溫度達第一段時間，該第一段時間是從約1秒至數小時。之後，可加熱基材到更高的第二溫度。該第二溫度可以是約攝氏800度至約攝氏1300度，並且可有約1秒至約數小時的歷時。退火製程期間，基材可暴露至惰氣，該惰氣諸如為氮氣(N2)、氬氣(Ar)、氦氣(He)或類似氣體、氫氣(H2)、氨氮(NH3)、氧氣(O2)或前述氣體之組合。若基材不具有保護摻雜區域的圖案化遮罩，可在摻雜製程後直接從摻雜腔室傳送基材到摻質活化腔室。發明人已經發現，摻質損失與介電膜的堆積(例如由於暴露至濕氣所造成的諸如氧化硼之介電膜的堆積)可透過原位摻質活化(例如退火)及透過不將基材暴露至大氣而減少。摻質活化製程可以是高溫製程(諸如退火)，且可以在任何適合的處理腔室中執行，該處理腔室諸如但不限於RTP RADIANCE®處理 腔室，或是在CENTURA®平台中的任何其他退火工具中執行，前述之處理腔室與平台皆可購自應用材料公司。
接著，在110，如第2C圖所示，移除覆蓋層204。可以在任何適合的處理腔室中移除覆蓋層204，該處理腔室諸如為前文所述在106用於減少覆蓋層204之厚度的處理腔室。可使用任何適合的蝕刻製程移除覆蓋層204。例如，可使用氟前驅物(諸如三氟化氮(NF3))移除矽類的覆蓋層204。一旦在110移除覆蓋層204，方法100大體上終結，而基材可持續如期望般處理以完成製造程序。根據對結構化晶圓的穿透式電子顯微鏡(TEM)分析，已證實(1)佈植的砷膜與覆蓋膜是共形的，且在頂部表面上有減少的沉積(例如，已提供更加共形且均勻的膜輪廓)以及(2)剝除覆蓋層後，對結構無損害。
參考第3圖，前文參考的申請案中揭示的該種環形(toroidal)源電漿浸潤離子佈植(P3i)反應器300具有圓柱狀真空腔室302，該腔室302被圓柱狀側壁304以及碟形頂壁306界定。位在腔室底壁的基材支撐件308支撐待處理的基材310。位在頂壁306上的氣體分配盤或噴頭312在自身的氣體歧管314中接收來自氣體分配平板316的處理氣體，氣體分配平板316的氣體輸出可以是源自一或多種個別氣體供應器318的一種氣體或多種氣體之混合物。真空泵320耦接抽吸環(pumping annulus)322，該抽吸環322被界定在基材支撐件308與側壁304之間。處理區域324被界定在基材310與氣 體分配盤312之間。
一對外部凹曲導管326、328建立凹曲環形路徑以供通過處理區域324的電漿流所用，並且該等環形路徑在處理區域324中交錯。每一導管326、328具有一對端部330，該等端部330耦接腔室的相對側。每一導管326、328是中空導通管。每一導管326、328具有D.C.絕緣圈332，該D.C.絕緣圈332防止導管兩端之間形成封閉迴路導通路徑。
每一導管326、328的環狀部分被環狀磁性核心334環繞。環繞核心334的激發線圈336經由阻抗匹配裝置340耦接RF功率源338。耦接核心336之各別一者的兩個RF功率源338可以具有兩種稍微不同的頻率。由RF功率生成器338耦合的RF功率產生延伸經由各別導管326、328並且經由處理區域324的封閉環狀路徑的電漿離子流。該等離子流以各別RF功率源338的頻率震盪。藉由偏壓功率生成器342經由阻抗匹配電路344及/或藉由DC功率源350施加偏壓功率予以基材支撐件308。
電漿的形成是透過以下步驟執行：將處理氣體(或處理氣體混合物)經由氣體分配盤312導進腔室324，並且從生成器338施加充分的源功率至凹曲導管326、328，而在導管與處理區域324中建立環狀電漿流。
接近基材表面的電漿通量是由基材偏壓電壓所確定，該基材偏壓電壓是由RF偏壓功率生成器342施加。電漿速率或通量(每平方公分每秒取樣基材表面的離子數) 是由電漿密度確定，而電漿密度是由RF源功率生成器338施加的RF功率層級所控制。基材310上的累積離子劑量(每平方公分的離子數)是由通量以及維持通量的總時間所確定。
倘若基材支撐件308是靜電夾盤，則將嵌埋的電極346設在基材支撐件的絕緣盤348內，且嵌埋的電極346透過阻抗匹配電路344耦接偏壓功率生成器342或者DC功率源350。
在操作上(且舉例而言)，可將基材310放置在基材支撐件308上，且可將一或多種處理氣體導進腔室302以從處理氣體點燃電漿。
在操作上，電漿可由反應器300內的處理氣體生成，以選擇性修飾基材310的表面，如前文所討論。根據前述的製程，電漿是在處理區域324中形成，此舉是透過以下步驟完成：從生成器338施加充分的源功率給凹曲導管326、328，以在導管326、328中及處理區域324中建立電漿離子流。一些實施例中，由RF偏壓功率生成器342遞送的基材偏壓電壓可經調整以控制離子至基材表面的通量，且可能控制以下一或多者：基材上形成的層厚度，或基材表面上嵌入的電漿物種濃度。
第4圖描繪適合用於執行本發明幾個部分的群集工具。大體而言，群集工具是一種模組化系統，包含執行各種功能的多個腔室，該等功能包括：找尋基材中心及定向基材、覆蓋化、退火、沉積及/或蝕刻。根據本發明 的實施例，群集工具可包括退火處理腔室、覆蓋處理腔室、蝕刻處理腔室以及層沉積處理腔室，該等腔室設以執行本發明的方法100所述的發明性步驟。群集工具的多個處理腔室裝設至中央傳送腔室，該中央傳送腔室容納適以在腔室之間接駁基材的機器人。傳送腔室一般是被維持在真空條件下，並且提供從一個腔室接駁基材至另一腔室及/或至裝載閉鎖室(定位在群集工具的前端)的中間階段。一種此類階段式真空基材處理系統的細節揭示在美國專利案第5,186,718號，該專利發明名稱為「Staged-Vacuum Substrate Processing System and Method」，在1993年2月16日頒發給Tepman等人。但是，可變更精確的腔室排列方式與組合方式，以為執行製造製程的特定步驟，所述製造製程包括用於限制摻質損失且達成強化摻質擴散的本發明之共形摻雜方法。
透過說明的方式，特定的群集工具480顯示於第4圖的平面視圖中。群集工具480大體上包含複數個腔室與機器人，且該群集工具480較佳為裝配有微處理器控制器440，該控制器440經程式化以操作在群集工具480中所執行的各處理方法。圖中圖示前端環境483經定位以和一對裝載閉鎖室484選擇性連通。配置在前端環境483中的晶圓盒(pod)裝載器485能夠線性及旋轉移動(箭號482)，以在裝載閉鎖室484與複數個晶圓盒487(裝設在前端環境483上)接駁基材之晶圓匣。裝載閉鎖室484提供前端環境483與傳送腔室488之間的第一 真空介面。設置兩個裝載閉鎖室484以透過選擇地與傳送腔室488和前端環境483連通而增加處理量。因此，在一個裝載閉鎖室484與傳送腔室488連通的同時，第二裝載閉鎖室484與前端環境483連通。機器人489配置在傳送腔室488中央，以將基材從裝載閉鎖室484傳送到各處理腔室490與維護腔室491之一者。處理腔室490可以執行任何數量的製程(諸如物理氣相沉積、化學氣相沉積與蝕刻)，而維護腔室491適於去氣、定向、冷卻及類似製程。
本發明的實施例中，處理腔室490中至少一者設成電漿摻雜處理腔室(諸如於第3圖說明的腔室300)或可購自應用材料公司的P3i腔室；且處理腔室490中至少一者設成退火處理腔室490。一些實施例中，電漿摻雜腔室可用於在基材200上形成摻質區域202、在摻質區域202頂上形成覆蓋層204以及移除覆蓋層204。摻質活化腔室可用於在覆蓋層204形成後退火摻質區域202。在群集工具480上納入兩種腔室使得基材200得以維持免受污染並且防止基材暴露到大氣，而防止摻質損失。
一些實施例中，第一處理腔室490A(例如電漿摻雜腔室)用於在基材200上形成摻質區域202，第二處理腔室490B(例如沉積腔室)用於在摻質區域202頂上沉積覆蓋層204，第三處理腔室490C(例如摻質活化腔室)用於在形成覆蓋層204後退火摻質區域202，以及第四 處理腔室490D(例如蝕刻腔室)用於在退火摻質區域202後移除覆蓋層204。或者，該蝕刻腔室及/或摻質活化腔室之至少一者可配置在群集工具480之遠端。
在退火摻質區域202前減少覆蓋層204的厚度的實施例中，覆蓋層204的蝕刻可以在電漿摻雜腔室中執行，或者是在耦接群集工具480的分開的蝕刻腔室中執行。
一些實施例中，在基材200上形成摻質區域202以及在摻質區域202頂上形成覆蓋層204可發生在群集工具480中，而退火摻質區域202前減少覆蓋層厚度、在形成覆蓋層204後退火摻質區域202以及移除覆蓋層204可發生在一或多個配置在群集工具遠端且分開的處理腔室中。
控制器440大體上包含中央處理單元(CPU)442、記憶體444與支援電路446，並且該控制器直接(如第4圖所圖示)或者透過電腦(或控制器)耦接且控制群集工具480和支援系統430，該電腦(或控制器)與處理腔室及/或支援系統相連。
控制器440可含有電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體具有儲存在控制器440上面的指令，以用於執行前文所述根據本發明實施例的方法。當控制器讀取電腦可讀媒體時，控制器440直接或者透過電腦(或控制器)發送執行本發明之方法的指令給處理腔室490，該電腦(或控制器)與處理腔室490及/或該等電腦之支援系統相連。或者，用於執行本發明之方法的電腦可讀媒體可被包括 在與處理腔室490相連的控制器上。
因此，在此提供了用於限制摻質損失以及達成強化的摻質擴散的方法。雖然前述內容涉及本發明的實施例，可不背離本發明之基本範疇而設計本發明的其他與進一步的實施例。
100‧‧‧方法
102-110‧‧‧步驟
200‧‧‧基材
202‧‧‧摻質區域
204‧‧‧覆蓋層
300‧‧‧反應器
302‧‧‧圓柱狀真空腔室
304‧‧‧圓柱狀側壁
306‧‧‧碟形頂壁
308‧‧‧基材支撐底座
310‧‧‧基材
312‧‧‧氣體分配盤或噴頭
314‧‧‧氣體歧管
316‧‧‧氣體分配平板
318‧‧‧個別氣體供應器
320‧‧‧真空泵
322‧‧‧抽吸環
324‧‧‧處理區域
326、328‧‧‧外部凹曲導管
330‧‧‧端部
332‧‧‧D.C.絕緣圈
334‧‧‧環狀磁性核心
336‧‧‧激發線圈
338‧‧‧RF功率源
340‧‧‧阻抗匹配裝置
342‧‧‧偏壓功率生成器
344‧‧‧阻抗匹配電路
346‧‧‧嵌埋的電極
348‧‧‧絕緣盤
350‧‧‧DC功率源
430‧‧‧支援系統
440‧‧‧控制器
442‧‧‧中央處理單元
444‧‧‧記憶體
446‧‧‧支援電路
480‧‧‧群集工具
482‧‧‧箭號
483‧‧‧前端環境
484‧‧‧裝載閉鎖室
485‧‧‧晶圓盒裝載器
487‧‧‧晶圓盒
488‧‧‧傳送腔室
489‧‧‧機器人
490A-D‧‧‧處理腔室
491A-B‧‧‧維護腔室
透過參考附圖中所繪的本發明之說明性實施例，可瞭解在發明內容中簡短總結及在實施方式中詳細描述的本發明之實施例。然而應注意，附圖僅說明此發明的典型實施例，因此不應將該等附圖視為限制本發明之範疇，因本發明可容許其他等效的實施例。
第1圖是根據本發明一些實施例的方法的流程圖，該方法限制摻質損失並且達成強化的摻質擴散。
第2A圖至第2C圖描繪根據本發明一些實施例處理的不同階段期間基材的說明性剖面圖。
第3圖描繪根據本發明一些實施例電漿浸潤離子佈植處理腔室。
第4圖描繪根據本發明一些實施例的適合用於執行本發明幾個部分的群集工具。
為了助於瞭解，如可能則使用相同元件符號指定共通於各圖的相同元件。該等圖式並未按照比例尺繪製，且為了簡明起見而經過簡化。應考量一個實施例的元件與 特徵可有利地在其他實施例中結合而無須進一步記敘。

Claims (15)

  1. 一種摻雜一基材的方法，該方法包含以下步驟：透過使用一電漿摻雜製程將一或多種摻質元素佈植進入一基材的一摻質區域而在該基材上形成該摻質區域；在該摻質區域頂上形成一覆蓋層，該覆蓋層做為該摻質區域與大氣之間的物理阻障物；減少該覆蓋層的一厚度；減少該覆蓋層的厚度後退火該摻質區域；以及退火該摻質區域後移除該覆蓋層。
  2. 如請求項1所述的方法，其中在該基材上形成該摻質區域進一步包含以下步驟：將一含砷摻質元素或一含磷摻質元素之至少一者佈植進入該基材的該摻質區域。
  3. 如請求項1所述的方法，其中在該基材上形成該摻質區域進一步包含以下步驟：將三氟化硼(BF3)、二硼烷(B2H6)、甲烷(CH4)、四氟化碳(CF4)、三氟化磷(PF3)、氟化二砷(As2F5)、銻(Sb)或銦(In)之至少一者佈植進入該基材的該摻質區域。
  4. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，其中在該基材上形成該摻質區域進一步包含以下步驟：施加一基材偏壓電壓至該基材，同時形成該摻質區域。
  5. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，其中在該電漿摻雜製程期間施加零電壓功率至該基材。
  6. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，其中形成該覆蓋層進一步包含以下步驟：沉積一含矽材料於該摻質區域頂上。
  7. 如請求項6所述的方法，其中該含矽材料包含二氧化矽(SiO2)或碳化矽(SiC)之至少一者。
  8. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，其中將該覆蓋層沉積至高達約100埃的厚度。
  9. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，該方法進一步包含以下步驟：在攝氏約600度至約1300度的溫度下退火該摻質區域。
  10. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，其中執行形成該摻質區域與在該摻質區域頂上形成該覆蓋 層之步驟而不暴露該基材至大氣。
  11. 如請求項10所述的方法，其中在相同的處理腔室中執行形成該摻質區域與在該摻質區域頂上形成該覆蓋層之步驟。
  12. 如請求項10所述的方法，該方法進一步包含以下步驟：只在該覆蓋層形成於該摻質區域頂上之後暴露該基材至該大氣。
  13. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，該方法進一步包含以下步驟：使用一群集工具的一第一處理腔室在該基材上形成該摻質區域以及在該摻質區域頂上形成該覆蓋層；使用該群集工具上的一第二處理腔室或一遠端處理腔室在形成該覆蓋層後退火該摻質區域；以及使用該第一處理腔室在退火該摻質區域後移除該覆蓋層。
  14. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，該方法進一步包含以下步驟：使用一群集工具的一第一處理腔室在該基材上 形成該摻質區域；使用該群集工具上的一第二處理腔室在該摻質區域頂上形成該覆蓋層；使用該群集工具上的一第三處理腔室或一遠端處理腔室在形成該覆蓋層後退火該摻質區域；以及使用該群集工具的一第四處理腔室移除該摻質區域頂上的該覆蓋層。
  15. 如請求項1至請求項3之任一項所述的方法，其中在相同的處理腔室中執行形成該摻質區域、形成該覆蓋層、減少該覆蓋層之該厚度與移除該覆蓋層之步驟。
TW101104938A 2011-03-14 2012-02-15 共形摻雜的方法與設備 TWI621157B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161452497P 2011-03-14 2011-03-14
US61/452,497 2011-03-14
US13/188,824 2011-07-22
US13/188,824 US8501605B2 (en) 2011-03-14 2011-07-22 Methods and apparatus for conformal doping

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201239954A TW201239954A (en) 2012-10-01
TWI621157B true TWI621157B (zh) 2018-04-11

Family

ID=46828801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101104938A TWI621157B (zh) 2011-03-14 2012-02-15 共形摻雜的方法與設備

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8501605B2 (zh)
KR (1) KR20140012727A (zh)
TW (1) TWI621157B (zh)
WO (1) WO2012125317A2 (zh)

Families Citing this family (325)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
TWI549163B (zh) * 2011-09-20 2016-09-11 應用材料股份有限公司 減少摻質擴散之表面穩定化製程
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8903532B2 (en) * 2012-03-26 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
US9196515B2 (en) 2012-03-26 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
FR3008227B1 (fr) * 2013-07-03 2015-07-17 Commissariat Energie Atomique Procede d’activation electrique d’especes dopantes dans un film de gan
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9379185B2 (en) 2014-04-24 2016-06-28 International Business Machines Corporation Method of forming channel region dopant control in fin field effect transistor
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9640400B1 (en) * 2015-10-15 2017-05-02 Applied Materials, Inc. Conformal doping in 3D si structure using conformal dopant deposition
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US20170170018A1 (en) * 2015-12-14 2017-06-15 Lam Research Corporation Conformal doping using dopant gas on hydrogen plasma treated surface
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US9911660B2 (en) 2016-04-26 2018-03-06 Lam Research Corporation Methods for forming germanium and silicon germanium nanowire devices
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) * 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10460941B2 (en) * 2016-11-08 2019-10-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma doping using a solid dopant source
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10276384B2 (en) * 2017-01-30 2019-04-30 International Business Machines Corporation Plasma shallow doping and wet removal of depth control cap
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
SG11202001191VA (en) * 2017-09-03 2020-03-30 Applied Materials Inc Conformal halogen doping in 3d structures using conformal dopant film deposition
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200515595A (en) * 2003-09-02 2005-05-01 Advanced Micro Devices Inc Siliciding spacer in integrated circuit technology
TW200945425A (en) * 2007-12-21 2009-11-01 Applied Materials Inc Removal of surface dopants from a substrate

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3221484B2 (ja) * 1998-03-04 2001-10-22 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6020592A (en) * 1998-08-03 2000-02-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dose monitor for plasma doping system
US6900091B2 (en) * 2002-08-14 2005-05-31 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolated complementary MOS devices in epi-less substrate
US20050059260A1 (en) 2003-09-15 2005-03-17 Haowen Bu CMOS transistors and methods of forming same
US7029966B2 (en) * 2003-09-18 2006-04-18 International Business Machines Corporation Process options of forming silicided metal gates for advanced CMOS devices
CN101160643B (zh) * 2005-05-12 2012-04-18 松下电器产业株式会社 等离子体掺入方法和等离子体掺入设备
US7737010B2 (en) * 2006-04-14 2010-06-15 Micron Technology, Inc. Method of photoresist strip for plasma doping process of semiconductor manufacturing
WO2008077020A2 (en) * 2006-12-18 2008-06-26 Applied Materials, Inc. Safe handling of low energy, high dose arsenic, phosphorus, and boron implanted wafers
WO2010018797A1 (ja) * 2008-08-15 2010-02-18 株式会社アルバック プラズマドーピング方法及び半導体装置の製造方法
US8202792B2 (en) * 2009-04-24 2012-06-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method of processing a substrate having a non-planar surface
US8187928B2 (en) * 2010-09-21 2012-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming integrated circuits

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200515595A (en) * 2003-09-02 2005-05-01 Advanced Micro Devices Inc Siliciding spacer in integrated circuit technology
TW200945425A (en) * 2007-12-21 2009-11-01 Applied Materials Inc Removal of surface dopants from a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012125317A3 (en) 2012-12-06
WO2012125317A9 (en) 2013-04-04
TW201239954A (en) 2012-10-01
WO2012125317A2 (en) 2012-09-20
US8501605B2 (en) 2013-08-06
US20120238074A1 (en) 2012-09-20
KR20140012727A (ko) 2014-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI621157B (zh) 共形摻雜的方法與設備
JP5064572B2 (ja) 基板からの表面ドーパントの除去
US7780793B2 (en) Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth
KR100931765B1 (ko) Ｎｈ3-ｎｆ3 화학물질을 이용하는 산화물 식각
TWI620233B (zh) 選擇性沉積的方法與設備
KR102234458B1 (ko) 저온 에천트 증착 및 플라즈마 사후-처리를 이용한 방향성 ＳｉＯ₂에칭
US8999798B2 (en) Methods for forming NMOS EPI layers
US20080153306A1 (en) Dry photoresist stripping process and apparatus
TW201218255A (en) Integrated platform for in-situ doping and activation of substrates
TWI494977B (zh) 由基板表面移除污染物與原生氧化物之方法
JP2013012752A (ja) 半導体基板を処理する方法
TWI524391B (zh) 改善ｐ３ｉ腔室中共形摻雜之方法
WO2010051283A1 (en) Doping profile modification in p3i process
US20130023112A1 (en) Methods for post dopant implant purge treatment
US20120289036A1 (en) Surface dose retention of dopants by pre-amorphization and post implant passivation treatments
US20120302048A1 (en) Pre or post-implant plasma treatment for plasma immersed ion implantation process
WO2024206046A1 (en) Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride
JP2002237470A (ja) 半導体装置の製造方法