TWI615984B - 氧化物半導體基板及肖特基能障二極體 - Google Patents

氧化物半導體基板及肖特基能障二極體 Download PDF

Info

Publication number
TWI615984B
TWI615984B TW103128165A TW103128165A TWI615984B TW I615984 B TWI615984 B TW I615984B TW 103128165 A TW103128165 A TW 103128165A TW 103128165 A TW103128165 A TW 103128165A TW I615984 B TWI615984 B TW I615984B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
oxide semiconductor
schottky barrier
barrier diode
substrate
semiconductor layer
Prior art date
Application number
TW103128165A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201515242A (zh
Inventor
笘井重和
柴田雅敏
川嶋繪美
矢野公規
早坂紘美
Original Assignee
出光興產股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 出光興產股份有限公司 filed Critical 出光興產股份有限公司
Publication of TW201515242A publication Critical patent/TW201515242A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI615984B publication Critical patent/TWI615984B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/60—Schottky-barrier diodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40—Crystalline structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40—Crystalline structures
    • H10D62/402—Amorphous materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/64—Electrodes comprising a Schottky barrier to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
TW103128165A 2013-08-19 2014-08-15 氧化物半導體基板及肖特基能障二極體 TWI615984B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-169966 2013-08-19
JP2013169966 2013-08-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201515242A TW201515242A (zh) 2015-04-16
TWI615984B true TWI615984B (zh) 2018-02-21

Family

ID=52483294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103128165A TWI615984B (zh) 2013-08-19 2014-08-15 氧化物半導體基板及肖特基能障二極體

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9691910B2 (https=)
JP (3) JPWO2015025499A1 (https=)
KR (1) KR102226985B1 (https=)
CN (2) CN111668315B (https=)
TW (1) TWI615984B (https=)
WO (1) WO2015025499A1 (https=)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6975530B2 (ja) * 2015-12-25 2021-12-01 出光興産株式会社 半導体素子及びそれを用いた電気機器
JP6976858B2 (ja) * 2015-12-25 2021-12-08 出光興産株式会社 積層体
TWI726964B (zh) 2015-12-25 2021-05-11 日商出光興產股份有限公司 積層體
WO2017110940A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 出光興産株式会社 半導体素子及びそれを用いた電気機器
CN107039439B (zh) 2016-02-04 2020-03-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 存储器及其形成方法
JP6770331B2 (ja) * 2016-05-02 2020-10-14 ローム株式会社 電子部品およびその製造方法
US20180097073A1 (en) * 2016-10-03 2018-04-05 Flosfia Inc. Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device
CN109863607A (zh) 2016-10-11 2019-06-07 出光兴产株式会社 结构物、该结构物的制造方法、半导体元件以及电子电路
JP2018137394A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
CN110870079B (zh) * 2017-07-08 2024-01-09 株式会社Flosfia 半导体装置
JP6977465B2 (ja) * 2017-10-06 2021-12-08 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
GB2569196B (en) 2017-12-11 2022-04-20 Pragmatic Printing Ltd Schottky diode
DE102020132743A1 (de) * 2019-12-13 2021-06-17 Denso Corporation Elektret
JP7392606B2 (ja) 2020-08-07 2023-12-06 トヨタ自動車株式会社 動力伝達装置の異常判定装置
JP7638125B2 (ja) 2021-03-25 2025-03-03 エヌ・ティ・ティ・コミュニケーションズ株式会社 医療システム及びコンピュータープログラム
CN117954504A (zh) * 2022-10-19 2024-04-30 广州华瑞升阳投资有限公司 一种肖特基势垒二极管

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200915579A (en) * 2007-09-10 2009-04-01 Idemitsu Kosan Co Thin film transistor
TW201321243A (zh) * 2011-10-11 2013-06-01 Bruce B Roesner 車輛之通信狀態
TW201330254A (zh) * 2011-08-18 2013-07-16 茂力科技股份有限公司 橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效電晶體及其製造方法

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4358782A (en) * 1980-01-17 1982-11-09 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US4782302A (en) * 1986-10-31 1988-11-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Detector and energy analyzer for energetic-hydrogen in beams and plasmas
JP2702279B2 (ja) * 1990-11-30 1998-01-21 新コスモス電機株式会社 ガス検知素子
JPH0536975A (ja) 1991-03-07 1993-02-12 Sumitomo Metal Ind Ltd シヨツトキーバリアダイオード素子
JPH04302173A (ja) * 1991-03-29 1992-10-26 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 薄膜ダイオード
JPH0897441A (ja) 1994-09-26 1996-04-12 Fuji Electric Co Ltd 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
US20020179957A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating high Q varactor diodes
JP2004022878A (ja) 2002-06-18 2004-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005072367A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Nippon Oil Corp 光電変換素子
EP2453481B1 (en) * 2004-11-10 2017-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide
JP5053537B2 (ja) * 2004-11-10 2012-10-17 キヤノン株式会社 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US20090090914A1 (en) * 2005-11-18 2009-04-09 Koki Yano Semiconductor thin film, method for producing the same, and thin film transistor
KR100723420B1 (ko) * 2006-02-20 2007-05-30 삼성전자주식회사 비정질 합금 산화층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
JP2007243080A (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7389675B1 (en) * 2006-05-12 2008-06-24 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Miniaturized metal (metal alloy)/ PdOx/SiC hydrogen and hydrocarbon gas sensors
JP4929882B2 (ja) 2006-07-11 2012-05-09 富士電機株式会社 半導体装置
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5261923B2 (ja) * 2006-10-17 2013-08-14 サンケン電気株式会社 化合物半導体素子
JP4362635B2 (ja) * 2007-02-02 2009-11-11 ローム株式会社 ＺｎＯ系半導体素子
TWI478347B (zh) * 2007-02-09 2015-03-21 出光興產股份有限公司 A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device
US8748879B2 (en) 2007-05-08 2014-06-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor device, thin film transistor and a method for producing the same
JP2009164237A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Panasonic Corp ショットキーバリアダイオード
JP2009194225A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Sumitomo Electric Ind Ltd ショットキバリアダイオード、及びショットキバリアダイオードを作製する方法
US8076699B2 (en) * 2008-04-02 2011-12-13 The Hong Kong Univ. Of Science And Technology Integrated HEMT and lateral field-effect rectifier combinations, methods, and systems
JP5382763B2 (ja) 2008-04-09 2014-01-08 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体素子及びその製造方法と、該半導体素子を備えた電子デバイス
JP5198146B2 (ja) * 2008-05-22 2013-05-15 株式会社東芝 不揮発性記憶装置
JP2010040552A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP4803241B2 (ja) * 2008-11-27 2011-10-26 三菱電機株式会社 半導体モジュール
JP5606682B2 (ja) * 2009-01-29 2014-10-15 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2010182852A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Konica Minolta Holdings Inc 金属酸化物半導体、その製造方法及び薄膜トランジスタ
US20100224878A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) * 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5453867B2 (ja) * 2009-03-24 2014-03-26 株式会社デンソー ショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2010147073A1 (ja) 2009-06-15 2010-12-23 株式会社村田製作所 抵抗スイッチング・メモリー素子
JP2011029238A (ja) * 2009-07-21 2011-02-10 Fujifilm Corp 結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法及び電界効果型トランジスタ
WO2011052437A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
WO2011065210A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR102929405B1 (ko) * 2009-12-04 2026-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101636998B1 (ko) * 2010-02-12 2016-07-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
CN102754209B (zh) * 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
JP5780902B2 (ja) * 2010-10-12 2015-09-16 出光興産株式会社 半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2012138552A (ja) * 2010-12-28 2012-07-19 Taiyo Yuden Co Ltd ショットキーダイオードおよびその製造方法
US20130320326A1 (en) * 2011-02-18 2013-12-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Insulating material forming composition for electronic devices, insulating material for electronic devices, electronic devices and thin film transistor
JP5800291B2 (ja) * 2011-04-13 2015-10-28 ローム株式会社 ＺｎＯ系半導体素子およびその製造方法
JP5894393B2 (ja) * 2011-08-19 2016-03-30 出光興産株式会社 酸化物粒子分散液
JP5866727B2 (ja) * 2011-09-08 2016-02-17 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の製造方法及び結晶積層構造体
CN102332474A (zh) * 2011-10-18 2012-01-25 北京工业大学 一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法
JP2013102081A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Tamura Seisakusho Co Ltd ショットキーバリアダイオード
JP5984505B2 (ja) * 2012-05-22 2016-09-06 株式会社日立製作所 半導体ガスセンサおよびその製造方法
CN103426910B (zh) * 2012-05-24 2016-01-20 杰力科技股份有限公司 功率半导体元件及其边缘终端结构
US8952470B2 (en) * 2012-09-10 2015-02-10 James John Lupino Low cost high density nonvolatile memory array device employing thin film transistors and back to back Schottky diodes
JP5777586B2 (ja) * 2012-09-20 2015-09-09 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP6071569B2 (ja) * 2013-01-17 2017-02-01 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP6222931B2 (ja) * 2013-01-21 2017-11-01 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP6581765B2 (ja) * 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
US9300292B2 (en) * 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
JP6541360B2 (ja) * 2014-02-07 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9842842B2 (en) * 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
JP6587497B2 (ja) * 2014-10-31 2019-10-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI688211B (zh) * 2015-01-29 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、電子組件及電子裝置
WO2016128853A1 (en) * 2015-02-09 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9489988B2 (en) * 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200915579A (en) * 2007-09-10 2009-04-01 Idemitsu Kosan Co Thin film transistor
TW201330254A (zh) * 2011-08-18 2013-07-16 茂力科技股份有限公司 橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效電晶體及其製造方法
TW201321243A (zh) * 2011-10-11 2013-06-01 Bruce B Roesner 車輛之通信狀態

Also Published As

Publication number Publication date
CN105453272B (zh) 2020-08-21
US20170263786A1 (en) 2017-09-14
US20160197202A1 (en) 2016-07-07
CN111668315A (zh) 2020-09-15
JP7084465B2 (ja) 2022-06-14
US11769840B2 (en) 2023-09-26
JP2019080084A (ja) 2019-05-23
KR20160043967A (ko) 2016-04-22
US9691910B2 (en) 2017-06-27
KR102226985B1 (ko) 2021-03-11
CN105453272A (zh) 2016-03-30
WO2015025499A1 (ja) 2015-02-26
JP6989545B2 (ja) 2022-01-05
CN111668315B (zh) 2023-09-12
JP2021052203A (ja) 2021-04-01
JPWO2015025499A1 (ja) 2017-03-02
TW201515242A (zh) 2015-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7084465B2 (ja) 酸化物半導体基板及びショットキーバリアダイオード
TWI629799B (zh) Oxide semiconductor substrate and Schottky barrier diode
KR101824124B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI731844B (zh) 積層體
WO2016132681A1 (ja) 積層体及び積層体の製造方法