JP5382763B2 - 半導体素子及びその製造方法と、該半導体素子を備えた電子デバイス - Google Patents
半導体素子及びその製造方法と、該半導体素子を備えた電子デバイス Download PDFInfo
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様々な形態の情報端末や情報家電が要求されている中、半導体はより高速に動作し、長期間安定であり、且つ低環境負荷であることが必要となる。一方で、現在主流として用いられているシリコン半導体に低エネルギー製造プロセスを適応することは困難であり、現在注目されている導電性高分子や有機半導体は電気物性や安定性の面で未だ不十分である。
また、電気物性、及び安定性の向上が図れ、かつ、低エネルギー製造プロセスを適応した半導体素子の製造方法を提供することを第二の目的とする。
また、本発明の半導体素子の製造方法によれば、塗布法や印刷法により、フレキシブルな電子デバイスを作製することが可能となり、安価に大量に電子デバイスを供給することができる。また、塗布法や印刷法などの低エネルギー製造プロセスを適応できるため、低環境負荷な工程で電子デバイスを作製することができる。
本発明の半導体素子10A(10)は、基板1と、基板1に重ねて配された半導体層5とから概略構成されている。また半導体層5は、バインダー樹脂2と、バインダー樹脂2中に分散された少なくとも1種類以上の半導体からなる第一微粒子3とから構成されている。以下、それぞれについて詳細に説明する。
半導体層5の厚さとしては特に限定されるものではないが、使用用途により最高の性能を出せるように適宜調節される。トランジスタ用として一般的に好適に用いられるのは0.05μm〜1μmであり、ダイオード用としては0.05μmから1000μmである。
また、第一微粒子3とバインダー樹脂2の混合比は特に限定されるものではないが、用途によって最適な性能が出せる濃度に適宜調製される。
また、第一微粒子3の粒径は特に限定されるものではないが、微細塗布パターンに適応する場合10μm以下の粒径が好適である。
アントラセン、テトラセン、ペンタセン、またはその末端が置換されたこれらの誘導体。α−セクシチオフェン。ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)およびその末端が置換された誘導体。ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)およびその末端が置換された誘導体。銅フタロシアニン及びその末端がフッ素などで置換された誘導体。中心金属がニッケル、酸化チタン、フッ素化アルミニウム等のフタロシアニン系材料。フラーレン、ルブレン、コロネン、アントラジチオフェンおよびそれらの末端が置換された誘導体。ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレン、ポリアセチレンおよびこれらの末端もしくは側鎖が置換された誘導体のポリマー。
半導体層5は半導体からなる第一微粒子3をバインダー樹脂2に混合することにより半導体ペーストを作製し、調整された半導体ペーストを基板1に重ねて塗布し、加熱・加圧させることで基板の一面に半導体層5が形成される。あるいは、図2(a)に示すように、基板1に重ねてバインダー樹脂2を塗布した後、図2(b)に示すように第一微粒子3をバインダー樹脂2上に配する。その後、図2(c)に示すように加圧ヘッド21により加圧することで、基板1の一面1aに半導体層5を形成することができる。
また、界面活性剤は分散性を高めるために添加しても良いし、電気物性に悪影響を与える場合は添加しなくても良い。
加圧ヘッド25が導電層5と接する面25aの形状は特に限定されるものではないが、平面状、球面状、曲面状、線状、点状のものが好適に用いられる。
加圧ヘッド25の材質も特に限定されるものではないが、一般的に好適には、ゴム、プラスチック、テフロン(登録商標)、鉄、ステンレス、アルミニウム、銅等が用いられる。
図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体素子10Bを模式的に示した断面図である。
本実施形態が第1実施形態と異なる点は、更に半導体層5中に、第一微粒子3とは異なる電子吸引性もしくは電子供与性を有した半導体からなる第二微粒子4が添加されている点である。
また、有機半導体としては、例えば以下に示すものが挙げられる。アントラセン、テトラセン、ペンタセン、またはその末端が置換されたこれらの誘導体。α−セクシチオフェン。ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)およびその末端が置換された誘導体。ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)およびその末端が置換された誘導体。銅フタロシアニン及びその末端がフッ素などで置換された誘導体。中心金属がニッケル、酸化チタン、フッ素化アルミニウム等のフタロシアニン系材料。フラーレン、ルブレン、コロネン、アントラジチオフェンおよびそれらの末端が置換された誘導体。ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレン、ポリアセチレンおよびこれらの末端もしくは側鎖が置換された誘導体のポリマー。
図4は、本発明の半導体素子10を適用したショットキー型ダイオード40を模式的に示した断面図である。
ショットキー型ダイオード40は、本発明の半導体素子において、半導体層5が基板1上に配された下部電極46を介して基板1に重ねて配され、この半導体層5上に上部電極47がさらに配されている。
また、下部電極46、もしくは上部電極47と半導体層5との間にショットキー型のエネルギー障壁が形成されるように半導体層5内の第一微粒子3の混合状態が調節されている。
下部電極46および上部電極47の作製方法は特に限定されないが、一般的に好適な方法として凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンシング法、ドクターブレード法、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法等が用いられる。
図5は、本発明の半導体素子10Aを適用したpn接合型ダイオード50を模式的に示した断面図である。
pn接合型ダイオード50は、基板1、並びに基板1上に順に積層された第一電極56、第一半導体層5b、第二半導体層5a、及び第二電極57、から概略構成されている。
第二半導体層5aはn型半導体層であり、第二バインダー樹脂2aと、第二バインダー樹脂2a中に分散して配されたn型酸化物半導体からなる微粒子3aとからなる。
本発明の半導体素子10Aは、この第一半導体層5b及び第二半導体層5aにそれぞれ適用することが出来る。すなわち、第一微粒子3を、p型酸化物半導体からなる微粒子3bとn型酸化物半導体からなる微粒子3aとにすることで、簡便に適用することができる。
p型半導体層(第一半導体層)5b及びn型半導体層(第二半導体層)5aの厚さは、低電圧駆動のためには薄いほうが望ましいが、pn接合型エネルギー障壁を利用して整流性を持たせるためには空乏層厚より厚い方が良いため0.05μm以上1000μm以下が望ましい。
図6から図9は、本発明の半導体素子を適用した薄膜トランジスタを模式的に示した断面図である。
図6に示す薄膜トランジスタ60A(60)は、トップゲートトップコンタクト型の電界効果トランジスタであり、基板1と、基板1上に重ねて配された半導体層5とからなる半導体素子10、半導体層5上にあって、お互いに離間部を設け、配されたドレイン電極63とソース電極64、ドレイン電極63とソース電極64を覆うように半導体層5上に配されたゲート絶縁膜66、およびゲート絶縁膜66上に配されたゲート電極65、から概略構成されている。
また、ゲート絶縁膜66の厚さは、低電圧駆動を実現するために薄いほうが望ましいが、絶縁性を保つ程度の厚さが必要であるため、0.1μmから10μmが望ましい。
なお、基板1、半導体層5、ドレイン電極63、ソース電極64、ゲート電極65、及びゲート絶縁膜66に関しては、図6に示した薄膜トランジスタ60Aと同様である。
なお、基板1、半導体層5、ドレイン電極63、ソース電極64、ゲート電極65、及びゲート絶縁膜66に関しては、図6に示した薄膜トランジスタ60Aと同様である。
なお、基板1、半導体層5、ドレイン電極63、ソース電極64、ゲート電極65、及びゲート絶縁膜66に関しては、図6に示した薄膜トランジスタ60Aと同様である。
酸化インジウム粉末、酸化スズ粉末、あるいは酸化ニッケル粉末(フルウチ化学製、200mesh)のそれぞれを、ポリビニルアルコール(PVA)にPVAとの重量比が1:1となるように水に分散させたペーストを作製した。この際、水に対する固形分の重量濃度が30wt%となるようにそれぞれ調製した。
上記で作製したそれぞれのペーストをITO(酸化インジウムスズ)電極をコートしたガラス基板上にブレード法により塗布して、膜厚10μm、面積3cm×3cmの半導体層が形成された測定用パッチを作製した。その後、この測定用パッチをホットプレート上で100℃、30分間乾燥させ、これを実施例1の半導体素子とした。
大気下紫外分光測定装置(理研計器株式会社製AC‐2)を用いて、実施例1の半導体素子に対するイオン化ポテンシャルを測定した。また、大気下ケルビン法測定装置(理研計器株式会社製FAC−1)を用いて仕事関数の測定を行った。その結果を、あわせて図10に示す。
また、仕事関数は、酸化スズ薄膜を用いたものでは4.9eV、酸化インジウム薄膜を用いたものでは4.2eV、酸化ニッケル薄膜を用いたものでは4.7eVとなった。
それぞれの半導体層においてイオン化ポテンシャル、仕事関数を決定することができ、半導体薄膜として働くことが示された。
酸化インジウム粉末、(フルウチ化学製、200mesh)をポリビニルアルコール(PVA)にPVAとの重量比が1:1となるように水に分散させペーストを作製した。水に対する固形分の重量濃度が30wt%となるように調製した。
このペーストを用いてPET基板上にブレード法により面積0.15cm×1.0cmの半導体層が形成された図1に示すような測定用パッチを作製した。この試料をホットプレート上で100℃、30分間乾燥させた。その後、表1に示すように加圧工程と加熱工程とを所定の回数交互に繰り返し、これを実施例2(2−1〜2−6)とした。
PET基板上にAgインクに亜鉛粒子を40wt%添加したインクを塗布し80℃で乾燥させ、1cm×1cmのサイズで厚さが約10μmの塗布Ag+Zn電極を作製した。その後、この塗布Ag電極上に、SnO2を分散させた半導体層を実施例1と同様にして作製した。さらに、その半導体層の上に、Agインクのみを塗布して塗布Ag電極を作製し、図4に示したようなダイオードを作製した。このダイオードを実施例3とした。
この実施例3のダイオードに関して、ソースメーター(Keithley社製 2400)とプローバー(株式会社メジャージグ社製 MJ−10)を組み合わせて電流−電圧特性を測定した。その結果を図12に示す。
酸化インジウム(In2O3)粉末、酸化亜鉛粉(ZnO)粉末、あるいはIn2O3粉末とZnO粉末とを重量比で1:1で混合したものを、それぞれポリビニルアルコール(PVA)にPVAとの重量比が1:1となるように水に分散させペーストを作製した。
上記で作製したそれぞれのペーストを、PET基板上にブレード法により塗布し、面積1.0cm×1.0cm、膜厚10μmの半導体層が形成された測定用パッチを作製した。この試料をホットプレート上で100℃、30分間乾燥した。
この測定用パッチの上に、さらにスクリーン印刷法により、銀インク(Acheson PM‐406)を用いて二つの電極を塗布し、これを実施例4とした。なお、電極の乾燥温度は100℃、30分間、電極間距離は500μm、電極の長さは1000μmとした。
その後、ソースメーター(Keithley社製 2400)とプローバー(株式会社メジャージグ社製 MJ−10)を組み合わせて実施例における電流−電圧特性を測定した。その結果を図13に示す。
この結果より、酸化物半導体粉末の混合比により、薄膜の電気抵抗を制御できることが明示された。
実施例3と同様に、半導体層としてZnO薄膜、In2O3:ZnO薄膜、もしくはIn2O3薄膜をPET基板上にブレード法により作製した(面積1.0cm×1.0cm、膜厚10μm)。この薄膜の上に、スクリーン印刷法により、銀インク(Acheson PM‐406)を用いてドレイン−ソース電極を塗布した。なお、ドレイン−ソース電極の乾燥温度は100℃、30分間とした。また、チャネル長は500μm、チャネル幅は1000μmとした。
このドレイン−ソース電極上に、ゲート絶縁層としてPVAの10wt%水溶液を塗布し100℃、30分間乾燥して厚さ約1μmの薄膜を得た。さらにゲート絶縁層上にゲート電極として、前記銀インクをディスペンシング法により塗布して図6に示すようなトップゲートトップコンタクト型の電界効果トランジスタを作製し、これを実施例5とした。
実施例5において、ソースメーター(Keithley社製 2400、6430)とプローバー(株式会社メジャージグ社製 MJ−10)を組み合わせてこれらの薄膜のトランジスタ特性を測定した。その結果を図14に示す。なお、図14(a)は、半導体層としてIn2O3薄膜を用いたもの、図14(b)は、半導体層としてIn2O3:ZnO薄膜を用いたもの、図14(c)は、半導体層としてZnO薄膜を用いたものの結果である。
Claims (8)
- 基板と、前記基板に重ねて配された半導体層とからなる半導体素子であって、
前記半導体層は、バインダー樹脂と、前記バインダー樹脂中に分散された少なくとも1種類以上の半導体からなる第一微粒子とから構成され、
前記第一微粒子が、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化銀、酸化銅、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化ニッケル、及び酸化インジウムガリウム亜鉛からなる群から選択される少なくとも1以上であり、
前記半導体層は、更に前記第一微粒子とは異なる電子吸引性もしくは電子供与性を有した半導体からなる第二微粒子が添加されてなることを特徴とする半導体素子。 - 前記半導体層は、前記第一微粒子と第二微粒子との混合比の調節により、キャリア密度及び多数キャリアの極性が制御されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記基板は可撓性を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。
- 基板と、前記基板に重ねて配された半導体層とからなる半導体素子であって、前記半導体層は、バインダー樹脂と、前記バインダー樹脂中に分散された少なくとも1種類以上の半導体からなる第一微粒子とから構成されている半導体素子の製造方法であって、
前記基板に重ねてバインダー樹脂を塗布する工程、
前記第一微粒子を、前記基板に重ねて塗布されたバインダー樹脂上に配する工程、
および前記第一微粒子と前記バインダー樹脂を加圧することにより、前記バインダー樹脂中に前記第一微粒子を分散させるとともに、前記基板上に半導体層を形成する工程、を有していることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体素子を備えたことを特徴とする電子デバイス。
- 前記電子デバイスがショットキー接合型ダイオードであることを特徴とする請求項5に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスがpn接合型ダイオードであることを特徴とする請求項5に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスが、トランジスタであることを特徴とする請求項5に記載の電子デバイス。
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