TWI590716B - 電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件 - Google Patents

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Description

電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件
本發明係關於半導體基板處理所用之裝置，尤有關於電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件。
吾人藉由包含蝕刻、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、離子佈植、以及光阻去除之技術，使用電漿設備來處理基板。一類使用於電漿處理之電漿處理設備包含具有上部及底部電極之反應腔室。在電極之間建立電場以將處理氣體激發至電漿狀態，進而在反應室中處理基板。
在一實施例中，提供一種複合噴淋頭電極組件，用以在電漿處理設備中產生電漿，該複合噴淋頭電極組件包含：一背襯板，其包含上表面及底表面，其間具有第一氣體通道，該底表面具有橋接及未橋接區域，該第一氣體通道在未橋接區域中具有出口，以供應一處理氣體至該電漿處理設備之內部；一電極板，其具有一上表面、一曝露至電漿之底表面、及延伸於其間並與該第一氣體通道作流體交流之第二氣體通道，其中該第二氣體通道在該電極板之該上表面之未橋接區域中具有入口；以及一界面凝膠，其配置在橋接區域之每一者的接觸面之間，並在電極板與背襯板之間建立熱接觸，且在因該電極板及該背襯板中之熱膨脹係數之失配所致之溫度循環期間，該界面凝膠維持該電極板相對於該背襯板之橫向移動期間的該熱接觸，其中該電極板被接合至該背襯板，以允許該移動。
在另一實施例中，提供一種用於電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之結合組件之方法，其包含：在橋接區域中，以一預定的圖案，施加一界面凝膠至一電極板之一上表面；將一背襯板之一底表面與該電極板之該上表面對準；以一夾鉗或黏著劑，將該電極板之該上表面貼附至該背襯板之該底表面，其中該界面凝膠橫向散佈至該電極板之該上表面與該背襯板之該底表面之間的橋接區域中，且該背襯板之該氣體通道與該電極板之該氣體通道作流體交流。
在達成可靠的元件及得到高良率方面，於製造積體電路期間控制在半導體晶圓表面之微粒子污染是必要的。處理裝置，如電漿處理設備，可能為微粒子污染源。例如，存在於晶圓表面的粒子可能局部地破壞微影及蝕刻步驟期間之圖案轉印。因此，這些粒子可能導致缺陷進入包含閘極構造、金屬間的介電層或金屬互連線之關鍵特徵部中，造成積體電路元件故障或失效。
通常稱具有相對較短使用壽命之反應器零件，例如矽電極，為「消耗品」。如果消耗品的使用壽命短，持有花費的成本就高。在大量的射頻(RF)工作小時(在使用射頻電力產生電漿之以小時計的時間)之後，於介電蝕刻工具中使用之矽電極組件會劣化。在電漿處理室中，消耗品以及其他零件的磨損會產生微粒子污染。
考慮到多重功能下，可以藉由以機械式順應及/或導熱接合材料來結合二個以上的不同構件而製造噴淋頭電極組件。例如，在共同持有之美國專利第5,569,356號中描述使用機械式夾持以結合電極組件的表面在一起，在此藉由參考文獻方式將其整體揭露內容併入。例如，在共同持有之美國專利第6,073,577號中，及提出申請於2007年12月19日之共同申請中美國臨時專利申請案第61/008,152號與第61/008,144中，描述使用彈性體以接合電極組件的表面在一起。在彈性體接合的例子中，接合材料可以包含導電及/或導熱填料粒子以增強導電或導熱性。提供用以增強在電漿處理設備之組件之間的導電或導熱性之方法範例。
圖1A說明電漿處理設備用之噴淋頭電極組件10之例示性實施例，在此電漿處理設備中處理半導體基板，例如矽晶圓。噴淋頭電極組件10包含噴淋頭電極，該噴淋頭電極包括：上電極12；溫度控制背襯構件14，其固定至上電極12；以及熱控制板16。基板支座18(在圖1A中僅顯示其一部分)，其包含底部電極及選擇性的靜電夾持電極，並設置在電漿處理設備之真空處理室中之上電極12下方。將受到電漿處理的基板20以機械地或靜電式夾持於基板支座18的上支撐表面22上。
於所例示之實施例中，噴淋頭電極之上電極12包含：內電極構件24；以及選擇性的外電極構件30。內電極構件24較佳者為圓柱形板(如由矽構成之平板)，且包含曝露至電漿之底表面26及上表面28。內電極構件24可以具有小於、等於、或大於被處理晶圓(例如，如果平板由矽構成者，達約8英吋(約200mm)或達約12英吋(約300mm))之直徑。在較佳之實施例中，噴淋頭電極組件10大得足以處理大型基板(如具有300mm或更大直徑之半導體晶圓)。對於300mm晶圓而言，上電極12直徑至少為300mm，而較佳者直徑約為12至15英吋。然而，可調整噴淋頭電極組件之大小，以處理其他晶圓尺寸或具有非圓形構造之基板。於此實施例中，內電極構件24比基板20寬。
為了處理300mm之晶圓，設置外電極構件30以擴大上電極12至約15英吋到約17英吋。外電極構件30可為連續的構件(如連續的多晶矽環)或分段的構件(例如，包含2至6個排列在環狀構造中之分離區段，如由矽組成之區段)。在包含多區段的外電極構件30之上電極12的實施例中，該區段較佳為具有彼此重疊的邊緣以防止下面的接合材料曝露至電漿。內電極構件24較佳者為包含氣體通道32之圖案或陣列，其延伸穿越背襯構件14，以注入處理氣體至在電漿反應室中之位於上電極12及底部電極18之間的空間。選擇性地，外電極構件30亦可包含氣體通道之圖案或陣列(未顯示)，其延伸穿越背襯構件14之托圈36，以注入處理氣體至在電漿反應室中之位於上電極12及底部電極18之間的空間。
對於曝露於電漿的內電極構件24及外電極構件30之表面而言，較佳的材料為矽。兩電極較佳為由高純度之單晶矽製成，其可以使在電漿處理期間的基板污染最小化且亦可以在電漿處理期間平穩地磨損，藉而使粒子最少化。可以使用於曝露至電漿之上電極12表面的替代材料例如包含碳化矽(SiC)或氮化鋁(AlN)。
於此實施例中，背襯構件14包含：背襯板34；托圈(backing ring)36，其延伸於背襯板34周圍。背襯板34包含底表面38。在此實施例中，內電極構件24隨背襯板34一同延伸，外電極構件30隨環繞之托圈36一同延伸。然而，背襯板34可以延伸超過內電極構件24，以使得可用單一背襯板來支撐內電極構件24以及分段的或連續的外電極構件30。藉由接合材料等，以如螺釘或夾圈之扣結件在其周圍，將上電極12固定至背襯構件14。
顯示在圖1A之實施例中之扣結構件60，將內電極構件24的周圍貼附至背襯板34。扣結構件60穿過在內電極構件24周圍之多數個孔62並將內電極構件24貼附至背襯板34。外電極構件30較佳為與內電極構件24之周圍、多數個扣結件孔洞62、以及內電極扣結構件60重疊。外電極凸輪鎖64將外電極構件30固定至背襯板。凸輪鎖的細節描述於提出申請於2008年3月14日之共同申請中美國臨時專利申請案第61/036862中，在此藉由參考文獻方式將其整體揭露內容併入。
較佳者為將在內電極構件24之上表面28之多數個插銷對準孔洞72與多數個背襯板34中之對應插銷對準孔洞74對準。可以使用容納在對準孔洞72/74中之聚合物插銷或扣結件來將內電極構件24對準至背襯板34。此些對準孔洞及插銷(未顯示)亦選擇性地位於外電極構件30及托圈36中以對準這些組件。選擇性地，此些對準孔洞72/74可以光學式地對準。在一實施例中，在不想要對準孔洞之處，可以用對準標記(未顯示)光學式地對準。
較佳者為，在於內電極構件24之上表面28與背襯板34之底表面38之間的橋接區域82中，配置界面凝膠48。界面凝膠48在內電極構件24與背襯板34之間，提供一導熱界面。又，界面凝膠可以在內電極構件24與背襯板34之間，提供一導電界面。界面凝膠48提供穿越在內電極構件24之上表面28與背襯板34之底表面38之間的間隙86之一熱及/或電路徑。選擇性地，界面凝膠48亦可以配置在外電極構件30與托圈36之間的橋接區域中。較佳者為，將導電導熱墊圈46配置在外電極構件30與托圈36之間，以在外電極構件30與托圈36之間提供一導電導熱路徑。
可以將射頻(RF)金屬墊圈80設置在內電極構件24與背襯板34之間靠近內電極構件24的外部周圍之處。背襯構件14包含多數個孔洞40，其適于容納用以將背襯構件14貼附至熱控制板16之扣結構件42。較佳者為，孔洞40及扣結構件42延伸穿越熱控制板16並進入背襯構件14中。背襯板34亦包含多重氣體通道44，其延伸穿越背襯板34且與在內電極構件24中之氣體通道32作流體交流。選擇性地，托圈36亦包含多重氣體通道(未顯示)，其延伸穿越托圈36且與在外電極構件30中之選擇性的氣體通道(未顯示)作流體交流。
背襯板34及托圈36較佳者為由與在電漿處理腔室中處理半導體基板用之處理氣體化學上相容且導電導熱之材料所製成。可用以製造背襯構件14之例示性的適合材料包含鋁、鋁合金、石墨、以及SiC。用於背襯板34及托圈36之較佳材料為未被陽極處理之鋁合金6061。
在另一實施例(圖1B)中，內電極構件24未接合至背襯構件14；而是利用夾圈66將內電極構件24固定至背襯構件14。較佳者為，背襯構件在中心具有小的間距(未顯示)，以確保在由邊緣夾持時其中心處之熱接觸。藉由穿越在夾圈66中之孔洞70、且貼附至背襯構件14之扣結件68，將夾圈固定至背襯構件14。較佳者為，將介電環67配置在夾圈66與內電極構件24之間。在圖1B之實施例中，外電極構件30與夾圈66、扣結件68、以及內電極構件24之外部周圍重疊，並藉由接合材料50被貼附至背襯構件14。接合材料50較佳為能適應熱應力之適當的導電導熱彈性接合材料，其並能在外電極構件30與托圈36之間傳導熱及電能。在另一實施例中，可以藉由彈性接合材料將內電極構件24貼附至背襯構件14，而可以省略夾圈66、介電環67、以及扣結件68。
界面凝膠可為任何適當之凝膠材料，如適合真空環境並在高溫下(如高於160℃)抗熱降解之聚合物材料溫度。界面凝膠材料可以選擇性地包含導電及/或熱粒子之填料，或其他成形之填料，如金屬絲網，織或非織導電布。可以使用在超過160℃下之電漿環境的聚合凝膠材料包含聚醯亞胺、聚酮、聚醚酮、聚醚碸、聚對苯二甲酸二乙酯、氟乙烯-丙烯共聚物、纖維素、三醋酸鹽、及矽酮。
界面凝膠較佳者為，在電漿處理設備中之電漿產生期間，其在噴淋頭電極組件中仍是凝膠。較佳者為，凝膠具有半交聯構造以維持其在橋接區域的位置。當此半交聯構造並未完全交聯(硬化)如在黏著劑中時，仍然顯現比漿糊更高的黏性(勁度)，其中漿糊比凝膠黏性低且比凝膠容易流動。在半交聯狀態中，對於內電極構件24的使用壽命，界面凝膠提供穿越間隙86在內電極構件24之上表面28與背襯板34之底表面38之間的導電及/或熱之界面路徑，但並為黏著地接合內電極構件24至背襯板34。如此，較佳者為界面凝膠填充表面之不平整部，以在避免將內電極構件24接合至背襯板34同時，提供導電及/或熱之接觸，因而允許內電極構件24與背襯板34分開及允許以新的內電極構件取代內電極構件24。
較佳者為，界面凝膠導熱之半交聯矽酮，其熱橋接一鋁(Al)背襯板至一單晶矽(Si)噴淋頭上電極。在實施例中，界面凝膠較佳為包含導熱之以半交聯矽酮為基礎之充滿Al2O3微球體的聚合物基質。在較佳實施例中，界面凝膠48為Lambda凝膠COH-4000(從凝膠tec購得)。例如上電極12、內電極構件24、外電極構件30，與例如背襯構件14、背襯板34、托圈36之接觸表面，其每一者具有由處理(如機製)所致之某種程度的粗糙度。界面凝膠材料較佳者亦為可傳導熱能之柔軟、黏著片型式之凝膠。較佳者為，接觸表面被拋光且為乾淨。界面凝膠片較佳為在拋光之後黏著至具有瑕疵及粗糙之表面，並驅離氣體間隙，以使得凝膠填補接觸表面之表面粗糙部並有效地填充接觸表面的區域(如微孔洞)以增加在接觸表面之間的電及/或熱接觸。
導電導熱墊圈(界面墊圈)46較佳者為包含同軸圓環之層板，如層夾在上部與下部之間的中央部。例如，中央部可以為鋁條，上部及下部可以為含碳之矽酮條。或者，界面墊圈46為熱填料材料，如充滿氮化硼之矽酮(如由Chomerics製造之CHO-THERM 1671)、石墨(如由Graftech製造之eGraf 705)、銦箔、夾層(如由Bergquist製造之Q-pad II)，或相變化材料(PCM)(如由Thermagon製造之T-pcm HP105)。
導電導熱墊圈46例如可為傳導性矽酮-鋁箔夾層墊圈構造，或彈性體-不鏽鋼夾層墊圈構造。在較佳實施例中，墊圈145為Bergquist Q-Pad II複合材料，其從位於Chanhassen,Minnesota之The Bergquist Company購得。這些材料包含以導電/熱之橡膠覆蓋在其兩側的鋁。這些材料適合在真空環境中。例如上電極12、內電極構件24、外電極構件30，與例如背襯構件14、背襯板34、托圈36之接觸表面，其每一者具有由處理(如機製)所致之某種程度的粗糙度。墊圈材料較佳者為亦充分地順應，以使得凝膠填補接觸表面之表面粗糙部並有效地填充接觸表面的區域(如微孔洞)以增加在接觸表面之間的電及/或熱接觸。
較佳為橋接區域82包含之界面凝膠48為一環形區。又，較佳為環形區係為分段。較佳為橋接區域為遍及內電極構件24與背襯板34接觸面之1至12連續的或分段的環形區(環)，例如，1至3環形區，3至6環形區，6至8環形區，8至12環形區。圖2內電極構件24之俯視圖，其包含延伸至上表面28中之多數個氣體通道32之周圍列。在此實施例中，將界面凝膠材料48施加為在包含氣體通道32之區域之間的環形區圖案。然而，界面凝膠48在包含貼附及/或對準孔洞72的區域之間可例如為分段式。雖然界面凝膠48顯示為施加在環形區中，圖案施加界面凝膠可以施加在其他圖案中，如非環形區中。
導電導熱墊圈46較佳者為環狀環，其配置在內電極構件24的上表面28與背襯板34的底表面38之間接近內電極構件24的周圍。又，較佳者為，將環狀的金屬墊圈46配置在外電極構件30與托圈36之間。選擇性地，可以將界面凝膠48及導電導熱墊圈46層疊在上電極12之上表面與背襯構件14之底表面之間。例如，界面凝膠48可以在導電導熱墊圈46的頂部上及/或在導電導熱墊圈46的下方。在疊層中可包含一個以上的導電導熱墊圈46，且每一導電導熱墊圈46在導電導熱墊圈46的頂部上及/或導電導熱墊圈46下方可具有界面凝膠48。
在橋接區域(區域AA)之施加區域(圖3A及3B中之區域A)內，可以預定的圖案將界面凝膠施加至內電極構件24之上表面28。在一實施例中，可藉由繞著其中心點C旋轉內電極構件24而施加凝膠48，並藉由在相對於中心點C之單一位置或多個徑向位置處接觸分配器之一個以上的出口，利用分配器(如管式分配器)來施加界面凝膠48，一次產生一個以上的環形區。在另一實施例中，可藉由以具有預定圖案之開口之遮罩來覆蓋內電極構件24之上表面28，而施加預定的圖案。亦可以經由遮罩的開口進行擦淨、刷拂、噴塗來施加界面凝膠。遮罩材料的範例可包含例如皆可由DUPONT購得之KAPTON(以聚醯亞胺為基礎的材料)、MYLAR(以聚酯為基礎的材料)、或TEFLON(氟聚合物樹脂)。
在一較佳實施例中，將界面凝膠提供在處理用之轉印片之間。較佳地，轉印片為由DUPONT所製造之TEFLON。轉印片較佳為允許例如配置界面凝膠在內電極構件24上。藉由移除一轉印片並施加界面凝膠之曝露表面至上表面28(圖4A及4B)，而將界面凝膠施加至在內電極構件24之上表面28上之施加區域(區域A)。較佳地，施加的界面凝膠厚度為從約0.01至0.05英吋厚，更佳者為約0.02至0.04英吋厚。將另一轉印片52移除(圖5A及5B)並將背襯板34之底表面38施加至界面凝膠48(圖6A及6B)之上曝露表面。界面凝膠表面可為尚未乾透的且較佳地可使用工具以精準地移除轉印片並放置界面凝膠片在表面上。
在一實施例中，界面凝膠48及導電導熱墊圈46可以層疊在上電極12之上表面與背襯構件14之底表面之間。較佳地，導電導熱墊圈46厚度為從約0.005至0.05英吋厚，更佳者為約0.008至0.02英吋厚，再更佳者為約0.01至0.014英吋厚。例如，圖7A顯示在內電極構件24之上表面與背襯板34之底表面38之間的橋接的區域AA中之界面凝膠48的橫剖面。圖7B顯示在內電極構件24之上表面與背襯板34之底表面38之間的橋接的區域AA中之界面凝膠48及導電導熱墊圈46的橫剖面例子。較佳地，導電導熱墊圈46包含同軸圓環之層板，如夾在上部46a與下部46c之間的中央部46b。例如，中央部46b可以為鋁條，上部46b及下部46c可以為含碳之矽酮條。較佳者為，限制導電導熱墊圈46的壓縮性，使其比界面凝膠48需要明顯更大的力量來壓縮。界面凝膠48較佳者為可輕易壓縮，而以最小之接觸力來建立熱界面。較佳者為，在界面凝膠被壓縮時，其熱阻下降。例如，在0.002inches/min的壓縮速率下被壓縮30%之0.02英吋厚的界面凝膠較佳為具有約0.06℃/W的熱阻。
較佳者為，在其中背襯板及電極為預先組裝之實施例中，可用對準夾具(圖8A至8B)以對準上電極12與背襯構件14。又，較佳者為，將內電極構件24與內背襯板34壓製在一起，並以扣結件、夾圈、彈性黏著接合劑等加以結合。可將噴淋頭電極組件置於真空下，以在界面凝膠下驅除任何間隙或孔洞並施加一壓力負載，如在對準夾具中藉由真空封袋或壓合。在將板件24/34壓合在一起時，界面凝膠橫向地散佈以填充橋接區域(區域AA)。在結合的噴淋頭電極組件中，橋接在內電極構件24之上表面28與背襯板34之底表面38之間的間隙86之界面凝膠48，較佳為從約0.005至0.02英吋厚，更佳者為從約0.009至0.012英吋厚。
圖8A及8B顯示對準夾具90之實施例，其用以結合背襯構件14至上電極12，該上電極12具有配置在上電極12與背襯構件14之間的不同位置之界面凝膠48及/或導電導熱墊圈46。
在顯示於圖8A之實施例中，上電極12，如內電極構件24被設置在對準夾具90之基底106上。選擇性地，藉由感測對準標記(未顯示)等，可以將內電極構件24光學式地對準在基底上。對準夾具90可以具有對準邊框108以引導背襯構件14之外部周圍，如背襯板34至內電極構件24上。藉由穿過扣結件孔洞102之扣結件100、吸具(未顯示)、及/或定位銷96，可將對準夾具90之壓機94貼附至背襯板的頂部，而將背襯板34下降至內電極構件24上，使得內電極構件24中之引導銷78及/或選擇性的對準標記對準背襯板34上之對應插銷嵌入孔洞76及/或選擇性的對準標記。可自動地或手動地操作把柄92，以在箭頭Fz的方向上移動壓機94而將對準的板件壓合在一起。
圖8B顯示板件24/34與界面凝膠48及/或在其之間插入的導電導熱墊圈46對準。定位銷96可以插入在背襯板34及內電極構件24中之插銷對準孔洞中，以輔助板件的對準。
壓機94可以對準在兩板件24/34上之對準孔洞76及引導銷78與配置在兩板件之間的橋接區域之界面凝膠48及/或導電導熱墊圈46，並將對準板件壓合在一起。較佳者為，以預定的時間及在預定的壓力下，將板件24/34壓合在一起，來使界面凝膠散開。然後可以藉由扣結件、夾圈、黏合等，將板件結合。例如，背襯板34之扣結件對準孔洞74，其與在內電極構件24之上表面28中的孔洞72對準，並容納扣結件(圖1A)以將兩板件24/34固定在一起。選擇性地，當使用彈性黏著劑來接合對準的板件時，可以將扣結件省略。藉由移除扣結件100、吸具等，可以使對準夾具90之壓機94與背襯板的頂部分離。然後將板件從對準夾具90移除。在此實施例中，在板件24/34從對準夾具90移除之後，才貼附外電極構件30及/或托圈36。例如，可以將板件24/34貼附至在反應室中之熱控制板16，且可以扣結件、夾圈、彈性黏著接合劑等來貼附外背襯環36及/或外電極30。
雖然在顯示於圖8A及8B之實施例中，內電極構件24在對準夾具90之基底106上，背襯板在內電極構件24之上，但在另一實施例中，如果想要的話，可以將板件的設置顛倒。較佳者為，將背襯板34貼附至在具有室壁202之電漿反應室200中之熱控制板16(圖8C)，並使用對準邊框90'來對準內電極構件24與背襯板34。然後藉由扣結件、夾圈、黏合等，將內電極構件24貼附至背襯板34。較佳者為，在從板件24/34移除對準邊框90'之後，再貼附外電極構件30。選擇性地，可以使用對準邊框來對準外電極構件30。
在顯示於圖8D之實施例中，在對準邊框90'已從背襯板34移除之後，夾圈66可固定內電極構件24至背襯板34。選擇性地，背襯板34具有一中央間距，以確保對準並改善當僅由其邊緣夾持內電極構件24時之中央熱接觸。藉由穿過在夾圈66中之孔洞70、並貼附至背襯板34之扣結件68，將夾圈66固定至背襯板34。較佳者為，將由塑膠或其他適合當材料製成之介電環67配置在夾圈66與內電極構件24之間。在圖8D所示之實施例中，外電極構件30與夾圈66、扣結件68、以及內電極構件24之外部周圍重疊，且藉由凸輪鎖64將其貼附至背襯板34。例如此種凸輪鎖係描述於2008年7月提出申請之共同申請中美國臨時專利申請案第12/216,526號中，在此藉由參考文獻方式將其整體內容併入。
亦可使用上述方法，將界面凝膠施加至背襯板34之底表面38。在將界面凝膠施加至該表面至少其中一個之後，可以將零件組裝起來，以在壓縮下或靜重下將表面壓合在一起，並藉由扣結件、夾圈、彈性黏著劑等而結合。
在電漿處理期間，此電極組件(包含界面凝膠及/或配置在上電極與背襯構件之間之導電導熱墊圈)，能夠承受高操作溫度、高功率密度、以及長時間的射頻(RF)運作。
當鋁背襯板及矽噴淋頭因處理期間之熱循環而以不同速率熱膨脹時，界面凝膠維持上電極12與背襯構件14之間的熱接觸。一般而言，用以將上電極12與背襯構件14貼附在一起之接頭(例如夾圈或彈性黏著劑)，會耦合二零件之間的負載。然而，當此接頭為軟性時(在根據實施例之既定應變下為低剪應力)，此二零件將不會對彼此引發應力或隔膜偏斜。較佳者為，背襯板及噴淋頭在二接觸表面之未接合區域之間具有間隙，以避免表面磨擦。在此二零件之不同熱膨脹期間，隔膜偏斜可能使背襯板表面之未接合區域接觸並沿著噴淋頭表面之未接合區域磨擦。此種磨擦可使一或二表面之粒子逐漸消逝。然而，此間隙為不良熱導體，因而需要降低處理期間在基板中之關鍵尺寸變異，且需要控制上電極溫度。界面凝膠提供穿越橋接區域中之間隙的導熱路徑，同時允許板件相對於彼此的橫向移動。
界面凝膠48提高經由橋接區域82之熱傳導，以更佳地控制上電極12之溫度，使得在一系列晶圓之連續處理期間亦可降低「第一晶圓效應」。亦即，「第一晶圓效應」意指後續晶圓之二次加熱，其係在第一處理晶圓的處理期間由加熱噴淋頭電極所間接引起。具體言之，在完成處理第一晶圓之時，加熱的處理晶圓及處理室側壁會對上電極散發熱能。然後上電極間接地對於在腔室中處理之後續晶圓提供二次加熱機制。因此，由於在半導體基板中在高縱橫比接觸介層窗的蝕刻期間，晶圓溫度變異可能影響CD，由系統處理之第一晶圓可能顯現比由系統處理之後續晶圓更大之關鍵尺寸(CD)變異。由於在腔室中溫度穩定，後續處理的晶圓比第一處理晶圓可能具有不同及/或較小之CD變異。
藉由以界面凝膠48而增強透過橋接區域82之熱傳導，亦可以較佳地降低晶圓中、及晶圓對晶圓之溫度變異。又，在將不同處理線中之多重電漿蝕刻室使用於期望之處理或生產量的情況，藉由強化透過橋接區域82之熱傳導，較佳地可達成腔室對腔室之溫度匹配。
晶圓中、晶圓對晶圓、或腔室對腔室之晶圓溫度之攝氏1°變化，可使得3σ(3x標準差)時之CD變異增加約0.5nm至0.1nm(例如0.4nm/℃至0.2nm/℃或0.35nm/℃至0.25nm/℃)。
如上所述，對於蝕刻半導體基板中之高縱橫比接觸介層窗而言，藉由在橋接區域82中使用導熱界面凝膠48，在已處理第一晶圓之後，可以穩定後續處理晶圓的溫度，俾使在後續處理晶圓上之參考點的溫度變化較佳地約少於10℃，更佳為約少於5℃，以使得例如可將CD變異控制在約5nm(0.5nm/℃ x 10℃)之內，更佳為在約3nm(0.3nm/℃ x 10℃)之內，最佳為在約0.5nm(0.1nm/℃ x 5℃)之內。
對於記憶體的應用，期望使3σ時之CD變異少於4nm。利用透過由界面凝膠48提供之橋接區域82的增強熱傳導，晶圓對晶圓之CD變異較佳為1nm或更小，腔室對腔室之CD變異較佳為4nm或更小。對於邏輯的應用，期望使3σ時之CD變異少於3nm。利用透過由界面凝膠48提供之橋接區域82的增強熱傳導，晶圓對晶圓之CD變異較佳為2nm或更小，腔室對腔室之CD變異較佳為4nm或更小。
較佳者為，界面凝膠48使從電極中央至電極邊緣之溫度偏移最小化在少於10℃，使方位角溫度偏移最小化至5℃或更小。由於使用新的或使用過的鋁背襯構件所致之電極溫度變異，係相關於此新的及使用過的鋁背襯構件接觸之表面狀況。界面凝膠48較佳為可以使由新的或使用過的鋁背襯構件所致之電極溫度變異最小化至小於約5℃。又，可移除零件進行清理，較佳為在此清理之後，此零件仍顯示相同的熱性能。界面凝膠48較佳為使得鋁背襯構件在清理前、後、之間的熱性能偏移最小化至小於電極溫度中之約5℃變化。
界面凝膠可以純粹地以低分子量之二甲基矽酮(dimethyl silicone)及選擇性填充物加以配製；或亦可將其填充於玻璃纖維篩(網紗)、金屬篩周圍；或與玻璃微珠及/或奈米玻璃珠或其他材料混合，以符合各種應用之需求。較佳者為，界面凝膠包含具有帶甲基(矽氧烷)之Si-O骨架的凝膠填充材料。較佳者為，界面凝膠以填充於氧化鋁(Al2O3)微珠周圍之低分子量二甲基矽酮加以配製。
在界面凝膠為導熱及/或導電凝膠之情況中，導熱及/或電填充材料可包含導熱及/或導電金屬或金屬合金之粒子。使用於電漿反應室之雜質敏感環境之較佳材料為鋁合金、氧化鋁(Al2O3)、矽、氧化矽、碳化矽、氧化釔(Y2O3)、石墨、奈米碳管、奈米碳粒子、氮化矽(SiN)、氮化鋁(AlN)、或氮化硼(BN)。界面凝膠較佳為可輕易壓縮、在接觸表面的橫向移動下仍可維持熱及/或電接觸、及具有高熱傳導係數。較佳地，熱傳導係數為從約0.5W/mK至1W/mK，更佳地為從約1W/mK至5W/mK且最佳地為至少5W/mK。
橋接的區域可為電極板24與背襯板34之接觸面28/38的表面區域之1至95%。例如，橋接區域可為接觸面28/38的表面區域之1-5%、5-10%、10-15%、15-20%、20-30%、30-40%、40-50%、50-60%、60-70%、70-80%、80-90%、或90-95%。在接觸面28/38上之氣體通道32/44開口係在未橋接的區域，而界面凝膠熱橋接此橋接區域。
又較佳地，背襯板底表面38，以在二接觸面之間的距離(間隙)小於約±25μm(0.001 in)的變異，與電極上表面28平行。
背襯板34藉由在例如共同持有之美國公開專利申請案第2007/0068629號中所說明之適合之緊固構件而依附至熱控制板16，其整體內容藉由參考文獻方式合併於此。背襯板34包含用以使背襯板34依附至熱控制板16之適合於接受扣結構件42之複數個孔洞40。
實施例
茲說明在晶圓的電漿處理運作期間之上部矽噴淋頭電極之溫度測試的非限制性實施例，此上部矽噴淋頭電極具有配置在內電極構件與溫度控制鋁背襯板之間的界面凝膠及導電導熱墊圈。界面凝膠位在靠近內電極構件中央之二同心圓的環狀橋接帶，且二同心圓的環狀導電導熱墊圈位於靠近外周圍處(實施例1)。靠近內電極構件中央之二同心圓的環狀橋接帶係在約r=1.5英吋及約r=3英吋。靠近外部周圍之二同心圓的環狀導電導熱墊圈在約r=4.5英吋及約r=6.25英吋。在覆蓋光阻的晶圓上執行氧化物蝕刻。然而，可以採用任何特定形式之晶圓處理設備或系統來使用於任何適當之晶圓處理系統中，包含但不限於用於沉積、氧化、蝕刻(包括乾蝕刻、電漿蝕刻、反應離子蝕刻(RIE)、磁場強化反應性離子蝕刻(MERIE)、電子迴旋加速共振(ECR))等者。在以兩頻率(約2500W及27MHz、約3500W及2MHz)傳送經過底部電極之約6kW總功率下，執行電漿氧化物蝕刻測試。將腔室壓力維持在約45mTorr，且由流進腔室之約300sccm氬(Ar)、18sccm八氟環丁烷(C4F8)、及19sccmO2之處理氣體來形成電漿。將上電極維持在約120℃之溫度，將下部電極維持在約20℃之溫度。處理時間約為5min。導電導熱墊圈為0.012厚之Bergquist Q-pad II。界面凝膠為施加0.02英吋厚之Geltech Lambda Gel COH-4000。在使用實施例1之上部矽噴淋頭電極之第一處理運作期間，上電極最大之中央至邊緣之溫度差異為9.5℃，上電極最大之中央至中段之電極溫度差異為7.7℃。圖9顯示在電漿氧化物蝕刻覆蓋光阻的晶圓之第一運作期間，在上電極中央(r約為1.5英吋)、上電極中段(r約為3英吋)、上電極邊緣(r約為5英吋)位置之溫度測試結果。上電極中央之平均溫度為171.75±0.75℃。在氧化物蝕刻期間所量測之上電極中段之平均溫度為165.30±0.5℃，邊緣之平均溫度為163.50±0.5℃。在測試中之第二熱循環上發生晶圓故障，並重新啟動此處理運作。此處雖顯示來自故障循環之資料，但並未用於計算中。
圖10顯示在連續處理運作期間，使用實施例1之噴淋頭電極組件，在上電極的中央之溫度重複性。最大之中央對中央(在連續運作期間)溫度差異為1.7℃。在第一運作期間("中央")，上電極的中央平均溫度為171.85±0.65℃；在第二運作期間("中央2")之平均值為171.35±0.55℃。
將背襯板34從內電極構件24移除。將界面凝膠及導電導熱墊圈以新的如在實施例1所使用之凝膠墊圈材料，將噴淋頭電極組件重新組裝用以作更進一步的測試。圖11及12顯示以新的凝膠及墊圈材料，在連續處理運作期間，針對遍及上電極各處及在上電極中央之測試結果的溫度變異(實施例2)。在第三處理運作期間，使用實施例2之上部矽噴淋頭電極，在氧化物蝕刻期間，上電極最大之中央對邊緣之溫度差異為10.1℃，且最大之中央對中段之電極溫度差異為6.8℃。中央之平均溫度("中央")為168.85±0.65℃。上電極中段之平均溫度為163.2±0.50℃，邊緣之平均溫度為160.05±0.65℃。在第四氧化物蝕刻處理運作，使用實施例2之上部矽噴淋頭電極，中央上電極中央之平均溫度("中央2")為168.65±0.65，且在連續運作期間最大之中央溫度差異為1.5℃。表1總結在對於兩實施例之測試結果之間的一些差異。
在此專利說明書中使用「約」之詞連接一數值時，其意指此相關聯數值包含在所述數值周圍之±10%允許誤差。在此所使用之詞語與措辭並不以數學上的或幾何上的精確性來詮釋，更確切地說將幾何上的術語詮釋為近似或相似幾何上詞語及概念的意思。如「一般而言」及「實質上」之詞語，意指包含相關聯的詞語及概念兩者及提供與形式、功能、及/或意義一致之合理的語言自由度。
雖然本發明已參照其特定實施例詳細敘述，熟習本技藝者應明瞭，在不離開隨附之申請專利範圍之範疇內，可做出許多改變及修改。
10．．．噴淋頭電極組件
12．．．上電極
14．．．溫度控制背襯構件
16．．．熱控制板
18．．．基板支座
20．．．基板
22．．．上支撐表面
24．．．內電極構件
26．．．底表面
28．．．上表面
30．．．外電極構件
32．．．氣體通道
34．．．背襯板
36．．．托圈
38．．．底表面
40．．．孔洞
42．．．扣結構件
44．．．氣體通道
46．．．導電導熱墊圈(界面墊圈)
48．．．界面凝膠
50．．．接合材料
60．．．扣結構件
62．．．孔洞
64．．．凸輪鎖
66．．．夾圈
67．．．介電環
68．．．扣結件
70．．．孔洞
72．．．對準孔洞
74．．．對準孔洞
76．．．對準孔洞
78．．．引導銷
80．．．射頻(RF)金屬墊圈
82．．．橋接區域
86．．．間隙
90．．．對準夾具
90’．．．對準邊框
92．．．把柄
94．．．壓機
96．．．定位銷
100．．．扣結件
102．．．扣結件孔洞
106．．．基底
108．．．對準邊框
200．．．電漿反應室
202．．．室壁
圖1A顯示電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件及基板支座之實施例的一部分的橫剖面圖。
圖1B顯示電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件及基板支座之另一實施例的一部分的橫剖面圖。
圖2為內電極構件之實施例的部分俯視圖，其顯示以關於氣體通道之預定的圖案來施加界面凝膠。
圖3A-5A顯示圖2之噴淋頭電極組件之部分“B”之三度空間透視圖，其顯示施加界面凝膠。
圖3B-5B顯示圖2之噴淋頭電極組件之部分“B”之橫剖面圖，其顯示施加界面凝膠。
圖6A及6B分別顯示圖2之內電極構件的部分之透視圖及橫剖面圖，其顯示在圖5A及5B中之施加界面凝膠，及被對準以結合內電極構件之背襯板的部分之實施例。
圖7A及7B顯示在上電極與背襯構件之間之界面凝膠、及在上電極與背襯構件之間之界面凝膠與導電導熱墊圈之實施例之橫剖面圖。
圖8A及8B顯示對準夾具之實施例、及對準至背襯板之內電極構件之實施例之橫剖面圖。圖8C及8D顯示對準夾具之另一實施例、及對準至背襯板之內電極構件之實施例之橫剖面圖。
圖9顯示在晶圓之電漿處理期間，遍及噴淋頭電極組件之上電極之溫度變異測試結果，此噴淋頭電極組件包含界面凝膠及導電導熱墊圈之實施例。
圖10顯示使用在圖9之測試中所用之噴淋頭電極組件在連續處理運作期間，溫度變異測試結果。
圖11顯示在置換界面凝膠及導電導熱墊圈之後，在晶圓之電漿處理期間，遍及使用在圖9之測試中所用之噴淋頭電極組件之上電極各處之溫度變異測試結果。
圖12顯示在連續處理運作期間，使用在圖11之測試中所用之噴淋頭電極組件之溫度變異測試結果。
10‧‧‧噴淋頭電極組件
12‧‧‧上電極
14‧‧‧溫度控制背襯構件
16‧‧‧熱控制板
18‧‧‧基板支座
20‧‧‧基板
22‧‧‧上支撐表面
24‧‧‧內電極構件
26‧‧‧底表面
28‧‧‧上表面
30‧‧‧外電極構件
32‧‧‧氣體通道
34‧‧‧背襯板
36‧‧‧托圈
38‧‧‧底表面
40‧‧‧孔洞
42‧‧‧扣結構件
44‧‧‧氣體通道
46‧‧‧導電導熱墊圈(界面墊圈)
48‧‧‧界面凝膠
50‧‧‧接合材料
60‧‧‧扣結構件
62‧‧‧孔洞
64‧‧‧凸輪鎖
66‧‧‧夾圈
67‧‧‧介電環
68‧‧‧扣結件
70．．．孔洞
72．．．對準孔洞
74．．．對準孔洞
76．．．對準孔洞
78．．．引導銷
80．．．射頻(RF)金屬墊圈
82．．．橋接區域
86．．．間隙

Claims (38)

  1. 一種複合噴淋頭電極組件，用以在電漿處理設備中產生電漿，該複合噴淋頭電極組件包含：一背襯板，其包含上表面及底表面，其間具有延伸著複數第一氣體通道，該底表面具有橋接及未橋接區域，該等第一氣體通道在未橋接區域中具有出口，以供應一處理氣體至該電漿處理設備之內部；一電極板，其具有一上表面、一曝露至電漿之底表面、及延伸於其間並與該等第一氣體通道作流體交流之複數第二氣體通道，其中該等第二氣體通道在該電極板之該上表面之未橋接區域中具有入口；以及一界面凝膠，其配置在橋接區域之每一者的接觸面之間，並在該電極板與該背襯板之間建立熱接觸而不將該電極板結合至該背襯板，該界面凝膠保持為凝膠，在因該電極板及該背襯板中之熱膨脹係數之失配所致之溫度循環期間，其維持該電極板相對於該背襯板在橫向上移動之期間的該熱接觸，其中該電極板被接合至該背襯板，以允許該移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中該界面凝膠為導電性。
  3. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中藉由嚙合該電極板之外邊緣之一夾持構件及彈性地壓該電極板抵住該背襯板，將該電極板接合至該背襯板，其中一導電導熱墊圈被插入於該夾持構件與該背襯板之間。
  4. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中藉由一彈性黏著劑，將該電極板接合至該背襯板。
  5. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中 該背襯板包含一內背襯板及一外背襯環，該外背襯環圍繞該內背襯板，其中該等第一氣體通道係在該內背襯板中及選擇性地在該外背襯環中，該電極板包含接合至該內背襯板之一內噴淋頭電極及接合至該外背襯環之一外環電極，其中該等第二氣體通道係在該內噴淋頭電極及選擇性地在該外環電極中。
  6. 如申請專利範圍第5項之複合噴淋頭電極組件，其中(a)該內背襯板及該內噴淋頭電極彼此面對的該表面係互相平行及/或(b)該電極板係由單晶矽、多晶矽、石墨、或碳化矽製成；且該背襯板係由鋁、石墨、或碳化矽製成。
  7. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，更包含：至少一導電導熱墊圈，其配置在至少一橋接區域中之該電極板與該背襯板表面之間。
  8. 如申請專利範圍第7項之複合噴淋頭電極組件，其中該界面凝膠在二橋接區域的接觸面之間包含第一及第二連續或分段環，且該至少一導電導熱墊圈在二橋接區域的接觸面之間包含第一及第二連續或分段環。
  9. 如申請專利範圍第7項之複合噴淋頭電極組件，其中該導電導熱墊圈包含兩個以上具有不同物理性質之疊片層。
  10. 如申請專利範圍第7項之複合噴淋頭電極組件，其中該界面凝膠及該墊圈之至少一部分，在該電極板與該背襯板表面之間具有至少0.5W/mK之一熱傳導係數。
  11. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中該界面凝膠包含一以矽酮為基礎之複合物、以及具有均勻分佈之導熱填料 之一低分子量之矽氧烷、或其組合。
  12. 如申請專利範圍第11項之複合噴淋頭電極組件，其中該導熱填料為氮化硼(BN)、氧化鋁(Al2O3)、矽、碳化矽、及其組合其中一者。
  13. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中在該背襯板與該電極板之該接觸面的該等橋接區域之間的一間隙距離之變異小於約±25μm(0.001in)。
  14. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中(a)該界面凝膠為一片狀材料；(b)該橋接區域包含：1至12連續的或分段的環形區；及/或(c)該橋接區域包含：1-95%之該背襯板與該電極板之該接觸面的表面區域。
  15. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中該等第一氣體通道及該等第二氣體通道係排列成複數周圍列，該界面凝膠配置在該等氣體通道之該等周圍列其中一或多者之間。
  16. 如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，其中該界面凝膠係半交聯矽酮，其填充在該電極板之該上表面中之不平整部而不結合至該電極板之該上表面。
  17. 一種電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其包含：在橋接區域內，以一預定的圖案，施加一界面凝膠至一電極板之一上表面，該電極板具有一電漿曝露之底表面、及延伸在該上表面與該底表面之間且在未橋接的區域中具有入口之複數氣體 通道；將一背襯板之一底表面對準該電極板之該上表面，該背襯板具有一上表面、及延伸在該上表面與該底表面之間且在未橋接的區域中具有出口之複數氣體通道；以一夾鉗或黏著劑，將該電極板之該上表面貼附至該背襯板之該底表面，其中該界面凝膠橫向散佈至該電極板之該上表面與該背襯板之該底表面之間的橋接區域中而不將該電極板結合至該背襯板，該界面凝膠保持為凝膠，且該背襯板之該等氣體通道與該電極板之該等氣體通道作流體交流。
  18. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中將該電極板之該上表面貼附至該背襯板之該底表面的步驟更包含：使用該夾鉗，夾持該電極板之外邊緣及彈性地壓該電極板抵住該背襯板，其中該夾鉗包含一夾圈，該夾圈在該夾圈與該背襯板之間具有一導電導熱墊圈及在該夾圈與該電極之間具有一介電環。
  19. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中施加該界面凝膠至該電極板之該上表面的步驟包含在複數連續的或分段的環中施加該界面凝膠。
  20. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中施加該界面凝膠至該電極板之該上表面的步驟包含：繞著其中心點旋轉該電極板，且在相對於該中心點之多個徑向位置處，藉由使一分配器之出口接觸該旋轉之電極板，利用該分配器而沈積該界面凝膠之環形或半環形區。
  21. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極 組件之元件接合方法，更包含在一對準夾具中，利用其間之該界面凝膠，而將該背襯板壓合至該電極板。
  22. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中(a)該貼附步驟更包含：藉由在壓縮下、靜重下、或選擇性地以真空袋內之大氣壓力，將該電極板之該上表面與該背襯板之該底表面壓合在一起，而將該界面凝膠安裝於該橋接區域中；(b)該電極板係由矽、石墨、或碳化矽製成；及該背襯板係由鋁、石墨、或碳化矽製成；(c)該將該界面凝膠施加至該電極板之該上表面的步驟包含使用一轉印片；(d)該將該背襯板之該底表面施加至該界面凝膠的步驟包含：在施加該背襯板之該底表面之前，從該界面凝膠移除一轉印片；及/或(e)該電極板包含一內噴淋頭電極及一外環電極，該背襯板包含一圓形的內背襯板及一外背襯環，該界面凝膠被配置在該內噴淋頭電極與該內背襯板之間及/或在該外環電極與該外背襯環之間的橋接區域中。
  23. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，更包含在至少一橋接區域中，將一導電導熱墊圈施加於該電極板之該上表面與該背襯板之該底表面之間。
  24. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中將該背襯板之該底表面對準該電極板之該上表面的步驟更包含使用一定位銷、對準孔洞、對準標記、或光學感測器。
  25. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極 組件之元件接合方法，其中該貼附步驟更包含：藉由在壓縮下、靜重下、或選擇性地以真空袋內之大氣壓力，將該電極板之該上表面與該背襯板之該底表面壓合在一起，而將該界面凝膠安裝於該橋接區域中。
  26. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中該電極板係由矽、石墨、或碳化矽製成；及該背襯板係由鋁、石墨、或碳化矽製成。
  27. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，更包含：該將該界面凝膠施加至該電極板之該上表面的步驟包含使用一轉印片；及該將該背襯板之該底表面施加至該界面凝膠的步驟包含：在施加該背襯板之該底表面之前，從該界面凝膠移除該轉印片。
  28. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中該電極板包含一內噴淋頭電極及一外環電極，該背襯板包含一圓形的內背襯板及一外背襯環，該界面凝膠被配置在該內噴淋頭電極與該內背襯板之間及/或在該外環電極與該外背襯環之間的橋接區域中。
  29. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中該等氣體通道係排列成複數周圍列，及將該界面凝膠配置在該等氣體通道之該等周圍列其中一或多者之間。
  30. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中該界面凝膠係半交聯矽酮，其填充在該電極板之該上表面中之不平整部而不結合至該上表面。
  31. 如申請專利範圍第24項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中該背襯板及/或該電極板包含該定位銷、對準孔洞、及/或對準標記。
  32. 如申請專利範圍第17項之電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件之元件接合方法，其中該將該電極板之該上表面貼附至該背襯板之該底表面的步驟更包含：藉由一彈性黏著劑，將該電極板黏著接合至該背襯板。
  33. 一種在電漿處理設備中處理半導體基板的方法，該方法包含：在一電漿處理設備之一反應室中，將一基板放置在一基板支座上；以如申請專利範圍第1項之複合噴淋頭電極組件，將一處理氣體導入至該反應室中；在該複合噴淋頭電極組件與該基板之間，由該處理氣體在該反應室中產生一電漿；以該電漿來處理該基板。
  34. 如申請專利範圍第33項之在電漿處理設備中處理半導體基板的方法，其中該處理包含電漿蝕刻該基板。
  35. 一種在電漿處理設備中產生電漿用之電極板，該電極板包含：一上表面，其被組裝至一背襯板之底表面、一電漿曝露之底表面、及延伸於其間之複數氣體通道；以及一界面凝膠，其以一預定圖案被配置在橋接區域內之該上表面上，且該等氣體通道在未橋接的區域中具有入口，其中該界面凝膠保持為凝膠。
  36. 如申請專利範圍第35項之在電漿處理設備中產生電漿用之電 極板，更包含：一轉印片，其包覆該界面凝膠；及/或一導電導熱墊圈，其配置在至少一橋接區域中之該電極板之該上表面上。
  37. 如申請專利範圍第35項之在電漿處理設備中產生電漿用之電極板，其中該等氣體通道係排列成複數周圍列，及該界面凝膠係配置在該等氣體通道之該等周圍列其中一或多者之間。
  38. 如申請專利範圍第35項之在電漿處理設備中產生電漿用之電極板，其中該界面凝膠係半交聯矽酮，其填充在該上表面中之不平整部而不結合至該上表面。
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