TWI768281B - 電漿處理器以及用於電漿處理器的上電極組件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種用於電漿處理器的上電極組件，包括：安裝板和上電極板，所述安裝板和上電極板藉由機械緊固裝置互相連接固定，所述安裝板和上電極板之間的間隙中包括複數個彈性導熱墊片，從內到外依次為第一彈性導熱墊片和第二彈性導熱墊片。其中第一彈性導熱墊片的初始高度低於所述第二彈性墊片的初始高度；在被所述機械緊固裝置安裝到所述安裝板和上電極板之間的間隙之後，所述上電極組件升溫到電漿處理溫度時，所述複數個彈性導熱墊片各自具有一高溫壓縮高度，其中第一彈性導熱墊片的高溫壓縮高度低於所述第二彈性導熱墊片的高溫壓縮高度。
Description
本發明涉及半導體加工設備領域，特別涉及一種電漿處理器中的上電極組件。
真空處理設備廣泛應用於半導體工業，其中的電漿處理設備是最主要的真空處理設備。電漿體處理設備，是借助於射頻耦合放電產生電漿體，進而利用電漿體進行沉積、蝕刻等加工製程。其中，包括上下兩個電極的電容耦合型CCP電漿處理器是主要的電漿處理器之一。如第1圖所示為一種電容耦合電漿處理設備，包括反應腔100，反應腔內包括基座10，基座10連接到一個射頻電源。基座10上的靜電夾盤21上固定有待處理的基片20，圍繞基片20和靜電夾盤21的還包括一個聚焦環22。與靜電夾盤21相對的反應腔100上方設置有一個圓盤形的上電極板11，氣體噴淋頭11藉由供氣管道與外部的反應氣源200連接。反應腔100下部還包括排氣管道，排氣管道下方連接有幹泵、分子泵等抽真空裝置，使得排氣管道中具有低於反應腔內的氣壓。其中供氣管道包括固定的氣體管道7和可變形的第二氣體管道8串聯而成。上電極板11也就是氣體噴淋頭同時作為電極與下方的基座10電場耦合，也作為反應氣體的噴頭，向下方的反應區域均勻噴射反應氣體。上電極板11需要被安裝在上方的安裝板13上，藉由安裝板13來控制上電極板11的溫度，以及與外部接地電路連通。安裝板13與上電極
板11之間設置有機械緊固裝置，如第1圖中的螺栓14，藉由兩端分別固定到安裝板13和上電極板11，實現兩者之間的固定。但是在實際運行中這種機械固定方式存在很大的問題，在常溫下組裝完成的安裝板13和氣體噴淋頭之間的結合面可以緊密貼合，但是在進行電漿處理過程中兩者會同時大幅升溫，達到100度以上，安裝板13通常由金屬製成，典型的為如鋁，鋁的熱膨脹係數22.2*10-6/C遠大於由陶瓷材料(Si/SiC)製成的上電極的膨脹係數2.5*10-6/C。所以在升溫過程中，安裝板13的膨脹幅度也遠大於上電極板11。因此安裝板13會發生向外側的膨脹，而且安裝板13中心區域向下鼓起，外周緣向上翹曲。所以上電極板11這些變形會導致安裝板13與上電極板11之間產生分佈不均的間隙。在進行電漿處理過程中反應腔100內需要被抽成真空狀態，上電極板11和安裝板13位於真空環境中，沒有氣體可以對流實現散熱，不同部件之間主要只能藉由傳導來散熱，所以安裝板13與上電極板11之間分佈不均的間隙會嚴重影響兩者之間的導熱和導電分佈。溫度和電場分佈的不均勻又會進一步影響氣體噴淋頭下方的電漿處理效果的不均勻。此外，變形後的安裝板13會導致垂直穿過安裝板13和上電極板11的不同氣孔12的反應氣體互相之間串擾，氣流分佈也無法保證有效控制。
綜上所述，電漿處理設備中需要開發一種新的上電極組件，使得上電極板11與安裝板13之間能夠在不同溫度下保證兩者之間的穩定的熱傳導，最佳地還需要保證電傳導和氣體管道之間的隔離。
有鑑於此，本發明的目的在於提供一種用於電漿處理器的上電極組件，包括：安裝板和上電極板，所述安裝板和上電極板藉由機械緊固裝置互
相連接固定，所述安裝板和上電極板之間的間隙中包括複數個彈性導熱墊片，從內到外依次為位於所述間隙中心的第一彈性導熱墊片，和位於所述間隙外圍的圍繞所述第一彈性導熱墊片的第二彈性導熱墊片；其中所述複數個彈性導熱墊片具有各自的一初始高度，第一彈性導熱墊片的初始高度低於所述第二彈性墊片的初始高度；在被所述機械緊固裝置安裝到所述安裝板和上電極之間的間隙之後，所述上電極組件升溫到電漿處理溫度時，所述複數個彈性導熱墊片各自具有一高溫壓縮高度，其中第一彈性導熱墊片的高溫壓縮高度低於所述第二彈性導熱墊片的高溫壓縮高度，使得第二彈性導熱墊片緊密接觸在所述安裝板和所述上電極板之間。其中第二彈性導熱墊片的高溫壓縮高度大於所述第一彈性導熱墊片的高溫壓縮高度0.1-0.2mm。所述第一、第二彈性導熱墊片的高溫壓縮幅度的差小於5%，使得兩個彈性導熱墊片具有相接近的熱導率。
可選地，在室溫狀態下上述複數個彈性導熱墊片具有相同的低溫壓縮高度。
其中安裝板下表面或者上電極板上表面包括複數個安裝槽，所述複數個彈性導熱片安裝在所述安裝槽內，所述用於安裝第二彈性導熱墊片的安裝槽深度大於所述用於安裝第一彈性導熱墊片的安裝槽，使得第一和第二彈性導熱墊片在室溫和電漿處理溫度下具有接近的壓縮幅度。
本發明中的複數個彈性導熱墊片包括含氟聚合物層，所述含氟聚合物層摻雜有導熱顆粒。或者複數個彈性導熱墊片由複數個不同材料層堆疊而成，其中包括導熱鋁片層和含氟聚合物層。可選的，所述第一、第二彈性導熱墊片由不同材料製成，其中第一彈性導熱墊片的導熱率低於所述第二彈性導熱墊片的導熱率。
本發明提供另一用於電漿處理器的上電極組件，包括：安裝板和上電極板，所述安裝板和上電極板藉由機械緊固裝置互相連接固定，所述安裝
板和上電極板之間包括複數個彈性導熱墊片，從內到外依次為位於上電極組件中心的第一彈性導熱墊片，和位於上電極組件外圍，圍繞所述第一彈性導熱墊片的第二彈性導熱墊片；所述安裝板下表面具有複數個不同高度的臺階面，使得所述安裝板與上電極板之間具有不同的間距，其中第一彈性導熱墊片安裝在第一臺階面上，第二彈性導熱墊片安裝在第二臺階面上；所述第二臺階面與上電極板的間距小於第一臺階面與上電極板的間距0.1-0.2mm；其中所述複數個彈性導熱墊片在被所述機械緊固裝置安裝到所述安裝板和上電極之間的間隙之後，在室溫狀態下上述複數個彈性導熱墊片具各自的低溫壓縮高度，其中第一彈性導熱墊片的低溫壓縮高度高於所述第二導熱墊片的低溫壓縮高度；所述上電極組件升溫到電漿處理溫度時，所述複數個彈性導熱墊片各自具有一高溫壓縮高度，其中第一彈性導熱墊片的高溫壓縮高度與所述第二彈性導熱墊片的高溫壓縮高度相差小於10%。
複數個彈性導熱墊片具有各自的一初始高度，第一彈性導熱墊片的初始高度與所述第二彈性墊片的初始高度相差小於10%。
本發明還提供一種電漿處理器，包括：反應腔，反應腔內具有一基座用於放置待處理的基片，一射頻電源連接到所述基座，與基座相對的反應腔頂部包括如上述上述實施方式的電極組件，一反應氣體供應管道連通到所述上電極組件中的氣體分佈管道，所述上電極組件中的複數個彈性導熱墊片呈環狀排布，將上電極分隔為複數個通氣區域，使得不同通氣區域的反應氣體互相隔離。
本發明還提供了一種提供用於電漿處理器的彈性導熱墊片的方法，包括：在所述電漿處理器的第一部件和第二部件之間的間隙中設置複數個彈性導熱墊片，從內到外依次為位於所述間隙的中心的第一彈性導熱墊片，和
位於所述間隙外圍的圍繞所述第一彈性導熱墊片的第二彈性導熱墊片；其中所述複數個彈性導熱墊片具有各自的一初始高度，第一彈性導熱墊片的初始高度低於所述第二彈性墊片的初始高度；在被所述機械緊固裝置安裝到所述安裝板和上電極之間的間隙之後，所述第一部件和所述第二部件升溫到電漿處理溫度時，所述複數個彈性導熱墊片各自具有一高溫壓縮高度，其中第一彈性導熱墊片的高溫壓縮高度低於所述第二彈性導熱墊片的高溫壓縮高度，使得第二彈性導熱墊片緊密接觸在所述第一部件和所述第二部件之間。可選地，所述第一部件為安裝板，所述第二部件為上電極板。
S0,S1,S2,S10,S11,S12:彈性導熱墊片
D1,D2:低溫壓縮高度
D1’,D2’:高溫壓縮高度
Da,Db,Dc:高度
7:氣體管道
8:第二氣體管道
10:基座
11:上電極板
12:氣孔
13:安裝板
14:螺栓
20:基片
21:靜電吸盤
22:聚焦環
100:反應腔
119:上表面
130,131,132:安裝槽
139:下表面
200:反應氣源
1391,1392,1393:臺階面
為了更清楚地說明本發明實施例或習知技術中的技術方案，下面將對實施例或習知技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對於本技術領域具通常知識者來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
第1圖係示出了習知技術電容耦合電漿體處理設備的剖面結構示意圖；第2a圖係示出了本發明上電極組件低溫狀態的剖面示意圖；第2b圖係示出了本發明上電極組件高溫狀態的剖面示意圖；第3圖係示出了本發明上電極組件第二實施例低溫狀態的剖面示意圖。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。
在下面的描述中闡述了很複數具體細節以便於充分理解本發明，但是本發明還可以採用其他不同於在此描述的其它方式來實施，本技術領域具通常知識者可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
如第2a圖所示，本發明上電極組件處於低溫狀態的剖面示意圖。本發明中的安裝板13與上電極板11之間設置有複數個彈性導熱墊片(S0、S1、S2)，彈性導熱墊片(S0、S1、S2)從內向外構成複數個環形圈，將氣體噴淋頭分隔為複數個互相隔離的氣體流通區域。彈性導熱墊片(S0、S1、S2)具有不同的初始高度，該初始高度是指彈性導熱墊片(S0、S1、S2)在未受到壓縮時的高度。最內側的彈性導熱墊片S0的初始高度低於中間的彈性導熱墊片S1的初始高度，中間的彈性導熱墊片S1的初始高度低於最外側的彈性導熱墊片S2的初始高度。其中最內側的彈性導熱墊片S0內部圍繞而成的區域為中心通氣區。彈性導熱墊片S0和彈性導熱墊片S1之間的環形區域為中間通氣區，彈性導熱墊片S1與彈性導熱墊片S2之間的環形區域為邊緣通氣區域。每個通氣區域中都包括從安裝板13向下貫通下來的上層氣體通孔，上電極板11中與上層氣體通孔位置相對處設置有下層氣體通孔。反應氣體從上層氣孔向下流入下層氣孔，然後流入下方反應空間。在低溫，或室溫狀態下，安裝板13的下表面139與上電極板11的上表面119之間互相平行，具有均一的間距。如果在安裝板13的下表面139或者上電極板11的上表面119之間沒有安裝槽，則設置在安裝板13和上電極板11之間的複數個彈性導熱墊片(S0、S1、S2)具有相同的低溫壓縮高度(第2a圖中未示出)。該低溫壓縮高度是指在沒有產生電漿體時，置於上電極板11和安裝板13之間的彈性導熱墊片(S0、S1、S2)的受壓縮後的高度。如果在安裝板13的下表面139或者上電極板11的上表面119之間具有安裝槽，如第2a圖所示，則最內側的彈性導熱墊片S0具有低溫壓縮高度D1，最外側的彈性導熱墊片S2具有低溫壓縮高度
D2，其中低溫壓縮高度D2大於低溫壓縮高度D1，彈性導熱墊片S0-S1-S2的高度呈逐漸增加的分佈。因此，上述複數個彈性導熱墊片(S0、S1、S2)在被夾持到安裝板13和上電極板11之間後仍然具有與初始高度的高度分佈相同的壓縮後的低溫壓縮高度的高度分佈。第2b圖為本發明上電極組件高溫狀態的剖面示意圖。在進行一定時間的電漿處理後，上電極板11和安裝板13大幅升溫達到140℃，此時上電極板11由於是陶瓷材料製成，形狀基本保持不變，安裝板13的金屬發生大幅膨脹，中心部分向下膨出，邊緣區域向上翹起。此時中心的彈性導熱墊片S0具有高溫壓縮高度D1’(高溫壓縮高度是指在進行電漿處理後，置於上電極板11和安裝板13之間的彈性導熱墊片的受壓縮後的高度)，該高度D1’等於低溫壓縮高度D1，或者低於低溫壓縮高度D1。與之相反的，邊緣區域的彈性導熱墊片S2能夠大幅向上延伸達到高溫壓縮高度D2’，中間區域的彈性導熱墊片S1也會進行與安裝板變形程度相匹配的高度增加。這樣在安裝板13翹曲變形過程中，各個彈性導熱墊片藉由彈性變形，保持安裝板13與上電極板11之間的足夠的壓力，保持兩者之間的熱傳導持續穩定的進行。這樣也就保證了上電極板11具有穩定的溫度分佈。
在從室溫到電漿處理溫度變化過程中安裝變發生翹曲變形導致的安裝板13與上電極板11之間的間隙變化幅度大約0.1-0.2mm，所以上述D2’也大於D2的約0.1-0.2mm。
其中彈性導熱墊片S0~S2可以是由有機聚合物製成的，特別是含氟的氟碳有機聚合物，如Kapton®、Teflon®或者矽膠等彈性材料，用於電漿蝕刻製程需要耐受含氟反應氣體的腐蝕。本發明彈性材料中還可以摻雜導熱/導電顆粒，這些顆粒可以是金屬粉，石墨粉等。彈性導熱墊片也可以是由複數層材料製成的，其中中間或者上下複數層可以是鋁片，鋁片之間藉由上述彈性材料填
充。只要具有上下延展的彈性，並且具有足夠的導熱係數，任何材料或者材料層的組合都可以作為本發明的彈性導熱墊片。
本發明中由於採用了具有不同高度的彈性導熱墊片S0、S1、S2，所以在安裝板13變形過程中，仍能保持彈性導熱墊片S0、S1、S2與上下兩個部件之間的緊密接觸，保證了不同通氣區域之間的隔離，所以不同通氣區域之間的反應氣體也不會發生互相串擾的問題。為了保證彈性導熱墊片S0、S1、S2在頻繁的左右運動和上下壓縮-彈回的循環中不會變形或者發生位置滑動，安裝板13的下表面139可以設置複數個安裝槽130、131、132，分別用於固定彈性導熱墊片S0、S1、S2。這樣就可以避免彈性導熱墊片S0、S1、S2在升溫過程中相對安裝板13或者上電極板11發生水平滑動，進而避免因互相滑動摩擦產生的顆粒物，減少污染顆粒物的產生。根據同樣的原理，本發明中的安裝槽130、131、132也可以設置在下方上電極板11的上表面119上。
由於本發明提出的彈性導熱墊片S0~S2具有不同的初始高度，所以在常溫時如果安裝槽132與安裝槽130具有相同的深度，會導致彈性導熱墊片S2的壓縮幅度大於彈性導熱墊片S0的壓縮幅度。採用同樣的彈性材料時，壓縮幅度越大則材料越緊密，其導熱係數會越大。因此本發明採用相同材料製成的彈性導熱墊片，在溫度較低安裝板沒有發生足夠變形前，實際邊緣區域的由於壓縮幅度更大，相應的導熱係數會大於中心區域，這也會導致上電極板11溫度在升溫過程總溫度分佈不均。為了改善這一問題，本發明中的安裝槽可以設置不同深度，以匹配不同高度的彈性導熱墊片。例如安裝槽132的深度高於安裝槽130的深度，使得彈性導熱墊片S0在低溫時的壓縮幅度為20%(1-壓縮後高度/初始高度)，彈性導熱墊片S2在低溫時的壓縮幅度為40%。隨著溫度的升高安裝板13發生變形，其中彈性導熱墊片S0的壓縮幅度基本不變或者略微增加，彈性導熱墊片S2的壓縮幅度大幅減少到20%或者更低，此時安裝板13與上電極板11之間
不同區域的彈性導熱墊片具有類似的壓縮幅度，也就具有接近的熱導率最終實現了電漿處理過程中整個上電極板11的溫度均衡。其中不同區域的彈性導熱墊片的壓縮率只要接近，並不一定完全相同，例如彈性導熱墊片S0和彈性導熱墊片S2的壓縮壓縮幅度差小於5%就能夠實現不同區域中的彈性導熱墊片導熱係數相同的發明目的。具體的安裝槽深度可以根據彈性導熱墊片的高度參數，電漿處理製程的射頻功率參數的最佳化選擇，藉由安裝槽深度參數選擇可以使得電漿處理過程中上電極板13溫度分佈更穩定。除了選擇安裝槽深度，也可以藉由選擇不同的材料來實現補償不同彈性導熱墊在不同壓縮幅度下熱導率不同的問題，比如位於邊緣的彈性導熱墊片S2的彈性材料的熱導率可以高於位於中心的彈性導熱墊片S2的熱導率。
如第3圖所示為本發明上電極組件第二實施例低溫狀態的剖面示意圖，其中安裝板13底部表面具有三個不同的臺階面，其中最外側的臺階1391具有最低的高度Da，中間的臺階面1392具有中間高度Db，中心臺階面1393具有最高的高度Dc，每個臺階面的高度差約0.1mm。在電漿處理開始進行，達到穩定的工作溫度後安裝板13發生的變形正好使得中心凹陷的臺階面1393向下鼓出，邊緣的臺階面1391向上翹起，而且變形幅度(0.1-0.2mm)與初始的高度差接近，兩者互相抵消，最終使得高溫狀態時，安裝板13與上電極板11之間的間隙比較均衡。此時安裝板13與上電極板11之間的的複數個彈性導熱墊片S10~S12需要與第2a圖、第2b圖所示的第一實施例具有不同的高度分佈。其中在低溫狀態時，位於中心的彈性導熱墊片S10的低溫壓縮高度需要大於位於邊緣的彈性導熱墊片S12的低溫壓縮高度。在升溫達到工作溫度後，上述複數個彈性導熱墊片S10~S12具有相似的高溫壓縮高度(高度差小於10%)，所以也能保證電漿處理器處理過程中上電極板11上的溫度分佈均勻。
本發明中的彈性導熱墊片除了可以具有上述的3個以外，也可以是更複數個如4個或5個，或者至少需要2個。
以上所述僅是本發明的較佳實施方式，雖然本發明已以較佳實施例披露如上，然而並非用以限定本發明。任何熟悉本領域的通常知識者，在不脫離本發明技術方案範圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案做出許複數可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何的簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬本發明技術方案保護的範圍內。
S0,S1,S2:彈性導熱墊片
D1,D2:低溫壓縮高度
11:上電極板
13:安裝板
119:上表面
130,131,132:安裝槽
139:下表面
Claims (12)
- 一種用於電漿處理器的上電極組件，其包括：一安裝板和一上電極板，該安裝板和該上電極板藉由一機械緊固裝置互相連接固定，該安裝板和該上電極板之間的一間隙中包括複數個彈性導熱墊片，從內到外依次為位於該間隙中心的一第一彈性導熱墊片，和位於該間隙外圍的圍繞該第一彈性導熱墊片的一第二彈性導熱墊片；其中複數個該彈性導熱墊片具有各自的一初始高度，該第一彈性導熱墊片的該初始高度低於該第二彈性墊片的該初始高度；在被該機械緊固裝置安裝到該安裝板和該上電極板之間的該間隙之後，該上電極組件升溫到電漿處理溫度時，複數個該彈性導熱墊片各自具有一高溫壓縮高度，其中該第一彈性導熱墊片的該高溫壓縮高度低於該第二彈性導熱墊片的該高溫壓縮高度，使得該第二彈性導熱墊片緊密接觸在該安裝板和該上電極板之間；該第二彈性導熱墊片的該高溫壓縮高度大於該第一彈性導熱墊片的該高溫壓縮高度0.1-0.2mm。
- 如請求項1所述的上電極組件，其中，在室溫狀態下複數個該彈性導熱墊片具有相同的低溫壓縮高度。
- 如請求項1所述的上電極組件，其中，該安裝板的下表面或者該上電極板的上表面具有複數個安裝槽，複數個該彈性導熱片安裝在該安裝槽內，用於安裝該第二彈性導熱墊片的該安裝槽深度大於用於安裝該第一彈性導熱墊片的該安裝槽，使得該 第一彈性導熱墊片和該第二彈性導熱墊片在室溫和電漿處理溫度下具有接近的壓縮幅度。
- 如請求項2所述的上電極組件，其中，該第一彈性導熱墊片、該第二彈性導熱墊片的高溫壓縮幅度的差小於5%。
- 如請求項1所述的上電極組件，其中，複數個該彈性導熱墊片包括一含氟聚合物層，該含氟聚合物層摻雜有導熱顆粒。
- 如請求項5所述的上電極組件，其中，複數個該彈性導熱墊片由複數個不同材料層堆疊而成，其中包括一導熱鋁片層和該含氟聚合物層。
- 如請求項1所述的上電極組件，其中，該第一彈性導熱墊片、該第二彈性導熱墊片由不同材料製成，其中該第一彈性導熱墊片的導熱率低於該第二彈性導熱墊片的導熱率。
- 一種用於電漿處理器的上電極組件，其包括：一安裝板和一上電極板，該安裝板和該上電極板藉由一機械緊固裝置互相連接固定，該安裝板和該上電極板之間包括複數個彈性導熱墊片，從內到外依次為位於該上電極組件中心的一第一彈性導熱墊片，和位於該上電極組件外圍，圍繞該第一彈性導熱墊片的一第二彈性導熱墊片；該安裝板下表面具有複數個不同高度的臺階面，使得該安裝板與該上電極板之間具有不同的間距，其中該第一彈性導熱墊片安裝在一第一臺階面上，該第二彈性導熱墊片安裝在一第二臺階面上；該第二臺階面與該上電極板的間距小於該第一臺階面與該上電極板的間距0.1-0.2mm； 其中複數個該彈性導熱墊片在被該機械緊固裝置安裝到該安裝板和該上電極板之間的間隙之後，在室溫狀態下上述複數個該彈性導熱墊片各自具有一低溫壓縮高度，其中該第一彈性導熱墊片的該低溫壓縮高度高於該第二彈性導熱墊片的該低溫壓縮高度；該上電極組件升溫到電漿處理溫度時，複數個該彈性導熱墊片各自具有一高溫壓縮高度，其中該第一彈性導熱墊片的該高溫壓縮高度與該第二彈性導熱墊片的該高溫壓縮高度相差小於10%。
- 如請求項8所述的上電極組件，其中，複數個該彈性導熱墊片具有各自的一初始高度，該第一彈性導熱墊片的該初始高度與該第二彈性墊片的該初始高度相差小於10%。
- 一種電漿處理器，其包括：一反應腔，該反應腔內具有一基座用於放置待處理基片，一射頻電源連接到該基座，與該基座相對的該反應腔頂部包括如請求項1-8任一項所述的上電極組件，一反應氣體供應管道連通到該上電極組件中的一氣體分佈管道，該上電極組件中的複數個該彈性導熱墊片呈環狀排布，將該上電極板分隔為複數個通氣區域，使得不同該通氣區域的反應氣體互相隔離。
- 一種提供用於電漿處理器的彈性導熱墊片的方法，其包括：在該電漿處理器的一第一部件和一第二部件之間的一間隙中設置複數個彈性導熱墊片，從內到外依次為位於該間隙的中心的一第一彈性導熱墊片，和位於該間隙外圍的圍繞該第一彈性導熱墊片的一第二彈性導熱墊片； 其中複數個該彈性導熱墊片具有各自的一初始高度，該第一彈性導熱墊片的該初始高度低於該第二彈性墊片的該初始高度；在被一機械緊固裝置安裝到該第一部件和該第二部件之間的該間隙之後，該第一部件和該第二部件升溫到電漿處理溫度時，複數個該彈性導熱墊片各自具有一高溫壓縮高度，其中該第一彈性導熱墊片的該高溫壓縮高度低於該第二彈性導熱墊片的該高溫壓縮高度，使得該第二彈性導熱墊片緊密接觸在該第一部件和該第二部件之間。
- 如請求項11所述的方法，其中，該第一部件為一安裝板，該第二部件為一上電極板。
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