KR101790103B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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야스하루 사사키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

영역 온도 제어 구조체는, 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역을 가지는 구조체로서, 각 영역의 배열 방향을 따른 열전도를 억제하여 온도차를 유지하고, 또한 각 영역의 배열 방향에 교차하는 방향으로부터의 입사열에 대해서는 순조로운 열의 전도를 확보하여 핫 스폿의 발생을 억제한다. 이 영역 온도 제어 구조체는, 표면 온도가 각각 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역과, 상기 2 개 이상의 영역 상호 간에 배치된 열전도 이방성 재료층을 가진다. 이 열전도 이방성 재료층은, 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도율이, 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도율보다 작다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 표면 온도가 각각 상이한 온도로 제어되는 영역을 가지는 영역 온도 제어 구조체를 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 ‘웨이퍼’라고 함)에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에서 웨이퍼를 재치(載置)하는 재치대(서셉터)로서, 재치면을 복수의 환상(環狀) 온도 영역으로 분할하여 제어하고, 웨이퍼를 각 환상 온도 영역에서 지지하는 서셉터가 알려져 있다.
웨이퍼를 각 환상 온도 영역에서 지지하는 서셉터와 같이, 표면이 복수의 온도 영역으로 제어되는 영역 온도 제어 구조체, 또는 상이한 온도로 조정되는 복수의 조립 온도 영역 부재를 가지는 조립 구조체에서, 각 영역의 온도를 각각 조절할 시, 인접하는 상이한 환상 온도 영역의 경계면 또는 연결면에서 열의 이동이 발생하여, 열효율이 저하된다고 하는 문제가 있다. 또한, 영역 상호 간의 온도차를 확보할 수 없다고 하는 다른 문제가 있다.
따라서, 이러한 영역 온도 제어 구조체 또는 조립 구조체에서의 온도 조절 시의 열효율의 저하를 방지하고, 또한 영역 상호 간의 온도차를 확보하기 위하여, 인접하는 영역 상호 간에 단열재를 배치시키거나, 또는 인접하는 영역을 열전도율이 상이한 원재료로 구성하는 기술이 개발되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
일본특허공개공보 2004-292297호
그러나, 영역 온도 제어 구조체에서 상이한 온도로 제어되는 영역 상호 간에 단열재를 배치시킬 경우, 단열재를 개재한 영역 상호 간의 열의 전도를 방지할 수 있지만, 각 영역의 배열 방향과 교차하는 방향으로부터의 입사열에 대해서는, 단열재의 직상부(直上部)의 온도가 주변의 온도보다 높아져 온도적 특이점(이하, ‘핫 스폿’이라고 함)이 형성된다고 하는 문제가 있다. 핫 스폿은, 소정 온도로 조정, 제어되는 당해 영역의 온도 균일성을 저해할 뿐 아니라, 열효율을 저하시키는 원인도 된다.
본 발명의 목적은, 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역을 가지는 구조체로서, 각 영역의 배열 방향을 따른 열전도를 억제하여 온도차를 유지하고, 또한 각 영역의 배열 방향에 교차하는 방향으로부터의 입사열에 대해서는 순조로운 열의 전도를 확보하여 핫 스폿의 발생을 억제할 수 있는 영역 온도 제어 구조체를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 영역 온도 제어 구조체는, 표면 온도가 각각 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역과, 상기 2 개 이상의 영역 상호 간에 배치된 열전도 이방성 재료층을 가지고, 상기 열전도 이방성 재료층은, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도율이, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도율보다 작은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 태양에 따르면, 표면 온도가 각각 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역과, 상기 2 개 이상의 영역 상호 간에 배치된 열전도 이방성 재료층을 가지고, 열전도 이방성 재료층은 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도율이 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도율보다 작으므로, 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열의 이동을 억제하여 온도차를 유지 하고, 또한 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향으로부터의 입사열에 대해서는 순조로운 열의 전도를 확보하여 핫 스폿의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 태양에서, 상기 열전도 이방성 재료층은, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도와 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도와의 상대적인 관계에 있어서, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도에 대해서는 단열층으로서 기능하고, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도에 대해서는 열전도층으로서 기능하는 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에서, 상기 열전도 이방성(異方性) 재료층에서의 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도율에 대한 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도율의 비가 7 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에서, 상기 열전도 이방성 재료층은, 티탄-카본, 알루미늄-카본 파이버, 티탄-알루미늄 및 글라스 형상 카본-카본으로부터 선택되는 복합재로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에서, 상기 2 개 이상의 영역은 열전도 등방성 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에서, 상기 영역 온도 제어 구조체는, 상기 2 개 이상의 영역이 소정 방향으로 배열된 판상체(板狀體)이며, 상기 열전도 이방성 재료층은, 상기 판상체를 두께 방향으로 관통하고 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에서, 상기 2 개 이상의 영역에는 각각 온도 조정 수단이 설치되어 있고, 상기 열전도 이방성 재료층은, 인접하는 온도 조정 수단 상호 간에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에서, 상기 온도 조정 수단은, 열교환 매체가 유통하는 환상 매체 유로, 펠티에 소자 또는 저항 가열체인 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에서, 상기 영역 온도 제어 구조체는, 기판 처리 장치의 재치대, 상부 전극판 및 디포짓 실드 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체가 구성 부재로서 적용된 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체의 일례의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 3a는 도 2에서의 제 1 환상 온도 영역 및 제 2 환상 온도 영역 간에 배치되는 환상 경계 부재의 단면 절편을 도시한 사시도이다.
도 3b는 도 2에서의 제 1 환상 온도 영역 및 제 2 환상 온도 영역 간에 배치되는 환상 경계 부재의 단면 절편을 도시한 사시도이다.
도 3c는 도 2에서의 제 1 환상 온도 영역 및 제 2 환상 온도 영역 간에 배치되는 환상 경계 부재의 단면 절편을 도시한 사시도이다.
도 3d는 도 2에서의 제 1 환상 온도 영역 및 제 2 환상 온도 영역 간에 배치되는 환상 경계 부재의 단면 절편을 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3a ~ 도 3d에서 나타나는 환상 경계 부재에서의 수평 반경 방향의 열전도에 대한 특성을 나타낸 도이다.
도 5는 도 3a ~ 도 3d에서 나타나는 환상 경계 부재에서의 수직 방향의 열전도에 대한 특성을 나타낸 도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체로서의 서셉터의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 7은 도 6의 서셉터의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체로서의 디포짓 실드의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체로서의 상부 전극판의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
이하에, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 이용하여 상세히 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체를 구성 부재로서 적용하는 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 1에서 이 기판 처리 장치는, 웨이퍼에 소정의 플라즈마 에칭 처리를 실시하는 것이다.
기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(11)를 가지고, 챔버(11) 내에는 웨이퍼(W)를 재치하는 원판 형상의 서셉터(12)가 배치되어 있다. 챔버(11)의 내측벽과 서셉터(12)의 측면에 의해 측방 배기로(13)가 형성된다. 측방 배기로(13)의 도중에는 배기 플레이트(14)가 배치되어 있다.
배기 플레이트(14)는 다수의 관통홀을 가지는 판상 부재이며, 챔버(11)의 내부를 상부와 하부로 구획하는 구획판으로서 기능한다. 배기 플레이트(14)에 의해 구획된 챔버(11) 내부의 상부(이하, ‘처리실’이라고 함)(15)에는, 후술하는 바와 같이 플라즈마가 발생한다. 또한, 챔버(11) 내부의 하부(이하, ‘배기실(매니폴드)’이라고 함)(16)에는 챔버(11) 내의 가스를 배출하는 배기관(17)이 접속되어 있다. 배기 플레이트(14)는 처리실(15)에 발생하는 플라즈마를 포착하거나 또는 반사하여 매니폴드(16)에의 누설을 방지한다.
배기관(17)에는 TMP(Turbo Molecular Pump) 및 DP(Dry Pump)(모두 도시 생략)가 접속되고, 이들 펌프는 챔버(11) 내를 진공 배기하여 소정 압력까지 감압한다. 또한, 챔버(11) 내의 압력은 APC 밸브(도시 생략)에 의해 제어된다.
챔버(11) 내의 서셉터(12)에는 제 1 고주파 전원(18)이 제 1 정합기(19)를 개재하여 접속되고, 또한 제 2 고주파 전원(20)이 제 2 정합기(21)를 개재하여 접속되어 있고, 제 1 고주파 전원(18)은 비교적 낮은 주파수, 예를 들면 2 MHz의 바이어스용의 고주파 전력을 서셉터(12)에 인가하고, 제 2 고주파 전원(20)은 비교적 높은 고주파, 예를 들면 60 MHz의 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 서셉터(12)에 인가한다. 이에 의해, 서셉터(12)는 전극으로서 기능한다. 또한, 제 1 정합기(19) 및 제 2 정합기(21)는, 서셉터(12)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여 고주파 전력의 서셉터(12)에의 인가 효율을 최대로 한다.
서셉터(12)의 상부에는, 정전 전극판(22)을 내부에 가지는 정전 척(23)이 배치되어 있다. 정전 척(23)은 단차를 가지고, 세라믹 등으로 구성되어 있다.
정전 전극판(22)에는 직류 전원(24)이 접속되어 있고, 정전 전극판(22)에 양의 직류 전압이 인가되면, 웨이퍼(W)에서의 정전 척(23)측의 면(이하, ‘이면’이라고 함)에는 음 전위가 발생하여 정전 전극판(22) 및 웨이퍼(W)의 이면 간에 전위차가 발생하고, 이 전위차에 기인하는 쿨롱력 또는 존슨 라벡력에 의해 웨이퍼(W)는 정전 척(23)에 흡착 보지(保持)된다.
또한, 정전 척(23)에는 흡착 보지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록, 포커스 링(25)이 정전 척(23)의 단차에서의 수평부에 재치된다. 포커스 링(25)은, 예를 들면 실리콘(Si) 또는 탄화규소(SiC)에 의해 구성된다.
서셉터(12)의 내부에는, 예를 들면 후술하는 원주 방향으로 연장되는 환상의 환상 매체 유로가 형성되어 있다. 환상 매체 유로에는, 칠러 유닛(도시 생략)으로부터 매체용 배관을 거쳐 저온의 열교환 매체, 예를 들면 냉각수 또는 갈덴(등록 상표)이 순환 공급된다. 열교환 매체에 의해 냉각된 서셉터(12)는 정전 척(23)을 개재하여 웨이퍼(W) 및 포커스 링(25)을 냉각한다. 또한, 환상 매체 유로의 용도는 냉각에는 한정되지 않고, 상온에서의 유지 또는 가열의 경우도 있을 수 있다. 따라서, 환상 매체 유로를 흐르는 유통 매체는, 일반적으로 열교환 매체로서 이용되는 것이면 되고, 환상 매체 유로는 열교환 환상 매체 유로로서 사용된다.
정전 척(23)에서의 웨이퍼(W)가 흡착 보지되어 있는 부분(이하, ‘흡착면’이라고 함)에는, 복수의 전열 가스 공급홀(28)이 개구되어 있다. 전열 가스 공급홀(28)은, 전열 가스 공급 라인(29)을 개재하여 전열 가스 공급부(도시 생략)에 접속되고, 전열 가스 공급부는 전열 가스로서의 He(헬륨) 가스를, 전열 가스 공급홀(28)을 거쳐 흡착면 및 웨이퍼(W)의 이면의 간극으로 공급한다. 흡착면 및 웨이퍼(W)의 이면의 간극으로 공급된 He 가스는 웨이퍼(W)의 열을 정전 척(23)에 효과적으로 전달한다.
챔버(11)의 천장부에는, 서셉터(12)와 처리실(15)의 처리 공간(S)을 개재하여 대향하도록 샤워 헤드(30)가 배치되어 있다. 샤워 헤드(30)는, 상부 전극판(31)과, 이 상부 전극판(31)을 착탈 가능하게 지지(釣支)하는 쿨링 플레이트(32)와, 쿨링 플레이트(32)를 덮는 덮개체(33)를 가진다. 상부 전극판(31)은 두께 방향으로 관통하는 다수의 가스홀(34)을 가지는 원판 형상 부재로 이루어지고, 반도전체인 Si 또는 SiC에 의해 구성된다. 또한, 쿨링 플레이트(32)의 내부에는 버퍼실(35)이 설치되고, 버퍼실(35)에는 처리 가스 도입관(36)이 접속되어 있다.
또한, 샤워 헤드(30)의 상부 전극판(31)은 접지된다.
이러한 구성의 기판 처리 장치(10)에서는, 처리 가스 도입관(36)으로부터 버퍼실(35)로 공급된 처리 가스가 상부 전극판(31)의 가스홀(34)을 거쳐 처리실(15) 내부로 도입되고, 도입된 처리 가스는, 제 2 고주파 전원(20)으로부터 서셉터(12)를 개재하여 처리실(15) 내부에 인가된 플라즈마 생성용의 고주파 전력에 의해 여기되어 플라즈마가 된다. 플라즈마 중의 이온은, 제 1 고주파 전원(18)이 서셉터(12)에 인가하는 바이어스용의 고주파 전원에 의해 웨이퍼(W)를 향해 인입되고, 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭 처리를 실시한다.
기판 처리 장치(10)의 각 구성 부재의 동작은, 기판 처리 장치(10)가 구비하는 제어부(도시 생략)의 CPU가 플라즈마 에칭 처리에 대응하는 프로그램에 따라 제어한다.
이러한 기판 처리 장치에서, 처리 공간(S)에서의 라디칼 밀도의 균일화를 도모하기 위하여, 서셉터(12)의 표면을 센터 에어리어와, 이 센터 에어리어를 둘러싸는 엣지 에어리어로 분할하고, 엣지 에어리어의 온도가 센터 에어리어의 온도보다 낮아지도록 조정된다. 이 때, 서셉터(12)의 센터 에어리어와 엣지 에어리어의 환상 경계부에서 발생하는 열전도에 기인하는 열효율의 저하를 방지하기 위하여, 센터 에어리어와 엣지 에어리어와의 경계부에 단열재를 배치하는 것이 고려된다. 단열재는, 센터 에어리어와 엣지 에어리어 간에서의 열의 이동을 방지할 수는 있지만, 처리 공간(S)에서의 플라즈마의 발생에 수반하는 상방으로부터의 입사열에 대해서도 단열재로서 기능하므로, 당해 단열재의 상부에 핫 스폿이 형성되고, 이에 의해 처리 공간(S)에서의 라디칼 밀도가 균일하지 않게 되고, 나아가서는 열효율을 향상시킬 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명자는, 표면이 복수의 영역 온도로 제어되는 영역 온도 제어 구조체에서의, 인접하는 영역 상호 간에서의 각 영역의 배열 방향을 따른 열전도 및 각 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도에 대하여 예의 연구한 결과, 복수의 영역 상호 간에 열전도 이방성 재료층을 배치함으로써, 복수의 영역 상호 간에서의 열전도를 억제하여 온도차를 유지할 수 있고, 또한 복수의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도를 촉진하여 핫 스폿의 형성을 회피할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명에 도달했다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체는, 표면 온도가 각각 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역과, 이 2 개 이상의 영역 상호 간에 배치된 열전도 이방성 재료층을 가지고, 열전도 이방성 재료층은, 이 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도율이 이 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도율보다 작은 것을 특징으로 한다.
이어서, 도면을 이용하여 본 발명의 원리에 대하여 설명한다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체의 일례의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 2에서, 서셉터(12)의 일부를 구성하는 영역 온도 제어 구조체(40)는, 도 2 중, 수평 반경 방향으로 인접하여 배치된 제 1 환상 온도 영역(41) 및 제 2 환상 온도 영역(42)을 가지는 구조체 본체(45)와, 제 1 환상 온도 영역(41) 내에 형성된 제 1 온도 조정 수단으로서의 제 1 환상 매체 유로(43)와, 제 2 환상 온도 영역(42) 내에 형성된 제 2 온도 조정 수단으로서의 제 2 환상 매체 유로(44)와, 제 1 환상 온도 영역(41) 및 제 2 환상 온도 영역(42) 사이에 배치된 환상 경계 부재(46)(열전도 이방성 재료층)로 주로 구성되어 있다. 구조체 본체(45)는 열전도 등방성 재료, 예를 들면 카본으로 구성되어 있다. 또한, 이하에 편의상, 표면 온도가 상이한 온도로 조정되는 영역의 배열 방향을 수평 반경 방향이라 하고, 영역의 배열 방향에 교차하는 방향을 수직 방향이라 한다.
환상 경계 부재(46)는, 환상 매체 유로(43 및 44)에서의 열교환 매체의 흐름 방향에 직교하는 단면이 T 자 형상을 나타내고 있고(도 3a ~ 도 3d에는 절편으로서 나타냄), 단면 T 자 형상의 수직 부분(이하, ‘구획 부분’이라고 함)이 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42) 사이에 배치되고, 단면 T 자 형상의 수평 부분의 양 단부가 제 1 환상 매체 유로(43) 및 제 2 환상 매체 유로(44)의 상부에 걸쳐지도록 배치되어 있다.
이러한 구성의 영역 온도 제어 구조체(40)에서, 환상 경계 부재(46)로서 도 3a ~ 도 3d에 도시한 4 개의 환상 경계 부재(46a ~ 46d)(절편)를 각각 적용한 시뮬레이션 모델을 상정한다.
도 3a ~ 도 3d는, 도 2에서의 제 1 환상 온도 영역(41) 및 제 2 환상 온도 영역(42) 사이에 배치되는 환상 경계 부재를 도시한 사시도이다.
도 3a의 환상 경계 부재(46a)는, 예를 들면 단면 T 자 형상의 수평 부분의 길이가 10 mm, 폭이 5 mm, 구획 부분의 전체 길이가 10 mm, 폭이 1.7 mm이다. 환상 경계 부재(46a)는, 단면 T 자 형상의 전체가 등방적으로 열전도성을 나타내는 열전도 등방성 재료, 예를 들면 카본으로 구성되어 있다.
도 3b의 환상 경계 부재(46b)는, 예를 들면 단면 T 자 형상의 수평 부분의 길이가 10 mm, 폭이 5 mm, 구획 부분의 전체 길이가 10 mm, 폭은 0.5 mm이다. 환상 경계 부재(46b)는, 수평 부분은 카본으로 구성되고, 또한 구획 부분의 전부가 단열재, 예를 들면 티탄으로 구성되어 있다.
도 3c의 환상 경계 부재(46c)는, 단면 T 자 형상의 각 치수가 도 3a의 환상 경계 부재(46a)와 동일하며, 수평 부분은 카본으로 구성되고, 또한 구획 부분의 전부가 단열재, 예를 들면 티탄으로 구성되어 있다. 이 환상 경계 부재(46c)가 도 3a의 환상 경계 부재(46a)와 상이한 점은, 구획 부분에 소정 간격, 예를 들면 0.3 mm 간격으로 소정폭, 예를 들면 0.1 mm 폭의 단열재층을, 구획 부분의 폭 방향(수평 반경 방향)에 관하여, 예를 들면 5 층 형성한 것이다. 단열재로서는, 도 3b의 구획 부분에 적용한 티탄이 사용된다. 이 환상 경계 부재(46c)의 구획 부분은 열전도 이방성재(이하, ‘경사재’라고 함)로서의 성질을 가지고, 수평 반경 방향의 열전도에 대하여 예를 들면 단열재로서 기능하고, 수직 방향의 열전도에 대하여 예를 들면 열전도재로서 기능한다.
도 3d의 환상 경계 부재(46d)는, 단면 T 자 형상의 각 치수가 도 3a의 환상 경계 부재(46a)와 동일하며, 단면 T 자 형상의 전체가 카본으로 구성되어 있다. 이 환상 경계 부재(46d)가 도 3a의 환상 경계 부재(46a)와 상이한 점은, 수평 부분 및 구획 부분의 전체에 소정 간격, 예를 들면 0.3 mm 간격으로 소정폭, 예를 들면 0.1 mm 폭의 단열재층을 수평 반경 방향에 관하여 다수 형성한 점이다. 이 환상 경계 부재(46d)는, 단면 T 자 형상의 전체가 경사재로서의 성질을 가지고, 수평 반경 방향의 열전도에 대하여 예를 들면 단열재로서 기능하고, 수직 방향의 열전도에 대하여 예를 들면 열전도재로서 기능한다.
도 2의 영역 온도 제어 구조체(40)에서의 환상 경계 부재(46)로서, 도 3a ~ 도 3d의 각 환상 경계 부재(46a ~ 46d)를 각각 적용한 시뮬레이션 모델을 상정하고, 제 1 환상 온도 영역(41)의 제 1 환상 매체 유로(43)가 308(K)(켈빈)이 되는 열교환 매체를 유통시키고, 또한 제 2 환상 온도 영역(42)의 제 2 환상 매체 유로(44)가 323(K)이 되는 열교환 매체를 유통시켰을 경우의 제 1 환상 온도 영역(41) 및 제 2 환상 온도 영역(42)의 표면에서의 도 2 중의 수평 반경 방향의 온도 분포를 구하여, 결과를 도 4에 나타냈다.
또한, 제 1 환상 매체 유로(43) 및 제 2 환상 매체 유로(44)가 모두 308(K)이 되는 열교환 매체를 흘린 상태에서, 상부로부터 28000(W/m2)의 전력을 인가함으로써 생성된 플라즈마에 기인하여 발생하는 열을 조사하고, 제 1 환상 온도 영역(41) 및 제 2 환상 온도 영역(42)의 표면에서의 도 2 중의 수평 반경 방향의 온도 분포를 구하여, 결과를 도 5에 나타냈다.
도 4는, 도 3a ~ 도 3d에서 나타나는 환상 경계 부재에서의 수평 반경 방향의 열전도에 대한 특성을 나타낸 도이다.
도 4 중, 종축은 영역의 온도(K)를 나타내고, 횡축은 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)의 경계면(0)으로부터의 거리를 나타낸다.
도 4에서 파선으로 나타낸 바와 같이, 도 3a의 환상 경계 부재(46a)를 이용한 구조체는, 제 1 환상 온도 영역(41)의 표면 온도가 제 2 환상 온도 영역(42)의 표면 온도에 영향을 받아 상승하는 한편, 제 2 환상 온도 영역(42)의 표면 온도가 제 1 환상 온도 영역(41)의 표면 온도에 영향을 받아 저하되고 있어, 제 1 환상 온도 영역(41)의 표면 온도와 제 2 환상 온도 영역(42)의 표면 온도와의 경계가 불명료하게 되어 있다. 또한, 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)은, 상술한 바와 같이 모두, 열전도 등방성 재료로 구성되어 있으므로, 각 영역에서의 표면 온도와 내부 온도는 균일하다고 생각된다. 따라서, 이하에, 각 영역의 표면 온도와 내부 온도를 특별히 구별하지 않고, 단순히 영역의 온도라고 하는 경우가 있다.
일점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 도 3b의 환상 경계 부재(46b)를 이용한 구조체는, 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)과의 온도의 경계가 명료하며, 환상 경계 부재(46b)가 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)의 배열 방향을 따른 열전도에 대하여 단열재로서 기능하고 있는 것을 알 수 있다.
또한 실선으로 나타낸 바와 같이, 도 3c의 환상 경계 부재(46c)를 이용한 구조체는, 도 3b의 환상 경계 부재(46b)를 이용한 구조체와 마찬가지로, 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)과의 온도의 경계가 명료하며, 환상 경계 부재(46c)가 영역 배열 방향을 따른 열전도에 대하여 단열재로서 기능하고 있는 것을 알 수 있다.
한편 이점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 도 3d의 환상 경계 부재(46d)를 이용한 구조체는, 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)과의 온도차가 환상 경계 부재(46b 및 46c)를 이용한 구조체에 비해 커져 있어, 영역 배열 방향을 따른 열전도에 대한 단열재로서의 기능이 증대하고 있는 것을 알 수 있다. 이에 의해, 환상 경계 부재(46d)를 이용한 경우에는, 제 1 환상 매체 유로(43)를 흐르는 제 1 열교환 매체 및 제 2 환상 매체 유로(44)를 흐르는 제 2 열교환 매체의 냉각 작용이 유효하게 발현되게 된다.
도 4의 결과로부터, 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)과의 온도차를 유지하는 환상 경계 부재로서, 환상 경계 부재(46b), 환상 경계 부재(46c) 및 환상 경계 부재(46d)가 적합하다는 것을 알 수 있다.
한편 도 5는, 도 3a ~ 도 3d의 환상 경계 부재에서의 수직 방향의 열전도에 대한 특성을 나타낸 도이다.
도 5 중, 종축은 영역의 온도(K)를 나타내고, 횡축은 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)와의 경계면(0)으로부터의 거리를 나타낸다.
도 5에서 파선으로 나타낸 바와 같이, 환상 경계 부재(46a)를 적용한 구조체는, 수직 방향의 열의 이동이 순조로워져, 구조체 본체(45)의 표면 온도는 309(K)으로 대략 균일하게 되어 있다. 이는, 환상 경계 부재(46a) 전체가 열전도 등방성 재료로 구성되어 있어, 등방적으로 열전도성이 발현되기 때문이다.
이에 대하여, 일점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 환상 경계 부재(46b)를 적용한 구조체는, 환상 경계 부재(46b)의 상부가 주위의 온도보다 높은 핫 스폿이 되어 있다. 이는, 구획 부분에 배치한 단열재층이 수직 방향의 열전도에 대해서도 단열재로서 기능하여, 환상 경계 부재(46b)의 상부에 온도적인 특이점이 형성되기 때문이다.
또한 실선으로 나타낸 바와 같이, 환상 경계 부재(46c)를 적용한 구조체는, 환상 경계 부재(46c)의 상부에 약간 주위의 부분보다 온도가 높은 부분이 보여지지만, 환상 경계 부재(46b)의 당해 개소에서의 온도에 비하면 충분히 낮다고 할 수 있다. 따라서, 환상 경계 부재(46c)를 적용한 구조체에서는, 구획 부분을 구성하는 경사재가 수직 방향의 열전도에 대하여 단열재가 아닌, 열전도재로서 기능하고 있는 것을 알 수 있다.
한편, 이점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 환상 경계 부재(46d)를 적용한 구조체는, 핫 스폿의 발생은 보이지 않지만, 수직 방향의 열의 확산이 전체적으로 저해되어, 구조체 본체(45)의 표면 전체의 온도가 다른 환상 경계 부재를 적용한 구조체에 비해 상승되어 있다. 이에 의해, 환상 경계 부재(46d)는, 수직 방향의 열전도에 대하여 약한 단열재로서 기능하고 있는 것을 알 수 있다.
도 4 및 도 5의 결과의 평가를 하기 표 1에 정리하여 나타낸다.
표 1은, 도 3a ~ 도 3d의 환상 경계 부재(46a ~ 46d)에서의 수평 반경 방향의 단열성 및 수직 방향의 열전도성의 평가를 정리하여 나타낸 것이다. 여기서, ‘○’는 그 성질이 양호한 것을 나타내고, ‘△’는 양호하지 않지만 불량도 아닌 것을 나타내고, ‘×’는 불량인 것을 나타낸다. 또한 본 실시예에서의 단열성은, 열이 전달되기 어려운 것을 의미하고 있으며, 전혀 열이 전달되지 않는 것을 의미하는 것은 아니다.
환상 경계 부재 46a 46b 46c 46d
수평 반경 방향의 단열성 × ○ ○ ○
수직 방향의 열전도성 ○ × ○ △
표 1로부터, 수평 반경 방향의 열전도에 대하여 단열재로서 기능하고, 수직 방향의 열전도에 대하여 열전도재로서 기능하는 환상 경계 부재로서는, 구획 부분에 경사재를 적용한 도 3c의 환상 경계 부재(46c)가 유효하다는 것을 알 수 있다.
즉, 제 1 환상 온도 영역(41) 및 제 2 환상 온도 영역(42)을 가지는 도 2의 영역 온도 제어 구조체(40)에서, 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42)의 온도차를 유지하면서 상부로부터의 입사열에 대하여, 핫 스폿의 발생을 억제하기 위해서는, 제 1 환상 온도 영역(41)과 제 2 환상 온도 영역(42) 사이에, 수평 반경 방향을 따른 열전도율이, 수직 방향에서의 열전도율보다 작은 경사재, 즉 수평 반경 방향의 열전도에 대하여 단열재로서 기능하고, 수직 방향의 열전도에 대하여 열전도재로서 기능하는 경사재를 배치하면 되는 것을 알 수 있다.
따라서 본 발명에서는, 표면 온도가 각각 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역을 구비한 영역 온도 제어 구조체에서, 각 영역 상호 간에, 수평 반경 방향을 따른 열전도율이 수직 방향을 따른 열전도율보다 작은 경사재가 배치된다.
이하에, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체에 대하여 설명한다.
도 6은, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체로서의 서셉터의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 6에서 이 서셉터(12)는, 제 1 환상 온도 영역으로서의 센터 에어리어(51) 및 제 2 환상 온도 영역으로서의 엣지 에어리어(52)를 가지는 서셉터 본체(55)와, 서셉터 본체(55)의 센터 에어리어(51) 내에 형성된 제 1 환상 매체 유로(53) 및 엣지 에어리어(52) 내에 형성된 제 2 환상 매체 유로(54)와, 제 1 환상 매체 유로(53) 및 제 2 환상 매체 유로(54) 사이에 배치된 열전도 이방성 재료로 이루어지는 경사재(56)로 주로 구성되어 있다. 또한, 서셉터 본체(55)는 열전도 등방성 재료인, 예를 들면 금속 알루미늄으로 구성되어 있다.
서셉터(12)는 원판 형상을 나타내고 있고, 그 직경은 예를 들면 320 ~ 400 mm, 두께는 20 ~ 50 mm이지만, 이들의 수치는 서셉터(12)에 재치하는 웨이퍼(W)의 사이즈에 따라 달라지는 것은 말할 필요도 없다. 서셉터(12)의 상부 표면에는, 정전 척(57)을 개재하여 웨이퍼(W)가 재치되어 있고, 정전 척(57)에 흡착 보지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 포커스 링(58)이 배치되어 있다. 서셉터(12)의 센터 에어리어(51)는, 제 1 환상 매체 유로(53)를 흐르는 비교적 고온의 열교환 매체에 의해 냉각되고, 엣지 에어리어(52)는, 제 2 환상 매체 유로(54)를 흐르는 비교적 저온의 열교환 매체에 의해 냉각된다.
경사재(56)는, 제 1 환상 매체 유로(53)와 제 2 환상 매체 유로(54) 사이로서, 센터 에어리어(51)와 엣지 에어리어(52)와의 경계부에, 서셉터 본체(55)를 그 두께 방향으로 관통하도록 배치되어 있다. 따라서 경사재(56)는, 원판 형상의 센터 에어리어(51)와 원환 형상의 엣지 에어리어(52) 사이에 배치된 원환 형상을 나타내고 있다.
이러한 구성의 서셉터(12)에 재치되는 웨이퍼(W)의 온도는, 서셉터(12)의 표면에서의 센터 에어리어(51) 및 엣지 에어리어(52)의 온도, 나아가서는 센터 에어리어(51) 내의 제 1 환상 매체 유로(53)를 유통하는 매체 온도 및 엣지 에어리어(52) 내의 제 2 환상 매체 유로(54)를 유통하는 매체 온도에 의해 결정된다.
도 6의 서셉터(12)를 도 1의 기판 처리 장치(10)의 챔버(11) 내에 배치하고, 제 1 환상 매체 유로(53)에 예를 들면 323(K)의 열교환 매체를 유통시키고, 제 2 환상 매체 유로(54)에 예를 들면 308(K)의 열교환 매체를 유통시키고, 처리실(15) 내에 처리 가스를 도입하고, 또한 제 2 고주파 전원(20)으로부터 서셉터(12)를 개재하여 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 인가하고, 처리 가스를 여기함으로써 플라즈마를 발생시킨 경우, 서셉터(12)의 센터 에어리어(51)의 표면은, 323(K)보다 조금 높은 예를 들면 324(K)이 되고, 엣지 에어리어(52)의 표면은, 308(K)보다 조금 높은 예를 들면 309(K)이 된다. 또한 이 때, 플라즈마에 기인하는 처리 공간(S)으로부터의 입사열은, 서셉터(12)의 전체 표면에 균등하게 전달되고, 경사재(56)의 상부에 핫 스폿이 형성되지 않는다. 웨이퍼(W)의 상방의 화살표는, 플라즈마의 발생에 수반하는 입사열을 나타낸 것이다.
본 실시예에 따르면, 상이한 온도로 조정, 제어되는 센터 에어리어(51)와 엣지 에어리어(52)를 가지는 서셉터(12)에서의 수평 반경 방향을 따른 열의 전도를 억제하여 양 에어리어의 온도차를 유지하고, 또한 수직 방향으로부터의 입사열에 대해서는 순조로운 열의 이동을 확보하여 핫 스폿의 발생을 방지할 수 있고, 나아가서는 열효율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시예에 따르면, 경사재(56)를, 서셉터 본체(55)의 두께 방향으로 관통하는 것으로 했으므로, 수평 반경 방향의 열전도에 대하여 큰 단열 효과가 얻어지고, 이에 의해, 열교환 매체의 상호 간섭을 최소로 할 수 있으므로 에너지의 손실을 억제할 수 있다. 본 실시예에서의 서셉터(12)는 서셉터 표면의 센터 에어리어(51)와 엣지 에어리어(52)와의 온도차를 유지하고, 또한 서셉터 전체의 열효율을 향상시키고자 할 경우에 유효하다.
본 실시예에서, 경사재(56)의 수평 반경 방향의 두께는, 센터 에어리어(51)와 엣지 에어리어(52) 간에 요구되는 단열의 정도에 의해 결정된다. 즉, 강한 단열성이 요구될 경우에는, 경사재(56)의 두께는 두껍게 되고, 약한 단열성만으로 충분할 경우에는, 경사재(56)의 두께는 얇게 된다. 경사재(56)의 두께를 두껍게 한 결과로서, 경사재(56)의 측면이 제 1 환상 매체 유로(53) 및 제 2 환상 매체 유로(54)의 측면에 접촉한 상태가 될 수도 있다. 경사재(56)를 제 1 환상 매체 유로(53) 및 제 2 환상 매체 유로(54)의 양방 또는 어느 일방에 접촉시킴으로써 서셉터 전체로서 물리적 강도를 유지하는 것이 곤란해질 경우에는, 제 1 환상 매체 유로(53)의 측면 및 제 2 환상 매체 유로(54)의 측면의 양방 혹은 어느 일방, 또는 서셉터 본체(55) 자체를 강화하는 것이 바람직하다. 또한 경사재(56)는, 열팽창율이 서셉터 본체(55)와 동등한 재료, 또는 인접 부재와의 열팽창차를 흡수할 수 있는 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
본 실시예에서, 상이한 온도로 조정, 제어되는 환상 온도 영역을 센터 에어리어(51)와 엣지 에어리어(52)의 2 개로 했지만, 상이한 환상 온도 영역은 2 개에 한정되지 않고, 3 개 이상이어도 된다.
본 실시예에서 경사재(56)는, 수평 반경 방향의 열전도에 대하여 단열재로서 기능하고, 수직 방향의 열전도에 대하여 열전도재로서 기능하는 것이며, 예를 들면 티탄(Ti)-카본(C), 알루미늄(Al)-카본 파이버, 티탄-알루미늄 및 글라스 형상 카본-카본으로부터 선택되는 복합재로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 실시예에서, 경사재(56)의 수평 반경 방향의 열전도율과 수직 방향의 열전도율은 서로의 상대적 관계에 의해 결정된다. 구체적으로, 경사재로서 이용하는 재료가 티탄-카본일 경우에는 열 전달이 어려운 방향의 열전도율은 10(W/(m·K))가, 열 전달이 쉬운 방향의 열전도율은 200(W/(m·K))가 되고, 알루미늄-카본 파이버일 경우에는 마찬가지로 각각이 150(W/(m·K))와 1000(W/(m·K)), 글라스 형상 카본-카본일 경우에는 각각이 10(W/(m·K))와 200(W/(m·K)), 티탄-알루미늄일 경우에는 각각이 10(W/(m·K))와 150(W/(m·K))가 된다. 이에 의해, 경사재(56)의 수평 반경 방향의 열전도율에 대한 수직 방향의 열전도율의 비가 대략 7 이상이 되도록 선택되면 된다.
본 실시예에서, 센터 에어리어(51)와 엣지 에어리어(52) 내에 설치되는 온도 조정 수단이, 열교환 매체가 유통하는 환상 매체 유로인 경우에 대하여 설명했지만, 본 실시예에서 온도 조정 수단은 환상 매체 유로에 한정되지 않고, 열전 소자(예를 들면, 펠티에 소자), 그 외의 히터, 예를 들면 저항 가열체여도 된다. 온도 조절 수단으로서, 환상 매체 유로, 열전 소자, 저항 가열체 등을 채용함으로써, 제어가 용이하고, 또한 장수명을 확보할 수 있다.
이하에, 제 1 실시예의 변형예에 대하여 설명한다.
도 7은, 도 6의 서셉터의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 7에서, 이 서셉터(62)가 도 6의 서셉터(12)와 상이한 점은, 서셉터 본체(55)의 두께 방향으로 관통하는 경사재(56) 대신에, 서셉터 본체(55)의 상부 표면으로부터 그 두께 방향의 중간점까지 연장되는 경사재(66)를 설치한 점이다.
이 변형예에 따르면, 도 6의 서셉터와 마찬가지로, 센터 에어리어(51)와 엣지 에어리어(52)와의 경계면에서의 수평 반경 방향을 따른 열전도를 억제하여 온도차를 유지하고, 또한 플라즈마에 기인하는 서셉터(62)의 상방으로부터의 입사열에 대해서는 순조로운 열의 이동을 확보하여 경사재(66)의 상부에서의 핫 스폿의 발생을 방지할 수 있다.
본 변형예의 서셉터(62)는, 서셉터 전체에서의 열효율은 어느 정도 저하되어도 서셉터 표면에서의 센터 에어리어(51)와 엣지 에어리어(52)와의 온도차를 확보하고자 할 경우에 유효하다.
이하에, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체에 대하여 설명한다.
도 8은, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체로서의 디포짓 실드(이하, ‘환상 디포짓 실드’라고 함)를 도시한 단면도이다.
환상 디포짓 실드는, 기판 처리 장치의 챔버 내에 설치되고, 그 표면 온도를 어느 정도 높게 설정함으로써 디포짓의 부착을 방지하기 위한 것이며, 통상, 표면 온도는 400(K) ~ 450(K)으로 설정된다. 그러나 예를 들면, 환상 디포짓 실드에 설치된 센서 등을 보호하기 위하여, 센서의 설치 위치에 대응하는 부분만을 덮도록 퇴적물을 부착시키고자 할 경우가 있다. 이러한 경우에는, 센서의 설치 위치에 대응하는 부분만이 주위의 온도보다 저온이 되도록 제어되어 퇴적물의 부착이 촉진된다. 이와 같이 적용되는 환상 디포짓 실드는 영역 온도 제어 구조체이다.
도 8에서, 기판 처리 장치(10)의 챔버(11)의 측벽에 환상 디포짓 실드(75)가 설치되어 있다. 환상 디포짓 실드(75)는, 등방적인 열전도성을 나타내는, 예를 들면 알루미늄재로 구성되어 있다. 환상 디포짓 실드(75)는, 저온 에어리어(71)와 고온 에어리어(72)로 구획되고, 저온 에어리어(71)에는 저온용의 환상 매체 유로(73)가 형성되어 있고, 고온 에어리어(72)에는 고온용의 환상 매체 유로(74)가 형성되어 있다. 저온 에어리어(71)와 고온 에어리어(72)의 경계 부분에는, 환상 디포짓 실드(75)의 두께 방향으로 관통하는 경사재(76)가 배치되어 있다.
이러한 구성의 환상 디포짓 실드(75)를 구비한 기판 처리 장치(10)를 이용하여 서셉터(12)의 상부 표면에 정전 척(23)을 개재하여 재치된 웨이퍼(W)에 소정의 플라즈마 처리를 실시하고, 환상 디포짓 실드(75)의 저온용의 환상 매체 유로(73)에 예를 들면 308(K)의 열교환 매체를 유통시키고, 고온용의 환상 매체 유로(74)에 예를 들면 400(K)의 열교환 매체를 유통시키면, 저온 에어리어(71)의 표면 온도는 예를 들면 310(K), 고온 에어리어(72)의 표면 온도는 예를 들면 398(K)이 되어, 양자의 온도차는 양호하게 유지된다. 또한 이 때, 플라즈마에 기인하는 처리 공간(S)으로부터의 입사열에 대하여, 경사재(76)의 상부에 핫 스폿이 형성되지도 않는다.
본 실시예에 따르면, 저온 에어리어(71)와 고온 에어리어(72)와의 온도차를 확보하고, 한편 플라즈마에 기인하는 처리 공간(S)으로부터의 입사열에 대해서도 핫 스폿을 형성하지 않아, 전체 에어리어에 균일하게 전도시킬 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체에 대하여 설명한다.
도 9는, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 영역 온도 제어 구조체로서의 상부 전극판을 도시한 단면도이다.
상부 전극판은, 처리 공간(S)으로 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드의 구성 부재이며, 처리 공간(S) 내에 고주파 전력을 인가하고, 처리 가스를 여기하여 플라즈마를 발생시킬 경우에는 전극이며, 센터 부분과 엣지 부분에서 온도차를 형성할 경우에는, 영역 온도 제어 구조체가 된다.
도 9에서, 기판 처리 장치(10)의 챔버(11) 내에 설치된 샤워 헤드(30)의 구성 부재인 상부 전극판(85)은 열전도 등방성 재료이다, 예를 들면, Si로 이루어지는 직경 300 ~ 500 mmφ, 두께 5 ~ 10 mm의 원판 형상을 나타내고 있고, 처리 공간(S)을 개재하여 서셉터(12)의 상부 표면에 정전 척(23)을 개재하여 재치된 웨이퍼(W)와 대향하고 있다. 상부 전극판(85)은, 서셉터(12)의 도 6에 도시한 센터 에어리어(51) 및 엣지 에어리어(52)에 각각 대향하는 전극판 센터 에어리어(81) 및 전극판 엣지 에어리어(82)를 가지고 있고, 전극판 센터 에어리어(81) 및 전극판 엣지 에어리어(82)의 경계부에 경사재(86)가, 그 두께 방향으로 관통하도록 배치되어 있다.
이러한 구성의 상부 전극판(85)에서의 전극판 센터 에어리어(81) 및 전극판 엣지 에어리어(82)는, 도 6의 서셉터(12)의 센터 에어리어(51) 및 엣지 에어리어(52)와 마찬가지로, 각각 상이한 온도로 조정되고, 또한 처리 공간(S)에서의 플라즈마의 발생에 수반하는 도 9 중, 하방으로부터의 입사열을 받지만, 전극판 센터 에어리어(81)및 전극판 엣지 에어리어(82)의 사이에 경사재(86)를 배치했으므로, 전극판 센터 에어리어(81) 및 전극판 엣지 에어리어(82)의 온도를 각각 상이한 온도로 유지하면서, 처리 공간(S)에서의 플라즈마 발생에 수반하는 입사열을 상부 전극판(85)의 도 9 중, 하방 표면에서 균등하게 받아들일 수 있고, 이에 의해, 핫 스폿의 형성을 회피할 수 있다.
이상, 본 발명에 대하여 실시예를 이용하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않는다.

Claims (9)

  1. 챔버의 내부에 수용된 기판에 대해 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 기판을 재치하기 위해 상기 챔버의 내부에 배치된 재치대와,
    상기 재치대에 재치되는 기판과 대향하도록 상기 챔버의 내부에 배치된 상부 전극판을 구비하고,
    상기 재치대와 상기 상부 전극판 중 적어도 일방에 영역 온도 제어 구조체가 이용되고,
    상기 영역 온도 제어 구조체는,
    표면 온도가 각각 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역과,
    상기 2 개 이상의 영역에 각각 설치된 제 1 온도 조정 수단 및 제 2 온도 조정 수단과,
    상기 2 개 이상의 영역 상호 간에 배치된 열전도 이방성 재료층을 가지고,
    상기 열전도 이방성 재료층은, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도율이, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도율보다 작고,
    상기 열전도 이방성 재료층은 단면이 T 자 형상이고, T 자 형상의 수직 부분이 상기 제 1 온도 조정 수단과 상기 제 2 온도 조정 수단의 사이에 배치되고, T 자 형상의 수평 부분의 양 단부가 상기 제 1 온도 조정 수단과 상기 제 2 온도 조정 수단의 상부에 걸쳐지도록 배치되어 있고,
    소정 간격으로 소정 폭의 단열재층이 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 관하여 상기 T 자 형상의 수직 부분에 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 챔버의 내부에 수용된 기판에 대해 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 기판을 재치하기 위해 상기 챔버의 내부에 배치된 재치대와,
    상기 재치대에 재치되는 기판과 대향하도록 상기 챔버의 내부에 배치된 상부 전극판과,
    상기 플라즈마 처리에 의해 발생하는 디포짓의 부착을 방지하기 위해 상기 챔버의 내부에 배치되는 디포짓 실드를 구비하고,
    상기 디포짓 실드에 영역 온도 제어 구조체가 이용되고,
    상기 영역 온도 제어 구조체는,
    표면 온도가 각각 상이한 온도로 제어되는 2 개 이상의 영역과,
    상기 2 개 이상의 영역에 각각 설치된 제 1 온도 조정 수단 및 제 2 온도 조정 수단과,
    상기 2 개 이상의 영역 상호 간에 배치된 열전도 이방성 재료층을 가지고,
    상기 열전도 이방성 재료층은, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도율이, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도율보다 작고,
    상기 열전도 이방성 재료층은 단면이 T 자 형상이고, T 자 형상의 수직 부분이 상기 제 1 온도 조정 수단과 상기 제 2 온도 조정 수단의 사이에 배치되고, T 자 형상의 수평 부분의 양 단부가 상기 제 1 온도 조정 수단과 상기 제 2 온도 조정 수단의 상부에 걸쳐지도록 배치되어 있고,
    소정 간격으로 소정 폭의 단열재층이 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 관하여 상기 T 자 형상의 수직 부분에 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 열전도 이방성 재료층은, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도와 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도와의 상대적인 관계에 있어서, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도에 대해서는 단열층으로서 기능하고, 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도에 대해서는 열전도층으로서 기능하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 열전도 이방성 재료층에서의 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향을 따른 열전도율에 대한 상기 2 개 이상의 영역의 배열 방향에 교차하는 방향에서의 열전도율의 비가 7 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 열전도 이방성 재료층은, 티탄-카본, 알루미늄-카본 파이버, 티탄-알루미늄 및 글라스 형상 카본-카본으로부터 선택되는 복합재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 2 개 이상의 영역은 열전도 등방성 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 영역 온도 제어 구조체는, 상기 2 개 이상의 영역이 소정 방향으로 배열된 판상체이며, 상기 열전도 이방성 재료층은, 상기 판상체를 두께 방향으로 관통하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 온도 조정 수단 및 상기 제 2 온도 조정 수단은, 열교환 매체가 유통하는 환상 매체 유로, 펠티에 소자 또는 저항 가열체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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