JP6165452B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
前記基材は、前記凸部を構成する上部の基材層とその下方でブレージングもしくは金属含有接着剤を介して接合され冷媒溝を有する下部の基材層とを有し、
前記凸部上面の直径は前記被処理基板の直径未満であり、
ヒータ層は前記凸部上部に配置され、
前記上部の基材層の前記凸部下方の当該凸部外周側の部分の内部であって、当該凸部外周側の部分の下方の前記下部の基材層内の前記冷媒溝の上方に真空断熱層が配置されて、前記冷媒溝の垂直方向の投影面は、前記真空断熱層の垂直方向の投影面と重なることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
以下、実施例を図面を用いて説明する。
以上本実施例によれば、試料載置電極の肩部下方に真空断熱層を設けることにより、被処理材料を高温で均一に加熱することのできるプラズマ処理装置を提供することができる。また、試料載置電極の肩部下方に形成された冷媒溝に重なる位置に真空断熱層を設けることにより、より被処理材料を均一に加熱することができる。
そこで、図1に示すドライエッチング装置の試料載置電極として図4に示す試料載置電極を用い、試料載置電極の表面温度を300℃以上の所望の温度でドライエッチングを行ったところ、良好な均一性が得られた。
以上本実施例によれば、実施例1と同様の効果を得ることができる。また、試料載置電極の中心部に真空断熱層を形成することにより、試料載置電極の中央部における温度が安定する。
Claims (3)
- 内部が減圧排気される処理室と、前記処理室に設けられ凸部形状を有した基材の当該凸部上面に被処理基板が載置される試料載置電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と前記処理室内を排気する為の真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、
前記基材は、前記凸部を構成する上部の基材層とその下方でブレージングもしくは金属含有接着剤を介して接合され冷媒溝を有する下部の基材層とを有し、
前記凸部上面の直径は前記被処理基板の直径未満であり、
ヒータ層は前記凸部上部に配置され、
前記上部の基材層の前記凸部下方の当該凸部外周側の部分の内部であって、当該凸部外周側の部分の下方の前記下部の基材層内の前記冷媒溝の上方に真空断熱層が配置されて、前記冷媒溝の垂直方向の投影面は、前記真空断熱層の垂直方向の投影面と重なることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記試料載置電極は、前記凸部上部に静電吸着膜を有したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置において、
前記上部の基材層内であって、前記凸部内側下方に中心側真空断熱層が配置され、
前記中心側真空断熱層の垂直方向の投影面が、前記冷媒溝の投影面と重なる部分を持つことを特徴とするプラズマ処理装置。
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